CURSO: ELECTRONICA ANALGICA

TEMA 5: Introduccin Transistores. Transistores BJT.

Dr. Alejandro A. Castillo Atoche

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INTRO. TRANSISTORES
Los Transistores son dispositivos semiconductores que pueden controlar el flujo de corriente elctrica. La gran diferencia con respecto a los diodos es que los diodos no pueden amplificar el flujo de corriente o el voltaje.

INTRO. TRANSISTORES
Las dos familias ms importantes de transistores son: los transistores bipolares (BJT) y los transistores de efecto de campo (FETs). La gran diferencia entre ambas familias es que los BJT requieren de un flujo de corriente para funcionar y los FET solo requieren de un diferencial de voltaje en sus correspondientes terminales de control.

TRANSISTORES BJT
Los transistores BJT son dispositivos que contienen 3 regiones dopadas de silicio. Estas regiones pueden ser enlaces de 2 tipos: NPN o PNP.

TRANSISTORES BJT
Las siguientes figuras muestran como funciona el transistor. Ejemplo: configuracin NPN

CURVAS DE COMPORTAMIENTO

La regin de Saturacin se refiere a la regin donde el colector conduce el mximo flujo de corriente. La regin de corte indica cuando el transistor empieza a operar. Con una pequea cantidad de corriente entramos a la regin Activa de operacin.
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MODELO DEL TRANSISTOR BJT

MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Ejercicio: Sea un transistor NPN, con Vcc=10 V, VT=26mV, Ir=2x10-14, =200, iB= 5uA y T=27C. Encontrar VBE. y

RESUMEN TRANSISTOR BJT

RESUMEN TRANSISTOR BJT

MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Ejercicio 2: Sea un transistor NPN, con T=27C, =150, Vcc=12 V y VEE=-12 V. Si se quiere mantener la corriente del colector a 1.6 mA y VC= 4 V, Encontrar los valores de las resistencias si se sabe que VBE =0.7 V para IC=1.2mA.

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MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Sol. Ejercicio 2:

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MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Sol. Ejercicio 2:

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MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Ejercicio 3: Sea un transistor PNP, con T=27C, =150, Vcc=-12 V, VEE=12 V, RE=5 K y RC=3 K. Encontrar: VE, IE, IC, VC y IB. Opera el transistor en la regin activa???

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MODELO DEL TRANSISTOR BJT

Sol. Ejercicio 3:

S, porque el voltaje colector-base tiene polaridad inversa

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APLICACIONES BASICAS TRANSISTOR BJT

COMO INTERRUPTOR

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APLICACIONES BASICAS TRANSISTOR BJT

COMO AMPLIFICADOR

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CONFIGURACION DE EMISOR COMN

Este tipo de configuracin es la ms utilizada con los transistores BJT. Su nombre se deriva debido a que el emisor se encuentra conectado a la terminal de referencia.

IC = IQ representa la corriente ptima de la regin de Activacin

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CONFIGURACION DE EMISOR COMN: VENTAJAS

La aplicacin principal es la de amplificador de corriente y/o voltaje. La demostracin es la siguiente:
1. IC=IB 2. Aplicando LVK: VCC= VC + ICRC 3. Despejando VC= VCC ICRC=VCC (IB)RC Por lo tanto: VOUT = VC = ICRC
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CONFIGURACION DE EMISOR COMN: DESVENTAJAS

Los clculos realizados anteriormente para la configuracin de Emisor-Comn NO son reales ( caractersticas ideales).
- Los transistores bipolares tienen una transresistencia (pequea resistencia interna) en la regin del emisor igual a rtr= 0.026/ IE. - La configuracin es inestable porque rtr es inestable (flucta) y por lo tanto la ganancia es inestable. - Esta inestabilidad tiene una gran dependencia con la temperatura del circuito, esto es, a mayor temperatura mayor inestabilidad.
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CONFIGURACION DE EMISOR COMN: DESVENTAJAS

QUE OCURRE???
-Al incrementar la temperatura, VE y IC incrementan , VBE decrementa pero VB permanece fijo. Por lo tanto, la regin de deflexin disminuye y el transistor deja de operar. SOLUCIN: - Modificar la estructura y anexar una resistencia en el emisor. As, inclusive se puede controlar la relacin de ganancia como se presentar a continuacin.

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CONFIGURACION DE EMISOR COMN: DESVENTAJAS

SOLUCIN: -Considerando que RE y rtr estn en serie: Gain = RC /( RE + rtr ) pero si discriminamos rtr, entonces, Gain = RC /( RE ) .

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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

Esta configuracin es tpica para amplificar corriente, pero NO para amplificar voltaje. Esta configuracin pudiera parecer que no tiene utilidad, sin embargo, amplificar corriente tiene muchas aplicaciones importantes.

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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

Esta configuracin es tpica para amplificar corriente, pero NO para amplificar voltaje. Esta configuracin pudiera parecer que no tiene utilidad, sin embargo, amplificar corriente tiene muchas aplicaciones importantes.
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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

EJERCICIO. Disear un amplificador de colector-comn para una Rload=3K, VCC=10V, hfe=100 y f3DB para 100Hz.

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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

EJERCICIO contina. Disear un amplificador de colector-comn para una Rload=3K, VCC=10V, hfe=100 y f3DB para 100Hz.

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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

EJERCICIO contina. Disear un amplificador de colector-comn para una Rload=3K, VCC=10V, hfe=100 y f3DB para 100Hz.

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CONFIGURACION DE COLECTOR COMN

EJERCICIO contina. Disear un amplificador de colector-comn para una Rload=3K, VCC=10V, hfe=100 y f3DB para 100Hz.

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POLARIZACIN CON 1 MS FUENTES

Sol1: VB=1.6V, VE=1V Sol2: VB=8.7V, VE=8.1V

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APLICACIN ESPECIAL: REGULADOR DE VOLTAJE CON SALIDA DE TRANSISTOR

1. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

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APLICACIN ESPECIAL: REGULADOR DE VOLTAJE CON SALIDA DE TRANSISTOR

2. SOL 1

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APLICACIN ESPECIAL: REGULADOR DE VOLTAJE CON SALIDA DE TRANSISTOR

3. SOL 2

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OTRAS APLICACIONES

Cuando la base del transistor recibe el voltaje de control, el transistor se activa permitiendo el flujo de corriente del colector al emisor a travs de la bobina del relevador causando el cambio de estado del relevador. El diodo en esta aplicacin se utiliza para eliminar los picos de voltaje generados por el inductor del relevador.

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TRANSISTOR DARLINGTON

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TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

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TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

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TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

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RESUMEN
Los transistores bipolares son excelentes dispositivos para la amplificacin del voltaje y la corriente. Sin embargo hay algunos detalles que debemos tener en mente: La ganancia del transistor rige el comportamiento del dispositivo y esta no suele ser muy estable. Puede variar de 50 a 500 y vara dependiendo de los cambios efectuados en la corriente del colector, voltaje colector-emisor, y la temperatura. Debido a estas caractersticas, la construccin de circuitos (digitales) basados en esta tecnologa BJT No es recomendable. Adems, los BJT tienen limites en sus voltajes y corrientes de operacin, esto es, IC-max), VCB-max, VCE-max, etc. Si estos lmites son excedidos el transistor seguramente se daar. 38