Вы находитесь на странице: 1из 17

Электроника

Тема лекции: Электронно-дырочный


переход
§ 2 Равновесное состояние p-n перехода

Лекторы:
Елфимов Вячеслав Ильич
к.т.н., профессор каф. РЭИС
Дурнаков Андрей Адольфович
ст. преподаватель каф. РЭИС

Разработчики:
Елфимов В.И., Дурнаков А.А.
Равновесное состояние p-n перехода

§ 2.1. Образование p-n перехода

Равновесный несимметричный p-n переход


3
Ge N  10 см
А
18 3
Д N  10 см
15

N А  N Д p p  nn n p  pn
2
Равновесное состояние p-n перехода

Допущения:
1. Концентрация примеси в областях,
прилегающих к p-n переходу, постоянна.
2. p-n переход – резкий.
3. Границы перехода и обедненной области
совпадают.
4. Рассматривается одномерный p-n переход.

Электрическая нейтральность областей,


примыкающих к металлургическому контакту
нарушается в результате диффузии
носителей заряда.
3
Равновесное состояние p-n перехода

«p» l0 «n»

+ + + - - -
Диаграмма 1 - - - - + + + +
+ + + - -
- - - - + + + +
- - -
lp ln
p,n
p p  1018 см3
nn  1015 см3
Диаграмма 2 n i
n p  108 см 3
pn  1011 см3

X
Q e

Диаграмма 3
+ NД  ln

Nа  l p - 0 X
4
Равновесное состояние p-n перехода

Концентрации основных и неосновных


носителей заряда в полупроводнике
определяются из закона действующих масс:
2
 для p-типа: ni  p p  n p  N А  n p
2
 для n-типа: ni  nn  pn  N Д  pn
Электронно-дырочный или p-n переход -
это тонкий слой полупроводника,
возникающий на границе раздела двух
полупроводников с разным типом
проводимости, который обеднен подвижными
носителями заряда и обладает высоким
сопротивлением.
5
Равновесное состояние p-n перехода

Ширина p-n перехода может быть найдена (при


интегрировании уравнения Пуассона):

2 
l0  l  l  0 к ( 1  1 )
p n q NA NД
Так как NА>>NД, то lp<<ln :

2 
l l  o к 1
0 n q NД
Учитывая, что Qn = Qp или NAlp = NДln , то

NA/NД = ln/lp .
6
Равновесное состояние p-n перехода


Диаграмма 4
0
( x) X
Диаграмма 5 к

0 l0 X

7
Равновесное состояние p-n перехода

Максимальная напряженность наблюдается


на металлургической границе контакта двух
полупроводников :
2  q  NД  
E  к
макс 0 
Высота потенциального барьера в
равновесном состоянии равна контактной
разности потенциалов:
  
к p n

8
Равновесное состояние p-n перехода

§ 2.2. Токи в p-n переходе в равновесном


состоянии

Ток диффузии обусловлен переходом основных


носителей заряда через p-n переход из-за их
градиента концентрации (за счет тепловой
энергии).
dp dn
i i  i  (q  D   q  D  )
D D p Dn p dx n dx
Учтем, что p-n переход – несимметричный,
значит:
NА>>NД , pp>nn , iDp iDn .
9
Равновесное состояние p-n перехода

Дрейфовая составляющая тока обусловлена


переносом через p-n переход неосновных
носителей заряда под действием ускоряющего
для них электрического поля p-n перехода
напряженностью Eк:
i E    E или
i  i  iE  q   p  pn  E  q   n  n p  E
E Ep n
p-n переход – несимметричный , следовательно:
pn>>np , iEp>> iEn .

10
Равновесное состояние p-n перехода

Условие равновесного состояния p-n перехода:


iD  iE  0
i i i i 0
Dn Dp En Ep
i 0
N А  N Д  i
Dp Ep
11
Равновесное состояние p-n перехода

§ 2.3. Контактная разность потенциалов


Условие равновесия :
d p
p
q  D  q   p  E  0
p dx p n
Dp d p p
dU  dU  ( D )  ( dp )
 p  pn  p

Параметры дрейфового и диффузионного


движения носителей заряда связаны между
собой соотношением Эйнштейна:
kT
D      D   kT q  
p q p T p T

12
Равновесное состояние p-n перехода

 − температурный потенциал.
T
Для T = 300 К:   kT / q  25 mB .
T

dU    dp / p
T
Решение дифференциального уравнения в
общем виде:
U      ln( p )  C
к T
С учетом начальных условий и закона
действующих масс: NД  p
k T p
  Т  ln( n  p ni ) 
2
 ln( )
к n p q ni2

kT NД  NA
  ln( 2
)
q ni
13
Равновесное состояние p-n перехода

Контактная разность потенциалов p-n


перехода зависит от:
 материал полупроводника: чем больше
ширина запрещенной зоны, тем больше  ;
к
 степень легирования: чем больше степень
легирования полупроводника, тем больше
 ;
к
 температура: с увеличением температуры 
уменьшается. к

14
Равновесное состояние p-n перехода

§ 2.4. Энергетическая диаграмма p-n перехода

в равновесном E
«p» состоянии
к «n»
W ( х)
iEn
- -

 iDn eк

WЗ -
- - - WП

WF

Wср
+ + + +
+ +
iD p

iE p + +
WB
+

x
l0
15
Равновесное состояние p-n перехода

Выводы
1. Вблизи контакта полупроводника с различным типом
проводимости возникает двойной слой
пространственного заряда: отрицательный в области
полупроводника p-типа; положительный в области
полупроводника n-типа.
2. В области объемных зарядов мала концентрация
подвижных носителей заряда, поэтому этот слой
обладает повышенным сопротивлением и называется p-
n переходом.
3. Электрическое поле, возникающее между разно-
именными ионами примеси, препятствует диффузии
основных носителей заряда. Это поле способствует
переходу неосновных носителей заряда.
4.   f (Wзз , N пр ,T)
к 16
Равновесное состояние p-n перехода

5. l0  f ( N пр , T)
При  N пр l0 

При  T l0 

17