Вы находитесь на странице: 1из 15

Сканирующая туннельная

микроскопия

Магистрант группы 847101:


Дуцник А. И.
2/15

Микроскопия
Микроскопия - изучение объектов с
использованием микроскопа.
Подразделяется на несколько видов и
предназначается для наблюдения и
регистрации увеличенных
изображений образца.
3/15
Микроскопия
Виды микроскопии:

• Оптическая микроскопия
Ближнепольная оптическая микроскопия
Инфракрасная микроскопия
• Флуоресцентная микроскопия
Двухфотонная лазерная микроскопия
• Рентгеновская микроскопия
Лазерная рентгеновская микроскопия
• Электронная микроскопия
Сканирующая (растровая) электронная микроскопия
Просвечивающая электронная микроскопия
Отражательная микроскопия
• Сканирующая зондовая микроскопия
Сканирующая туннельная микроскопия
Атомно-силовая микроскопия
Ближнепольная оптическая микроскопия
Магнитно-силовая микроскопия
Электро-силовая микроскопия
Туннельная микроскопия 4/15

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) – первый из семейства


зондовых микроскопов – был изобретен в 1981 году швейцарскими учеными
Гердом Биннигом и Генрихом Рорером. В своих работах, они показали, что
это достаточно простой и весьма эффективный способ исследования
поверхности с пространственным разрешением вплоть до атомарного

Настоящее признание данная методика получила после визуализации


атомарной структуры ряда материалов и, в частности, реконструированной
поверхности кремния. В 1986 году Г. Биннигу и Г. Рореру была присуждена
Нобелевская премия по физике

Принцип работы заключается в


использовании туннельного эффекта
Эффект туннелирования через потенциальный 5/15
барьер

В сканирующей туннельной микроскопии зонд подводится к поверхности образца на расстояния в


несколько ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер, величина
которого определяется, в основном, значениями работы выхода электронов из материала зонда p и
образца s.

1
 p  s 
2
Вероятность туннелирования через потенциальный барьер определяется его шириной и высотой
барьера:
2 Типичное значение k=2 Å-1. Т.е. при
At kZ 2 2me увеличении расстояния между зондом и
W 2
e k образцом на 1 Å, туннельный ток
A0 
уменьшается в e29 раз.
Эффект туннелирования через потенциальный 6/15
барьер

В процессе туннелирования
участвуют, в основном,
электроны с энергией в
окрестности уровня Ферми EF .

В СТМ используется туннелирование электронов


между проводящими зондом и образцом при наличии
внешнего напряжения; шириной туннельного
перехода является расстояние между зондом и
поверхностью образца. Когда кончик зонда
оказывается на расстоянии около 10 Å от образца,
электроны из образца начинают туннелировать через
промежуток в иглу или наоборот, в зависимости от
знака напряжения.
Принцип работы туннельного сканирующего 7/15
микроскопа
Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния позволяет осуществлять
регулирование расстояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью.
СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью. Система
обратной связи поддерживает величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном
уровне, выбираемом оператором.

Контроль величины
туннельного тока, а
следовательно, и расстояния
зонд-поверхность
осуществляется
посредством перемещения
зонда вдоль оси Z с
помощью
пьезоэлектрического
элемента
Реконструкция поверхности
кремния при помощи СТМ
Принцип работы туннельного сканирующего 8/15
микроскопа
Различают два режима работы сканирующего туннельного микроскопа: режим постоянной высоты Z=const (б) и режим
постоянного тока It=const (а).
Зонды для сканирующей туннельной 9/15
микроскопии: требования, характеристики,
способы изготовления
Высокое пространственное разрешение СТМ определяется экспоненциальной зависимостью туннельного
тока от расстояния до поверхности. Разрешение в направлении по нормали к поверхности достигает долей
ангстрема. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо
одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов, который локализует его на размерах, много
меньших, чем характерный радиус кривизны острия. Поскольку зависимость туннельного тока от
расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и
выступающим атомом на кончике зонда.
Зонды для сканирующей туннельной 10/15
микроскопии: требования, характеристики,
способы изготовления
В сканирующих туннельных микроскопах используются зонды нескольких типов. В первое время
широкое распространение получили зонды, приготовленные из вольфрамовой проволоки методом
электрохимического травления.

Другая широко применяемая методика приготовления СТМ зондов – перерезание тонкой проволоки
из PtIr сплава с помощью ножниц. Перерезание производится под углом порядка 30-45 градусов с
одновременным натяжением P проволоки на разрыв

Фотографии зондов для СТМ


(слева – зонд, полученный
электрохимическим
травлением, справа –
механическим перерезанием
проволочки)
Зонды для сканирующей туннельной 11/15
микроскопии: требования, характеристики,
способы изготовления

Изготовление зонда
Изготовление зонда электрохимическим
перерезанием проволоки травлением
12/15
Сканирующая туннельная спектроскопия
Сканирующий туннельный микроскоп позволяет получать вольт-амперные характеристики (ВАХ)
туннельного контакта зонд-поверхность в любой точке поверхности и исследовать локальные
электрические свойства образца. Для характерных напряжений на туннельном контакте порядка
0.1 – 1 В и туннельных токов на уровне 0.1 – 1 нА сопротивление туннельного контакта Rt по
порядку величин составляет 108÷1010 Ом. Как правило, сопротивление исследуемых в СТМ
образцов RS существенно меньше Rt, и характер ВАХ определяется, в основном, свойствами
небольшой области образца вблизи туннельного контакта. Сканирующая туннельная
спектроскопия применяется для исследований локальной электронной структуры поверхности
образцов. Электронная структура атома зависит не только от его атомного номера, но и от
локального химического окружения (количество соседних атомов, их вид и расположение).
13/15
Сканирующая туннельная спектроскопия
Характер туннельной ВАХ существенно зависит от энергетического
спектра электронов в образце.
eV
I (V )  B   S ( E )dE
0
 S (E ) - плотность электронных
состояний в образце
I (V )
S (E) 
V
Структура энергетических Структура энергетических
уровней и вольт-амперная уровней и вольт-амперная
Исследования локальных туннельных характеристика туннельного
характеристика туннельного спектров различных материалов
контакта металл-металл контакта металл-
проводят, как правило, в условиях полупроводник
высокого вакуума (поскольку
туннельный ток очень чувствителен к
состоянию поверхности исследуемых
образцов) и при низких температурах
(так как тепловые возбуждения сильно
размывают особенности в электронных
спектрах).
14/15
Недостатки

В настоящее время в литературе описаны сотни


различных конструкций сканирующих зондовых
микроскопов. Для эффективной работы конструкция
измерительной головки СТМ должна удовлетворять
целому ряд требований. Наиболее важными из них
является требование высокой помехозащищенности.
Это обусловлено высокой чувствительностью
туннельного промежутка к внешним вибрациям,
перепадам температуры, электрическим и
акустическим помехам. Помимо этого, СТМ имеет одно
существенное ограничение: объект должен быть
проводщим, металл или проводник, иначе не возникнет
туннельный ток
Последний слайд
Спасибо за внимание