Вы находитесь на странице: 1из 18

К ПЗУ относятся также программируемые

логические матрицы ПЛМ (PLA – Programmable


Logic Array).
Они отличаются от программируемых ЗУ
ограниченным набором входных переменных.

1
Программируемые логические матрицы
f 0  x1  x2  x3 ; f1  x1 x3  x1 x2 ; f 2  x2  x3  x1 x2 ; f 3  x1  x2  x3 .

ПЛМ до программирования ПЛМ после программирования


2
По схемно-техническому исполнению
микросхемы ОЗУ и ПЗУ делятся на:
• полупроводниковые ЗУ на основе биполярных
структур, использующие схемотехнику ЭСЛ,
ТТЛ, И2Л;
• полупроводниковые ЗУ на основе МОП-
технологии, использующие структуры р-МОП, n-
МОП, КМОП.

3
По степени зависимости от источников
питания различают:
• энергозависимые ЗУ;
• энергонезависимые ЗУ.
В энергозависимых ЗУ при отключении или
сбоях питания информация разрушается. К ним
относятся ОЗУ.
В энергонезависимых ЗУ электропитание
необходимо только при записи и считывания
информации, а в режиме хранения оно может
быть отключено. К таким ЗУ относятся
микросхемы ПЗУ.
4
Микросхемы памяти

ОЗУ (RAM) ПЗУ (ROM)

Статические Масочные
ОЗУ - SRAM ПЗУ - ROM

Программируемые Репрограммируемые
Динамические ПЗУ со стиранием
ОЗУ - DRAM ПЗУ - PROM
УФ излучением -
EPROM
Репрограммируемые
Регистровые ПЗУ - RPROM
ОЗУ - RG Репрограммируемые
ПЗУ со стиранием
Программируемые
электрическим
логические матрицы
сигналом - EEPROM
(PLM)

Flash память
Классификационная диаграмма
микросхем памяти
Основные параметры микросхем памяти

Для характеристики возможностей микросхем


памяти по их функциональному предназначению
используют такие показатели, как:
• информационная ёмкость;
• разрядность хранимых слов и разрядность
адресного кода;
• организация накопителя и микросхемы в целом;
• число циклов перепрограммирования.

6
Информационную ёмкость микросхемы
памяти определяют числом единиц информации
(бит или байт), которое может одновременно
хранить накопитель микросхемы памяти.
Информационная ёмкость микросхемы зависит
от числа элементов памяти в её накопителе.
На практике применяются более крупные единицы,
а для их обозначения к словам бит или байт добавляют
приставки : кило-, мега-, гига-, тера-, пета- (kilo-,
mega-, giga-, tera-, peta-).

7
Для двоичной системы данные приставки
представляют собой целую степень числа 2:
• 1K = 210;
• 1M = 220;
• 1G = 230;
• 1T = 240;
• 1P = 250.

8
Разрядность слов равна числу двоичных
цифр в коде данных, который в параллельном
коде представления можно записать в ячейку
памяти накопителя, хранить и считывать.

Разрядность слов равна разрядности ячейки


памяти.

9
Разрядность адресного кода m, определяет
число адресных ячеек памяти, равное 2m.

10
Информационная ёмкость может быть
определена через произведение числа слов,
которое можно разместить в накопителе, на
разрядность слова. Данное произведение
является показателем, характеризующим,
организацию микросхемы памяти.
Пример: 2561, 2К8.
Зная разрядность адресного кода m, число
информационных входов (выходов) n, нетрудно
определить информационную ёмкость
микросхемы 2mn.

11
Электрические параметры микросхем
разделяют на статические и динамические.
Статические параметры характеризуют
свойства микросхем в установившемся режиме.
В состав группы статических параметров
входят:
• напряжение питания;
• входные и выходные напряжения высокого и
низкого уровней;
• потребляемый ток и мощность;
• напряжение программирования.

12
Динамические параметры характеризуют
временные процессы в микросхемах памяти
при записи, считывания, программировании и
регенерации.
Время доступа (tA) - интервал времени от момента
поступления адреса до момента, когда данные
заносятся в память или становятся доступными.
Длительность цикла памяти (ТC) - минимальное
время между двумя последовательными
обращениями к памяти (время доступа плюс
некоторое дополнительное время).
Скорость передачи - скорость, с которой данные
могут передаваться в память или из нее.
13
Блочная организация памяти
Увеличение разрядности памяти

14
Структура основной памяти на основе блочной схемы

15
Блочная память с чередованием адресов по циклической схеме

16
Стековая память

17
Ассоциативное запоминающее устройство

m-1

m-1

m-1

18