Проводимость полупроводников.

Электронно-дырочный
(p-n) переход
в полупроводниках,
его свойства и особенности.
 Проводимость полупроводников и ее виды
Проводимость полупроводника
обусловлена перемещением как
отрицательно заряженных электронов,
так и положительно заряженных
«дырок» - мест, остающихся после
перемещения из них электронов и
обладающих положительным зарядом.

При приложении к кристаллу полупроводника разности потенциалов

и действием создающегося электрического поля движение дырок и
электронов становится упорядоченным, и в кристалле
полупроводника возникает электрический ток.
Проводимость полупроводников и ее виды
Проводимость полупроводников

Собственная Примесная
• Происходит за • Обусловлена
счёт собственных добавлением в
носителей заряда полупроводник
полупроводника примесей
• Присуща
собственным Проводимость за Проводимость за
полупроводникам счет донорных счет акцепторных
примесей примесей
Проводимость полупроводников и ее виды
При добавлении в полупроводник
пятивалентной примеси 4 валентных
электрона восстанавливают
.
ковалентные связи с атомами
полупроводника, а 5-й электрон остается
свободным, и концентрация электронов
будет превышать концентрацию дырок.
Примесь, за счёт которой
электропроводность обеспечивается
избытком свободных электронов
называется донорной. Полупроводник с
донорной примесью называется
полупроводником n-типа.
Проводимость полупроводников и ее виды
При введении трехвалентной примеси в одной из
ковалентных связей примесного атома и атома
основного полупроводника отсутствует электрон, т.
е. образуется дырка, и концентрация дырок будет
выше концентрации электронов.
Примесь, за счёт которой электропроводность
обеспечивается избытком свободных дырок,
называется акцепторной примесью.
Полупроводник с акцепторной примесью
называется полупроводником
с дырочным типом проводимости, или
полупроводником p-типа.
Проводимость полупроводников и ее виды

Зонные диаграммы полупроводников:

а — собственного; б —n-типа; в — p-типа
 Проводимость полупроводников и ее виды
Особенность зонных диаграмм примесных полупроводников состоит в том,
что энергетические уровни расположены в запрещенной зоне собственного
полупроводника. Эти уровни называют донорными и акцепторными
уровнями, причем:
• в полупроводнике n-типа донорный уровень располагается вблизи дна
зоны проводимости
• в полупроводнике p-типа акцепторный уровень находится вблизи потолка
валентной зоны
Значения дополнительных энергий значительно меньше ширины
запрещенной зоны собственного полупроводника. Поэтому
электропроводность примесных полупроводников значительно выше, чем
собственных.
Электронно-дырочный (p-n) переход
Электронно-дырочный переход –
p-n переход – область контакта
между двумя полупроводниками с
разными типами проводимости.
Концентрации основных носителей
заряда в p- и n-областях могут быть
равны или существенно
различаться. В первом случае p-n-
переход называют симметричным,
во втором — несимметричным.
Чаще всего используют
несимметричные переходы.
Электронно-дырочный (p-n) переход
Пусть концентрация акцепторной примеси в p-области
больше, чем концентрация донорной примеси в n-
области. Соответственно, концентрация дырок (светлые
кружки) в p-области будет больше, чем концентрация
электронов (черные кружки) в n-области.
За счет диффузии дырки из р-области и электроны из n-
области стремятся равномерно распределиться по
всему объему. Дырки, переходя из p-области в n-
область, рекомбинируют с частью электронов,
принадлежащих атомам донорной примеси.
В результате оставшиеся без электронов положительно
заряженные ионы донорной примеси образуют
приграничный слой с положительным зарядом.
Электронно-дырочный (p-n) переход
В то же время уход этих дырок из p-области приводит
к тому, что атомы акцепторной примеси, захватившие
соседний электрон, образуют нескомпенсированный
отрицательный заряд ионов в приграничной области.
Аналогично происходит диффузионное перемещение
электронов из n-области в p-область, приводящее к
тому же эффекту. В результате на границе,
разделяющей n-область и p-область, образуется
узкий, в доли микрона, приграничный слой, одна
сторона которого заряжена отрицательно (p-область),
а другая — положительно (n-область).
Электронно-дырочный (p-n) переход
Разность потенциалов, образованную приграничными
зарядами, называют контактной разностью
потенциалов Uк, или потенциальным барьером,
преодолеть который носители зарядов не в состоянии.
Дырки, подошедшие к границе со стороны p-области,
отталкиваются назад положительным зарядом, а
электроны, подошедшие из n-области, — отрицательным
зарядом. Таким образом, образуется p-n-переход,
представляющий собой слой полупроводника с
пониженным содержанием носителей — так называемый
обедненный слой, который имеет относительно высокое
электрическое сопротивление.
Электронно-дырочный (p-n) переход
Свойства p-n-структуры изменяются, если к ней
приложить внешнее напряжение
Если внешнее напряжение, противоположное по
знаку контактной разности потенциалов, то дырки p-
области, отталкиваясь от приложенного
положительного потенциала внешнего источника,
приближаются к границе между областями,
компенсируют заряд части отрицательных ионов и
сужают ширину p-n-перехода со стороны p-области.
Аналогично, электроны n-области, отталкиваясь от
отрицательного потенциала внешнего источника,
компенсируют заряд части положительных ионов и
сужают ширину p-n-перехода со стороны n-области.
Электронно-дырочный (p-n) переход
С увеличением внешнего напряжения ток
возрастает неограниченно, так как создается
основными носителями, концентрация
которых постоянно восполняется источником
внешнего напряжения.
Полярность внешнего напряжения,
приводящая к снижению потенциального
барьера, называется прямой, или
открывающей, а созданный ею ток —
прямым. При подаче такого напряжения p-n-
переход открыт.
Электронно-дырочный (p-n) переход
Если к p-n-структуре приложить напряжение обратной
полярности, то эффект будет противоположным. Под
действием электрического поля источника дырки р-
области смещаются к отрицательному потенциалу
внешнего напряжения, а электроны n-области — к
положительному потенциалу. Таким образом,
основные носители зарядов отодвигаются внешним
полем от границы, увеличивая ширину p-n-перехода,
который оказывается почти свободным от носителей
заряда. Электрическое сопротивление p-n-перехода
при этом возрастает. Такая полярность внешнего
напряжения называется обратной, запирающей. При
подаче такого напряжения p-n-переход закрыт.
 Явление пробоя p-n перехода и его виды
Пробоем электронно-дырочного перехода называют
резкое возрастание обратного тока через переход в области
обратных напряжений, превышающих определенное
критическое значение, называемое напряжением пробоя
Uпроб.

Пробой p-n перехода

Лавинный Тепловой Туннельный

 Явление пробоя p-n перехода и его
виды
Обратимым называют такой пробой перехода, когда после
устранения причины его вызвавшей, т.е. уменьшения обратного
напряжения, происходит резкое уменьшение обратного тока до
прежнего значения. При этом не происходит никаких изменений в
кристаллической структуре материалов, образующих p-n переход.
Обратимый пробой может повторяться сколь угодно раз в процессе
эксплуатации прибора.
Необратимым считается пробой приводящий к разрушению
кристаллической структуры перехода, когда после уменьшения
обратного напряжения обратный ток остаётся большим, при этом
свойства перехода не восстанавливаются, прибор приходит в
негодность.
Туннельный пробой
Сущность туннельного эффекта состоит в том, что при
большой напряжённости поля, когда энергетические
зоны соседних областей занимают положение
показанное на рисунке, электроны валентной зоны p-
области могут без изменения своей энергии переходить
на валентные уровни n-области. Туннельный пробой
обычно начинается при напряжённости поля 2·107 В/м
для германия и 2·108 для кремния.
Такая высокая напряжённость поля характерна для
узких переходов, т.е. для полупроводников с высокой
степенью легирования.
Туннельный пробой носит обратимый характер и
широко используется для создания полупроводниковых
приборов основанных на этом эффекте.
Лавинный пробой
Лавинный пробой развивается в p-n переходах
образованных слаболегированными
полупроводниками, когда ширина перехода достаточно
велика. При лавинном пробое носители в p-n переходе
разгоняясь до больших скоростей приобретают
высокую энергию, достаточную для ударной ионизации
атомов кристаллической решётки. Высвободившиеся
при этом электроны, также приобретая большие
энергии, ионизируют всё большее число атомов в
переходе. При некотором значении напряжения этот
процесс переходит в лавинообразный. Происходит
резкое увеличение обратного тока – пробой перехода.
Также как и туннельный лавинный пробой носит
обратимый характер и также используется для
создания различных п/п приборов.
Тепловой пробой
Этот вид пробоя p-n перехода наступает в
том случае, если количество тепла,
выделяющегося в переходе в единицу
времени, пропорциональное мощности
рассеиваемой на переходе, становится
больше количества тепла отводимого от p-n
перехода в единицу времени. В этом случае
температура перехода растёт, что приводит к
увеличению концентрации неосновных
носителей заряда, а следовательно к
увеличению обратного тока и ещё большему
разогреву перехода.
Тепловой пробой
Температура и ток лавинно нарастают, причем
при повышенной температуре большие
значения тока могут иметь место при меньших
напряжениях на переходе, чем то напряжение
при котором началось резкое увеличение тока,
т.е. напряжение пробоя.
Тепловой пробой - процесс необратимый. При
повышении температуры, термогенерация
носителей увеличивается. Следовательно,
увеличивается обратный ток, что в свою
очередь вызывает еще больший нагрев
перехода. В результате структура кристалла
разрушается и переход расплавляется.