Вы находитесь на странице: 1из 8

ФГБОУ ВО CибГУТИ

Кафедра технической электроники

Лаборатория электронных приборов

Отчет

ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ

БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Составил студент гр. ММП-81 Биденко Я.С.

Новосибирск 2020

1
1 Цель работы

Исследовать влияние частоты сигнала на дифференциальные параметры би-


полярного транзистора.

Схема исследования
Передняя панель вставки для исследования зависимости Н параметров от
частоты представлена на рисунке 1.
Питание схемы осуществляется от регулируемых источников постоянного
напряжения G1 и G2. Сигнал переменного тока для измерения параметров Н11 и
Н21 подается на вход G1~, а для измерения параметров Н12 и Н22 на вход G2~.
Включение транзистора по схеме ОБ или ОЭ осуществляется кнопкой S1, при
этом полярность источника G1 соответственно меняется. Измерение переменно-
го напряжения в различных точках схемы вольтметром переменного тока V~
производится переключателем S2. Коллектор транзистора выведен на гнездо К.

2
Рисунок 1. Передняя панель макета для исследования Н-параметров.

Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в за-


висимости от частоты для схемы ОЭ представлена на рисунке 2.
Для измерения параметров Н11 и Н21 транзистора в его входную цепь по-
дается синусоидальное напряжение UG1~ от генератора G~ . С помощью вольт-
метра переменного тока рV1~ производится измерение напряжения U1, U2 и
U3 на измерительных резисторах R2 и R3. Зная величину этих сопротивлений,
можно определить переменные составляющие входного и выходного токов
транзистора.
U U2 U
I2  3 .
I1  1 , (1) (2)
R2 R3
Тогда модуль коэффициента передачи тока транзистора

I2 U3 R
H 21Э    2 , (3)
I1 U1  U 2 R3
а модуль входного сопротивления
U2
H11Э  R 2 . (4)
U1  U 2
Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и вход-
ного сопротивления на различных частотах, получим зависимости
H21Э=F(f) и Н11Э=F(f).

3
Рисунок 2 Схема для измерения Н- параметров БТ для схемы с ОЭ в зависимо-
сти от частоты.

Для удобства измерений напряжений U1, U2, U3, U4 вольтметр pV~ под-
ключается к необходимым точкам схемы с помощью кнопочного переключате-
ля S2 (чтобы не усложнять схему, на рисунке 2 н не показан).
Измерение фазового угла коэффициента передачи тока транзистора произ-
водится с помощью двухлучевого осциллографа. На вход 1 осциллографа пода-
ется напряжение U1. На вход 2 осциллографа подается напряжение с коллекто-
ра транзистора (гнездо К).
Упрощенная схема измерения параметров биполярного транзистора в за-
висимости от частоты для схемы ОБ представлена на рис. 3 Режим транзистора
по постоянному току задается входным током IЭ0 измеряемым миллиампермет-
ром рА1, и напряжением на коллекторе, которое измеряется вольтметром рV2.
Миллиамперметр рА2 измеряет постоянный ток коллектора.

4
Рисунок 3 Схема для измерения Н- параметров БТ для схемы с ОБ в
зависимости от частоты.

Параметры определяются по формулам

U2 I2 U3 R
H11Б   R1 (5) и H 21Б    1 (6)
U1  U 2 I1 U1  U 2 R3

Для измерения параметров Н12 и Н22 генератор переменного тока следует под-
ключить к гнездам G2~, а гнезда G1~ замкнуть накоротко.
Параметры вычисляются по формулам

U2 U4 U3
H12  (7) H 22  (8)
U3 U 3  R3

Указания к работе в лаборатории

Таблица 1 - Параметры исследуемого транзистора


№ вставки МП-37А
Коэффициент передачи тока базы, h21Э0 25-50
Максимально-допустимые напряжения 30
коллектор-база и коллектор-эмиттер, В
Максимально-допустимый постоянный ток коллектора, мА 20
Максимальная мощность рассеивания, мВт 150
Предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера, не 1,0
менее, кГц

5
Таблица 2- Зависимость параметров Н21Э и Н11Э от частоты.
UКЭ0=5 В, IК0=5мА , IБ0= 0.09мкА, U2 = 10 мВ
f, кГц 1 10 20 30 35 40 45
U1,мВ 27 34 38 40 51 46 45
U3, мВ 68 64 61 58 56 54 50
Н21Э 40 26.6 21.8 19.3 13.7 15 14.2
Н21Э/h21Э0 1 0.665 0.545 0.483 0.343 0.375 0.355
Н11Э, Ом 588.2 416.6 357.1 333.3 243.9 277.7 285.7
fН21Э =24 кГц

Таблица 3 – Зависимость фазового сдвига от частоты.


f, 1 10 20 30 35 40 45
МГц
Т, мс 1 0.1
0.034 0.016 0.014 0.0067 0.00
42
, мс 0.282 0.067
0.033 0.017 0.015 0.018 0.00
4
, 0 1.77 4.21 6.1 6.68 6. 16.9 5
7 .98

Таблица 4 - Зависимость параметров Н21Б и Н11Б от частоты.


IЭ0= 5 мА, U2 = 10 мВ
f, кГц 1 300 400 450 500 550 600
U1, мВ 115 74 67 59 55 53 28
U3, мВ 100 57 48 40 36 33 16
Н21Б 0.95 0.89 0.84 0.82 0.8 0.77 0.8
Н21Б/h21Б0 1 0.94 0.88 0.86 0.84 0.81 0.84
Н11Б, Ом 9.5 15.63 17.54 20.4 22.2 23.26 55.5
fН21Б=984 кГц
Примечание. Н21Б0-коэффициент передачи тока эмиттера на частоте 1 кГц.

6
7
Вывод: В ходе данной лабораторной работы мы исследовали зави-
симость параметров транзистора от частоты. Было выявлено, что
модуль коэффициента передачи |h21б| на предельной частоте fh21б
снижается в раз. По полученным экспериментально данным,
был построен график и получено, что входное сопротивление Н11э
транзистора в схеме с ОЭ имеет емкостной характер и с ростом ча-
стоты уменьшается. А входное сопротивление Н11б транзистора
включенного по схеме с общей базой растет с ростом часто-
ты.Таким образом, частотные свойства транзистора в схеме с ОЭ
значительно уступают транзистору, включенному по схеме с ОБ.