RF-

Conference R&D-2020, IZOVAC Ltd.

Доклад №1

Докладчик Рабатуев Геннадий

GIBS
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СЕТОЧНЫЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК

Дата 15 мая 2020

Цель:

Понять физические основы работы ионного

источника с высокочастотной генерацией
плазмы и ионно-оптической системой для
формирования ионного пучка.

Предложить пути модернизации частей

устройства для увеличения эффективности и
времени стабильной работы.
 №1
FUNDAME
NTAL
БАЗОВАЯ КОНСТРУКЦИЯ, БАЗОВАЯ ФИЗИКА
 БАЗОВАЯ КОНСТРУКЦИЯ RF-GIBS
Кварцевый корпус
Трубки Блок
ввода газа согласования
Катушка ВЧ мощности
индуктивности

Плазменный/
Экранирующий/
Экстрагирующий/ Генератор ВЧ
Эмиссионный электрод напряжения
• Энергетика
• Плотность тока
• Экранирование УЭ HDC
• Форма эл. поля
+
DC
Ускоряющий «-» электрод –
• Плотность тока
• Фокусировка
• Защита плазмы от
электронов извне Замедляющий
электрод Ионно-оптическая
• Независимое управление система (ИОС):
током и энергетикой,
• Защита УЭ от вторичных ионов 1-3 сетчатых электрода
Газоразрядная камера (ГРК)
Физические основы:
• Электродинамика (ур-я Максвелла)
• Ввод ВЧ мощности в плазму и в
инженера, оптимизация сечения витков…
• Физика плазмы 
• Потенциал плазмы, рекомбинационный
ток, распыление стенок ГРК,
оптимизация формы стакана, влияние
магнитного поля…
 Уравнение №2 Уравнение №1

• Ур. №1: Величина производной может MU

устремиться к бесконечности даже при
малых токах;
• Ур. №2: Чем интенсивнее изменение
магнитного поля, тем сильнее
напряженность ускоряющего эл.поля;
e- ГазовыйB разряд
• Следствие №1 – больше частота поля, e-
больше плотность плазмы. НЧ<ВЧ<СВЧ;
Ar+
Ar
HDC
Ar
• Подвижность (~m-1) – реакция на e- Ar+ +
изменение электрического поля – у DC
ионов аргона на 7 порядков меньше, чем –
у электронов;
• Следствие №2 – моноэнергетичность
пучка: ионы не разгоняются ВЧ/СВЧ
электрическим полем.
 Уравнение №2 Уравнение №1

B B B

• Сл. №3 ЭМИ мимо ГРК

• Электро-экран
• Магнитный экран (магнитные стержни [стержни – чтобы подавить токи Фуко] для сбора магнитного поля)

• Сл. №4 Токи смещения между витками – снизить площадь обкладок конденсатора

Сбор ВЧ магнитного поля набором магнитомягких стержней
Классическое решение проблемы
вихревых токов в магнитопроводах
трансформаторов:
 NEWTRAL CURRENT
НЕОТЪЕМЛЕМЫЙ РЕКОМБИНАЦИОННЫЙ ТОК

• «Горячие» электроны из плазмы заряжают прилегающие диэлектрики и изолированные проводники.

• «Холодные» и тяжелые ионы плазмы за ними не успевают – плазма заряжена положительно
относительно стенок камеры: ПОТЕНЦИАЛ ПЛАЗМЫ
 Потенциал плазмы  
𝟏 𝟖𝑻𝒆 𝒆𝑼 𝒑
 Плотностьэлектронного тока
- ограничивается кулоновским барьером.

Плотность ионного тока

𝒋 𝒆 = 𝒆 𝒏𝒆
 
𝟒 𝒎𝒆 √
∙𝒆𝒙𝒑 −
𝑻𝒆 ( )
𝟐𝑻𝒆
- пропорциональна плотности плазмы,
увеличивается с ростом энергии электронов
(~ВЧ мощности) и уменьшается с ростом массы
иона.
𝒋 𝒊= 𝟎 , 𝟒𝟑 𝒆 𝒏 𝒆
√ 𝑴𝒊

Установившийся потенциал плазмы:  

𝑻𝒆 𝝅 𝒎𝒆
ток ионов равен току электронов.

Используя Аргон в качестве рабочего газа:

U 𝒑 =− ∗ 𝒍𝒏 𝟎 , 𝟖𝟔
𝒆 𝑴𝒊 ( √ )
• Обухов, В.А. Расчет переходного слоя в эмиссионном отверстии газоразрядного источника ионов / В.А. Обухов, В.Е. Сосновский // 5 Конференция
по плазменным ускорителям и ионным инжекторам: Тезисы докладов / М.: Наука, 1982. – C. 105-106.
Следствие №1
Оптимизацией формы ГРК можно снизить
рекомбинационный ток.
Чем больше площадь при заданном объёме
ГРК, тем интенсивнее потеря заряженных
частиц.
Оптимальная форма стакана для минимизации
потерь с сохранением остальных параметров
плазмы – полусфера

«Изменение формы ГРК с цилиндрической на

полусферическую или эллиптическую,
позволяет уменьшить на 20% - 25% энергию,
затрачиваемую на ионизацию рабочего тела.»
Killinger R., Bassner H., Műller J, Kukies R. Status of the RIT_XT High
Performance RF-Ion Thruster Development // 2000ESASP.465..443K -
2000.- c.443-450 sci-hub.tw/10.2514/6.2000-3272
Следствие №2
Магнитным полем можно снизить
рекомбинационный ток.
• Постоянное осевое магнитное поле создаёт
дополнительный барьер движению электронов
в направлении стенок – логично повышение
плотности плазмы и снижение её потенциала.
• Плотность ионов в зависимости от
напряженности аксиального электромагнитного
поля: явное возрастание плотности плазмы, не
линейное при использовании электромагнита.
• ! Переменное магнитное поле всегда
перпендикулярно сеткам и параллельно
стенкам. Предположительная причина
зарастания кварцевых стенок – ионная очистка
стенок медленнее распыления сеток.
• Эффективность ВЧ генерации ионов настолько
высока, что избавляет от необходимости
удерживания электронов магнитным полем.
• Е.В. Берлин, В.Ю. Григорьев, Л.А. Сейдман Индуктивные
источники высокоплотной плазмы и их технологические
применения ТЕХНОСФЕРА Москва 2018. – 464 стр. ISBN 978-5-
94836-519-0
Следствие №3
Интенсивное распыление ИОС не обусловлено
потенциалом плазмы
1. Ток ионов Аргона с энергией 50 эВ – ниже
порога для распыления молибдена.
2. Если причина в потенциале плазмы, почему
скорость очистки кварца значительно
медленнее скорости распыленияс сетки?
БОльшая площадь стенок зарастает быстрее,
чем очищается,(ведь распыляемая площадь ЭЭ
значительно меньше зарастаемой площади ГРК)

Нужно искать причины

Ионы движутся под действием некоторого
усредненного по времени поля, которое нужно
измерить вольтметром и провести следствие по
делу о его возникновении.
 Следствие №3 (поправка*)
 Распыление плазменной сетки электродов Аргоном при
низких энергиях порядка 40 эВ возможно.
• Коэффициент передачи энергии Ar молибдену:

Для Xe (MXe = 131):

• При низких энергиях:
Для Ar возможны варианты распыления 1-4
Для Xe – только №3 и №4
• Реальный порог распыления:
Энергия связи поверхн. атомов Us(Mo)= 6,83 эВ.
Для разрыва требуется энергия E(Ar)= 8,2 эВ
Порог по Богданскому 8Ub(MAr/MMo)2/5= 38,5 эВ

• Behrisch, R., Maderlechner, G., Scherzer, B. M. U., & Robinson, M. T. (1979). The sputtering mechanism for low-energy light ions. Applied Physics, 18(4), 391–398. doi:10.1007/bf00899693 sci-hub.tw/10.1007/BF00899693
• W. Eckstein. Computer Simulation of Ion-Solid Interactions. Springer-Verlag, New York, 1991. (Книга по ФТТ)
• J. Bohdansky, J. Roth, and H.L. Bay. An Analytical Formula and Important Parameters for Low-Energy Ion Sputtering. Journal of Applied Physics, 51(5):2861–2865, 1980 sci-hub.tw/10.1063/1.327954
• Laegreid, N., & Wehner, G. K. (1961). Sputtering Yields of Metals for Ar+ and Ne+ Ions with Energies from 50 to 600 ev. Journal of Applied Physics, 32(3), 365–369.  doi:10.1063/1.1736012 
постоянная сслка на статью: sci-hub.tw/10.1063/1.1736012
• Rosenberg, D., & Wehner, G. K. (1962). Sputtering Yields for Low Energy He+‐, Kr+‐, and Xe+‐Ion Bombardment. Journal of Applied Physics, 33(5), 1842–1845. doi:10.1063/1.1728843 
постоянная ссылка на статью: sci-hub.tw/10.1063/1.1728843

• №1: Кремний имеет КР материалов ионами Ar+

E, эВ 60 100 200 300 600

Коэффициент распыления (ат./ион)

наименьший КР среди
1 Ta 0,01 0,1 0,28 0,41 0,62
оптических материалов. В 2-3
0.9
раза меньше, чем Mo; 0.8 W 0,008 0,068 0,29 0,4 0,62
0.7
• №2: КР углерода примерно на 0.6 Mo 0,027 0,13 0,4 0,58 0,93
порядок меньший, чем у Mo; 0.5
0.4 Nb 0,017 0,068 0,25 0,4 0,65
• Следствие №1 – для защиты 0.3
0.2
эмиссионного электрода 0.1
Ti   0,081 0,22 0,33 0,58
провести CVD кремния, DLC, 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650 Si
карбида кремния и т.п.; (от 0,06 0,07 0,18 0,31 0,53
Энергия, эВ 80эВ)
• №3: Шероховатость снижает
C
КР, т.к. является ловушкой для Ta W Mo (Для Xe)     0,04 0,08 0,21
распыленного материала и Nb Ti Si (от 80эВ)
повышает угол соударения;
• №3 + №2: Углеродные
наностенки – шах и мат эрозии
сетки! (*и зарастанию кварца)
• Вопрос: Превращение
наностенок из углерода в
карбид кремния возможен?
(Высокотемпературный отжиг
в среде моносилана)
 Принципиальный разрыв контура

• №1 Текстурирование стакана –
пескоструйная обработка.
Чем больше размер песчинок, тем
больше шероховатость поверхности –
больше удельная площадь поверхности
и эффективная длина контура. MU
Снижаются скорость образования
сплошной плёнки и проводимость
контура;

• №2 Не замкнут контур– нет

циркулирующего тока.
Принципиальный разрыв контура: Газовый
прорези, выступы, ямки, лабиринты в разряд
защитном стакане.;
HDC
• №3 Предотвратить распыление:
Коллектор для ввода газа, защитное
+
DC
покрытие для плазменной сетки.
–
• №4 Самоочистка:
• Автосмещение
• Газ на периферию

• №5 Сеточка-адсорбент
К вопросу о разрыве проводящих контуров и подавлении вихревых токов

Прорезь в плазменной сетке:

Ожидается снижение джоулевого разогрева за
счёт подавления токов Фуко
Основные ВЫВОДЫ и пути оптимизации ГРК
• ГРК – обойма ионной пушки;
• Физические основы работы описывают уравнения Максвелла;
• Потери эффективности: ВЧ-мощность мимо ГРК, рекомбинационный ток на стенки ГРК, поглощение ВЧ металлическими контурами.
• Основные проблемы: распыление электродов ИОС и трубок ввода газа с образованием металлической плёнки на защитном стакане.

Наиболее доступные и действенные направления повышения эффективности RF-GIBS:

1. Текстурирование крупнозернистым песком и прорезь в кварцевом защитном стакане;
2. Коллекторный ввод газа;
3. Покрытие углеродными наностенками экранирующей сетки

Авантюрные, малоэффективные, нереальные направления:

4. Прорезь в сетке (возможна деформация);
5. Самоочистка автосмещением (технологично, доступно);
6. Пластинка для адсорбции распыленных металлов (может понизить ток, но сильно повысить долговечность работы);
7. Магнитомягкие стержни/пластинки для сбора магнитного поля в плазму;
8. Газораспределение вдоль стенок ГРК (увеличивает плотность плазмы близ стенок – усиливается распыление кварца и возможен
эффект самоочищения; облегчает поджиг плазмы; возможно реализовать самодельной стеклянной пластиной в торце ГРК);
9. Сплюснуть трубку индуктора.
 3-Grid
IOS
ТРЁХЭЛЕКТРОДНАЯ ИОННО-ОПТИЧЕСККАЯ СИСТЕМА
 БАЗОВАЯ КОНСТРУКЦИЯ RF-GIBS
Кварцевый корпус
Трубки Блок
ввода газа согласования
Катушка ВЧ мощности
индуктивности

Плазменный/
Экранирующий/ Назначение ИОС:
Экстрагирующий/ Генератор ВЧ
Извлечение ионов из плазмы и их ускорение до напряжения
Эмиссионный электрод
• Энергетика требуемой скорости (энергии).
• Плотность тока
Физические основы:
• Экранирование УЭ HDC
• Форма эл. поля Движение заряженных частиц в постоянном
электрическом поле. + DC
Ускоряющий «-» электрод –
• Плотность тока
• Фокусировка
• Защита плазмы от
электронов извне Замедляющий
электрод Ионно-оптическая
• Независимое управление система (ИОС):
током и энергетикой,
• Защита УЭ от вторичных ионов 1-3 сетчатых электрода
Движение ионов
• №1: Ионная оптика = электростатическая
линза. Ионы движутся перпендикулярно Плазма, 50В
эквипотенциальным линиям, которые задают
геометрия электродов, параметры плазмы и
потенциалы сеток; +1250 В +1250 В
• №2: Электрическое поле за центром
отверстия ЭЭ вытягивающее. Чем лучше видно
УЭ через отверстие ЭЭ, тем сильнее тяга,
больше ток. -250 В -250 В

0В 0В

Вакуум
 ИОННЫЕ ЛИНЗЫ
Влияние потенциалов эмиссионного и ускоряющего электродов на «оптическую силу» линзы

*Для наглядности. Не учтено взаимное кулоновское отталкивание ионов – с ним фокус лежит ближе к УЭ, либо отсутствует.

Вакуум
0В 0В

0В
-250 В -250 В
-100..-500 В

+1250 В

+1250 В +1250 В

Плазма, 50В
Энергия ионов
 Выходная разность потенциалов между
плазмой и камерой равна сумме Потенциал вдоль отверстий ИОС
потенциалов плазмы и ЭЭ.
1400
Следствие №1 Энергия ионов не зависит от Up + Uээ = 50 В + 1250 В = 1300 В
потенциала ускоряющей сетки. Чем больше 1250
модуль потенциала УЭ, тем сильнее ионы 1100
разгоняются в промежутке УЭ/ЭЭ, и
тормозятся в промежутке УЭ/ЗЭ. 950 Выходная
800 энергия
Следствие №2 Независимое управление ионов

Потенциал, В
650
током и энергетикой пучка в 3G-IOS.
500 Плазма
350

200

Максимальный ток вытягивается при:* 50 Uзэ= 0 В

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
-100 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 242 264 286 308 330 352 374 396 418 440 462 484 506 528 550 572 594 616 638 660 682 704 726 748 770 792

-250
V – выходное напряжение между вакуумом
-400
и плазмой.
ЭЭ УЭ ЗЭ
y, см
* Плазменная технология в производстве СБИС/ под
ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна // М.: Мир, 1987.
Ускорение-торможение ионов

Н ап р яж е н н о сть э л е ктр и че ско го п о л я, В/м

№1 Вытягивающее поле проникает в плазму.
Больше разность потенциалов УЭ-ЭЭ – большая
напряженность на границе плазмы.
Следствие №1 Величина тока определяется
разностью потенциалов между УЭ и ЭЭ.
Напряженность (В/м) вдоль отверстий ИОС
3-электродная ИОС 2-электродная ИОС
№2 «Тормозное» поле распространяется за
1.2E+06
пределы УЭ и ЗЭ.
Ускорение
Следствие №2 Рассеянные ионы в пространстве 1.0E+06

после УЭ (ток перезарядки*) «высыпаются» на

УЭ и распыляют его. 8.0E+05

Следствие №3 Необходимо экранирование УЭ 6.0E+05

Торможение + ток
от ионов перезарядки и минимизация рабочего Плазма перезардки на УЭ
давления – в этом защитная функция 4.0E+05
замедляющего электрода.
2.0E+05
Следствие №4 Ускоряющий электрод блокирует
ток электронов нейтрализатора на ЭЭ*.
0.0E+00

-2.0E+05

ЭЭ УЭ ЗЭ
y, мм
Следствие №2 Рассеянные ионы в пространстве
после УЭ (ток перезарядки*) «высыпаются» на УЭ и
распыляют его.

Ток перезарядки*
Рассеяние ионов на медленных нейтральных
атомах остаточного/рабочего газа или на других
рассеянных ионах приводит к образованию
медленных ионов, которые возвращаются в ИОС
Опыт космонавтов*
В их ИОС использовано замедляющее кольцо.
Эрозия ускоряющего электрода.
Опыт Izovac
Ионы перезарядки высыпаются на ЗЭ. При этом
имеют на ~250 эВ меньшую энергию, чем если бы
высыпались на УЭ.
• Ток перезарядки зависит от давления (больше
частиц – больше вероятность рассеяния),
размера отверстий (больше отверстие –
большая утечка медленных нейтральных
атомов). Энергетика ионов определяется
потенциалом целевого электрода.
• Следствие Общая эрозия ИОС снижается
благодаря замедляющей сетке.

*RAWLIN, V. (1988). Internal erosion rates of a 10-kW xenon ion thruster. 24th
Joint Propulsion Conference. doi:10.2514/6.1988-2912
постоянная ссылка на статью: sci-hub.tw/10.2514/6.1988-2912
Следствие №2 Рассеянные ионы в пространстве
после УЭ (ток перезарядки*) «высыпаются» на УЭ и
распыляют его.

Замедляющая – защитная сетка

«This arrangement substantially reduces the charge-exchange ion
current reaching the accelerator grid at high pressures, which
minimizes erosion of the accelerator grid due to charge-exchange ion
sputtering, known to be major accelerator grid wear mechanism» *
Рисунок Зависимость тока на ускоряющую сетку от рабочего
давления для 2-сеточной (JPL 2-GRID) и 3-сеточной (JPL 3-GRID)
ИОС.

• C использованием ЗЭ ток на ускоряющий электрод снизался

на 70%
• При ИЛР диэлектриков ЗЭ защищает УЭ от пассивации*)
• Энергия ионов, высыпающихся на ЗЭ примерно на 250 эВ
(потенциал УЭ) меньше, чем могло попасть на УЭ.

Пример При энергии 50 эВ коэффициент распыления в Mo

ионами Ar в 20 раз меньше, чем при 300 эВ (разница 250 эВ)

JPL – jet propulsion laboratory

LeRC – NASA Lewis ResearchCenter
* United States Patent (19) 11 Patent Number: 5,369.953 Brophy 45 Date
of Patent: Dec. 6, 9 1994 :
Следствие №4 Ускоряющий электрод блокирует ток
электронов нейтрализатора на ЭЭ*

Вакуум Электроны
нейтрализатора

0В 0В

Back stream electron current* -250 В -250 В

• УЭ экранирует ЭЭ от тока электронов из

+1250 В +1250 В
нейтрализатора. Чем больше отверстие УЭ,
тем более отрицательный потенциал.
• Электроны, попадающие в источник и Плазма, 50В
нейтрализующие ионы плазмы превращают
энергию, затраченную на генерацию и
ускорение иона и электрона, в тепловую
энергию нейтрального атома.
Опыт космонавтов* 5000 ч
• Двигатель космического аппарата Deep Space
1:
Расфокусировка пучка* и ток перезарядки
5000 часов работы двигателя «разъедали» Вакуум Электроны
отверстия в УЭ. Для сохранения КПД двигателя нейтрализатора

напряжение УЭ постепенно увеличивали, пока

не достигли максимума блока питания 250 В. 0В 0В

Урок для Izovac -250 В -250 В

• Если при увеличении модуля потенциала УЭ

уменьшается ток ЭЭ – доля тока принадлежит +1250 В +1250 В
электронам нейтрализатора.

Плазма, 50В
*NSTAR, NASA Solar Technology Application Readiness
Ток мишени
 №1: Извлекаемый ток определяется правилом «трёх
вторых» – пропорционален разности потенциалов Вакуум
между УЭ и ЭЭ в степени 3/2:
0В 0В
V - разность потенциалов УЭ и ЭЭ. l – расстояние
между сетками.
0В
Следствие №1 Меньше расстояние между электродами
-250 В -250 В
- больше ток. Ограничение – пробой и термическое
расширение электродов. V=1500 В
l = 1 мм +1250 В

+1250 В +1250 В

Плазма, 50В
Ток эмиссионного электрода
1. Электроны ОПЗ
2. Ионно-электронная эмиссия от
бомбардировки УЭ (начало при энергиях
физического распыления от 100 эВ)
3. Электроны нейтрализатора
4. Рекомбинационный ток (суммарно равен
нулю, но его нужно учесть при разогреве и
распылении ЭЭ)
5. Ион-ионная эмиссия с УЭ (эмиссия
анионов с отрицательного электрода)
6. Термоэлектронная эмиссия с ЗЭ и УЭ
*[Goebel, D.M. Evaluation of 25-cm XIPS Thruster Life for Deep Space Mission Applications [Text] / Dan M. Goebel,
James E. Polk, Izabela Sandler, Ioannis G. Mikellides, J.R. Brophy, W.G. Tighe, Kue-Ru Chien // IEPC-2009-152, 31st
International Electric Propulsion Conference. – University of Michigan, USA. – September 20-24, 2009. – 13 p.].

Ток ускоряющего электрода

1. Ионы расфокусировки из межэлектродного
пространства УЭ/ЭЭ (сводится до 0%)

2. Ионы перезарядки из межэлектродного пространства

УЭ/ЭЭ (около 0,13%)

3. Ионы перезарядки из камеры (1-3%) *

4. Ионно-электронная эмиссия (0.1-0.3%)

5. Термоэлектронная эмиссия

• №1 - №3 –> эрозия.
• №1 снижается микрофокусировкой электростатической линзы и
снижением давления

• №2 снижается использованием защитного кольца, сетки,

№2 - 3 - снижением давлением

• №4 - кинетическое выбивание электронов обусловлено

ударной ионизацией атомов поверхностного слоя мишени и
бомбардирующих частиц. Для аргона по молибдену – график
сверху, по вольфраму – график снизу.
ИОС 1G- 2G- 3G-
IOS
КРАТКО ПО ДРУГИМ ИОННО-ОПТИЧЕСКИМ СИСТЕМАМ
2G-IOS
Экранная сетка
• Частично экранирует УЭ от ионов плазмы;
Плазма
• Формирует профиль ОПЗ;
HDC
• Задаёт первичную коллимацию пучка.
+ DC
Ускоряющая сетка –
• Извлекает и ускоряет ионы с фронта ОПЗ;
• Экранирует плазму и ЭЭ от электронов
нейтрализатора;
• Определяет макрофокусировку пучка. Больше
модуль потенциала – сильнее расходимость.

Недостатки
А) Нулевой потенциал сеток
• УЭ подвержен ионной бомбардировке (ток перезарядки).
Б) Небольшой отрицательный потенциал ускоряющей сетки.
• Спектр применения:
Пригоден для распыления и высокоэнергетичного В) Расфокусированный режим работы ИОС
травления (1 мА/см2, 1 кэВ), но не подходит для
ассистирования (малые энергии – малый ток; большой Г) Перефокусированный режим
ток – низкая плотность тока, расфокусировка)
Д) Оптимальный режим
«Следствие №1 Меньше расстояние между электродами
- больше ток. Ограничение – пробой и термическое
расширение электродов.»

1G-IOS
Ускоряющий электрод:
• Экстракция и ускорение ионов
Плазма
Преимущество перед двухсеточной ИОС:
• Полноценная работа в режиме ассистирования и
низкоэнергетичного травления; DC
–
• Плотность тока до 20 мА/см2 (при V = 200 В);
В односеточной системе зазор между плазмой и сеткой
может быть гораздо меньше расстояния между сетками в
  4 𝜀 0 2 𝑒 32 −2
√
двухсеточной ИОС – ток на порядки больше.

Недостатки 𝐼 𝑚𝑎𝑥 𝑉 𝑙
•
9 𝑚𝑖
Возможны только низкоэнергетичные процессы. Сетка
травится наравне с подложкой.
• Больше отношение зазора плазма-сетка к размеру
отверстия – лучше коллимация. Для получения
коллимированного пучка требуется очень малый размер
отверстия (порядка 0,1-0,2 мм при работе на напряжении
20 В).
3G-IOS
Экранная сетка
• Частично экранирует УЭ от ионов плазмы;
• Формирует профиль ОПЗ; Плазма
HDC
• Определяет энергию ионов;
• Определяет первичную коллимацию пучка. + DC

Ускоряющая сетка –

• Извлекает и ускоряет ионы с фронта ОПЗ;

• Экранирует плазму и ЭЭ от электронов нейтрализатора;
Замедляющая сетка
• Тормозит ионы до требуемой энергии
• Защищает УЭ от ионов перезарядки
• Подавляет фокусирующий эффект УЭ.

Увеличить ток – увеличьте разность потенциалов между УЭ и ЭЭ (с учётом фокусировки).

Увеличить энергетику – увеличьте потенциал ЭЭ.
Удар ионов перезарядки берёт на себя ЗЭ.
Основные ВЫВОДЫ по трёхэлектродной ионной оптике

• Экстрагируемый ионный ток пропорционален разности ускоряющей потенциалов в степени 3/2;

• Микрофокусировка задаётся взаимным расположением отверстий, размером отверстий и
расстоянием между электродами и их потенциалами. Для каждого рабочего давления и плотности
плазмы (ВЧ-мощности) микрофокусировка подбирается по минимуму тока на ускоряющем
электроде.
• Макрофокусировка определяется изгибом сеток. Замедляющий электрод подавляет влияние УЭ на
макрофокусировку;
• Энергетика задаётся потенциалом эмиссионного электрода;
• В согласованном режиме ток УЭ складывается из тока рассеянных ионов в зоне нейтрализации и в
межэлектродном пространстве;
• Снижение тока на ЭЭ при увеличении величины отрицательного потенциала УЭ обусловлено
усилением экранирования ЭЭ от электронов нейтрализатора.

Направления повышения эффективности RF-GIBS:

1. Снижение расстояния между УЭ и ЭЭ;
Наши перспективы:
Белорусский Ракетный
Электродвигатель (IZOБРЭД)
IZOVAC Spacecraft

• Наш прототип:
Двигатель космических аппаратов типа
«TIE Fighter» (с 1977 года)
• Другие аналоги:
• Двигатель Deep Space 1
• Двигатель Deep Impact
«Deep Space 1»
Исследовал астероид Брайль и комету Борелли

«Borellie»
«Deep Space 1»

• Подготовка к установке в ракету-носитель.

На фото виден ионный двигатель аппарата.
«Deep Impact»
В 2005 году зонд «Deep Impact» пробился к центру
кометы Темпель 1 и исследовал её состав:
комета представляет собой «кучу щебня» вокруг
тяжелого монолита-центра из льда.
Аппарат впервые в истории сбросил на комету зонд,
который протаранил её поверхность, предварительно
сфотографировав её с близкого расстояния.

«Hartley 2»
LISA, Laser Interferometer Space Antenna
Laser Interferometer Space Antenna (Лазерная
Интерферометрическая Космическая Антенна) — это
планируемый совместный эксперимент Европейского
космического агентства и НАСА по
исследованию гравитационных волн. В настоящее время
эксперимент находится в стадии проектирования,
предполагаемое время запуска — 2034 год
THE END
КОН Е Ц Ъ