RECEPTORES OPTICOS

Detectores de luz

Receptor ptico

Consta bsicamente de un fotodetector y de una electrnica. Para detectar las seales, en la tecnologa de comunicaciones a travs de fibra ptica, solo son usados fotodiodos semiconductores en miniatura. Un fotodiodo es el corazn de un receptor.

El fotodiodo (FD)

Funcin: Convertir luz en una seal elctrica. Opera de manera exactamente opuesta a como trabaja un LED. La discusin sobre la operacin de un PD envuelve los mismos elementos: bandas de energa y juntura p-n.

Fotodiodo p-n

Los electrones en la banda de conduccin estn libres y cuando un pequeo voltaje es aplicado, se mueven constituyendo la corriente. Para inducir el material a conducir corriente, se requiere poblar la banda de conduccin de electrones. El nico obstculo para esto es la diferencia de energa entra la banda de valencia y la de conduccin (Eg).

Fotodiodo p-n

En los conductores no existe separacin o banda prohibida entre la banda de conduccin y la de valencia. Los buenos aislantes tienen una banda prohibida grande. En los semiconductores dicha banda es intermedia entre los dos casos anteriores. El diamante (buen aislante), tiene un valor de Eg de 6 eV. El silicio (Si) y el germanio (Ge), (semiconductores), tienen un Eg de 1.17 eV y 0.775 eV respectivamente.

Fotodiodo p-n

Principio de operacin
(a) Diagrama de bandas de energa (b) Juntura p-n

Fotodiodo p-n

Cuando un fotn con energa Ep = hf = hc/ choca con el material, es absorbido y su energa es adquirida por un electrn. El electrn es excitado y pasa a la banda de conduccin (apto para moverse). Esta es la manera como la potencia luminosa, es convertida en corriente elctrica. Si se aplica un voltaje externo (de polarizacin), los electrones fluirn, incrementndose la eficiencia de la conversin de luz en corriente.

Fotodiodo p-n

En la juntura p-n, los electrones y huecos se han recombinado creando una zona de deplexin. Cuando un fotn golpea la zona de deplexin, su energa separa un electrn de su correspondiente hueco.

Fotodiodo p-n

Tanto el electrn como el hueco separados son atrados por los potenciales positivo y negativo del voltaje de deplexin, respectivamente. De esta manera, se genera un flujo de portadores de carga (corriente). Aplicando un voltaje externo (polarizacin inversa), mejora el flujo de electrones y huecos.

Fotodiodo p-n

Circuito elctrico

Caractersticas Entrada/Salida

La entrada para un fotodiodo es potencia luminosa (P); la salida es corriente (Ip) (fotocorriente)

Caractersticas Entrada/Salida

A mayor nmero de fotones que golpean el rea activa del fotodiodo, ms portadores de carga sern creados y mayor ser la fotocorriente. Por lo tanto Ip es proporcional a P. Ip = R P Donde R es constante.

Responsividad

La pendiente de la curva de entrada /salida es uno de los parmetros ms importantes del PD y se llama responsividad: R (A/W) Est definida por la frmula: R (A/W) = Ip/P

Responsividad

Valores tpicos de la Responsividad varan entre 0.5 A/W y 1.0 A/W. Esta caracterstica muestra qu tan eficientemente un fotodiodo convierte luz en seal elctrica. El valor de R es suministrado por los fabricantes del fotodiodo y permite calcular la fotocorriente de salida a partir de la potencia de la luz de entrada.

Relacin de potencia

Cualquier dispositivo de comunicaciones se evala observando su respuesta a la amplitud y la frecuencia de la seal de entrada. La respuesta a la amplitud, describe la relacin de la potencia de entrada a la de salida. La respuesta a la frecuencia de la seal de entrada, nos dice a cerca del ancho de banda del dispositivo.

Responsividad Vs Longitud de onda

Responsividad = Ip/P. Fotocorriente = nmero de electrones, Ne, que fluyen por unidad de tiempo, esto es: Ip = e.Ne/t La potencia luminosa es energa luminosa por unidad de tiempo. La energa luminosa es igual a la energa del fotn Ep veces el nmero de fotones (Np). Entonces:

Responsividad Vs Longitud de onda

Sustituyendo Ep = hc/ y dividiendo Ip por P:

La relacin del nmero de electrones producidos, Ne, al nmero de fotones recibidos, Np, muestra qu tan eficientemente el material semiconductor convierte luz en corriente. Esta relacin es llamada la eficiencia de quantum del fotodiodo, : = Ne/Np

Responsividad Vs Longitud de onda

La eficiencia de quantum de un fotodiodo de comunicaciones regular vara desde 50% hasta casi 100%. Recordando que el producto hc convertido a eV es igual a 1240.8 (eV.nm), entonces se tiene que:

A mayor longitud de onda, mayor es la corriente producida por la misma cantidad de potencia luminosa

Responsividad Vs Longitud de onda

Si C ~1100 nm InGaAs C ~1700 nm.

C determina la longitud de onda ms larga que un FD puede detectar.

El fotodetector solo detectar aquellas longitudes de onda menores que C < C = hc/Eg

Coeficiente de absorcin
Pabs: potencia absorbida Pin: potencia incidente abs : Coeficiente de absorcin w: ancho de la regin activa

Coeficiente de absorcin como una funcin de la longitud de onda.

Una regin de deplexin ms ancha (gruesa), resulta en una eficiencia de quantum ms alta.

Modos de operacin del PD

Modo fotovoltaico. Un PD puede producir corriente sin voltaje de polarizacin porque la luz transporta la energa externa necesaria para excitar los electrones (separar electrones de sus huecos). El voltaje de deplexin (VD) hace que los electrones fluyan.

Modos de operacin del PD

Modo fotoconductivo. Ocurre cuando se aplica un voltaje externo al PD y por tanto, fluye una mayor cantidad de corriente. Sin polarizacin, un PD trabaja como una fuente de seal elctrica Con polarizacin, es un buen conductor de la corriente originada por luz incidente. Un fotodiodo es una fuente de corriente, con o sin polarizacin.

Ventajas de la polarizacin inversa

Mejora dramticamente la respuesta del fotodiodo. Disminuye las prdidas debidas a la recombinacin secundaria. Controla la corriente oscura. La fotocorriente creada en la regin de deplexin, es llamada corriente de direccin y la creada en las regiones n o p es llamada corriente de difusin.

Corriente oscura

Algunas cargas libres pueden ser creadas en la regin de deplexin, sin que haya ninguna luz incidente (por energa trmica externa). El flujo de estas cargas crea la corriente oscura (Id). Esta es generada por un fotodiodo, sin que este reciba luz. Es un fenmeno indeseable en los PDs.

Sensitividad a la corriente oscura

Id tpica en fotodiodos modernos = 5 nA (a temperatura ambiente).

Es el parmetro clave que determina la calidad de un fotodiodo. Se refiere a la mnima potencia de luz que un fotodiodo dado puede detectar (en W o en dBm).

Resumen sobre potencia

La eficiencia con la que un PD convierte luz en corriente: (1) disminuye en la interfaz airesemiconductor, donde la luz se refleja. (2) decrece cuando electrones y huecos fotogenerados sufren una recombinacin secundaria y (3) Se incrementa dentro de la regin activa, donde la luz es mejor absorbida.

Resumen sobre potencia

Aplicando una capa antirreflectiva sobre la superficie del PD y con una terminacin de la fibra en ngulo, se resuelve el problema de la reflexin. Una regin de deplexin (activa) ensanchada, es la solucin a los otros dos problemas. Se requiere una regin de deplexin ancha, a fin de lograr alta eficiencia de quantum y por tanto alta responsividad.

Resumen sobre potencia

El ancho de la regin de deplexin en un PD de juntura p-n es determinado por el voltaje inverso aplicado. (wV) Mientras mayor sea el voltaje inverso, ms agotada estar la regin alrededor de la juntura. Se requiere entonces aplicar un alto voltaje inverso de polarizacin, para mejorar la respuesta en potencia de un PD?

Ancho de banda

Puede ser definido como la mxima frecuencia, o tasa de bits, que un fotodiodo puede detectar sin introducir errores esenciales. El trmino ancho de banda (Hz) es aplicado solo a seales analgicas; para transmisin digital, se tiene el trmino tasa de bits (bits/s). Hoy en da puede usarse el trmino ancho de banda para incluir las tecnologas tanto analgicas como digitales.

Ancho de banda

Los factores bsicos que restringen el ancho de banda en los fotodiodos son: Los portadores de carga creados por un fotn necesitan cierto tiempo para ser recolectados (tiempo de trnsito, tr). Siendo vsat la mxima velocidad de arrastre de los portadores de carga y w el ancho de la regin de deplexin, el tiempo de trnsito puede ser hallado como:

Ancho de banda

Con valores tpicos de w ~ 10 m y vsat (velocidad de saturacin) ~ 105 m/s, se puede calcular tr ~ 100 ps. El segundo factor deriva de la capacitancia inherente de un fotodiodo p-n (Cin). Una juntura p-n puede ser considerada como dos placas cargadas, aisladas por una regin de deplexin (modelo clsico de un capacitor).

Ancho de banda
La capacitancia inherente es igual a:

Donde es la permitividad de un semiconductor y A es el rea activa (el rea fotosensitiva) de un fotodiodo. Esta capacitancia se encuentra en paralelo a la salida del fotodiodo.

Ancho de banda

Circuito equivalente de un fotodiodo p-n

Ancho de banda

En el circuito equivalente de un fotodiodo p-n: - El diodo corresponde a un fotodiodo ideal. - Ip: fuente de corriente = flujo de portadores fotogenerados. - Rj y Rs: Resistencias de la juntura (Shunt) y serie de un fotodiodo = Rin. - Cin: capacitancia inherente - RL: resistencia de carga.

Ancho de banda

La resistencia de la juntura (Rj) es la resistencia de la regin de deplexin del fotodiodo, la cual es extremadamente alta (M). Rs es la resistencia de las capas p y n y de los contactos elctricos, acta como una resistencia en serie entre la regin activa y el circuito de carga (pequea, 5 a 10 ).

Ancho de banda

O sea que, desde el punto de vista del circuito RC, es la resistencia de carga (RL) la que determina las propiedades temporales del fotodiodo. La constante de tiempo (RC) inducida por la capacitancia Cin ser igual a:

Ancho de banda

Valores tpicos de Cin: entre 1 y 2 pF Para RL = 50 , RC est entre 50 y 100 ps. El ancho de banda de un fotodiodo est dado por:

Ancho de banda

Se requiere entonces decrementar tanto tr como RC

Para decrementar tr, se debe decrementar w. Para decrementar RC, se requiere incrementar w.

Ancho de banda

Es posible hallar entonces una expresin para el valor ptimo de w, el cual est dado por la siguiente expresin:

No es posible decrementar RL para incrementar BW, porque esta debe ser al menos 10 veces mayor que Rs y una RL alta minimiza el ruido.

Ancho de banda
En otras palabras: Existe un compromiso entre las eficiencias de potencia y de ancho de banda en un fotodiodo p-n. Se puede concluir entonces que un fotodiodo p-n, no es un dispositivo muy eficiente para propsitos de comunicaciones.

Ancho de banda
Un tercer factor que restringe el ancho de banda de un fotodiodo p-n, es la fotocorriente de difusin Como las regiones p y n son ms anchas que la regin de deplexin, muchos fotones golpean esas regiones, creando la fotocorriente de difusin.

Ancho de banda

El flujo de difusin es muy lento comparado con el flujo de direccin de portadores de carga. Por lo tanto, el pulso elctrico de salida de un fotodiodo p-n, ser mucho ms ancho que el pulso ptico de entrada y su extremo retrazado, estar determinado por la corriente de difusin.

Ancho de banda

Pulsos de entrada y salida de un fotodiodo

Resumen de Ancho de banda Fotodiodo p-n

Para incrementar la eficiencia del ancho de banda, se requiere de una regin de deplexin ancha que reduzca la corriente de difusin. Esto se logra incrementando la polarizacin inversa, porque este voltaje determina el ancho de la regin de deplexin.

Resumen de Ancho de banda Fotodiodo p-n

Teniendo en cuenta las constantes tr (de trnsito) y RC (de tiempo), se debe encontrar el voltaje de polarizacin inversa apropiado para optimizar el ancho de banda de un fotodiodo. Pero este voltaje no puede ser escogido en forma arbitraria, pues un fotodiodo es parte de un receptor, donde se emplea una electrnica de bajo voltaje.

Resumen de Ancho de banda Fotodiodo p-n

El punto clave es simplemente: Se necesita incrementar el ancho de la zona de deplexin sin manipular innecesariamente el valor del voltaje de polarizacin inversa. La solucin a este dilema es:

El fotodiodo p-i-n.

Fotodiodo p-i-n

Consta de una capa intrnseca, gruesa y ligeramente dopada, ubicada entre dos delgadas regiones, una p y otra n. La palabra intrnseca, en el lenguaje de la industria de los semiconductores significa natural, no dopada. El significado completo de las letras p-i-n es:

positivo-intrnseco-negativo

Fotodiodo p-i-n

Fotodiodo p-i-n: iluminado por el frente

Fotodiodo p-i-n

Fotodiodo p-i-n iluminado por el frente La luz penetra por un hueco a travs del contacto superior. Para reducir la reflexin de la luz incidente, la superficie activa se cubre con una capa antirreflectiva. La luz pasa luego a travs de la delgada regin p y genera pares electrn-hueco en la gruesa capa intrnseca.

Fotodiodo p-i-n
Corriente de difusin pequea Campo elctrico grande. Decrementa corriente oscura

Zona intrnseca ancha = Zona de deplexin

Eg > Ep

Fotodiodo p-i-n: iluminado por detrs.

Fotodiodo p-i-n

Fotodiodo p-i-n iluminado por detrs La luz entra a la regin activa a travs de una capa n+ altamente dopada. Esta capa es transparente a la luz incidente debido a que su banda prohibida (energy gap), es mayor que la energa de los fotones incidentes. Todos los dems procesos son similares a aquellos que tienen lugar en el FD iluminado por el frente.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

Corresponden a las desventajas de un fotodiodo p-n. Posee una la alta eficiencia de quamtum. Su capa intrnseca, es su capa de deplexin, donde ocurre la absorcin de fotones. Esta capa es muy grande y la mayora de los fotones incidentes penetran all y generan pares electrn-hueco.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

No se requiere modificar el voltaje inverso para incrementar el ancho de la capa de absorcin. Tanto la eficiencia de potencia como la de ancho de banda son altas. Como la capa intrnseca casi no contiene portadores de carga libres, el campo elctrico a travs de esta capa es grande.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

El resultado es una separacin eficiente de electrones y huecos, generada por los fotones incidentes. Este campo elctrico (polarizacin inversa), decrementa la corriente oscura, barriendo todos los portadores de carga generados trmicamente.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

La corriente de difusin es muy pequea debido a que las capas p y n son extremadamente delgadas comparadas con la capa intrnseca. Es mucho ms probable que los fotones incidentes, entren en la regin intrnseca (activa) que en las regiones p o n.

Ventajas del fotodiodo p-i-n

El resultado es un incremento en la eficiencia de ancho de banda del fotodiodo. El voltaje de polarizacin inversa es pequeo (usualmente 5 V), porque el grosor de la zona de deplexin es controlado por el grosor de la capa intrnseca y no por el voltaje inverso.

Fotodiodo p-i-n

Existe sin embargo un problema en la estructura p-i-n debido al ancho de la capa intrnseca. Ampliar esta capa, genera incremento en la eficiencia de potencia, pero en un cierto decremento en la eficiencia del ancho de banda, debido a una elevacin en el tiempo de trnsito:

Por lo tanto, debe ser hallado un compromiso para el ancho de la capa intrnseca.

tr = w/vsat

Fotodiodo p-i-n

Un fotodiodo hecho de Si debe tener una capa intrnseca ms ancha debido a que el coeficiente de absorcin (abs), a su de operacin (cerca de 850 nm), es un poco mayor que 103 1/cm. Los fotodiodos de InGaAs tienen (abs) ~ 105 1/cm para = 1600 nm y por lo tanto, puede tener una menor w.

Fotodiodo p-i-n

En la prctica: Los fotodiodos p-i-n de Si son fabricados con w en el orden de 40 m Los fotodiodos de InGaAs tienen un w de alrededor de 4 m. Entonces los anchos de banda para los FD de Si y de InGaAs son diferentes.

Fotodiodo p-i-n

Problema Ejemplo Cuales son los anchos de banda de los fotodiodos p-i-n de Si y de InGaAs? Para la solucin tener en cuenta que: tr ~ w y RC ~ 1/w y que vsat ~ 105 m/s Entonces, para una zona intrnseca ancha: tr >> RC y

Fotodiodo p-i-n

reas de aplicacin: Un FD de silicio se emplea en la primera ventana transparente (cerca de 850 nm), donde operan las redes de relativamente baja velocidad. Un FD de InGaAs es adecuado para las ventanas transparentes segunda y tercera (cerca de 1300 y 1500 nm, respectivamente), donde trabajan las redes de alta velocidad.

Fotodiodo p-i-n

Se logran superiores caractersticas en un FD p-i-n mediante su fabricacin en una doble heteroestructura, en forma similar a aquella usada en los LEDs y LDs. Si las regiones n y p se construyen de InP y la capa intrnseca de InGaAs, todos los fotones, a la longitud de onda de operacin, pasarn las capas n y p sin ninguna interaccin. Esto mejora la eficiencia de quamtum y elimina la corriente de difusin.

Fotodiodo p-i-n

Es el detector de luz ms usado hoy en da en sistemas de comunicaciones por fibra ptica, por: - facilidad de fabricacin - alta confiabilidad - bajo ruido - bajo voltaje - relativamente alto ancho de banda. Actualmente se logran anchos de banda de hasta 110 GHz.

Fotodiodo de avalancha (APD)

Uno de los principales parmetros de un fotodiodo es la sensitividad (mnima cantidad de potencia luminosa que un FD puede detectar). Este parmetro determina la longitud de un enlace de fibra ptica, impuesta por el nivel de potencia.

Fotodiodo de avalancha (APD)

Mientras ms sensitivo sea el fotodiodo, mayor podr ser la longitud del enlace para unas prdidas dadas. Solucin: Usar un amplificador para magnificar la fotocorriente producida por el fotodiodo.

Fotodiodo de avalancha
Un circuito receptor siempre incluye un amplificador, pero este introduce su propio ruido. La solucin sera amplificar solamente la fotocorriente sin un amplificador externo y por lo tanto, sin el ruido asociado con esta circuitera. Aparece entonces el fotodiodo de avalancha (APD).

Fotodiodo de avalancha

Mecanismo bsico Se emplea un FD p-i-n con una estructura especial. Los fotones incidentes generan electrones y huecos primarios (como en un fotodiodo p-i-n normal). Se aplica al fotodiodo un voltaje inverso relativamente alto (alrededor de 20 V), para acelerar los electrones fotogenerados, los cuales adquieren alta energa.

Fotodiodo de avalancha

Mecanismo bsico (cont.) Estos electrones golpean tomos neutros y separan otros electrones y huecos ligados. Estos portadores secundarios ganan suficiente energa para ionizar otros portadores, causando un proceso de avalancha, que crea nuevos portadores.

Fotodiodo de avalancha

Mecanismo bsico (cont.) De esta manera, un fotn eventualmente genera muchos portadores de carga (se amplifica la fotocorriente). Es decir, la eficiencia de quantum de un APD es mayor que 1 (tpicamente entre 10 y 100).

Fotodiodo de avalancha
En un diagrama de bandas de energa, puede decirse que los electrones primarios fotogenerados golpean electrones ligados en la banda de valencia y hacen que ellos salten a la banda de conduccin El proceso de crear muchos portadores secundarios es llamado ionizacin de impacto.

Fotodiodo de avalancha

Fotodiodo de avalancha

Los fotones pasan a travs de la regin fuertemente dopada p+ y penetran a la capa intrnseca, donde generan pares electrnhueco. El voltaje inverso separa electrones y huecos fotogenerados y los mueve hacia la juntura pn+ donde existe un elevado campo elctrico (del orden de 105 V/cm). Este campo elctrico acelera los portadores de carga, lo cual da como resultado una ionizacin de impacto.

Fotodiodo de avalancha
Principal ventaja de un APD:

La eficiencia de quamtum es M veces ms grande que la de un FD p-i-n. (M = factor de multiplicacin o ganancia). En realidad un APD produce M portadores de carga en respuesta a un fotn. Entonces, la responsividad de un APD, se puede escribir:
( en nm)

Fotodiodo de avalancha

El factor de multiplicacin (M) depende de: - el voltaje de aceleracin - el grosor de la regin de ganancia - de la relacin de electrones a huecos que participan en el proceso de ionizacin. Es decir, la ganancia puede controlarse variando el voltaje inverso.

Fotodiodo de avalancha
Se debe tener en cuenta que, puesto que el proceso de ionizacin es esencialmente aleatorio, tambin lo es, el factor de multiplicacin. Por tanto, cuando se efectan clculos, se trabaja con un valor promedio de M (10 a 500)

Fotodiodo de avalancha
As mismo, de la fsica del proceso de avalancha se desprende, que este proceso es ruidoso. Esto no anula la principal ventaja del APD: amplificacin interna de la fotocorriente, sin el ruido asociado a la circuitera electrnica externa.

Fotodiodo de avalancha

Ancho de banda del APD Puesto que un APD introduce amplificacin, la caracterstica ms importante de tal dispositivo es el producto ganancia-ancho de banda: M x BW El producto ganancia-ancho de banda puede ser evaluado por:
e = tiempo de trnsito efectivo

M = ganancia a frecuencia cero

Fotodiodo de avalancha

El tiempo de trnsito efectivo es igual a: tr = tiempo de trnsito y kA es la relacin de electrones a huecos envueltos en el proceso de ionizacin (se asume tr >> RC). La relacin kA depende del material semiconductor y se encuentra en el rango de: 0.03 para Si - 0.8 para Ge - 0.6 para InGaAs.

Fotodiodo de avalancha

El producto ganancia-ancho de banda est alrededor de: - 500 GHz para un APD de Si y - 120 GHz para un APD de InGaAs Puesto que un APD de Si tiene una ganancia del orden de 500, su BW 1 GHz Un APD de InGaAs tiene una ganancia tpica de alrededor de 40, lo cual produce un BW 3 GHz.

Conclusiones

Los APDs de Si son tiles para una red de fibra ptica de velocidad moderada (hasta 1 GHz), la cual usualmente opera a 850 nm. Los APDs de InGaAs pueden ser usados en enlaces de fibra de mayor velocidad (hasta 3 GHz), los cuales regularmente operan a 1300 y 1500 nm.

Conclusiones

Los APD de Si tienen buenas caractersticas de desempeo tanto desde el punto de vista de potencia como de ancho de banda, pero estn restringidos para uso en la primera ventana transparente (fuera del reino de las aplicaciones comerciales). Los APDs de InGaAs, no presentan buenos parmetros de potencia y ancho de banda.

Conclusiones

Actualmente se ha logrado un incremento en el producto gananciaancho de banda en los FD de grande de hasta 150 Ghz, con una ganancia M = 10. Comparemos el ancho de banda de 15 GHz y ganancia de 10, de un APD, con el ancho de banda de 5 GHz y ganancia de 1 de un FD pin.

Conclusiones

Un APD es al menos 10 veces ms sensitivo que un FD pin, con un BW comparable. Esto implica un tramo de fibra ptica 10 veces ms largo entre un transmisor y un receptor. Pero esta ventaja casi se desvanece si recordamos que un APD requiere un voltaje inverso relativamente alto.

Conclusiones

Esto significa un incremento en el consumo de potencia, o sea, menor libertad en cuanto a miniaturizacin de la unidad receptora. Es decir, lneas de transmisin ms largas pero con ruido que se incrementa y capacitancias parsitas. Adems, necesidad de un suministro de potencia separado, no es compatible con otras unidades de potencia usadas en circuitos electrnicos.

Conclusiones

A la hora de escoger un fotodetector para su sistema de comunicaciones por fibra ptica, considere varias soluciones y tenga en cuenta todas las ventajas y defectos de cada tipo de dispositivo.

Conclusiones

Resumen de caractersticas tpicas de FDs pin y de avalancha

Fotodetectores MSM

Un MSM (metal-semiconductor-metal) es otro tipo de fotodetector usado en comunicaciones por fibra ptica. Este no es un diodo de juntura p-n, sin embargo, su mecanismo bsico de conversin de luz en corriente es el mismo: Los fotones generan pares electrn-hueco cuyo flujo genera corriente.

Fotodetectores MSM

El contacto metlico es negro y el rea activa se muestra sombreada

Fotodetectores MSM

Un conjunto de contactos metlicos planos se deposita sobre la superficie de un semiconductor. Estos contactos son llamados dedos y son polarizados alternativamente, de tal manera que entre ellos exista un campo elctrico relativamente alto.

Fotodetectores MSM

Los fotones golpean el material semiconductor existente entre los dedos y crean pares electrn-hueco, los cuales son separados por el campo elctrico; de esta manera se crea una corriente elctrica. Puesto que ambos electrodos y la regin fotosensitiva son fabricados sobre el mismo lado del semiconductor, esta estructura es llamada planar.

Fotodetectores MSM

La ventaja de este fotodetector, comparado con los dos tipos de fotodiodos, es que una estructura planar resulta en baja capacitancia y consecuentemente, en un alto ancho de banda. El fotodetector MSM promete trabajar a 300 GHz. La facilidad de su fabricacin es otra ventaja de una estructura planar.

Fotodetectores MSM

Desventaja Su responsividad relativamente baja (vara desde 0.4 hasta 0.7 A/W). Adems, un rea esencial del material semiconductor est ocupada por contactos metlicos, con lo cual se reduce el rea activa del dispositivo. Son un rea de intensa investigacin y desarrollo hoy en da. Se espera que un buen nmero de estos dispositivos estn compitiendo en el mercado en un futuro prximo.

UNIDAD DE RECEPCIN

Unidad de recepcin

Es una unidad que convierte una seal ptica de entrada en una seal elctrica de salida adecuadamente formateada. Para el caso digital, se puede decir que un receptor convierte un flujo de pulsos de luz en un flujo de pulsos elctricos, capaces de manejar la electrnica que le sigue, dentro del sistema.

Unidad de recepcin

Los fotodiodos determinan la principal caracterstica de estos dispositivos, pero an un fotodiodo ideal no puede dar origen a un receptor ideal. Se requiere una buena electrnica, un buen empaque y un buen diseo a fin de obtener un buen dispositivo.

Unidad de recepcin

ERM 577 Mdulos receptores pticos con Fotodiodos de Avalancha de alta ganancia (2.5 Gbps)

Unidad de recepcin

Terminal ptico de entrada

Diagrama funcional en bloques de un receptor

Unidad de recepcin

La luz proveniente de la fibra ptica pasa a travs de una ptica de acoplamiento y cae en el rea sensitiva de un fotodiodo. El fotodiodo convierte la luz en fotocorriente. La fotocorriente es convertida en voltaje y ste amplificado por un preamplificador (Preamp). El voltaje de salida del preamplificador entra a un bloque (usualmente denominado cuantizador), cuya salida son las seales de datos y de reloj en un formato apropiado.

Unidad de recepcin

Las seales de datos y de reloj entran luego a un buffer, el cual las convierte en seales ECL (seales compatibles, capaces de manejar la circuitera digital subsiguiente). La entrada de un receptor es una seal ptica y la salida es un voltaje elctrico en un formato especfico y con caractersticas elctricas especficas.
ECL: Emitter-Coupled Logic

Terminal ptico de entrada

Lo conforman: Un fotodiodo y el preamp. Su funcin es convertir luz en voltaje elctrico de la amplitud requerida. Esto se hace en dos pasos: - el fotodiodo convierte la luz en fotocorriente. - el preamplificador convierte la fotocorriente en voltaje, amplifica la seal y la entrega a un cuantizador.

Terminal ptico de entrada

Existe una gran variedad fotodiodos disponibles comercialmente. El inters crtico en el diseo del terminal ptico de entrada es la escogencia adecuada del amplificador electrnico. La resistencia de carga (RL) de un fotodiodo juega un papel muy importante en las consideraciones tanto del ruido como del ancho de banda.

Terminal ptico de entrada

El ruido trmico (componente dominante en la corriente de ruido en los fotodiodos PIN), es inversamente dependiente de la resistencia de carga. Esta es la razn por la cual la resistencia de carga aparece en las frmulas principales que determinan la SNR (Signal to Noise Ratio: Relacin seal a ruido) y el BER (Bit Error Rate: Tasa de errores de bit), como una funcin de la sensitividad de un fotodiodo.

Terminal ptico de entrada

Para decrementar el ruido trmico (e incrementar la sensitividad del fotodiodo), se requiere incrementar RL. Lo ideal es conectar el fotodiodo directamente a un amplificador, porque la impedancia de entrada de un amplificador electrnico es muy alta (del orden de unidades de M). Esta conexin se conoce como: Diseo de alta impedancia.

Terminal ptico de entrada

El BW de un fotodiodo es inversamente proporcional a la resistencia de carga. Por lo tanto, para incrementar el ancho de banda de un receptor, se requiere decrementar

RL.

Conclusin: Existe un compromiso entre el ancho de banda y el ruido (sensitividad), en un receptor y el diseo correcto depende de la resistencia de carga del fotodiodo.

Terminal ptico de entrada

El preamplificador amplificar la seal y convertir corriente en voltaje. Esta ltima funcin es realizada por un amplificador con realimentacin negativa. A este tipo de conexin entre el fotodiodo y el preamplificador se le llama diseo transimpedancia.

Terminal ptico de entrada

(a) Diseo alta-impedancia; (b) diseo transimpedancia; (c) diseo transimpedancia con control automtico de ganancia (AGC).

Terminal ptico de entrada

La impedancia de entrada de un amplificador electrnico con realimentacin negativa, (transimpedancia) es la impedancia de carga real para el fotodiodo (RZ). La transimpedancia es funcin de la ganancia del amplificador (A) y de la resistencia de retroalimentacin (RF). Un diseador puede variar estos dos parmetros para obtener el valor deseado de RL (del orden de las decenas de K).

Terminal ptico de entrada

El voltaje de salida del preamplificador est dado por: vout = Ip RZ, Ip: fotocorriente producida por el fotodiodo RZ = RL : transimpedancia del preamplificador con retroalimentacin negativa. En las hojas de datos de receptores comerciales, se encuentra el trmino amplificador transimpedancia, lo cual significa que es un amplificador con retroalimentacin negativa.

Terminal ptico de entrada

Un fotodiodo se encuentra normalmente integrado con un amplificador transimpedancia en un componente llamado PINAMP. Pero el diseo transimpedancia por s solo no puede satisfacer una variedad de requerimientos que los receptores deben tener en las aplicaciones actuales.

Terminal ptico de entrada

Otra caracterstica importante en un receptor, es el rango dinmico, el cual es la diferencia entre la ms alta y la ms baja seales de entrada a las cuales un preamplificador puede operar. El rango dinmico de un receptor es medido en dBs y sus valores tpicos varan entre 35 y 45 dB.

Terminal ptico de entrada

En redes de fibra ptica, la seal de entrada puede fluctuar ampliamente. Un amplificador transimpedancia tiene un rango dinmico mucho ms ancho que uno de alta impedancia.

Terminal ptico de entrada

Para incrementar el rango dinmico de un preamp transimpedancia, se incluye una circuitera para el control automtico de ganancia (AGC), en el lazo de realimentacin. El AGC controla la ganancia del amplificador para mantener estable el voltaje de salida. La transimpedancia (RZ) se vara de tal manera que sea alta para una baja seal de entrada y sea baja para una alta seal de entrada.

Terminal ptico de entrada

Esta es la manera como un preamplificador puede manejar una seal de entrada en un amplio rango dinmico. Para concluir, un terminal ptico de entrada acepta una seal ptica y presenta un voltaje amplificado al siguiente bloque, el cuantizador.

El cuantizador

El cuantizador

Tpicamente incluye tres componentes: - un filtro de ruido - un amplificador/limitador de potencia - y un circuito de decisin.

Filtro de ruido
Mejora la SNR y por lo tanto la sensitividad del receptor. Consideracin de diseo: Es importante tener en cuenta los requerimientos de ancho de banda. Por ejemplo, al disear un receptor ptico, un fabricante desea lograr el mximo ancho de banda para, obviamente, incrementar el potencial de ventas del dispositivo.

Filtro de ruido

Pero esto tiene un lado negativo para el usuario. Aplicaciones especficas, probablemente no necesitan todo el ancho de banda disponible. El ruido es directamente dependiente del ancho de banda, de tal manera que un exceso de ancho de banda contribuye a tener un ruido adicional. Esto a su vez, reduce la sensitividad de un receptor.

Filtro de ruido

Considere esta situacin: Asuma que la red opera a una BR (tasa de bits) = 155.520 Mbps, (OC-3 en SONET o STM-1 de SDH). La regla de conversin entre ancho de banda (BW) y la tasa de bits (BR) para un receptor es: BW ~ 0.7.BR Entonces, el BW requerido = 109 MHz.

Filtro de ruido

Si se dispone de un fotodiodo PIN MF-432 que tiene un BW de 2.5 GHz segn la hoja de datos, entonces, para nuestra red, cuya BR es 155.520 Mbps, se puede usar un filtro de ruido pasa-bajo, para reducir el ancho de banda del receptor a 109 MHz. De esta manera se restringe el BW y la interferencia inter-smbolo (ISI)

El amplificador/limitador

Esta amplificacin es necesaria para lograr una seal con suficiente potencia para manejar el circuito de decisin. Si la seal amplificada por el preamp es suficientemente grande, este circuito la recorta (de ah el nombre de limitador).

El amplificador/limitador

La ganancia de este amplificador es una funcin de la amplitud de la seal de entrada: A mayor amplitud, menor ganancia. Puede incluir tambin control automtico de ganancia (AGC). Esta unidad podra incluir tambin un ecualizador, para corregir cualquier distorsin de la seal causada por el BW.

Circuito de decisin

Principio de operacin
(a) Circuito bsico; (b) salida del comparador; (c) proceso para tomar la decisin

Circuito de decisin

Determina el significado lgico de la seal recibida. Se trata de un comparador manejado por la seal de entrada. Cuando la seal recibida est por encima del umbral, la salida del comparador es alta (estado lgico ALTO = `1`). Cuando la seal es ms baja que el umbral, la salida del comparador es baja (se decide que la seal recibida es un estado lgico BAJO = `0`).

Circuito de decisin

Una seal elctrica que representa un bit, vara an dentro del intervalo de tiempo correspondiente a un solo bit. Se debe tomar una muestra de Vins en la mitad del intervalo de cada bit para compararlo con el voltaje umbral (Vth). Ah se tiene la mayor probabilidad de tener la mejor muestra.

Circuito de decisin

Se debe contar con una seal de reloj precisa. Si su circuito determina en forma equivocada el punto medio del intervalo de bit (ts), la probabilidad de error se incrementa. Un diagrama de ojo ayuda a encontrar la mejor posicin para ts; esto ocurre cuando el diagrama de ojo se abre a su mximo.

Buffers

Un buffer transfiere sin alteracin una seal lgica desde la entrada hasta la salida, pero restablece la forma elctrica de esta seal. Tpicamente, este es un circuito seguidor de emisor. En este caso, un buffer provee una salida en ECL (formato compatible). Un receptor puede contener varios buffers.

Recuperacin del reloj

Esta seccin extrae la informacin de temporizacin a partir del flujo de datos y ayuda al circuito de decisin a generar las salidas diferenciales, DATA y DATA negado. Los circuitos digitales sincrnicos trabajan bajo el control de una seal de reloj que debe ser la misma en el receptor y en el transmisor, para sincronizar todas las operaciones.

Recuperacin del reloj

En nuestro caso, se requiere tomar una muestra del dato que entra al comparador (vins) y compararla con el voltaje umbral (Vth), exactamente en la mitad de un bit. El tiempo asignado a cada bit es determinado por el reloj del transmisor. Si el reloj del receptor tiene un tiempo diferente, experimentaremos un error en el muestreo del dato (incrementa BER).

Recuperacin del reloj

La seal de reloj es producida por un generador de frecuencia. Puesto que la estabilidad de la frecuencia de dicho generador es finita (aun cuando est en el orden de 10-6 y superior para circuitos prcticos miniatura), dos generadores (Tx y Rx) tendrn inevitablemente una cierta discrepancia de reloj a lo largo de su tiempo de operacin.

Recuperacin del reloj

Consideremos un generador popular de cristal de cuarzo: (estabilidad tpica = 25 ppm). Esto significa que a 20 MHz, la frecuencia del oscilador puede variar hasta 25 Hz. Por lo tanto, los generadores de Tx y de Rx, pueden tener una diferencia de frecuencia de hasta 50 Hz, produciendo una BER inaceptable.

Recuperacin del reloj

Para asegurar la misma referencia de tiempo en toda la trayectoria de transmisin, se necesita que el propio dato transmitido, transporte una seal de sincronismo. Esto se hace mediante la utilizacin de cdigos de lnea. La seal de reloj debe obtenerse a partir de los datos recibidos.

Recuperacin del reloj

Circuito tpico de recuperacin del reloj

Circuito de Recuperacin del reloj

Principio de operacin El oscilador controlado por voltaje (VCO), genera aproximadamente la misma frecuencia que el generador del transmisor. La fase de los datos recibidos es comparada con la fase de la seal generada por el VCO y su diferencia es convertida por un filtro pasa-bajo en una seal DC.

Circuito de Recuperacin del reloj

Principio de operacin (cont.) Esta seal hace que el VCO cambie su frecuencia a fin de eliminar cualquier discrepancia entre las frecuencias recibida y generada. La seal de frecuencia corregida, controla la operacin del circuito de decisin

Circuito de Recuperacin del reloj

El VCO es en realidad un bucle enganchado en fase (PLL: Phase-locked loop). La caracterstica clave de un PLL es que compara los flancos de transiciones de los datos y los pulsos del VCO, es decir, realiza una comparacin de fase. No todos los receptores contienen circuito de recuperacin de reloj.

Deteccin de seal

Es esencialmente un circuito de alarma. Monitorea el nivel de la seal entrante y genera una seal lgica BAJA cuando la SNR no es suficiente. La salida de este circuito es una bandera lgica, que indica cundo el nivel de la seal de entrada cae por debajo de un nivel aceptable (umbral).

Deteccin de seal

Si la seal de entrada oscila alrededor del nivel de umbral, la seal de bandera cambiar de ALTO a BAJO, continuamente. Para prevenir esta situacin, un circuito de deteccin solo genera una seal de alarma cuando la seal de entrada que se est incrementando, alcanza cierto nivel por encima del umbral.

Deteccin de seal

Cuando la seal de entrada decrece, el circuito espera hasta que la seal caiga por debajo del umbral hasta un cierto nivel predeterminado. Es decir, el circuito de deteccin de seal trabaja con histresis.

Circuitos de monitoreo

Se tienen dos circuitos de monitoreo en este receptor tpico. Monitoreo de la cada de voltaje producida por la fotocorriente que fluye a travs de un resistor. Permite el control de la potencia de entrada. Una seal bandera procedente del circuito detector de seal, vigila para detectar cualquier situacin de prdida de seal.