0% нашли этот документ полезным
Загрузка
Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Документ
Analysis On RF Parameters of Nanoscale Tunneling Field-Effect Transistor Based On Inas/Ingaas/Inp Heterojunctions
Добавлено Radhay Spidy
Документ
Jang
Добавлено Radhay Spidy
Документ
A New Approach To Extracting The RF Parameters of Asymmetric DG MOSFETs With The NQS Effect
Добавлено Radhay Spidy
Документ
JNM 2283
Добавлено Radhay Spidy
Документ
A New Approach To Extracting The RF Parameters of Asymmetric DG MOSFETs With The NQS Effect
Добавлено Radhay Spidy
Документ
2pp MATLAB-Based Modeling To Study The Effects PDF
Добавлено Radhay Spidy
Документ
FRSFGDR
Добавлено Radhay Spidy