Диагностика состава

полупроводниковых
структур

Чуйкова А.
МТг-1-20
Методы диагностики
• Дифракция быстрых электронов на отражение
• Оже спектроскопия
• Эллипсометрия
• Вторично-ионная масс-спектрометрия
• Рентгеновская фотоэлектрическая спектроскопия
Дифракция быстрых электронов на
отражение

Схема метода дифракции быстрых электронов на отражение

Дифракция быстрых электронов на отражение
 (ДБЭ, RHEED, Reflection High Energy Electron Diffraction) — метод,
основанный на наблюдении картины дифракции отражённых от
поверхности образца электронов.
 Этот метод позволяет следить в реальном времени за следующими
параметрами роста:
• чистота поверхности (по яркости отражённого сигнала);
• температура образца (по изменению картины дифракции при
критических температурах из-за перестройки поверхности);
• ориентация подложки (по направлению полос в дифракционной
картине);
• скорость роста (по осцилляции основного рефлекса в ходе роста).
• Система состоит из:
• электронной пушки;
• люминесцентного экрана;
• регистрирующей системы.
• RHEED
Оже-спектроскопия

Оже-спектроскопия — метод электронной спектроскопии,

основанный на анализе распределения по энергии электронов,
возникших в результате Оже-эффекта.
Сущность метода
По способу получения информации о поверхности методы анализа
делятся на эмиссионные, в которых используется эмиссия частиц в
результате воздействия на поверхность различных факторов
(температура, электрическое поле), и зондирующие, основанных на
эмиссии частиц или излучения, действующие на исследуемую
поверхность. Метод электронной оже-спектроскопии относится к
зондирующим методам. Он основан на анализе распределения энергии
электронов, эмитированных исследуемым веществом под действием
пучка первичных электронов, и выделении из общего энергетического
спектра тех, которые возникли в результате оже-процесса. Их энергия
определяется энергетической структурой оболочек атомов, участвующих
в процессе, а ток в первом приближении — концентрацией таких атомов.
 Оже-процессы проявляются при бомбардировке поверхности
твердого тела медленными электронами с энергией E от 10 до
10000 эВ. Бомбардировка твердых тел в вакууме сопровождается 
вторичной электронной эмиссией. В состав вторичных электронов,
эмитируемых, кроме собственно вторичных электронов, входят
упруго- и неупругорассеянные первичные электроны.
Эллипсометрия
Эллипсометрия — высокочувствительный и точный 
поляризационно-оптический метод исследования поверхностей и
границ раздела различных сред (твердых, жидких, газообразных),
основанный на изучении изменения состояния поляризации света
после взаимодействия его с поверхностью границ раздела этих
сред.
Эллипсометр — прибор, предназначенный для измерения параметров
эллипса поляризованного излучения. 

Эллипсометр Horiba Uvisel в лаборатории университета LAAS в Тулузе.

Сущность метода
Падающий на поверхность монохроматический
плоскополяризованный свет приобретает при отражении и
преломлении эллиптическую поляризацию вследствие наличия
тонкого переходного слоя на границе раздела сред. Зависимость
между оптическими постоянными слоя и параметрами
эллиптически поляризованного света устанавливается на
основании формул Френеля. На принципах эллипсометрии
построены методы чувствительных бесконтактных исследований
поверхности жидкости или твердых веществ, процессов абсорбции.
коррозии и др.
Вторично-ионная масс-спектрометрия
Масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ) (англ. Secondary-Ion
Mass Spectrometry, SIMS) — метод получения ионов из низколетучих,
полярных и термически нестойких соединений в масс-спектрометрии.

Масс-спектрометр вторичных ионов CAMECA IMS3f Magnetic.

Используется как десорбционный метод мягкой ионизации
органических веществ. Используется для анализа состава твёрдых
поверхностей и тонких плёнок. МСВИ — самая чувствительная из
техник анализа поверхностей, способная обнаружить присутствие
элемента в диапазоне 1 часть на миллиард.
Сущность метода
Образец облучается сфокусированным пучком первичных ионов с
энергией от 100 эВ до нескольких кэВ (большая энергия
используется в методе FAB). Образующийся в результате пучок
вторичных ионов анализируется с помощью масс-анализатора для
определения элементного, изотопного или молекулярного состава
поверхности.
Выход вторичных ионов составляет 0,1-0,01 %.
Рентгеновская фотоэлектронная
спектроскопия
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) —
полуколичественный спектроскопический метод исследования 
элементного состава, химического и электронного состояния
атомов, на поверхности изучаемого материала. Он основан на
явлении внешнего фотоэффекта.
Сущность метода
Спектры РФЭС получают облучением материала пучком рентгеновских
лучей с регистрацией зависимости количества испускаемых электронов от их
энергии связи. Исследуемые электроны эмиттируются по всей глубине
проникновения используемого мягкого рентгеновского излучения в
исследуемый образец (обычно порядка 1 мкм, что очень много по сравнению
с размерами атомов и молекул). Однако, выбитые рентгеновскими квантами
электроны сильно поглощаются исследуемым веществом настолько, что
эмиттированные на глубине около 100 Å они уже не могут достичь
поверхности, испуститься в вакуум и, соответственно, быть
детектированными прибором. Именно поэтому методом РФЭС можно собрать
информацию о самых верхних (около 10-30) атомных слоях образца без
информации об его объеме. Поэтому РФЭС незаменим, как метод анализа и
контроля в ряде отраслей таких, как полупроводниковая индустрия, 
гетерогенный катализ и т.д.
Схема монохроматической системы рентгеновской
фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).
 РФЭС — метод анализа поверхности, который может быть
использован для анализа химического состояния материала как в
его первоначальном состоянии, так и после некоторой обработки,
например скола, разреза или очистки в воздухе или сверхвысоком
вакууме для исследования внутреннего химического состава
образца, облучения высокоэнергетическим пучком ионов для
очистки поверхности от загрязнений, нагрева образца, чтобы
изучить изменения вследствие нагревания, помещения в атмосферу
реактивного газа или раствора, облучения ионами с целью их
внедрения, облучения ультрафиолетовым светом.