ВЛИЯНИЕ СИСТЕМЫ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА

ВЫХОДЕ МАГНЕТРОНА НА ПЛОТНОСТЬ ИОННОГО

ТОКА НА ПОДЛОЖКУ

В.Н. ПАШЕНЦЕВ1, М.В. ПАШЕНЦЕВА2

1
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»,
Москва, Россия
2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова,
Москва, Россия
E-mail: pashentsev2001@mail.ru
Конструкция магнетрона с внешней магнитной катушкой для изменения
конфигурации магнитного поля магнетрона

1- катод,
2 – подложка,
3 – постоянные магниты,
4 –соленоид,
5 – магнитопровод,
6 – несбалансированные линии магнитного поля,
7 –сбалансированные линии магнитного поля
8 – анод.
ИП – источник питания магнетрона.

А. А. Соловьев, Н. С. Сочугов, К. В. Оскомов, С. В. Работкин,

Физика плазмы, 35(5), 443, 2009.
Разбалансированные магнитные системы магнетрона
• в центре более сильное магнитное
поле, чем на краях, так как центральный
магнит имеет относительно большой
размер,
• силовые линии практически не
пересекают подложку.
• в центре более слабое магнитное поле, чем на краях
магнетрона, так как размер центрального магнита
относительно небольшой,
•силовые линии пересекают подложку,
• боковое магнитное поле препятствует уходу электронов
из области разрядапоперек магнитного поля,
• область плазмы находится ближе к подложке,
• ионы плазмы бомбардируют растущую пленку.
 Диаграмма структурных зон тонкопленочного покрытия

Микроструктура покрытия зависит от температуры поверхности

При низкой температуре растущей пленки

(ZONE 1) поверхность имеет колончатую
структуру.
При высокой температуре (ZONE 3) – пленка
имеет плотную структуру.

Если атом или ион, падающий на поверхность

пленки, имеет дополнительную кинетическую
энергию в десятки электрон-вольт, то его
подвижность на поверхности возрастает. В
результате формируется плотная структура
при меньшей температуре подложки.
J. A. Thornton, J. Vac. Sci. Technol. 11, 665, 1974
 Схема магнетрона с внешней магнитной системой постоянных магнитов
6
1- катод,
2 – магнит магнетрона,
7
3 –кольцевой ряд NdFeB магнитов на выходе
4 L магнетрона,
4 – траектории распыленных атомов,
5 – трубка напуска аргона,
5
6 – подложка,
7 – цилиндр Фарадея.
3
h
Медный и алюминиевый катоды магнетрона
диаметром 40 мм

2 1

Одноименные полюса направлены навстречу друг

другу перпендикулярно оси магнетрона и они
совпадают с внутренним полюсом центрального
магнита магнетрона.
 Вольтамперная характеристика цилиндра Фарадея
для измерения плотности тока ионов
Диаметр входного торцевого отверстия цФ - 6 мм. Внутренний цилиндрический коллектора ионного
тока имел внутренний диаметр 10 мм и длину 50 мм. Напряжение смещение цФ – 60 В.
Оно превышало напряжение – 45 В, при котором протекал ионный ток насыщения.

Плоский зонд диаметром 6 мм из нержавеющей стали также использовался для измерения

плотности тока, однако осаждение на керамический диэлектрик пленок распыленного металла
могло приводить к нежелательным утечкам тока.
 Влияние магнитной системой на плотность ионного тока
Максимальная плотность плазмы находится вблизи катода
магнетрона. Плазма не выходит за пределы анода.
На больших расстояниях поток ионов на подложку, находящуюся под
отрицательным напряжением смещения, является незначительным
Выходное отверстие магнетрона
без магнитной системы

Внешняя магнитная система изменяет форму силовых линий магнитного

поля магнетрона.
Электроны, двигаясь вдоль силовых линий по винтовой траектории,
создают дополнительную ионизацию плазмы в области подложки,
увеличивая плотность плазмы. В результате на больших расстояниях от
катода увеличивается плотность тока ионов, падающих на подложку.

Влияние магнита, установленного на подложку.

Свечение плазмы на выходе На подложке установлен цилиндрический магнит,
внешней магнитной системы который изменяет конфигурацию магнитного поля,
магнетрона форму и размер плазмы около подложки.
 Влияние магнитной системы на плотность ионного тока на подложку

Зависимости плотности тока на различных

Зависимости плотности ионного тока от тока
расстояниях от катода. 1 – магнетрон без
разряда магнетрона на различных расстояниях от
внешней магнитной системы, 2 – магнетрон с
катода.
кольцом магнитов на расстоянии h=24 мм от
катода. При увеличении тока разряда плотность ионного
На расстоянии 70 мм от катода плотность тока на подложку возрастает линейно.
ионного тока увеличивается на порядок.
Зависимости плотности ионного тока от зазора между катодом магнетрона и
магнитным кольцом внешних магнитов

Зависимости плотности ионного тока от тока разряда магнетрона на расстоянии 80 мм от катода

при расстоянии от катода до кольца магнитов для h= 24 мм и h= 36 мм.
 Работа магнетрона в режиме реактивного напыления пленки CuO

• устойчивое зажигание и горение разряда в

кислороде при давлении 0,4 Па,
• регулировка тока разряда в широких
пределах,
• скорость напыления оксида меди 7,7 нм/мин
• скорость напыления меди 52 нм/мин

Зависимость плотности ионного тока на подложку

от тока разряда магнетрона при осаждении пленок
Cu и CuO.
 Заключение

Магнитная система на основе постоянных магнитов, увеличивает плотность плазмы вблизи

подложки. Энергия ионов регулируется напряжением электрического смещения подложки.

В результате экспериментов получено:

• на больших расстояниях от магнетрона с внешней магнитной системы плотность ионного

тока на подложку на порядок больше, чем без магнитной системы.
• плотность ионного тока пропорциональна току разряда магнетрона,
• плотность ионного тока зависит от расстояния между катодом магнетрона и
кольцом внешних магнитов,
• разряд устойчиво горит при давлении меньше 1 Па при использовании различных газов.
• получено покрытие оксида меди толщиной 320 нм со скоростью напыления 7,7 нм/мин при
использовании кислорода.