Diseño de Circuitos Electrónicos para

Comunicaciones

CONTENIDO RESUMIDO:
1- Introducción.
2- Sintetizadores de frecuencias.
3- Amplificadores de potencia para comunicaciones.
4- Técnicas de mejora de rendimiento de amplificadores de
potencia.
5- Componentes y subsistemas para receptores y transmisores
ópticos.
6- Circuitos electrónicos para receptores, transmisores,
transceptores y repetidores regenerativos.
7- Circuitos electrónicos para concentradores, conmutadores y
encaminadores.

ATE-UO DCEC amp 00

Amplificadores de potencia para comunicaciones
Idea fundamental: Amplificar señales de RF hasta niveles
suficientes para su transmisión y hacerlo con la fidelidad
necesaria y con buen rendimiento energético.

• h = PRF/PCC
(rendimiento de drenador)
PCC
• PAE = (PRF –Pe_RF)/PCC
Rg
+
Amplificador
Pe_RF de potencia PRF
VCC de RF RL

Pperd
ATE-UO DCEC amp 01
Concepto de “Clase” de un transistor en un amplificador (I)

Amplificador de
Rg potencia de RF

+ iC
RL

Q1

iC iC iC

t t t
0 p 2p 0 p 2p 0 p 2p
Clase A: Clase B: Clase C:
conducción durante 2p conducción durante p conducción < p
ATE-UO DCEC amp 02
Concepto de “Clase” de un transistor en un amplificador (II)

Amplificador de
Rg potencia de RF

+ iC
RL

Q1

• Clase D: Q1 trabaja en conmutación.

• Clase E: Q1 trabaja en conmutación a tensión cero.
• Clase F: Varios circuitos resonantes determinan una tensión
cuadrada en el colector de Q1.
ATE-UO DCEC amp 03
 Amplificadores de potencia de RF lineales y no lineales

Rg
+
Amplificador +
vg de potencia
VCC vs
de RF RL
-

Amplificadores lineales: la forma de onda de la tensión de salida

vs es proporcional a la de entrada vg.
Amplificadores no lineales: la forma de onda de la tensión de
salida vs no es proporcional a la de entrada vg. Caso especialmente
interesante: tensión de salida vs proporcional a VCC.
ATE-UO DCEC amp 04
 Transistores de potencia de RF

• Bipolares (JBTs) de Si  Estudiados en 1º de grado, asignatura

“Dispositivos Electrónicos y Fotónicos”, tema de “Transistores”.

• MOSFETs de Si  Estudiados en 1º de grado, asignatura

“Dispositivos Electrónicos y Fotónicos”, tema de “Transistores”.

• HEMTs de GaAs  No estudiados en el grado.

• HEMTs de GaN  No estudiados en el grado.

Transistores bipolares de potencia de RF

• Se utilizan cada vez menos.
• Ya son difíciles de encontrar a la venta.
• Ejemplos:
• SD1731 (amplificación lineal)
• SD1446 (amplificación no lineal)
ATE-UO DCEC amp 05
Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (I)

Amplificadores lineales

Baja tensión

Terminal de emisor voluminoso

ATE-UO DCEC amp 06

Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (II)

Muy bajas resistencias térmicas

Muy alta máxima temperatura de unión
Muy baja máxima tensión inversa base-emisor
Gran diferencia en función del estado de la base
ATE-UO DCEC amp 07
Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (III)

Se valora la linealidad
Muy variables (y pequeños) valores de beta
ATE-UO DCEC amp 08
Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (IV)

Muy baja tensión

Terminal de emisor voluminoso

Amplificadores no lineales

Robusto frente a desacoplo

ATE-UO DCEC amp 09
Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (V)

Peor resistencia térmica que en el caso anterior (es para Clase C)

Muy alta máxima temperatura de unión

Muy baja máxima tensión inversa base-emisor
Gran diferencia en función del estado de la base
ATE-UO DCEC amp 10
Ejemplos de transistores bipolares de potencia de RF (VI)

Muy pequeños valores de beta

No se valora la linealidad
ATE-UO DCEC amp 11
 Transistores MOSFET de potencia de RF

• Han desplazado a los bipolares.

• Suelen ser laterales (LDMOS).
• Por el contrario, los usados en conversión de potencia son
verticales (VMOS, UMOS, etc.).
• Son mucho más caros que los de conversión de potencia (tienen
que disipar mucha más potencia).
• A veces se diseñan con redes internas para trabajar en un margen
de frecuencias específico.
• Ejemplos:
• MRF150 (amplificación lineal, propósito general).
• MRF373 (amplificación no lineal, banda de 470-860 MHz).
• PTFA191001 (amplificación lineal, banda de 1930-1990 MHz).

ATE-UO DCEC amp 12

 Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (I)

De “acumulación” (normalmente abierto) y canal N

Baja tensión

Se valora la linealidad

ATE-UO DCEC amp 13

Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (II)

Muy baja resistencia térmica

Muy alta máxima temperatura de unión

Relativamente alta (y simétrica) tensión inversa máxima puerta-fuente

ATE-UO DCEC amp 14

Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (III)

Se valora la linealidad
Mayor ganancia que con bipolares

ATE-UO DCEC amp 15

 Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (IV)

2 encapsulados distintos

De “acumulación” (normalmente abierto) y canal N

Amplificación no lineal

Optimizado para una banda, aunque ancha

2 encapsulados distintos
ATE-UO DCEC amp 16
Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (V)

Baja resistencia térmica

Muy alta máxima temperatura de unión
Relativamente baja (y asimétrica) tensión inversa máxima puerta-fuente
ATE-UO DCEC amp 17
 Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (VI)

2 encapsulados distintos

Optimizado para
banda estrecha

Amplificación lineal

2 encapsulados distintos
ATE-UO DCEC amp 18
Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (VII)

Se valora mucho la linealidad

y se sacrifica rendimiento

ATE-UO DCEC amp 19

Ejemplos de transistores MOSFET de potencia de RF (VIII)

Muy baja resistencia térmica

Muy alta potencia, pero ¡ojo con la temperatura de la cápsula y
con el “derating”!
Muy alta máxima temperatura de unión
Relativamente baja (y asimétrica) tensión inversa máxima puerta-fuente
ATE-UO DCEC amp 20
Concepto de HEMT (“High Electron Mobility Transistor”) (I)
• Un HEMT (“High Electron Mobility Transistor”) es un transistor cuyo
funcionamiento se basa en una “heterounión”, es decir, en la unión de
dos semiconductores distintos.
• Las heterouniones no se han estudiado en el grado.
• Para comprender el funcionamiento de las heterouniones hay que
acudir a “diagramas de bandas”. Se adjunta un apéndice.
• Un HEMT se comportan como un MESFET (un JFET de puerta
metálica en vez de semiconductora) pero con una canal compuesto
por un “gas bidimensional de electrones” (“2D gas”).
• La conductividad de este canal es altísima y se consigue con muy
bajas capacidades parásitas.
• Los HEMTs tradicionales se basan en heterouniones de GaAs y
AlGaAs
• Se usan para amplificación en microondas
• Hechos con GaN y AlGaN pueden disipar mejor el calor y trabajar a
mayores tensiones. ATE-UO DCEC amp 21
 Concepto de HEMT (“High Electron Mobility Transistor”) (II)

• Los HEMTs, como los JFETs y los MESFETs, tienen el canal

formado antes de actuar eléctricamente en la puerta.
• Por tanto, son dispositivos de deplexión (“depletion”) y
conducen corriente sin actuar eléctricamente en la puerta.
• Diferencias:
- El canal de un MESFET o de un JFET está compuesto por
los electrones de una zona N. En las zonas N hay iones
positivos del donador. La atracción de estos iones a los
electrones dificulta su movilidad.
- El canal de un HEMT está compuesto por un gas
bidireccional de electrones (“2D gas”). Este gas se forma en
la unión de dos semiconductores distintos. La movilidad de
los electrones del gas no está dificultada por iones positivos
del donador.
D
G
Símbolo S
ATE-UO DCEC amp 22
Concepto de HEMT (“High Electron Mobility Transistor”) (III)
• ¿Cómo se origina el “2D gas”?
• Es necesario que el “Nivel de Fermi” esté en la “Banda de
Conducción”. Esto ocurre en “heterouniones” correctamente
diseñadas (“ingeniería de bandas”).

Sem1 N + - Sem2 P

“2D-gas”:
Nivel de Fermi en la
banda de conducción

n
n
EF
EF p

p
ATE-UO DCEC amp 23
Concepto de HEMT (“High Electron Mobility Transistor”) (IV)

Contactos metálicos N+
para hacer circular IB > 0
corriente por el 2D-gas
Sem1 + - Sem2

N+ VB

2D-gas

2D-gas

Es la base de los EF
HEMTs

ATE-UO DCEC amp 24

 El HEMT de AlGaAs-GaAs (I) AlGaAs AlGaAs
GaAs

Metal N

AlGaAs
AlGaAs S G
D

N+ N+
2D-gas
GaAs (sin dopar)
EF
GaAs (semiaislante)

AlGaAs
(sin dopar)

El 2D gas se forma en una zona sin

iones de dopante  alta movilidad
ATE-UO DCEC amp 25
 El HEMT de AlGaAs-GaAs (II)
Resumen:
• Es una especie de JFET (MESFET) con un canal muy
conductor (formado por un “gas bidimensional de electrones”).
• Polarizando inversamente la fuente se puede disminuir (e
incluso eliminar) el 2D-gas.

Zona de
S transición G D Sin polarizar la puerta

+ + + + +
EF
N+ N+
+ + + + +
+ + + + +
Polarizando
GaAs (sin dopar) inversamente
la puerta

EF
GaAs (semiaislante)
ATE-UO DCEC amp 26
 El HEMT de AlGaN-GaN
AlGaN
Zona de (sin dopar)
transición G D
S

+ + + + +
N+ + + + + + N+

“2D-gas”
GaN

Substrato: Si, SiC o zafiro

Algunos fabricantes:

ATE-UO DCEC amp 27

 Ejemplo de HEMT de AlGaN-GaN (I)

ATE-UO DCEC amp 28

 Ejemplo de HEMT de AlGaN-GaN (II)

Alta resistencia térmica

Muy alta máxima temperatura de unión

Baja potencia
Relativamente baja (y asimétrica) tensión inversa máxima puerta-fuente.
Además, dispositivo de deplexión. Puerta no aislada
ATE-UO DCEC amp 29
 Comparación de capacidades parásitas de
MOSFETs de Si y HEMTs de AlGaN-GaN

MOSFET, PD = 300 W (@25ºC), VDS_max = 125 V, <150 MHz

MOSFET, PD = 278 W (@25ºC), VDS_max = 70 V, 470-860 MHz

HEMT, PD = 14W (@25ºC), VDS_max = 84 V, 3,3-3,9 GHz

ATE-UO DCEC amp 30

Tensiones de polarización en función del tipo de transistor

BJT MOSFET HEMT

(acumulación) (deplexión)
iC
iD iD
Clase A

Clase A Clase A

0,7 V vBE 3 V Clase B

vGS vGS
0 Clase B 0 Clase B - 3 V 0
C D D
B G
G S
E
S
Usaremos este transistor en
los dibujos de los circuitos ATE-UO DCEC amp 31
 Circuito básico de un amplificador de RF Clase A

LCH
Polarización CAC
iC + - VCC

+ iRL +
Rg RL vRL
vCE
+ - -
Q1

• La bobina LCH debe presentar una impedancia

mucho mayor que RL a la frecuencia de trabajo.
• El condensador CAC debe presentar una impedancia
mucho menor que RL a la frecuencia de trabajo.
ATE-UO DCEC amp 32
 Consideraciones generales de los circuitos en
régimen permanente
• El valor medio de la tensión en una bobina es cero.
• El valor medio de la corriente por un condensador es cero.

+
El valor medio de vLCH es 0 LCH
vLCH vCAC
El valor medio de iRL es 0 - + -
iC + - VCC
El valor medio de vRL es 0 CAC

El valor medio de vCAC es VCC

+ iRL +
(Kirchhoff) vCE R vRL
L
- -
El valor medio de vCE es VCC Q1
(Kirchhoff)

Como la impedancia de CAC es muy pequeña,

la tensión sobre él es constante e igual a VCC.
ATE-UO DCEC amp 33
 Amplificador de RF de potencia Clase A (I)

Circuito equivalente al básico

LCH LCH RL
VCC
+ - VCC iC VCC
iC
+ iRL + iRL
vCE vCE
RL
- Q1 -
Q1

En ambos casos:
• Toda la componente de alterna de iC circula por la carga.
• En la bobina, obviamente, no se disipa potencia.
ATE-UO DCEC amp 34
 Amplificador de RF de potencia Clase A (II)

• Otra posibilidad de realización, pero con un grado de libertad más:

Lm RL’
RL
iC VCC
iC 1:n
iRL + iRL’
VCC
+ vCE
vCE -
Q1 RL’ = RL/n2
Q1 -
iRL’ = iRL·n
Es como el caso anterior:
• Toda la componente de alterna de iC circula por la carga.
(modificada por la relación de transformación del transformador)
• En el transformador, obviamente, no se disipa potencia.
ATE-UO DCEC amp 35
 Amplificador de RF de potencia Clase A (III)

Circuito de estudio
Recta de carga
iC en continua
LCH RL
IB
iC VCC

+ iRL
vCE
Recta de carga
Q1 - en alterna con
pendiente -1/RL VCC vCE
Punto de trabajo

¿Cómo debe elegirse el punto de trabajo para

obtener el máximo rendimiento posible?
ATE-UO DCEC amp 36
 Amplificador de RF de potencia Clase A (IV)

Recta de carga
LCH RL iC en continua

iC VCC IB
+ iRL
vCE
Q1 -
La componente de alterna iC1
en el transistor es la vCE
misma que en la carga
VCC
PRF = (iC1·RL)2/(2·RL) VCC+iC1·RL
PCC = iC1·VCC t

h= PRF/PCC = iC1·RL/(2·VCC)

El máximo valor de iC1·RL es iC1·RL = VCC y por tanto hmax = 1/2 = 50%.
Éste es el límite teórico superior. ¡Es bastante bajo!
ATE-UO DCEC amp 37
 Amplificador de RF de potencia Clase A (V)

• Situación con la máxima señal que se puede manejar:

Recta de carga
iC en continua

LCH RL 2iC1
IB
iC VCC

+ iRL
iC1=VCC/RL
vCE
Q1 - t vCE
hmax = 50%.
VCC 2VCC

¿Cuál es el rendimiento cuando la

t
señal es no es la máxima posible?

ATE-UO DCEC amp 38

 Amplificador de RF de potencia Clase A (VI)

• Situación con señal menor que la máxima que se puede manejar:

Recta de carga
iC en continua
LCH RL 2·VCC/RL
IB
iC VCC

+ iRL DiC
vCE
Pend. -1/RL
Q1 -
t vCE
VCC 2VCC
PRF = (DvCE)2/(2·RL)
PCC = VCC2/RL DvCE
t
h= PRF/PCC = 0,5·(DvCE/VCC)2

ATE-UO DCEC amp 39

 Amplificador de RF de potencia Clase A (VII)
• Esta situación es la habitual en las comunicaciones modernas.
vRL 2·VCC/RL
iC
OFDM DiC (t)
t

t VCC vCE
vCE
OFDM 2VCC

t DvCE (t)
VCC
• Durante mucho tiempo el cociente
t
DvCE/VCC es muy pequeño.
• El rendimiento medio es muy bajo.
ATE-UO DCEC amp 40
 Amplificador de RF de potencia Clase A (VIII)
vce(wmt, wpt) • Cálculo del rendimiento medio con una
vm señal de AM:
vp
iC
2·VCC/RL
IB
vce es la componente
de alterna de vCE

vce(wmt, wpt) = DvCE(wmt)·sen(wpt) Pend. -1/RL

DvCE(wmt) = vp[1 + m·sen(wmt)]
vCE
m = vm/vp
VCC
h(wmt) = 0,5·[DvCE (wmt)/VCC]2  2VCC
h(wmt) = 0,5·(vp/VCC)2·[1 + m·sen(wmt)]2

hmed = 0,5·(vp/VCC)2·[1 + m2/2] t

hmed_max vp = VCC/2, m = 1
hmed_max = 0,125·[1 + 1/2] = 18,75% ¡Es muy bajo!
ATE-UO DCEC amp 41
 Amplificador de RF de potencia Clase A con circuito
resonante paralelo en el colector
Circuito resonante a la
frecuencia de la señal de RF • Circuito básico:

C
L
Polarización VCC
+ - VCC
iC
+ iRL +
Rg
vCE RL vRL
+ - -
Q1
iC
• El circuito resonante
presenta una impedancia t
infinita a la frecuencia de
la señal de RF 360º
ATE-UO DCEC amp 42
Amplificador Clase B con un único transistor (I)
Circuito básico

Circuito resonante a la
frecuencia de la señal de RF

C
L
Polarización VCC
+ - VCC
iC
+ iRL +
Rg
vCE RL vRL
+ - -
Q1
• El circuito resonante iC
presenta una impedancia
infinita a la frecuencia de
180º
la señal de RF
ATE-UO DCEC amp 43
 Amplificador Clase B con un único transistor (II)
• Otra realización física (incluso más frecuente):

L
VCC
+ - VCC
iC
L1 +
+ iRL
vCE vR’L
C1 C2 R’L
- -
Q1
iC Red de adaptación de
impedancias muy selectiva
Ze = RL
(filtro pasabajos)
180º
• La impedancia de entrada a la red
a la frecuencia de trabajo es RL.
ATE-UO DCEC amp 44
 Análisis del amplificador Clase B (I)

C C -
L L
vRL
VCC Equivalente RL +
+ - VCC iC
iC
+ iRL + + iRL VCC
vCE vRL vCE iC
- - RL -
Q1 Q1
iC 180º

180º

C RL
-
Equivalente
(salvo cálculos que
iC vRL impliquen a VCC y al
iC L iRL + transistor)

180º ATE-UO DCEC amp 45

 Análisis del amplificador Clase B (II)
• Circuitos equivalentes:

iC iC +
C
iCpico
L vRL
RL -
180º

iCca
iCpico(1-1/p)
C +
180º vRL
IC iC L RL
IC iCpico/p
iCca -

No genera tensión en la carga

(debido a la presencia de L)

ATE-UO DCEC amp 46

 Análisis del amplificador Clase B (III)
iCca iCca1

180º
iCpico(1-1/p)
= iCpico/2
+ Armónicos

iCca(wt) iRL(wt) iCca(wt) iRL(wt)

+ iCca1 Arm.
C C +
vRL vRL
L - L
RL - R
L
Los armónicos se
cortocircuitan por el
condensador
iCca1
iCca1 (wt) = (iCpico/2)·sen(wt) iRL +
iCca1
vRL(wt) = RL·iRL(wt) = -RL·iCca1(wt)
iCpico/2 vRL
vRL(wt) = -RL·(iCpico/2)·sen(wt) RL -
ATE-UO DCEC amp 47
 Análisis del amplificador Clase B (IV)
• Calculamos ahora las magnitudes eléctricas en el transistor:

Llamamos vce a la componente de alterna de vCE. Entonces se cumple:

vce(wt) = vRL(wt) = -RL·(iCpico/2)·sen(wt) 

C vce(wt) = -(RL /2)·iCpico·sen(wt)
L
Por trabajar en Clase B, la corriente por
VCC
VCC el colector del transistor vale:
iC + -
-Entre 0º y 180º:
+ iRL + iC = iCpico·sen(wt)
vCE vRL -Entre 180º y 360º:
- - RL iC = 0
Q1 iC
iCpico Por tanto, entre 0º y 180º, se cumple:
vce(wt) = -(RL /2)·iC
180º
ATE-UO DCEC amp 48
 Análisis del amplificador Clase B (V)
Partimos de:
vce(wt) = -(RL /2)·iC
Por tanto, entre 0º y 180º, se cumple:
C
L DvCE = iCpico·RL/2
VCC Recta de carga
+ - VCC iC en continua
iC
2·VCC/RL
+ IB
+ iRL Pendiente
-2/RL

vCE vRL
- - RL iCpico
Q1 iC Punto de trabajo

iCpico Pendiente 0 vCE

t 180º VCC
180º

DvCE
t
ATE-UO DCEC amp 49
 Análisis del amplificador Clase B (VI)
• Conclusión:
iC
iCpico C
L
t
180º VCC
+ - VCC
vce (= vRL)
iC +
DvCE
v vRL
t + CE RL
-

vCE Q1 -
DvCE
VCC
DvCE = iCpico·RL/2
t
ATE-UO DCEC amp 50
 Cálculo del rendimiento máximo posible en Clase B (I)

Recta de carga
C iC en continua
L 2·VCC/RL
VCC Pendiente IB
VCC -2/RL
iC + -

+ iRL + iCpico
vCE vRL iCpico/p
Punto de trabajo
- - RL
Q1 Pendiente 0 vCE
t 180º VCC
DvCE =
PRF = (DvCE)2/(2·RL) = (iCpico·RL)2/(8·RL) iCpico·RL/2
PCC = VCC·iCpico/p DvCE
t
h = PRF/PCC = iCpico·RL·p/(8·VCC)

El máximo valor de iCpico es iCpico_max = 2·VCC/RL y por tanto:

hmax = p/4 = 78,5% ¡Ha mejorado notablemente!

ATE-UO DCEC amp 51
Cálculo del rendimiento máximo posible en Clase B (II)

• Situación con la máxima señal que se puede manejar:

C Recta de carga
L iC en continua
VCC 2·VCC/RL
iC + - VCC IB
+ iRL +
vCE vRL
- - RL
Q1
vCE
t VCC
180º 2·VCC
hmax = p/4 = 78,5%

ATE-UO DCEC amp 52

 Cálculo de la potencia máxima disipada en el
transistor en Clase B, PTr_max

PRF = (iCpico·RL)2/(8·RL) iC Recta de carga en

continua
PCC = VCC·iCpico/p 2·VCC/RL
IB
PTr = PCC - PRF 
PTr = VCC·iCpico/p - (iCpico·RL)2/(8·RL) iCpico
PTr tiene un máximo en:
iCpico/p
iCpico_PTmax = 4·VCC/(p·RL)
Nótese que:
t 180º VCC vCE
iCpico_PTmax < iCpico_max = 2·VCC/RL
(el máximo está dentro del intervalo
Como la potencia máxima de RF es:
de valores posibles de iCpico)
PRF_max = (iCpico_max·RL)2/(8·RL) 
Por tanto, la potencia máxima
disipada en el transistor es: PRF_max = VCC2/(2·RL)
PTr_max = 2·VCC2/(p2·RL) Entonces:
PTr_max = 4·PRF_max/p2 = 0,405·PRF_max
ATE-UO DCEC amp 53
 vce(wmt, wpt) DvCE(wmt)
Rendimiento en Clase B
vm con una señal de AM
vp (envolvente)

Recta de carga
iC en continua
DvCE(wmt) = vp[1 + m·sen(wmt)] 2·VCC/RL
Pendiente IB
m = vm/vp -2/RL

PRF = [DvCE(wmt)]2/(2·RL) iCpico(wmt)

PCC = VCC·iCpico(wmt)/p Punto de trabajo
DvCE(wmt) = iCpico(wmt)·RL/2 
Pendiente 0 vCE
PCC = VCC·2·DvCE(wmt)/(p·RL)
VCC
h = PRF/PCC = p·DvCE(wmt)/(4·VCC)
h = 0,785·vp[1 + m·sen(wmt)]/VCC
hmed = 0,785·vp/VCC t
hmed_max vp = VCC/2 hmed_max = 39,26% DvCEmax(wmt)
ATE-UO DCEC amp 54
Comparación entre Clase A y Clase B (I)
iC Clase A
iCpico

iC
Clase B
iCpico
t
180º
vce (= vRL) Clase A:
Ambas Clases
• DvCE = iCpico·RL
DvCE
• hmax = 50%
t
Clase B:
Ambas Clases
vCE • DvCE = iCpico·RL/2
DvCE
• hmax = 78,5%
VCC • Mitad de ganancia que
t en Clase A
ATE-UO DCEC amp 55
 Comparación entre Clase A y Clase B (II)

iC Pendiente
-1/RL Clase A
C
Punto de trabajo L
estático
VCC
+ - VCC

vCE iC +
VCC
v vRL
iC + CE RL
-
Clase B
Pendiente
-2/RL
Q1 -
Punto de trabajo
estático

Pendiente 0

VCC vCE
ATE-UO DCEC amp 56
 Amplificador Clase B con dos transistores: el
montaje en contrafase o “Push-Pull” (I)

Polarización
RL’ = RL/n2
Q1 iC1
+
vCE1 iRL
Rg
- +
+ RL
VCC vRL
+ -
- -
vCE2
+
Q2 iC2 1:1:n
ATE-UO DCEC amp 57
 Amplificador Clase B con dos transistores: el
montaje en contrafase o “Push-Pull” (II)
• Idea básica: cada transistor amplifica media senoide.
• La senoide se recompone ya amplificada en el transformador
de salida.
iB1
iRL
Q1 iC1
180º
iB1 + iC1
vCE1 iRL
- 180º +
VCC vRL
- -
iC2 RL
iB2 vCE2
+
iB2 Q2 iC2 180º 1:1:n
180º ATE-UO DCEC amp 58
 Amplificador Clase B con dos transistores: el
montaje en contrafase o “Push-Pull” (III)
• Se conoce desde hace mucho tiempo.
• Se usaba en baja frecuencia (audio), incluso con válvulas
termoiónicas.
• Se puede hacer trabajar en Clase A, Clase B o Clase AB.
• Muy alta linealidad en Clase A.
• Puede trabajar en Clase B y banda ancha.
•En RF se usa frecuentemente en HF (hasta 30 MHz). En
algunas ocasiones hasta en VHF (está limitado por el material
del núcleo de los transformadores).
• Puede manejar potencias mayores (dos transistores) que en
los otros casos.
• El rendimiento del Push-Pull está determinado por la clase:
- 50 % en Clase A.
- 78,5 % en Clase B.
ATE-UO DCEC amp 59
 Circuitos de polarización para BJTs en clases A y B (I)
+VCC
+VCC
A la base del
transistor
R
Polarización

P LCH
D
A la base del
transistor
iB C
Clase A
• Sobra en el caso del Push-Pull.
• El ajuste se realiza para una
determinada corriente de colector
VBE en reposo (sin señal): fuerte en
0 Clase B Clase A y débil en Clase B.
ATE-UO DCEC amp 60
 Circuitos de polarización para BJTs en clases A y B (II)
• Introduciendo algún tipo de realimentación para estabilizar el
punto de trabajo:
+VCC
iC
R
Rg
D P LCH Q1
* +
*
C

• Ambos componentes se montan en el mismo radiador (muy juntos).

• Esto facilita la estabilidad del punto de trabajo (diapositiva siguiente).

ATE-UO DCEC amp 61

Circuitos de polarización para +VCC
BJTs en clases A y B (III)
R
• Por simplicidad en la LCH iB Q1
explicación, supongamos iD
que el potenciómetro está
en la posición superior:
+ *D + *
vD P vBE
- -
Diodo frío y Diodo frío y Diodo caliente y
transistor frío transistor caliente transistor caliente
iB, iD
iB, iD iB-T2 iB, iD

iB-T1 iB-T2
iD-T1 iD-T1 iD-T2

vBE vBE vBE

vD-T1 = vBE-T1 vD-T1 = vBE-T2 vD-T2 = vBE-T2
ATE-UO DCEC amp 62
 Ejemplo de esquema real de amplificador de potencia
con transistores bipolares (obtenidos del ARRL Handbook 2001)
• Amplificador lineal Clase B en Push-Pull:

Push-Pull

Filtro pasa-bajos

Polarización
ATE-UO DCEC amp 63
Circuitos de polarización para MOFETs en clases A y B (I)
• Polarización fija (sin realimentación para corregir variaciones no
deseadas del punto de trabajo):

+VCC
iD
R1 D
Rg
G
S
Q1
R2 +
+
P vGS
-
C

• Hace falta tensión positiva puerta-fuente (son de “acumulación”).

• El ajuste del potenciómetro se realiza para una determinada
corriente de drenador en reposo: fuerte en Clase A y débil en Clase B.

ATE-UO DCEC amp 64

Circuitos de polarización para MOFETs en clases A y B (II)
• Ejemplo con el MRF150:

Red de
entrada
Red de salida

ATE-UO DCEC amp 65

Circuitos de polarización para HEMTs en clases A y B (I)
• Polarización fija (sin realimentación para corregir variaciones no
deseadas del punto de trabajo):

D iD
-VG Rg
G
RP Q1
+ +
vGS S
-
C

• Hace falta tensión negativa puerta-fuente (son de “deplexión”).

• La selección de -VG se realiza para una determinada corriente de
drenador en reposo (fuerte en Clase A y débil en Clase B).

ATE-UO DCEC amp 66

Circuitos de polarización para HEMTs en clases A y B (II)
• Ejemplo con el CGH35030F:

• Drenador a 28 V
• Puerta a -10V

ATE-UO DCEC amp 67

 Circuitos de polarización en Clase A con regulación de la
corriente de drenador (o colector)

• En clase A, el valor medio de la corriente de drenador (o colector)

está fijado por la polarización.
• Existen circuitos para intentar garantizar que esta corriente no varíe
mucho al variar la temperatura.

iD Clase A

iD_med
t

• Opciones:
• Polarización con resistencia en drenador (o colector).
• Polarización activa en el drenador (o colector).
• Polarización con resistencia en drenador-puerta (o colector-base).
• Polarización activa en la puerta (o en la base).

ATE-UO DCEC amp 68

 Polarización con resistencia en drenador (o colector) (I)
• La corriente de drenador depende de la tensión de alimentación
(el transistor no se comporta como una fuente de corriente ideal).
• Cuando la corriente media de drenador iD_med aumenta, la tensión
efectiva de alimentación vCC2 disminuye, por lo que tiende a
disminuir iD_med.
• Desgraciadamente, el
rendimiento disminuye. +
vCC2 RD
• Se pueden llegar a suprimir C2 L1
C2 e incluso L1, empeorando -
el rendimiento aún más.
iD_med
D
+VG VCC1
G
S
Q1
RP +
vGS
-
C1
ATE-UO DCEC amp 69
 Polarización con resistencia en drenador (o colector) (II)

+VG
+VG RD
RD
L1
RP iD_med
RP iD_med
D
D VCC1
VCC1 G Q1
G Q1 S
S +
+ vGS
vGS
-
-
• Como en los circuitos
de baja frecuencia.
• Rendimiento máximo
posible muy bajo.

ATE-UO DCEC amp 70

 Polarización activa en el drenador (o colector) (I)
• Se basa en colocar una fuente de corriente en el drenador ID.
• Se cumple: iD_med = ID.
• Esta fuente de corriente se construye como un espejo de
corriente asimétrico (espejo de corriente con degeneración de
emisor o fuente Widlar con dos resistencias).

• Desgraciadamente, el
rendimiento también ID
disminuye. +VG C2 L1
iD_med
D
RP VCC1
G
S
Q3
+
vGS
-
ATE-UO DCEC amp 71
 Espejo de corriente con degeneración de emisor

• La corriente de referencia IC1 vale:

IC1  (VCC-0,6)/(R1 +RC)

R1 • Usando el modelo de Ebers-Moll en

R2
zona activa se obtiene IC2:
IC2  IC1·R1/R2 + VT·ln[(IS2·IC1/(IS1·IC2)],
Q1 Q2 donde:
VCC
IC2 - VT = 26 mV a temperatura ambiente.
-Is1 y IS2 son las corrientes inversas de
RC saturación de los transistores (véase
Dipolo
ATE-UO Trans 28 de “Dispositivos
IC1 Eléctrico Electrónicos y Fotónicos).

• Si 10-2 < R1/R2 < 102, entonces:

IC2  IC1·R1/R2

ATE-UO DCEC amp 72

 Polarización activa en el drenador (o colector) (II)

IC1
Q1
RC R1
ID  IC1·R1/R2
ID R2
Q2

+VG C2 L1
iD_med
VCC1
D
RP
G
S
Q3
+
vGS
-
ATE-UO DCEC amp 73
 Polarización con resistencia en drenador-puerta (I)
• Es exactamente la misma situación del circuito de polarización para
baja frecuencia mostrado en la diapositiva ATE-UO Trans 151 de
“Dispositivos Electrónicos y Fotónicos”:

+
vCC2 RD
C1 L1
-
iD_med
RG1 D
VCC1
G
S
Q1
+
vGS
RG2 ATE-UO Trans 151
-

ATE-UO DCEC amp 74

Polarización con resistencia en drenador-puerta (II)

ATE-UO DCEC amp 75

 Polarización con resistencia en drenador-puerta (III)
• Otras posibilidades:

RD RD
L2 L1
L1

iD_med iD_med
RG1 D
RG1 D
VCC1 VCC1
G Q1 G
S
Q1
S
+ +
vGS vGS
RG2 - RG2 -

• Sin condensador de desacoplo. • Sin bobina de choque de carga.

ATE-UO DCEC amp 76
 Polarización activa en la puerta (I)
• Se realimenta información de la corriente media de drenador y se
actúa en puerta para que ésta sea constante:

Ref
- ID

+ C2 RD
vCC2 L2
-
iD_med
RG1 D
L1 VCC1
+
G
S
Q1
VG C1 +
vGS
-
RG2 -
ATE-UO DCEC amp 77
 Polarización activa en la puerta (II)
IC1 D R1

RC vBE+R
- + • La corriente de IC1 vale:
- vBE2 IC1  (VCC1 - 0,6)/(R1 + RC)
+ ID
Q2 • Se cumple:
IC2 C2 RD vBE+R = 0,6 + R1·IC1 = cte.
L2 vBE+R = vBE2 + RD·ID = cte.
• Si crece ID, decrece vBE2.

RG1 • Si decrece vBE2, decrece IC2.

D
L1 VCC1 • Si decrece IC2, decrece VG.
G
S
Q1 • Por tanto, decrece ID.
+
+ • Como vBE2 no es muy
VG vGS diferente de 0,6 V, entonces:
C1
- ID  IC1·R1/RD.
RG2 -
ATE-UO DCEC amp 78
 Polarización activa en el drenador con HEMT
• La única diferencia es la tensión negativa en puerta (deplexión):
IC1
Q1
ID  IC1·R1/R2 RC R1

ID R2
Q2

-VG C2 L1

VCC1
RP D
G
Q3
S

ATE-UO DCEC amp 79

 Polarización activa en la puerta con HEMT
• La única diferencia vuelve a ser la tensión negativa en puerta:
IC1 D R 1

RC

ID  IC1·R1/RD ID
Q2
C2 RD
-VPG
L2

RG2 RG1
L1 D
G VCC1
Q1
C1 +
vGS S
-
ATE-UO DCEC amp 80
 Amplificadores Clase C (I)
¿Se puede alcanzar un rendimiento máximo teórico mayor que el 78,5%?
¿Qué hay que sacrificar?

• Circuito básico:

C Circuito
L resonante
Polarización VCC
+ - VCC
iC
+ iRL +
Rg
vCE RL vRL
+ - -
Q1
iC
Hay que conseguir ángulos
< 180º de conducción pequeños
ATE-UO DCEC amp 81
 Amplificadores Clase C (II)
¿Cómo conseguir un ángulo de conducción menor de 180º con BJTs?

iC vg
iB Rg VB +
VB+vgBE
vCE
+ + t
-
vBE
vg -
vgBE iB
rBE
t
Relaciones entre variables: fC
• vg = Vg_pico·sen(wt)
Vg_pico·sen(wt) – (VB + vgBE)
• Si (p-fC)/2 < wt < (p+fC)/2, iB =
Rg+rBE
• Si wt < (p-fC)/2 o wt > (p+fC)/2, iB = 0
ATE-UO DCEC amp 82
 Amplificadores Clase C (III)
• Realización física con BJTs:

VB
+ - iC
CB
iB Rg RB +
vCE
+ +
- vgBE
vBE
vg - rBE

• Como vg = Rg·iB + VB + vgBE + rBE·iB Pequeña

ganancia, ya que parte de vg se pierde para generar VB.

ATE-UO DCEC amp 83

 Amplificadores Clase C (IV)
• Realización física con MOSFETs:

+VCC R2 (>>Rg)
iD
R1 D
Rg vg
G
S
P + Q1 VTH - VG
+ vg t
C1 VG
-

iD
• Para trabajar en Clase C hay que elegir VG menor
que la tensión umbral del MOSFET, VTH. t
fC
ATE-UO DCEC amp 84
 Análisis del amplificador Clase C (I)

• Si (p-fC)/2 < wt < (p+fC)/2, entonces:

Vg_pico·sen(wt) – (VB + vgBE)
iB =
Rg+rBE
• Haciendo iB = 0, se obtiene:
fC = 2·arcos[(VB + vgBE)/Vg_pico ]
• Y por consiguiente:
iB = [sen(wt) – cos(fC/2)]·Vg_pico/(Rg+rBE)
• Por tanto, ic vale en (p-fC)/2 < wt < (p+fC)/2:
iC iC = [sen(wt) – cos(fC/2)]·b·Vg_pico/(Rg+rBE)
• El valor de pico de ic vale:
iCpico iCpico = [1 – cos(fC/2)]·b·Vg_pico/(Rg+rBE)
• Es decir:
fc sen(wt) – cos(fC/2)
iC = iCpico·
1 – cos(fC/2)
ATE-UO DCEC amp 85
 Análisis del amplificador Clase C (II)
sen(wt) – cos(fC/2)
iC = iCpico·
(no demostrado) 1 – cos(fC/2)

iCpico sen(fC/2) – (fC/2)·cos(fC/2)

• Componente de continua: IC = .
p 1 – cos(fC/2)
iCpico fC– senfC
• Primer armónico: iCca1(wt) = . ·sen(wt)
2p 1 – cos(fC/2)

• Resto de armónicos

• La componente de
continua se cortocircuita C +
en la bobina
L vRL
• Los armónicos se
cortocircuitan por el IC iCca1 Arm. iC RL -
condensador

ATE-UO DCEC amp 86

 Análisis del amplificador Clase C (III)
Circuito equivalente de alterna
iCca1(wt)
iCpico fC– senfC iCca1(wt) +
iCca1(wt) = · ·sen(wt)
2p 1 – cos(fC/2) vRL
t RL -
• Por tanto:
vce(wt) = vRL(wt) = -RL·iCca1(wt)

iCpico fC– senfC

vce(wt) = -RL· 2p · sen(wt)
1 – cos(fC/2)
Es decir:
RL fC– senfC
vce(wt) = - · i ·sen(wt)
2p 1 – cos(fC/2) Cpico

RL’
DvCE
RL fC– senfC
DvCE = - RL’·iCpico siendo: RL’ =
2p · 1 – cos(fC/2)
ATE-UO DCEC amp 87
 Cálculo del rendimiento del amplificador Clase C (I)

RL fC– senfC
• PRF = (DvCE)2/(2·RL) = (iCpico·RL’)2/(2·RL) siendo: RL’ =
2p · 1 – cos(fC/2)

sen(fC/2) – (fC/2)·cos(fC/2)
• PCC = VCC·IC siendo: IC = ·iCpico
p·[1 – cos(fC/2)]

iCpico·RL’·[fC– senfC]
• h= PRF/PCC  h= PRF/PCC =
4·VCC·[sen(fC/2) – (fC/2)·cos(fC/2)]

• Luego h crece con iCpico. Calculamos el valor máximo:

iCpico_max = DvCE_max/RL’ = VCC/RL’, ya que DvCE_max = VCC

• Por tanto:
[fC– senfC]
hmax =
4·[sen(fC/2) – (fC/2)·cos(fC/2)]
ATE-UO DCEC amp 88
 Cálculo del rendimiento del amplificador Clase C (II)

• Representación gráfica de hmax:

hmax [%]
100
Clase C • Rectas de carga y magnitudes
90 (ejempl.) eléctricas con la máxima señal
80 Clase B que se puede manejar:
70
Clase A
iC
60
50
iCpico max
IB
0 90 180 270 360
fC [º]

Pendiente -1/RL’
IC
vCE0 VCC 2·VCC
t fC p-fC vCE
Pendiente -1/[RL’·(1 – cos(fC/2)] 2
(no demostrado)
DvCE
t
ATE-UO DCEC amp 89
 Resumen de características de los amplificadores Clase C

Linealidad: Baja.
Rendimiento máximo: Alto, 80-90 % (ideal).
Ganancia: Baja.
Impedancia de entrada: Muy no lineal.
Corriente de colector: Picos altos y estrechos.
Ancho de banda: Pequeño.
Uso: Amplificación de señales “todo-nada”
(ASK) o señales con modulación de ángulo.

ATE-UO DCEC amp 90

 Amplificadores Clase C con pulsos de conducción muy
estrechos (I) El transistor trabaja “casi” en conmutación

C Circuito
L resonante iC C +
de alto Q
VCC L vRL
iC + - VCC RL -
+ iRL VCC +
• El circuito resonante resuena
vCE vRL
RL -
libremente y repone la energía que
- transfiere a la carga en los periodos
iC de conducción del transistor.
• El valor de pico de la tensión de
salida es aproximadamente el valor
de la tensión de alimentación:

vRL = VCC·sen(wt)
• El rendimiento es bastante alto.
ATE-UO DCEC amp 91
 Amplificadores Clase C con pulsos de conducción muy
estrechos (II) Modulador de amplitud
- VCC’ = VCC+vtr
Amplificador
de potencia vtr vtr
de BF
+

VCC’ + vCC’
C
L -
vCC
iC VCC’
+ - VCC
iC
+ +
vCE RL vRL vRL
- -
Q1

ATE-UO DCEC amp 92

 El amplificador Clase D con dos transistores (I)
Es un amplificador conmutado
• Circuito básico
simplificado: +VCC El valor medio de vRL es 0 (el
valor medio de iRL es 0 por estar
en serie con un condensador)
iC1
El valor medio de vQ2 es VCC/2
(conduce la mitad del periodo)
vCAC
Q1 iRL+ - El valor medio de vCAC
CAC
es VCC/2 (Kirchhoff)
iC2 + -
+
VCC/2
+
vRL
vQ2 RL vQ2 VCC
- VCC/2
Q2 -
vRL VCC/2

vRL = vQ2 – VCC/2 -VCC/2

ATE-UO DCEC amp 93
El amplificador Clase D con dos transistores (II)
• Con señales moduladas PWM (I)

vQ2 VCC

+VCC
VCC/2
iC1 vA

-VCC/2

Q1 i VCC/2 vRL
L A L
+ -
iC2 + +
+ vA C vRL
RL
vQ2 - Filtro -
Q2 pasa-bajos
- Hay un problema con iL
ATE-UO DCEC amp 94
 El amplificador Clase D con dos transistores (III)
• Con señales moduladas PWM (II)
• El problema está en el comportamiento inductivo de la
entrada del filtro.
+VCC • Debido a él, iL 0 cuando se apaga uno de los
transistores. Esa corriente no la puede conducir el otro
transistor, porque es corriente inversa para él.
iC1
• Ejemplo:
- Conducía Q1  iC1 > 0 y iL > 0.
- Cesa la conducción de Q1  iC1 = 0 y iL > 0.
Q1 iL VCC/2 L Debería ser iC2 = -iL, pero esto no es posible
+ - en un transistor bipolar.
iC2
• Soluciones:
+ - Diodos de libre circulación en paralelo
vQ2 con los transistores (los MOSFETs siempre
Q2 los tienen como diodo parásito, pero suelen
- ser lentos).
- Filtros de entrada resistiva (diplexores).
ATE-UO DCEC amp 95
 El amplificador Clase D con dos transistores (IV)
• Con señales moduladas PWM (III)

• Ejemplo anterior:
- Conducía Q1  iC1 > 0 y iL > 0.
+VCC
- Cesa la conducción de Q1 
iC1 = 0 y iL = iD2 > 0.
iC1 iD1
vRL
vA
D1 VCC/2

Q1 iL VCC/2
A L -VCC/2
+ -
iC2 +
+
vA C vRL
RL
- -
Q2 iD2 D2

ATE-UO DCEC amp 96

 El amplificador Clase D con dos transistores (V)
Con señales sin modular en PWM (I)
• Circuito básico:
+VCC

iL
iC1 iD1 vRL
D1
Q1 iL VCC/2 C L
A
+ -
iC2 +
CAC +
Filtro vRL
vA pasa-banda RL
- -
Q2 iD2 D2
vA VCC/2

-VCC/2
ATE-UO DCEC amp 97
El amplificador Clase D con dos transistores (VI)
Con señales sin modular en PWM (II)
• Los condensadores CAC y C se pueden agrupar en uno:

+VCC

iC1 iD1 iL

D1 vRL
Q1 iL VCC/2 C L
+ -
iC2 +
+ Filtro vRL
D2 pasa-banda RL
vQ2 -
Q2 iD2 - v VCC
Q2

ATE-UO DCEC amp 98

 El amplificador Clase D con dos transistores (VII)
• Cálculo del valor de la tensión de salida:
vQ2 VCC vRL
VCC/2
DvRL
= + + Armónicos

DvRL = (VCC/2)·4/p= 2·VCC/p

• Luego la tensión de salida es proporcional a la
tensión de alimentación  Puede usarse como
modulador de amplitud.

• Menor frecuencia de operación

debido a que los transistores
trabajan en conmutación y a la
presencia de dos transistores en
“medio puente” o en “totem pole”.

ATE-UO DCEC amp 99

 El amplificador Clase D con dos transistores (VIII)
• Topología con los dos emisores (fuentes) a masa: El “Push-Pull”
alimentado en tensión.
iC1
DvRL = n·VCC·4/p
iC1
iRL L
C
Q1
180º RL
+ +
VCC vST Filtro pasa- vRL
banda
Q2 - -
vST
iC2 n·VCC

1:1:n DvRL vRL

180º

¡Nunca los dos iC2 -n·VCC

transistores
conduciendo! ATE-UO DCEC amp 100
 El amplificador Clase D con dos transistores (IX)
• Topología con los dos emisores (fuentes) a masa: El “Push-Pull”
alimentado en corriente.
iC1
IC = p·n·DvRL/(4·RL)
+ vQ1max 1:1:n Filtro pasa-
pVCC
banda
vQ1 iST
180º
Q1 - IC RL
L +
VCC vRL
C -
Q2 +
pVCC
vQ2 vQ2max
iST
- IC/n DvRL vRL
180º

¡Nunca los dos iC2

transistores -IC/n
sin conducir! ATE-UO DCEC amp 101
 El amplificador Clase D con un transistor (I)
• Circuito básico simplificado:

+VCC El valor medio de vRL es 0 (por

el condensador CCA)
LCH
vCAC El valor medio de vQ1 es VCC
IC iRL+ - (por la bobina de choque LCH)
CAC
iC1 + -
VCC
+
+
vRL
vQ1 RL
-
Q1 - El valor medio de vCAC
es VCC (por Kirchhoff)
vQ1 2·VCC
VCC
vRL = vQ1 – VCC
¡Ojo: no se puede vRL VCC

colocar un filtro con

entrada inductiva! -VCC
ATE-UO DCEC amp 102
 El amplificador Clase D con un transistor (II)
• Alternativas:
+VCC −Usar un diplexor (véase ATE-UO EC mez 12-
15 de Electrónica de comunicaciones del grado).
LCH
−Colocar un condensador en paralelo
con el transistor  Clase E.
IC iRL CAC

iC1 + -
L +
Q1 VCC
+ C vRL
vQ1 RL
-
- Sin embargo, antes de estudiar
C el convertidor Clase E, vamos a
estudiar las conmutaciones en
L R un amplificador Clase D con
Diseño: dos transistores.

fC = 1/[2p(LC)1/2]
R = RL
L/C = 2R2
ATE-UO DCEC amp 103
 Conmutación en un amplificador Clase D (I)
• Vamos a analizar cómo debe ser una buena conmutación
en detalle. Como ejemplo analizaremos la apertura de Q1 y la
+VCC entrada en conducción de Q2:
- Conducía Q1  iQ1 > 0, iD1 = 0, ic1 = 0, iL > 0,
vQ1 = 0 y vQ2 = VCC.
iQ1
C1 ++ - Cesa la conducción de Q1 ( iQ1 = 0) y
supongamos que iL > 0.
D1 vQ1
- - Admitimos que durante el corto proceso de
Q1 iD1 iC1 - conmutación, iL no puede cambiar “mucho”.
iL
- Es muy importante que no pongamos a
iQ2 conducir a Q2 inmediatamente (Q2 descargaría
iC2 a C2, que está cargado a VCC). Existe, pues, un
++ “tiempo muerto”.
D2 vQ2
C2 - - La corriente iL “redistribuye” la carga de los
Q2 iD2 - condensadores: Descarga a C2 y carga a C1.
- La tensión vQ2 (vQ1) baja (sube) en rampa.
- Cuando vQ2 = 0 empieza a conducir D2 y ya
se puede dar orden de conducción a Q2.
ATE-UO DCEC amp 104
 Conmutación en un amplificador Clase D (II)
• Formas de onda:
Mando de Q1

+VCC t
Mando de Q2
t
iQ1
C1 ++ iQ1 iD2
D1 vQ1 iD2
-
Q1 iD1 iC1 - t
iL
iQ2
iQ2
iC2
++ t
D2 vQ2 vQ2
C2 - VCC ¡Q2 empieza a conducir
Q2 iD2 - cuando su tensión vale
cero desde hace un tiempo!
t

ATE-UO DCEC amp 105

 Conmutación en un amplificador Clase D (III)
• Concepto de “conmutación a tensión cero” (ZVS):
- El transistor empieza a conducir cuando su tensión ya era
cero (no se hace cero por efecto de empezar a conducir).
- Esto no genera pérdidas de conmutación. ¡¡Operar así es
muy importante!!

ATE-UO DCEC amp 106

 Conmutación en un amplificador Clase D (IV)
• Condiciones para que ocurra ZVS:
- Q1 debe apagarse cuando aún hay corriente positiva por él.
Esta corriente (iL) es la que se encarga de invertir la tensión en
los transistores (redistribuir la carga de los condensadores).
- La corriente iL debe de invertirse posteriormente, para que se
pueda repetir el proceso idénticamente con el otro transistor.

ATE-UO DCEC amp 107

 Conmutación en un amplificador Clase D (V)
• Para que Q1 tenga corriente positiva en el momento del apagado
no debe haberse completado el ciclo resonante de iL, lo que implica
que la frecuencia de conmutación debe ser algo mayor que la
frecuencia de resonancia.
• El circuito conmuta “por encima de resonancia”.

• Si el circuito trabaja “por debajo de resonancia”,

hay importantes problemas:
- La corriente iL cambia de signo cuando Q1
está en condiciones de conducir. La corriente
ya invertida la conduce D1.
- El cambio de tensión en los condensadores
se produce al entrar en conducción Q2. C1 se
carga “traumáticamente” y C2 se descarga de
igual modo (importantes pérdidas).
- La salida de conducción de D1 es también
“traumática” (por su recuperación inversa).
ATE-UO DCEC amp 108
 Conmutación en un amplificador Clase D (VI)
• Posibles modos de operación:

vA vA iL vA
iL iL

iQ1
• Operación “por iQ1
debajo de resonancia”.

iQ2 iD2
• Operación “en resonancia”. iQ2

iD1
• Operación “por encima
de resonancia”, con ZVS.
• Este amplificador pasa
a ser un amplificador
ATE-UO DCEC amp 109 Clase D/E.
 Estructura básica del amplificador Clase E

• Corriente resonante iL
• Corriente constante IC por con valor medio nulo.
LCH (fuente de corriente
+VCC
constante tal que IC = PRF/VCC) • Con nivel medio de
tensión VCC. Existe una
fuerte componente de
LCH alterna también.

IC C L
iL
+ -
iQ +
iD i
Cp Filtro
+ pasa-banda
vRL
D RL
vQ -
Q Cp
-
• ¡¡Es imprescindible
operar con ZVS!!
ATE-UO DCEC amp 110
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo óptimo de funcionamiento (I)
+VCC • En modo óptimo, el diodo no conduce nunca.
• Cuando la señal de gobierno del transistor lo satura,
empieza a conducir, creciendo la corriente “suavemente”.
LCH
2
IC C L
iL 1
Control
iL/IC
+ -
iS + 0

iQ vRL -1
iD i RL
Cp
+ - -2
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º
D 3
vQ
Q Cp 2 iS/IC
-
1

-1
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º
ATE-UO DCEC amp 111
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo óptimo de funcionamiento (II)
+VCC
3

2 iS/IC
Control
LCH 1

IC C L 0
iL
+ - -1
iS + 0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º

3
iQ vRL
iD i RL 2
Cp
+ - iQ/IC
D 1 iCp/IC
vQ
Q Cp 0
- -1
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º

• La iS es conducida por el transistor primeramente y por

el condensador Cp después.
ATE-UO DCEC amp 112
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo óptimo de funcionamiento (III)
+VCC
3

2
LCH 1
Control
iCp/IC
IC C L
iL 0
+ -
-1
iS + 0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º
4
iQ vRL
iD i RL 3
Cp
+ - 2 vQ/VCC
D 1
vQ
Q Cp 0
- -1
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º

• La tensión vQ crece “suavemente”, aunque alcanza

una tensión considerable.
ATE-UO DCEC amp 113
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo óptimo de funcionamiento (IV)
• Análisis de las conmutaciones:
iQ iQ
+ ¡Casi sin pérdidas
vQ de conmutación!

Q -
vQ

Control

• La corriente se interrumpe “bruscamente”, pero la tensión crece

“suavemente”.
• La tensión decrece “suavemente” y la corriente también crece
“suavemente”. ATE-UO DCEC amp 114
Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (I)
• Corriente resonante por la carga: iL(t) = IL·sen(wst - f).
• Corriente iS: iS(t) = IL·sen(wst - f) + IC.
• Condición de crecimiento suave de la corriente iS (y,
por tanto, iQ): iS(0) = IL·sen(-f) + IC = 0,  sen(f) = IC / IL.

• Definimos la corriente iQ:

- Si 0 < t < Ts/2,  iQ(t) = iS(t).
- Si Ts/2 < t < Ts,  iQ(t) = 0 (Ts = 2p/ws)
• Definimos la corriente iCp:
- Si 0 < t < Ts/2,  iCp(t) = 0.
f IL iS - Si Ts/2 < t < Ts,  iCp(t) = iS(t).
IC
• Calculamos la tensión vQ en Ts/2 < t < Ts:
iQ t

IL+IC iCp 
vQ(t) = (1/Cp) iCp(t)·dt.
Ts/2
ATE-UO DCEC amp 115
 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (II)
t


vQ(t) = (1/Cp) iCp(t)·dt = -[cos(f) + cos(wst - f) - (wst - p)·sen(f)]·IL / (Cp·ws).
Ts/2
• Para que las conmutaciones sean las deseadas
vQ(Ts) = 0  IC = IL·(2/p)·cos(f).
• Por tanto: sen(f) = IC / IL
tg(f) = 2/p
cos(f) = (p/2)·IC / IL
• El valor medio de vQ tiene que ser VCC:
Ts


(1/Ts) vQ(t)·dt = VCC = IC / (p·Cp·ws).
Ts/2
iCp • Teniendo en cuenta esto, se puede re-escribir
Control
el valor de vQ:
vQ(t) = p·VCC·[wst - 3p/2 - (p/2)·cos(wst) - sen(wst)]

VCC
vQ (válido en Ts/2 < t < Ts)

ATE-UO DCEC amp 116

 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (III)
• Valores extremos y medios de las magnitudes eléctricas:
f = arctg(2/p) = 32,48º.
32,48º iS 1,86·IC IL / IC= 1/sen(f) = 1,86.

IC iQ_max = iS_max = 1,86·IC + IC = 2,86·IC.

ficp=0 = p + 2·f = 244,96º.
iQ
2,86·IC
vQ_max = vQ(ficp=0/ws).
iQ_med = IC vQ(ficp=0/ws) = 2·f·p·VCC = 3,56·VCC.
iQ_med = iS_med = IC.
iCp
vQ_med = VCC.

244,96º • Potencias:
- PCC = IC·VCC.
3,56·VCC vQ - PRF = RL·IL2/2.
vQ_med = VCC

ATE-UO DCEC amp 117

 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (IV)
• Como el transistor trabaja en conmutación sin pérdidas, el
rendimiento es, teóricamente, 100%. Por tanto:
PCC = PRF  PRF = RL·IL2/2 = IC·VCC.

• Procedimiento de diseño en modo óptimo:

- Datos de partida: PRF y VCC.
- Calculamos IC: IC = PRF / VCC.
- Calculamos IL: IL = IC / sen(f) = 1,86·PRF / VCC.
- Calculamos RL: RL = 2·PRF / IL2 = 2·sen2(f)·VCC2 / PRF =
0,57675·VCC2 / PRF.
- Calculamos Cp: Cp = IC / (p·VCC·ws) = PRF / (VCC2·ws·p).

• Quedan pendientes dos asuntos:

- Cómo deben ser L y C para que f = 32,48º.
- Cómo transformar le valor de RL obtenido
en un valor “estándar” (normalmente 50 W).
ATE-UO DCEC amp 118
 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (V)
+VCC • Cálculo de L y C para que f = 32,48º (I):
LCH
IC vQ
iL
vCC
Q +
vQ
Cp 1er armónico
- (Fourier) + VCC

iL
+ + vQ
16,574º
vQ1 vQ1 1,639·VCC
vCC
vQ
VCC
-
ATE-UO DCEC amp 119
 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (VI)
• Cálculo de L y C para que f = 32,48º (II):

-iL vQ1
+ + 32,482º

vQ1
vQ 16,574º
VCC -iL
- fVI
-45º 0º 90º 180º 270º 360º

fVI = 32,482º + 16,574º = 49,056º

Luego el circuito sintonizado debe ser

inductivo con un desfase de 49,056º.

ATE-UO DCEC amp 120

 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (VII)
• Cálculo de L y C para que f = 32,48º (III):
Estudiamos el comportamiento frente al primer armónico:
Resuena a ws
-iL C L
-iL C LR Lind
+ +
vRL
+ +
RL
vQ1 - vRL
vQ1 RL
-

• Condición 1ª: Para obtener un desfase -iL Lind

tensión corriente de 49,056º:
tg(fVI) = 1,1526 = Lind·ws/RL + +
• Condición 2ª: La resonancia de LR y C vRL
implica: vQ1 RL
ws = 1/(LR·C)1/2
-
ATE-UO DCEC amp 121
Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (VIII)
• Cálculo de L y C para que f = 32,48º (IV):

• Condición 3ª: Factor de calidad QL suficientemente alto como

para asumir comportamiento senoidal en iL:
QL = L·ws / RL = (LR + Lind)·ws / RL = LR·ws / RL + Lind·ws / RL =
= 1 / (C·ws·RL) + 1,1526 (normalmente QL > 3)

Resuena a ws
Resumen: C LR Lind
C = 1 / [(QL - 1,1526) ·ws·RL]
LR = 1 / (ws2·C)
RL
Lind = 1,1526·RL / ws
L = LR + Lind = 1 / (ws2·C) + 1,1526·RL / ws

ATE-UO DCEC amp 122

 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (IX)
• Uso de una red de adaptación de impedancias:

+VCC
LCH Circuito Red de
resonante adaptación
IC iL
+ -
iS Lred +
C L
iQ Cred vRL
iCp RL’ -
+
vQ RL
Q Cp
- Red de adaptación
cuando RL < RL’

Lred·ws = [RL·(RL’-RL)]1/2
Lred/Cred = RL·RL’
ATE-UO DCEC amp 123
 Análisis del amplificador Clase E en modo óptimo (X)
• En caso de ser RL > RL’:

+VCC
LCH Circuito Red de
resonante adaptación
IC iL
+ -
iS
Lred
+
C L
iQ vRL
iCp Cred RL’
-
+
vQ RL
Q Cp
-

Lred·ws = [RL’·(RL-RL’)]1/2
Lred/Cred = RL·RL’
ATE-UO DCEC amp 124
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo sub-óptimo de funcionamiento (I)
+VCC • En modo sub-óptimo, el diodo D sí conduce.
• Para alcanzar este modo, hay que subir la frecuencia.
• Como consecuencia f crece.
LCH
2
IC C L
iL 1
Control
iL_f=32,48º/IC
+ -
iS + 0

iQ -1 iL_f=48,72º/IC
iD i vRL
RL
Cp
+ - -2
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º
D 3
vQ iS_f=32,48º/IC
Q Cp 2
-
1
iS_f=48,72º/IC
0
(el valor de IC es el de f= 32,48º
-1
en todas las gráficas) 0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º
ATE-UO DCEC amp 125
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo sub-óptimo de funcionamiento (II)
4

iQ_f=32,48º/IC
2
iCp_f=32,48º/IC
iCp_f=48,72º/IC
iQ_f=48,72º/IC
0

iD_f=48,72º/IC

-2
(el valor de IC es el de f= 0º 90º 180º 270º 360º
32,48º en todas las gráficas)

• La iS es conducida por el diodo D primeramente, después por el

transistor Q y finalmente por el condensador Cp .
ATE-UO DCEC amp 126
 Formas de onda en un amplificador Clase E en
modo sub-óptimo de funcionamiento (III)
4

3 vQ_f=32,48º/VCC
2

1 vQ_f=48,72º/VCC
0

-1
0º 45º 90º 135º 180º 225º 270º 315º 360º

• Algunas relaciones de interés:

- IC_f=48,72º / IC_f=32,48º = 0,559 (55,9% también de PRF).
- IL_f=48,72º / IL_f=32,48º = 0,715
- IL_f=32,48º / IC_f=32,48º = 1,862
- IL_f=48,72º / IC_f=48,72º = 2,381 (mayor proporción de corriente alterna).

ATE-UO DCEC amp 127

 Estructura básica del amplificador Clase F (I)
• Vamos a suponer que el transistor trabaja en
conmutación, aunque no es imprescindible.
+VCC
Sintonizado
Sintonizado a n·fs (n
Sintonizado
LCH a 3·fs a 5·fs impar)

IC L3 L5 Ln
+ -
iQ
Q
+ RL +
C3 C5 Cn
vQ
vRL
- -
C1
L1

Sintonizado
a fs
ATE-UO DCEC amp 128
 Estructura básica del amplificador Clase F (II)
• Circuito equivalente para analizar
el funcionamiento del amplificador:

Equivalente
(salvo cálculos que
impliquen a la fuente de
alimentación VCC y a la
bobina LCH)

ii VCC L3 L5 Ln

iQ
+ RL +
C3 C5 Cn
vQ
vRL
IC -
C1 -
L1
ATE-UO DCEC amp 129
 Estructura básica del amplificador Clase F (III)
• Calculamos la tensión vQ:
- Si 0 < t < Ts/2,  vQ(t) = 0.
- Si Ts/2 < t < Ts,  vQ(t) = IC·(Z1 + Z3 + Z5 + … Zn) + VCC (Ts = 2p/ws)
• Estudiamos vQ por Laplace y obtenemos:

Zcx = (Lx/Cx)1/2; Zc3 = Zc1/3; Zc5 = Zc1/5; Zc7 = Zc1/7

vQ_n=3,5,7
• Conclusión: la tensión sobre el vQ_n=3,5
transistor tiende a ser una onda
cuadrada de amplitud 2·VCC. VCC vQ_n=3
Impedancia Z3 +Z5+ … Zn
Control
Ts/2 Ts 3Ts/2
vRL

ATE-UO DCEC amp 130 Impedancia Z1

Diseño para máxima “planitud” de un amplificador Clase F
• Se puede demostrar que se obtiene máxima “planitud” en vQ si
se cumplen las siguientes condiciones (Zcx = (Lx/Cx)1/2):
- Con n = 3: Zc3 = Zc1/9.
- Con n = 5: Zc3 = Zc1/6; Zc5 = Zc1/50.
- Con n = 7: Zc3 = Zc1/5; Zc5 = Zc1/25; Zc7 = Zc1/245.

vQ_n=3,5,7
vQ_n=3
vQ_n=3,5

VCC

Ts/2 Ts 3Ts/2
ATE-UO DCEC amp 131
 Operación idealizada de un amplificador Clase F (I)
• Se supone que iRL es senoidal de valor
medio nulo.
• Se supone que vQ es una onda cuadra de
2VCC valor de pico 2·VCC (y valor medio VCC). El
vQ
valor de pico del primer armónico de la
tensión vQ vale:
iRL vQ1_pico = VCC·4/p.
iRL_pico
0 Ts/2
•Este armónico llega íntegro a la carga. Por
Ts
tanto:
iRL_pico = vQ1_pico/RL= VCC·4/(RL·p)
Por tanto:
PRF = 8·VCC2/(p2·RL)
Al ser un amplificador conmutado h = 100%
y, por tanto:
PCC = VCC·IC = PRF = 8·VCC2/(p2·RL)
IC = 8·VCC/(p2·RL) = 2·iRL_pico/p
ATE-UO DCEC amp 132
 Operación idealizada de un amplificador Clase F (II)

- Al no haber armónicos impares en ii y 2VCC

ser iRL senoidal, ip debe estar formado vQ
sólo por armónicos pares.
- Como ip sólo tiene armónicos pares y iRL_pico
iRL
es simétrica con relación a 3Ts/4,
también lo es con relación a Ts/2.
IC
iRL_pico
iQ_pico = 2·iRL_pico
IC-iRL_pico ip
IC = iQ_pico/p
(como en Clase B) ii
IC 2·iRL_pico

IC-iQ_pico
iQ_pico
2·iRL_pico
IC=iQ_pico/p iQ
0 Ts/2 3Ts/4 Ts

ATE-UO DCEC amp 133

Otras realizaciones prácticas de un amplificador Clase F (I)
• Sin bobina de choque y con circuito sintonizado serie al
fundamental:
Sintonizado
Sintonizado Sintonizado
Sintonizado a n·fs (n
a 3·fs a 5·fs a fs
impar)

+VCC
L3 L5 Ln iRL C1 L1

ii iQ
RL +
C3 C5 Cn +
vQ vRL
vQ
- -
Q
iQ

iRL

ii
ATE-UO DCEC amp 134
 Otras realizaciones prácticas
de un amplificador Clase F (II)
• Usando una línea de l/4 (I):

• El transistor ve el circuito
resonante paralelo como +VCC
un resonante serie.
• A todos los armónicos el
condensador presenta
baja impedancia. LCH
• A todos los armónicos l/4
impares, la línea de IC ii iRL
transmisión invierte + -
impedancia. A los pares iQ
no. ip
• A todos los armónicos
+ Ca RL +
impares el transistor ve vQ
altas impedancias. A los vRL
pares bajas impedancias.
Q
- -
C1
L1

ATE-UO DCEC amp 135

Otras realizaciones prácticas de un amplificador Clase F (III)
• Usando una línea de l/4 (II):

l/4 C1 L1 iRL
+VCC

ii iQ
RL +
+
vQ vRL
- -
Q

ATE-UO DCEC amp 136