Вы находитесь на странице: 1из 15

Электроника

Тема лекции: Примесный


полупроводник
§ 3 Дырочный полупроводник

Лекторы:
Елфимов Вячеслав Ильич
к.т.н., профессор каф. РЭИС
Дурнаков Андрей Адольфович
ст. преподаватель каф. РЭИС

Разработчики:
Елфимов В.И., Дурнаков А.А.
Дырочный полупроводник

Модель ковалентной связи


Дырочным полупроводником или
полупроводником p-типа называется полупроводник,
в кристаллической решетке которого содержатся
примесные атомы с валентностью меньше, чем у
основного вещества.
Примеси, захватывающие электроны из
валентной зоны, называют акцепторными или
акцепторами. Типичными акцепторами в Si и Ge
являются:
В бор;
Ga галлий;
In индий.

2
Дырочный полупроводник

Кристаллическая решетки полупроводника с дырочной


электропроводностью

3
Дырочный полупроводник

Энергетический уровень, расположенный вблизи


потолка валентной зоны, свободный в
невозбужденном состоянии и способный принимать
валентный электрон при возбуждении называется
акцепторным уровнем.

Энергия ионизации акцептора – это


минимальная энергия, которую необходимо
сообщить электрону валентной зоны, чтобы
перевести его на акцепторный уровень
WА W АWВ  WЗ .

4
Дырочный полупроводник

При T  300K электроны из валентной зоны


переходят на уровни акцепторов. Эти электроны
превращают примесные атомы в отрицательные
ионы и теряют способность перемещаться по
кристаллической решетке.
Образовавшиеся при этом дырки могут
участвовать в создании электрического тока. Это
полупроводники с дырочной электропроводностью
или полупроводники р-типа.

5
Дырочный полупроводник

Модель энергетических зон

Энергетическая диаграмма дырочного полупроводника

6
Дырочный полупроводник

Расчет равновесной концентрации


носителей заряда

Электронов в зоне проводимости значительно


меньше, чем дырок в валентной зоне, образующихся
в результате ионизации акцепторов. Поэтому в
полупроводниках р-типа дырки являются основными
носителями заряда (pp), а электроны – неосновными
носителями заряда (np) .

Изменение функции Ферми в полупроводнике р-


типа: уровень Ферми сместится в направлении
потолка валентной зоны WВ.

7
Дырочный полупроводник

Большое количество дырок появляется в


валентной зоне за счет акцепторного уровня и не
связано с появлением электронов в зоне
проводимости (NА » ni), т.е. вероятность появление
дырок в валентной зоне должна быть больше
вероятности появление электронов в зоне
проводимости.

8
Дырочный полупроводник

При T  300 все атомы акцепторных примесей


ионизированы
NV
WFp  WВ  kT ln

Уравнения для расчета концентрации носителей


заряда в полупроводнике р-типа
WFi  WFp WFp  WFi
p p  ni  exp( ); n p  ni  exp( ).
kT kT
p p  n p  ni2 это – закон действующих масс .

9
Дырочный полупроводник

Расчет равновесной концентрации


носителей заряда
При N А  1016 см 3 , то при комнатной температуре в
Si концентрация электронов определяется:

ni2 ni2 (1,4  1010 2


) 3
np     2  10 4
см
pp NА 1  1016

10
Дырочный полупроводник

Расчет равновесной концентрации


носителей заряда

А для Ge, при той же степени легирования


N А  1016 см 3 и температуре, концентрация
электронов составит:

ni2 (2,5  1013 2


) 3
np    6,25  1010
см
NА 1  1016

11
Дырочный полупроводник

Зависимость концентрации носителей от


температуры

12
Дырочный полупроводник

Зависимость концентрации носителей от


температуры
I. – Участок ионизации примесей: наблюдается рост
концентрации основных носителей.
II. – Участок примесной проводимости: концентрация
основных носителей практически постоянна
(pp ≈ const). Однако с повышением температуры
концентрация неосновных носителей возрастает
очень резко –
WЗ
ni ~exp(  ),
2kT
nn  pn , nn  ni .

13
Дырочный полупроводник

Зависимость концентрации носителей от


температуры

III. – Участок собственной проводимости

p p  n p  ni  N А

IV. − Диапазон рабочих температур Траб . Обычно он


составляет от −60 °C−+60 °С. В этом диапазоне:

p p  N А; n p  p p .

14
Дырочный полупроводник

Выводы
1. Концентрация как основных, так и неосновных
носителей заряда зависит от положения уровня
Ферми.
2. Введение в полупроводник акцепторных примесей
сдвигает уровень Ферми вниз к потолку валентной
зоны.

15

Оценить