Semiconductor

Metal
 * En un metal la distribución de niveles
de energía accesibles es continua y el nivel
de Fermi es uno de ellos.
* En un semiconductor el nivel de Fermi
se encuentra dentro de la banda prohibida
Para los dos sistemas aislados
los diagramas de energía son:
Dond
e
* Recordemos que la energia
de Fermi del semiconductor
depende del dopaje en cambio la
función trabajo del metal y la
afinidad electronica del
semiconductor depende solo del
material
 Relación de energía Inicialmente se Si un conductor El nivel de Fermi
electrónica para un muestra el metal y conecta al es mas bajo en el
contacto ideal entre el semiconductor semiconductor con semiconductor
un metal y un sin contacto y el el metal se que en el metal en
semiconductor tipo n sistema no se establece equilibrio una cantidad igual
en ausencia de encuentra en térmico, los niveles a la diferencia de
estados superficiales. equilibrio térmico. de Fermi se alinean las dos funciones
de trabajo.
Juntura metal-semiconductor tipo N

Juntura metal-semiconductor tipo P

Diagrama de banda de energía entre
una superficie metálica y el vació.
* La función de trabajo efectiva ( o
barrera ) disminuye si se aplica un
campo eléctrico a la superficie.
* Esta disminución se debe a la
combinación de efectos del campo y la
imagen de energía inducida.
Diagrama de banda de energía
incorporando el efecto
schottky para un contacto
metal-semiconductor tipo N,
bajo condiciones de
polarización diferentes :
* La barrera mas alta
intrínseca qΦBo.
* La barrera mas alta en
equilibrio qΦBn.
* La barrera mas baja para la
polarización directa ΔΦF.
* La barrera mas baja para la
polarización inversa ΔΦR.
.
Proceso de transporte básico para
polarización directa.
 Sin polarización

La corriente de
electrones esta
compuesta por:

La corriente de huecos
esta compuesta por:
 Diagrama de banda de
energía incorporando el
efecto Schottky. La
energía potencial del
electrón es qw(x), y el
seudo nivel de Fermi es
qΦ(x).
 La corriente tunel

La constante efectiva de Richardson

calculada “A” en función del campo Valores toricos y experimentales de
eléctrico de barreras para metal silicio. la curva caracteristica para
barreras Au-Si
Densidad de la corriente de
saturación en funcion de la
concentración de dopadode barrera
Au-Si para 3 diferentes temperaturas
Diagrama de energía de una barrera Schottky epitaxial.
Diagrama de
banda de energía
detallado de un
contacto metal-
semiconductor.
Ubicación del nivel de Fermi
superficial para algunos
metales y el oxigeno sobre:

GaAs
GaSb
lnP
Se observa una pequeña
dependencia de la naturaleza
química de los metales y del
oxigeno.
 Densidad de corriente en
polarización directa en
función de la tensión
aplacada de diodos W-Si y
W-GaAs
Densidad de corriente de
saturación teorica para
300ºK en función de la
barrera alta para una
constante de Richardson
de 120 A/cm2/k2.
 Diodo PtSi-Si con un anillo
protector de difusión.

Comparación de los resultados

experimentales y teoricos para el
diodo PtSi-Si.
Energia de
activación

Grafico de enregia de
activación para
determinar la altura de la
barrera
1/C2 en función de
la tensión aplicada
para diodos W-Si y
W-GaAs.
1/C2 en función para
varias frecuencias