REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TÁCHIRA

DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO

Realizado por:

• Vera C. Jackson E.
C.I : 18.257.523
# 36

San Cristóbal, mayo de 2008

 Rectificador:
Se denomina rectificador al circuito capaz de convertir la
corriente alterna a corriente continua, esto se realiza utilizando
diodos rectificadores, además es un dispositivo que permite el
paso de la corriente eléctrica en una única dirección ( baja
resistencia en directa.)

La rectificación de la corriente eléctrica puede hacerse de dos

maneras: la parte negativa de la señal en positiva, rectificador de o
Convirtiendo
mpleta o puente diodos, según se empleen 2 o 4 diodos respectivament
Eliminado la parte negativa de la señal de entrada, rectificador de media
nda empleando un único diodo.
 Regulador de tensión:
Es un diodo pn operando con polarización inversa hasta la
región de ruptura. Antes de ocurrir la ruptura, el diodo
presenta una alta resistencia, de esta manera la tensión de
ruptura limita o regula la tensión y puede ser:
→ Paralelo: Es el regulador de tensión más sencillo. Consiste
en una resistencia serie de entrada y el diodo zener en
paralelo con la carga como se muestra en la siguiente imagen.

→ Serie: Este tipo de regulador utiliza un transistor en serie

con la carga, como puede observarse en el esquema. Este
regulador tiene un mayor rendimiento que el anteriormente
visto, por lo que se utiliza en circuitos de mayor potencia
 Varistor:
Es un resistor variable de dos terminales el cual presenta
un comportamiento no óhmico, son fabricados básicamente
con oxido de zinc. El varistor protege el circuito de variaciones
y picos bruscos de tensión. Se coloca en paralelo al circuito a
proteger y absorbe todos los picos mayores a su tensión
nominal. El varistor sólo suprime picos transitorios; si lo
sometemos a una tensión elevada constante, se quema.

Se emplea por tener baja resistencia en un sentido y alta

resistencia en el otro.
 Varactor:
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un
tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que
hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión
PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de
esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

Factor de calidad

Anchura de la región
de vaciamiento

Sensibilidad
 Capacidad Variable – Varactor:

Se observa como el valor de m, varia segú

El tipo de unión, siendo 0 para la región
Abrupta y 1 para la región lineal.

Se observa como la unión hiperabruta

Presenta la más alta sensibilidad, y por
Ello la más alta variación de capacitancia.

Se observa que a medida

que va variando la frecuencia
va variando el factor de calidad,
y la máxima tensión de
polarización esta limitada
por la tensión de ruptura.
 → Se diseñanDiodo de de
para procesos conmutación
conmutación con velocidades ultra altas.
rápida:
→ Los dispositivos se pueden clasificar en dos tipos: diodos de unión pn
difusos y diodos de contacto metal – semiconductor como el Schottky.
→ El circuito equivalente de ambos tipos se puede representar con el
varactor.
→ En semiconductores de banda prohibida directa tal como
GaAs, el tiempo de vida de los portadores minoritarios es
generalmente mas pequeños que el del Si. Con esta característica
se obtiene diodos de unión pn de GaAs para velocidades ultra altas.
→ El tiempo de recuperación de estos dispositivos está en el orden de
0.1nS o menos.
→ Para Si el tiempo de recuperación práctico está en el rango
de 1 a 5nS.
 Diodo de almacenamiento de
El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar
carga durante la conducción carga:
en la dirección de polarización directa
y conmuta para conducir por un corto período en la dirección
inversa.
Algunos tipos de diodos de almacenamiento de carga se
fabrican de Si con portadores minoritarios con tiempo de vida
relativamente grandes, dentro de un rango de 0.5 hasta 5μS. Se
puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas
grandes que para diodos de conmutación rápidas.

Se observa que la línea azul

representa la onda cuadrada
del generador de alterna y
la línea roja representa la
onda rectificada por el diodo
real.
 Diodo pin:
El diodo PIN es un diodo que presenta una región P
fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada,
separadas por una región de material que es casi intrínseco.
Cuando se le aplica una polarización directa al diodo PIN,
conduce corriente y se comporta como un interruptor cerrado. Si
se le aplica una polarización inversa se comporta como un
interruptor abierto, no dejando pasar la señal.
Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan
frecuencias muy altas como VHF, UHF y circuitos de microondas
debido a su capacidad de manejar altas potencias.

Tensión de ruptura

Símbolo
Diodo pin:

Distribución de impurezas,
densidad de carga espacial y
distribución de campo en las
uniones p-i-n y p-π-n.

Curva característica en
polarización directa
Corriente-Tensión, a-Solo
recombinación, b-Incluyendo
dispersión de portadores, c-
Incluyendo recombinaciones
de Auger.
Diodo pin:

Caída de tensión en la
región intrínseca de la unión
p-i-n en función de W/La,
donde W es la anchura de la
región i y La es la longitud
ambipolar de difusión.
 Heterounión o Heterojuntura:
Se trata de dos semiconductores diferentes a ambos lados
de la juntura. Las herojunturas pueden cambiar de tipo de dopante
en la interfaz (de igual o de distinto tipo) y también se las clasifica
en abruptas y graduales.

En la interfaz, para densidades menores a 1010 cm-2 –

1011 cm-2, la curvatura de las bandas de energía no se modifican
con respecto a una juntura libre de defectos. En cambio para
densidades mayores, la curvatura de las bandas depende del valor.
Las heterojunturas n-n o p-p se emplean en celdas solares para
modificar las propiedades asociadas a los portadores minoritarios
de carga, cambiando, por ejemplo, la velocidad de recombinación
superficial posterior.
Heterounión o Heterojuntura:

Diagrama de Banda de
Energía de dos
semiconductores aislados
asumiendo neutralidad de
carga espacial en cada
región.

Diagrama de Bandas de
Energía de una Heterounión
anisótropa n-p ideal en
equilibrio térmico.
 Heterounión o Heterojuntura:

Diagrama de Bandas de
Energía para una
Heterounión isótropa n-n
ideal.

Diagrama de Banda de
Energía de una Heterounión
p-n.

Diagrama de Banda de
Energía de una Heterounión
p-p.