Транзисторы.

Определение и виды транзисторов

 Определение транзистора
Транзистор - полупроводниковый прибор, состоящий из трех
чередующихся областей полупроводника с различным типом
проводимости (p-n-p или n-p-n) с выводом от каждой области,
позволяющий входным сигналом управлять током в
электрической цепи.
Обычно транзистор используется для усиления, генерации и
преобразования электрических сигналов. В общем случае
любое устройство называют транзистором, если оно
имитирует главное свойство последнего – изменения сигнала
между двумя различными состояниями при изменении сигнала
на управляющем электроде.
 Классификация транзисторов
По основному
полупроводниковому
материалу

На основе На основе
кремния арсенида
На основе галлия
германия
 Классификация транзисторов
По структуре

Полевые Биполярные
 Классификация транзисторов
По мощности

Маломощные Мощные
(до 100 мВт) (от 1 Вт)
Средние
(от 0,1 до 1 Вт)
 Классификация транзисторов
По исполнению
Дискретные В составе
интеграл. схем

Корпусные Бескорпус-
ные

Для свободного Для установки Для автомат.

монтажа на радиатор систем пайки
 Классификация транзисторов
По материалу и
конструкции
корпуса

Металлостеклянный Пластмассовый

Металлокерамический
 Биполярный транзистор
Биполярный транзистор – транзистор,
действие которого основано на
использовании носителей заряда обоих
знаков (дырок и элект­ронов) и протекающий
через который ток управляется с помощью
n-p-n управляющего тока.
Биполярный транзистор в своей основе
содержит три слоя полупроводника (р-n-р
или n-р-n) и соответственно два p-n -
перехода. Каждый слой полупроводника
через контакт металл-полупроводник
p-n-p подсоединен к внешнему выводу
Биполярный транзистор

Области биполярного транзистора

и выводы от них называются:
эмиттер Э (англ, emit – испускать,
извергать), база Б и коллектор К
(англ, collect – собирать).
Работа биполярного транзистора
Работу биполярного транзистора можно
рассмотреть на примере транзистора n-p-n-типа.
Чередующиеся области образуют два p-n-
перехода база—эмиттер (БЭ) и база—коллектор
(БК). К переходу БЭ прикладывают прямое
напряжение EБЭ, под действием которого
электроны n-области эмиттера устремляются в
базу, создавая ток эмиттера. Концентрацию
примесей в эмиттере делают во много раз
больше, чем в базе, а саму базу по возможности
тоньше. Поэтому лишь незначительная часть (1
—5%) испущенных эмиттером электронов
рекомбинирует с дырками базы
Работа биполярного транзистора
Большая же часть электронов, миновав узкую
(доли микрона) область базы, «собирается»
коллектор­ным напряжением EК, представляющим
обратное напря­жение для перехода БК, и,
устремляясь к плюсу внешнего источника EК,
создает коллекторный ток, протекающий по
нагрузке Rн.
Электроны, рекомбинировавшие с дырками базы,
состав­ляют ток базы IБ. Ток коллектора, таким
образом, определя­ется током эмиттера за вычетом
тока базы:

где = 0,95÷0,98 — коэффициент передачи тока

эмиттера
 Полевой транзистор

Полевым или униполярным транзистором

называется транзистор, в котором
управление происходит под действием
электрического поля перпендикулярного
Транзистор с p-каналом току.

Проводящий слой, по которому протекает

ток, называется каналом. Различают р- и n-
канальные транзисторы. Каналы могут быть
Транзистор с n-каналом приповерхностными и объемными,
горизонтальными и вертикальными.
 Полевой транзистор
Электроды полевого транзистора называют
истоком (И), стоком (С) и затвором (З).
Управляющее напряжение прикладывается между
затвором и истоком. От напряжения между
затвором и истоком зависит проводимость канала,
следовательно, и величина тока.
Транзистор с p-каналом
Таким образом, полевой транзистор можно
рассматривать как источник тока, управляемый
напряжением затвор-исток. Если амплитуда
изменения управляющего сигнала достаточно
велика, сопротивление канала может изменяться в
Транзистор с n-каналом очень больших пределах. В этом случае полевой
транзистор можно использовать в качестве
электронного ключа
Работа полевого транзистора
В момент подачи напряжения на затвор возникает
электрическое поле, изменяющее ширину p-n-
переходов и влияющее на величину тока, который
протекает от истока к стоку. При отсутствии
управляющего напряжения ничто не препятствует
потоку носителей заряда. С повышением
управляющего напряжения канал, по которому
движутся электроны или дырки, сужается, а при
достижении некоего предельного значения
закрывается вовсе, и ПТ входит в так называемый
режим отсечки. Как раз это свойство полевых
транзисторов и позволяет использовать их в
качестве ключей.
Работа полевого транзистора
Усилительные свойства
радиокомпонента обусловлены тем,
что мощный электрический ток,
протекающий от истока к стоку,
повторяет динамику напряжения,
прикладываемого к затвору.
Другими словами, с выхода
усилителя снимается такой же по
форме сигнал, что и на
управляющем электроде, только
гораздо более мощный.
Виды полевых транзисторов
Виды полевых транзисторов
Полевые транзисторы с
управляющим транзистором
представляют собой удлинённый
полупроводниковый кристалл,
противоположные концы которого с
металлическими выводами играют
роль стока и истока. Функцию
затвора исполняет небольшая
область с обратной проводимостью,
внедрённая в центральную часть
кристалла. Так же, как сток и исток,
затвор комплектуется
металлическим выводом.
Виды полевых транзисторов

Электронно-дырочный p-n-
переход в таких полевых
транзисторах получил название
управляющего, поскольку
напрямую изменяет мощность
потока носителей заряда,
представляя собой физическое
препятствие для электронов
или дырок (в зависимости от
типа проводимости основного
кристалла).
Виды полевых транзисторов

Конструкция этих полевых

транзисторов отличается от
описанных выше ПТ с управляющим
p-n-переходом. Здесь
полупроводниковый кристалл играет
роль подложки, в которую на
некотором удалении друг от друга
внедрены две области с обратной
проводимостью. Это исток и сток
соответственно. Функцию затвора
исполняет металлический вывод,
который отделяется от кристалла
слоем диэлектрика и, таким образом,
электрически с ним не контактирует.
Виды полевых транзисторов
Из-за того, что в конструкции этих
полевых транзисторов используются
три типа материалов – металл,
диэлектрик и полупроводник, – данные
радиокомпоненты часто именуют МДП-
транзисторами. В элементах, которые
формируются в кремниевых
микросхемах планарно-
эпитаксиальными методами, в качестве
диэлектрического слоя используется
оксид кремния, в связи с чем буква «Д»
в аббревиатуре заменяется на «О», и
такие компоненты получают название
МОП-транзисторов.
Виды полевых транзисторов
Существует два вида этих полевых
транзисторов – с индуцированным
и встроенным каналом. В первых
физический канал отсутствует и
возникает только в результате
воздействия электрического поля
от затвора на подложку. Во вторых
канал между истоком и стоком
физически внедрён в подложку, и
напряжение на затворе требуется
не для формирования канала, а
лишь для управления его
характеристиками.
Виды полевых транзисторов
Схемотехническое преимущество
ПТ с изолированным затвором
перед транзисторами с
управляющим p-n-переходом
заключается в более высоком
входном сопротивлении. Это
расширяет возможности
применения данных элементов. К
примеру, они используются в
высокоточных устройствах и
прочей аппаратуре, критичной к
электрическим режимам.
Виды полевых транзисторов
В силу конструктивных особенностей
МОП-транзисторы чрезвычайно
чувствительны к внешним
электрическим полям. Это вынуждает
соблюдать особые меры
предосторожности при работе с этими
радиодеталями. В частности, в
процессе пайки необходимо
использовать паяльную станцию с
заземлением, а, кроме того,
заземляться должен и человек,
выполняющий пайку. Даже
маломощное статическое
электричество способно повредить
полевой транзистор.