1.

2 Diodos Semiconductores
Electrónica Analógica
El diodo semiconductor
1.2.1 Polarización del diodo
1.2.2 Curva característica
corriente-voltaje
 1.2.3 La Ecuación del Diodo
 (1.1)
 Donde:
 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación en inversa (aprox. 10 − 12A)
 n es el coeficiente de emisión, donde η =1 para el Ge y η=2
para el Si, para niveles relativamente bajos de corriente del diodo
(en o por de bajo del punto de inflexión de la curva); y η=1
tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de
corriente del diodo (para la sección de rápido crecimiento de la
curva.
 El Voltaje térmico V T es aprox. 25.85mV a 300°K, una
temperatura cercana a la temperatura ambiente.
 Si VD = 0,
 
I D  I s e 0  1  I s 1  1  0 mA
 Si VD < 0,
I D  I s
 En la Fig. 1.16 se observa que el dispositivo
comercialmente disponible tiene sus características
desplazadas hacia la derecha con una magnitud de
algunos décimos de volt, esto se debe a la resistencia
interna del “cuerpo” del diodo y a la resistencia externa del
“contacto” del mismo.

 Cada una de estas resistencias contribuyen a obtener un

voltaje adicional con el mismo nivel de corriente como lo
determina la ley de Ohm (V=IR).
EA_UNIDAD I 5
Figura 1.16 Características del Diodo Semiconductor de (Si)
EA_UNIDAD I 6
 “El potencial máximo de polarización
inversa que puede aplicarse antes de
ingresar en la región Zener se denomina
VOLTAJE DE PICO INVERSO (PIV) o
como Voltaje PRV (Peak Reverse Voltage).”

 Si se requiere un PIV mayor al de un diodo,

se deberán conectar varios diodos en serie.
 Si se requiere incrementar la capacidad
para conducir corriente conectar varios
diodos en paralela.
EA_UNIDAD I 7
Figura 1.17 Comparación de Diodos Semiconductores

EA_UNIDAD I 8
1.2.4 Tipos de Diodos.

Rectificadores

9
Figura 1.17-A Comprobación del funcionamiento de un diodo por medio
de un multímetro.
EA_UNIDAD I 10
Figura 1.17-B Diodos Típicos (Motorola).

EA_UNIDAD I 11
Figura 1.17-C Rangos Máximos del Diodo

EA_UNIDAD I 12
EA_UNIDAD I 13
EA_UNIDAD I 14
Hoja de especificaciones
Hoja de especificaciones
Hoja de especificaciones
Ejercicios.
 A.- Calcule la corriente que circula a través
de la resistencia de carga del siguiente
circuito de la Fig. A, considerando un diodo
de silicio con un VD = 0.7V.

 B.- Calcule la Potencia disipada en un diodo

1N4001, ver circuito de la Fig. B, cuando la
corriente a través de el es de 1A y la tensión
en el diodo es de 0.93V.
Niveles de Resistencia
 A medida que el punto de operación de un diodo
se desplaza de una región a otra, la resistencia
del diodo también cambiará debido a la forma no
lineal de la curva característica.

 Resistencia de DC o resistencia estática.- La

aplicación de un voltaje de corriente continua a un
circuito que contiene un diodo semiconductor
tendrá por resultado un punto de operación
(polarización) sobre la curva característica, el cual
no varia con el tiempo.

EA_UNIDAD I 20
 La resistencia del diodo (RD) en el punto de
operación (punto Q) puede encontrarse fácilmente
localizando primero los valores correspondientes
de VD y de ID, y aplicando posteriormente la
siguiente ecuación: VD
DI (mA)
RD  (1.2)
D I ID
VD
VD (V)
En lo general, a menor corriente
a través del diodo mayor será el
nivel de resistencia de dc.

EA_UNIDAD I 21
 Ejemplo I.1 Determine los niveles de resistencia
dc para el diodo de la Fig. I.1 (Ec 1.2)
– (a) ID = 2 mA
ID (mA)

– (b) ID = 20 mA
20
– (c) VD = -10V
10 2
0.5 0.8
1μA VD (V)

Figura I.1
EA_UNIDAD I 22
 Resistencia de AC o resistencia dinámica.-
Al aplicar una entrada senoidal, la variación
de la entrada desplazará al punto de
operación instantáneo hacia arriba y hacia
abajo a una región de las características y
de esta forma definirá un cambio específico
en la corriente y el voltaje como se muestra
en la siguiente Figura:

EA_UNIDAD I 23
 Sin la aplicación de una señal con variación, el punto de operación
estable sería el punto Q, determinado por los niveles de dc aplicados.

EA_UNIDAD I 24
 La designación de punto Q se deriva de la
palabra estable (del inglés quiescent), que
significa “quieto o sin variación”.

 Si se dibuja una línea recta tangente a la

curva sobre el punto Q como se muestra en
la figura siguiente:

EA_UNIDAD I 25
 Se definirá un cambio particular en el voltaje y en
la corriente que se puede utilizar para determinar
la resistencia de ac o dinámica para esta región
de las características del diodo.
 NOTA:
 Se deberá efectuar un esfuerzo para mantener el cambio en el
voltaje y en la corriente lo más pequeño posible y equidistante
de cada lado del punto Q.
Vd
rd  (1.3)
I d
donde
 es un cambio finito en la cantidad .

 Mientras menor sea la pendiente, menor será el valor de ΔVd

para el mismo cambio en ΔId y menor será la resistencia.

EA_UNIDAD I 26
 La resistencia de ac para la región de
crecimiento vertical de la curva característica es
por lo tanto muy pequeña, mientras que la
resistencia de ac es mucho mayor para niveles
bajos de corriente.

 En general, mientras menor sea el punto de

operación Q (corriente más pequeña) mayor
será la resistencia de ac.

EA_UNIDAD I 27
 Ejemplo I.2. Para las
características de la
Figura:
– (a) Determine la
resistencia de ac
cuando ID=2mA.
(±2mA)
– (b) Determine rac
cuando ID = 25 mA.
(±5mA)
– (c) Comparar los
resultados de los
incisos (a) y (b) con RD
(resistencia de cd) en
cada nivel de corriente.
EA_UNIDAD I 28
Solución

EA_UNIDAD I 29
 También, se puede definir a rd como:
26 mV
rd  (1.4)
ID
Para el Ge y el Si.

 Ó también por: 26 mV
rd'   rB (1.5)
Donde: ID
rB = Resistencia del cuerpo y la resistencia del contacto, en
Ohms.
El factor rB puede tener un rango típico que va de 0.1 para el
caso de dispositivos de alta potencia, hasta 2 para el caso de
algunos diodos de baja potencia de propósito general.

EA_UNIDAD I 30
 Resistencia de AC promedio.- Se define por una línea
recta entre los límites de operación:
Vd
rav  (1.6)
I d punto por punto

 Para ambos niveles de resistencia de dc y de ac,

mientras menor sea el nivel de corriente utilizado para
determinar la rav , mayor será el nivel de resistencia (ver
la siguiente figura).

EA_UNIDAD I 31
EA_UNIDAD I 32
Diferencias entre los distintos niveles de
resistencia

EA_UNIDAD I 33
 Análisis por medio de
la recta de carga
 Por lo general, la carga aplicada tendrá un
impacto importante en el punto o región de
operación de un dispositivo.

 Si el análisis se realiza de forma gráfica, se

puede dibujar una línea recta sobre las
características del dispositivo que
representa la carga aplicada.

EA_UNIDAD I 34
 Análisis por medio de
la recta de carga
 La intersección de la recta de carga con las
características determinará el punto de
operación del sistema. Tal análisis es
llamado, por razones obvias, análisis por
medio de la recta de carga.

 En el análisis la región de interés será la

región de Polarización directa.

EA_UNIDAD I 35
 Mediante la aplicación de la
ley de voltaje de Kirchhoff al
circuito en serie de la Fig.
1.18 (a), el resultado será:
E  VD  VR  0
ó
E  VD  I D R (1.7)
 Las 2 variables de la Ec.(1.7)
[VD e ID] son las mismas que
las variables de los ejes en la
Fig. 1.18 (b). Esta similitud
permite una graficación de la
Ec.(1.7) sobre las mismas
características de la Fig.
1.18(b)
EA_UNIDAD I 36
 Análisis por medio de
la recta de carga
 Si VD = 0V, en la Ec.(1.7) se puede obtener la magnitud
de ID sobre el eje vertical, como se ilustra en la Fig.
1.19:
E  VD  I D R
 0V  I D R
e
E
ID  (1.8)
R VD 0V

EA_UNIDAD I 37
 Análisis por
medio de
la recta de carga

EA_UNIDAD I 38
 Análisis por medio de
la recta de carga
 Si ID = 0A, en la Ec.(1.7) se puede obtener la magnitud
de VD sobre el eje horizontal, como se ilustra en la Fig.
1.19:
E  VD  I D R
 VD  (0 A) R
y
VD  E I (1.9)
D 0 A

 Por lo tanto una línea recta dibujada entre los dos puntos
definidos por las Ecs. (1.8) y (1,9) definirá la recta de
carga.
EA_UNIDAD I 39
 Análisis por medio de
la recta de carga
 El cambio en el nivel de R (la carga) cambiará la
intersección sobre el eje vertical.

 El punto de operación para el circuito de la Fig. 1,18 se

define por el punto de intersección entre la recta de carga
definida por la red y una curva característica definida por el
dispositivo.

 Por lo general el punto de operación se denomina punto

de operación estable (Q-pt = Quiescent point) debido a las
cualidades de “estabilidad e inmovilidad”, según una red
de dc.

EA_UNIDAD I 40
Dudas ???
 Diodo Emisor de Luz
 Los dispositivos ópticos (fotónicos) son dispositivos
en los cuales la partícula básica “El Foton” juega el
papel principal.
 Existen muchos grupos de dispositivos ópticos,
cuatro de ellos son:
 1.- Los LED’s (Diodos Emisores de Luz).
 2.- Los Diodos Lasers (donde la amplificación de luz es
por emisión estimulada de radiación) convierten la
energía eléctrica a energía óptica.
 3.- Fotodetectores, estos detectan electrónicamente las
señales ópticas.
 4.- Las Celdas Solares, convierten la energía óptica en
energía eléctrica.
EA_UNIDAD I 42
Diodos Emisores
de Luz (LED)

43
 Diodo Emisor de Luz
 Fenómeno de Electroluminiscencia.-
 La electroluminiscencia es la propiedad que
tienen algunos semiconductores de emitir
luz en el espectro visible.

 Un dispositivo electroluminiscente (como el

LED) presenta las siguientes características
generales:
EA_UNIDAD I 44
 Diodo Emisor de Luz
 1).- Requiere baja corriente y voltaje para
producir una salida útil en forma de luz.
 2).- La precisión con la cual el área emitida
de luz puede ser definida, a través del uso de
un proceso semiconductor foto-litográfico.
 3).- La alta velocidad en la cual el dispositivo
puede ser conmutado.

EA_UNIDAD I 45
 Diodo Emisor de Luz
 El espectro electromagnético se divide en:
 a).- Luz detectada por el ojo humano:
0.4μm a 0.7μm.
 b).- Región Ultravioleta: 0.01μm a 0.4μm.
 c).- Región Infrarroja: 0.7μm a 1000μm.

EA_UNIDAD I 46
 Diodo Emisor de Luz

Características del espectro electromagnético.

EA_UNIDAD I 47
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 48
 Diodo Emisor de Luz
 La región de interés principal es: cerca del
ultravioleta (aprox. 0.3 μm) hasta cerca del
infrarrojo.
 Existen tres procesos básicos de interacción entre
un Fotón y un Electrón:
 1.- Absorción.
 2.- Emisión Espontánea, y
 3.- Emisión Estimulada.

EA_UNIDAD I 49
(a) Absorción, (b) Emisión Espontánea, (c) Emisión Estimulada.

EA_UNIDAD I 50
 Diodo Emisor de Luz
 Para los LED’s el proceso de operación
dominante es la emisión espontánea .
 Para el diodo Laser es la Emisión
Estimulada.
 Y para el foto-detector y la celda solar
es la Absorción.

EA_UNIDAD I 51
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 52
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 53
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 54
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 55
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 56
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 57
Diodo Emisor de Luz

EA_UNIDAD I 58
 Diodo
Emisor de
Luz

EA_UNIDAD I 59
LED’s Infrarrojos
 Los LED’s de GaAs se incluyen como LED’s
infrarrojos, dichos LED’s EMITEN luz muy
cerca de 0.9 μm, y también se incluyen
muchos compuestos III-V.
 Aplicaciones: Aisladores Ópticos, donde
una señal de control o de entrada está
desacoplada de la salida.

EA_UNIDAD I 60
 Opto aisladores

Figura 1.47 Opto Aisladores, la señal de entrada está desacoplada de la

señal de salida (se ilustra el LED infrarrojo).
EA_UNIDAD I 61
Fotodiodo

62
 Fotodiodo
 El Fotodiodo es un dispositivo
semiconductor de unión PN cuya región de
operación está limitada a la región de
polarización en inversa.

 La aplicación de luz en la unión dará como

resultado una transferencia de energía de las
ondas luminosas incidentes (en forma de fotones)
a la estructura atómica, lo que origina un número
mayor de portadores minoritarios y un mayor nivel
de corriente inversa.

EA_UNIDAD I 63
 Fotodiodo

Símbolo y circuito de polarización del Fotodiodo

EA_UNIDAD I 64
 Fotodiodo

Respuesta relativa de diversos materiales a la luz.

EA_UNIDAD I 65
 Fotodiodo

 Fotones Unión PN I x (aumenta).

 IX , es la corriente de saturación en inversa,
debida a la generación de pares electrón-hueco
por efecto de la temperatura y de la luz.
 La curva característica del fotodiodo es la
correspondiente a polarización inversa. Donde
el 100% de respuesta relativa es la longitud de
onda a la cual se tiene una mejor respuesta del
dispositivo.
EA_UNIDAD I 66
 Fotodiodo
 Materiales del Fotodiodos:
– Selenio ≈ 0.6μm, espectro visible ≈ Naranja.
– Germanio ≈ 1.4 μm, Infrarrojo Lejano.
– Silicio ≈ 0.85 μm, Infrarrojo.

 Aplicaciones.- Debido a tiempos de respuesta

del orden de nanosegundos, se utiliza en
aplicaciones de conteo con conmutación a altas
velocidades. Y sistemas de alarma.

EA_UNIDAD I 67
 Aplicación del LED Infrarrojo (módulo de
transmisión) y el Foto diodo (Módulo de recepción)

EA_UNIDAD I 68
Dudas ???
Hasta la próxima !!!
 1.2.5 Rectificador
de ½ Onda

Figura 1.20 Rectificador de Media Onda (con Diodo Ideal)

 Diodo Rectificador
 Rectificador de Media Onda.

 Debido a su capacidad para conducir

corriente en una dirección e impedir el paso
de corriente en la dirección opuesta, los
diodos se utilizan en circuitos denominados
rectificadores, los cuales convierten voltaje
de ac (ó ca) en voltaje de dc (ó cd).

EA_UNIDAD I 72
 Rectificador de Media Onda.
 En la Fig. 1.20 se ilustra el proceso
denominado rectificación de media onda,
donde se utiliza un diodo ideal.

 El resultado neto que se obtiene del circuito

de la Fig. 1.20 es que sólo los medios ciclos
positivos del voltaje de entrada de ac
aparecen en la carga, haciendo que la
salida sea un voltaje de dc con variaciones.

EA_UNIDAD I 73
 1.2.5 Rectificador
de ½ Onda

(1.10)

Figura 1.21 Valor promedio de una señal rectificada de

media onda.
 Rectificador de Media Onda.
 Valor Promedio de la salida de Media
Onda.- El valor promedio (dc) de la salida
rectificada de media onda se determina
calculando el área bajo la curva durante un
ciclo completo, ver la Fig. 1.21.

 Utilizando cálculo integral para obtener el

área bajo el medio ciclo y dividiendo
después entre el periodo, se obtiene:

EA_UNIDAD I 75
 Rectificador de Media Onda.
 Valor Promedio de la salida de Media Onda.-
área VP
VPROM  
 donde: periodo 
– VP es el voltaje pico.

VP
VPROM  Vdc   0.318 VP (1.10)


 El valor promedio es el valor que se leería en un

multímetro de dc.

EA_UNIDAD I 76
 Rectificador de Media Onda.
 Valor Promedio de la salida de Media Onda.-

Figura 1.21 Valor promedio de una señal rectificada de

media onda.

EA_UNIDAD I 77
 Rectificador de v  VP sen
área
Media Onda. VPROM 
2
 ANEXO (demostración): 1 
 El valor promedio de una

2 0
VP sen d

onda sinusoidal rectificada


VP
 cos   0

de media onda es el área 2
bajo la curva dividida entre
el periodo (T=2π). La 
VP
 cos    cos 0
2
ecuación para una onda
 P  (1)  (1)
V
sinusoidal es:
2
 P 2
V
2
VP
VPROM 

EA_UNIDAD I 78
Efecto del potencial de barrera sobre la salida
rectificada de media onda.

Figura 1.22 Efecto del potencial de barrera sobre el voltaje de salida

rectificado de media onda.

 Al trabajar con diodos, a menudo es práctico despreciar el

efecto del potencial de barrera cuando el valor pico del
voltaje aplicado es mucho mayor (10 veces o hasta 100
veces) que el potencial de barrera.
EA_UNIDAD I 79
 Rectificador de Media Onda.

 Voltaje Inverso de Pico.-

 El valor máximo del voltaje inverso, llamado
algunas veces voltaje de pico inverso (VPI o
PIV o PRV) tiene lugar en el pico del
semiciclo negativo del ciclo de entrada,
cuando el diodo está polarizado en inversa,
el diodo debe ser capaz de soportar esta
cantidad de voltaje inverso recurrente.

EA_UNIDAD I 80
 Rectificador de Media Onda.

Figura 1.23 El VPI ocurre en el pico del semiciclo cuando el

diodo está polarizado en inversa.

 El valor nominal del VPI no debe excederse debido a que

el diodo entraría en la región de avalancha Zener.
EA_UNIDAD I 81
Rectificador de Media Onda con entrada
acoplada por Transformador.-
 El acoplamiento por transformador presenta dos
ventajas: Primera, permita que el voltaje de la
fuente se eleve o reduzca según se requiera, y
segunda, la fuente de alimentación de ac está
aislada eléctricamente del circuito rectificador,
reduciendo así el riesgo de choque eléctrico.
 El voltaje en el secundario (salida) del
transformador es:
 N2 
V2   V1 (1.11)
 N1 
EA_UNIDAD I 82
Rectificador de Media Onda con entrada
acoplada por Transformador.-
 Si en la Fig. 1.24, N2>N1 , entonces el
voltaje del primario (V1) es menor que el del
secundario. Si N2<N1, entonces el voltaje en
el primario es mayor que el del secundario
(V2). Si N2 = N1, entonces V2 = V1.

Figura 1.24
Rectificador de media onda
con entrada acoplada por
transformador.

EA_UNIDAD I 83
Rectificador Onda
completa
Rectificador Onda
completa

(1.12)
 Rectificación de Onda Completa

 El resultado de la rectificación de onda

completa es un voltaje de salida de dc que
varía cada medio ciclo de entrada, como se
muestra en la Fig. 1.25.

Figura 1.25 Rectificación de onda completa

EA_UNIDAD I 86
 Rectificación de Onda Completa

 En virtud de que el número de ciclos positivos

que constituyen el voltaje rectificado de onda
completa es el doble que el voltaje de media
onda, entonces el valor promedio (dc) de un
rectificador de onda completa es el doble del de
media onda, y se puede calcular por:
2VP
VPROM  Vdc   0.636 V p (1.12)

si se considera VT ó VB :
VPROM  Vdc  0.636VP  2VB  (1.13)
EA_UNIDAD I 87
 Ejemplo I.3.- Encuentre el valor promedio del
voltaje rectificado de onda completa, si se tiene
un VP = 15V ya rectificado.

EA_UNIDAD I 88
 Rectificador de Onda Completa
con Derivación Central.

 La señal de entrada se acopla a través del

transformador al secundario con derivación
central, (ver Fig. 1.26). La mitad del voltaje
total del secundario aparece entre el punto
de derivación central y cada extremo del
devanado secundario, ver Fig. 1.26.

EA_UNIDAD I 89
EA_UNIDAD I 90
 Rectificador de Onda Completa con
Derivación Central.

 Para un semiciclo positivo del voltaje de

entrada, en la Fig. 1.27(a) se muestran las
polaridades de los voltajes del secundario.
Esta condición polariza en directa el diodo
D1 (superior) y polariza en inversa al diodo
inferior D2. Y se realiza el caso inverso para
el semiciclo negativo, ver Fig. 1.27(b).

EA_UNIDAD I 91
Rectificador de
Onda Completa
con Derivación
Central.

EA_UNIDAD I 92
 Rectificador de Onda Completa con
Derivación Central.
 NOTA:
– En cualquier caso, el voltaje de salida de
un rectificador de onda completa con
derivación central siempre es igual a la
mitad del voltaje total del secundario, sin
importar cuál sea la razón de vueltas (ver
las Figs. 1.28 y 1.29).

EA_UNIDAD I 93
Rectificador de Onda Completa con
Derivación Central.

EA_UNIDAD I 94
 Rectificador de Onda Completa con
Derivación Central.
 Voltaje Inverso de Pico.-
 Debido a que la salida de un rectificador de onda
completa con dos diodos se tiene VP(sal) = ( VP(2) /
2 ) – VB, entonces el VPI a través de cada diodo
en el rectificador es:

VPI  2VP ( sal)  VB (1.14)

 Ver la Fig. 1.30

EA_UNIDAD I 95
Rectificador de Onda Completa con
Derivación Central.

EA_UNIDAD I 96
1.2.5 Rectificador tipo puente
Onda Completa
Rectificador tipo puente
Onda Completa

VPROM = Vcd = 0.636 (VP – 2VB ) (1.15)

 Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente
 En la Fig. 1.31 se muestra el rectificador
tipo puente para onda completa con 4
diodos.

 En el ciclo positivo los diodos D1 y D2 se

polarizan en directa y conducen corriente, a
través de RL se desarrolla un voltaje
semejante al del semiciclo positivo de
entrada. Mientras tanto D3 y D4 se polariza
en inversa, ver Fig. 1.31(a).
EA_UNIDAD I 99
Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente

EA_UNIDAD I 100
 Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente
 Cuando el ciclo de entrada es negativo, D3 y D4
se polarizan en directa y conducen corriente por
RL; a su vez, D1 y D2 se polarizan en inversa,
ver Fig. 1.31(b).
 Voltaje de Salida del Puente.- En la Fig.1.32(a)
se muestra un rectificador tipo puente con
entrada acoplada por transformador. El voltaje de
salida es igual a V2 (secundario).

Vsal  V2  2VB (1.15)

VPROM = Vcd = 0.636 (VP – 2VB ) (1.15)
EA_UNIDAD I 101
Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente

EA_UNIDAD I 102
 Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente
 Voltaje de Pico Inverso.- Idealmente el voltaje
de salida es igual al voltaje del secundario,
VPI  VP (sal)

 si se toman en cuenta las caídas de voltaje de

los dos diodos polarizados en directa como se
muestra en la Fig. 1.33(b) entonces:

VPI  VP ( sal)  VB (1.16)

EA_UNIDAD I 103
Rectificador de Onda Completa Tipo Puente

EA_UNIDAD I 104
 Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente
 Valor Efectivo (rms).- El valor efectivo ó raíz
cuadrática media (rms) de una forma de onda
periódica es igual a la corriente continua que
disipa la misma energía en un resistor dado. Para
una onda senoidal, en términos de la corriente es:
Im
I rms  0.707 I m 
2
 donde
– Im = amplitud máxima o pico de la corriente.

EA_UNIDAD I 105
 Rectificador de Onda Completa
Tipo Puente
 Para una onda senoidal, en términos del
voltaje es:
Vm
Vrms  0.707 Vm 
2

 donde:
– Vm = amplitud máxima o pico del voltaje.

EA_UNIDAD I 106
 NOTA:
– La frecuencia angular es:   2 f
o bien

f 
2
El periodo (T ) es :
1
T
f
o bien
2
T

EA_UNIDAD I 107
Puentes Rectificadores
 Filtros para Rectificadores
 El objetivo de un filtro en la fuente de alimentación
es reducir en gran medida las fluctuaciones del
voltaje de salida de un rectificador de media onda
o de onda completa y producir un nivel casi
constante de voltaje de cd, ver Fig. 1.34.

Figura 1.34 Filtrado en la fuente de alimentación

EA_UNIDAD I 109
 Filtros para Rectificadores

 La salida de cd con variaciones de 60Hz, de

un rectificador de media onda o la salida
con variaciones de 120Hz, de un rectificador
de onda completa debe filtrarse para
eliminar las grandes variaciones de voltaje,
ver la Fig. 1.34.

EA_UNIDAD I 110
Figura 1.35 Operación de un rectificador de media onda
con filtro con capacitor a la entrada
EA_UNIDAD I 111
 Filtros para Rectificadores

 La descarga del capacitor es a través de RL,

a una razón determinada por la constante
de tiempo RLC del circuito.
 Mientras más grande sea la constante de
tiempo, menor será la descarga del
capacitor.

EA_UNIDAD I 112
 Filtros para Rectificadores

 Voltaje de Rizo.- La variación en el voltaje

de salida, debida a la carga y descarga, se
denomina voltaje de rizo.

 Mientras más pequeño sea el rizo, mejor

será la acción de filtrado, como se ilustra en
la Fig. 1.36.

EA_UNIDAD I 113
 Filtros para Rectificadores

Figura 1.36 Voltaje de rizo de media onda (forma de onda

trazada con línea continua)
EA_UNIDAD I 114
Filtros para Rectificadores

EA_UNIDAD I 115
Filtros para Rectificadores

EA_UNIDAD I 116
 Factor de Rizo.- Es un indicador de la efectividad
del filtro y se define como:
Vr
r (1.17)
 donde: Vdc
– Vr es el voltaje de rizo eficaz (rms, valor medio
cuadrático).
– Vdc es el valor de dc (promedio) del voltaje de salida
del filtro, ver Fig. 1.39.

Figura 1.39 Vr y Vdc determinan el factor de rizo

EA_UNIDAD I 117
 Mientras menor sea el factor de rizo, mejor será el filtro. El
factor de rizo puede reducirse incrementando el valor del
capacitor del filtro.
 Para un rectificador de onda completa, con un filtro con
capacitor a la entrada suficientemente alto, si Vdc se halla
muy cerca del valor del voltaje de pico rectificado de
entrada, las expresiones para Vdc y Vr serán entonces
como sigue:
 0.00417 
Vdc  1   VP ( ent ) (1.18)
 RL C 

Vr 
0.0024
RL C
VP ( ent )  (1.19)

donde: VP(ent) es el voltaje pico rectificado aplicado al filtro.

EA_UNIDAD I 118
 Filtros para Rectificadores

 Ejemplo I.4 Determine el factor de rizo ( r )

para el filtro del rectificador tipo puente de la
siguiente figura:

Figura I.4 Obtención del Factor de Rizo

EA_UNIDAD I 119
Corriente Transitoria (sobre corriente) en el Filtro
con Capacitor en la Entrada

Figura 1.39 Corriente Transitoria en un Filtro con capacitor a la

entrada.
EA_UNIDAD I 120
Dudas ???
 TAREA
1.- ¿Cuál es el efecto de un diodo abierto sobre el voltaje
de salida de un rectificador de media onda?.
2.- ¿Cuál es el efecto de un diodo abierto sobre el voltaje
de salida de un rectificador de onda completa?.
3.- Si uno de los diodos de un rectificador tipo puente
entra en corto circuito, ¿cuáles son las posibles
consecuencias?.
4.- ¿Qué sucede al voltaje de salida de un rectificador si
el capacitor del filtro presenta mucha fuga?.
5.- El devanado primario del transformador de una
fuente de alimentación se abre. ¿Qué se observa en la
salida del rectificador.
6.- El voltaje de salida de cd de un rectificador con filtro
es menor que lo normal. ¿Cuál podría ser el problema?.
Tarea de Investigación
Aplicaciones

 1.- Circuitos limitadores y sujetadores con diodos.

 2.- Multiplicadores de voltaje con diodos.

EA_UNIDAD I 123
Hasta la próxima !!!