DIODOS Y MATERIALES

SEMICONDUCTORES

MATERIALES SEMICONDCUTORES
Son materiales que tienen una resistencia elctrica intermedia entre los conductores y los aislantes. Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se desligan de sus tomos quedando un electrn y un hueco (tomo sin electrn) que se constituyen en portadores de carga, el movimiento de estos portadores cuando se aplican voltajes constituye una corriente elctrica.

MATERIALES SEMICONDCUTORES
A mayor temperatura existen ms portadores de carga, las corrientes son mayores, por tanto la resistencia es menor, se usan como elementos para medir temperaturas (termistores).

Los semiconductores ms usados son el Silicio y el Germanio. Cuando al semiconductor intrnseco se adicionan tomos de otros elementos (impurezas) por cada tomo adicionado se forma un portador de carga.

MATERIALES SEMICONDCUTORES

Al usar materiales del grupo III de la tabla qumica se forman huecos quedando un semiconductor con ms huecos (portadores mayoritarios) y se obtiene un semiconductor extrnseco tipo P.
Al usar impurezas del grupo V quedan electrones libres y el material va a tener portadores mayoritarios electrones y portadores minoritarios huecos formando un material semiconductor extrnseco tipo N.

EL DIODO
Un diodo es la unin de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mnima o nula la presencia de portadores de carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen portadores de carga minoritarios del signo contrario. A la zona P se le llama nodo (A) y a la zona N se le llama ctodo (K).

EL DIODO
Diodo en directo: Caida de voltaje = 0.7 V

Diodo en directo: Se comporta como un interruptor cerrado. Diodo en inverso: Se comporta como un interruptor abierto.

POLARIZACION DE UN DIODO
Un diodo trabaja unido a un circuito elctrico el cual le aplica un voltaje. Se presentan dos posibilidades:
POLARIZACIN DIRECTA

El voltaje positivo aplicado al nodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo hace el voltaje negativo sobre los electrones del ctodo. Cuando el voltaje es pequeo y va aumentando la zona de agotamiento se va estrechando al llegar a un valor llamado voltaje de umbral la zona de agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito externo empieza a aportar huecos a la zona P y electrones a la zona N apareciendo una corriente elctrica a travs del diodo, se dice que el diodo est en conduccin.

POLARIZACION DE UN DIODO
POLARIZACIN DIRECTA

El voltaje umbral es 0.2 voltios para germanio y 0.6 voltios para silicio. La corriente del diodo en conduccin crece fuertemente con un crecimiento pequeo del voltaje (dcimas de voltio). Se considera entonces para un diodo de silicio siempre que est en conduccin su voltaje es de 0.7 voltios. Si los voltajes en el circuito son mucho mayores a 0.7v, el voltaje del diodo se considera 0 y se asimila a un interruptor cerrado.

POLARIZACION DE UN DIODO
POLARIZACIN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al nodo atrae los huecos y el voltaje positivo aplicado al ctodo atrae los electrones por lo que la zona de agotamiento se ensancha, sobre los portadores minoritarios ocurre el fenmeno contrario, stos hacen recombinacin y forman una corriente muy pequea (nA a A) que en el caso prctico se considera nula. Se dice entonces que el diodo se comporta como un interruptor abierto.

POLARIZACION DE UN DIODO
El voltaje en el diodo ser el que el circuito aplique y puede llegar a cualquier valor.
Cuando el voltaje inverso aplicado llega a cierto valor la atraccin entre huecos y electrones crece tanto que rompen la resistencia de la estructura del semiconductor y viajan a gran velocidad recombinndose y formando una corriente que crece rpidamente, se llama fenmeno de avalancha y a ese voltaje se llama Zener o de avalancha.

POLARIZACION DE UN DIODO

La grfica muestra la variacin de la corriente en funcin del voltaje aplicado al diodo indicando el comportamiento tanto en polarizacin directa como en inversa.

PRUEBA DE UN DIODO
Con un multmetro anlogo un diodo se prueba en la escala de resistencia, colocando la punta roja (+) al nodo y la punta negra (-) al ctodo debe marcar un valor pequeo de resistencia (<200W) y al conectar al contrario debe marcar un valor grande (>1MW) en la escala ms alta (R*1k).
Con un multmetro digital en directo debe marcar el voltaje de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso debe marcar circuito abierto indicado en la mayora de multmetros con una "1" a la izquierda del display.

POTENCIA DE UN DIODO
Cuando un diodo conduce igual que una resistencia disipa potencia que se convierte en calor y eleva la temperatura del diodo, si la temperatura sube por encima de unos 300C la estructura del semiconductor se agrieta y el diodo se daa ("quema"). La disipacin de potencia: PD = VD*ID se debe mantener por debajo de un lmite que depende del tamao del diodo y su estado de disipacin de calor.
En directo entonces se tiene un valor mximo de corriente:

ELECCION DE UN DIODO
Para seleccionar un diodo se deben conocer mnimo los siguientes datos:
Corriente que va a conducir (pico o promedio). Voltaje inverso a que va a estar sometido. Frecuencia de las seales. Con estos valores usando las tablas del manual ECG se podr escoger una referencia adecuada que soporte las condiciones de trabajo. En altas frecuencias se deben escoger diodos Fast SW y en casos donde se requiere que un diodo pase muy rpido de corte a conduccin se deben usar diodos Fast Recovery.