Вы находитесь на странице: 1из 13

Министерство науки и высшего образованияРоссийской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное


учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

ИССЛЕДОВАНИЕ ПИРОЭФФЕКТА В
КРИСТАЛЛЕ НИОБАТА ЛИТИЯ
Работу выполнили: Студенты группы 355: Бутянов С.А., Казаков М.Л.
Руководитель: Д.т.н., профессор каф. ЭП Орликов Л.Н.
Актуальность проблемы и вопросы подлежащие
разработке
Пироэфект дает рентгеновское излучение, поля в кристалле и
многие другие эффекты.

В зарубежных публикациях было обнаружено, что при создание


градиента температуры в кристалле ниобата лития возможна генерация
рентгеновского излучения. Необходимо изучить условия генерации
излучения. Изучение данного вопроса может помочь МЧС в создании
походного прибора, который позволит делать рентгеновские снимки
конечностей на месте, не госпитализируя пострадавшего
Цель работы
Главной целью нашей работы было , узнать какие явления
происходят при изменении температуры кристалла.
Идеи и методы решения
Идея:
При индикации осциллограмм обнаружены колебания
отраженного сигнала. Идея состоит в увеличение
длительности колебания за счет резонанса.

Методы:
Изучить механизм генерации рентгеновского излучения.
Определить от чего зависит интенсивность излучения.
Изучить факторы влияющие на рентгеновское излучение.
Решаемые задачи
1) определить оптимальную скорость нагрева
кристалла: нельзя греть очень быстро, это может
привести к разрушению кристалла;
2) Исследовать, как меняется заряд на
поверхности кристалла от температуры;
3) Провести индикацию рентгена на фотопленку.
Проделанная работа.

Было решено произвести увеличение


интенсивности при помощи сборки колебательного
контура. Для увеличения тока в цепи нам необходим
резонанс напряжений.
На базе полученных в прошлом осциллограмм
была подсчитан средняя частота сигнала f= 37 МГц.
Отталкиваясь от этой частоты был проведен
расчет емкость конденсатора С и индуктивность
катушки L.
Выводы из работ
1) Оптимальная скорость нагрева кристалла
составляет 10 градусов в минуту;
2) На поверхности кристалла образуется заряд
порядка кВ;
3) Интенсивность очень мала, её не достаточно
для засвечивания фотопленки.
Схема экспериментальной установки

Рисунок 1 – Схема экспериментальной установки


1 –кристалл; 2 –анод; 3 –катушка; 4 – осцилограф:
Результаты эксперимента

Рисунок 2 – осциллограмма полученная из эксперимента


Выводы
В результате проделанных работ было получен положительный
результат. Рентген получен, но интенсивности не достаточно для
оптимального засвечивания фотопленки. Проблемы, которые
необходимо решить в ходе дальнейших работ:
1) более углубленное изучения в процессов, которые проходят в
кристалле;
2) изучение факторов влияющих на интенсивность излучения;
3) произвести доработку схемы, для обеспечения оптимального
засвечивания фотопленки изучением.
 
Спасибо за внимание