UNIVERSIDAD NACIONAL

EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
ELECTRONICA DEL ESTADO SÓLIDO

Realizado por:
Johan Romero
Nº de lista: 32
 Resistencia RF de corriente directa DC (estática)

La resistencia estática RF es la
relación V/I para cualquier
punto de trabajo del diodo. Se
define como la inversa de la
pendiente que une el origen de
coordenadas con el punto de
trabajo (punto Q).

Resistencia rF de pequeña señal (dinámica).

La resistencia dinámica rd es
un parámetro muy
importante cuando se trabaja
en pequeña señal (señales
alternas de baja frecuencia).
Se define como la inversa de
la pendiente de la
característica del diodo en el
punto de trabajo Q.
 Regulador de Tensión

Un regulador de tensión es un dispositivo

electrónico diseñado con el objetivo de proteger
aparatos eléctricos y electrónicos delicados de
variaciones de diferencia de potencial, descargas
eléctricas y "ruido" existente en la corriente
alterna de la distribución eléctrica.
Un regulador de Tensión es un diodo pn
operando con polarización inversa hasta la
tensión de ruptura. Antes de ocurrir la ruptura el
diodo presenta una alta resistencia. De esta
manera la tensión de ruptura limita o regula la
tensión.
 Varistor
Un varistor (variable
resistor) es un componente electrónico
cuya resistencia óhmica disminuye
cuando el voltaje que se le aplica
aumenta; tienen un tiempo de respuesta Variación de la capacidad
rápido y son utilizados como en el varactor
limitadores de picos voltaje. Fabricados
básicamente con oxido de zinc y
dependiendo del fabricante se le añaden
otros materiales para agregarle las
características no lineales deseables. El
material se comprime para formar
discos de diferente tamaño y se le
agrega un contacto metálico a cada lado
para su conexión eléctrica. Se utiliza
para proteger los componentes más
sensibles de los circuitos contra
variaciones bruscas de voltaje o picos
de corriente que pueden ser originados,
entre otros, por relámpagos,
conmutaciones y ruido eléctrico.
 CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR
a)-Varias distribuciones de impurezas para Varactores,
b)-Gráfico logarítmico-logarítmico de la Capacidad de la capa de vaciamiento en función
de la tensión de polarización inversa.

a)
b)
 CAPACIDAD VARIABLE -VARACTOR

FRECUENCIA LOGARÍTMICA (ω=2πf)

Factor de Calidad Q del Varactor en función de varias frecuencias para diversas tensiones
de polarización. Se ha agregado el circuito equivalente.
 El Diodo de conmutación rápida

Los dispositivos se clasifican en dos tipos:

•Diodos de unión pn difusos.
•Diodos de contacto metal-semiconductor.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottkyes un diodo de contacto metal-
semiconductor, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un
dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5
mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones
de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión
de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener,
que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa
para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de
igual forma como lo haría regularmente.
 Diodos de almacenamiento de carga

•El diodo de almacenamiento de carga se diseña para almacenar carga durante la

conducción en la dirección de polarización directa y conmuta para conducir por un corto
período en la dirección inversa.
•El diodo de recuperación de paso, es un tipo de diodo que conduce en la dirección
inversa por un corto período, corta abruptamente la corriente después de haberse
disipado la carga almacenada.
•Este corte de corriente dentro de un rango de pico segundos, generando un frente de
onda creciente rápidamente, rica en armónicos
•Este tipo de diodos se usan en la generación de armónicos y de impulsos
•Otros tipos de diodos de almacenamiento de carga se fabrican de Si con portadores
minoritarios con tiempo de vida relativamente grandes, dentro de un rango de 0.5 hasta
5μS.
•Se puede notar que los tiempos de vida son unas 1000 veces mas grandes que para
diodos de conmutación rápidas.
 EL DIODO PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia

semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N
que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien
por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

-conmutador de RF
-resistencia variable
-protector de sobretensiones
-fotodetector
 EL DIODO PIN

Distribución de impurezas, Densidad

de Carga espacial y distribución de
campo en las uniones p-i-n y p-π-n.

a-Capacidad de la capa de vaciamiento

y resistencia serie en función de la
tensión inversa, b-Resistencia serie en
función de la corriente inversa.
 EL DIODO PIN

Caída de tensión en la región Curva característica en polarización

intrínseca de la unión p-i-n en directa Corriente-Tensión, a-Solo
función de W/La, donde W es la recombinación, b-Incluyendo dispersión
anchura de la región i y La es la de portadores, c-Incluyendo
longitud am bipolar de difusión. recombinaciones de Auger.
 LA HETEROUNIÓN
MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO

a-Diagrama de Banda de Energía de dos

semiconductores aislados asumiendo
neutralidad de carga espacial en cada región.

b-Diagrama de Bandas de Energía de una

Heterounión anisótropa n-p ideal en
equilibrio térmico.
 LA HETEROUNIÓN
MODELO BÁSICO DE DISPOSITIVO

a-Diagrama de Bandas de Energía

para una Heterounión isótropa n-ni
ideal.

b-Diagrama de Banda de Energía

de una Heterounión p-n, c-Diagrama
de Banda de Energía de una
Heterounión p-p.
DISPOSITIVOS DE HETEROUNIONES

a-Variante compuesta.
b-Diagrama de Banda de Energía
en equilibrio.
c-Diagrama de Energía bajo
polarización directa para una
estructura compuesta diente de
sierra.