Comportamento eltrico dos materiais cermicos Condutividade inica

Objetivos:

Estudar o comportamento eltrico e inico dos materiais cermicos Ver exemplos das aplicaes das cermicas

ionicamente condutoras.

Comportamento Eltrico das Cermicas

Comportamento Eltrico das Cermicas

EXISTE UMA GRANDE DIVERSIDADE DOS MATERIAIS CERMICOS : Maioria so Isolantes;

Alguns so semi-condutores;

Poucos so condutores.

Condutividade Eltrica (s )

Condutividade Eltrica (s )

determinada pelo nmero de transportadores de cargas (n), carga transportada por cada carregador (q) e a mobilidade das espcies transportadoras (m), ou carregadores.

Condutores Eltricos

Condutores Eltricos
A maioria dos metais, alguns cermicos e poucos polmeros (orgnicos) recaem na categoria de CONDUTORES ELTRICOS. A maioria dos materiais CERMICOS so

ISOLANTES ELTRICOS, bem como os

materiais polimricos.

Condutores Eltricos

Alguns materiais cermicos apresentam comportamento intermedirio e possuem um nvel moderado de condutividade e so chamados de SEMI-CONDUTORES.

A maioria deles so CERMICAS

COVALENTES

Condutores Eltricos
Material Condutor metlico Cobre Ferro Tungstnio Semi-condutores SiC B4C Ge Fe3O 4 Isolantes SiO2 Porcelana (Steatita) Al2O3 Si3N4 Teflon Nylon > 1014 > 1014 > 1014 > 1014 1016 1014 10 0 40 10-2 1,7 . 10-6 10 . 10-6 5,5 . 10-6 Resistividade (ohm.cm)

Condutividade Eletrnica

Condutividade Eletrnica

Banda de energia est vazia ou cheia a condutividade eletrnica ZERO. Banda parcialmente preenchida chamada

de BANDA DE CONDUO.

Condutividade Eletrnica

Acontece predominantemente nos metais onde os transportadores so eltrons que se movem atravs da BANDA DE CONDUO.

Condutividade Eletrnica

Excitao de um eltron (por um campo eltrico pex.) para a banda de conduo

Condutividade Eletrnica

A condutividade eletrnica tambm aparece em alguns cermicos xidos de metais de transio (ReO3, CrO2, TiO e VO) que possuem uma superposio de orbitais incompletos d e f formando a banda de conduo.

Condutividade Eletrnica

Nos isolantes e semi-condutores existe um GAP de energia entre a camada mais externa preeenchida por eltrons (BANDA DE VALNCIA COMPLETA) e banda vazia adjacente (BANDA DE CONDUO).

Condutividade Eletrnica

Nesses materiais esse GAP impede o fluxo de eltrons entre a banda de valncia e de conduo, no havendo conduo eletrnica.

Condutividade Eletrnica

Para um isolante ou mesmo um semicondutor a energia

necessria para excitar um eltron muito grande normalmente vindo de calor ou luz

Condutividade Eletrnica

ISOLANTES: O GAP muito grande e os eltrons no saltam. SEMI-CONDUTORES: O GAP pequeno e

os eltrons podem saltar em alta temperatura e alta voltagem.

Condutividade Eletrnica

SEMI-CONDUTORES: So materiais covalentes em geral do grupo IV (Si, Ge) e compostos formados entre os grupos III e V (GaAs, PbTe, PbS). Para serem teis em temperatura ambiente devem

ser DOPADOS (Resistividade entre 10-2 e 102 .cm).

Condutividade Eletrnica
SEMI-CONDUTOR tipo p 3+ ao Si4+ onde cada on de Adicionando-se Al

alumnio contm uma valncia a menos quando substitui o silcio.

Como possuem raios atmicos semelhantes, grande quantidade de alumnio pode substituir o silcio gerando um vazio

eletrnico equivalente a uma carga positiva.

Condutividade Eletrnica

SEMI-CONDUTOR tipo n 5+ ao Si4+ resulta em um Adicionando-se P

eltron extra que fica livre para a conduo.

Condutividade Eletrnica
O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico. A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido. O terminal de comporta uma camada de polisilcio (silcio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante.

Exemplos: MOSFET

IGFET

Condutividade Eletrnica

Diodos de
Juno

Idealmente o dodo comporta-se como um condutor de sentido nico:a corrente s pode fluir do nodo para o ctodo, mas o fluxo de corrente controlado pela tenso aplicada aos seus terminais Os dodos so fabricados com material semicondutor. Tipicamente utiliza-se o silcio, embora tambm se possa utilizar o germnio

Exemplos de circuitos com dodos: Circuitos retificadores Circuitos limitadores de tenso Resultam da juno de silcio do tipo-P (silcio dopado com impurezas tri-valentes) com silcio do tipo-N (silcio dopado com impurezas penta-valentes)

Aplicao dos semicondutores cermicos em lmpadas de LED Light Emitting Diode

Os LEDs consistem de chips de material semicondutor dopado com impurezas para criar uma juno p-n (diodo). A corrente flui do lado p (anodo) para o lado n (catodo). Eltrons (-) e buracos (+) fluem para a juno com diferentes voltagens (eltrons viajam pela banda de conduo e buracos pela banda de valncia). Quando um eltron encontra um buraco emite energia na forma de um fton.

O comprimento de onda da luz emitida, e portanto sua cor, dependem da energia do GAP entre a banda de valncia e a de conduo

Condutividade Eletrnica
CONCEITO DE ISOLANTE: Quando a cermica no possui eltrons para

a conduo (ltimo nvel eletrnico est completo) e um GAP muito grande entre a banda completa e a vazia e tampouco possui defeitos suficientes (vazios) para possuir condutividade inica.

Condutividade Eletrnica

ISOLANTE: A elevao da temperatura, bem como a

elevao da quantidade de vazios diminui a

resistividade.

Condutividade Eletrnica

ISOLANTE: Aplicaes: isoladores de componentes e de

circuitos eltricos.

Como isolantes polarizveis para

capacitores como: BaTiO3, Al2O3, TiO2

As vrias estruturas em forma de bandas possveis em slidos

Condutividade Eletrnica
Influncia da temperatura: Com a elevao da temperatura a

condutividade diminui (aumenta a

resistividade), pois com o aumento da

vibrao trmica, aumenta o nmero de

choques entre as partculas.

Impurezas e deformaes a frio tem efeito

similar.

Condutividade Inica

Condutividade Inica

O transportador da carga eltrica o ON Em geral ocorre nas CERMICAS LIGADAS

IONICAMENTE.

Condutividade Inica
Os ons esto presos pela rede cristalina e pelas ligaes qumicas e para moverem-se necessitam de: ALTA TEMPERATURA (alta vibrao trmica

e defeitos)

DEFEITOS DE PONTO (interstcios vazios e vazios na rede)

Condutividade Inica

Condutividade Inica

Condutividade Inica

Controla-se a condutividade inica pela adio de ons de tamanho semelhante mas valncias diferentes (por exemplo Y+3-Itrio ou Sc+3 -escandio) para criar novos defeitos (vazios) do ion que se quer conduzir.

Condutividade Inica

Por exemplo a adio de CaO em ZrO2. +2 substitui um on Zr+4 e Onde um on Ca

gera um VAZIO de oxignio.

Com isso os oxignios podem mover-se em

temperaturas baixas quando um campo

eltrico aplicado.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio: consistem de um tubo de ZrO2 dopado com CaO e um eletrodo de platina porosa fora e dentro do tubo. A presso de oxignio interna do sensor

(pO2) conhecida e a externa no.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio so baseados na equao pO 2 RT E= ln 4F pO 2 ' Onde E= fora eletromotriz, F= cte. de

Faraday, R=cte. Universal dos Gases,

T=temperatura absoluta e pO2 e pO2' = as

presses em lados opostos da membrana de

ZrO2.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio Se pO = pO ' ento E = 0 2 2

Se pO2 pO2' ento E 0, quanto maior a medida.

diferena entre as presses maior a voltagem

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio Opera em T>600C.

Aplicaes:
Medidores de nvel de impurezas (O2) em Medida de teores de oxignio em

cilindros de gases inertes

processamento de alimentos e embalagens a

vcuo.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio para automveis Utilizados para reduzir o consumo de

combustvel e emisses poluidoras (combusto

completa).

As concentraes de O2, CO, NOx e

hidrocarbonetos no gs de exausto so

funes da razo AR/COMBUSTVEL da

mistura.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Sensores de Oxignio para automveis O controle de emisso timo ocorre para uma

razo de AR/COMBUSTVEL de aproximadamente 15, que a razo estequiomtrica.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Bombas extratoras de oxignio Utiliza uma diferena de potencial aplicado

para forar os ons de oxignio a se moverem por uma membrana de ZrO2 dopado e recoberto com platina porosa. O O2 entra em contato com o eletrodo poroso e recebe 4 e- para formar ons O2-.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Bombas extratoras de oxignio Pode obter oxignio com uma pureza de

99,999%; (Clula de Concentrao de Oxignio)

Pode ser removido de outro gs como na

purificao final do Nitrognio ou Argnio.

(Clula de Extrao do Oxignio)

Controle das presses parciais em misturas de

gases.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Purificao de Efluentes Gasosos Utilizando uma clula de eletroltica de zircnia

slida so decompostos os SOx (SO2, SO3) e os

NOx (NO2, NO3).

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Purificao de Efluentes Gasosos SOx (SO , SO ) e os NOx (NO , NO ) so 2 3 2 3

compostos nocivos ao meio ambiente.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Purificao de Efluentes Gasosos Em uma determinada temperatura e voltagem as

molculas se decompem em ons.

Os ons de oxignio so separados das

molculas conduzidos ionicamente pela

membrana de ZrO2.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Clulas de Combustvel de xidos slidos Operada em temperaturas entre 900 e 1000C. Grande diferenas de presso de oxignio entre o lado

externo (ar - alta) e lado interno (combustvel - baixa) da

membrana de ZrO2 dopada.

Os ons de oxignio difundem pela membrana, deixando eltrons do lado de fora, e combinam-se com o hidrognio do combustvel, do outro lado da menbrana.

Aplicaes das Cermicas ionicamente condutoras

Clulas de Combustvel de xidos slidos Possuem eficincia prxima a 80%, contra 25 a 35% dos motores de combusto interna.

SITES
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