МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
Кафедра микро и наноэлектроники

ОТЧЕТ
по летней учебной практике
Тема: Особенности технологии полупроводников А 3В5 и их применение
в электронике

Студент гр. 8283 Вересовой В.В.

Руководитель Михайлова О.Н.

Санкт-Петербург
2020
 ЗАДАНИЕ
НА ЛЕТНУЮ УЧЕБНУЮ ПРАКТИКУ

Студент Вересовой В.В.

Группа 8283
Тема практики: Особенности технологии полупроводников А 3В5 и их
применение в электронике

Задание на практику:
рассказать о особенностях технологи полупроводников А3В5 и их применение
в электронике

Сроки прохождения практики:

Дата сдачи отчета:
Дата защиты отчета:

Студент Вересовой В.В.

Руководитель Михайлова О.Н.

2
 АННОТАЦИЯ

В данном реферате рассмотрены элементарные полупроводник типа

АIIIВV их кристаллическая структура, химическая связь, физико-химические и
электрические свойства, варианты легирования, дефекты структуры, варианты
получения и применение. Также рассмотрены твердые растворы на основе
соединений АIIIВV.

3
 СОДЕРЖАНИЕ

Введение 5
1. Элементарные полупроводники 6
1.1. Кристаллическая структура и химическая связь 6
1.2. Физико-химическая и электрические свойства 7
1.3. Примеси и дефекты структуры 12
2. Получение и применение полупроводниковых соединений 14
типа АIIIВV
2.1. Технология получения 14
2.2. Применение полупроводниковых соединений типа АIIIВV 17
3. Твердые растворы на основе соединения АIIIВV 19
3.1. Особенности внутреннего строения 19
3.2. Применение твердых растворов 21
Заключение 23
Список использованных источников 24

4
 ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковые соединения АIIIВV являются ближайшими

электронными аналогами Si и Ge и образуются в результате взаимодействия
элементов большой подгруппы III Периодической системы (B, Al, Ga, In) с
элементами большой подгруппы V (N, P, As, Sb). Висмут (Bi) и таллий (Tl) не
образуют подобных соединений.

5
 1. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

1.1. Кристаллическая структура и химическая связь

Полупроводниковые соединения АIIIВV являются ближайшими
электронными аналогами Si и Ge и образуются в результате взаимодействия
элементов большой подгруппы III Периодической системы (B, Al, Ga, In) с
элементами большой подгруппы V (N, P, As, Sb). Висмут (Bi) и таллий (Tl) не
образуют подобных соединений. Классифицируют соединения АIIIВV по типу
металлоида как нитриды, фосфиды, арсениды и антимониды.[1]
Соединения АIIIВV кристаллизуются (кроме нитридов) в решетке
кубического типа сфалерита. Нитриды имеют гексагональную решетку
вюрцита. В решетке того и другого типов каждый атом элемента III группы
находится в тетраэдрическом окружении четырех атомов элемента V группы, и
наоборот. Грани [111], сложенные из разноименных атомов, имеют
отличающееся поведение при выращивании, травлении и окислении. В этих
соединениях преобладает донорно-акцепторный тип связи.[2]

а б
Рис. 1.1.1 – Кристаллические структуры типа сфалерита(а) и вюрцита (б)
Для соединений АIIIВV характерен донорно-акцепторный тип химической
связи. Из четырех ковалентных sp3-связей, которыми каждый атом встраивается
в решетку, три образуются обобществлением валентных электронов атомов А III
и ВV, а четвёртая связь осуществляется неподеленной парой валентных
6
электродов атомов ВV . На рисунке 1.1.2 такие электроны показаны крупными
точками.

Рис. 1.1.2 – Схема химческих связей в соединениях АIIIВV на примере фосфида галлия
Образование этой связи соответствует энергетически выгодному
переходу электронов от атома ВV в энергетическое состояние, общее для
донора. В каждой ковалентной связи максимум электронной плотности смещен
в сторону атома с более высокой электроотрицательностью, т.е. электронные
облака стянуты к узлам решетки, где находятся атомы В V. Благодаря такой
поляризации такой поляризации связей атомы А III приобретают некоторый
эффективный положительный заряд, а атомы ВV – отрицательный. Величина
этого эффективного ионного заряда (+-q) определяет степень ионности
соединения, которая изменяется при переходе от одного соединения к другому
в соответствии с положением в Периодической системе элементов Менделеева.
[2]

1.2. Физико-химические и электрические свойства

Соединения АIIIВV образуют гомологические ряды, в которых
закономерно изменяются свойства. Эти закономерности можно проследить с
помощью данных, представленных в таблице 1.2.1.[1]

7
 Таблица 1.2.1
Основные свойства соединения АIIIВV

В бинарной системе АIII - ВV существует только одно устойчивое

химическое соединение эквиатомного состава. Полиморфизма не наблюдается
вплоть до точки плавления. Диаграммы состояния имеют однотипный
дистектический характер.

Рис. 1.2.1 – Диаграмма состояния системы индий-мышьяк

В большенстве случаев одна из эвтектик вырождена в сторону
легкоплавкости металлического компонента. Благодаря этому образуется
широкое температурное иконцентрационное поле первичной кристаллизации
соединения АIIIВV, что широко используется для выращивания монокристаллов

8
и эпитаксиальных слоев из жидкой фазы. Точки плавления полупроводниковых
соединений лежат выше соответствующих температур плавления исходных
компонентов, исключение составляет антимонид индия, температура плавления
которого 5250С лежит между температурой плавления сурьмы 630 0С и индия
1570С.[2]
Экспериментальные данные и теоретические расчеты говорят о
возможности достаточно заметных отклонений от стехиометрического состава
этих соединений. На рисунке 1.2.2 показаны линии солидуса для ряда
бинарных систем АIII - ВV. Как видно, растворимость собственных компонентов
в кристаллизуемом соединении носит ретроградный характер. Основными
видами нестехиометрических дефектов структуры являются вакансии в обеих
подрешетках, а также избыточные атомы в междоузельных позициях. В
некоторых случаях существенную роль могут играть антиструктурные
дефекты.

Рис. 1.2.2 – Области гомогенности ряда твердых фаз бинарных соединений типа АIIIВV
Как правило, точечные дефекты в полупроводниковых кристаллах
обладают электрической активностью и могут влиять на тип
электропроводности и концентрацию носителей заряда. Вакансии в

9
металлической подрешетке в большинстве случаев ведут себя подобно
акцепторным примесям, а антиструктурный дефект As++Ga в решетке GaAs
играет роль двухзарядного донора. Отдельные точечные дефекты могут
взаимодействовать между собой и образовывать более сложные комплексы. Так
нелегированные кристаллы GaSb, выраженные методом Чохральского, всегда
проявляют электропроводность р-типа, причем в качестве мелких акцепторов
выступают комплексы VGaGaSb, концентрация которых может превышать 1023м3.
Протяженность области гомогенности полупроводниковой фазы
уменьшается при понижении температуры. Воспроизведение
стехиометрического состава кристаллов не означает уничтожения точечных
дефектов структуры, а свидетельствует о равенстве числа металлических и
металлоидных атомов в решетке. Для кардинального улучшения структурного
совершенства кристаллов необходимо понижать температуру синтеза
соединения. Этим объясняется широкое распространение эпитаксиальных
методов кристаллизации.
За исключением антимонидов все соединения АIIIВV разлагаются при
нагревании, причем разложение происходит по схеме
АIIIВV(тв)-> АIII(ж)+1/2 ВV2(газ)
Равновесное давление насыщенного пара, состоящего практически из
молекул компонентов ВV, растет с повышением температуры и в точке
плавления достигает значения 104…105 Па для арсенидов и 106…107 Па для
фосфитов.
Большинство соединений АIIIВV имеют прямую структуру энергетических
зон, т.е. положение главных экстремумов валентной зоны и зоны проводимости
в них соответствует точке k=0. К числу прямозонных полупроводников
относятся нитриды элементов III группы, все соединения с индием, а также
арсенид и антимонид галлия. В таких соединениях достигается максимальная
эффективность рекомбинационного излучения, что используются при создании
инжекционных лазеров и светоизлучающих диодов.

10
 Внутри каждой группы соединений-аналогов наблюдается уменьшение
ширины запрещенной зоны с ростом суммарного атомного номера и средней
атомной массы. Такую закономерность можно объяснить увеличением
межатомных расстояний в решетке и соответствующим ослаблением
ковалентных связей при переходе к более тяжелым атомам. Уменьшение
энергии химических связей сопровождается понижением температуры
плавления, предела механической прочности и твердостью материала.
Полупроводниковые соединения, образованные тяжелыми элементами, по
своим механическим свойствам приближаются к металлам.
Температурные изменения ширины запрещенной зоны как прямозонных,
так и непрямозонных соединений качественно подобно зависимости ∆Э(Т) для
кремния и германия.
Прямозонные соединения существенно более высокой подвижностью
электронов, что является следствием малой эффективной массы последних.
Рекордной подвижность электронов ( 7,8 м2/(В*с)) при комнатной температуре
обладает антимонид индия.
Основным фактором, ограничивающим подвижность носителей заряда в
нормальных условиях, является их рассеяние на оптических тепловых
колебаниях, под которыми следуем понимать противофазные смещения
соседних атомов. Поскольку атомы АIII и ВV обладают некоторыми ионными
зарядами, то их противофазное смещение приводит к появлению дипольного
момента, являющегося эффективным центром рассеяния электронов и дырок.
Чем больше разность электроотрицательностей элементов, образующих
соединение, тем сильнее выражена ионная составляющая химической связи.
Соответственно вырастает рассеяние на оптических колебаниях решетки и
уменьшается подвижность носителей заряда.[2]
В ряду соединений АIIIВV отчетливо выражена зависимость подвижности
электронов, менее для дырок, от увеличения атомной массы.
Вследствие большого различия в значениях подвижностей электронов и
дырок в InSb, InAs, InP и GaAs их собственное удельное сопротивление
11
практически полностью определяется движением электронов. При
фиксированной температуре минимальная удельная проводимость этих
материалов наблюдается у образцов р-типа в области смешанной
электропроводности.[2]
1.3 Примеси и дефекты структуры
Примеси замещения с валентностью, большей валентности замещаемых
атомов решетки, а с меньшей валентностью – акцепторами. Однако в бинарных
соединениях существует два типа узлов, поэтому возникает вопрос о характере
замещения. Исследования показывают, что встраивание примесей в
кристаллическую решетку соединений АIIIВV происходит таким образом, что
при замещении не возникает центров с большим локальным зарядом. Примеси
группы II (Be, Mg, Zn, Cd) образуют с ними твердые растворы замещения,
являясь акцепторами благодаря меньшей валентности по сравнению с
валентностью вытесняемых атомов. Примеси группы VI (S, Se, Te)
располагаются в узлах ВV, являясь донорами. Примеси группы IV могут быть
как донорами, так и акцепторами, поскольку в этом случае при замещении
атомов одной из подрешеток имеется избыток или недостаток лишь одного
валентного электрона. Поэтому одним из критериев донорного или
акцепторного действия примесей может служить соответствие размеров
замещающего и замещаемого атомов.
В большинстве случаев атомы примесей элементов VI группы
локализуются в одной из подрешеток. В зависимости от степени легирования,
температуры роста и состава кристаллизационной среды имеет место
преимущественное вхождение примесей в ту или иную подрешетку. При
легировании амфотерными примесями полупроводник обычно оказывается
компенсированным, т.е. концентрация носителей заряда в нем существенно
меньше вводимых примесей.

12
Рис. 1.3.1 – Схема поведения примесей в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV
Большинство соединений АIIIВV относительно просты по механизму
легирования. Тип электропроводности полупроводника и концентрация
носителей заряда в нем достаточно легко управляются изменением содержания
легирующих примесей. Введение избытка одного из компонентов в среду
кристаллизации не приводит к радикальному изменению электрофизических
свойств материала. Это объясняется узкой областью гомогенности
синтезируемых соединений при типичных температурах эпитаксиального
процесса. Исключение составляют нитриды.[2]

13
 2. ПОЛУЧЕНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ
2.1. Технология получения
Технология получения полупроводниковых соединений отличается от
технологии получения элементарных полупроводников наличием операции
синтеза. При получении неразлагающихся соединений (антимонидов)
сплавляют исходные компоненты, далее следуют очистка, легирование и
выращивание монокристалла, как в технологии для Ge. При получении
кристаллов разлагающихся соединений для предотвращения испарения
летучего компонента синтез проводится в замкнутом нагреваемом объеме.
Синтез арсенидов и фосфидов в большинстве случаев осуществляет
двухтемпературным методом. С помощью низкотемпературной зоны над
расплавом создают пара летучего компонента, равное давлению диссоциации
соединения в точке плавления. Процесс синтеза заключается в растворении
паров мышьяка или фосфора в расплаве исходного металла с последующим
этапом направленной кристаллизации.

Рис. 2.1.1 – Схема метода двухтемпературного синтеза разлагающихся соединений:

1-нагревательный блок; 2-котейнер с расплавом; 3-конденсат летучего компонента; 4-
кварцевая ампула

14
 Наиболее эффективным методом выращивания монокристаллов
разлагающихся соединений является вытягивание из расплава из-под слоя
инертного флюса. Слой жидкого прозрачного флюса, находящегося под
давлением инертного газа, обеспечивает полную герметизацию тигля и
подавляет испарение летучего компонента из расплава. В качестве
герметизирующей жидкости используют расплав борного ангидрида В2О3
обладающего низкой химической активностью и невысокой температурой
размягчения. Толщина слоя флюса обычно составляет около 1 см.[2]

Рис. 2.1.2 - Схема выращивания монокристаллов разлагающихся соединений методом

вытягивания из-под слоя инертного флюса
Монокристаллы, полученные вытягиванием из расплава, обладают
недостаточно высокой химической чистотой, содержат значительное
количество точечных дефектов структуры, которые являются эффективными
рекомбинационными ловушками и обуславливают малое время жизни
неравновесных носителей заряда. Поэтому большинство полупроводниковых
приборов изготавливаются на основе эпитаксиальных слоев, осаждаемых из
жидкой или газовой фазы. В качестве подложек используются пластины,
вырезанной из монокристаллических слитков в заданном кристалло-
графическом направлении.
Молекулярно-пучковая эпитаксия по своей физической сущности
представляет собой обычный метод испарения и конденсируется в вакууме, но
отличается высокой прецизионностью и чистотой. Для достижения высокой

15
чистоты требуется вакуум не ниже 10-8 Па. Как правило, используется
технологические режимы, обеспечивающие очень низкие скорости
конденсации вещества. Благодаря высокому вакууму, низкой скорости
конденсации создаются уникальные возможности осуществления диагностики
слоев непосредственно в процессе осаждения. Для этих целей ростовая камера
снабжена специальной метрологической аппаратурой. Упрощенная схема
установки показана на рисунке 2.1.3. внутри вакуумной рабочей камеры 1
размещаются испарительные ячейки 6, подложка с держателем 4, сведста
технологического контроля и криопанели 3, охлаждаемой жидким азотом.
Криопанели 3 позволяют уменьшить газовыделение от стенок вакуумной
камеры 1. Для достижения и поддержания сверхвысокого вакуума установки
МПЭ оснащаются высокопроизводительными безмасляными средствами
откачки.

Рис. 2.1.3 – Схема метода молекулярно-пучковой эпитаксии:

1-вакуумная камера; 2-ионизационный датчик; 3-криопанели; 4-подложка с
держателем; 5-флуоресцентный экран; 6-испарительные ячейки с заслонками; 7-
электронная пушка; 8-нагнетатель подложек; 9-масс-спектрометр
Для формирования молекулярного потока условия в пролетном
пространстве между испарителем и подложкой должны быть такими, чтобы
молекулы испаренного вещества без столкновений с молекулами остаточных

16
газов достигали подложки. Если столкновения часты, то будет мала скорость
осаждения пленок, велико подпыление . Направленное движение молекул
вещества к подложке может быть создано за счет достаточно высокого вакуума
и путем соответствующей конфигурации испарителей.[3]

Рис. 2.1.4 – Осаждение пленок в условиях низкого (а) и высокого (б) вакуума
Методом ионно-лучевой эпитаксии получены гетероструктуры с
массивом квантовых точек InAs заключенных барьерными слоями GaAs
(образцы I типа) и AlGaAs (образцы II типа). Толщина барьерных слоев не
превышала 30 нм. Этот метод позволяет получать квантовые точки с
латеральными размерами до 50 нм.[4]
2.2. Применение полупроводниковых соединений типа АIIIВV
Многообразие свойств полупроводников типа АIIIВV обусловливает их
широкое применение в приборах и устройствах различного технического
назначения. Интерес к этой группе материалов был вызван потребностями
оптоэлектроники в быстродействующих источниках и приемниках излучения.
Инжекционные лазеры и светоизлучающие диоды на основе полупроводников
АIIIВV характеризуются наиболее высокой эффективностью преобразования
электрической энергии в электромагнитное излучение. Существенными
достоинствами таких приборов являются компактность и конструктивная
простата, совместно с элементами интегральных микросхем по рабочим
параметрам и технологическим операциям.[2]
Арсенид галлия GaAs является первым материалом, из которого в 1962 г.
был создан инжекционный лазер, работающий на основе генерации

17
когерентного излучения с помощью p–n-перехода. В настоящее время GaAs
является одним из лучших материалов для солнечных батарей. В
оптоэлектронике GaAs используют как излучатель в инфракрасной области. Он
является материалом фотокатодов, туннельных диодов и генераторов Ганна.[1]
Большой набор значений ширины запрещенной зоны у полупроводников
АIIIВV позволяет создавать на их основе различные виды фотоприёмник,
перекрывающий широкий диапазон спектра. Среди них наибольшее
распространение получили фотодиоды и фотоэлементы, принцип действия
которых основан на разделении генерируемых светом носителей заряда
внутренним полем p-n перехода. Фотодиоды работают в режиме обратного
включения и отличаются малым временем формирования фотоответа. Для
достижения максимальной фоточувствительности и высокого быстродействия
необходимо, чтобы глубина оптического поглощения примерно
соответствовало глубине залегания p-n перехода, т.е. чтобы поглощение
происходило в области объемного разряда. При оптимальных конструктивно-
технологических параметрах приборов удается без особых проблем получать
фотодетекторы с быстродействием в субнаносекундном диапазоне.
Разновидностью фотонных приемников излучения являются
фотоэлектронные умножители, работающие на основе внешнего фотоэффекта.
Полупроводники АIIIВV позволяют создавать эффективные фотокатоды из
сильнолегированного арсенида галлия с электропроводностью р-типа,
поверхность которого активирована пленкой Cs2O для снижения работы выхода
электронов, обладают квантовым выходом в ближней инфракрасной области
спектра на несколько порядков выше, чем фотокатода из традиционных
материалов. Высокие коэффициенты вторичной эмиссии электронов получены
при использовании p-GaP в качестве материала диодов.
По масштабам применения и номенклатуре создаваемых приборов
арсенид галлия занимает второе место после кремния среди всех материалов
полупроводниковой электроники. Из применений следует отметить
изготовление полуизолирующих подложек, позволяющих исключить изоляцию
18
при помощи p-n перехода, высокотемпературные выпрямительные диоды,
детекторы ядерного излучения, лавинно-пролетные диоды.[2]
Антимонид индия InSb является материалом для туннельных диодов
(рабочая температура выше, чем у германия), а также лучшим фотоприемником
для ИК-излучения в диапазоне от 3 до 7 мкм.
Соединения InP, InAs используют для генераторов Ганна, работающих на
частоте от 109 до 1010 Гц.[1]
Из соединений АIIIВV изготавливают светодиоды, отличающиеся высокой
эффективностью, малыми размерами и совместимостью с элементами
интегральных схем. Они являются материалом для люминофоров, фотодиодов
и фотоэлементов широкого спектрального диапазона, магниторезисторов,
преобразователей Холла, полевых транзисторов и больших интегральных схем.

19
 3. ТВЁРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ АIIIВV
Твердый раствор позволяет существенно расширить набор
электрофизических параметров, определяющих области их применения, по
сравнению с элементарными полупроводниками.
3.1. Особенности внутреннего строения
Среди соединений АIIIВV распространены твердые растворы замещения.
Составы твердых растворов замещения: АхВ1 – хС (А, В – металлы группы III);
АСуD 1 – у (С, D – металлоиды группы V); х, у – мольная доля (может изменяться
от 0 до 1 в зависимости от степени замещения). С изменением х, как правило,
наблюдается линейное изменение периода решетки. Эта закономерность
известна как правило Вегарда. Она позволяет рентгеновским методом
определить состав твердых составов замещения. [1]
Данные растворы представляют собой квазибинарную систему, в которой
взаимозамещаемые атомы статистически неупорядоченно распространяются по
узлам соответствующей подрешетки.
По своему внутреннему строению и свойствам эти материалы занимают
промежуточное место между упорядоченными и неупорядоченными фазами.
Из-за жестких ковалентных связей в них не наблюдается значительные
отклонения от стехиометрического состава, т.е. равенства совокупности
металлических атомов решетки и суммарного числа атомов металлоидных
элементов.[2]
Твердые растворы просты по механизму легирования, допускают
инверсию типа электропроводности, что позволяет формировать в них
электронно-дырочные переходы. Особый интерес к твердым растворам
замещения проявляется в связи с возможностью плавного изменения ширины
запрещенной зоны Е. Так, для Gax I1 – xAs и InPyAs1–y E практически линейно
изменяется от 0,37 до 1,4 эВ. Соединения имеют различную зонную структуру.

20
 Рис. 3.1.1 – Твердые растворы замещения на основе соединений АIIIВV
GaAs1 – y Py, Al xGa1 – x As (x, y = 0,3–0,4) эффективны как источники
красного излучения (светодиоды, лазеры), а Gax In1 – x P (х = 0,5–0,7)
эффективно люминесцируют в желто-зеленой области.
Монокристаллический слой получают эпитаксией из газовой фазы
(GaAs1–y Py ), или из жидкой фазы (AlxGa1 – xAs, AlxGa1–xSb, GaxI1 – xAs, GaxIn1-
P). Подложками при этом могут являться GaAs, GaP и GaSb. Растворителями
x

могут быть In или Ga в жидком состоянии.

Твердые растворы замещения открывают возможности создания
гетеропереходов. Под гетеропереходом понимают контакт двух проводников с
21
различной шириной запрещенной зоны. Решающим критерием выбора
материалов для гетеропереходов является соответствие периодов решеток и
температурных коэффициентов линейного расширения. Наилучшими парами
для гетеропереходов являются GaAs–AlxGa1 – xAs и GaSb–AlxGa1 – хSb.
Гетеропереходы позволяют плавно изменять свойства материалов на
границе контакта. Это материалы для инжекционных лазеров. Гетероструктура
может быть двойной:
р-GaAs – р-АlGaAs – p-GaAs – n-AlGaAs – n-GaAs
Такая структура обеспечивает непрерывную генерацию когерентного
излучения при комнатной температуре, при высоком квантовом выходе и
низком пороговом токе.

Рис. 3.1.2 – Двойная гетероструктура

Дополнительные степени свободы для изменения параметров
полупроводниковых материалов при создании идеальных гетеропереходов
дают четырехкомпонентные АхВ1 – х СуВ1 – у . Наиболее изучен Gax In1– xAs1–yPy
(исходными компонентами являются GaP, InP, GaAs, InAs). Ширина
запрещенной зоны изменяется от 0,75 до 1,35 эВ.[1]
3.2. Применение твердых растворов
Область применения многообразна, но преимущественно ориентиррована
на полупроводниковую оптоэлектронику. С помощью твердых растворов
удается получать высокоэффективные лазеры и светоизлучающие диоды.

22
 На рисунке 3.1.2 приведена схема двойной гетероструктуры,
используемая в инжекционных лазерах. Благодаря эффективному возбуждению
удается добиться очень высокого внутреннего квантового выхода
люминесценции и существенно снизить пороговую плотность тока, требуемую
для генерации когерентного излучения. Снижения порового тока увеличивает
срок службы приборов и позволяет осуществить непрерывный режим
генерации при комнатной температуре, который не удается реализовать в
инжекционных лазерах на гомогенных структурах с p-n-переходом.[1]
Гетеропереходы на основе GaAs/AlGaAs, имеющие спектральную
чувствительность в диапазоне 450 ≤ λ≤ 850 нм при освещений, позволяющих
использовать их в солнечных элементах.[5]

23
 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Соединения типа АIIIВV являются перспективными материалами для

оптоэлектроники, позволяющими создавать высокоэффективные лазеры и
светоизлучающие диоды.

24
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. В.Ф. Марков, Х.Н. Мухамедзянов, Л.Н. Максаева Материалы

современной электроники Екб.: Издательство Уральского университета, 2014.
274 с.
2. В. С. Сорокин, Б.Л, Антипов, Н.П. Лазарева Материалы и элементы
электронной техники. Проводники, полупроводники, диэлектрики. – Т.1. -
СПб.: Лань, 2015. 444 с.
3. Т.И. Данилина, К.И. Смирнова Процессы микро- и нанотехнологии
Томск: Издательство Томского университета. 2004. 259с.
4. Э.Е. Блохин, А.С. Пащенко Исследование гетероструктур InAs/GaAs
потенциальным барьером AlGaAs и GaAs для фотодетекторов ближнего ИК-
диапазона // Известия Южного федерального университета. 2016.
5. М.А. Абдукадыров, З.Т. Азаматов, Н.А. Аминжанова, А.С. Ганиев, Р.А.
Муминов Свойства GaAs/AlGaAs гетерофотопреобразователей с
голографическим концентратором // Computational nanotechnogy. 2017.

25