Modelaje de Transistores

Modelo re
 Contenido
• MODELO DEL BJT PARA SEÑAL GRANDE
– MODELO EBERS-MOLL
• MODELOS DEL BJT PARA SEÑAL PEQUEÑA
– MODELO re
 MODELOS DEL BJT PARA SEÑAL
PEQUEÑA
MODELO re
• Un modelo es la combinación de elementos
del circuito, seleccionados de forma
adecuada, que mejor se aproximan al
comportamiento real de un dispositivo
semiconductor que está bajo condiciones
específicas de operación.
 MODELOS DEL BJT PARA SEÑAL
PEQUEÑA
MODELO re
• Modelo que se determina a partir de las
condiciones de operación del transistor.
• El modelo re es bueno para ciertas condiciones
de uso del transistor, fracasa por no considerar el
nivel de impedancia de salida del dispositivo, ni el
efecto de retroalimentación de la salida a la
entrada.
• Los fabricantes dan los parámetros híbridos de
los dispositivos, los parámetros del modelo re
deben derivarse de estos.
 MODELO re
Configuración en Base común (PNP)

Resistencia de ac 26mV
del diodo rac 
ID

Resistencia de ac de la 26mV
re 
juntura base emisor IE

Z i  re Z o  
 MODELO re
Configuración en Base común
• Para la configuracion de base común, los
valores típicos de Zo están en el rango de
megaohmios
 MODELO re
Configuración en Base común
• Ejercicio: Determinar Av y Ai para la
configuración base común.

 R L RL Ai    1
Av  
re re
 MODELO re
Configuración en Base común (NPN)
 MODELO re
Configuración en Emisor común (NPN)

I c  I b

I e  I c  I b  I b  I b     1 I b  I b
 MODELO re
Configuración en Emisor común (NPN) Zi

Vi Vbe Vbe I b re
Zi   Zi  
Ii Ib Ib Ib

Vi  Vbe  I e r e   I b re Z i  re
 MODELO re
Configuración en Emisor común (NPN) Zo
Los valores típicos de Zo
están en el rango de 40 a
50 kohms

Z o  ro
 MODELO re
Configuración en Emisor común (NPN)
Av y Ai

RL
Av  
re

Ai  