INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

Centro de Innovacin y Desarrollo Tecnolgico en Cmputo

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA JFET

presenta: M. en C. Miguel Hernndez Bolaos

Mayo de 2010.

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA (JFET).

CARACTERSTICAS: El transistor de efecto de campo de juntura, JFET es el acrnimo de Junction Field Effect Transistor. El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje El FET tiene una resistencia de entrada extremadamente alta con un valor tpico de 100 M (la resistencia de entrada del BJT es de 2 k);

CARACTERSTICAS JFET, (Cont.)

El JFET es menos sensible al ruido que el BJT por lo que es apropiado para amplificadores de bajo nivel. Otra caracterstica importante es que el FET tiene una mejor estabilidad trmica respecto al BJT. La desventaja que tiene el FET respecto al BJT es que es ms susceptible a daarse con la electricidad esttica.

Construccin de los FETs y Simbologa

Existen dos tipos de FETs: canal n y canal p El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales donde una de ellas se utiliza para controlar el flujo de corriente entre las otras dos. Sus terminales son: Drenador(D), fuente(S) y compuerta (G).

Analoga del FET con una llave de agua

El funcionamiento del JFET puede ser anlogo a una llave de agua. La fuente de la presin del agua puede ser semejante al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecer un flujo de agua (electrones) desde la llave (fuente). La compuerta, por medio de una seal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el drenaje.

Voltajes aplicados al JFET

JFET en la regin VGS = 0 V y VDS > 0 V. La compuerta siempre se va a polarizar inversamente, es decir VGS va ir desde 0 V hasta el voltaje de oclusin Vp.
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Curvas caractersticas de transferencia para diferentes valores de VGS

Resumiendo el principio de operacin:

El transistor de efecto de campo es un dispositivo semiconductor, cuya operacin consiste en controlar el flujo de corriente a travs de un canal semiconductor mediante la aplicacin de un campo elctrico (voltaje) perpendicular a la trayectoria de conduccin.

Regiones de operacin del JFET:

Regiones de operacin del JFET :

REGIN HMICA: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS = 0 (rDS on), y distintos valores de VGS. REGIN DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS. REGIN DE CORTE: La intensidad de drenado es nula (ID = 0). REGIN DE RUPTURA: En esta zona no se debe operar el transistor, debido a que se corre el riesgo de daarlo. 10

Caracterstica de transferencia:

ID es la corriente del drenador (A). IDSS es la corriente del drenador a fuente en saturacin (A). VGS es el voltaje compuerta-fuente (V). 11 VP es el voltaje de oclusin del canal (V).

Polarizacin del JFET

La polarizacin de cd de un dispositivo FET requiere establecer el voltaje compuerta-fuente, el cual produce la corriente de drenador que se desea (ID). En un JFET la ID est limitada por la corriente de saturacin, IDSS

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Transconductancia de transferencia directa de fuente comn (gfs = gm)

gm = ID/VGS (mhos).

VDS = constante

Siemens

En pocas palabras gm es un factor que indica cuanto control tiene el voltaje de compuerta sobre la corriente del drenador. Cuanto mayor sea gm ms eficaz ser el control de VGS sobre la ID. gm = dID/dVGS = 2 IDSS(1 - VGS/VP)/(-VP) para VGS = 0 V se define gmo = 2IDSS/|VP| Por lo tanto gm = gmo (1 - VGS/VP) Donde gm es una indicacin de la amplificacin de la ca del JFET

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Ejercicio 9.3
Realizar los anlisis de CD y de corriente alterna del siguiente circuito, escribiendo el circuito equivalente para seal. Asimismo, determinar el Vo.

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Clculos parmetros de CD

Se obtiene la curva caracterstica transferencia. Se grafica le recta de autopolarizacin. El punto de interseccin es el punto de operacin del JFET.

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Anlisis en corriente alterna

Se cortocircuitan los capacitores y fuentes de CD. Se redibuja el circuito, empleando el c. equivalente.

Circuito equivalente del JFET.

Zin = RG1||RG2 ||RGS rd = RD||RL ZO = RD||RL = rd AV = -gmrd VO =AV Vin

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Anlisis en corriente alterna Se cortocircuitan los capacitores y fuentes de CD. Se redibuja el circuito, empleando el c. equivalente.

Circuito equivalente del ejercicio 9.3.

Zin = RG1||RG2 ||RGS rd = RD||RL ZO = RD||RL = rd AV = -gmrd VO =AV Vin

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GRACIAS POR SU ATENCIN

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