Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
413–424
c 2019
Хорошо известная теория Като дифракции Лауэ сферических рентгеновских волн обобщается на случай
нейтронной дифракции в сильнопоглощающих кристаллах с учетом как потенциального, так и резо-
нансного рассеяния нейтронов ядрами, а также реальной угловой дисперсии падающих нейтронов. Для
оценки угловых интегралов применяется метод перевала, являющийся более адекватным в случае силь-
нопоглощающих кристаллов, чем обычно используемый метод стационарной точки. Найдено, что распре-
деление интенсивности дифрагированного и преломленного пучков вдоль базиса треугольника Бормана
существенно зависит от отклонения энергии нейтронов от резонансного уровня. При сравнении наших
расчетов с экспериментальными данными Шалла по дифракции нейтронов в кремнии мы рассматриваем
также роль конечной ширины коллимирующей и сканирующей щелей.
413
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
414
ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019 Особенности дифракции Лауэ нейтронов. . .
редь, параллельна отражающим плоскостям кри- где Ge (E) характеризует распределение падающих
сталла. Вначале мы рассмотрим щель как нитевид- нейтронов по энергиям, а функция
ный излучатель. В этом случае нейтронные волны π
in
имеют цилиндрическую симметрию с осью симмет- ΨE (r) = Ga (θ)eiκ(θ)·r dθ (4)
рии z вдоль щели. А в разд. 4 мы анализируем роль −π
конечной ширины обеих щелей, используемых в экс-
периментах. описывает нейтроны с фиксированной энергией E.
Мы аппроксимируем угловое распределение нейтро-
нов гауссовской функцией с максимумом под углом
2. ОСНОВНЫЕ ФОРМУЛЫ θ0 близким к углу Брэгга θB :
1 (θ0 − θ)2
Пусть падающие нейтроны при t → −∞ описы- Ga (θ) = √ 1/2 exp − , (5)
ваются начальным волновым пакетом 2πσ 4σ 2
dκ где
Ψin (r, t) = f (κ)eiκ·r−iEt/ , (1) σ 2 = (θ0 − θ)2 (6)
(2π)3
обозначает среднеквадратичную угловую диспер-
где κ — волновые векторы нейтронов, E =
сию нейтронов. Обычно σ 1, что дает нам воз-
= 2 κ2 /2m — их энергия и m — масса нейтрона.
можность расширить пределы интегрирования по θ
Произведение |f (κ)|2 Δκ интерпретируется как
от −∞ до ∞. А если σ значительно превышает ин-
вероятность найти нейтрон с волновым вектором κ
тервал дифракции |Δϑ|, то Ga (θ) можно заменить
в интервале размером Δκ около κ. Для краткости,
константой.
мы опускаем спиновый множитель, который не
Распределение нейтронов по энергии также опи-
влияет на когерентное рассеяние в немагнитном
сывается гауссовской функцией:
кристалле с неполяризованными ядрами.
Введем систему координат x, y, z с центром на 1 (E − Ē)2
Ge (E) = √ 1/2 exp − 4σ 2 . (7)
входной поверхности кристалла в середине колли- 2πσ e e
мирующей щели. Ось x направим в глубь кристал-
ла перпендикулярно поверхности, ось z вдоль ще- Мы рассматриваем рассеяние нейтронной волны
ли (см. рис. 1). Введем еще одну систему координат на атомных ядрах в кристалле, игнорируя влияние
x , y , z так, чтобы ось x была направлена парал- электронов. Тогда когерентное рассеяние нейтронов
лельно отражающим плоскостям кристалла, а ось элементарной ячейкой кристалла из состояния κ в
z совпадала с осью z. Эта система координат полу- состояние κ определяется амплитудой
чается из x, y, z поворотом на угол ϕn вокруг оси F (κ, κ ) = eiQ·ρj f¯j (κ, κ ), (8)
z. Здесь ϕn < 0 для поворота по часовой стрелке j
и ϕn > 0 в обратном случае. Обозначим угол меж-
ду волновым вектором нейтронов κ и осью x как ϕ, где Q = κ−κ — вектор рассеяния, радиус-вектор ρj
угол падения на отражающие плоскости — θ, угол определяет положение равновесия j-го атома в эле-
Брэгга — θB . ментарной ячейке, f¯j (κ, κ ) — амплитуда когерент-
Кроме того, мы вводим углы ϕ0 и ϕ1 между ного рассеяния нейтронов j-м ядром:
осью x и сторонами треугольника Бормана, соответ- f¯j (κ, κ ) = −b̄j e−Wj (Q) + f¯jres (κ, κ ), (9)
ствующим проходящему и дифрагированному лу-
чам (ϕ0 = θB + ϕn > 0 и ϕ1 = −θB + ϕn < 0). b̄j — длина когерентного рассеяния нейтронов j-м
Пусть расходящийся пучок нейтронов движется ядром, e−Wj (Q) — квадратный корень фактора Де-
в плоскости x, y перепендикулярно щели и «разма- бая – Валлера, f¯jres (κ, κ ) — амплитуда когерентного
зан» по углу θ. Тогда f (κ) ∼ δ(κz ), в то время как резонансного рассеяния. В окрестности изолирован-
компоненты κ(θ) вдоль осей x, y, z есть ного резонанса она дается формулой
415
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
2Ie + 1 Γn (exp[−iκ · uj ]){n0s }{ns } (exp[iκ · uj ]){ns }{n0s }
f¯jres (κ, κ ) = −cj , (10)
2Ig + 1 2κ0 E − E0 − s ωs (ns − n0s ) + iΓ/2
{ns }
где cj — вероятность нахождения резонансного изо- нов. В таком дебаевском подходе параметр W (κ) =
топа в j-ом узле, Ig — спин основного состояния ис- = (1/2)κ2 u2x задается формулой [41]
ходного ядра, Ie — спин возбужденного состояния
составного ядра, E0 = 2 κ20 /2m — энергия резонанс- 2 ΘD /T
3R T 1 1
ного уровня, Γ = Γn + Γγ + Γf — полная ширина W (κ) = + z dz, (15)
kB ΘD ΘD ez −1 2
уровня, состоящая из парциальных ширин каналов 0
распада — нейтронного Γn , радиационного Γγ и, воз-
можно, канала деления Γf ; uj — смещение j-го яд- где R = 2 κ2 /2M представляет собой энергию отда-
ра из положения равновесия, {n0s } и {ns } — набо- чи ядра с массой M .
ры чисел фононов в начальном и конечном состо- В приближении быстрых столкновений, когда
яниях кристалла, ωs — частоты фононов, скобки ωmax /Γ 1, выражение (11) сводится к
. . . означают усреднение по начальным состояни- e−Wj (Q)
ям кристаллической решетки. . . . = . (16)
E − E0 + iΓ/2
Сумма в (10) может быть преобразована в инте- {ns }
грал
Это приближение хорошо выполняется для низко-
−Wj (κ) −Wj (κ ) лежащих резонансов. В частности, для кристалла
. . . = −ie e × 113
{ns }
CdS с параметрами нейтронного резонанса E0 =
∞ = 0.1779 ± 0.0002 эВ, Γn = 0.638 ± 0.0008 мэВ, Γγ =
dt i(E − E0 )t Γt = 112.4±0.4 мэВ [42] и ΘD = 219K имеем ωmax /Γ ≈
× exp − + ϕj (t) , (11)
2 ≈ 0.2.
0
где p = κ и p = κ — начальный и конеч- kν (θ) = κν (θ) + δ(θ)n, κ1 (θ) = κ0 (θ) + h, (18)
ный импульсы нейтронов, ΘD — температура Де-
бая, ωmax = kB ΘD / — максимальная частота фоно- где n — единичный вектор вдоль оси x.
416
ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019 Особенности дифракции Лауэ нейтронов. . .
Как следствие, волновая функция ΨE (r) внутри Система двух уравнений (27) имеет следующее
кристалла преобразуется в решение [8]:
(ν)
ΨE (r) = ΨE (r), (1,2) 1 1
ε0 [g00 + βg11 − βα] ±
= [g00 + βg11 −
ν=0,1 4 4
1/2
∞ (19) 2
− βα] + 4β [g00 α − (g00 g11 − g01 g10 )] , (29)
(ν)
ΨE (r) = dθ Ga (θ)ψκν (θ) (r),
−∞ где
β = γ0 /γ1 . (30)
где ψκν (θ) (r) задается формулой (1)
Здесь и далее знак плюс соответствует ε0 , а знак
(2)
ψκν (θ) (r) = Cν(ι) (θ)eiκν (θ)·r+iδι (θ)x . (20) минус — ε0 .
ι=1,2 Более удобно выразить их через новый параметр
отклонения
Следуя [8], мы вводим обозначения 1/2
1 β
η= (α − α0 ), (31)
k0 (θ) = κ[1 + ε0 (θ)], k1 (θ) = κ[1 + ε1 (θ)]. (21) 2 g01 g10
где угловое смещение
Параметры ε0(1) (θ) связаны следующим образом:
α0 = g11 − g00 /β. (32)
ε1 = α/2 + γ1 ε0 /γ0 , (22)
Обратим внимание, что η уже комплексное число.
(1,2)
где Тогда параметры ε0 принимают простой вид
2κ(θ) · h + h2
α= , γν = cos ϕν . (23) (ι) 1 1
κ2 ε0 = g00 − g01 g10 β η + (−1)ι+1 1 + η 2 (33)
2 2
Выражение 1 + ε0 (θ) имеет смысл показателя пре-
и δι (η), определенные в (26), могут быть записаны
ломления для падающей волны exp{iκ0 (θ) · r}.
следующим образом:
Напомним, что ϕν — угол между векторами κν =
= κν (θB ) и осью x. Угол α указывает отклонение от κg00 π
δι (η) = − η + (−1)ι+1 1 + η 2 , (34)
точного условия Брэгга, соответствующего κ1 = κ. 2γ0 ΛL
Для нейтронов с фиксированной энергией [21] где
2πγ0
ΛL = √ (35)
α = 2 sin 2θB Δθ, (24) κ g01 g10 β
означает маятниковую длину в случае слабопогло-
где щающих кристаллов (см., например, [24]).
Δθ = θB − θ. (25) Для дифракции Лауэ (β > 0) амплитуды волн
Поправка δ к волновым векторам в среде связана удовлетворяют следующему граничному условию
с параметром ε0 следующим соотношением: при x = 0:
(ι) (ι)
δ(θ) = κε0 (θ)/γ0 . (26) C0 (θ) = 1, C1 (θ) = 0. (36)
ι=1,2 ι=1,2
Амплитуды C и волновые векторы k определя- Будучи выраженными через переменную η, они пе-
ются системой фундаментальных уравнений дина- реписываются в виде
мической теории рассеяния [24]. Для двухволнового
случая в обозначениях [8] они записываются как (ι) 1 η
C0 (η) = 1 + (−1)ι ,
2 1 + η2
(k 2 (θ)/κ2 (θ) − 1)C0 = g00 C0 + g01 C1 , 1/2 (37)
(27) (−1)ι g10 β
(k12 (θ)/κ2 (θ) − 1)C1 = g10 C0 + g11 C1 . (ι)
C1 (η) = .
2 g01 1 + η2
Матрица рассеяния gμν определяется выражением
Выразим угловое распределение Ga (θ) как функ-
4π цию η. С помощью уравнений (24) и (31), находим
gμν = 2 F (κν , κμ ), μ, ν = 0, 1, (28)
κ v0 вначале связь между отклонениями Δθ и η:
где v0 — объем элементарной ячейки кристалла. θB − θ = Δϑη − ΔθB , (38)
417
3 ЖЭТФ, вып. 3
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
2 мы находим, что
η 2 = (σ/Δϑ) . (42)
ΔyS 1
Из определения η также следует, что = [sin 2ϕn + p sin 2θB ]. (51)
D 2γ0 γ1
√
Ga (θ) dθ = − Δϑ Ga (η) dη. (43) Подстановка этой формулы в (47) после некото-
рых тригонометрических манипуляций дает
Распределение интенсивности нейтронов по ос-
нованию треугольника Бормана обычно анализиру-
κD
ется с помощью сканирующей щели, расположенной exp{iκ(θ) · r} = exp i [1 − p]α0 ×
4γ1
на задней поверхности кристалла и направленной
πD
вдоль оси z. Пусть rS = {D, yS , z} является радиус- × exp i [1 − p]η eiκ0 ·r . (52)
вектором какой-либо точки S внутри щели, в то вре- ΛL
мя как y0 координата средней точки Е на стороне Учитывая уравнение (34), мы приходим к следу-
AB треугольника Бормана (см. рис. 1). Следуя [24] ющему выражению для волн в выходной щели:
мы определяем приведенную координату этой точки
как exp{iκ(θ) · r + iδι (θ)D} = Φ(p; E) ×
ΔyS
p= , (44)
πD
L × exp −i pη + (−1) ι+1
1+η 2 eiκ0 ·r , (53)
где 2L — длина отрезка AB, ΔyS = yS −y0 — коорди- ΛL
ната точки S относительно средней точки E. Опре- где использовано сокращение
деление (44) эквивалентно
Φ(p; E) =
ΔyS /D
p=2 , (45) κD g00 g11 g00 g11
tg ϕ0 − tg ϕ1 = exp i + +p − . (54)
4 γ0 γ1 γ0 γ1
которое в случае симметричной дифракции, β = 1,
сводится к определению p, данному в [22, 26]: Подставляя (52) в (19), (20) и вводя обозначения
tg πD
p= , (46) N = , (55)
tg θB |ΛL |
418
ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019 Особенности дифракции Лауэ нейтронов. . .
(ι) 1
Sι (η) = −i (|ΛL |/ΛL ) pη + (−1)ι+1 1+η 2 , (56) C0 = (1 + p) ,
2
1/2 (63)
находим интегральное представление для волновой (ι) (−1)ι g10
C1 = β 1 − p2 ,
функции в точке r ≈ rS : 2 g01
(ν)
√ а угловой множитель
ΨE (r) = − Δϑ Φ(p; E) ×
1 1 p2
× dη Ga (η) Cν(ι) (η)eN Sι (η) eiκν ·r , (57) Ga (η0 ) = 1/4 exp − . (64)
ι=1,2 2πη 2 4η 2 |1 − p2 |
C
где путь интегрирования C на комплексной плоскос- Подставляя (60), (61) и (63) в (62), получаем вол-
ти η = ηr + iηi является прямой линией, заданной новую функцию нейтронов в точке r ≈ rS внутри
условием Im[α0 + 2(g01 g10 /β)1/2 η] = 0. сканирующей щели. Для преломленных нейтронов
Для кристалла, чья толщина D |ΛL |/π, боль- волновая функция
шой параметр N позволяет оценить интеграл по η
1/2
с помощью метода перевала (см., например, [44]). (0) 1 A0 (p) 1+p
ΨE (r) = Φ(p; E) ×
Здесь мы предполагаем, что C(η), а также Ga (θ) — 2 (1 − p2 )1/4 1 − p
гладкие функции. Сначала из уравнения Sι (η) = 0
2ΛL iζ(p)
находим седловые точки × e + e−iζ(p) eiκ0 ·r (65)
D
(ι) p
η0 = (−1)ι . (58) и для дифрагированных нейтронов
1 − p2
(1) 1 A1 (p)
Поскольку подынтегральная функция в (57) яв- ΨE (r) = Φ(p; E) ×
2 (1 − p2 )1/4
ляется аналитической, можно деформировать кон-
тур интегрирования C на комплексной плоскости η. 2ΛL iζ(p)
× e − e−iζ(p) eiκ1 ·r , (66)
Этот контур должен пересекать ι-ю седловую точ- D
ку вдоль линии, которая указывает наиболее крутой где
спуск функции Sι (η). Вдоль такой линии Im Sι (η) = πD π
ζ(p) = 1 − p2 + (67)
= const и функция Re Sι (η) максимальна в точке η0 . ΛL 4
Эти требования выполняются, если эта линия на- и амплитуды
правлена относительно действительной оси ηr под √
A0 (p) = − Δϑ Ga (η0 ),
углом 1/2
g10 (68)
π 1 A1 (p) = β A0 (p).
ϑι = ± − arg Sι (η0 ), (59) g01
2 2
Соответствующие интенсивности монохромати-
где вторая производная Sι (η) в седловой точке рав- ческих нейтронных пучков определяются как
на
ι |ΛL | (ν)
Iν (p, E) = |ΨE (p)|2 .
Sι (η0 ) = i(−1) [1 − p2 ]3/2 . (60) (69)
ΛL
Вводя обозначение
Подставляя (60) в (59), получаем при |p| < 1
1 1 1
ιπ = +i , (70)
ϑι = (−1) + arg ΛL . (61) ΛL τL σL
4
мы получаем следующее распределение интенсивно-
Оценивая интеграл (57) с помощью метода пере- сти преломленного пучка вдоль основания треуголь-
вала, имеем ника Бормана (|p| < 1):
(ν)
√
ΨE (r) = − Δϑ Ga (η0 )Φ(p; E) × |A0 (p)|2 1 + p −μD 2|ΛL |
I0 (p, E) = e ×
2π 1 − p2 1 − p D
× Cν(ι) eN Sι (η0 ) eiϑι eiκν ·r , (62)
N |S (η )| πD
ι=1,2 ι 0 × sh2 1−p2 +
σL
(ι) (ι)
= Cν (η0ι ) в седловых точках πD π
где амплитуды Cν + cos2 1 − p2 + , (71)
имеют вид τL 4
419
3*
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
420
ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019 Особенности дифракции Лауэ нейтронов. . .
I1(p,E) I1(p,E)
1.25
0.8
x=7 1.00
0.6 x=7
0.75
0.4 x=1 0.50
x=3
0.2
x=0 0.25
x=1
–0.75 –0.50 –0.25 0 0.25 0.50 0.75 1.00 –0.75 –0.50 –0.25 0 0.25 0.50 0.75 1.00
p p
Рис. 2. Распределение интенсивности I1 (p, E) монохрома- Рис. 4. То же, что и на рис. 2, но при μres D = 100
тического дифрагированного пучка вдоль основания тре-
угольника Бормана для нескольких значений параметра
расстройки резонанса x при μres D = 20 I0(p,E)
I0(p,E) 12
2.0
10
8
1.5
6
x=7
1.0 4
x=3
p 2 x=7
0.5 x=3
x=
1 –0.5 0 0.5 1.0
x=0
p
–0.5 0 0.5 1.0
p Рис. 5. То же, что и на рис. 3, но при μres D = 100
421
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
2 120
80
1
40
0
–1.0 –0.5 0 0.5 1.0
p
0
–1.0 –0.5 0 0.5 1.0
p Рис. 7. Усредненный поток нейтронов, дифрагированных
на плоскостях (111) кристалла кремния, испускаемый из
Рис. 6. Интенсивность монохроматического пучка нейт- выходной щели. Экспериментальные данные [30] указаны
ронов, дифрагированного на плоскостях (111) кристалла кружками, расчеты — сплошной линией
кремния, в зависимости от приведенной координаты p.
Длина волны нейтронов λ = 1.034 Å
422
ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019 Особенности дифракции Лауэ нейтронов. . .
сконцентрированы в основном в центре треугольни- быть полезна для планирования других нейтронно-
ка Бормана p = 0. Если имеет место сильное ядерное оптических экспериментов подобных [33–37].
поглощение, из двух волн, проходящих кристалл в
направлении вперед или в направлении дифракции,
только слабопоглощенная волна достигает выход- ЛИТЕРАТУРА
ной поверхности кристалла. В соответствии с (71)
1. И. И. Гуревич, Л. В. Taрасов, Физика нейтронов
и (72) ее интенсивность
низких энергий, Наука, Москва (1965).
πD
Iν (p, E) ∼ exp −μs D + 1−p ,2 (87) 2. Динамические свойства твердых тел и жидкос-
σL тей, ред. С. Лавси, Т. Шпрингер, Мир, Москва
где ν = 0 или 1. Отсюда мы видим, что эта функция (1980).
имеет максимум при p = 0 и убывает с ростом |p|. 3. H. Rauch and D. Petrachek, in: Neutron Diffraction,
Следовательно, подавление захвата нейтронов ядра- ed. by H. Duchs, Springer, Berlin (1978), p. 303–351.
ми ослабевает с отклонением от центра треугольни-
4. V. F. Sears, Phys. Rep. 82, 1 (1982).
ка Бормана. Другими словами, нейтронные волны
движутся внутри кристалла в основном вдоль от- 5. Ю. Г. Абов, Н. О. Елютин, А. Н. Тюлюсов, ЯФ 65,
ражающих плоскостей. Это качественно объясняет 1989 (2002) [Phys. Atom. Nucl. 65, 1933 (2002)].
поведение кривых на рис. 2 и 4 для малых x, кото-
6. Ю. Г. Абов и Н. О. Елютин, Когерентное рассея-
рые описывают дифракцию близко к резонансу.
ние нейтронов, МИФИ, Москва (1988).
В то время как в слабопоглощающем кристал-
ле волнистая структура вдоль задней поверхности 7. M. L. Goldberger and F. Seitz, Phys. Rev. 71, 294
кристалла проявляется весьма явно (см. рис. 6), она (1947).
становится смазанной в случае сильного поглоще-
8. Ю. Каган, А. М. Афанасьев, ЖЭТФ 49, 1504
ния, как показано на рис. 2–4. Наиболее отчетливо (1965) [Sov. Phys. JETP 22, 1032 (1966)].
эта структура появляется на крыле резонанса при
x = 7 в толстых кристаллах с μres D = 100 (см. 9. V. F. Sears, Canad. J. Phys. 56, 1261 (1978).
рис. 4, 5). Кривые x = 0 и 1 там практически сов- 10. А. М. Афанасьев, Ю. Каган, ЖЭТФ 48, 327 (1965)
падают с осью p. Любопытно, что на рис. 2 кривые [Sov. Phys. JETP 21, 2151 (1965)].
x = 3 и x = 7 расположены в обратном порядке в
центральной части треугольника Бормана. Это еще 11. J. P. Hannon and G. T. Trammell, Phys. Rev. 169,
одно проявление все той же двухволновой интер- 315 (1968).
ференции, отображенной в квадрате синуса в (72). 12. J. P. Hannon and G. T. Trammell, Phys. Rev. 186,
Усреднение по ширине щелей интенсивности дифра- 306 (1969).
гированного луча I1 (p, E) в слабопоглощающем кри-
сталле подавляет его бесконечный рост при p → ±1 13. J. P. Hannon, N. J. Carron, and G. T. Trammell,
Phys. Rev. 9, 2791 (1974).
и сдвигает максимумы I1 (p, E) внутрь треугольника
Бормана. Тот же эффект обеспечивается угловым 14. A. Ya. Dzyublik, Phys. Stat. Sol. (b) 123, 53 (1984);
распределением Ga (θ) с дисперсией σ, сравнимой с 134, 503 (1986).
интервалом дифракции |Δϑ|. В предельном случае
15. А. Я. Дзюблик, ЖЭТФ 85, 1658 (1983) [Sov. Phys.
σ |Δϑ| кривая I1 (p, E) коллапсирует в узкий пик
JETP 58, 965 (1983)].
при p = 0 подобный дельта-функции.
Для понимания роли угловой расходимости пуч- 16. В. А. Беляков, УФН 115, 553 (1975) [Sov. Phys.
ка нейтронов желательно проведение эксперимен- USP 18, 267 (1975)].
тов, подобных экспериментам [19] по подавлению 17. G. V. Smirnov, in The Rudolf Mössbauer Story, ed.
захвата нейтронов. Отметим, что эксперименталь- by M. Kalvius and P. Kienle, Springer, Heidelberg
ные данные в [19] значительно отличаются от ре- (2012).
зультатов, предсказанных теорией для плоских волн
[8]. В любом случае, мы надеемся, что наша теория 18. С. Ш. Шильштейн и др., Письма ЖЭТФ 12, 80
может быть использована для точного определения (1970) [JETP Lett. 12, 56 (1970)].
длин ядерного рассеяния и параметров нейтронных 19. С. Ш. Шильштейн, В. А. Соменков, В. П. Дока-
резонансов в экспериментах по дифракции, анало- шенко, Письма ЖЭТФ 13, 301 (1971) [JETP Lett.
гичных исследованиям Шалла. Она также может 13, 214 (1971)].
423
А. Я. Дзюблик, В. В. Михайловский, В. Ю. Спивак ЖЭТФ, том 155, вып. 3, 2019
20. G. Borrmann, Z. Physik 42, 157 (1941). 36. Е. О. Вежлев и др., Письма ЖЭТФ 96, 3 (2012)
[JETP Lett. 96, 1 (2012)].
21. W. H. Zachariasen, Theory of X-Ray Diffraction in
Crystals, Wiley, New York (1945). 37. В. В. Воронин и др., Письма ЖТФ 43, 75 (2017)
[Technical Phys. Lett. 43, 270 (2017)].
22. B. W. Batterman and H. Cole, Rev. Mod. Phys. 36,
681 (1964). 38. A. Я. Дзюблик, В. И. Слисенко, В. В. Михайловс-
кий, УФЖ 63, 174 (2018).
23. З. Г. Пинскер, Рентгеновская кристаллооптика,
Наука, Москва (1982). 39. A. Я. Дзюблик, В. Ю. Спивак, УФЖ 61, 826
(2016).
24. André Authier, Dynamical Theory of X-Ray Diffrac-
tion, Oxford Univ. Press Inc., New York (2001). 40. А. Ахиезер, И. Померанчук, Некоторые проблемы
теории ядра, Гостехиздат, Москва (1950).
25. M. K. Balyan, Acta Cryst. A 74, 204 (2018).
41. Дж. Займан, Принципы теории твердого тела,
26. N. Kato, Acta Cryst. 13, 349 (1960). Мир, Москва (1966).
27. N. Kato, Acta Cryst. 14, 526 (1961).
42. G. Leinweber, Neutron Capture and Total Cross Sec-
28. N. Kato, Acta Cryst. 14, 627 (1961). tion Measurements of Cadmium at the RPI LINAC,
https://accapp17.org/wp-content/uploads/2017/09/
29. N. Kato, J. Phys. Soc. Jpn 19, 971 (1964). Neutron-Capture.
30. C. G. Shull, Phys. Rev. Lett. 21, 1585 (1968).
43. М. Гольдбергер, К. Ватсон, Теория столкновений,
31. C. G. Shull, J. Appl. Phys. 6, 257 (1973). Мир, Москва (1967).
32. C. G. Shull and W. M. Shaw, Z. Naturforsch. 28a, 44. М. А. Лаврентьев, В. В. Шабат, Методы теории
657 (1973). функций комплексного переменного, Наука, Моск-
ва (1973).
33. V. V. Fedorov, V. V. Voronin, and E. G. Lapin, J.
Phys. G 18, 1133 (1992). 45. А. Г. Ситенко, Теория рассеяния, Выща Школа,
Киев (1975); Shpringer, Berlin Heidelberg (1999).
34. V. V. Voronin, I. A. Kuznetsov, E. G. Lapin et al.,
Phys. At. Nucl. 72, 470 (2009).
46. J. T. Yardley, Silicon Basics — General Overview,
35. V. V. Voronin, V. V. Fedorov, I. A. Kuznetsov, et al., https://www1.columbia.edu/sec/itc/ee/test2/pdf%
Phys. Proc. 17, 232 (2011). 20files/silicon%20basics.pdf.
424