* El TRANSISTOR DE UNIÓN - Emisor, que se diferencia de

BIPOLAR (del inglés Bipolar Junction las otras dos por estar
Transistor, o sus siglas BJT) es un fuertemente dopada,
dispositivo electrónico de estado sólido comportándose como un metal.
consistente en dos uniones PN muy - Base, la intermedia, muy
cercanas entre sí, que permite controlar el estrecha, que separa el emisor
paso de la corriente a través de sus del colector.
terminales. Los transistores bipolares se - Colector, de extensión
usan generalmente en electrónica mucho mayor.
analógica. También en algunas
aplicaciones de electrónica digital como
la tecnología TTL o BICMOS. Un
transistor de unión bipolar está formado
por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región
muy estrecha. De esta forma quedan
formadas tres regiones:
 * Un transistor bipolar de juntura Corte transversal
consiste en tres regiones simplificado de un transistor
semiconductoras dopadas: la región bipolar de juntura NPN
del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N
y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P,
y tipo N en un transistor NPN. Cada
región del semiconductor está
conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o
colector (C), según corresponda.
* En la siguiente figura se puede
apreciar cómo la juntura base-
colector es mucho más amplia que la
base-emisor.
 * EL NPN es uno de los dos tipos
de transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en
día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que
la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de
operación.
* Los transistores NPN consisten en
una capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas
de material dopado N.
* Una pequeña corriente
ingresando a la base en
configuración emisor-común es
amplificada en la salida del colector.
* La flecha en el símbolo del
transistor NPN está en la terminal
del emisor y apunta en la dirección
en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Transistor NPN
 * El otro tipo de transistor bipolar de
juntura es EL PNP con las letras "P" y
"N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes
regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría
de las circunstancias.
* El símbolo de un transistor PNP.
Los transistores PNP consisten en una
capa de material semiconductor
dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga
eléctrica externa.
* Una pequeña corriente
circulando desde la base
permite que una corriente
mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
* La flecha en el transistor
PNP está en el termina del
emisor y apunta en la dirección
en que la corriente
convencional circula cuando el
dispositivo está en
funcionamiento
Transistor PNPactivo
 * La configuración de EMISOR
COMÚN es la más usada. En él, el
transistor actúa como un amplificador de
la corriente y de la tensión. Aparte de los
efectos de amplificación, también invierte
la tensión de señal, es decir, si la tensión
es tendente a positiva en la base pasa a ser
tendente a negativa en el colector; pero,
como estos efectos se producen con la
corriente alterna.

Configuración Emisor
Común
 * Vamos a ver la última configuración
básica que es la base común. A este tipo
de circuitos se les aplica la entrada por el
emisor y la salida se toma del colector. El
terminal común a la entrada y a la salida
es la base y está conectada a tierra.
* Con un circuito de base común no
vamos a conseguir ganancia en la
corriente. La corriente de emisor, que es la
corriente de entrada, está formada por la
suma de la corriente de base y la de
colector.

Configuración Base
Común
 * Otro tipo de configuración básica de un
transistor es la de COLECTOR COMÚN.
A esta configuración se la suele llamar
seguidor de emisor. Con este tipo de
circuitos no vamos a conseguir una
amplificación de tensión, pero son muy
buenos amplificadores de la corriente y de
ahí viene su utilidad.
* La entrada de señal se produce por la
base y la salida por el emisor, en vez de por
el colector como en el resto de los circuitos.
El terminal común para la entrada y la
salida es el colector, como su nombre
indica. Si la unión base emisor está
polarizada directamente, el transistor va a Configuración
conducir, mientras que si está inversamente
polarizada no lo hará.
Colector Común
 Transistor conectado en Diagrama de banda de
configuración Base Común para energía bajo un régimen de
aplicaciones como amplificador operación normal
 Perfil de dopado de un
transistor con un gradiente
de impurezas en la región
de la base
Corriente del colector y base en función de la tensión emisor-base
 * Una forma de medir la eficiencia
del BJT es a través de la proporción de
electrones capaces de cruzar la base y
alcanzar el colector. El alto dopaje de la
región del emisor y el bajo dopaje de la
región de la base pueden causar que
muchos más electrones sean inyectados
desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente
emisor común está representada por
βo o por hfe. Esto es aproximadamente
la tasa de corriente continua de colector
a la corriente continua de la base en la
región activa directa, y es típicamente
mayor a 100.
 * Otro parámetro importante es la
ganancia de corriente base común,
αo. La ganancia de corriente base
común es aproximadamente la
ganancia de corriente desde emisor a
colector en la región activa directa.
Esta tasa usualmente tiene un valor
cercano a la unidad; que oscila entre
0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están
más precisamente determinados por
las siguientes relaciones (para un
transistor NPN).
Ganancia de corriente en función de la corriente del
colector de un transistor
 Comparación entre la
ganancia de corriente
calculada y la ganancia de
corriente medida en
función de la corriente del
colector
Perfil de dopado de un transistor n- Distribución del campo eléctrico en
p-n con colector de capa epitaxial función de la distancia para varias
densidades de corriente
 * Las tensiones aplicadas
controlan las densidades de frontera
a través del termino 
exp(qV/kT).
* Las corrientes de emisor y
colector estan dadas por los
gradientes de las densidades de
portadores minoritarios (huecos) en
la fronteras de las uniones, tales
como:  x=0 y  x=w.
* La corriente de base es la
diferencia entre las del emisor y el
colector.
 Densidad de los huecos en la región de la base de un transistor p-n-p
para varias tensiones aplicadas.

Polaridades normales: Polaridades normales:

VEB positiva, VCB=0
VCB=const, VEB var VEB=const VCB var
 Densidad de los huecos en la región de la base de un transistor p-n-p para
varias tensiones aplicadas.

Ambas uniones Condiciones con Ambas uniones

polarizadas directamente corrientes Ico y Iªco polarizadas inversamente
Curva característica del transistor p-n-p para la configuración
base común
Curva característica del transistor p-n-p para la configuración
emisor común
 * El modelo de EBERS-MOLL * Considerando el modelo ideal para
está basado en el hecho de que un los diodos BE y BC se tiene que:
transistor TBJ se compone de dos
uniones PN, la unión base-emisor y la
unión base-colector. Por lo tanto se
pueden expresar las corrientes del
transistor como la superposición de
las corrientes en la dos uniones PN.

* Donde ICS e IES son las corrientes

inversas de saturación de ambos diodos.
 * El comportamiento del
transistor es más complejo que el de
dos diodos conectados en serie. Se
debe tener en cuenta el efecto
transistor debido a que como las
uniones se encuentran muy juntas
entre sí se produce una interacción
entre ellas. En la figura siguiente se
muestra el modelo de EBERS-
MOLL para un transistor NPN. Este
se compone de dos diodos de unión
PN y dos fuentes de corriente
dependientes.

Modelo de EBERS-MOLL para el transistor bipolar NPN.

 Modelo básico

Modelo con resistencias

series adicionales y
capacidad de vaciamiento

Modelo con fuentes de

corrientes adicionales
para el Efecto Early

Diagrama circuítal del modelo de Ebers-Moll

El modelo de Gummel-Poon
incluye el modelo Ebers-
Moll mas efectos de 2do
orden
Tiempo de retrazo entre el emisor y el colector en
función de la densidad de corriente del colector
 Red de dos puertos donde se muestra la onda incidente (a1,a2) y onda
reflejada (b1,b2) usadas en la definición de los parámetros z

Los parámetros S: s11, s22, s12 y s21

Coeficiente de reflexión Ganancia de transmisión

de entrada con una carga
de salida acoplada
Coeficiente de reflexión
de salida con una carga
de salida acoplada
directa con una carga de
salida acoplada
Ganancia de transmisión
directa con una carga de
salida acoplada
Circuito simplificado de
microondas para la
configuraciòn base
comùn

Circuito simplificado de
microondas para la
configuraciòn emisor
comùn
Transistor de
microondas
intercalado

Transistor de
microondas de
revestimiento

Transistor de
microondas de malla
Estructura de un transistor con varillas de plomo.

Esquema

Vista superior de un
transistor
 Estructura de
transistores con
electrodos reforzados

Estructura de
transistores con
implantación de la base