SEMICONDUCTORES

Semiconductor

es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, C, Ge P, As, Sb Se, Te, (S)

Grupos 12 13 14 15 16

Electrone s en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e6 e-

SILICIO
Sus propiedades son intermedias

entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina es muy duro y poco soluble y presenta un brillo metlico y color grisceo. Tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos.

GERMANIO
Es

un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los cidos y lcalis.

Es un importante material semiconductor utilizado en

transistores y foto detectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.

SELENIO
El elemento selenio aparece en unos pocos minerales

como seleniuro, siendo el ms comn de ellos el seleniuro de plomo. Tambin se da combinado con azufre en numerosas menas de este elemento. Se obtiene generalmente como subproducto en el refinado de menas de sulfuro de cobre, aunque esta ltima fuente de obtencin es insuficiente para satisfacer la creciente demanda del elemento en la industria.

 El diamante es carbono cristalino, de

transparente a opaco, pticamente istropo. Es el material natural ms duro conocido, gracias a su enlace covalente. Los diamantes azules que contienen boro son semiconductores de tipo P; si se encontrara un diamante semiconductor de tipo N, se podran construir circuitos elctricos de diamante. Hay investigaciones en este mbito, pero no se han obtenido resultados concretos. En 2002, la revista Nature inform de que un grupo de investigacin haba logrado depositar una fina capa de diamante sobre un sustrato tambin de diamante, lo que implica que es un paso importante si se quieren construir circuitos con este material.

DIAMANTE

CADMIOun metal blanco El cadmio es

azulado, dctil y maleable. Se puede cortar fcilmente con un cuchillo. En algunos aspectos es similar al zinc. La toxicidad que presenta es similar a la del mercurio. Su estado de oxidacin ms comn es el +2. Puede presentar el estado de oxidacin +1, pero es muy inestable.

DOPAJE
El dopaje fue desarrollado originalmente por John

Robert Woodyard mientras trabajaba para la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.

Reyna Gonzlez Miranda I.

INTRODUCCIN

tomo: estructura
eeeeeN eeer e3er nivel de energa

r3 2o nivel de energa
r2 1er nivel de energa r1 Borde del ncleo

r= radio orbital

Teora de las Bandas

Los diversos niveles de valencia conforman la banda de valencia y los primeros niveles de excitacin estn englobados en la banda de conduccin. Ambas bandas estn separadas por un intervalo de energa prohibida que corresponde a la energa que debe recibir un electrn de la banda

de valencia para pasar a la banda de conduccin.

METALES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES

Bandas de energa
tomos de silicio
eeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeer3 r2 r1 Borde del ncleo 3er nivel de energa 2o nivel de energa

1er nivel de energa

Niveles de energa de los tomos

Banda de conduccin

Si

Si

Si
Banda de valencia

Si

Si
Cristal de silicio

Si Bandas de energa del cristal

 En los materiales aisladores, el intervalo es grande,

mientras que en los semiconductores es relativamente estrecho. En los conductores las bandas de valencia y de conduccin se solapan en la realidad.

Banda de conduccin vaca Banda de

Banda de conduccin vaca

6 eV

Banda prohibida

conduccin

Banda prohibida

1 eV

Banda de valencia
Banda de valencia llena Banda de valencia llena

Aislante

Conductor

Semiconductor

Banda prohibida en elementos semiconductores

A 20C

Elemento

Banda Prohibida Eg, eV

Fraccin de electrones de valencia con energa > Eg

1/30 X 10^21 1/10^13 1/10^10 1/5 000

Conductividad , ^-1 * cm^-1

C (diamante) Si Ge Sn

6 1.1 0.72 0.08

<10^-18 5 X 10^-6 0.02 10^4

En un semiconductor la banda prohibida es tal que un nmero til de electrones que pueden brincar desde la BV llena hasta la BC vaca.

Semiconductor Intrinseco
Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni

defectos en su red se denomina intrnseco. A 0 K su BV est llena de electrones, su BC est vaca. A temperatura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la agitacin trmica rompe algunos enlaces que quedan incompletos. Cada enlace roto crea un par de portadores, electrn y hueco.

 Los electrones que alcanzan la BC pueden ser

acelerados pasando a niveles de energa mayores y producir corriente elctrica. Al mismo tiempo los huecos dejados por electrones en la BV se comportan como portadores de carga positiva. En un hueco de un tomo en presencia de E aplicado, este hueco puede ser ocupado por un electrn de la BV de un tomo vecino que es atrado por el campo.

 El hueco se mover en direccin contraria al

movimiento de los electrones, o sea, en direccin del campo aplicado. De este modo a la corriente elctrica contribuyen tanto los electrones de la BC como los huecos de la BV.

Conduccin intrnseca
C, Si, Ge
Si Si Si

Grupo IV de la tabla 0K peridica 1s2

Si

Si

Si

2s2 2p2

3s2 3p2 3d10

4s2 4p2
Si
Si

Si

Faltan 4 electrones en la ltima capa

Conduccin intrnseca

Si

Si

Si

0K

+ Si Si Si

300K
Hueco

Electrn
Si Si Si

Accin del campo elctrico

Si Si Si + Si

+
Si Si Si

+ +

+ Si Si

+ + +

Accin del campo elctrico

Conclusiones: La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES La temperatura afecta fuertemente a las propiedades elctricas de los semiconductores:

mayor temperatura

ms portadores de carga

menor resistencia

Semiconductores Extrinsecos
Como es sabido, la estructura reticular de los

semiconductores intrnsecos usuales, es tal que cada tomo es centro de un tetraedro, y se encuentra unido por enlaces covalentes a otros cuatro tomos situados en los vrtices de dicho tetraedro. Cada enlace est formado por un par de electrones y los cuatro enlaces forman un octeto de electrones que rodean cada tomo.

 Los semiconductores extrnsecos se caracterizan,

porque tienen un pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est dopado.

 Cuando a un cristal de cualquier elemento (Si) le

introducimos un tomo distinto pero que sea pentavalente (Sb) sobra un electrn que no es necesario para producir los enlaces en la estructura cristalina. Una pequea energa ser suficiente para soltarlo del tomo introducido y convertirlo en el electrn de conduccin. Slo con la energa correspondiente a la temperatura ordinaria para que los electrones sobrantes del Sb queden sueltos eliminando los propios huecos existentes por la propia continuidad del cristal y quedando al final una conduccin elctrica producida slo por lo electrones, el Sb queda entonces cargado positivamente y recibe el nombre de dador.

 Cuando se dopa el Si con un tomo trivalente, por

ejemplo el Aluminio (Al) el proceso es anlogo. Aqu hay un puesto vacante que puede ser ocupado por un electrn con lo que resulta un hueco. Al tomo introducido (Al) se le llama aceptor y al mecanismo de conduccin. De lo dicho anteriormente podemos deducir que el tipo de conduccin depende de los portadores de cargas libres que se encuentran y no del cristal, este en conjunto permanecer neutro.

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar

impurezas

en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.

impureza
Sustancia o conjunto de sustancias extraas a un

cuerpo o materia que estn mezcladas con l y alteran, en algunos casos, alguna de sus cualidades.

Implantacin de iones
La implantacin de iones es un proceso propio de

la ingeniera de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro slido, cambiando por tanto las propiedades fsicas de ste ltimo.

 La implantacin de iones es utilizada en la fabricacin

de dispositivos semiconductores y en el revestimiento de algunos metales, as como en diversas aplicaciones orientadas a la investigacin en ciencia de materiales.

 Sistema de implantacin de iones en las instalaciones

del Laboratorio de Anlisis y Arquitectura de Sistemas (LAAS) de Toulouse, Francia.

Para que sirve dopar?

La idea de dopar un semiconductor es variar sus propiedades elctricas.
Los metales conducen a base de tener electrones sueltos en su capa superior. Cuando se fabrican semiconductores, se buscan generalmente de dos tipos, P y N.

Dopaje en tipo P
Los de tipo P son dopados con otros elementos para

que les falten electrones, lo que normalmente se denominan huecos en electrnica.

DOPAJE EN TIPOS N
Los de tipo N se dopan para tener electrones de ms.

 La gracia est en controlar cundo los electrones

pasan de un lado a otro y mediante el estudio de estar interacciones lograr las diferentes propiedades de los circuitos normales utilizando simplemente trozos de metal, de ah que puedan ser tan pequeos.

 Para los semiconductores del Grupo

IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio

Los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V

Grupo III, llamados TRREOS

Galio
Se emplea en la construccin de circuitos integrados y

dispositivos como diodos lser y LED. Se utiliza para dopar semiconductores y construir transistores.

GRUPO V
Bismuto: se utiliza en algunas aleaciones y
algunos de sus compuestos se emplean como cosmticos, en aplicaciones farmacuticas y dopante para semiconductores

El Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio.

Arsnico
El Arsnico es uno de los ms txicos elementos que pueden ser encontrados. Debido a sus efectos txicos, los enlaces de Arsnico inorgnico ocurren en la tierra naturalmente en pequeas cantidades. Los humanos pueden ser expuestos al Arsnico a travs de la comida, agua y aire. La exposicin al Arsnico inorgnico puede causar varios efectos sobre la salud, como es irritacin del estmago e intestinos, disminucin en la produccin de glbulos rojos y blancos, cambios en la piel, e irritacin de los pulmones. Es sugerido que la toma de significantes cantidades de Arsnico inorgnico puede intensificar las posibilidades de desarrollar cncer, especialmente las posibilidades de desarrollo de cncer de piel, pulmn, hgado, linfa.

Son utilizados para dopar al Silicio.

Ezequiel Iiguez rodrguez

Semiconductores tipo N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Es necesaria muy poca energa para ionizar el tomo de Sb

Impurezas del grupo V de la tabla peridica (Sb):

Si Si Si

1s22s22p63s23p64s2 3d104p65s24d105p3

Si

Sb Si

Si

+
+ Si Si Si

Faltan 3 electrones en la ltima capa

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus terminales, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo n

Tenemos muy pocos tomos de impurezas (+5) en comparacin con los tomos normales de Silicio (+4). Como se impurifica muy poco, los tomos de +5 estn muy alejados y no se influyen entre si, pudiendo tener electrones de tomos diferentes la misma energa y por lo tanto estn todos al mismo nivel. Esa energa que tienen se llama "Energa del tomo Donador" (ED).

En cuanto se le de una pequea energa los electrones suben a la BC y se convierten en libres.

BV: banda de valencia BC: banda de conduccin

Semiconductores tipo P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....
.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar.

Es necesaria muy poca energa para ionizar el tomo de Al +

Si

Si

Si

Al: aluminio Impurezas del grupo III de la tabla peridica: 1s22s22p63s23p1

Si

Al Si

Si

Faltan 5 electrones en la ltima capa

Si

Si

Si

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo p

En este caso las impurezas son tomos de +3, y como en el caso anterior hay muy pocos y estn muy alejados por lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo nivel energtico. Esa energa es la "Energa del tomo Aceptor" (EA).

A 300 K (27 C) o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes es despreciable.

Unin P-N
Exceso de electrones y de huecos en un semiconductor N y en uno P
-

+ +

+ +

+ + + +

+ + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN .
Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante.

UNIN P-N
Los diamantes Azules tipo (2b) que contienen impurezas de Boro son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. Cuando se introducen en uno de los extremos de un semiconductor impurezas de tipo P y en el otro impurezas de tipo N, de forma que una zona del cristal pueda considerarse aceptadora y otra donadora, se forma una unin PN, en un principio se diria que se formaria un conductor por ser la union de dos semiconductores extrinsecos, y no sucede eso sino algo diferente que se
muestra a continuacion.

UNIN P-N
La diferencia de concentraciones a uno y a otro lado de la unin provoca el efecto de difusin y como consecuencia se forma progresivamente un campo elctrico en las cercanas de la unin que se opone al efecto de difusin. Con el tiempo, el campo elctrico y difusin se equilibran resultando en las proximidades de la unin , una zona llamada zona de transicin. Debido a la gran diferencia de concentracin de portadores del mismo tipo entre una y otra zona , se producir el efecto de difusin, pasando los electrones de la zona N a la P y los huecos de la zona P a la N.

Cuando se alcanza el equilibrio, los efectos de campo y difusin se ajustan entre si para que la corriente neta a travs de la union sea nula.

UNIN P-N
Zona de transicin
+ + + + + + +

+ +

+ + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

Unin P-N polarizada directamente

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n). En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico, a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se
reduce la anchura de la zona de transicin.

Unin P-N polarizada directamente

Unin P-N polarizada directamente

P
-

+ +

+ +

N
+

+
+

+
+ +

+ +
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensin directa

Unin P-N polarizada directamente

P
-

+ +

Concentracin de huecos
+

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unin.

+ +

+ +
+

+ + + + +

Concentracin de electrones

Unin P-N polarizada inversamente

Una unin p-n est polarizada inversamente cuando a la regin p se le aplica un potencial menor que al de la regin n. Se conecta el polo negativo de la batera a la zona p y el polo positivo a la zona n. Con la unin p-n polarizada en inversa se observa lo siguiente: Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n) de ambas regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando la
anchura de la zona de transicin.

Unin P-N polarizada inversamente

Unin P-N polarizada inversamente

P
-

+ +

+ +

+ + + +

+ + + + +

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay circulacin de corriente por parte de los mayoritarios.

Unin P-N polarizada inversamente

P
-

+ +

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa hay circulacin de corriente por parte de los minoritarios Corriente inversa muy baja.

- -

+ +

+ + + +

+ + +

Arturo Castaeda

Los materiales semiconductores El diodo, el transistor y muchos otros componentes electrnicos estn hechos con materiales semiconductores. Los mas utilizados son el silicio y el germanio.

Los tipos de Union de semiconductores son:

DIODOS (Estructura PN y NP)
TRANSISTORES (Estructuras PNP y NPN) TRISTORES (Estructura PNPN) TERMISTORES

Diodos: Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de un aislante. Un diodo semiconductor consta esencialmente de materiales semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto entre s(estos son los llamados diodos de unin); adems tienen gran flexibilidad de aplicacin y pueden utilizarse en todas aquellas aplicaciones en las que actualmente se emplean los rectificadores metlicos secos y los diodos de vaco; y tienen algunas aplicaciones poco corrientes que les son exclusivas.

Diodos:
La ventaja de utilizar un diodo semiconductor en su reemplazo es que generalmente es menor, ms eficaz y trabaja a frecuencias notablemente superiores que el tubo de vaco o el rectificador metlico seco, y no requiere energa para el filamento, como en el caso del tubo de vaco. Las caractersticas de un diodo ideal son exactamente las de un interruptor simple, excepto por el hecho importante de que un diodo ideal puede conducir en solo una direccin. Uno de los usos primarios de los diodos consiste en cambiar corriente alterna a corriente continua.

El dispositivo semiconductor mas simple es el diodo. Est hecho por la unin de un material semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de los diodos de Silicio.

Un diodo es un componente electrnico que permite el paso de la corriente en un sentido y lo impide en el contrario. Esta provisto de dos terminales, el nodo (+) y el ctodo (-) y, por lo general conduce la corriente en el sentido nodo- ctodo.

Diodos LED(Diodo Emisor de Luz). Es un tipo de diodo que convierte en luz toda la energa elctrica que le llega, sin calentarse. Los diodos LED estn polarizados es decir solo iluminan cuando estn conectados correctamente al generador de corriente. Los LED funcionan con intensidad comprendida entre 10 y 20 mA.

Representacin de un Diodo

Ejemplos:
LED: siglas en ingls de Light-Emitting Diode (Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin p-n del mismo y circula
por l una corriente elctrica. Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo xx en mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores.

Ejemplos:
LED

IRED

Transistores:
Son dispositivos que estan compuestos de un material semiconductor que pueden amplificar una seal, pero tambin pueden abrir o cerrar un circuito. Los transistores se han vuelto el principal componente de todos los circuitos digitales, incluidas las computadoras. En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores microscpicos. Los antecesores de los transistores fueron los circuitos digitales estaban compuestos de tubos vacos, lo cual tena muchas desventajas.

Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, controla el paso de corriente atreves del transistor.

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones: - Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de mando. - Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, computadoras, lmparas fluorescentes, telfonos celulares, etc.

Tiristor :

Eran ms grandes, requeran ms memoria y energa, generaban ms calor y eran ms propensos a fallas. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que tienen una base o capa central mucho ms delgada que las otras dos. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: *Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) *Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) *Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) *Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Ejemplos:

Tiristor :
Es un componente electrnico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores.

Tiristor :
Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.

Uso:

Alto Voltaje:
Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo.

Ejemplos:

Termistor:
Es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El trmino termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor.Existen en forma de dico, chip, arandela, barra y barra.

Existen dos tipos de termistor:

NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de

temperatura negativo temperatura positivo

PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de Son elementos PTC los que la resistencia aumenta cuando

aumenta la temperatura. aumenta la temperatura.

Y elementos NTC los que la resistencia disminuye cuando

Termistor:

Termistor: