Electrnica GENERAL

Elementos de electricidad y electrnica para estudiantes de tecnologa.

EDISON ROMERO

Modelos de estructura del tomo (1)

Primer modelo atmico de Joseph J. Thomson (1856 1940), Surgi a partir del conocimiento de la naturaleza elctrica de la materia. Thomson postul un modelo en el cual el tomo se describa como una nube esfrica de carga positiva en la cual estaban insertos los electrones. Como si fuera un budn en el cual los electrones fueran las pasas de uvas.
(1) ESTRUCTURA ELECTRNICA DE LOS TOMOS, Lic. Lidia Iigo.

Ernest Rutherford (1871 1937)

Aos mas tarde, Ernest Rutherford (1871 1937) prob mediante su experimento que la carga positiva del tomo estaba concentrada en un muy pequeo espacio, y propuso un nuevo modelo en el cual la carga positiva estaba concentrada en un ncleo muy pequeo y los electrones giraban en orbitas circulares alrededor de l. El modelo de Rutherford tena una falla, y era que contradeca la fsica clsica por el hecho de que si el electrn se mueve en una orbita circular, est sometido a la aceleracin centrpeta. De acuerdo con la fsica clsica, toda carga sometida a una aceleracin pierde energa, lo cual hara que el electrn se fuera acercando cada vez ms al ncleo describiendo una trayectoria espiral y terminara pegndose al ncleo.

Modelo de Planck (1858 1947)

Hacia fines del siglo XIX Max E. L. Planck, estudiando la radiacin de un cuerpo negro, vio que los resultados experimentales no podan explicarse si se consideraba a la luz emitida como una onda, y formul su teora cuntica de la radiacin. Esta teora expresa que la materia no absorbe o emite energa en cualquier valor, sino en ciertos y determinados valores, o sea, en forma de cuantos de energa. La relacin entre la energa y la frecuencia o la longitud de onda de la luz emitida esta dada por la ecuacin de Planck; E = h n o E = h C/

Donde h es la constante de Planck, n es la frecuencia, C es la velocidad de la luz y es la longitud de onda.

Es importante ver que la energa de una radiacin electromagntica es inversamente proporcional a la longitud de onda y directamente proporcional a la frecuencia, cuanto mayor longitud de onda, menor es la energa de esa radiacin.

Bohr (1885 1962)

Basado en la teora de cuantificacin de la energa de Planck, Niels Bohr (1885 1962) propuso un nuevo modelo atmico, segn el cual el electrn solo puede moverse en determinadas orbitas, y mientras el electrn se encuentre en ellas, no puede absorber ni emitir energa.

Estado fundamental y Estado excitado

Cuando se entrega energa al tomo, ste la absorbe pasando a un estado excitado, y luego regresa a su estado fundamental devolviendo esa energa en forma de luz. Si se obtiene un registro de las distintas longitudes de onda a las que el tomo absorbe o emite se obtiene un espectro de absorcin o emisin respectivamente. Debido a la cuantificacin de la energa, en los espectros no se obtiene un continuo, sino lneas a determinadas longitudes de onda que corresponden a los distintos saltos de los electrones. Esos espectros son absolutamente particulares para cada elemento; analizando la luz emitida por las estrellas puede saberse qu elementos se encuentran en su composicin. Ejemplo: al caer un poco de agua en una llama, sta se torna de color anaranjado intenso debido a una de las lneas de emisin del sodio (el agua contiene sales de sodio), que cae en la regin visible del espectro electromagntico. Esto se utiliza para la identificacin del sodio.

Espectros de Emisin

Louis V. De Broglie (1892 1987)

El modelo de Bohr explicaba las lneas encontradas para el tomo de hidrogeno (dos electrones), pero no poda explicar los espectros de tomos con muchos electrones. Cuando los aparatos se fueron perfeccionando, se vio que cada lnea que predeca el modelo de Bohr en realidad apareca desdoblada en ms lneas, como si en cada nivel de energa predicho por Bohr, existieran distintos subniveles. Determinados experimentos solo pueden explicarse si la luz es considerada como una onda, y otros experimentos, como la radiacin de un cuerpo negro, solo pueden explicarse si la luz es considerada como partculas. Esto es lo que se llama la dualidad onda partcula. Louis V. De Broglie (1892 1987) supuso que la dualidad onda partcula que se daba en la luz poda darse tambin en el electrn, que hasta ese momento se consideraba como partcula. En realidad la dualidad onda partcula se da en todas las partculas muy pequeas y que se mueven a velocidades muy grandes.

Modelo Atmico Actual

De la cuantificacin de la energa, que llevo a toda una nueva mecnica, denominada mecnica cuntica, y de considerar al electrn como una onda, surge el modelo atmico actual. Este modelo propone una ecuacin matemtica (que nace de la mecnica cuntica) propuesta por Erwin Schrdinger (1887 1961) y que se denomina Ecuacin de Onda de Schrdinger. Esta ecuacin no tiene un significado concreto, pero cuando se la eleva al cuadrado, da la probabilidad matemtica de encontrar al electrn dentro de un determinado espacio. No existen orbitas, porque no se puede determinar una trayectoria o recorrido para el electrn. Para poder determinar el movimiento de cualquier partcula se necesita conocer la expresin de su velocidad y su posicin en un momento dado. Para el electrn esto es imposible de determinar, si se conoce su posicin no se puede conocer su velocidad y viceversa. Esto es lo que se conoce como el principio de incertidumbre de Heisenberg. Werner Heisenberg (1901 1976). Lo nico que se puede conocer es esa probabilidad matemtica que denominado orbital.

Dibujo del Modelo actual

La representacin grafica de esa probabilidad en el espacio es el dibujo que permite apreciar la forma del orbital. Cuando hablamos de un orbital s, estamos hablando de un orbital que tiene forma esfrica, dentro de esa esfera hay una gran probabilidad de encontrar al electrn. A su vez, dentro de esa esfera la probabilidad no es toda igual, cerca del ncleo es muy baja y hay una cascara donde la probabilidad es mxima.

Orbitales del modelo actual de tomo

Lo que antes eran las orbitas del modelo de Bohr (K, L, M, N, etc.) pasan a ser los niveles de energa (1, 2, 3, 4, etc.). donde encontramos distintos subniveles y dentro de los distintos subniveles, los distintos orbitales. Tanto los subniveles como los orbitales se nombran con las letras s, p, d, y f. (2) El nivel 1 tiene un solo subnivel que es el s, con un solo orbital que es el s. En el nivel 2 aparecen el subnivel s y el subnivel p. En el nivel 3 tenemos tres subniveles: s, p, y d. A partir del nivel 4 aparecen 4 subniveles: s, p, d y f. En los subniveles p hay tres orbitales distintos (de igual energa); en los subniveles d hay 5 orbitales y en los f hay 7 orbitales, siempre de igual energa. A medida que va aumentando el nivel de energa, se van abriendo cada vez ms subniveles, y cada vez con ms orbitales, que se van repitiendo en cada nivel. El orden de energa dentro de los subniveles de un mismo nivel es: s < p < d < f . Teniendo en cuenta que el estado fundamental del tomo es el estado de menor energa. Podramos pensar que todos esos distintos niveles, subniveles y orbitales se encuentran vacos y armar nuestro tomo acomodando los electrones en ellos.
(2) Las letras provienen de la forma en que se vean las lneas de los espectros, en ingles; s es de sharp (ntida), p de principal, d de difuse (difusa), y f de fundamental

Cuntos electrones pueden ponerse en cada orbital.?

A partir de que se completa el subnivel 3p, el orden de llenado de los orbitales no coincide con el orden de energa. Luego del subnivel 3p se completa el subnivel 4s y despus el 3d. La regla mnemotcnica de alado sirve para saber el orden de llenado de los orbitales; es la regla de las diagonales.

Aplicacin de la regla
La regla de las diagonales permitir armar una configuracin electrnica (CE). Por ejemplo si z = 23 la configuracin electrnica es: CE = 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d3. La CE de un ion, al menos en la mayora de los elementos representativos, coincide con la configuracin electrnica de un gas noble. Los elementos, cuando se unen, pierden, ganan o comparten electrones pero no en cualquier cantidad, sino que pierden ganan o comparten electrones para llegar a una configuracin electrnica ms estable. En la mayora de los elementos representativos esa configuracin es la de un gas noble, que es muy estable porque tiene su nivel de energa completo.

Resumen
Modelo atmico general.

Los electrones estn ligados a sus tomos (naturalmente) La energa del electrn esta vinculada a niveles o bandas El electrn puede existir en su tomo solo en estados que poseen energas precisas y definidas.

Electrones libres
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior, u orbital de valencia. Es este orbital exterior el que determina las, propiedades elctricas del tomo, se define la parte interna de un tomo como el ncleo ms todos los orbitales internos. Para un tomo de cobre, la parte interna es el ncleo (+29) y los tres primeros orbitales (-28). La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga resultante de +1, porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. La Figura 2-2 permite visualizar la parte interna y el orbital de valencia de un tomo. A causa de ello, la atraccin que sufre el electrn de valencia es muy pequea. Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte interna del tomo, una fuerza externa pequea puede arrancar fcilmente este electrn libre, y, por eso mismo, el cobre es un buen conductor. Incluso la tensin ms pequea puede hacer que los electrones libres de un conductor se muevan de un tomo al siguiente. Los mejores conductores son la plata, el cobre y el oro. Todos tienen una parte interna como la que se representa en las Figuras 2.

Niveles de energa de un tomo

Regla de las diagonales

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p6 5s2 4d10 5p6 6s2 4f14 5d10 6p6 7s2 5f14 6d10 7p6

Planck (1900) y De Broglie (1924)

Para cambiar de estado los electrones deben emitir o absorber energa electromagntica en cantidad proporcional a la diferencia energtica entre estados involucrados en el salto (fotn). El fotn es considerado un paquete de energa es decir una partcula Ep=hv (h=6,63x10-64 julios-seg.=Constante de Planck; v=frecuencia de radiacin=1/l) A una partcula en movimiento puede considerarse un paquete de ondas con una longitud de onda que es proporcional a la cantidad de movimiento de una partcula

l= 2
=

(m = masa; n = velocidad) (k nmero de onda)

Modelo de bandas
El modelo de bandas en un tomo puede adaptarse a molculas y partculas, considerando multiniveles y las propiedades ondulatorias de los electrones Este tipo de consideraciones permite interpretar muchos fenmenos y propiedades de los materiales: elctricas, magnticas, pticas, trmicas.

Estructura electrnica de materiales slidos

Sistemas cristalinos

Tabla peridica

Conceptos Bsicos
Carga elctrica. Campo elctrico Voltaje Corriente Potencia Ley de Ohm Leyes de Kirchhoff Circuitos serie y paralelo Generadores AC y DC Instrumentos de medida

CARGA ELECTRICA

Entre las propiedades de la materia podemos encontrar una que se denomina carga elctrica designada arbitrariamente: vidrio positiva y ambar negativa. Las cargas del mismo tipo se repelen y de distinto se atraen. La menor carga elctrica es la carga negativa del electrn, o positiva del protn, igual a 1,6.10-19 C . En el S. I. de unidades la carga se mide en culombios (C).

CAMPO ELECTRICO
El entorno de una carga, que denominaremos q , presenta una propiedad que se manifiesta cuando otra carga q esta presente en l; se manifiesta a manera de una fuerza cuya magnitud responde a la relacin:

Cuando la carga de prueba q tiene magnitud 1 o si analizamos la fuerza por unidad de carga puede dimensionarse al campo elctrico como:

Se dice, entonces que, CAMPO ELECTRICO ES LA FUERZA POR UNIDAD DE GARGA QUE PRESENTA EL ENTORNO DE UNA CARGA

E= F/q

INTERACCIONES

UNIDADES Y MAGNITUD
0 = permeabilidad dielctrica del vacio = 8,85 x 10-12 F/m = permeabilidad relativa al vacio Carga del electrn= -1,6x10-19 C 1/40 = 9x109 V m/C El campo elctrico se mide en Newtons/C

TENSION
La tensin elctrica o voltaje en un punto A respecto a otro B, es el trabajo realizado sobre una carga puntual para llevarla desde B hasta A esto es:

El signo del trabajo es negativo, si se ha hecho una fuerza en contra del campo para trasladar la carga y el signo del trabajo es positivo, si la carga se ha desplazado por la accin de las fuerzas del campo.

TRABAJO Y POTENCIA
En consecuencia para trasladar una carga desde un punto a otro se realizar un trabajo: W=qV Si recordamos que la potencia es el trabajo realizado por unidad de tiempo diremos que: P= (dw/dt)=V(dq/dt) P=VxI Donde I representa las cargas por unidad de tiempo V se mide en voltios W se mide en julios I se mide en amperios= C/seg P se mide en watios = Julios/seg

CORRIENTE
La corriente es la cantidad de carga que atraviesa el rea de un conductor, por unidad de tiempo. No olvidar que se trata de vectores. (Se dice es el movimiento de cargas positivas)

RESISTENCIA
La resistencia elctrica es la oposicin que encuentran las cargas para circular por el medio, dispositivo, conductor o elemento De acuerdo con la Ley de Ohm, un ohm, es el valor de una resistencia elctrica; cuando circula por ella un amperio provocado por un voltio de tensin en sus extremos
http://www.asifunciona.com/electrotecnia/ke_resistencia/ke_resistencia_4.htm

LEY DE OHM
Cuando una corriente atraviesa una resistencia se produce una cada de voltaje que se disipa en el dispositivo resistente El valor a la cada de voltaje(V) es proporcional a la corriente (I) que circula por un valor cuya magnitud se la conoce como resistencia (R) y se la mide en Ohms {} Cuando alimentamos a una resistencia con un voltaje se produce una corriente elctrica cuya magnitud decrece con el grado de dificultad al paso de los electrones en la estructura material de la resistencia; la energa perdida se disipa en calor y vibracin. Se suele relacionar la resistencia con las dimensiones del conductor con una constante llamada resistividad

V= IR
donde l A

R=(l/A)

es longitud en metros es rea en mm2 es la resistividad; es especfica para cada material y viene expresada : Ohm. mm2/m

MOVILIDAD
A velocidad que alcanza una carga por unidad de campo elctrico se la denomina movilidad. = En consecuencia la conductividad vendr dada por la movilidad por la carga involucrada esto es la densidad de cargas por unidad de volumen por la carga del electrn = . . Siendo la conductividad el inverso de la resistividad esta ser: 1 1 = = . . =

CIRCUITOS ELECTRNICOS
La electrnica es una disciplina que se dedica a analizar y utilizar circuitos compuestos por componentes o dispositivos que tienen especficos comportamientos de corriente y voltaje entre sus terminales. Dicho comportamiento lo representamos por modelos matemticos aproximados, en tanto los comportamientos reales son muy complejos o dentro de una determinada utilizacin son despreciables. Ej: resistencia de los hilos conductores.

INTERRUPTORES
http://www.google.com.ec/search?tbm=isch&hl=es&source=hp&biw=1138&bih=737&q=interruptores+electricos&gbv=2&oq=i nterruptores+&aq=0&aqi=g10&aql=&gs_sm=1&gs_upl=144667l144667l1l153250l1l1l0l0l0l0l359l359l3-1l1l0

El interruptor es un elemento que a sus terminales presenta dos estados: conectado y desconectado. En el estado conectado su resistencia es cero, su voltaje es cero y deja el paso libre a la corriente. En desconectado no permite el paso de corriente aunque el voltaje entre sus terminales sea muy alto.

FUENTES DE CORRIENTE Y TENSION

Son dispositivos que desde sus terminales entregan voltaje o corriente el uno independiente del otro y se los utiliza para alimentar de energa elctrica a los circuitos, para modelar el comportamiento de otros dispositivos o para generar seales de funcin requerida.

FUENTES DE TENSION IDEALES

FUENTES DE CORRIENTE IDEALES

VOLTIMETRO
El aparato mide tensiones eficaces tanto en continua como en alterna, se lo coloca en paralelo con el elemento a medir o entre los puntos sobre los cuales se desea medir la tensin

ERRORES AL MEDIR CON UN VOLTMETRO

El voltmetro tiene una resistencia serie muy grande que se puede decir que es infinita

AMPERMETRO
El aparato mide valor medio de la corriente y su utilizacin es en serie del circuito cuya corriente se pretende medir

ERRORES AL MEDIR CON UN AMPERMETRO

El ampermetro tiene una resistencia en paralelo muy pequea que puede considerarse despreciable

OHMETRO
El aparato mide el valor de la resistencia proporcionndole una tensin y midiendo su corriente, y por ello debe separarse el elemento de su circuito para ser medido independiente de l.

SEALES
Las seales son magnitudes fsicas, generalmente elctricas, que cambian de valor con respecto a otra magnitud, que comnmente suele ser el tiempo; sin embargo, puede tomarse como referencia un voltaje, la corriente, una fuerza, el desplazamiento u otra. Esta variacin puede convertirse en informacin y trasladarse en un medio portndola en la seal, transformarla, si fuere del caso y ser recuperada en otra parte. Las seales pueden construirse y ser representadas por ciertas funciones sencillas que resultan una buena aproximacin en el anlisis.

ESCALON
La funcin escaln puede representarse grficamente como un paso de un nivel a otro a manera de grada

Puede representarse como una funcin, con la siguiente expresin:

RAMPA
Conformada por una recta de pendiente establecida:
= . 0 = 0 . ( 0 )

O puede ser obtenida por la integracin de una escaln:

. 0 =

. ( 0 ).d

PULSO
Se la puede obtener de la suma de dos funciones paso (rampa): = 1 2

Ejercicio

EXPONENCIAL
Esta seal es de especial importancia pues es base de las seales sinusoidales en plano complejo: = . . /

PROPIEDADES DE LA FUNCION EXPONENCIAL

El valor de la funcin despus de transcurrir un tiempo igual a la constante de tiempo es el 37% del valor inicial. Despus de 3 constantes de tiempo el valor es el 5% del inicial, y despus de 5 es menor que el 1% del valor inicial. Nunca alcanza el valor cero La recta tangente a la exponencial en t =0 corta al eje de abscisas en t =

Grafica de la Exponencial

FUNCIONES SENOIDALES
Es una funcin cuya amplitud es de variacin cclica y peridica

Valor medio
rea comprendida entre las abscisas y la funcin, dividida para el tiempo del intervalo de evaluacin

VALOR MEDIO

VALOR EFICAZ

VALOR MEDIO Y EFICAZ

CALCULAR VALOR MEDIO Y EFICAZ DE

LA RESISTENCIA
Todos los dispositivos o elementos presentan un comportamiento (v, i) que constituye el comportamiento de voltaje respecto a la corriente y viceversa. Esa relacin puede ser cualesquiera, para cada voltaje le corresponde una corriente y un incremento de voltaje uno de corriente. As se puede establecer que la pendiente de la curva v, i constituye la resistencia del dispositivo para aquel valor de tensin

RESISTENCIA

Si la relacin v, i es lineal, la ecuacin representativa es: =

CONDENSADOR
RELACION CON LA RESISTENCIA

CAMPO ELECTRICO Y PERMITIVIDAD

Supongamos que tenemos una carga positiva en el vaco (por el momento), que genera un campo de fuerzas, verificado al colocar en su entorno una carga puntual positiva de prueba, de magnitud unitaria. Si representamos aquel campo de fuerzas por lneas que toman la direccin de la fuerza en cada punto (tangentes) y con magnitud proporcional a la densidad de lneas dibujadas, tendremos un dibujo como el indicado. A Este campo lo llamaremos campo elctrico y lo representaremos por : = donde la Fuerza est dada por Coulomb: . = 40 2 Estar claro que alrededor de la carga el campo es de igual magnitud a distancia igual; es decir , la densidad de lneas de campo elctrico es igual a una distancia dada r. Puesto que el rea es la de la esfera (4 2 ) podemos decir que, siendo la densidad de carga q/4 2 ; entonces = 0 Si se trata de otro medio habr que sustituir 0 por del material utilizado.

Tablas de Permitividad

CAPACITANCIA PRINCIPIO FISICO

Recordando que: = . Entonces = . / Si hacemos . = entonces = C se mide en faradios= Coulomb/voltio

El condensador o capacitor es un dispositivo que por tener dos placas aisladas con un dielctrico (no conductor), no permite circulacin de cargas elctricas y toda carga que llega a sus terminales, por ejemplo de una pila o batera queda almacenada en sus placas, la presencia de cargas negativas (por ejemplo) en una de sus placas, obliga a desplazar cargas negativas de la otra placa por efecto del campo elctrico generado, la carga almacenada es proporcional al voltaje aplicado como lo es al campo elctrico establecido

EL CONDENSADOR
La corriente que ingresa al condensador est provocada por las cargas en movimiento; en consecuencia su valor ser de: = Sabiendo que = . Al derivar ambos miembros de la ecuacin obtendremos: = Y por tanto =

Las expresiones indicadas implican que las variaciones de voltaje no pueden se instantneas pues su derivada seria infinito y en consecuencia la corriente tambin tomara dicho valor lo cual no es posible
As mismo, si el voltaje en el condensador se vuelve constante; entonces, la corriente es cero

CONDENSADORES EN PARALELO

El voltaje V en los condensadores es el mismo e igual al condensador equivalente. Suponiendo cargas iniciales cero, la carga equivalente ser igual a la suma de las cargas de los condensadores: = 1 + 2 = 1 + 2 = 1 + 2 = 1 + 2

CONDENSADORES EN SERIE

En los condensadores en serie el voltaje total V es la suma de los voltajes de los condensadores; la carga es la misma puesto que se desplaza en igual cantidad del terminal inferior de C1 al superior de C2 (suponer cargas iniciales cero) 1 1 = 1 + 2 = + = ( + ) 1 2 1 2 1 1 1 = + 1 2

Voltaje y Corriente en un condensador

De la expresin Se puede obtener la relacin 1 =

= 1 = q =

En el numerador de esta expresin (carga) la integral aparece desde a , que podemos dividir en tiempo de inicio (desde a 0, que constituye carga inicial) y de funcionamiento (desde 0 a ) =
0

0 +

Esta relacin matemtica puede escribirse : 1 = 0 +

Cuya interpretacin es que el voltaje en el condensador se agrega al voltaje inicial debido a la carga de inicio del condensador o lo que es lo mismo , que un condensador puede representarse como una fuente de voltaje constante en serie con un condensador sin carga

CIRCUITO R-C (a)

En el circuito de la figura, en el tiempo t=0, el interruptor cambia de posicin desde conexin a tierra, a la fuente; por lo cual la carga inicial es cero; la fuente es una seal escaln que en t=0 toma el valor Va. La ecuacin de malla es: = + Pero = Por tanto: Va = + La ecuacin homognea es: 0 = Que puede escribirse como: +

Integrando los dos lados de la ecuacin ln = + 1 Que corresponde a la solucin:

= 1 =

CIRCUITO R-C (b)

La solucin general es la solucin de la ecuacin homognea ms una solucin particular; en el caso del condensador, sabemos que cuando haya pasado un tiempo muy grande la corriente ser cero lo cual dice que el voltaje del condensador es Va para = : = En consecuencia = + = + Para el caso presente, en t=0 el condensador no tiene carga alguna puesto que la inicial es cero; en consecuencia, el Vc=0; por tanto: 0 = 0 + = y la solucin general para Vc ser: = (1
)

El voltaje en la Resistencia es igual al voltaje de la fuente menos aquel del condensador =

Grficas de la Solucin

SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P

Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 5.

Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio dopado con tomos de valencia 3.

Semiconductores

Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera.

Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo. En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

Representacin grfica

Semiconductor tipo n

Semiconductor tipo p

Diodo de unin sin polarizacin

Zona de DEPLEXIN

Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexin".

BARRERA DE POTENCIAL

Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al equilibrio. El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale: 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

POLARIZACIN DIRECTA

La corriente circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn. Tras abandonar el terminal negativo de la fuente el electrn entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.

Polarizacin Inversa

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la W se ensancha. A mayor anchura de la W ser mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin. A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la W Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que haya pequeas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los que estn en la W pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente. La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la temperatura. Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensin de la pila (V VP). Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

Diodo zener

El transistor bipolar. Conceptos bsicos

EL TRANSISTOR: MODELO

BJT EJEMPLO

REGIONES DE TRABAJO DEL BJT

CONEXIONES FRECUENTES

CARACTERISTICAS DEL BJT

EMISOR COMUN

REGION ACTIVA EMISOR COMUN

CURVA CARACTERISTICAS DE ENTRADA Y SALIDA

CORTE EN EL BJT

Otro modelo

Modelo mas preciso

SATURACIN EN EL BJT

REGION INVERSA EN EL BJT

RESUMEN BJT EN DC

CONEXIONADO

GRAFICA: PUNTO DE TRABAJO

EN VALORES

CON Vi=0

Continuacin

BJT en rgimen dinmico

BJT en conmutacin

Anlisis: inversor
El circuito de la figura 7.14 puede analizarse desde esta perspectiva. Este circuito recibe el nombre de inversor (o puerta NOT) porque la tensin de salida es "alta cuando la de entrada es "baja" y viceversa. Para entrada "baja" (prxima a cero voltios) el transistor trabaja en la regin de corte y entonces vo es igual a VCC. Para entrada "alta" (prxima a VCC) el transistor trabaja en modo saturacin y vo es prxima a cero (0,2 V). Sin embargo, este comportamiento no es del todo exacto. En efecto, considrese el circuito de la figura 7.14 y supongse que la tensin Vi conmuta entre 0 y 5 V segn se indica en la figura 7.19. Si el anlisis de continua fuera vlido, la tensin de salida vo sera la indicada en la figura con trazo discontinuo. En realidad, la salida que se observa es la indicada con trazo continuo. Ntese que la salida alcanza los valores previstos por el anlisis de continua despus de transcurrido un cierto tiempo. Es el denominado retardo de propagacin. Este retardo es debido a las capacidades Ce y Cc del transistor bipolar. El anlisis cuantitativo de la respuesta del circuito inversor es complicado debido a que las capacidades dependen de las tensiones VBE y VBC. Por esta razn suele realizarse mediante el uso de programas de anlisis de circuitos con ordenador. En el ltimo apartado de este captulo se presenta un ejemplo de dicho anlisis.

Anlisis con circuito equivalente

Sin embargo, puede llevarse a cabo un estudio cualitativo de su comportamiento sustituyendo el transistor por su circuito equivalente (figura 7.20). Supngase que Vi es 0 V durante un tiempo largo, de forma que Ce est descargado y Cc cargado a VBC = 5 V. Cuando Vi conmuta a 5 V, el condensador Ce inicia su carga y la tensin vBE empieza a aumentar desde su valor inicia nulo. El aumento de esta tensin provoca el de Ict, que inicialmente era nula, lo cual provoca, a su vez, la disminucin de vo debido a la cada de tensin en la resistencia RC. Al cabo de cierto tiempo, la corriente Ict toma el valor suficiente para que la cada en RC sea de casi 5 V. Al final de este proceso, el condensador Ce se ha cargado a una tensin de unos 0,7 V, y el condensador Cc a unos 0,5 V (vBC = vBEvCE). Esto explica el transitorio de conmutacin desde el valor alto de salida a su valor bajo. Cuando la entrada conmuta de nuevo a 0 V, la carga de los condensadores mantiene, durante un cierto tiempo, unas tensiones vBE y vBC positivas que, a su vez, mantienen un valor elevado de lacorriente por RC. Slo cuando Cc y Ce se han descargado suficientemente, las corrientes Ibe e Ibc disminuyen y tienden a su valor final. Los tiempos de retardo acabados de analizar (transitorios de conmutacin) impiden que el circuito inversor funcione correctamente en altas frecuencias. En la figura 7.21 se muestra la salida del circuito inversor cuando la frecuencia de conmutacin de la seal de entrada es elevada. En esta figura v(3) representa a vi y v(2) a vo.

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Equivalente Thevenin y Norton

La aplicacin del principio de superposicin a un circuito lineal con varias excitaciones facilita la obtencin de circuitos equivalentes simples constituidos por una resistencia en serie con una fuente independiente de tensin (Thvenin) o una resistencia en paralelo con una fuente independiente de corriente (Norton). Considrese la figura a, que muestra una "caja negra" que contiene un circuito lineal, del que aparecen al exterior dos terminales A y B. Se trata de encontrar un circuito equivalente al encerrado en la "caja negra" y que sea lo ms simple posible. Tal como se estableci en el captulo anterior, ser equivalente cualquier circuito que presente entre A y B la misma caracterstica i-v. Para encontrar esta caracterstica i-v se conecta a la salida una fuente independiente de tensin v, y se calcula la corriente i que sale del circuito, suponiendo que ste contiene n fuentes independientes de tensin y m fuentes independientes de corriente, tal como se indica en la figura 3.4b. Debido al carcter lineal del circuito, la corriente ser una combinacin lineal (superposicin) de las n+m+1 fuentes independientes del circuito: 3.10 donde ai, bj y c son constantes. Cuando se anula el generador independiente v, la corriente que circula entre A y B se la denomina corriente de cortocircuito icc, ya que anular una fuente de tensin significa sustituirla por un corto circuito. De acuerdo con 3.10 esta corriente contendr todos los trminos excepto el ltimo: 3.11 As pues, la expresin 3.10 podr escribirse como: 3.12

Equivalente Thevenin y Norton

Para encontrar un circuito equivalente al considerado en 3.4a, debe buscarse un circuito que, "encerrado en una caja negra" como el anterior, con dos terminales externos A y B entre los que se conecte una fuente de tensin v, produzca una corriente i igual que la dada por 3.12. En la figura 3.5 se muestran los dos circuitos ms simples que cumplen esta propiedad: el equivalente Thvenin (3.5a) y el equivalente Norton (3.5b). Para el equivalente Thvenin:

3.13

que es idntica a la expresin 3.12 sin ms que hacer icc = vth/Rth y c = -1/Rth. Para el equivalente de Norton: 3.14

expresin tambin idntica a 3.12 si se hace icc = in y c = -1/Rn.

Resumen Thevenin y Norton

Las expresiones 3.12, 3.13 y 3.14 ponen de manifiesto la equivalencia entre los circuitos considerados. Sin embargo, existe un procedimiento ms simple que el indicado para calcular los parmetros vth, Rth, in, Rn. Como un circuito y su equivalente tienen la misma caracterstica i-v, deben tener el mismo comportamiento para cualquier valor de i y de v. En particular, cuando entre los terminales de salida hay un circuito abierto (i = 0), la tensin entre terminales debe ser la misma. En el circuito Thvenin esta tensin es vth, por lo que el circuito encerrado en la caja negra tambin debe presentar esta tensin. Anlogamente, si se cortocircuitaran los terminales de salida (v = 0), el anlisis del circuito Norton muestra que la corriente que circulara por el cortocircuito sera in, (si circulara corriente a travs de Rn la tensin entre los terminales de salida no sera nula como exige la presencia del cortocircuito), e idntica corriente debera circular por los terminales A y B cortocircuitados del circuito considerado. La expresin 3.10 muestra que si se anulasen todas las fuentes internas y slo se mantuviese el generador externo v, la corriente sera i = c.v. Aplicando el mismo principio a los circuitos Thvenin y Norton, las ecuaciones 3.13 y 3.14 muestran que i = -v/Rth y i = -v/Rn. Como la corriente debe ser la misma en los tres casos, es obvio que Rth = Rn = -1/c. La forma prctica de hallar esta resistencia consiste en realizar el siguiente procedimiento: 1. Se conecta entre los terminales de salida una fuente independiente de tensin vx. 2. Se anulan todas las fuentes independientes internas (para anular icc en 3.12). 3. Se calcula la corriente ix que la fuente vx introduce al circuito. 4. Se calcula la resistencia haciendo: 3.15

Ejemplo Thevenin y Norton

En el circuito de la figura 5.13a el interruptor se cierra en t = 0. Hallar la tensin en bornes del condensador a partir del instante en que se cierra el interruptor. Cunto tiempo debe transcurrir desde que se cierra el interruptor para que la tensin alcance el rgimen permanente si el valor de C es de 1 mF?

Circuitos RC (ejemplo 1)

Con el interruptor abierto, la tensin en bornes del condensador es de 10 V, dado que la fuente de 10 V ha cargado el condensador. Por tanto su carga ser de 10C culombios. Cuando el interruptor se cierra, se puede volver a dibujar el circuito de la forma indicada en la figura b. Entonces la parte de circuito recuadrada puede sustituirse por su equivalente Thvenin, pero en el que el valor de la batera es de 15 V y el de la resistencia 5 kW. La solucin de este circuito, teniendo en cuenta que su carga inicial es q(0) = 10C, es: = 15 5 /
donde t = RC = 1mF.5kW= 5ms. Observar que la tensin evoluciona desde un valor inicial de 10 V hasta un valor final de 15 V.

El valor final de 15 V ser prcticamente alcanzado despus de unas tres constantes de tiempo, es decir, despus de unos 15 ms.

Ejercicio