Tambin llamado (Field-Effect Transistor o FET, ) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar

la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.

Tipo de transistores de efecto campo

Los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

Transistor) usa un aislante (normalmente SIO2). unin p-n

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect

Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor),

 Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect

Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un

dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales

Los FREDFET es un FET especializado diseado para Los DNAFET es un tipo especializado de FET que

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de

sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

Id=corriente de la pueta Aid = tensin Vd=union polarizada Vg=union polarizada Rd=radio de la puerta

CARACTERSTICAS DE SALIDA

*Al variar la tensin entre drenador y surtidor

varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. *En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.

CONCLUSIONES
Los transistores FET realizan la funcin de

control de la corriente, comn a todos los transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales. Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres terminales.

El comportamiento de los transistores de

efecto de campo se caracteriza por sus curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el Dren ador en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente.
Se emplean en amplificadores de potencia as

como en conmutacin, haciendo la funcin de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen.