Вы находитесь на странице: 1из 40

4.3.

Микросхемы памяти
Микросхемы памяти представляют собой
функционально и конструктивно законченные
микроэлектронные изделия, предназначенные для
реализации запоминающих устройств (ЗУ).
Основной составной частью любой микросхемы
памяти является массив элементов памяти,
объединённых обычно в матрицу накопления.

1
Матричный способ организации накопителя ЗУ

При матричной организации накопителя применяют две ступени дешифрации


адреса - по строкам А0…Аn-1 и по столбцам Аn…An+m .
При наличии, например, A0 = An = 1 в режиме считывания будет выбран только
ЭП11. Его состояние (0 или 1) считывается по общей разрядной шине .
Чтобы записать, например, “1”, в ЭП11 необходимо при A0 = An = 1 в режиме
2
записи на разрядную шину подать “1”.
Классификация микросхем памяти

Общепринятой является классификация


микросхем памяти по следующим признакам:
• функциональное назначение;
• способ доступа к информации;
• способ хранения информации;
• степень зависимости от источников питания;
• схемно-технологическое исполнение.

3
По функциональному назначению микросхемы
памяти подразделяют на:

• микросхемы оперативных ЗУ (ОЗУ) - Random


Access Memory (RAM);
• микросхемы постоянных ЗУ (ПЗУ) - Read Only
Memory (ROM).

4
Оперативные ЗУ предназначены для
хранения переменной информации: программ и
промежуточных результатов обработки данных.

ОЗУ работает в режиме записи, хранения и


считывания информации и допускают
оперативную смену своего информационного
содержания.

5
Постоянные ЗУ предназначены для хранения
информации, неменяющейся в процессе работы
устройства: стандартных программ, табличных
данных, коэффициентов, констант.
ПЗУ работают в режиме хранения и
считывания информации, которая заносится в них
предварительно, например, при их изготовлении, и
во время работы не изменяется.

6
По способу доступа к информации
микросхемы ЗУ можно разделить на:

• ЗУ с произвольной выборкой (RAM);


• ЗУ с последовательной выборкой;
• ЗУ с выборкой по содержанию, или
ассоциативные ЗУ - Content-Addressable Memory
(CAM).

7
По способу хранения информации микросхемы
памяти можно разделить на статические (Static) и
динамические (Dynamic).
В микросхемах статических ЗУ информация в
режиме хранения неподвижна, то есть находится в
статическом состоянии.
В этот класс микросхем памяти входят
микросхемы ОЗУ, у которых элементом памяти
является статический триггер, и микросхемы ПЗУ.

8
Принципы построения БИС статических ОЗУ (SRAM)
Статические ОЗУ выполняются в виде БИС (количество
функциональных элементов на кристалле 500<N<2000),
содержащих накопительную матрицу (НМ), устройство
управления (УУ), дешифраторы адреса (ДШХ и ДШУ),
усилители записи (УЗ) и усилители считывания (Усч).

9
На основе двоичного кода адресной шины А
формируются
разрешающие сигналы по одной строке и одному
столбцу накопителя, определяя адресованный
элемент памяти ЭП. Устройство управления задает
режимы работы ЗУ в соответствии с комбинацией
сигналов CS и WR/RD.
Значение CS= 1 соответствует невыбранному
устройству. При этом отсутствует прием
информации по входу DI (а выход DO находится в
состоянии “Выкл.”). В этом случае ЗУ работает в
режиме “Хранение”.
Подача сигнала CS= 0 определяет выбор данной
ИМС для записи или считывания. 10
При WR/RD=0 реализуется запись информации в
адресованную ячейку.
При WR/RD = 1 осуществляется считывание
информации из данной ячейки. Сигнал CS в обоих
случаях играет роль синхросигнала,
определяющего начало записи или считывания
информации.
К моменту установления данного сигнала должны
быть сформированы все требуемые значения
остальных сигналов - А, WR/RD , DI.

11
Временные диаграммы сигналов в статическом
ОЗУ

12
В микросхемах динамических ЗУ записанная
информация в режиме хранения периодически
перезаписывается с целью её восстановления
(регенерации).
К этому классу микросхем памяти относятся
микросхемы динамических ОЗУ. Элементом
памяти в них является конденсатор,
сформированный на МОП-структуре внутри
полупроводникового кристалла.

13
Информация, представляющая собой уровень
напряжения на конденсаторе, из-за наличия токов
утечки не может сохраняться длительное время
и нуждается в периодическом восстановлении.
Микросхемы динамических ОЗУ имеют большую
информационную ёмкость, чем статические ОЗУ,
что обусловлено меньшим числом компонентов в
одном элементе памяти.

14
Структура микросхемы DRAM

15
Для хранения небольших объёмов информации
широко применяются регистровые ЗУ. В
микросхемах регистровых ЗУ элементы памяти
объединены не в матрицу накопителя, а
организованы в виде регистров.

16
Регистровая память

Регистровой памятью называют блок адресуемых


регистров общего назначения (РОН),
обеспечивающий временное хранение исходных
данных и промежуточных результатов их обработки
в цифровом устройстве. 17
Схема организации регистровой памяти

18
Работа схемы регистровой памяти
Информационные входы четырех регистров хранения (RG)
подключены к общей четырехразрядной шине входных
данных (DI). Вход загружаемого регистра выбирается
дешифратором записи (DC), на входы которого подается
код адреса записи (WA). Запись в соответствующий регистр
данных (DI), присутствующих на входной шине,
происходит при наличии сигнала “Разрешение записи”
(WE) по фронту импульсов, подаваемых на вход
синхронизации (С).
Выходы всех регистров (RG) селектором-мультиплексором
(MS) подключаются к шине выходных данных (DO). Номер
регистра, с которого происходит считывание, определяет
код адреса считывания (RA). Считывание данных в
выходную шину осуществляется по сигналу “Разрешение
считывания” (RE), подаваемого на стробирующий вход
мультиплексора (S). 19
Поскольку дешифрация адреса записи и адреса считывания
производится двумя независимыми узлами, имеющими
автономные адресные входы для записи (WA) и считывания
(RA), регистровая память может одновременно записывать
четырехразрядное цифровое слово в один из регистров и
считывать ранее записанные данные из другого.

20
В микросхемах ПЗУ функции элементов
памяти выполняют перемычки между линиями
строк и столбцов в накопителе.

Эти перемычки представляют собой либо


тонкоплёночные проводники, либо диоды и
транзисторы. Наличие перемычки кодируется 1, а
отсутствие – 0.

21
В зависимости от возможности изменения
содержимого микросхемы ПЗУ делят на:
• масочные ПЗУ - ROM (Read-Only Memory);
• постоянные запоминающие устройства с
возможностью однократного электрического
программирования - PROM (Programmable
Read-Only Memory);
• постоянные запоминающие устройства
допускающие многократное
программирование, то есть
репрограммирование - EPROM (Erasable
Programmable Read-Only Memory).
22
По способу стирания информации в
наполнителе микросхемы репрограммируемых
ЗУ делятся на два вида:
• репрограммируемые ПЗУ со стиранием
ультрафиолетовым излучением EPROM
(Erasable Programmable Read-Only Memory);
• репрограммируемые ПЗУ со стиранием
электрическим сигналом EEPROM (Electrically
Erasable Programmable Read-Only Memory).

23
В микросхемах EPROM запись информации
производится электрическими сигналами, так же как в
PROM, однако перед операцией записи содержимое
всех ячеек должно быть приведено к одинаковому
состоянию (стерто) путем воздействия на микросхему
ультрафиолетовым облучением. Кристалл заключен в
керамический корпус, имеющий небольшое кварцевое
окно, через которое и производится облучение.
Процесс стирания может выполняться многократно.
Каждое стирание занимает порядка 20 мин. Цикл
программирования занимает нескольких сотен
миллисекунд. Время считывания близко к показателям
ROM и DRAM. По сравнению с PROM микросхемы
EPROM дороже, но допускают многократного
перепрограммирования (от 10 до 100). 24
Более привлекательным вариантом многократно
программируемой памяти является электрически
стираемая программируемая постоянная память
EEPROM. Стирание и запись информация в эту
память производятся побайтно, причем стирание –
не отдельный процесс, а лишь этап, происходящий
автоматически при записи. Операция записи
занимает существенно больше времени, чем
считывание –несколько сотен микросекунд на байт.
В микросхеме используется тот же принцип
хранения информации, что и в EPROM. Память
EEPROM дороже, чем EPROM, а микросхемы
имеют менее плотную упаковку ячеек, то есть
меньшую емкость. 25
Флэш-память – это энергонезависимая
перепрограммируемая полупроводниковая память.
Слово flash, которое можно перевести как «быстрый,
мгновенный», подчеркивает относительно высокую
скорость перепрограммирования. Флэш-память во
многом похожа на EEPROM, но использует особую
технологию построения запоминающих элементов.
Запоминающим элементом флэш-памяти служит
полевой транзистор, который может хранить заряд в
виде электронов, причем этот заряд, даже при
отсутствии питающего напряжения, может
сохраняться длительное время (несколько лет).

26
Полностью содержимое флэш-памяти может быть
очищено за 1 или несколько секунд, что значительно
быстрее, чем у EEPROM. Программирование (запись)
байта занимает время порядка 10 мкс, а время доступа
при чтении составляет 35–200 нс.
Независимо от типа ячеек флэш-память имеет
ограничение по количеству циклов перезаписи (в
лучшем случае – несколько миллионов), что не
позволяет использовать ее как энергонезависимое
ОЗУ. Кроме того, флэш-память уступает микросхемам
ОЗУ по быстродействию.

27
К ПЗУ относятся также программируемые
логические матрицы ПЛМ (PLA – Programmable
Logic Array).
Они отличаются от программируемых ЗУ
ограниченным набором входных переменных.

28
Программируемые логические матрицы
f 0  x1  x2  x3 ; f1  x1 x3  x1 x2 ; f 2  x2  x3  x1 x2 ; f 3  x1  x2  x3 .

ПЛМ до программирования ПЛМ после программирования


29
По схемно-техническому исполнению
микросхемы ОЗУ и ПЗУ делятся на:
• полупроводниковые ЗУ на основе биполярных
структур, использующие схемотехнику ЭСЛ,
ТТЛ, И2Л;
• полупроводниковые ЗУ на основе МОП-
технологии, использующие структуры р-МОП, n-
МОП, КМОП.

30
По степени зависимости от источников
питания различают:
• энергозависимые ЗУ;
• энергонезависимые ЗУ.
В энергозависимых ЗУ при отключении или
сбоях питания информация разрушается. К ним
относятся ОЗУ.
В энергонезависимых ЗУ электропитание
необходимо только при записи и считывания
информации, а в режиме хранения оно может
быть отключено. К таким ЗУ относятся
микросхемы ПЗУ.
31
Микросхемы памяти

ОЗУ (RAM) ПЗУ (ROM)

Статические Масочные
ОЗУ - SRAM ПЗУ - ROM

Программируемые Репрограммируемые
Динамические ПЗУ со стиранием
ОЗУ - DRAM ПЗУ - PROM
УФ излучением -
EPROM
Репрограммируемые
Регистровые ПЗУ - RPROM
ОЗУ - RG Репрограммируемые
ПЗУ со стиранием
Программируемые
электрическим
логические матрицы
сигналом - EEPROM
(PLM)

Flash память
Классификационная диаграмма
микросхем памяти
Основные параметры микросхем памяти

Для характеристики возможностей микросхем


памяти по их функциональному предназначению
используют такие показатели, как:
• информационная ёмкость;
• разрядность хранимых слов и разрядность
адресного кода;
• организация накопителя и микросхемы в целом;
• число циклов перепрограммирования.

33
Информационную ёмкость микросхемы
памяти определяют числом единиц информации
(бит или байт), которое может одновременно
хранить накопитель микросхемы памяти.
Информационная ёмкость микросхемы зависит
от числа элементов памяти в её накопителе.
На практике применяются более крупные единицы,
а для их обозначения к словам бит или байт добавляют
приставки : кило-, мега-, гига-, тера-, пета- (kilo-,
mega-, giga-, tera-, peta-).

34
Для двоичной системы данные приставки
представляют собой целую степень числа 2:
• 1K = 210;
• 1M = 220;
• 1G = 230;
• 1T = 240;
• 1P = 250.

35
Разрядность слов равна числу двоичных
цифр в коде данных, который в параллельном
коде представления можно записать в ячейку
памяти накопителя, хранить и считывать.

Разрядность слов равна разрядности ячейки


памяти.

36
Разрядность адресного кода m, определяет
число адресных ячеек памяти, равное 2m.

37
Информационная ёмкость может быть
определена через произведение числа слов,
которое можно разместить в накопителе, на
разрядность слова. Данное произведение
является показателем, характеризующим,
организацию микросхемы памяти.
Пример: 2561, 2К8.
Зная разрядность адресного кода m, число
информационных входов (выходов) n, нетрудно
определить информационную ёмкость
микросхемы 2mn.

38
Электрические параметры микросхем
разделяют на статические и динамические.
Статические параметры характеризуют
свойства микросхем в установившемся режиме.
В состав группы статических параметров
входят:
• напряжение питания;
• входные и выходные напряжения высокого и
низкого уровней;
• потребляемый ток и мощность;
• напряжение программирования.

39
Динамические параметры характеризуют
временные процессы в микросхемах памяти
при записи, считывания, программировании и
регенерации.
Время доступа (tA) - интервал времени от момента
поступления адреса до момента, когда данные
заносятся в память или становятся доступными.
Длительность цикла памяти (ТC) - минимальное
время между двумя последовательными
обращениями к памяти (время доступа плюс
некоторое дополнительное время).
Скорость передачи - скорость, с которой данные
могут передаваться в память или из нее.
40