Modelo atmico de Bohr

NCLEO

+14
Electrosttica

F Centrfuga Semiconductores

Conduccin elctrica
Energa Energa

Conduccin

Eg > 5eV
Valencia

Aislante

Conductor
Nube de electrones

Ncleos de tomos y electrones internos

Semiconductores

Semiconductores
Energa
Si Si

Si

Si Eg = 1,1eV (Si) Eg = 0,67eV (Ge) Eg = 1,41eV (GaAs)

Si

Si

Si

Si

Si

Semiconductores

Semiconductor tipo N Electrn libre dems

Si
Si Si

Si

Si

P
Si

Si
Si
Semiconductores

Semiconductor tipo P Hueco dems

Si
Si

Si

Si Si Si
Semiconductores

B
Si

Si

Unin P-N
Unin fsica de material tipo P con uno N Se combinan portadores en la unin

P
Zona de unin

Eu
Se forma un campo elctrico que no dejan pasar ms portadores

N
Barrera de potencial

Diodos

Polarizacin inversa

Eu

P
Ef

Eu

+
Diodos

La barrera se ensancha

No circulan mayoritarios

Polarizacin directa

+
P

Eu

N
Ef

Diodos

La barrera desaparece

Circulan mayoritarios

Curva caracterstica
ID
No conduccin Conduccin

Rompimiento

Bloqueo VU

VD

Regin Zener

Is

VT (codo)

Regin Inversa

Regin directa Diodos

Potencia mxima

ID
IF

Potencia mxima
No conduccin

Zona Prohibida

Conduccin

VU VT (codo)

VD
Diodos

Rectificador monofsico de media onda

+ -

Diodos

Rectificador monofsico de onda completa con tab central

+

+ Diodos

Rectificador monofsico de onda completa con puente de diodos

+ -

Diodos

Rectificador trifsico de media onda dos ejemplos de conmutacin

V>W>U

U>V>W
Diodos

Voltaje de alimentacin trifsico

Diodos

Rectificador trifsico de media onda grfico de salida

Diodos

Comparacin entre rectificadores voltaje de salida DC

Diodos

Curva caracterstica diodo Zener

ID
Regin Inversa
Vz Bloqueo 0.7v

Potencia mxima

VD

Regin Zener

Is

Potencia mxima

Regin directa

Diodos

Etapas de una fuente

Adeca

Rectifica

Filtra

Regula

Diodos

Aumento de carga en un regulador

La carga aumenta al disminuir RL

Diodos

Constitucin fsica de un transistor

P
Emisor

N
Base

P
Colector

Transistores

Funcionamiento como interruptor Transistor apagado

Con: VBE = 0 Entonces: IB = 0 VCE = VCC IC = 0

IC
C N

+
VCE

+
VBE
IB

P
N

Transistores

Funcionamiento como interruptor Fluye IB

Con: VBE = 0,7v Entonces: IB > 0 Sigue: VCE = VCC IC = 0

IC C N P N

+
VCE

+
IB

VBE

Transistores

Funcionamiento como interruptor Fluye IC

Como: IB > 0 Ahora: VCE < 0.2 v IC > 0

IC C N P N

+
VCE

+
IB

VBE

Transistores

Curva del colector Suponiendo e IB constantes

IC

Rompimiento IB 10A

BVCE Regin de saturacin Regin activa

VCE

Transistores

Curvas del colector Suponiendo =100 IC

2,5mA 2mA 1,5mA
1mA 0,5mA 0,1mA Potencia mxima 25A 20A 15A 10A

5 A 1 A BVCE0

VCE

Transistores

Compuerta NOT colector abierto

VCC 4 k ENTRADA A 1.6 k Y=A T1 D1 T3 1 k T2

SALIDA Y

TIERRA

Transistores

Compuerta NOT Totem Pole

VCC
4 k ENTRADA A 1.6 k 130 Y=A T3 T1 D1 T4 1 k T2 D2

SALIDA Y

TIERRA

Transistores

Compuerta NAND
VCC
4 k 1.6 k 130 T3 A B D1 D2 T4 1 k T 1 Y = AB D3 Y

T2

TIERRA

Transistores

Diodo de cuatro capas - Schockley

IA
nodo
P N IH VK

P
N VB

VAK

Ctodo

Tiristores

Diac
MT1
MT2

IA
nodo1 (MT1)
N
1

P N
2 1

VB

IH

IH
N3

VB

P
2

nodo 2 (MT2) Tiristores

Rectificador Controlado de Silicio - SCR

nodo Compuerta
P N

IA

Aumenta IG

IH 0,7v

P
N VB Disminuye VB

VAK

Ctodo

Tiristores

Rectificador controlado : =45

Con = 45 se obtiene VRL = 0,54VP

Tiristores

Rectificador controlado : =135

Con = 135 se obtiene VRL = 0,09VP

Tiristores

Rectificador controlado: variable

Tiristores

Triac
MT1
nodo1 (MT1)
N

MT2

IA
G
N
P N P
2 2 5

Compuerta

VB

IH

IH
N
1

VB

N3

nodo 2 (MT2) Tiristores

JFET

Canal Sustrato

La corriente principal fluye por el canal

FETs

Sustrato y canal

Entre el sustrato y el canal se forma un diodo

Ese diodo se polariza en inversa

ID

Entre el sustrato y el canal no fluye corriente

FETs

Paso de la corriente

VGS regula el tamao de la barrera de potencial

FETs

Curvas del drenador ID

IDSS
VGS = -1 VGS = -2 VGS = -3v VGS = -VP VP Regin hmica VDSMAX Saturacin Rompimiento

VGS = 0

VDS

FETs

Transconductancia

ID
IDSS Fuera de los lmites de VGSoff e IDSS no se usa el JFET

VDS
-VP VGSoff

ID = IDSS(1-VGS/VGSOFF)2 FETs

MosFET en modo decremental

D
metal

ID
IDSS Sustrato

VGS > 0 VGS = 0 VGS = -1v VGS = -2v

VGS = -VP

G
SiO2

N
P P

VP Saturacin Regin Rompimiento hmica

V VDSMAXDS

FETs

MosFET en modo incremental

D
metal

G
SiO2

N P N
S

Sustrato

FETs

MosFET curvas del drenador ID

VGS4 > VGS3

VGS3 > VGS2 VGS2 > VGS1 VGS1 > VGSth VGSth VDSMAX Saturacin Rompimiento

VDS

Regin hmica

FETs

MosFET transconductancia

ID
IDON

VGSth

VDSON

VDS

ID = k(VGS VGSth)2

FETs

Integrador

Lineal - Cuadrtica

Constante - Lineal

Coseno - Seno Seno Coseno

I.Cs

Derivador

Lineal - Constante

Seno - Coseno

Constante Nula

Cuadrtica - Lineal

Coseno Seno

I.Cs

Monoestable

+Vcc
R 7 6 2 Disparo 4 8 3 5

+Vcc +Vcc W

Salida
Salida 0,01F

555

C
Disparo

W = 1,1RC

I.Cs

Astable

+Vcc Salida R
A

+Vcc W T

7
6 2

8 3 5 1

Salida

R
B

555

0,01F

W= 1,44 (RA+2RB)C D= W = RA+RB T RA+2RB

I.Cs