- ДокументSadao Adachiauth. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, And InGaAsPзагружено:Emerson Kohlrausch
- Документ9472761загружено:Emerson Kohlrausch
- ДокументMétodos de síntesis de nuevos materiales basados en metales de transición.pdfзагружено:Emerson Kohlrausch
- Документsrep24216загружено:Emerson Kohlrausch
- Документprojecao.pdfзагружено:Emerson Kohlrausch
- ДокументFabrication of CoTiO3-TiO2 Composite Films Fromзагружено:Emerson Kohlrausch
- ДокументDRXPolonio - Pg 158 - 6.7загружено:Emerson Kohlrausch
- Документ(International Union of Crystallography Monographs on Crystallography) R. a. Young-The Rietveld Method-Oxford University Press, USA (1995)загружено:Emerson Kohlrausch
- Документnnano.2008.2.pdfзагружено:Emerson Kohlrausch
- ДокументSurface Plasmon_dielectric Function Versus Wavelengthзагружено:Emerson Kohlrausch
- ДокументI - Miscibility Gap (MG) Between Two Liquid Metalsзагружено:Emerson Kohlrausch