Вы находитесь на странице: 1из 86

Министерство образования и науки Российской Федерации федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский педагогический государственный университет»

государственный университет» С. А. Рябчун, И. В. Третьяков, М. И.

С. А. Рябчун, И. В. Третьяков, М. И. Финкель, С. Н. Масленников, Н. С. Каурова, В. А. Селезнев, Б. М. Воронов, Г. Н. Гольцман

ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫЕ ТЕРАГЕРЦОВЫЕ СМЕСИТЕЛИ НА ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНАХ ИЗ ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК NbN

Монография

МПГУ

ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК NbN Монография МПГУ Москва – 2011

Москва – 2011

УДК 621.396.62

ББК 32.849

Ш645

Рецензенты:

доктор физико-математических наук, профессор кафедры теоретической физики факультета физики и информационных технологий МПГУ Коротаев О. Н.; кандидат физико-математических наук, профессор кафедры общей и экспериментальной физики факультета физики

и информационных технологий МПГУ

Елантьев А. И.

Ш645 Рябчун С. А. , Третьяков И. В. , Финкель М. И. , Масленни - ков С. Н., Каурова Н. С., Селезнев В. А., Воронов Б. М., Гольц- ман Г. Н. Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводни- ковых пленок NbN: Монография. – М.: МПГУ, 2011. – 86 с.

Монография посвященна обзору исследований тера- герцовых смесителей на горячих электронах из тонких сверхпроводящих пленок NbN. В работе дан обзор иссле-

дований полосы преобразования квазиоптического сме- сителя на горячих электронах с двумя каналами энергети- ческой релаксации – фононным и диффузионным, а также стабильности и флуктуационной чувствительности при- емника на основе таких смесителей. Монография охваты- вает большое количество оригинальных работ (в том числе

и автора монографии), посвященных исследованию тера-

герцовых смесителей на горячих электронах на основе тон- ких сверхпроводниковых пленок. Монография предназначена для студентов старших кур- сов, аспирантов и начинающих исследователей, работаю- щих в области создания устройств терагерцового диапазона.

ISBN 978–5-4263–0047–7

© МПГУ, 2011

© Оформление. Издательство «Прометей», 2011

Содержание

Введение

5

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОДИННЫЕ ПРИЕМНИКИ

ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА

14

1.1. Гетеродинные приемники на основе ДБШ и СИС

14

1.1.1. ДБШ смесители

14

1.1.2. СИС смесители

15

1.2. Смесители на горячих электронах

17

1.2.1. Эффект электронного разогрева в сверхпроводниках

17

1.2.2. HEB смесители с фононным каналом охлаждения

20

1.2.3. HEB смесители с диффузионным каналом охлаждения

24

1.2.4. Согласование HEB смесителя с входным излучением

24

1.2.5. Стабильность HEB приемника

27

ГЛАВА 2.ИЗГОТОВЛЕНИЕ HEB СМЕСИТЕЛЕЙ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК

36

2.1. Изготовление HEB смесителей

36

2.1.1. Квазиоптические HEB смесители

36

2.1.2. Волноводные HEB смесители

38

2.2. Зависимость сопротивления HEB смесителя от температуры

38

2.3. Полоса преобразования HEB смесителя

40

2.4. Стабильность HEB приемника

43

2.5. Температурное разрешение HEB приемника

45

ГЛАВА 3. ПОЛОСА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

КВАЗИОПТИЧЕСКОГО NBN HEB СМЕСИТЕЛЯ С ДВУМЯ КАНАЛАМИ ОХЛАЖДЕНИЯ

48

3.1. Параметры исследуемых HEB смесителей

48

3.2. Исследования полосы преобразования HEB смесителя при температуре сверхпроводящего перехода

51

3.3. Калибровка тракта ПЧ HEB приемника

54

ГЛАВА 4. СТАБИЛЬНОСТЬ И ТЕМПЕРАТУРНОЕ

РАЗРЕШЕНИЕ ВОЛНОВОДНОГО HEB ПРИЕМНИКА НА ЧАСТОТЕ 810 ГГЦ

58

4.1. СВЧ инжектирование

58

4.2. Исследование стабильности волноводного HEB приемника

62

4.3. Температурное разрешение волноводного HEB приемника в радиометрическом режиме

66

4.4. Температурное разрешение волноводного HEB приемника в спектроскопическом режиме

69

Заключение

72

Список публикаций авторов

74

Список

литературы

75

Список сокращений

84

Введение

Исследования в терагерцовой области спектра электро-

магнитного излучения (0,3 ТГц – 3 ТГц) являются важной задачей наблюдательной астрономии [1–4]. Определенные процессы в «жизненном цикле» межзвездного вещества,

в Млечном Пути и других галактиках имеют характерные

линии испускания и поглощения, лежащие в терагерцовой области. Молекулярные соединения такие, как CO, CS, SO,

SO 2 , HCO + , HCN, C, N + и C + , могут наблюдаться в этой части спектра электромагнитного излучения. Рождение звезды происходит в результате гравитационного коллапса межзвездных пылевых туманностей. В процессе коллапса основная часть энергии туманности переходит в электро- магнитное излучение терагерцового диапазона. Регистра- ция этого излучения с помощью приемников терагерцово- го диапазона и анализ полученных данных дают богатую информацию о плотности, температуре и других характе- ристиках этих туманностей, что необходимо для дальней- шего изучения эволюции звезд и планетных формирова- ний. Таким образом, наблюдения, проведенные в терагер- цовой области, могут способствовать лучшему пониманию явлений, протекающих в гигантских межзвездных молеку- лярных облаках и областях формирования звезд, а также дать информацию о различных процессах, протекающих

в Млечном Пути и других галактиках. Спектральная плот-

ность энергии электромагнитного излучения, испускаемо- го молекулярным облаком в терагерцовом диапазоне, при- ведена на рис. 1. На том же рисунке, для сравнения, по- казана спектральная плостность излучения черного тела при 30 K. Однако наблюдения в терагерцовой области спектра доволь- но затруднены, главным образом, из-за сильного ослабления электромагнитного излучения этого диапазона земной атмос- ферой, поэтому телескопы необходимо распологать в высоко- горных областях (RLT [1], SMA [5], ALMA [6]) или базировать на самолетах (SOFIA [7]), или запускать в космос (Herschel [8]).

На рис. 2 показано пропускание атмосферы в направлении на зенит на высоте 4200 м над уровнем моря (Mauna Kea, Hawaii). Как видно, на частотах выше 1 ТГц, даже в таком благоприят- ном для радиоастрономии месте, как Mauna Kea, атмосфера практически непрозрачная.

практически непрозрачная. Рис. 1. Спектральная плотность
практически непрозрачная. Рис. 1. Спектральная плотность

Рис. 1. Спектральная плотность энергии электромагнитного излучения, испускаемогомолекулярным облаком в терагерцовом диапазоне. Для сравнения, показана спектральная плостность излучения черного тела при 30 K

Рис. 2. Пропускание атмосферы в направлении на зенит на высоте 4200 м

Рис. 2. Пропускание атмосферы в направлении на зенит на высоте 4200 м (Mauna Kea, Hawaii)

Основными параметрами гетеродинных приемников яв- ляются шумовая температура и полоса преобразования. До недавнего времени, основными приемниками в терагерцо- вом диапазоне являлись приемники на диодах Шоттки (ДБШ), работающие в широком диапазоне температур [9–10]. Однако такие приемники требуют большой мощ- ности гетеродина (порядка нескольких милливатт), что трудно достижимо на частотах порядка 1 ТГц и выше из-за отсутствия мощных перестраиваемых твердотельных ис- точников излучения. В настоящее время на частотах ниже 1 ТГц безусловными лидерами являются смесители на туннельном переходе сверх- проводник-изолятор-сверхпроводник (СИС смесители) из-за их низкой шумовой температуры (несколько hν/k B ) и стабиль- ности по отношению к флуктуациям мощности гетеродина в время работы. Поэтому они широко используются в радио- телескопах, работающих в этом диапазоне (например, SMA [5], ALMA [6]). К сожалению, шумовая температура СИС смесителя резко возрастает, когда частота излучения приближается или превышает величину энергетической щели сверхпроводящего материала, из которого он изготовлен [12]. Смесители на эффекте разогрева электронов в резистив- ном состоянии сверхпроводников (hot-electron bolometer

(HEB) mixer) [13–15] были выбраны для терагерцовой астро- номии из-за того, что они не имеют частотных ограничений по механизму смешения [16, 17], обладают низкой шумовой температурой (менее 1 K/ГГц), и отностильно широкой по- лосой преобразования [18–22], и также, поскольку они тре- буют меньше мощности гереродина, чем смесители на дио- дах Шоттки (ДБШ смесители). Поэтому в гетеродинном инструменте для дальней ИК-области (Heterodyne Instrument for the Far-Infrared – HIFI), который запущен на борту кос- мической обсерватории Herschel HEB смеситель использу- ется для полосы частот 1 410–1 910 ГГц [8]. Два гетеродин- ных приемника, CASIMIR и GREAT, на основе HEB смеси- телей, работающих в частотных диапазонах 1,2–2,1 ТГц и 1,5–5 ТГц, будут запущены на борту самолетной обсерва- тории SOFIA [7]. HEB смеситель будет использован для наб- людений на частоте 1,8 ТГц в проекте воздушного базирова- ния TELIS [23]. Наземный телескоп APEX, расположенный в Северном Чили (Llano de Chajnantor) на высоте 5105 м над уровнем моря использует HEB смеситель для покрытия час- тотного диапазона 1250–1384 ГГц [24]. Receiver Lab Telescope, построенный в Гарвард-Смитсониевском астрофизическом

центре в настоящее время один из немногих наземных те- лескопов, работающих на частотах 0,8–1,5 ТГц. [25]. Про-

ект МИЛЛИМЕТРОН [26], разрабатываемый Астрокосми- ческим Центром ФИАН им. П. Н. Лебедева, будет использо- вать HEB приемники для проведения наблюдений на частотах выше 1 ТГц. Несмотря на неоспоримые преимущества HEB смесите- лей по сравнению с другими приемниками на частотах выше 1 ТГц, ведется поиск лучших характеристик – более низкой шумовой температуры и широкой полосы преобразования. В настоящее время полоса преобразования практических HEB приемников не превышает 4 ГГц. Что касается гетеро- динной спектроскопии, более широкая полоса преобразова- ния может позволить наблюдение нескольких относительно узких спектральных линий или одной широкой линии (на- пример, в случае быстро вращающегося объекта происходит допплеровское уширение линии) без необходимости пере- страивать частоту гетеродина, процедуры не только нежела-

тельной, но и иногда практически невозможной. В радио- метрах, в простейшем случае (см. обсуждение ниже), темпе- ратурное разрешение обратно пропорционально квадратному корню из полосы детектирования и улучшается при умень- шении шумовой температуры приемника:

T + T R А ∆ T = , (1) А B τ где T
T
+ T
R
А
T
=
,
(1)
А
B τ
где T A – температура антенны; T R – шумовая температура
приемника; B – полоса детектирования приемника; t – вре-
мя интег-рирования.
Таким образом, увеличение полосы детектирования/пре-
образования и уменьшение шумовой температуры являются
важными практическими задачами.
В реальности, для наблюдения большинства астрономи-
ческих объектов на терагерцовых частотах требование, чтобы
приемник имел низкую шумовую температуру, часто недос-
таточно для достижения нужного отношения сигнал-шум,
так как принимаемый сигнал обычно очень слабый. Эффек-
тивная температура антенны, соответствующая линии ис-
пускания в молекулярных облаках, часто на несколько по-
рядков ниже, чем шумовая температура приемника. Если
шум в системе полностью некоррелирован, то есть он белый,
тогда можно достичь любого отношения сигнал-шум просто
за счет увеличения времени интегрирования, так как в этом
случае вклад шума будет уменьшаться обратно пропорцио-
нально квадратному корню из произведения полосы при-
емника и времени интегрирования (см. формулу (1) выше).
Однако, обычно, в системе присутствуют другие виды шума,
именно 1/f (фликер) шум и дрейф, что делает увеличение
времени интегрирования бесполезным (в случае 1/f шума)
или вредным (дрейф). В настоящее время для HEB прием-
ников оптимальное время интегрирования (время Аллана)
меньше 1 с [27] и вопрос его увеличения остается открытым.
Эффект электронного разогрева реализуется в тонких
сверхпроводящих неупорядоченных пленках с малой длиной
свободного пробега электронов. В таких пленках, на малых
энергиях, преобладает электрон-электронный механизм ре-
лаксации энергии над электрон-фононным. Это приводит

к фермизации функции распределения электронов [28–31], то есть электронной подсистеме сверхпроводящей пленки можно приписать некоторую эффективную температуру. Быстродействие болометра на горячих электронах опреде- ляется временем релаксации электронной температуры, ко- торое зависит от материала сверхпроводника (в явном виде через время электрон-фононного взаимодействия и элек- тронную и фононную теплоемкости), а также от его геомет- рии (через время ухода неравновесных фононов в подложку, и время диффузии горячих электронов в контакты). Вообше говоря, переход пленки в резистивное состояние может произойти под воздействием ряда факторов: магнитного поля, внешнего высокочастотного излучения (не обязатель- но с частотой выше частоты, соответствующей энергетичес- кой щели сверхпроводника) или же высокой рабочей тем- пературы (порядка критической). Если на сверхпроводящую пленку падает электромагнит- ное излучение, то его энергия перераспределяется посред- ством электрон-электронного взаимодействия по электрон- ной подсистеме, вызывая повышение ее температуры. Энер- гия от разогретых электронов благодаря электрон-фононному взаимодействию переходит к фононам, причем неравновес- ные фононы, не нагревая фононной подсистемы, будут вы- ходить из пленки в подложку. Описанный канал охлаждения электронной подсистемы называется фононным и реализует- ся в случае «грязных» неупорядоченных пленок с малым вре- менем электрон-электронного взаимодействия. Быстродей- ствие в этом случае будет определяться электронной и фонон- ной теплоемкостями, временем электрон-фононного взаимодействия, а также временем ухода неравновесных фо- нонов в подложку. Ширина полосы преобразования HEB сме- сителей с фононным каналом охлаждения достигает 3,2 ГГц для волноводных смесителей [20] и 5,2 ГГц для квазиоптичес- ких смесителей [21]. Для чистых пленок с большим коэффициентом диффу- зии D электронов можно реализовать диффузионный канал охлаждения электронов [32]. В этом случае длина смеси- тельного элемента должна быть много меньше тепловой длины

(2)

где D – коэффициент дифузии материала; t Q – время релак- сации электронной температуры. Тогда горячие электроны будут уходить из смесителя в нор- мальные контакты до рассеивания на фононах. Ширина по- лосы преобразования смесителя с диффузионным каналом охлаждения обратно пропорциональна квадрату длины мости- ка и может достигать 9 ГГц [33]. Однако здесь имеется ряд трудностей, ограничивающих применение смесителя с диф- фузионным каналом охлаждения в практических приборах. Как было отмечено, для обеспечения широкой полосы преоб- разования длина смесительного элемента должна быть много меньше тепловой длины. Это значит, что тепловой домен, об- разующийся, например, при поглощении пленкой электро- магнитного излучения или при выделении джоулева тепла, будет быстро схлопываться, что приведет к тому, что вольт- амперная характеристика такого смесителя будет срывной. Оптимальная же по шумовой температуре область на вольт- амперной характеристике находится очень близко к точке срыва, а это означает, что приемник будет нестабилен. Далее, малость размеров смесительного элемента делает его весьма чувствительным к статическому электричеству. HEB может быть использован как смеситель благодаря тому факту, что изменение электронной температуры про- порционально поглощенной мощности, а она, в свою оче- редь, пропорциональна квадрату амплитуды излучения – отсюда возможность смешения. Таким образом, HEB сме- ситель осуществляет нелинейное инерционное преобразование частоты [34–36]. Высокая чувствительность такого смесителя обусловлена большой температурной крутизной сверхпрово- дящего перехода. Эффективность преобразования не зависит от объема смесительного элемента, который определяет лишь оптимальный уровень поглощенной мощности гетеродина. В силу того, что выходная мощность существующих твердо- тельных источников (лампы обратной волны и газоразрядные лазеры применяются в основном лишь в лабораторном экспе- рименте) составляет несколько микроватт [37], представляет- ся разумным уменьшать объем смесительного элемента.

L

th

D τ , Θ
D
τ
,
Θ

Большим достоинством HEB смесителей является то, что отклик сверхпроводящей пленки на падающее электромаг- нитное излучение является неселективным [16, 17], другими словами, смесители на электронном разогреве не имеют ограничений по спектральному интервалу. Кроме того, на частотах терагерцового диапазона импеданс смесителя явля- ется частотно независимым и чисто активным, что облегчает задачу согласования смесительного элемента с различными типами квазиоптических антенн. Расширение полосы преобразования НЕВ смесителей с фо- нонным каналом охлаждения может быть достигнуто либо пу- тем уменьшения толщины пленки [21], либо же путем исполь- зования подслоев для улучшения акустического согласования пленки и подложки [20]. В обоих случаях расширение полосы преобразования происходит за счет уменьшения времени ухо- да неравновесных фононов в подложку. Существует два способа согласования HEB смесителя с входным электромагнитным излучением: волноводный [38] и квазиоптический [39]. В случае волноводного согла- сования смесительный чип зажимается между двумя сек- циями волноводного смесительного блока. Фронтальная секция несет гофрированный рупор. Длина волновода в задней секции выбирается таким образом, чтобы обеспе- чить как можно лучшее согласование смесительного эле- мента с излучением. К сожалению, на частотах выше 1 ТГц изготовление смесительных блоков представляется очень трудной задачей, поэтому приходится использовать квази- оптическую схему согласования. В этом случае смеситель- ный элемент интегрируется с планарной антенной (лого- спиральной, логопериодической, двухщелевой), располо- женной в фокусе вытянутой полусферической или эллиптической линзы. Основные вопросы, которые обсуждаются в представлен- ной работе, перечислены ниже:

1. Возможно ли расширить полосу преобразования HEB

смесителей с фононным каналом охлаждения путем откры- тия дополнительного диффузионного канала;

2. Возможно ли улучшение стабильности HEB прием-

ника на основе смесителя с фононным каналом охлажде-

ния путем контролируемого инжектированя СВЧ излучения одновременно с излучением гетеродина;

3. Как провести прямые измерения температурного раз-

решения HEB приемника на основе смесителя с фононным каналом охлаждения в радиометрическом и спектроскопи- ческом режимах. В монографии собраны результаты исследований квази- оптических смесителей, изготовленных из пленок NbN тол- щиной 3,5 нм, напыленных на подложки из высокоомного Si, а также волноводных смесителей, рассчитанных на часто- ту гетеродина 0,8 ТГц и изготовленных из пленок NbN тол- щиной 3,5 нм, напыленных на подложки из кристаллическо- го кварца Z-ориентации с подслоем MgO.

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОДИННЫЕ ПРИЕМНИКИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА

1.1. Гетеродинные приемники на основе ДБШ и СИС

Новые концепции приемников вместе с улучшением тех- нологических возможностей их изготовления закономерно привели к значительному улучшению характеристик детек- торов, удовлетворяя требованиям работы в терагерцовом диапазоне частот. Преобразование частоты принимаемого излучения в ге- теродинных приемниках осуществляется за счет их нелиней- ности. Однако нелинейность сама по себе еще не является достаточным условием успешной работы приемника, и раз- личные классы детекторов имеют определенные ограниче- ния. В терагерцовой радиоастрономии, практическое при- менение для гетеродинных приемников в настоящее время нашли три типа смесителей: диоды на барьерах Шоттки (ДБШ смесители) и смесители на основе перехода сверхпро- водник-изолятор-сверхпроводник (СИС смесители) и сме- сители на основе эффекта электронного разогрева в сверх- проводниках (НЕВ смесители).

1.1.1. ДБШ смесители

В случае ДБШ смесителей, нелинейность вольт-амперной характеристики обусловлена барьером Шоттки на границе между металлом и полупроводником [18–20, 40]. По началу, туннельный переход в ДБШ смесителе создавался при по- мощи точечного контакта между заостренным металличес- ким вискером и полупроводником. Технологическая слож-

ность такой конструкции привела к применению фотолито- графической техники для прецизионного нанесения металла на полупроводник. Основное преимущество ДБШ смесите- лей состоит в возможности работы при комнатной темпера- туре. Однако большая требуемая мощность гетеродина (~5 мВт) делает необходимым использование громоздких газовых лазеров с оптической накачкой в ТГц диапазоне час- тот [19, 41], что не всегда приемлемо в условиях работы на борту спутника или самолета. Кроме того, чувствительность таких ДБШ приемников на порядок хуже СИС приемников [19]: шумовая температура (T R ) ДБШ приемника при ком- натной температуре на частоте гетеродина 585 ГГц составля- ла 1684 К при оптимальной поглощенной мощности гетеро- дина 1,6 мВт [18]; ДБШ приемник, работающий на частоте гетеродина 2,5 ТГц, имел T R ~ 9000 К при комнатной темпе- ратуре. Улучшение чувствительности ДБШ смесителей может быть получено при их охлаждении (до Т ~ 30 К) [42].

1.1.2. СИС смесители

Квантовая теория СИС смесителей была подробно раз- работана в работах [43, 44]. Как было показано, чувствитель- ность СИС смесителей ограничена лишь нулевыми кванто- выми флуктуациями, а значит, нижний предел шумовой температуры составляет hν/k B 48 К/ТГц. СИС смеситель является предельно чувствительным и быстродействующим, и не требует большой мощности гетеродина. Ширина полосы преобразования смесителя составляет несколько десятков ГГц [44], и на практике ширина полосы преобразования при- емника на основе СИС смесителя ограничивается лишь уси- лителем промежуточной частоты, обычно работающим в по- лосе 4–8 ГГц [45]. Практические СИС приемники имеют шумовую температуру, равную 3–5 квантовым пределам (hν/k B ) в диапазоне частот от 50 до 800 ГГц [45–48]. При такой высокой чувствительности приемника даже незначи- тельные потери в оптике (входном окне криостата, делите- ле луча и фокусирующих линзах) приводят к резкой дегра- дации их шумовой температуры и требуют дальнейшей про- работки конструкции. Существующий в СИС смесителях

джозефсоновский ток, создает избыточный шум, понижаю- щий чувствительность смесителя, поэтому для подавления джозефсоновского эффекта всегда используется постоянное магнитное поле [49]. На частотах близких к частоте, соответствующей энерге- тической щели сверхпроводника и выше, согласование СИС элемента с принимаемым излучением представляет опреде- ленные трудности, что приводит к ухудшению чувствитель- ности примника [50]. Как и всякий туннельный барьер, СИС смеситель имеет конечную емкость, которая шунтирует пере- ход на высокой частоте. В зависимости от используемого ма- териала, величина этой паразитной емкости на единицу пло- щади перехода составляет 50–70 фФ/мкм 2 [49]. В волновод- ных СИС смесителях паразитную емкость перехода можно, в приципе, компенсировать при помощи короткозамыкаю- щего поршня [51]. Неизбежные потери ВЧ мощности из-за зазоров между стенками волноводов и поршня инициировали применение интегральных пленочных структур, выполнен- ных на той же подложке, что и СИС переход, для внесения компенсирующей индуктивности. Как показано в работе [52], возможно компенсировать емкости двух СИС переходов пу- тем их последовательного соединения при помощи микро- полосковой линии, выполняющей роль дополнительной ин- дуктивности. Уменьшение зависимости входной полосы сме- сителя от величины емкости возможно путем применения СИС смесителей с распределенными парамет-рами [53, 54]. Для приемника с таким смесителем измеренное значение шу- мовой температуры составило 66 К (3 hν/k B ) на частоте гете- родина 455 ГГц и 210 К (7 hν/k B ) на частоте 630 ГГц [55]. Согласование СИС смесителя с принимаемым излучени- ем также затруднено вследствие низкого нормального сопро- тивления СИС перехода, которое составляет несколько Ом. Для увеличения сопротивления и тем самым улучшения со- гласования возможно использование цепочек последователь- но соединенных СИС переходов [56]. Однако такая цепочка работает эффективно, только если параметры всех составля- ющих цепочки близки, а это технологически непростая за- дача. Проблема ВЧ и ПЧ согласования может быть решена путем интегрирования на одном чипе СИС смесителя и ге-

теродина [57]. Построение балансного СИС приемника [58, 59] позволяет минимизировать оптические потери при пространственном соединении сигнала и гетеродина, а также исключить шумы гетеродина. Однако приемник будет ба- лансным только в том случае, если параметры смесительных элементов идентичны, что технологически трудно. Как предсказывает теория [44], шумовые характеристики СИС перехода резко ухудшаются, если частота гетеродина пре- вышает fmax = 4D/h (2D – энергетическая щель сверхпрово- дника), что составляет 1,3–1,4 ТГц для Nb, являющегося ос- новным материалом для туннельных контактов. Повышение рабочей частоты гетеродина возможно путем использования материалов с более широкой энергетической щелью, например NbN (f max = 2,4–2,5 ТГц) или NbTiN (f max = 1,5 ТГц) [60]. Для повышения рабочей частоты СИС смесителя также использу- ются интегральные согласующие элементы, изготовленные из несверхпроводящих материалов, например, Al. Для приемни- ков на основе Nb СИС смесителями с Al согласующей цепью значение шумовой температуры на частоте гетеродина 1 ТГц составило 1000 К (21 hν/k B ) [61, 62]. Из-за диссипации энергии в таких дополнительных цепях необходимо применение слож- ных сверхпроводниковых согласующих элементов из NbTiN/ /SiO 2 /Al с повышенным значением энергетической щели, что позволяет улучшить шумовую температуру приемника. Перечисленные ограничения применения СИС смесите- лей на частотах выше 1 ТГц с привлечением дополнительных элементов согласования могут быть исключены путем раз- вития альтернативной технологии смесителей, например смесителей на основе эффекта электронного разогрева в сверхпроводниках (НЕВ смесителей).

1.2. Смесители на горячих электронах

1.2.1. Эффект электронного разогрева в сверхпроводниках

Болометр на горячих электронах (hot-electron bolometer – HEB) можно рассматривать как совокупность трех подсис- тем, взаимодействующих друг с другом (рис. 3, a): электроны

и фононы в сверхпроводящей пленке и фононы в под- ложке [63].

пленке и фононы в под- ложке [63]. Рис. 3. Схемы: a) – схема процесса

Рис. 3. Схемы:

a) – схема процесса энергетической релаксации в сверхпроводящей пленке; б) – постоянные времени в NbN

В состоянии равновесия температуры всех подсистем оди- наковы. Электромагнитное излучение, поглощенное плен- кой, выводит подсистемы из равновесия. В дальнейшем предполагается, что частота излучения больше частоты щели в сверхпроводнике в резистивном состоянии. В этом случае излучение разбивает куперовские пары и равномерно пог- лощается нормальными электронами по всей пленке [64]. Как только установился стационарный режим, электронная подсистема может быть описана фермиевским распределе-

нием с температурой T e > T b , где T b температура ванны. Не- равновесные («горячие») электроны рассеиваются на тепло- вых колебаниях решетки за время порядка времени элек-

трон-фононного взаимодействия t

к повышению температуру решетки (температуры фононов)

. Решетка в свою очередь может либо отдать эту избыточ-

ную энергию обратно электронной подсистеме за время по- рядка времени фонон-электронного взаимодействия t phe или передать ее подложке за время порядка времени ухода не- равновесных фононов в подложку t esc . В качестве примера на рис. 3, б приведена диаграмма энергетической релаксации для пленки NbN и указаны соответствующие постоянные времени. Помимо взаимодействия с фононами неравновес- ные электроны могут диффундировать из пленки в контакты.

, что приводит

eph

T ph

Это возможно, Однако только в том случае, если материал контактов нормальный, в противном случае электроны будут андреевски отражены [64], и на границе между пленкой и контактами отсутствует энергетический барьер, созданный, например, слоем окисла. Если диффузия имеет место, то ка- кой из двух процессов будет доминировать с точки зрения энергетической релаксации зависит от геометрии устройства. Рассмотрим сначала сверхпроводящую пленку, которая не- ограничена в горизонтальном направлении. Ясно, что в этом случае электронная подсистема может достичь равновесия только посредством обмена энергией с решеткой. Обозначим характерное время этого процесса t Q . Оно будет зависеть от

и t esc , а также от удельных электронной (c e ) и решеточной

(c p ) теплоемкостей. С другой стороны, времени t Q соответ- ствует диффузионная длина

t eph

L

diff

=

4 D τ . Θ
4
D
τ
.
Θ

(3)

Физически, диффузионная длина – это среднеквадратич- ное расстояние, пройденное частицей за время t Q . Реальное устройство имеет характерные размеры L, и поэтому время, необходимое частице, чтобы пройти это расстояние есть

τ

diff

2

L

D

,

(4)

(коэффициент пропорциональности будет введен ниже). Та -

ким образом, если L < L

сильнее выполняется неравенство), что горячие электроны диффундируют из пленки раньше, чем рассеются на колеба- ниях решекти. Этот тип HEB называется HEB с диффузион- ным каналом охлаждения, или DHEB. В противоположном случае (L > L diff ) горячие электроны более вероятно отдадут избыточную энергию решетке, прежде чем покинут пленку. Это HEB с фононным каналом охлаждения, или PHEB.

велика вероятность (тем выше, чем

diff

HEB может быть использован как смеситель благодаря тому факту, что изменение электронной температуры про- порционально поглощенной мощности, а она, в свою оче- редь, пропорциональна квадрату амплитуды излучения – отсюда возможность смешения. Если две монохроматические

электромагнитные волны с частотами w LO и w S , поляризо- ванные в одной плоскости поглощаются HEB смесителем с постоянной времени t b , электронная температура будет меняться как

(5)

Здесь w IF = |w LO w S | называется промежуточной частотой (ПЧ) и P LO и P S – среднеквадратичные мощности источников.

δ∝T

e

PP cos ( ω t ). LO S IF
PP
cos
(
ω
t
).
LO
S
IF

1.2.2. HEB смесители с фононным каналом охлаждения

Работа смесителя с фононным каналом охлаждения может быть описана системой двух уравнений теплового баланса для электронной и фононной подсистем [65–67]:

dT

e

c

e

c ph

dt

dT

ph

= −Ψ

dt

(

e

(, TT

ph

TT ,

e

ph

)

)

+

P

DC

+

P

RF

−Π

(

T

ph

,

T

b

,

);

(6)

где T e и T ph – электронная и фононная температуры соответ-

ственно; c e и

емкости; W – объем болометра, P DC и P RF – поглощенные DC и RF мощности соответственно; Y и Π – функции, описы- вающие поток тепла от электронов к фононам пленки и от фононов в пленке к фононам в подложке. В общем случае Y и Π являются нелинейными функция- ми своих аргументов, и поэтому получить аналитическое решение системы (6) – безнадежная задача. Однако когда |T e T b | << T b (что имеет место в случае, когда устройство работет вблизи сверхпроводящего перехода), эти функции могут быть линеаризованы, и (6) упрощается:

c ph

– удельные электронная и фононная тепло-

dT

dt

dT

T

e

T

ph

τ eph

T

e

T

ph

τ

eph

c

e

e

=− c

e

ph

=Ω

cc

ph

dt

e

+

PP +

DC

RF

,

c

ph

T

ph

T

b

τ

esc

.

(7)

Здесь t

eph

– время электрон-фононного взаимодействия,

и t esc – время ухода неравновесных фононов в подложку. DC мощность тоже должна быть линеаризована

P

DC

=+

b

I RT

2

(

)

I

2

R

(

T

e

T

e

T ).

b

(8)

И тогда, собирая все вместе, окончательно получается

dT

T

T I

2

R

e

=−

e

ph

T

dt

dT

τ

eph

T

+

T

c

e

Ω∂

T

T

e

T

e

ph

 

c

e

 

ph

b

 

=

 

e

ph

 

dt

c

ph

 

τ

eph

τ

esc

 

.

()

T

b

+

I R T

b

2

(

) +

P

RF

c

e

,

(9)

Чтобы продолжить дальше с решением, необходимо сде- лать еще одно допущение, именно, что удельные тепло- емкости берутся при температуре перехода T b , то есть они не зависят от температуры в первом приближении. Это не является чрезмерным упрощением, т.к. сама система (9) была получена в предположении, что |T e T b | << T b . В этом же предположении ясно, что T e T ph ~ T ph T b . Если при этом еще

c τ

e

esc

c

ph

τ

eph

<< 1,

(10)

то уравнения теплового баланса расцепляются:

dT

e

=−

T

e

T

ph

+

I

2

R

dt

dT

ph

dt

= −

τ eph

T

ph

T

b

τ

esc

;

c

e

Ω∂

T

e

()

T

e

T

b

+

I R T

b

2

(

) +

P

RF

c

e

,

(11)

и по существу остается только одно уравнение, описываю- щую динамику электронной подсистемы:

dT

e

dt

=−

T

e

T

b

τ

eph

 

1

I

2

τ

eph

R

 

+

I

2

R T

(

b

) +

P

RF

c

e

Ω∂

T

e

c

e

,

где было сделано разумное предположение, что

В этом случае постоянная времени смесителя равна

T ph

(12)

T b .

τ =

m

τ

m

1 − α

0

,

α =

0

I

2 R

τ

eph

c

e

Ω ∂

T

e

. (13)

Параметр a 0 , введенный в (13), называется параметром саморазогрева и описывает эффект электро-термической об- ратной связи между DC источником и электронной темпера- турой. Для HEB смесителей R/T > 0, поэтому α 0 положи- телен, и постоянная времени смесителя больше времени электрон-фононного взаимодействия. Существует простое объяснение эффека электротермической обратной связи. В случае режима генератора тока небольшое увеличение соп- ротивления смесителя приводит к соответственно неболь- шому увеличению DC мощности, что вызывает рост темпе- ратуры и дальнейшее увеличение сопротивления. В случае же режима генератора напряжения ситуация обратная: не- большое увеличение сопротивления устройства вызовет уменьшение DC мощности, и, следвательно, уменьшение температуры. Таким образом, при положительном a 0 режим

генератора тока дестабилизирует, а генератора напряжения – стабилизирует работу устройства. В случае, когда a 0 = 1, име- ет место опрокидывание смесителя: постоянная времени смесителя стремится к бесконечности, что физически озна- чает, что смеситель находится в нестабильном состоянии. Поэтому на практике разумно работать в режиме генератора напряжения и обеспечивать малость тока (поскольку произ- водная R/T может быть существенной, когда устройство работает при температуре сверхпроводящего перехода). В общем сучае, представленном системой (9), постояная

времени смесителя будет определяться как t

. Помимо этого, она опять же будет модифи-

цирована параметром саморазогрева. Когда P RF имеет наиболее

интересную с практической точки зрения форму (см. (5).

так и t esc , а также

отношением c

eph

e /c ph

(14)

амплитуда зависящей от времени части электронной темпе- ратуры есть

P

RF

=

2

PP LO S
PP
LO
S

1

 +ω

IF

t

)

cos

(

δ

T

e

= 2

P P LO S
P
P
LO
S

τ τ

1

eph

1 +ω τ

i

IF

2

c

e

τ −τ

21

(1

−α

0

)

(

1

+ i ω τ

IF

+

)(

1

+ i ω τ

IF

)

(15)

с постоянными времени, определенными как

 

τ

(

+τ α −

1)

 

±

1

=

eph

2

0

τ

 

2

τ τ

2

 
 

eph

τ =τ

1

eph

c

ph

,

c

e

 

c

τ

111

−−−

e

2

esc

eph

c

ph

.

1

 

±

4 τ τ τ −τ α − ( 1) 2 eph 2 10 1 −
4
τ τ
τ −τ α −
(
1)
2
eph
2
10
1
τ
τ
+τ ( α −
1)
1
eph
2
0

,

 

(16)

Амплитуда зависящей от времени части напряжения на смесителе есть

откуда

смесителя:

можно

δ=

VI

AC

R

T

e

δ

T

e

определить

коэффициент

(17)

преобразования

2

= α

2

0

2 δ V P AC AC = P 2 PR S S
2
δ V
P AC
AC
=
P
2 PR
S
S

=

η=

τ

1

0

)

2

 

1 +ω τ

i

IF

2

2

(

1

+ i ω τ

IF

+

)(

1

+ i ω τ

IF

)

P

LO

P

DC

τ −τ

21

(1

−α

.

(18)

Хотя система (9) и ее окончательное следствие (15) дают понимание работы HEB смесителя, практические устройства часто могут быть довольно хорошо описаны при помощи

(12), где t

следует заменить феноменологическим временем

релаксации электронной температуры t Q . В этом случае вы-

ражение для коэффициента преобразования смесителя упро- щается:

eph

η =

2

α

2

0

P

LO

1

1

−α

2

0

P

DC

1

2

+ω τ

IF

2

m

,

τ =

m

τ

Θ

1 − α

0

. (19)

Кроме того, на практике нужно знать лишь 3-децибель- ный спад коэффициента преобразования, а в этом случае достаточно формулы (19). Необходимые материальные па- раметры для NbN приведены в табл. 1 [68].

Таблица 1

Материальные параметры NbN

T

c ,

K

D

T c ,

K

D

,

нм

c

e ,

мДж см 3 K 1

c

ph

,

мДж см 3 K 1

t

eph ,

пс

t

esc ,

пс

D, см 2 с 1

9

0,5

3,5

1,5 × 10 3

10,5 × 10 3

10

38,5

0,4

1.2.3. HEB смесители с диффузионным каналом охлаждения

В случае HEB смесителя с чисто диффузионным охлаж- дением горячие электроны диффундируют из сверхпрово- дящей пленки в нормальные контакты прежде чем они про- взаимодействуют с фононами. Тогда динамику этого типа смесителя можно описать одним уравнением теплового ба- ланса:

dT

e

dt

при этом

=−

T

e

T

b

τ

diff

 

1

 

I

2

τ

diff

R

+

I

2

R T

(

b

) +

P

RF

 

c

e

Ω∂

T

e

 

c

e

 

L

2

τ diff

= π

2

D

,

,

(20)

(21)

где L – длина смесительного элемента и D – коэффициент диффузии материала пленки [69]. Так же как было получено выражение (19) для коэффициента преобразования смеси- теля с фононным каналом охлаждения, для случая диффу- зионного охлаждения получается

η

diff

=

2

α

2

0

P

LO

1

1

−α

2

0

P

DC

1

2

+ω τ

IF

2

m

,

τ =

m

τ

diff

1 − α

0

.

(22)

1.2.4. Согласование HEB смесителя с входным излучением

Существует два способа согласования HEB смесителя с входным электромагнитным излучением: волноводный [38] и квазиоптический [39]. Эквивалентная схема для волновод-

ного случая была изучена теоретически [70] и эксперимен- тально [71, 72]. На рис. 4, a, приведена схема волноводного согласования. Фронтальная секция несет гофрированный рупор. Гофрированные рупоры подавляют дифракционные эффекты на краях, улучшают симметрию диаграммы нап- равленности и подавляют кросс-поляризацию (меньше поля E в плоскости поля H ) [73]. Длина волновода в задней секции выбирается таким образом, чтобы опеспечить как можно лучшее согласование смесителя с излучением (дру- гими словами, положение короткозамыкающего поршня выбирается таким образом, чтобы импеданс смесителя был равен импедансу смесительного блока). Хотя возможно сделать подвижный поршень для лучшего согласования [74], неизбежные воздушные карманы между стенками вол- новода и поршня приводят к потерям; к тому же подобная конструкция довольно сложна в техническом отношении. Поэтому обычно используются смесительные блоки с фик- сированным положением короткозамыкающего поршня. Для определения оптимального положения короткозамы- кающего поршня используют скалированную модель с под- вижным поршнем, или же, определив оптимальное поло- жение поршня в реальном смесительном блоке, делают такой же, но с фиксированным положением поршня. Вход- ная полоса в случае волноводного согласования определя- ется поперечными размерами волновода, которые задают нижний предел частотного диапазона, и положением ко- роткозамыкающего поршня, который задает верхний пре- дел. Смеситель интегрируется с дипольной антенной и мно- госекционным ВЧ фильтром с чередующимися секциями с низким и высоким импедансом, который пропускает ПЧ сигнал и DC смещение, но является реактивной нагрузкой для ВЧ сигнала. Чтобы избежать потерь ВЧ сигнала в диэ- лектрике, толщина подложки, поддерживающей всю струк- туру, должна быть порядка 0,01λ / ε , где e есть диэлектри- ческая постоянная. Таким образом, выбор диэлектрика определяется компромисом между минимумом ВЧ потерь и механической прочностью, а также требованием хороше- го акустического согласования между сверхпроводящей пленкой и подложкой.

согласования между сверхпроводящей пленкой и подложкой. 25
Рис. 4. Согласование HEB смесителя с электромагниным излучением: a –

Рис. 4. Согласование HEB смесителя с электромагниным излучением:

a – волноводная схема; б – квазиоптическая схема

К сожалению, на частотах выше 1 ТГц изготовление сме- сительных блоков представляется очень трудной задачей, поэтому приходится использовать квазиоптическую схему

согласования. В этом случае смесительный элемент интегри- руется с планарной антенной (логоспиральной, логоперио- дической, двухщелевой), расположенной в фокусе вытянутой полусферической линзы или во втором фокусе эллиптичес- кой линзы (рис. 4б) [75]. В случае эллиптической линзы лучи, испущенные точечным источником, расположенном

в ее дальнем фокусе, выйдут из линзы параллельно друг дру- гу. К сожалению, эллиптические линзы чрезвычайно трудны

в изготовлении, поэтому приходится использовать вытяну-

тые полусферические линзы. Хотя вытянутые полусфериче- ские линзы гораздо проще в изготовлении (по существу вы- тянутая полусферическая линза есть полусфера радиуса R с приставленной к ней плоскопараллельной пластинкой толщины R/n, где n есть показатель преломления) они хоро-

шо согласуются только со сходящимся пучком. Однако при большом показателе преломления (например, Si) два типа линз отличаются незначительно. Диаграмма направленности квазиоптической системы определяется в основном линзой; тип антенны определяет лишь уровень боковых лепестков. Плечи самокомплиментрарной (площадь металлизации рав- на площади диэлектрика) логоспиральной антенны ограни-

чены четырьмя спиралями, площади между спиралями 1 и 4, и 2 и 3 металлизированы.

r

1

r

2

r

3

r

2

=

=

=

=

a exp( θ ),

a exp

a exp

a exp

 

π 

 

θ−

2

,

3 π   

,

(

θ−π

 

θ−

2

)

,

(23)

где r – радиальное расстояние до точки на спирали; q – угол по отношению к некоторой оси; a – константа. Верхняя граница частотного диапазона определяется за- зором между терминалами антенны, тогда как нижняя опре- деляется диаметром антенны. Импеданс такой антенны дей- ствителен и равен:

Z =

377

, 2(1 + ε )
,
2(1
+ ε
)

(24)

где e – диэлектрическая постоянная материала подложки, поддерживающей антенну. Для Si e = 11,7, поэтому Z 75 W.

1.2.5. Стабильность HEB приемника

Блок-схема гетеродинного приемника общего вида при- ведена на рис. 5, a. Сигнал исследуемого объекта наводит напряжение на терминалах антенны, которое затем усилива- ется и подается на нелинейный элемент, где оно смешивает- ся с напряжением гетеродина и сбрасывается в низкочастот- ную область. После прохождения усилителей и полосового фильтра конвертированный сигнал подается на квадратич- ный детектор, а затем на интегратор. При анализе работы приемника предполагается, для простоты, что все случайные процессы описываются гауссовским распределением с нуле- вым средним. Это на самом деле так, что следует из цен- тральной предельной теоремы и того факта, что случайные процессы, связанные с сигналом на входе и самим приемни- ком, обусловлены действием большого числа статистически независимых случайных процессов с нулевым средним [76].

Более важное преположение, однако, состоит в том, что спектр мощности всех процессов не зависит от частоты (бе- лый шум), то есть процессы совершенно некоррелированы.

совершенно некоррелированы. Рис. 5. Приемники: a) – основные

Рис. 5. Приемники:

a) – основные части гетеродинного приемника; б) – модуляционный приемник; в) – корреляционный приемник

Среднее значение напряжения на терминалах антенны равно нулю, но его средний квадрат равен

2 V 1
2
V
1

= kT ∆ν

B

A

,

(25)

где Dν – входная полоса антенны (здесь и далее импеданс передающей линии включен в напряжения). Уравнение (25) по существу является определением температуры антенны T A . Выход приемника опять имеет нулевое среднее; средний же квадрат равен

, (26)

где T R – шумовая температура приемника. Квадратичный детектор производит напряжение с ненулевым средним и стандартным отклонением, равными соответственно

2 V 2
2
V
2

= k

B

BG T

A

(

+ T

R

)

2 V == V k BG T ( 32 B A σ= 2 k BG
2
V
==
V
k
BG T
(
32
B
A
σ=
2
k
BG T
(
+
T
)
.
3
B
A
R

+ T

R

)

,

(27)

Процедура усреднения эквивалентна взятию N независи- мых сэмплов выхода детектора и подсчету их среднего ариф- метического. В этом случае

V = V , 4 3 σ 3 σ = . 4 N
V
=
V
,
4
3
σ
3
σ =
.
4
N

(28)

В соответствии с теоремой о сэмплировании Найквиста- Котельникова-Шэннона [77–79], сигнал с полосой B может быть полностью восстановлен из своих сэмплов при условии, что сэмплирование проводится с частотой не ниже 2B сэмп- лов в секунду. Если сэмплирование проводится в течение t секунд с частотой 2B сэмплов в секунду, то всего будет 2Bt сэмплов, поэтому

(29)

Напряжение V 4 является функцией температуры антенны T A . Поэтому температурное разрешение приемника DT A ра- зумно определить как такое изменение температуры антен- ны, при котором соответствующее изменение напряжения V 4 на выходе будет равно его стандартному отклонению; в ма- тематической форме:

N =

2 Bτ .
2 Bτ .
∂ V 4 ∂ T A
V
4
T
A

T

=σ ⇒∆

A4

T

A4

 ∂ V  4    ∂ T  A
 ∂
V
4
T
A

1

. (30)

Собирая все части вместе, можно окончательно получить:

T + T A B T sys ∆= T ≡ . (31) A τ Этот
T
+ T
A
B
T sys
∆=
T
.
(31)
A
τ
Этот результат был впервые получен Р. Х. Дике в 1946 г.
[80]. Никакой приемник не может иметь температурное раз-
B
B
τ

решение лучшее, чем установленное в (31). Шумовая темпе-

ратура системы T

, введенная выше, в общем случае помимо

шума источника и приемника включает атмосферный шум, фоновый шум (в том числе фон поверхности земли), шумо- вые вклады от потерь в передающих линиях, подводящих сигнал ко входу приемника. Параметры реального приемника сами являются (гауссо- выми) случайными величинами. Такой приемник можно моделировать как идеальный приемник с коэффициентом усиления, который является случайной величиной со стан- дартным отклонением DG. В этом случае (31) обобщается как

sys

с

T

∆=

A

T

sys

1

B

τ

+

  

G

G

2

  

1 2

(32)

 

G

 

G

2

=

a

0

a

1

γ

.

(33)

Члены в (33) представляют 1/f шум и дрейф соответствен- но, и 1 g 2 [81]. Простой график зависимости (DT/T sys ) 2 от времени интегрирования t дает минимум в некоторой точке, ниже которой доминирует белый шум, а выше главенствуют 1/f шум и дрейф. Эта процедура была впервые введена Д. У. Алланом в 1966 г. [82], и сам график называется графи - ком дисперсии Аллана. Время, соответствующее минимуму (DT/T sys ) 2 , называется временем Алана

1

γ + 1

1

1

 γ Ba

и является абсциссой точки перехода от белого шума к 1/f шуму и дрейфу на графике дисперсии Аллана. Интегрирова- ние в течение времени больше t A не улучшит температурное

τ

A

=

(34)

разрешение приемника. Хотя в отсутствие 1/f шума переход от белого шума к 1/f шуму и дрейфу довольно четкий, боль- шинство графиков дисперсии Аллана имеют широкое пла- то, редко с хорошо выраженным минимумом. Существуют два способа минимизировать вклад неста- бильности коэффициента усиления приемника в темпера- турное разрешение. Одно решение было предложено Р. Х. Дике [80] и называется модуляционный приемник (или приемник Дике) [83]. Как показано на рис. 5, б, вход при- емника переключается регулярно между терминалами антен- ны при температуре антенны T A , давая на выходе

(35)

(например,

и согласованной нагрузкой при температуре

ванна из жидкого азота при 77 K), давая на выходе

(36)

Разница между (35) и (36) измеряется фазочувствитель- ным детектором или локином и равна

(37)

Если изменение коэффициента усиления приемника не- верно интерпретируется как увеличение температуры антен- ны, то

(38)

откуда

P

A

= k

B

BG T

A

(

+ T

R

)

T ref

P

ref

(

= k BG T + T

B

ref

R

).

P

A

−=P

ref

k

B

BG T

A

(

T

ref

).

k

B

B G +∆G

(

)(

T

A

T

ref

)

= k

B

BG T

A

(

+∆T

A

T

ref

),

T

∆=

A

G

G

(

TT

A

ref

),

(39)

и полное температурное разрешение приемника Дике есть

(

∆=

A

T

S

)

 T + T A R 2  B τ  
T
+ T
A
R
2
B τ  

1

+

TT

T

R

+

ref

R

+ T

A

τ B





2

+

G

TT

A

ref

T

A

2

GT

R

+

  

2


 

1 2

.

(40)

Следует отметить, что (40) справедливо только, если частота переключения выше, чем характерная чатота изменения G. Из

последней формулы немедленно следует, что если T A =

флуктуации коэффициента усиления не влияют на темпера-

T ref ,

турное разрешение приемника. Такой приемник называется балансным. На практике переключение можно осущест- влять, например, путем поворота антенны или при помощи нутирующего вторичного зеркала, или же чоппера. В любой установке существует некоторе «мертвое время» между двумя переключаемыми позициями. В случае механического пово- рота всей антенны непродуктивное время может составлять секунды [84]. Ясно, что для эффективного наблюдения при- емник должен смотреть на исследуемый объект или опору в течение времени, существенно превышающем мертвое вре- мя. Если время Аллана того же порядка, что и непродуктив- ное время, наблюдение становится крайне неэффективным и не даст лучшее возможное температурное разрешение. В случае нутирующего зеркала или чоппера мертвое время может быть существенно короче, и наблюдение может быть сделано более эффективным. Таким образом, оптимальное время интегрирования определяется: а) – верхним пределом температурного разрешения приемника, то есть его макси- мально допустимым значением; и б) – скоростью переклю- чения, и, следовательно, мертвым временем приемника. Недавние эксперименты с HEB приемниками показали, что время Аллана для них составляет типично 1 с [85], что, очевидно, слишком мало для эффективного наблюдения, когда необходимо двигать большие структуры. Выражение (40) для температурного разрешения прием- ника можно обобщить следующим образом [86]:

T

( S )

A

=

 

(

T

R

+

 

2

(

T

A

+

T

R

) 2

1

+

T

r ef

)

 

1

 

B

τ

A

d

A

 

B

τ

re f

 

d

ref

 

2

1

/

2

 

+

(

T

A

T

re f

)

G

∆ 

 

,

G

 

+

(41)

время ин-

опре-

деляют долю времени наблюдения, когда переключатель подключен к терминалам антенны и опоре соответственно. Другое решение проблемы нестабильности коэффициен- та усиления дается корреляционным приемником (рис. 5, в)

где t A – время интегрирования сигнала объекта, t

тегрирования опорного сигнала. Скважности d A и

ref

d ref

[83]. Сигналы антенны и опоры подаются на 3-дБ гибрид, 4-портное устройство с двумя входными портами и двумя выходными. Если на входах имеются сигналы A и B, гибрид произведет (A + B) и 1 / 2 (A B) на выходах. Анализ такого приемника довольно прост, и поэтому только окончательный результат приводится для случая, когда плечи одинаковые (на практике можно сделать так, чтобы T R1 T R2 и G 1 G 2 ):

(

∆=

A

T

С

)

 T + T A R  1 B τ  
T
+ T
A
R
 1
B τ  

+

TT

T

R

+

ref

A

+ T

R

τ B





2

+

G

TT

A

ref

T

R

2

GT

A

+

  

2


 

1 2

,

(42)

T R 2 GT A +    2     1 2

что в 2 лучше, чем разрешение приемника Дике, так как те- перь все время наблюдения отведено исследуемому объекту. Среди факторов, дающих вклад в дрейф на выходе HEB приемника, наиболее существенным является изменение мощности ПЧ как функции мощности гетеродина. В отличие от SIS приемников, которые работают на пике мощности гетеродина, где выход ПЧ не чувствителен к флуктуациям мощности гетеродина, мощность ПЧ HEB приемников в точке с минимальной шумовой температурой сильно зависит от мощности гетеродина. При более высоком уровне мощ- ности гетеродина выходная мощность менее чувствительна к флуктуациям накачки, но при этом ухудшается шумовая температура. К тому же, достаточное количество мощности гетеродина не всегда доступно в терагерцовой области, поэтому HEB приемники обычно работают с очень тонко настроенной оптической схемой, включающей несколько каскадов умножения частоты гетеродина, и интерферометр Мартина-Паплетта (МПИ). Подробное исследование стабильности HEB приемников было проведено Kooi et al, которые провели измерения с ква- зиоптическими HEB смесителями с фононным каналом охлаждения на частотах гетеродина 0,673 ТГц, 1,462 ТГц, 1,630 ТГц и 2,814 ТГц. Было обнаружено, что стабильность HEB приемников, работающих в радиометрическом режи- ме, ограничена флуктуациями коэффициента преобразова- ния HEB смесителя в полосе 80 МГц. При увеличении ча- стоты гетеродина вклад 1/f шума уменьшался. Полезное

время интегрирования составило примерно 0,3 с. Хотя про- исхождение флуктуаций коэффициента преобразования осталось неясным, было предположено, что они могут быть вызваны тепловыми или квантовыми процессами в области горячего пятна смесителя. Спектроскопическая дисперсия Аллана (дисперсия Аллана разности выходной мощности

с двух некоррелированных каналов ПЧ [87]) оказалась

в 10–15 раз лучше дисперсии Аллана для радиометрическо-

го режима, что свидетельствовало о том, что 1/f шум силь- но коррелирован в полосе тракта ПЧ. Исследования механи- ческих, температурных и атмосферных нестабильностей по- казали важность работы HEB смесителей на пике стоячей волны сигнала гетеродина. В этом случае флуктуации мощ-

ности гетеродина пропорциональны квадрату относительных изменений в длине оптического пути. Таким образом, можно сделать следующие выводы отно- сительно современного состояния гетеродинных приемни- ков терагерцового диапазона.

1. В терагерцовом диапазоне спектра, особенно на час-

тотах выше 1 ТГц, как ДБШ, так и СИС приемники имеют ряд недостатков, ограничивающих область их примени- мости. Например, чувствительность СИС смесителей, из- готавливаемых из сверхпроводников с шириной энерге- тической щели, соответствующей по порядку величины

1 ТГц, резко падает, когда частота падающего излучения начинает превышать эту частоту. ДБШ смесители также обладают плохой чувствительностью в этой части спектра и к тому же требуют значительной оптимальной мощности гетеродина. Смеситель на эффекте разогрева электронов

в резистивном состоянии сверхпроводников (HEB сме-

ситель) свободен от этих недостатков и поэтому является

весьма перспективным типом в терагерцовом диапазоне спектра.

2. Несмотря на отсутствие указанных выше недостатков,

как волноводные, так и квазиоптические HEB смесители

с фононным каналом охлаждения отличаются довольно уз-

кой полосой промежуточных частот (не более ~3 ГГц для волноводных смесителей с буферным слоем и не более ~5ГГц для квазиоптических).

3.

Исследования показали, что стабильность HEB при-

емников, работающих в радиометрическом режиме, огра- ничена флуктуациями коэффициента преобразования HEB

смесителя. Время Аллана составляет типично 1 с, что, оче- видно, слишком мало для эффективного наблюдения, ког- да необходимо двигать большие структуры. Одной из при- чин флуктуаций коэффициента преобразования могут быть флуктуации мощности гетеродина.

4. Хотя измерения дисперсии Аллана позволяют оценить

температурное разрешение приемника, на момент исследо- вания не было проведено прямых измерений температурного разрешения HEB приемников ни в радиометрическом, ни в спектроскопическом режимах.

ГЛАВА 2. ИЗГОТОВЛЕНИЕ HEB СМЕСИТЕЛЕЙ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК

2.1. Изготовление HEB смесителей

2.1.1. Квазиоптические HEB смесители

В табл. 2 приведены основные этапы процесса изготовле- ния квазиоптических HEB смесителей. HEB смесители, об- суждаемые в этой монографии, изготавливаются из пленок NbN толщиной 3,5 нм, наносимых при помощи реактивного магнетронного распыления Nb мишени в смеси аргона и азо- та на поверхность высокоомных Si подложек, нагретых до температуры 830°C. Соответствующие парциальные давления Ar и N 2 при этом составляют 5 × 10 3 мбар и 8÷12 ×10 5 мбар. За нанесением NbN следует in situ нанесение слоя Au толщи- ной 15 нм. Это важный шаг во всем процессе изготовления, так как in situ золото служит как контактные площадки. Знаки совмещения, необходимые для правильного совмещения, формируются методом фотолитографии. Следующий шаг про- цесса изготовления включает нанесение электронного резиста и формирования медотом электронной литографии «окна» для последующего ионного и химического травления in situ золо- та и формирования длины смесительного элемента. Затем следует изготовление внутренней части спиральной антенны методом электронной литографии. Внутренняя часть антенны представляет собой трехслойную структуру Cr(3 нм)– Au (70 нм)–Ti (8 нм) (снизу вверх), где Cr необходим для обес- печения хорошей адгезии, а Ti служит как защитный слой на окончательной стадии процесса изготовления. Внешняя часть спиральной антенны и внешние контактные площадки изго-

тавливаются подобным образом с небольшими изменениями:

вместо электронной используется фотолитография, и трехслой- ная структура в этом случае Ti(5 нм)–Au (200 нм)–Ti (5 нм) (снизу вверх), где нижний слой Ti необходим для лучшей адге- зии, а верхний является защитным.

Таблица 2 Основные шаги процесса изготовления квазиоптических HEB смесителей

In situ нанесение двуслойной структуры NbN–Au методом реактивного

In situ нанесение двуслойной структуры NbN–Au методом реактивного магне- тронного распыления

Формирование знаков совмещения под фото- и электронную литографию

Формирование знаков совмещения под фото- и электронную литографию

Формирование окна в Au с методом электронной литографии, ионного и

Формирование окна в Au с методом электронной литографии, ионного и хи- мического травления

Формирование внутренней части спи- ральной антенны методом

Формирование внутренней части спи- ральной антенны методом электронной литографии

Формирование внешней части спираль- ной антенны методом

Формирование внешней части спираль- ной антенны методом фотолитографии

Формирование защитной маски SiO под ионное и плазмохимическое

Формирование защитной маски SiO под ионное и плазмохимическое травление NbN–Au по полю

Ионное и плазмохимическое травление NbN-Au по полю

Ионное и плазмохимическое травление NbN-Au по полю

После этого наносится маска SiO для того, чтобы закрыть чувствительный элемент и in situ золотые контакты, и структу- ра Au–NbN стравливается с незащищенных участков. Нако- нец, подложка разделяется на отдельные чипы скрайбером.

Сопротивление на квадрат пленок NbN обычно равно 500 W, поэтому для лучшего согласования по радио и про- межуточной частоте (ВЧ и ПЧ) с 74 W антенной отношение длина-ширина выбрается равным 0,1.

2.1.2. Волноводные HEB смесители

Процесс изготовления волноводных HEB смесителей не сильно отличается от процесса для квазиоптических устройств. В случае волноводных HEB смесителей вместо Si используется кварц z-ориентации с подслоем MgO толщиной 200 нм для луч- шего акустического согласования между кристаллическими решетками NbN и кварца. Болометрические элементы с типич- ными размерами 0,12–0,13 мкм в длину и 1,5 мкм в ширину изготавливаются медотом электронной и фотолитогрфии. Под- ложки, поддерживающие HEB элементы, шлифуются до тол- щины 30 мкм и распиливаются на отдельные смесительные чипы 2 мм в длину и 126 мкм в ширину (если бы Si был выбран в качестве материала подложки, конечная толщина была бы слишком мала, и с чипами невозможно было бы работать).

2.2. Зависимость сопротивления HEB смесителя от температуры

Тестирование HEB смесителей по постоянному току вклю- чает измерение плотности критического тока и зависимости сопротивления от температуры. Как показано на рис. 6, a, сме- сительный чип устанавливается в держатель на конце штока.

a , сме- сительный чип устанавливается в держатель на конце штока. 38
Рис. 6. Схемы: a) – схема экспериментальной устанровки для

Рис. 6. Схемы:

a) схема экспериментальной устанровки для измерения R(T); б) – типичная зависимость сопротивления от температуры для HEB смесителей, исследованных в работе.

Помимо первого сверхпроводящего перехода можно ви- деть второй при более низкой температуре из-за эффекта близости между сверхпроводящей пленкой и нормальными контактными площадками Сопротивление измеряется при помощи стандартной 4-точечной схемы с использованием источника тока Keithley для создания тока в 10 мкА через образец и прецизионный вольтметр Solartron для измерения сопротивления на образ- це. Угольный термометр монтируется противоположно об-

разцу таким образом, что его температура равна температуре образца. Сопротивление термометра измеряется при помощи мультиметра HP34401A, работающего в режиме измерения сопротивления по 4-й точке. На рис. 6, б показана типичная RT-кривая для HEB смесителей, обсуждаемых в данной мо- нографии. Ширина первого сверхпроводящего перехода при

9 К равна примерно 1 К. Присутствие второго перехода при

7 К связано с эффектом близости между сверхпроводящей пленкой и нормальными Au контактными площадками, что

возможно только в случае отсутствия энергетического барье- ра на границе NbN-Au, который может препятствовать диффузии куперовских пар их пленки NbN [64]. Плотность критического тока, оцененная из измерений критических токов устройств с различными размерами, составляет по- рядка 10 6 A см 2 .

2.3. Полоса преобразования HEB смесителя

Схема экспериментальной установки, которую использо- вали авторы для измерения полосы преобразования смесите- лей, приведена на рис. 7. Полоса преобразования HEB смеси- телей была измерена с использованием стандартной процеду- ры с двумя монохроматическими источниками: двумя лампами обратой волны (ЛОВ), работающими в диапазоне 270–320 ГГц. В течение эксперимента частота одной ЛОВ оставалась фиксированной, а другой – перестраивалась таким образом, чтобы покрыть диапазон ПЧ от 0,1 ГГц до 10 ГГц. Уровни мощности обеих ЛОВ подстраивались при помощи проволочных аттенюаторов. После прохождения через соот- ветствующие аттенюаторы сигналы сбивались при помощи слюдяного делителя луча и заводились в криостат, где они по- падали на смеситель, установленный в смесительном блоке, смонтированном на холодной плате криостата. Температура смесителя во время работы могла быть повышена при помощи печки, закрепленной на смесительном блоке, и измерялась калиброванным термометром LakeShore.

блоке, и измерялась калиброванным термометром LakeShore. 40
Рис. 7. Схемы экспериментальных установок для измерения полосы

Рис. 7. Схемы экспериментальных установок для измерения полосы преобразования

HEB смеситель согласовывался по ПЧ с 3-сантиметровой копланарной линией с последующим переходом на коаксиаль- ный кабель, который выводил сигнал ПЧ из криостата к тепло- му адаптеру смещения Picosecond Pulse Labs с полосой 18 ГГц и затем к усилителю MITEQ с полосой 0,1–12 ГГц и коэффи- циентом усиления 36 дБ. Частотный диапазон от 0,1 ГГц до 6 ГГц обрабатывался анализатором спектра Rohde & Schwartz (частотный диапазон от 100 кГц до 6 ГГц) (см. рис. 7, a). Чтобы покрыть диапазон выше 6 ГГц, экспериментальная установка была модифицирована путем включения чоппера на выходе сигнальной лампы, и анализатор спектра был заменен квадра- тичным детектором и селективным вольтметром (см. рис. 7, б). Перестраиваемый полосовой фильтр с центральной частотой от 2 ГГц до 8 ГГц и полосой 50 МГц был включен в тракт ПЧ для уменьшения шумов и предотвращения насыщения второ- го усилителя MITEQ. Модель HEB смесителя, представленная в главе 1, пред- полагает, что электронная и фононная температуры одно- родны по всей пленке, что, строго говоря, возможно только, если температура ванны равна критической температуре. В этом случае энергетическая щель почти полностью подав- лена, что позволяет использовать в измерениях две ЛОВ, ра- ботающие в диапазоне 270–320 ГГц. Хотя термометр, установленный на смесительном блоке, мог быть использован для контродя температуры смесителя,

была найдена более эффективная процедура. Зависимость R(T) следует измерять при как можно меньших токах смеще- ния (в режиме генератора тока), чтобы избежать нежелатель- ных эффектов, таких как распаривание током и допольнитель- ный джоулев нагрев вблизи сверхпроводящего перехода. Поэтому, если построить семейство вольт-амперных кривых для устройства при разных температурах ванны, наклон в на- чале координат (dV/dI) 0 для кривой, взятой при температуре T, будет равет R(T). Поскольку критическая температура обычно определяется как температура, при которой сопрот- вление образца примерно равно половине сопротивления над сверхпроводящим переходом 1 / 2 R N (для NbN критическая тем- пература условно определяется условием R(T c ) = 1 / 2 R(20 K)), это означает, что когда (dV/dI)0 = 1 / 2 R N , температура смесите- ля примерно равна Tc, энергетичекая щель практически пол- ностью подавлена, и ВЧ сигнал может быть равномерно пог- лощен смесителем. Это простое замечание позволяет избежать использования термометра и связанных с этим неточностей при установке рабочей температуры HEB смесителя. Еще одно требование модели однородного разогрева сос- тоит в том, что уровни мощности сигнала и гетеродина долж- ны быть малыми. Это означает, что ток смесителя при неко- тором фиксированном значении напряжения смещения не должен меняться существенным образом, когда помимо наг- рева смеситель подвергается действию ВЧ сигнала. В идеале следует иметь dI mixer /I mixer << 1 (dI mixer – изменение тока смеси- теля, вызванное включением ВЧ сигнала); на практике это обычно ведет к тому, что ПЧ сигнал очень мал. В эксперимен- тах было установлено значение dI mixer /I mixer = 0,05. Теперь, ког- да рабочая вольт-амперная кривая была установлена, необхо- димо было выбрать на ней рабочую точку. При вычислении импеданса HEB смесителя формально получается

Z

dV

dI

=

d

dI

IR

(

I T

,

e

)

  =+ R

I

R

I

+

I

R

T

e

∂∂ T

e

I

.

(43)

Второй член в крайней правой части (43) описывает не- термические эффекты тока, такие как вихри и центры прос- кальзывания фазы [64] (ток при этом не обязательно должен быть близок к критическому). Эти эффекты нежелательны

при последовательном применении модели однородного разогрева, поэтому следует обеспечить, чтобы с хорошей точностью

RI

+

R

I

R

≈⇔

I