IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

El transistor Bipolar de Puerta Aislada

 MOSFET
•En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, Rds tendrá un
valor elevado al ser la capa N con dopado bajo y el espesor WD grande.
•La caída en conducción será: iD*Rds(ON), donde Rds(ON) será la suma de las
resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo la
de canal).
•Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios, la resistencia de la
capa n- (Rds) es mucho mayor que la del canal.

WD
 IGBT
•Se agrega la capa P+ formándose una estructura de 4 capas.
•Debido a la modulación de conductividad, la densidad de corriente es mayor
reduciendo la caída de tensión en directa llamada Vce(on) es mucho menor.
•No tiene el diodo interno en anti paralelo entre colector y emisor.
•Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET.
•La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por
corriente.
Emisor

Colector
Colector
 Características
• IDmax Limitada por efecto Latch-up.
• VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs.
y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Existen en el mercado IGBTs con
valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura . Se pueden conectar en
• paralelo fácilmente. Consiguiendo grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600
Amp.
• En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de
MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 100kHz.

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100
kHz) y alta potencia
 Estructura física
•Entrada como MOS, Salida como BJT
• Velocidad intermedia (MOS-BJT)
• Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V 400Amp)
• Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n- mas ancha y menos
dopada)
• Soporta tensiones inversas (no tiene diodo en antiparalelo)
• Tiristor parásito no deseado
•Baja Vce(on) debido a la modulación de conductividad de los portadores
minoritarios reduciendo drásticamente la Rd.

C
 Estructura física
La conducción en el dispositivo comienza con un valor de tensión de gate
mayor a la tensión de umbral. Esta provoca un estrangulamiento del canal P,
bajo el gate, el cual provee un canal tipo N que vincula al emisor del IGBT con
la región N-. Los electrones son inyectados por el emisor N+ a la zona N-,
estos representan la corriente de base del PNP, mientras que al mismo tiempo
la juntura P+N+, que se polariza en directa porque el potencial ánodo – cátodo
del PNP es mayor a 0,7 V, está inyectando lagunas desde la región P+ en N-.
 
Esta inyección provoca la modulación de la conductividad de la región N-,
donde las densidades de laguna – electrón son varias ordenes de magnitud
mayor que la original región N- con impurezas.
 
Esta modulación de conductividad le otorga al IGBT su baja tensión en el
estado de conducción, debido a que se reduce la resistencia de la región N-.
Algunas de las lagunas inyectadas, se recombinarán en la zona N-, mientras
que otras se difundirán y alcanzarán la juntura con la región tipo P, donde
serán recolectadas.
 Circuito equivalente
C
E

•Pérdida de control desde la compuerta (latch-up estático) cuando IC>Icmax la

Vbe del npn entra en conducción y activa el SCR.
• Si se corta muy rápido, el MOS es mucho más rápido que el BJT y aumenta la
fracción de la corriente que circula por el colector del pnp, esto aumenta
momentáneamente VJ3, haciendo conducir el SCR. (latch-up dinámico).
•Para evitar el Latch-up en IGBT’s el usuario debe:
1) Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante.
2) Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el fabricante
(ralentizando el apagado del dispositivo).
 Circuito simplificado
E
C

Las 4 capas de PNPN, que abarca a los dos transistores forman la estructura
de un tiristor, el cual causa la posibilidad de un latch-up.

A diferencia del MOSFET, no tiene un diodo en inversa que exista

parásitamente por construcción.
 Corriente ¨Tail¨
Cuando la tensión del gate cae por debajo de la tensión de umbral, la capa
de inversión no puede ser mantenida y la alimentación de electrones en la
región N- es bloqueada, punto en el cual el proceso de apagado comienza,
sin embargo no puede ser apagado rápidamente debido a la alta
concentración de portadores minoritarios en la región N- durante la
conducción en directa.
Primero la corriente de colector decrece rápidamente debido a la cesación
de corriente de electrones a través del canal, y luego el colector reduce
gradualmente su corriente cuando la densidad de portadores minoritarios
decae debido a la recombinación.
Como muestra la figura la corriente de colector cae a cero en dos etapas.
 Diodo externo
El IGBT no puede conducir corriente inversa con tensión cero en puerta,
como sí ocurría en los MOSFETs.

C
C
P
P
D N
N

Diodo P
G P
parásito G G
S Diodo
externo
E
E
Corriente inversa
Corriente inversa Corriente inversa

Para conducir corriente inversa hay que colocar un diodo en antiparalelo

 Comparación
Comparación IGBT-MOSFET con el mismo área de semiconductor

El IGBT tiene menor caída de tensión

Mosfet Menores pérdidas en conducción

Problema:
Coeficiente de temperatura negativo

A mayor temperatura, menor

Igbt caída de tensión

Conduce más corriente

Se calienta más
Encapsulados de IGBT
Módulos de potencia

TO 220

MTP

TO 247
 Curva característica de salida

•Tiene una familia de curvas, donde cada una corresponde a VGE diferentes.
•La IC es medida como función de VCE con VGE constante.
•Se observa de la figura como aumenta la caída de saturación en forma
proporcional con el aumento de la corriente de colector.
Curva de transconductancia
 Area de operación segura
ILM – Corriente de carga inductiva
Es la máxima corriente que puede
conmutar en forma segura, las
condiciones del test son
especificadas en las hojas de datos.
FBSOA, que cubre la conmutación a
encendido es tipicamente mucho
mas grande que el RBSOA y por lo
tanto no es listado en las hojas de
datos.

VCES – Tensión colector emisor

Este es un rating de máxima tensión
con el gate cortocircuitado al emisor,
tiene un coeficiente positivo de
temperatura.
Variación de la tensión de saturación con el aumento de la corriente reduciendo
el SOA.

El SOA en la parte superior derecha se recorta para evitar el lacht up.

Capacitancia
 Tensión de compuerta

VGE VCEon

IC VCEon

Cuanto más alta es la tensión de compuerta, menor es la VCEon

Interesa manejarlo con la tensión más alta posible (dentro del margen).
Vgemax = ± 20V
 Potencia disipada
PD @ Tc = 25 °C

PD @ Tc = 100 °C

Es el valor máximo de disipación de potencia a esa temperatura de carcaza

especificada, y se calcula con la siguiente ecuación:

Tjmax  Tc
PD 
Rjc

Ejercicio) Hallar la potencia disipada para una temperatura de carcaza de 75

°C.

150C  75C
PD   117,2W
0.64C/W
Corriente de colector

IC_max @ T = 50 oC: 55 A

IC_max @ T = 75 oC: 48 A
Tensión de colector emisor

Comportamiento
térmico como un
MOSFET

Comportamiento
térmico como un BJT
 Tabla comparativa
BJT MOSFET IGBT
Tipo de driver Corriente Tensión Tensión
Circuito del driver Complejo Simple Simple
Impedancia de entrada Baja Alta Alta
Potencia del driver Alta Baja Baja
Velocidad de conmutación Lento (us) Rápido (ns) Medio
Frecuencia de operación < 100KHz < 1000KHz < 500KHz
SOA Angosto Amplio Amplio
Tensión de saturación Baja Alta Baja