Электроника

Тема лекции: Уровень Ферми

Дрейфовый и диффузионный ток

Лекторы:
Елфимов Вячеслав Ильич
к.т.н., профессор каф. РЭИС
Дурнаков Андрей Адольфович
ст. преподаватель каф. РЭИС

Разработчики:
Елфимов В.И., Дурнаков А.А.
 Уровень Ферми

Распределение Ферми – Дирака для электронов

1
f n (W ) 
 W  WF 
exp   1
 kT 
При Т = 0 в интервале энергии имеем

f n (0  W  WF )  1, f n (W  WF )  0.
Следовательно, энергия Ферми есть максимально возможная энергия
электронов в металле при температуре абсолютного нуля.
Когда Т > 0
уровень Ферми есть энергетический уровень, вероятность заполнения
f n (W отличной
которого при температуре,
WF )  1от 2 абсолютного нуля, равна 0,5.

2
 Уровень Ферми

Функция распределения Ферми – Дирака для дырок

1 1
f p (W )  1  f n (W )  1  (W WF )/ kT

e 1 e (WF W )/ kT  1
Для электронов и дырок, находящихся в состояниях с энергией
W – WF >> kT, имеем:
 W  WF   WF  W 
f n  exp  , f p  exp  .
 kT   kT 
Это функции распределения Больцмана для частиц,
подчиняющихся классической статистике.
Для большинства полупроводников (невырожденных) можно
пользоваться статистикой Максвелла − Больцмана и только в
некоторых случаях для полупроводников (вырожденных)
необходимо использовать статистику Ферми − Дирака.

3
 Уровень Ферми

Положение уровня Ферми в полупроводнике будет определять и

дрейфовую и диффузионную составляющие тока .
Одно из фундаментальных положений физики твердого тела –
постоянство (одинаковость) уровня Ферми для всех частей
равновесной системы твердых тел, какой бы разнородной оно не
была. Или, в условиях равновесия, когда направленного
движения носителей заряда нет (I = 0), должно иметь место
условие: WF  const.
Для собственного полупроводника уровень Ферми определяется
выражением: WП  WВ 3 m*p
WFi    kT ln * ,
2 4 mn
WП  WВ
При m*p  mn* WFi  .
2

4
 Уровень Ферми

ΔWз, эВ

1,56
1,54
GaAs
1,52 dΔWз/dT=-4,3·10^(-4),
1,50 эВ/К

ΔWз, эВ
1,46
1,22 1,44
(1.43)
1,20 1,42
Si
1,18 1,40
1,16 -2,4·10^(-4)
1,14
(1.12)
0,92 1,12
0,90 1,10
Ge
0,88
0,86 -3,9·10^(-4)
0,84
0,82
(0,803)
0,80
0,78
0 100 200T, K 300
Изменения ширины запрещенной зоны

5
 Уровень Ферми

Для примесных полупроводников уровень Ферми можно

определить из соотношений (Т > 0 К):
N NV
WFn  WП  kT ln C , WFp  WВ  kT ln .
NД NА
При решении задач удобнее использовать соотношения (Т > 0 К):
1 n 1 pp
WFn  (WП  WВ )  kT ln n , WFp  (WП  WВ )  kT ln .
2 ni 2 ni

Положение уровня Ферми в примесных полупроводниках зависит

от температуры, степени легирования и ширины запрещенной
зоны.

6
 Уровень Ферми

1 - область слабой ионизации примеси (область вымораживания).

2 - область истощения, при которой имеет место полная ионизация

примеси (примесная проводимость). Концентрация электронов
в зоне проводимости не зависит от температуры.

3 - область собственной проводимости. Увеличение концентрации

электронов в зоне проводимости будет осуществляться за счет
переходов электронов из валентной зоны. В этом случае
положение уровня Ферми и концентрация электронов будут
определяться уравнениями для WFi. и ni .

7
 Уровень Ферми
Зависимость уровня Ферми в Si

8
 Уровень Ферми

Выводы
1. При Т = 300 К WFn лежит ниже уровня донорной примеси, но
выше середины запрещенной зоны.
2. В p-полупроводнике WFp расположен выше уровня акцепторной
примеси, но ниже середины запрещенной зоны.
3. Чем сильнее легирован полупроводник, тем ближе WF к зоне,
отвечающей за тип проводимости (к зоне основных носителей
заряда). При ↑ Nпр WFn →WП, WFp →WВ.
4. С ростом температуры WFn снижается к середине запрещенной
зоны, а в p-полупроводнике повышается к середине
запрещенной зоны, т.е. полупроводник ведет себя как
собственный. При ↑Т WFn →WFi, WFp →WFi.
5. Чем сильнее легирован материал, тем выше максимальная
рабочая температура прибора, использующего примесный
характер полупроводника.

9
 Дрейф. Электропроводность

Дрейф. Электропроводность
Движение носителей заряда под действием электрического поля
иначе называют дрейфом носителей, а ток проводимости —
дрейфовым током IЕ.
Рассеяние

Дрейф

Процессы рассеяния и дрейфа носителей

10
 Дрейф. Электропроводность

Плотность дрейфового тока iEn  q  n  v .др

Скоростью дрейфа называется скорость, направленная
вдоль вектора напряжённости электрического поля,
усреднённая по всем носителям одного знака
(электронам или дыркам).

vдр  tП qE m    E.
Подвижность − коэффициент пропорциональности μ,
между скоростью дрейфа и напряженностью
электрического поля, характеризует среднюю
добавочную (к тепловой) скорость.

iEn  q  n    E.
Закон Ома для плотности тока
iEn  n E.
11
 Дрейф. Электропроводность

Подвижность носителей заряда зависит от ряда

факторов.
1. Тип носителя n   p .
2. Материал полупроводника
 Ge  Si .
3. Температура   А  Т 3 2
4. Концентрация примесей: ионы примесей являются
центрами рассеивания в полупроводнике.
↑ N пр приведет к уменьшению длины свободного
пробега зарядов и к снижению .
5. Напряженность электрического поля. Существует
участок насыщения: скорость дрейфа и ток не
зависят от напряженности электрического поля.

12
 Дрейф. Электропроводность

Дрейф. Электропроводность
Плотность тока дрейфа в собственном полупроводнике
iEi ***
 iEn  iE p  q  ni   n  E  q  pi   p  E  q  ni  ( n   p )  E ,
удельная проводимость собственного полупроводника

i  q  ni  ( n   p ).
Учитывая,  Ge  Si , niGe  niSi следует iGe  iSi .
С ↑Т  i растет за счет ↑↑ ni .
Плотность тока дрейфа в полупроводнике n-типа

iE  iEn  iE p  q  nn   n  E  q  pn   p  E  q  nn   n  E.

13
 Дрейф. Электропроводность

Дрейф. Электропроводность
Для полупроводника p-типа

***
iE  iEn
 iE p  q  p p   p  E  q  n p   n  E  q  p p   p  E .
Если пренебречь проводимостью за счет неосновных
носителей, то электропроводность полупроводников n-
типа и р-типа определяется
n  q  nn   n ,  p  q  pp   p.
***
Всегда  n   p и, следовательно, при одинаковых
степенях легирования  n   p и Ge  Si .
На участке примесной проводимости  n и  p↓ при ↑Т,

т.к.  n , p , а nn , p p  const .
14
 Дрейф. Электропроводность

Параметры основных полупроводников

(Т=300 К)
№ Параметр Ge Si GaAs InSb
12 Подвижность электронов 3800 1400 8600 76000
μn, см2/(В·с)
Подвижность дырок μp,
13 1800 500 400 750
см2/(В·с)
Скорость насыщения для
14
электронов, см/с
6,5·106 107
Критическая напряжен-
15
ность поля Екр, В/см 900 2500

15
 Дрейф. Электропроводность

Выводы
1. Электропроводность зависит от концентрации носителей и от
их подвижности.
2. Подвижность электронов больше подвижности дырок.
3. Подвижность любого носителя заряда в Ge выше, чем в Si.
4. Подвижность падает с ростом температуры из-за рассеяния
носителей заряда на тепловых колебаниях атомов
кристаллической решетки.
5. Увеличение концентрации примесей приводит к снижению
подвижности.
6. Существует участок насыщения: скорость дрейфа и ток не
зависят от напряженности электрического поля.
7. С повышением температуры проводимость полупроводника
i-типа растет.
8. Электропроводность Ge полупроводников выше, чем Si.
9. Электропроводность полупроводников n-типа выше, чем р-типа.

16
 Дрейф. Электропроводность

Информационное обеспечение лекции

Литература по теме:
Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы [Текст] : учебник
для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 5-е изд., испр. − СПб. :
Лань, 2001. − 480 с.
Булычев, А.Л. Электронные приборы [Текст] : учебник /
А.Л.˚Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. − М. : Лайт Лтд., 2001.
− 416 с.

17
 Диффузионный ток

Диффузионный ток
Диффузия – это перенос частиц разной природы,
обусловленный хаотическим тепловым движением
молекул (атомов) при наличии градиента
концентрации частиц.
Диффузионный ток - направленное перемещение
носителей заряда в сторону меньшей концентрации
за счет собственной энергии (т.е. за счет теплового
движения).
dn
dx Электроны in
Тип n
dp
Тип p dx Дырки ip

18
 Диффузионный ток

Плотности диффузионных токов определяются

законом Фика:
dp
iдиф p   q  D p  .
*** dx ***
Соотношение Эйнштейна:
Dn  (kT q ) n  Т   n , D p  (kT q) p  Т   p .
*** ***
Физический смысл: независимо от причины,
вызвавшей направленное движение, свободные
носители встречают на своем пути одни и те же
неоднородности, при взаимодействии с которыми
происходит рассеяние.
Коэффициент пропорциональности называется
тепловым потенциалом T  k  T q .

19
 Коэффициент диффузии равен числу носителей,
диффундирующих за одну секунду через единичную площадку
при единичном градиенте концентрации

ФОЭ.Модуль 1.Лекция 5. Уровень Ферми 20

 Диффузионный ток

Коэффициент диффузии в основном зависит от

температуры, типа носителя, материала
полупроводника, степени легирования, количества
центров рассеяния.
Dn  D p , DGe  DSi .

Учитывая, что   А  Т 3 2
, T  k  T q , получаем

D ~ T−1/2 .

21
 Диффузионный ток

Изменение избыточной концентрации в пространстве

22
 Диффузионный ток

Диффузионная длина Ln в полупроводнике р-типа

− расстояние, на котором избыточная концентрация
неравновесных носителей уменьшается в е (2,72) раз
от первоначального значения Δn (0).
Убывание избыточной концентрации происходит во
времени и в пространстве, поэтому n и Ln
связанны Ln  Dn  n .

С ↑ Т уменьшается Dn , резко возрастает n и

диффузионная длина будет возрастать.

23
 Диффузионный ток

Параметры основных полупроводников

(Т=300 К)

№ Параметр Ge Si GaAs InSb

1 Коэффициент 100 36 290 1750
диффузии электронов
Dn, см2/с
Коэффициент
2 диффузии дырок Dp, 45 13 12 17
см2/с

24
 Диффузионный ток

Законы движения носителей заряда в

полупроводниках
Если в полупроводнике существует электрическое поле, и
градиент концентрации носителей, полный проходящий ток будет
иметь дрейфовую и диффузионную составляющие:
dn( x)
in  q  n   n  E  q  Dn  ;
dx
Плотность общего тока i любой точке неоднородного
полупроводника в любой момент времени будет определяться
уравнением:
dn( x) dp ( x)
i  in  i p  q(n n  p p ) E  q ( Dn  Dp ).
dx dx
Для определения токов нужно предварительно найти функции p ( x, t )
и n( x, t ) . Эти функции являются решениями уравнений
непрерывности потока, которым в любой момент времени
подчиняется движение носителей.

25
 Диффузионный ток

При отсутствии внешних факторов (свет, радиация и т.п.) уравнения

непрерывности для дырок и электронов записываются в виде
dp p  p0 2 p p E
  Dp  2   p  E   p   p  ,
dt p x x x
dn n  n0  2n n E
  Dn  2   n  E   n   n  .
dt n x x x
Если Е = f (х), приходится дополнительно привлекать уравнение
Пуассона
dE 

Вывод: изменение концентраций .
носителей заряда в полупроводнике
dx 0
с течением времени происходит из-за рекомбинации (первые
слагаемые правых частей), перемещения вследствие диффузии
(вторые слагаемые) и дрейфа (третьи и четвертые слагаемые).

26
 Тау – время жизни дырок или электронов
эпсилон – диэлектрические проницаемость проводника
Эпсилон 0 — диэлектрическая проницаемость вакуума

ФОЭ.Модуль 1.Лекция 5. Уровень Ферми 27

 Диффузионный ток

Выводы
1. Неравномерное распределение неравновесных носителей зарядов
(градиент концентрации) обусловливает прохождение диффузионного
тока.
2. Параметры дрейфового и диффузионного движения связаны между
собой соотношениям Эйнштейна.
3. Избыточная концентрация убывает в пространстве и времени по
экспоненциальному закону.
4. С увеличением температуры уменьшается коэффициент диффузии,
резко возрастает время жизни носителей и растет диффузионная длина.
5. Если в полупроводнике существует электрическое поле и градиент
концентрации носителей, то полный ток будет иметь дрейфовую и
диффузионную составляющие.
6. Изменение концентраций носителей заряда в полупроводнике с
течением времени происходит из-за рекомбинации, перемещения
вследствие диффузии и дрейфа.
7. Решение системы уравнений непрерывности в общем виде невозможно

28