Вы находитесь на странице: 1из 8

РАЗВИТИЕ МОП

ТЕХНОЛОГИИ
История развития
 Принцип работы полевого транзистора
(МОП-транзистора) был известен ещё до
появления биполярного транзистора.
Однако лишь сравнительно недавно,
благодаря достижению стабильности и
контролируемости технологического
процесса МОПБИС стали реальностью
 Первая действующая модель полевого
транзистора была в 1948 г. Бардиным и
Бреттейном был открыт транзисторный эффект.
Ученые наблюдали этот эффект в серии
экспериментов по модуляции тока,
протекающего через точечные контакты с
кристаллом германия. Их открытие проложило
дорогу к разработке точечных транзисторов и к
изобретению биполярных транзисторов, работа
которых в большей степени основаны на
инжекции неосновных носителей заряда, чем на
полевом эффекте.
 Важным достижением в полупроводниковой технике
являлась разработка в начале 60-х кремниевой
планарной технологии. Выращивание, травление и
повторное выращивание изолирующего слоя окисла на
поверхности кремниевой подложки позволили получить
значительно более стабильную поверхность, а также
контролировать геометрические размеры с большей
точностью, чем это было возможно ранее. В результате
наступил период в развитии МОП-транзисторов, когда
стало возможным заменить ими электронные лампы и
дорогостоящие биполярные транзисторы. Попытки
серийного производства МОП-транзисторов
натолкнулись на трудности, связанные с миграцией
заряда вдоль поверхности, которая приводила к
ухудшению их электрических характеристик
 Проблемы контроля технологического
процесса постоянно беспокоили
изготовителей МОП–схем вплоть до 1967
года. В это время процент годных МОП–
схем со стабильными параметрами был
увеличен как за счёт усовершенствования
основного МОП-процесса, так и за счёт
усиления технологической дисциплины и
установления строго контролируемой
окружающей среды в чистых помещениях
на критических этапах технологического
процесса.
 В дополнение к повышению качества
материалов и оборудования значительно
возрос и объем знаний в области физики
поверхности полупроводников, что привело
к усовершенствованию технологического
процесса в некоторых его критических
точках.
 Другим фактором, который помог
увеличить выход годной продукции, было
развитие схемотехники, позволившее
полнее использовать специфические
свойства МОП–транзисторов.
 В 1969 году ИС на МОП транзисторах содержали от
1000 до 10000 транзисторов. К 1971 году была внедрена
технология ионной имплантации, а к1975 году,
благодаря технологии самосовмещённого затвора,
стало возможным производство СБИС (10000 –100000
транзисторов). В 1980 году –степень интеграции
увеличилась до 100000 транзисторов и больше на
кристалле, и появились УБИС (ультра большие ИС).
Наконец, с 1990 годов производятся ИС с 1000000 и
больше транзисторов. Благодаря развитию технологии
одна микросхема малых размеров может выполнять
множество функций и с большой
производительностью.