Федеральное агентство по образованию

Национальный исследовательский ядерный университет

«МИФИ»

А.К. Осипов

БАЗОВЫЕ КАСКАДЫ
ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

Учебное пособие

Москва 2009
УДК 621.382.049.77(075)
ББК 32.852я7
О 74

Осипов А.К. Базовые каскады электронных схем. Учебное пособие. —

М.: НИЯУ МИФИ, 2009. — 84 с.

Рассмотрены базовые каскады полупроводниковых и микроэлектронных схем,

в том числе операционных усилителей, построенные на биполярных и полевых
транзисторах. Показано, как с помощью эквивалентных электротехнических схем
транзисторов находятся основные параметры и характеристики усилительных
каскадов. Приведены сведения об обратных связях, являющихся одним из
основных методов стабилизации линейных усилителей. В приложениях даны
примеры расчетов пассивных цепей, наиболее часто используемых в электронных
схемах, и контрольные вопросы. Содержание учебного пособия соответствует
программе курса «Электротехника, электроника и основы микроэлектроники».
Предназначено для студентов специальности «Вычислительные машины,
комплексы, системы и сети», а также студентов, специализирующихся в области
автоматики и физического эксперимента.

Рецензент д-р техн. наук, проф. Ю.А. Волков

Рекомендовано редсоветом НИЯУ МИФИ в качестве учебного пособия

ISBN 978-5-7262-1187-9 © Национальный исследовательский ядерный

университет «МИФИ», 2009
 Оглавление
Предисловие ................................................................................................ 4
Глава 1. Базовые каскады электронных схем ........................................... 6
1.1. Принципы действия усилительных каскадов .............................. 6
1.2. Общие характеристики линейных усилителей .......................... 11
1.3. Режим усилительного каскада .................................................... 19
1.4. Каскады в области средних частот ............................................. 22
1.5. Переходные и частотные характеристики каскадов ................. 30
Глава 2. Интегральные операционные усилители ................................. 35
2.1. Дифференциальный каскад ......................................................... 35
2.2. Каскады согласования уровней ................................................... 39
2.3. Выходные каскады ....................................................................... 42
2.4. Частотные характеристики операционного усилителя ............. 44
2.5. Применение операционных усилителей в аналоговых
устройствах ................................................................................. 48
2.5.1. Усилитель тока .................................................................. 49
2.5.2. Суммирующий усилитель ................................................ 52
2.5.3. Неинвертирующий усилитель ......................................... 53
2.5.4. Интегрирующий усилитель ............................................. 54
Глава 3. Усилители с обратными связями .............................................. 57
3.1. Классификация видов обратной связи ....................................... 57
3.2. Последовательная отрицательная обратная связь по
напряжению ................................................................................. 58
3.3. Усилители с положительной обратной связью.......................... 62
3.4. Параллельная отрицательная обратная связь по току............... 62
3.5. Последовательная отрицательная обратная связь
по току ......................................................................................... 64
3.6. Параллельная отрицательная обратная связь
по напряжению............................................................................ 66
Приложение 1. Методы анализа и расчета электронных схем ............. 69
Приложение 2. Контрольные вопросы ................................................... 79
Список литературы ................................................................................... 81

3
 Предисловие
В настоящем учебном пособии рассматриваются принципы
действия простейших усилительных каскадов на биполярных и
полевых транзисторах, их основные параметры и характеристики.
Эти каскады являются базовыми как в полупроводниковой (на
дискретных элементах), так и в микроэлектронной технике. Вместе
с тем, как показывает многолетняя практика, этот раздел курса
«электротехника и электроника: основы микроэлектроники» явля-
ется одним из наиболее трудных для студентов впервые профес-
сионально знакомящихся с электроникой.
В первой главе анализируются каскады в области средних
частот. Кратко рассмотрены переходные и частотные харак-
теристики. Предполагается, что читатель знаком с принципом
действия, параметрами и характеристиками биполярных и полевых
транзисторов, например, по книгам [1, 2]. В пособии используется
Т-образная эквивалентная схема биполярного транзистора, тра-
диционная для МИФИ; для полевых транзисторов принята П-об-
разная эквивалентная схема. Внешние параметры усилителей
находятся на основе анализа эквивалентных электрических схем,
отражающих связь с физическими параметрами транзисторов,
резисторов, конденсаторов. Анализ быстродействия схем прово-
дится операторным методом [3, 4, 5]. В прил. 1 для справки при-
водятся некоторые сведения о нем. Анализ ограничивается, по сути
дела, решением уравнений первой степени. Несмотря на опреде-
ленную неточность, результаты расчета получаются достаточно
наглядными, что очень важно на данном этапе обучения
электронике.
Вторая глава пособия посвящена каскадам интегральных опе-
рационных усилителей, занимающих значительное место в совре-
менной аналоговой электронной технике. Рассматриваются струк-
турные элементы, влияющие на внешние характеристики опера-

4
ционных усилителей: дифференциальные и выходные каскады,
каскады согласования уровней. Наконец, на основе простой экви-
валентной схемы операционного усилителя анализируются не-
сколько наиболее употребительных усилительных схем.
В третьей главе пособия рассматриваются вопросы использо-
вания обратных связей, являющихся одним из основных методов
улучшения качественных показателей усилителей. При этом автор
стремился изложить материал в наиболее простом и наглядном
виде, несмотря на неизбежные в этом случае неточности.
Для самопроверки в прил. 2 сформулированы контрольные
вопросы по главам пособия.

5
 Глава 1
Базовые каскады электронных схем

1.1. Принципы действия усилительных каскадов

В аналоговых и цифровых микросхемах используется способ-

ность биполярных и полевых транзисторов усиливать подаваемый
на их вход сигнал. Различают усиление по мощности, напряжению
и току. Рассмотрим принцип усиления сигнала на примере схемы,
показанной на рис. 1.1. Здесь база биполярного транзистора явля-
ется общей для входной и выходной цепей. Поэтому такое включе-
ние транзистора называется схе-
мой с общей базой (ОБ). Входной
сигнал U вх создает на входе тран-
зистора ток эмиттера I э . В кол-
лекторной цепи будет протекать
Рис. 1.1 ток I к , слабо отличающийся от
тока эмиттера: I к = α N I э , где
обычно α N = 0,97 − 0,99 . Выходной сигнал снимается с нагрузоч-
ного резистора Rк . Он равен Δ U к = Rк I к ≈ Rк I э . Легко видеть,
что в данной схеме ток не усиливается. Поэтому каскады усиления
ОБ называют повторителями тока. Зато при достаточно большом
сопротивлении резистора Rк (когда Δ U к > U вх ) происходит уси-
ление напряжения и мощности.
Транзистор является существенно нелинейным прибором. Для
того чтобы он усиливал, эммитерный переход должен быть открыт,
а коллекторный закрыт. Такой режим (область) работы транзистора
называется нормальным активным. Он характерен прежде всего
для линейных схем, где связь между входным и выходным сигна-
6
лами носит линейный характер. В нелинейных схемах транзистор
работает в нормальной активной области во время переходного
процесса. В стационарном состоянии транзистор может находиться
в области отсечки, когда оба p–n перехода закрыты, в области на-
сыщения, когда оба p–n перехода открыты. Используется также
инверсная активная область, когда эммитерный переход закрыт,
а коллекторный открыт.
В электронной схеме предусматриваются цепи смещения, кото-
рые обеспечивают соответствующую область работы транзистора,
линейный или нелинейный режимы. К цепям смещения предъявля-
ется требование необходимой стабильности выбранного режима.
Отдельные каскады схемы соединяются непосредственно (гальва-
нически) или через разделительные конденсаторы и трансформа-
торы. В ИС применяется главным образом гальваническая связь.
Разделительные конденсаторы, занимающие много места в кри-
стале ИС, не используются.
Наряду со схемой ОБ биполярный транзистор включается по
схеме с общим эммитером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).
Полевые транзисторы имеют также три схемы включения: с общим
затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС).
Схемы выполняются на биполярных n–p–n и p–n–p транзисторах,
на полевых транзисторах как с каналом n, так и p-типа.
На рис. 1.2,а показана простейшая схема включения транзистора
ОЭ. С помощью резистора Rб задается ток базы I б , резистором
Rк при заданном токе базы (а следовательно, и токе коллектора)
задается потенциал коллектора. Входной сигнал подается через
разделительный конденсатор С1, нагрузка Rн подключается через
разделительный конденсатор С2. Выбор базового тока иллю-
стрируется рис. 1.2,б. Рабочая точка А определяется пересечением
входной характеристики транзистора с так называемой нагрузоч-
ной прямой, уравнение которой U бэ = U ип − I б Rб . На рис. 1.2,в по-
казан выбор той же рабочей точки в плоскости выходных ВАХ
транзистора I к = f (U кэ ) . Рабочая точка определяется пересече-
нием выходной ВАХ для заданного тока базы с нагрузочной пря-
мой, описываемой уравнением
U кэ = U ип − I к Rк .
7
 а) б)

в)

Рис. 1.2

При подаче на вход усиливаемого сигнала изменяется напряжение

U бэ и ток базы I б , а вслед за ними ток коллектора. Для перемен-
ного тока конденсатор С2 представляет малое сопротивление. По-
этому переменная составляющая тока I к распределяется между
сопротивлением Rк и нагрузкой Rн . Для переменной составляю-
щей напряжения U к = U н эти сопротивления оказываются вклю-
ченными параллельно. На рис. 1.2,в показано расположение так
называемой динамической нагрузочной прямой (пунктир). Ее на-
8
клон определяется параллельным соединением Rк | | Rн . С увели-
чением входного напряжения выходное напряжение уменьшается.
Таким образом, каскад изменяет фазу входного сигнала на 180°. Он
усиливает как мощность и напряжение, так и ток.
Недостатком рассмотренной схемы является недостаточная ста-
бильность режима. На рис. 1.3 показана схема ОЭ, где режим ста-
билизируется с помощью резистора Rэ . Здесь и в дальнейшем ис-
точник сигнала представлен в виде ЭДС U г и сопротивления Rг .
Потенциал базы задается делителем R1–R2. Но наличие Rэ ухуд-
шает коэффициент усиления напряжения. Поэтому Rэ закорачива-
ется по переменному току конденсатором Сэ , называемым блоки-
рующим. Он «соединяет» эмиттер транзистора с общей шиной —
«землей». Стабилизация режима осуществляется также с помощью
цепей термокомпенсации: терморезисторов, дополнительных дио-
дов, транзисторов (см. П. 2.3).

Рис. 1.3 Рис. 1.4

На рис. 1.4 показана схема с общим коллектором (ОК). Исход-

ный режим транзистора задается так же, как в схеме ОЭ (рис. 1.3).
Потенциал базы определяется источником питания и резистивным
делителем R1–R2. Потенциал эмиттера ниже потенциала базы на
величину напряжения U бэ ≈ 0,5 − 0,6 В , которое мало меняется при

9
 U б − U бэ
подаче входного сигнала. Поэтому ток эмиттера I э = оп-
Rэ
ределяется напряжением U ип и сопротивлениями R1, R2, Rэ .
Входное напряжение переменного тока изменяет ток I э и напря-
жение на сопротивлении Rэ . Это напряжение передается через раз-
делительный конденсатор С2 на нагрузку Rн . Увеличение входно-
го напряжения соответствует увеличению напряжения на нагрузке,
т.е. фазы входного и выходного сигналов совпадают. Амплитуда
выходного сигнала чуть меньше амплитуды входного сигнала, по-
этому каскад ОК называют эмиттерным повторителем — он не
усиливает, а повторяет входное напряжение. Но каскад ОК усили-
вает ток и мощность, обладает большим входным и малым выход-
ным сопротивлениями, широко используется во входных и выход-
ных цепях многокаскадных усилителей.
На рис. 1.5,а представлена схема с общим истоком (ОИ). Режим
транзистора задается с помощью резисторов Rз , Rи , Rс . Конден-
саторы С1, С2 являются разделительными, конденсатор Си — бло-
кирующим. Напряжение между затвором и истоком равно:
U зи = I з Rз − I и Rи , где I з — ток затвора; I и — ток истока.

а) б)
Рис. 1.5

10
 Так как ток затвора мал ( I з << I с , I и ), то можно считать, что
U зи = − I с Rи . На рис. 1.5,б показана стоко-затворная характери-
стика и нагрузочная прямая. Их пересечение определяет рабочую
точку полевого транзистора. Такое смещение, по существу, опре-
деляемое одним лишь резистором Rи , называется автоматиче-
ским. Напряжение на стоке будет определяться уравнением:
U си = U ип − Rс I с . С увеличением входного напряжения растет ток
стока, а напряжение U си уменьшается. Блокирующий конденсатор
Си поддерживает потенциал истока почти постоянным. Поэтому
напряжение на стоке и, соответственно, на нагрузке убывает. Та-
ким образом, каскад ОИ изменяет фазу входного сигнала на 180°.
Этот каскад может служить для усиления напряжения, тока, мощ-
ности.
На рис. 1.6 показана схема с
общим стоком (ОС) — истоко-
вый повторитель. Сопротив-
ления Rз и Rи1 обеспечивают
автоматическое смещение. Рези-
стор Rи2 предназначен для уве-
личения коэффициента передачи
каскада, который меньше еди-
ницы. Конденсаторы С1 и С2
являются разделительными. Ис-
токовый повторитель не изменя-
ет фазы входного сигнала, он Рис. 1.6
усиливает мощность и ток. По-
вторитель обладает большим входным и малым выходным со-
противлениями. Поэтому он используется во входных и выходных
цепях многокаскадных усилителей.

1.2. Общие характеристики линейных усилителей

Усилитель можно рассматривать как активный четырехполюс-

ник, а источник сигнала и нагрузку как двухполюсники. Источник
сигнала можно представить либо в виде генератора ЭДС U г с внут-

11
ренним сопротивлением Rг (рис. 1.7,а), либо в виде генератора
тока I г также с внутренним сопротивлением Rг (рис. 1.7,б). Если
обе эквивалентные схемы характеризуют один и тот же источник
сигнала, то U г = I г Rг .

а) б)
Рис. 1.7

Основными характеристиками любого электронного усилителя

являются следующие.
U
Коэффициент усиления по напряжению K u = н , где U н —
U г
напряжение на нагрузке; U г — напряжение холостого хода источ-
ника сигнала. В справочниках указывается модуль этого коэффи-
циента Ku = K u .
I
Коэффициент усиления по току K i = н — отношение тока
Iг
нагрузки I к току короткого замыкания источника сигнала I .
н г
Величины K u и K i являются в общем случае комплексными.
Входной сигнал усилителя управляет передачей энергии от ис-
точника питания в цепь нагрузки. Без источника питания сигнал не
может быть усилен. Все усилители предназначены для управления
мощной нагрузкой маломощным источником сигнала.
P
Коэффициент усиления по мощности K p = н — отношение
Pг
мощности отдаваемой в нагрузку P = (U I ) к мощности, расхо-
н н н
дуемой источником сигнала Pг = (U г Iвх ) . Величины Pн и Pг пред-

12
ставляют собой скалярные произведения. Коэффициенты K u , K i
и K p характеризуют систему: источник сигнала—усилитель—
нагрузка. Поэтому они зависят не только от параметров самого
усилителя, но и от величины сопротивления Rн , нагрузки, сопро-
тивления источника сигнала Rг . Характеристики собственно уси-
лителя получаются, если для K положить R = 0 , R = ∞ или
u г н
для K i Rг = ∞ , Rн = 0 .
Входной импеданс (комплексное входное сопротивление) уси-
U
лителя Z вх =  вх — отношение напряжения на входных зажимах
I
вх
усилителя U вх ко входному току Iвх .
Выходной импеданс (комплексное выходное сопротивление)
U
усилителя Z вых = хх — отношение напряжения при холостом
I кз
ходе U к выходному току при коротком замыкании I .
хх кз
На практике часто Z вх и Z вых не зависят от частоты. В этом
случае усилитель характеризуется входным и выходным сопротив-
U U
лениями: Rвх = вх и Rвых = хх .
I вх I кз
Точность воспроизведения формы сигналов при усилении
определяется уровнем искажений, вносимых усилителем. Разли-
чают линейные и нелинейные искажения. Линейные искажения
обусловлены наличием реактивных элементов в схеме (емкостей,
индуктивностей) и зависят от скорости изменения сигнала во вре-
мени (частоты) и не зависят от уровня (амплитуды) входного сиг-
нала. Нелинейные искажения обусловлены наличием нелинейных
элементов в схеме (диодов, транзисторов) и зависят от уровня
входного сигнала — увеличиваются с его увеличением.
Линейные искажения описываются следующими характери-
стиками.
Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) — это зависи-
мость от частоты модуля коэффициента усиления (рис. 1.8). Для
краткой характеристики частотных искажений вводится понятие
13
нижней f н и верхней f в граничных частот. Это частоты, при кото-
K K
рых модули K u , K i уменьшаются до значения u и i , а для
2 2
Kp
K p — до от своих номинальных значений K u , K i , K p . Вели-
2
чину Δ f = f в − f н называют полосой пропускания усилителя. Раз-
личают область низших частот f < f н , средних частот
f н < f < f в и высших частот f > f в . Область средних частот ха-
рактеризуется малыми линейными искажениями ( K u , K i , K p сла-
бо зависят от частоты).
По виду АЧХ можно классифицировать усилители: если f н = 0 ,

Рис. 1.8

то усилитель называется усилителем постоянного тока (УПТ).

К УПТ относятся операционные и дифференциальные усилители;
если f в − f н << 0,5 ( f н + f в ) , то усилитель является избиратель-
ным. Если f в >> f н , то усилитель называется широкополосным.
Фазочастотная характеристика (ФЧХ) — это зависимость от
частоты фазы коэффициента усиления. Она характеризует зависи-
мость фазового сдвига между входным и выходным сигналами
усилителя от частоты. Пример ФЧХ показан на рис. 1.9. АЧХ и
ФЧХ полностью описывают поведение усилителя при подаче на
его вход гармонического сигнала.

14
 Рис. 1.9

При анализе широкополосных и многокаскадных усилителей, их

устойчивости, а также в ряде других случаев удобны логарифмиче-
ские характеристики (ЛАХ). Логарифмическая АЧХ строится в
логарифмическом масштабе по обеим осям. ФЧХ строится в линей-
ном масштабе по оси ординат и в логарифмическом — по оси
абсцисс.

Рис. 1.10

Переходная характеристика (ПХ) — это графическое изобра-

жение реакции усилителя (выходного напряжения во времени) на
идеальный перепад (ступеньку) напряжения или тока. Аналитиче-
15
скую запись этой реакции называют переходной функцией.
ПХ удобно пользоваться для характеристики искажений, возни-
кающих при передаче импульсных сигналов. На рис. 1.10 дан при-
мер ПХ, которая имеет следующие параметры:
• номинальная амплитуда U ном = K u U вх , где K u выбирается
для средних частот;
• время задержки tз — время, прошедшее от момента подачи
входного сигнала до момента достижения выходным сигналом оп-
ределенного уровня от установившегося номинального значения.
Обычно для линейных схем это 0,1 U вых. ном ;
• время нарастания фронта (длительность фронта) — время, в
течение которого выходной импульс нарастает от уровня a1 U ном
до уровня a2 U ном (наиболее часто a1 = 0,1; a2 = 0,9 ) установивше-
гося значения.
Задержка и фронт характеризуют искажения при резких измене-
ниях амплитуды сигнала — в области малых времен. При медлен-
ном изменении сигнала — в области больших времен, искажения
определяются относительным спадом плоской вершины импульса
Δ U вых U ном − U вых (tи )
δ= = ,
U ном U ном
где tи — длительность входного импульса. После завершения
входного импульса образуется срез. Его также характеризуют дли-
тельностью. В линейных схемах длительности фронта и среза оди-
наковы. Переходная характеристика определяет наибольшие ли-
нейные искажения, вносимые усилителем при передаче импульс-
ных сигналов.
Связь частотных и импульсных линейных искажений. Частот-
ные и переходные характеристики описывают искажения для раз-
ных форм входного сигнала.
Малые искажения фронтов импульса означают хорошее воспро-
изведение высоких частот; малые искажения вершины импульса
означают хорошее воспроизведение низких частот. В первом при-
ближении можно считать, что время нарастания фронта обратно
пропорционально верхней граничной частоте, а спад пропорциона-
лен нижней граничной частоте. В частности, УПТ, у которых
16
 f н = 0 , передают плоскую часть вершины импульса без искаже-
ний, т.е. без спада.
Для идеального усилителя коэффициент усиления K u должен
быть постоянным на средних частотах.
Фазочастотные искажения отсутствуют, если постоянен вре-
менной сдвиг t0 между гармониками входного и выходного сигна-
лов (рис. 1.11,а). Поэтому идеальная ФЧХ линейна (рис. 1.11,б).

а) б)
Рис. 1.11

Нелинейные искажения характеризуют следующим образом.

Амплитудная характеристика — зависимость выходного на-
пряжения (тока) от входного напряжения (тока), измеренная на од-
ной из средних частот (рис. 1.12,а). Максимальный сигнал, переда-
ваемый без существенных искажений U вх. макс или U вых. макс опре-
деляет так называемый динамический диапазон усилителя. На
рис. 1.12,б показана стокозатворная характеристика МОП тран-
зистора (с индуцированным каналом n типа) и искажения сигнала
при разных уровнях входного напряжения переменного тока на за-
творе. В первом случае (1) сигнал прикладывается в линейной об-
ласти — форма выходного сигнала повторяет форму входного. Во
втором случае (2) — сигнал большой величины, транзистор попа-
дает в осечку. В результате происходит искажение формы выход-
ного сигнала.
17
 а) б)
Рис. 1.12

Количественной мерой нелинейных искажений является коэф-

фициент нелинейных искажений
∞ ∞ ∞
∑ Pn ∑ U n2 ∑ I n2
n=2 n=2 n=2
K н. и = = = ,
P1 U1 I1
где индексами отмечены токи, напряжения, мощности соответст-
вующих гармоник выходного сигнала.
В результате нелинейных искажений появляются дополнитель-
ные гармоники и изменяются соотношения между амплитудами
гармоник.
Минимум нелинейных искажений является свойством линейных
усилителей.
Нагрузочная характеристика усилителя — это зависимость
выходного напряжения усилителя от тока нагрузки. По отношению
к нагрузке усилитель можно представить в виде источника
ЭДС U хх (напряжение холостого хода) с выходным сопротивле-
нием Rвых (рис. 1.13,а). Легко видеть, что U н = U хх − I н Rвых
(рис. 1.13,б). Причиной уменьшения выходного напряжения явля-
ется падение напряжения на выходном сопротивлении усилителя.
18
 ΔU н
Наклон этой характеристики равен Rвых = − . В идеальном
Δ Iн
случае наклон равен нулю. Поэтому желательно, чтобы усилитель
имел минимальное выходное сопротивление. При усилении тока,
наоборот, требуется усилитель с максимально высоким выходным
сопротивлением.

а) б)
Рис. 1.13

Легко также показать, что при усилении напряжения входное

сопротивление усилителя должно быть максимальным, а при уси-
лении тока — минимальным.

1.3. Режимы усилительного каскада

В усилительном каскаде рабочую точку выбирают на основании

статических характеристик транзисторов. Положение рабочей точ-
ки (совокупность напряжений и токов в отсутствие входных сигна-
лов) устанавливается соответствующим выбором напряжений ис-
точников питания и сопротивлений резисторов в цепях питания
усилительных элементов. Рассмотрим подробнее режим по посто-
янному току на примере каскада ОЭ (см. рис. 1.3).
Резисторы R1 и R2, а также Rэ задают начальный ток в транзи-
сторе. Резистор Rк предназначен для преобразования коллектор-
ного тока в напряжение на выходе схемы. Конденсаторы С1 и С2
осуществляют гальваническую развязку цепей источника сигнала
от усилителя и усилителя от нагрузки, т.е. они не пропускают сиг-

19
налы с частотой f > f н . Конденсатор Cэ шунтирует резистор Rэ
по переменному току. Таким образом, для среднечастотных сигна-
лов эмиттерный электрод транзистора «соединен» накоротко с зем-
ляной шиной и является общим. Отсюда и название схемы — ОЭ.
Выбор режима диктуется той задачей, которая решается усили-
телем. Рабочая точка должна удовлетворять условиям: U кэ <
< U кэ доп , U кэ I к < Pк доп . Токи I э , I к и напряжение U кэ в линей-
ном усилителе должны быть такими, чтобы обеспечивался макси-
мальный динамический диапазон, а параметры β N и верхняя гра-
ничная частота f α были также максимальными.
Рассчитаем режим по постоянному току.
Uэ
Iэ = , U э = U б − U бэ ,
Rэ
R2
U б = U ип − I б R1 || R2 + I ко R1 || R2 .
R1 + R2
Наиболее существенно первое слагаемое, поэтому ток эмиттера
определяется в основном так:
U ип R2
Iэ ≈ ⋅ .
Rэ R1 + R2
Напряжение U кэ определяется из соотношения U кэ = U ип − I к Rк −
− I э Rэ . Учитывая, что I к = α N I э + I ко , где α N = 0,98 ÷ 0,99 , а
I ко < 1 мкА , получаем:
U кэ ≈ U ип − ( Rк + Rэ ) I к .
В плоскости ВАХ транзистора это будет выглядеть так, как пока-
зано на рис. 1.14. Зная U ип , Rк , Rэ , и рассчитав I к , можно найти
рабочую точку. Когда на вход схемы подается сигнал, то при за-
данном напряжении на коллекторе его ток увеличится на величину
тока нагрузки. Приращения напряжения на эмиттере не будет, так
как резистор Rэ шунтирован конденсатором Cэ . В результате
связь между током коллектора I к и напряжением U кэ будет харак-

20
теризоваться динамической нагрузкой (отмеченной пунктиром) в
отличие от статической нагрузочной прямой (сплошная линия).

Рис. 1.14

Нестабильность рабочей точки усилительного каскада опреде-

ляется следующими факторами:
• изменением обратного тока коллекторного p–n перехода I ко на
8–12 %/°C;
• изменением статического коэффициента передачи тока ба-
зы β N ;
• изменением напряжения на эмиттерном переходе U бэ , на
2–3 мВ/°С.
С уменьшением сопротивления базового делителя R1 || R2 влия-
ние I ко и β N уменьшается. Такое же действие оказывает увеличе-
ние сопротивления Rэ . Влияние напряжения U бэ уменьшается при
увеличении напряжения питания U ип и сопротивления рези-
стора Rэ .
Стабилизировать положение рабочей точки можно, используя
термокомпенсацию с помощью дополнительного транзистора Т2,
как это показано на рис. 1.15. Принцип термокомпенсации заклю-
чается в том, что с увеличением температуры увеличиваются I ко ,
β N и уменьшается U бэ . Транзистор Т2 используется как диод.
21
 С увеличением температуры его со-
противление rтр уменьшается, по-
этому уменьшается общее сопротив-
ление делителя в цепи базы:
R1 || ( Rд + rтр ) . Следовательно, паде-
ние напряжения на этом делителе от
токов I б и I ко останется при соот-
ветствующих условиях неизменным.
Уменьшение U бэ Т1 должно приво-
дить к увеличению тока эмиттера I э .
Рис. 1.15 Но уменьшение потенциала на базе
U б компенсирует это увеличение.
В интегральных схемах можно очень хорошо согласовать харак-
теристики транзисторов Т1 и Т2. Например, для типичного транзи-
стора интегральной схемы с ΔU бэ ≈ ± 1 мВ , β = 100 ток I к с точ-
ностью до 5 % может поддерживаться в широком диапазоне темпе-
ратур и значений тока.
Стабилизация режима каскада по схеме, показанной на
рис. 1.15, и ее модификации очень широко используются в инте-
гральных схемах.

1.4. Каскады в области средних частот

Каскад с общим эмиттером (ОЭ). Выходной сигнал является

суммой сигналов, образуемых источниками питания схемы и вход-
ным сигналом напряжения переменного тока. Для ЛИС можно
пользоваться принципом суперпозиции. Напряжения и токи, опре-
деляемые источниками питания уже рассчитаны. Поэтому в даль-
нейшем будет рассматриваться эквивалентная схема каскада ОЭ
для области средних частот (рис. 1.16). Малосигнальная эквива-
лентная схема транзистора обведена пунктиром. Это так называе-
мая Т-образная эквивалентная схема транзистора. Ее следует отли-
чать от схемы четырехполюсника, характеризуемого, например,
h параметрами. На средних частотах, представляющих рабочий
диапазон частот, емкостные сопротивления конденсаторов С1, С2 и
С3 можно считать пренебрежимо малыми, а транзистор — без-
22
инерционнным. В данной схеме Rб = R1 || R2 , кроме того, здесь от-
ражено то, что для сигнала переменного тока шина питания и зем-
ляная шина «эквипотенциальны». Поэтому можно положить
U ип = 0 и выходное сопротивление источника питания Rвых. пит =
= 0 . По этой причине R1 , R2 и Rк , Rн параллельны между собой.

Рис. 1.16

Эквивалентная схема рис. 1.16 позволяет рассчитать все пара-

метры каскада ОЭ для средних частот. Для этого необходимо вос-
пользоваться одним из методов расчета, излагаемых в теории элек-
трических цепей. Следует иметь в виду, что генератор тока β iб яв-
ляется зависимым от тока базы iб . Их взаимное направление пока-
зано на рисунке и им необходимо руководствоваться при расчетах.
Рассмотрим параметры каскада ОЭ в области средних частот.
U U
Входное сопротивление Rвх = б = б , где напряжение на базе
iвх iб
rк∗
U б ≅ iб rб + iб rэ + β iб rэ γ ∗к , γ ∗к ≅ — коэффициент токорас-
rк∗ + Rкн
rк
пределения в коллекторной цепи; rк∗ = — выходное сопро-
1+ β
тивление транзистора в каскаде ОЭ. Таким образом,
Rвх = rб + rэ (1 + β γ ∗к ) .

23
Для каскада в целом необходимо учитывать шунтирующее дейст-
вие делителя в цепи базы
Rвх. каск = Rвх || Rб = Rвх || R1 || R2 .
Для типовых транзисторов в каскаде ОЭ Rвх = 500 ÷ 1000 Ом .
U
Коэффициент усиления по напряжению Ku = н , где U н =
Uг
Rб Uг
= − β iб γ ∗к Rкн ; iб = ⋅ , Rбг = Rг || Rб . Итак,
Rб + Rг Rбг + Rвх
Rб Rкн
К u = β γ ∗к ⋅ .
Rб + Rг Rбг + Rвх
Каскад ОЭ изменяет фазу усиливаемого сигнала на 180°. В частном
случае, когда Rб >> Rг ,
β γ ∗к Rкн
Кu = ,
Rг + Rвх
т.е. К u = f ( Rг , Rкн ) зависит от Rг и Rкн . Для оценки К u можно
также пользоваться следующим приближенным соотношением
R 25 мВ
Кu ≈ кн , где rэ = .
rэ Iэ
Коэффициент усиления по
I
току К i = н . Представим ис-
Iг
точник сигнала в виде генера-
тора тока, как показано на
рис. 1.17. Пренебрежем сопро-
Рис. 1.17 тивлением базового делителя,
считая Rб >> Rг , Rвх . Тогда
Rк
I н = β I б γ ∗к ,
Rк + Rн
Rг
где I б = I г .
Rг + Rвх
24
В результате получим
Rк Rг
К i = β γ ∗к ⋅ .
Rк + Rн Rг + Rвх
Два последних сомножителя определяют потери во входной Rг и
выходной Rк цепях усилителя. Если Rн = 0 , то γ ∗к = 1 и весь ток
протекает по нагрузке. Если Rг = ∞ , то весь входной ток «попа-
дает» в транзистор. Таким образом, каскад ОЭ обладает макси-
мальным усилением по току при Rн → 0 и Rг → ∞ и равен
К i макс = β .
Выходное сопротивление можно найти, определив, как изменя-
ется напряжение на нагрузке при изменении ее сопротивления
ΔU н
Rвых = − и неизменном входном сигнале. Или как
Δ Iн
U хх
Rвых = . В результате можно получить, что Rвых =
I кз
rэ
= Rк || rк∗ (1 + β γ б ) , где γ б = . Для простых расчетов
rэ + rб + Rбг
можно считать, что Rвых = Rк , так как rк∗ (1 + β γ б ) обычно много
больше Rк .
(U н I н )
Коэффициент усиления по мощности K p = :
(U г I вх )

Iн I I ⎛ Rвх ⎞
K p = Ku = Ku Ki г = K u Ki г = Ku Ki ⎜⎜1 + ⎟.
I вх I вх Iб ⎝ Rг ⎟⎠
Таким образом,
Rб Rк Rкн
К p = ( β γ ∗к )2 ⋅ ⋅ .
Rг + Rб Rк + Rн Rбг + Rвх

25
 В случае Rг << Rб , Rвх коэффициент К p максимален:

Rкн Rк
К p = ( β γ∗к ) 2 ⋅ .
Rвх Rк + Rн
Из последнего соотношения можно найти, что при Rн = Rк имеется
1 R
максимум К p ≅ ( β γ∗к )2 к .
4 Rвх
Таким образом, входные параметры транзистора зависят от на-
грузки, а выходные — от внутреннего сопротивления источника
сигнала.
Каскад с общим коллектором (ОК) (см. рис. 1.4) — эмит-
терный повторитель (ЭП). Из эквивалентной схемы ЭП
(рис. 1.18) видно, что коллектор соединен с общей шиной, поэтому
ЭП является схемой с общим коллектором (ОК).

Рис. 1.18

Входное сопротивление ЭП рассчитывается так же, как и Rвх

схемы ОЭ. Входное сопротивление можно найти заменой в Rвх
для схемы ОЭ сопротивления rэ на rэ + Rэ || Rн . Для ЭП Rкн = 0 и
rк∗ = 1. В результате получаем
Rвх. т = rб + (1 + β) (rэ + Rэ || Rн ) .
Входное сопротивление ЭП, как правило, значительно больше Rвх
каскада ОЭ.

26
 Uн
Коэффициент усиления по напряжению Ku = . Напряжение
Uг
на нагрузке U н = iэ Rэ || Rн = (iб + β iб ) Rэн . Ток базы iб — это часть
Uг
входного тока iвх = :
Rг + Rвх
Uг Rб
iб = ⋅ .
Rг + Rвх Rб + Rвх.т
Таким образом,
Rб (1 + β) Rэн (1 + β) Rэн
Кu = ⋅ = .
Rб + Rвх. т Rг + Rвх ⎛ Rг ⎞
Rг + Rвх. т ⎜⎜1 + ⎟⎟
⎝ Rб ⎠
Сравнивая числитель и знаменатель, можно заключить, что К u все-
гда меньше единицы. При Rг << Rб получаем:
(1 + β) Rэн
Кu ≅ .
Rг + Rвх. т
Выходное сопротивление. Представим напряжение на нагрузке в
виде:
(1 + β) Rэн Rэн
U н = Кu U г ≅ U г = Uг .
Rг + Rвх. т R +r
Rэн + rэ + г б
1+ β
Последнее выражение можно ин-
терпретировать графически в виде
эквивалентной схемы с источни-
ком ЭДС U г и сопротивлениями
r + Rг
Rэн = Rэ || Rн и Rвых. т = rэ б
1+ β
(рис. 1.19). По отношению к на- Рис. 1.19
грузке Rн сопротивления Rэ и
Rвых. т параллельны. Поэтому вы-
27
ходное сопротивление каскада Rвых = Rэ || Rвых. т . В большинстве
R +r
случаев Rвых. т << Rэ и Rвых ≅ rэ + г б .
1+ β
Каскад с общим истоком (ОИ) (см. рис. 1.5). Эквивалентная
схема каскада представлена на рис. 1.20. Рассчитаем основные па-
раметры каскада.

Рис. 1.20

Входное сопротивление. Из эквивалентной схемы следует, что

Rвх = Rз || rзи , где rзи — сопротивление перехода затвор–исток.
Обычно rзи >> Rз , поэтому Rвх ≅ Rз .
Выходное сопротивление находится непосредственно из эквива-
лентной схемы Rвых = Rс || ri . Как правило, внутреннее сопротивле-
ние транзистора ri >> Rс , поэтому Rвых ≅ Rс .
Коэффициент усиления по напряжению. Напряжение на на-
грузке
Rвх
U н = I с Rн || ri || Rс = S U зи Rн || ri || Rc = U г S Rн || ri || Rc .
Rвх + Rг
Таким образом,
Uн Rвх
Ku = = S Rн || Ri || Rc .
U г Rвх + Rг
При Rвх >> Rг и ri >> Rн || Rс ≡ Rсн
K u = S Rcн .

28
 Каскад с общим стоком (ОС) (см. рис. 1.6) — истоковый по-
вторитель (ИП). Рассчитаем основные параметры ИП, не прибегая
к эквивалентной схеме.
Ток стока I c = S U зи = S (U з − I с Rин ) , где Rин = Rн || ( Rи1 + Rи2 )
S Uз Rвх
или I c = , где U з = U г .
1 + S Rин Rвх + Rг
Входной ток определим без учета тока затвора I з :

Uз −UA 1 1 ⎛ S U з Rин ⎞
I вх = = (U з − I с R ин γ ) = ⎜⎜U з − γ ⎟⎟ ,
Rз Rз Rз ⎝ 1 + S Rин ⎠
Rи2
где γ = .
Rи1 + Rи2
U вх
Входное сопротивление Rвх = найдем, подставив соответ-
I вх
ствующие значения I вх и U вх = Uз :
Rз (1 + S Rин )
Rвх = .
1 + S Rин (1 − γ )
Если γ = 1, то Rвх = Rз (1 + S Rин ) . Если γ = 0 , то Rвх = Rз , равно
входному сопротивлению каскада ОИ.
Коэффициент усиления по напряжению. Из схемы каскада на-
ходим, что напряжение на нагрузке
S Uз
U н = I c Rин = Rин ,
1 + S Rин
U г Rвх
где напряжение на затворе U з = . Таким образом, коэффи-
Rвх + Rг
циент усиления
Rвх S Rин
Ku = ⋅ .
Rвх + Rг 1 + S Rин
Он всегда меньше единицы. Каскад называется истоковым повто-
рителем, так как при Rвх >> Rг и S Rин >> 1 K u ≅ 1.
29
 Выходное сопротивление найдем так же, как Rвых эмиттерного
повторителя. Напряжение на нагрузке
1
Rин
S Rин
U н = Ku U г ≅ Uг = S Uг S .
1 + S Rин 1
+ Rин
S
Последнее выражение можно
графически интерпретировать,
как источник тока S U г , нагру-
женный на параллельное соеди-
нение сопротивлений Rин =
Рис. 1.21 1
= Rи || Rн и (рис. 1.21). Со-
S
противление нагрузки Rн параллельно двум сопротивлениям Rи и
1 1
. Следовательно, Rвых = Rн || . Обычно S Rи >> 1 (в противном
S S
1
случае K u далек от единицы), поэтому Rвых ≅ .
S

1.5. Переходные и частотные характеристики каскадов

Переходные и частотные характеристики являются показателя-

ми линейных искажений, вносимых усилителем, при передаче им-
пульсных и гармонических сигналов. Длительность фронта пере-
ходной характеристики или верхняя граничная частота ампли-
тудно-частотной характеристики характеризуют быстродействие
усилителя.
Искажения в области высших и низших частот (фронт и спад
плоской вершины импульса) обусловлены разными причинами.
Поэтому их анализ проводится отдельно, что существенно упро-
щает расчеты.
Область малых времен (высших частот). Причинами искаже-
ний в области малых времен (высших частот) являются инерцион-
ность транзисторов, емкости p–n переходов и емкость нагрузки.
Эквивалентная схема для высших частот получается из эквива-
30
лентной схемы для средних частот путем ряда изменений. Для кас-
када ОЭ изменения сводятся к следующему. Коэффициент пере-
β
дачи тока базы представляется в операторном виде β ( p ) = ,
1 + p τβ
где τβ — постоянная времени. Параллельно сопротивлению на-
грузки Rн включается емкость нагрузки Cн . Генератор тока
β ( p ) iб шунтируется емкостью [1 + β ( p)] Cк , где Cк — емкость
коллекторного перехода. Сопротивление rк∗ заменяется на инерци-
rк
онное (частотно-зависимое) сопротивление . Сопро-
1 + β ( p)
тивления конденсаторов C1, С2, Cэ (как и на средних частотах)
считаются равными нулю.
Если формула коэффициента усиления для средних частот из-
вестна, то нет необходимости составлять отдельную эквивалент-
ную схему. Достаточно произвести в формуле указанные выше за-
мены. В результате, после ряда преобразований коэффициент уси-
ления приводится к виду
Ku
Ku ( p) = ,
1 + p τэкв
где K u — коэффициент усиления на средних частотах;
τβ + (1 + β) Cк Rкн + Сн Rкн
τэкв = —
1 + β γ ∗к γ б
постоянная времени коэффициента усиления.
Переходный процесс на выходе усилителя (в операторной фор-
ме U вых ( p) = K u ( p ) U г ( p ) ) аналогичен переходному процессу в
конденсаторе интегрирующей цепи. При подаче на вход усилителя
импульса время нарастания фронта tн = 2,2 τэкв . Чем меньше по-
стоянная времени τэкв , тем короче фронт и выше быстродействие
усилителя.
При низкоомном источнике сигнала, когда Rг → 0 , τэкв имеет
наименьшее значение:

31
 τβ + (1 + β) Cк Rкн + Cн Rкн
τэкв ≈ .
1+ β
При высокоомном источнике сигнала, когда Rг → ∞ , τэкв макси-
мальна: τэкв ≈ τβ + (1 + β) Cк Rкн + Cн Rкн .
Частотные характеристики каскада получаются заменой опера-
тора p в выражении K u ( p ) на оператор j ω = 2π j f . Зависимость
модуля и аргумента вектора K u ( j ω) от частоты являются соответ-
ственно амплитудно-частотной и фазочастотной характеристиками:
Ku ⎛ f ⎞
Ku ( f ) = , ϕ ( f ) = − arctg ⎜⎜ ⎟⎟ ,
⎛ f ⎞
2
⎝ fв ⎠
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fв ⎠
ωв 1
где f в = = — верхняя граничная частота.
2π 2π τэкв
Область больших времен (низших частот). Линейные иска-
жения в области больших времен (низших частот) обусловлены
разделительными конденсаторами С1, С2 и блокирующим конден-
сатором Сэ для схемы ОЭ (или Си для схемы ОИ). С уменьше-
нием частоты возрастают сопротивления конденсаторов, что при-
водит к уменьшению коэффициентов усиления и появлению спада
плоской вершины при передаче импульсов. Усилитель проектиру-
ектся с расчетом на минимальный уровень искажений. В этом слу-
чае можно воспользоваться принципом суперпозиции и рассматри-
вать влияние на искажения каждого из конденсаторов отдельно.
Влияние разделительного конденсатора С1 рассчитывается с
помощью эквивалентной схемы, показанной на рис. 1.22. Напряже-
ние, подаваемое на базу транзистора, равно
U г ( p ) Rвх
U б ( p) = .
1
Rвх + Rг +
p C1
Это напряжение усиливается без искажений. Поэтому выходное
напряжение можно представить в следующей форме:
32
 U вых ( p ) = U б ( p) K u =
Rг = 0

U г ( p) Ku p τ1
= ,
1 + p τ1
где τ1 = C1 ( Rвх + Rг ) — постоянная
времени. Переходя к оригиналу, Рис. 1.22
находим, что выходное напряжение
меняется по экспоненциальному
закону
⎛ t ⎞
U вых (t ) = U вых exp ⎜⎜ − ⎟⎟ ,
⎝ τ1 ⎠
где U вых = U г K u — напряжение, рассчитанное для средних частот.
При малом уровне искажений (когда t << τ1 ) экспоненту можно
разложить в ряд
⎛ t ⎞
U вых (t ) ≈ U вых ⎜⎜1 − ⎟⎟ .
⎝ τ1 ⎠
tи
Тогда относительный спад плоской вершины импульса δ1 =
τ1
( tи — длительность импульса).
Влияние разделительного конденсатора С2 находится заменой в
эквивалентной схеме рис. 1.22 сопротивлений Rг на Rвых и Rвх на
Rн , конденсатора С1 на С2 и напряжения U г на напряжение холо-
стого хода каскада. Тогда получим
p τ2
U вых ( p) = U г ( p) Ku ,
1 + p τ2
где τ2 = C2 ( Rвых + Rн ) — постоянная времени. Относительный
спад плоской вершины импульса, обусловленный конденсато-
t
ром С2, равен δ2 = и .
τ2
33
 Влияние блокирующего конденсатора Cэ находится подста-
новкой в формулу K u для средних частот вместо сопротивления rэ
⎛ 1 ⎞
суммы сопротивлений rэ + Rэ || ⎜⎜ ⎟⎟ .
⎝ p Cэ ⎠
Коэффициент усиления меняется с постоянной времени
R +r
τэ = Cэ Rэ || Rвых. т , где Rвых. т = rэ + г б — выходное сопротив-
1+ β
ление транзистора со стороны его эмиттера. Относительный спад
плоской вершины импульса, обусловленный конденсатором Cэ ,
t
равен δэ = и .
τэ
Совместное действие всех трех конденсаторов определяет сум-
марный спад плоской вершины импульса:
⎛1 1 1⎞ t
δ = δ1 + δ2 + δэ = ⎜⎜ + + ⎟⎟ tи = и .
τ
⎝ 1 τ 2 τ э⎠ τ н

Постоянная времени спада плоской вершины импульса τн и

1
нижняя граничная частота f н связаны равенством f н = . В
2π τ н
области низших частот каскад ОЭ ведет себя аналогично диффе-
ренцирующей цепи. Поэтому амплитудно-частотная и фазочастот-
ная характеристики аппроксимируются нижеследующими анали-
тическими формулами:
Ku ⎛f ⎞
Ku ( f ) = , ϕ ( f ) = arctg ⎜⎜ н ⎟⎟ .
⎛f ⎞
2 ⎝ f ⎠
1 + ⎜⎜ н ⎟⎟
⎝ f ⎠

34
 Глава 2
Интегральные операционные усилители

Интегральные операционные усилители (ОУ) представляют

собой совокупность последовательно соединенных каскадов:
входного дифференциального, каскада согласования уровней и
выходного каскада. Дифференциальный каскад (ДК) обеспечивает
согласование ОУ с источником сигнала. Он имеет большой
коэффициент усиления и большое входное сопротивление. ОУ —
это усилители постоянного тока. У них отсутствуют раз-
делительные и блокирующие конденсаторы. Каскады соединяются
между собой непосредственно — гальванически. Этим обеспечи-
вается fнгр = 0. Поэтому выходной потенциал предыдущего каскада
должен быть равен входному потенциалу последующего. Для этого
используются специальные каскады согласования уровней.
Выходной каскад должен иметь минимальное выходное со-
противление и должен отдавать максимальную мощность в
нагрузку. Избыточно большие коэффициент усиления и входное
сопротивление, малое выходное сопротивление позволяют считать
ОУ в ряде случаев «идеальным» усилителем. Поэтому интег-
ральные ОУ являются наиболее распространенными аналоговыми
элементами.

2.1. Дифференциальный каскад

Дифференциальный каскад имеет два входа. Он усиливает

разность входных сигналов. Это позволяет усиливать сигналы
намного меньше общей помехи присутствующей одновременно на
обоих входах ДК. Поэтому дифференциальный каскад исполь-
зуется в качестве входного в интегральных операционных
усилителях, а также во многих многокаскадных усилителях.
35
 Рис. 2.1

Дифференциальные каскады строятся как на биполярных так и

на полевых транзисторах. Схема каскада на биполярных
транзисторах представлена на рис. 2.1. Для эффективного
подавления помех схема строится симметричной с максимально
идентичными параметрами транзисторов и одинаковым сопро-
тивлением резисторов Rк1 и Rк2 .
Каскад питается от двух источников напряжения противо-
положной полярности + U ип1 и − U ип2 . При отсутствии сигналов
на входах базы обоих транзисторов находятся под нулевым по-
U − U бэ U ип2
тенциалом. Следовательно ток I 0 = ип1 ≈ . Параметры
Rэ Rэ
интегральных транзисторов одинаковы с точностью в несколько
процентов. Поэтому ток I 0 делится между транзисторами
I
практически поровну, т.е. I э1 ≈ I э2 = 0 . Выходное напряжение
2
является разностью потенциалов коллекторов U вых =
= I к1 Rк1 − I к2 Rк2 и, ввиду симметрии схемы, равно нулю. Однако,
потенциалы коллекторов транзисторов не равны нулю.
Для анализа усилительных свойств ДК входные и выходные
напряжения удобно представить в виде комбинации парафазной
U пф и синфазной U сф составляющих сигналов. Например, U г1 =
U гсф + U гпф , U г2 = U гсф − U гпф .

36
 Парафазные сигналы подаются одновременно на оба входа ДК и
имеют одинаковую частоту, форму и амплитуду, но отличаются
полярностью (или фазой на 180°).
Синфазными сигналами являются два одинаковых сигнала,
подаваемых одновременно на оба входа ДК. К синфазным
сигналам относятся, например, помехи.
Коэффициенты усиления парафазного и синфазного сигналов
отличаются на несколько порядков. По их отношению можно
судить о качестве ДК.
Пусть на базу Т1 поступает положительный сигнал, а на базу
Т2 — отрицательный. Тогда ток эмиттера Т1 увеличится на
некоторую величину Δ iэ1 , а ток эмиттера Т2 уменьшится на Δ iэ2 .
При полной симметрии схемы и линейном режиме Δ iэ1 = Δ iэ2 и
I 0 = const . Напряжение на эмиттерах транзисторов будет также
постоянно (как в каскадах ОЭ). Поэтому парафазные сигналы
усиливаются как в каскаде ОЭ с коэффициентом усиления
(см. п. 1.4):
β γ ∗к Rк
K у. u = .
Rг + Rвх
Выходное напряжение равно удвоенному изменению нап-
ряжения на коллекторах транзисторов: U вых = 2U пф K у. u . Но, по
определению, U пф = 0,5 (U г1 − U г2 ) . Поэтому

U вых = K у. u (U г1 − U г2 ) .

При поступлении синфазных сигналов токи эмиттеров Т1 и Т2

изменяются на некоторую величину Δ iэ . Напряжение на эмит-
терах изменится на величину 2Δ iэ Rэ . Поэтому для синфазных
сигналов ДК можно представить в виде двух симметричных
каскадов ОЭ с резисторами 2Rэ в эмиттерах. Синфазные сигналы,
очевидно, усиливаются хуже парафазных. Однако, из-за техно-
логического разброса симметрия ДК не полная. Поэтому на его
выходе будет присутствовать сигнал

37
 β γ ∗к Rк
U вых = U гсф 2 (δ Rк + δ β) ,
Rг + rб + (rб + 2 Rэ ) (1 + β γ ∗к )
где δ Rк и δ β — относительные разбросы Rк и β относительно
своих средних величин. Для приближенной оценки коэффициентов
усиления можно воспользоваться следующими формулами (см.,
например, п. 1.4):
R R
K у, u ≈ к , K у, сф ≈ к (δ Rк + δ β) .
rэ Rэ
Отсюда коэффициент ослабления синфазных входных напря-
Rэ
жений K ос. сф ≈ .
rэ (δ Rк + δ β)
Увеличение K ос. сф увеличе-
нием Rэ неэффективно, так как
при этом необходимо увеличи-
вать напряжение питания U ип .
В микросхемах вместо линей-
ных резисторов Rэ использу-
ются нелинейные сопротивле-
ния — выходное сопротивле-
ние транзисторов в схеме ОБ.
На рис. 2.2 показана такая схе-
ма. Она аналогична диффе-
ренциальному каскаду микро-
схемы К118УД1. С помощью
Рис. 2.2
дополнительного источника U ∗
и резистивного делителя на-
пряжения R1–R2 задается потенциал базы транзистора Т3 и тем
самым ток через R3. Этот ток, очевидно, близок к I к = I 0 .
Транзистор Т4 работает как диод. Он предназначен для термо-
компенсации нестабильности тока I 0 . В данном случае транзистор
Т3 представляет собой генератор тока с высоким выходным
сопротивлением. Как показано в [6] это сопротивление порядка

38
0,5rкз . Пусть rкз = 106 Ом , rэ1,2 = 50 Ом ( I э1 = I э2 = 0,5 мА ),
δ β = 0,05 , δ Rк = 0,1. Тогда K ос. сф ≈ 1,6 ⋅ 105 или в децибелах
20 lg 1,6 ⋅ 105 ≈ 104 дБ .
Для повышения коэффи-
циента усиления ДК в цепях
коллекторов транзисторов Т1
и Т2 используется так назы-
ваемая динамическая нагруз-
ка. Принцип действия такого
ДК иллюстрируется рис. 2.3.
При передаче парафазных
сигналов Δ U г1 = − Δ U г2 ,
U э = const , а Δ I к1 = − Δ I к2 .
Так как U бэ3 = U бэ4 , то Рис. 2.3
Δ I к1 = Δ I к4 . Следовательно,
Δ I н = Δ I к4 + Δ I к2 = 2Δ I к1 , а Δ U н = 2Δ I к1 Rн . Приращение тока
коллектора
Δ U г1 β1 Δ U г1 Δ U г1
Δ I к1 = β1 = ∗
≈ α1 .
Rвх rб1 + (1 + β1 γ к ) rэ1 rэ1

ΔU н R
Отсюда K у, u = = α1 н .
2 ΔU г rэ1
Коэффициент усиления K у, u может достигать нескольких тысяч
даже при однотактном выходе.

2.2. Каскады согласования уровней

Помимо согласования потенциалов к рассматриваемым кас-

кадам предъявляются требования максимально высокого коэф-
фициента передачи напряжения переменного тока и низкого
выходного сопротивления. Можно выделить три основных типа
схем каскадов согласования уровней (КСУ).

39
 На рис. 2.4 представлена схема КСУ с
опорным диодом Д оп . Пусть напряжение ста-
билизации опорного диода U ст , а напряжение
между базой и эмиттером транзистора U бэ .
Тогда U вых = U вх − U вх − U ст . Если требуется
иметь U вых = 0 , то необходимо выполнить
условие U ст = U вх − U бэ . Коэффициент пере-
дачи каскада определяется произведением KU
Рис. 2.4 эмиттерного повторителя (транзистор работает
по схеме с общим коллектором) на коэф-
фициент передачи делителя образованного из дифференциального
сопротивления опорного диода rд и сопротивления резистора Rэ :
β ( Rэ + rд ) Rэ β Rэ
KU = ⋅ = ,
Rг + rб + (1 + β) ( Rэ + rд ) Rэ + rд Rг + rб + (1 + β) ( Rэ + rд )

где Rг — выходное сопротивление предыдущего каскада. Коэффи-

циент передачи KU в данной схеме меньше единицы. Выходное
сопротивление каскада равно
⎛ R +r ⎞
Rвых = ⎜⎜ rд + rэ + г б ⎟⎟ || Rэ .
⎝ 1+ β ⎠
На рис. 2.5 показана схема КСУ с p–n–p
транзистором. Найдем условие, при котором
U вых = 0 . Непосредственно из схемы следует,
что U вых = I к Rк − U ип , Iк = α Iэ , Iэ =
U − U вх − U бэ
= ип . Искомое условие U вых = 0
Rэ
выполняется при α Rк (U ип − U бэ − U вх ) = Rэ U ип .
Коэффициент передачи можно найти, считая
данный каскад работающим по схеме ОЭ и
Рис. 2.5 заменив в его эквивалентной схеме для средних
частот rэ на rэ + Rэ :

40
 β γ ∗к Rк
KU = .
Rг + rб + (1 + β γ ∗к ) (rд + Rэ )

При Rк > Rэ коэффициент KU может быть больше единицы.

Выходное сопротивление Rвых = Rк || rк ≈ Rк несколько больше,
чем в обычном каскаде ОЭ.
На рис. 2.6 представлена схема КСУ, в
которой транзистор Т2 выполняет роль
так называемого генератора тока обла-
дающего очень высоким выходным со-
противлением для сигналов переменного
тока.
Непосредственно из схемы следует,
что U вых = U вх − U бэ1 − I к2 Rэ1 ; I к2 =
U − U б2 − U бэ2
= α I э2 ; I э2 = ип , где U б2 ≈
Rэ2
R1
≈ U ип .
R1 + R2 Рис. 2.6
Условие U вых = 0 выполняется при
⎛
α 2 Rэ R2 ⎞
U вх − U бэ1 = ⎜⎜U ип − U бэ2 ⎟⎟ . Коэффициент передачи
Rэ 2
⎝ R1 + R2 ⎠
Rвых2
есть произведение KU = K эп , где Rвых2 ≈ rк2 — вых-
Rвых2 + Rэ1
одное сопротивление транзистора Т2. Таким образом, коэффициент
β1 rк2
передачи равен KU = . Очевидно, он
Rг + rб1 + (1 + β1 ) (rэ1 + Rэ1 + rк2 )
всегда меньше единицы. Выходное сопротивление определяется
R +r
формулой Rвых = Rэ1 + rэ1 + г б1 .
1 + β1

41
 2.3. Выходные каскады

Выходные каскады должны отдавать в нагрузку максимальное

напряжение и ток. Их выходное сопротивление должно быть мало,
а рассеиваемая мощность в отсутствии сигнала минимальна. Эти
каскады, как правило, не усиливают напряжение.
Простейшим выходным каскадом является
эмиттерный повторитель (рис. 2.7). Он имеет
низкое выходное сопротивление Rвых =
⎛ R +r ⎞
= Rэ || ⎜⎜ rэ + г б ⎟⎟ . Максимальная амплитуда
⎝ 1+ β ⎠
передаваемого сигнала порядка U ип , макси-
U
мальный выходной ток I макс ≈ ип . В отсут-
Rэ
Рис.2.7
ствие сигнала он рассеивает мощность
2
2U ип
P = 2U ип I макс ≈ .
Rэ
На рис. 2.8 представлена схема
выходного каскада на взаимодополняю-
щих транзисторах (n–p–n и p–n–p).
Падение напряжения на диодах Д1 и Д2
предварительного усилителя на тран-
зисторе Т1 и резисторе Rк смещает
эмиттерные переходы транзисторов Т2
и Т3 на границу отпирания. Поэтому
рассеиваемая мощность в состоянии
покоя близка к нулю. Максимальный
выходной ток ограничивается лишь
предельно допустимым для транзис-
Рис. 2.8 торов Т2 и Т3 значениями I э . В отли-
чии от простого повторителя данная
схема одинаково хорошо передает как положительные так и
отрицательные перепады напряжения, так как транзисторы Т2 и Т3
работают попеременно в активной области. Остальные параметры
( Rвых , U вых ) практически те же, что и в схеме 2.7
42
 Схема выходного каскада на одно-
типных транзисторах показана на
рис. 2.9. Предварительный усилитель
на транзисторе Т1 обеспечивает ис-
ходный режим Т2 и Т3, когда
U н = 0 = U э2 . Входной сигнал «расщеп-
ляется» транзистором Т1 на два про-
тивофазных. Положительные перепа-
ды напряжения хорошо передаются
транзистором Т2, а отрицательные —
транзистором Т3. По этому параметру
схема близка к повторителю на
взаимодополняющих транзисторах. Рис.2.9
Каскад передает максимальную ампли-
туду выходного сигнала порядка U ип . Максимальный ток, отдавае-
мый схемой, ограничен сопротивлением транзисторов Т2 и Т3 в
насыщенном состоянии. Мощность, рассеиваемая в состоянии
покоя, при прочих равных условиях такая же, как и у простого
эмиттерного повторителя (рис. 2.7).
При коротком замыкании на выходе ток
максимален. Его величина (для предотвра-
щения выхода микросхемы из строя) должна
быть ограничена. На рис. 2.10 Представлена
схема выходного каскада с токоограничиваю-
щими резисторами. Максимальное значение
U − U кн
тока через транзисторы I макс = ип .
Rэ
Например, если U ип = 10 В , а I макс. доп =
= 10 мА , то Rэ ≈ 1 кОм . Следовательно, и
выходное сопротивление каскада Rвых =
R +r Рис. 2.10
= Rэ + rэ + г б ≈ Rэ = 1 кОм . Максимальное
1+ β
Rн
выходное напряжение ограничено уровнем U ип .
Rн + Rэ

43
 В схеме с дополнительными уп-
равляющими транзисторами Т3, Т4
(рис. 2.11) при нормальной работе
транзисторов Т1 и Т2 рабочие токи,
протекающие по резисторам Rэ1 и
Rэ2 , недостаточны для создания паде-
ния напряжения, отпирающего транзи-
сторы Т3 и Т4. Поэтому Т3 и Т4
закрыты. Они открываются при
I э Rэ > U бэ. отп ≈ 0,4 В . Если, по-преж-
нему, принять I э. доп = I макс = 10 мА ,
Рис. 2.11
то получим Rэ = 40 Ом . Выходное
сопротивление данного каскада суще-
ственно меньше, чем в схеме рис. 2.10, а максимальное выходное
напряжение больше.

2.4. Частотные характеристики

операционного усилителя

Пусть ОУ трехкаскадный. Найдем его АЧХ и ФЧХ. Общий

коэффициент усиления ОУ есть произведение коэффициентов
усиления отдельных каскадов:
KU = K1 ( f ) K 2 ( f ) K 3 ( f ) .
Зависимость коэффициентов усиления отдельных каскадов от
частоты представим функцией:
K
KU = ,
2
⎛ f ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fв ⎠
где K — коэффициент усиления в области низких и средних
частот; f в — верхняя граничная частота каскада (частота среза).
Для частот f > f в представленная формула упрощается:
f
Ku ( f ) ≈ K в .
f
44
 Зависимость фазы от частоты каскада представим так:
⎛− f ⎞
ϕ = arctg ⎜⎜ ⎟⎟ .
⎝ fв ⎠
Каждый из каскадов ОУ имеет собственные АЧХ и ФЧХ,
отличающиеся частотами среза и коэффициентами усиления. В
логарифмическом масштабе перемножение коэффициентов уси-
ления отдельных каскадов можно заменить сложением гео-
метрических отрезков, соответствующих коэффициентам усиления.
При f > f в увеличение текущей частоты в десять раз (на декаду)
уменьшает коэффициент усиления также в десять раз (на 20 дБ)
(рис. 2.12). Поэтому скорость спада общей АЧХ ОУ последо-
вательно увеличивается после каждой из частот среза ( f в1 , f в2 ,
f в3 ) на – 20 дБ/дек.

Рис. 2.12

Рис. 2.13

45
 Рис. 2.14

Фазочастотную характеристику каскада в полулогарифмиче-

ском масштабе можно аппроксимировать ломаной линией, име-
ющей скачек 90° на частоте f в (рис. 2.13). Наибольшая ошибка ап-
проксимации составляет ± 45° на частоте f в . Сдвиг фазы на часто-
тах среза каскадов увеличивается на 90°. Результирующие АЧХ и
ФЧХ ОУ показаны на рис. 2.14. Такая АЧХ называется диаграм-
46
мой Боде. Частота f пр , соответствующая 180° сдвигу фазы, назы-
вается предельной.
Интегральные операционные усилители в большинстве схем
используются совместно с цепями обратной связи (ОС) (подробнее
см. п. 2.5). При замыкании ОС возникает самовозбуждение ОУ на
частотах, где сдвиг фаз между входным сигналом и сигналом ОС
больше 180°, а глубина ОС K u γ u > 1 ( K u — коэффициент уси-
ления ОУ без ОС; γ u — коэффициент передачи цепи ОС). Схема
ОУ с ОС теряет устойчивость — становится генератором.
Найдем условие устойчивости, используя диаграмму Боде.
Представим коэффициент усиления ОУ с ОС следующим образом:
Ku Ku 1
Kuос = ≈ = .
1 + γ u Ku γ u Ku γ u
В логарифмическом масштабе глубина ОС
1
lg ( γ u Ku ) = lg K u − lg Kuос = lg Ku − lg .
γu
Если в плоскости логарифмической АЧХ провести горизон-
тальную прямую, соответствующую коэффициенту усиления
1
Kuос ≈ , то разница между ординатами АЧХ и этой прямой будет
γu
глубиной ОС (рис. 2.14). Из рисунка видно, что с увеличением
частоты глубина ОС уменьшается. В точке пересечения А
lg ( γ u K u ) = 0 , т.е. γ u K u = 1.
Если в этой точке f < f пр , то дополнительный фазовый сдвиг
не превышает – 180°, и усилитель с ОС будет устойчив. В про-
тивном случае усилитель с ОС неустойчив.
1
ОУ всегда устойчив, если прямая пересекает отрезок
γu
диаграммы Боде с наклоном – 20 дБ/дек.
1
Если прямая пересекает АЧХ на участке с наклоном – 40
γu
или – 60 дБ/дек за предельной частотой ( f > f пр ), то в усилителе
47
сдвиг фазы выходного сигнала относительно входного превышает
– 180°, и ОУ становится неустойчивым.
Из рис. 2.14 видно, что глубина ОС устойчивого усилителя с
f
максимально возможным запасом по фазе 90° равна 20 lg в2 . При
f в1
нулевом запасе по фазе глубина ОС максимальна (на рисунке это
( γ u K u )макс ).
Для обеспечения устойчивости ОУ используются специальные
цепи коррекции. Например, включением специального на-
грузочного конденсатора суммарная АЧХ ОУ может иметь наклон
– 20 дБ/дек. Она будет пересекать ось абсцисс в точке с частотой
единичного усиления f1 . При этом осуществляется полная компен-
сация ОУ с запасом по фазе 90°.
При использовании трех каскадов простая коррекция с
помощью запаздывающего звена оказывается в общем случае
недостаточной для обеспечения устойчивости. Приходится при-
менять более сложные схемы коррекции, состоящие из ряда
звеньев. Но при этом затрудняется проектирование и эксплуатация
усилителей на ОУ.
Разработанные более совершенные двухкаскадные интеграль-
ные ОУ имеют АЧХ разомкнутой системы с максимальным
наклоном – 40 дБ/дек. Устойчивость усилителя в этом случае
обеспечивается с помощью лишь одного корректирующего
конденсатора. Емкость его оказывается такой малой, что ее можно
изготовить на одном кристалле с остальными элементами ОУ.
Поэтому такой ОУ не требует частотной коррекции.

2.5. Применение ОУ в аналоговых устройствах

Усиливаемый интегральным ОУ сигнал прилагается между его

входами. Один из них — инвертирующий: фаза сигнала на
выходе ОУ и этом входе отличается на 180°. Другой вход —
неинвертирующий: фазы сигналов на выходе ОУ и входе сов-
падают. Инвертирующий вход отмечается кружочком ○ или знаком
минус. Неинвертирующий вход отмечается знаком плюс.
В эквивалентных схемах учитывается сопротивление между
входами — это удвоенное сопротивление парафазному сигналу.
48
 Сопротивления синфазным сигналам в расчет приниматься не
будут, так как они на несколько порядков больше сопротивлений
парафазному сигналу. Выходную цепь ОУ представим в виде
+ −
генератора ЭДС: U вых = (U вх − U вх ) K у, u .
При неизменном входном сигнале на выходе ОУ присутствует
«паразитный» сигнал. Он определяет статическую погрешность
ОУ. Эту погрешность принято характеризовать приведенными ко
входу усилителя эквивалентными сигналами, которыми можно
компенсировать эту погрешность. К этим сигналам (параметрам
ОУ) относятся следующие.
Напряжение смещения (нуля) U см — это U вх , при котором
U вых = 0 . Напряжение смещения образуется за счет разброса
входных характеристик транзисторов, а также сопротивлений Rк .
Напряжение U см изменяется с температурой и во времени. Это
явление называется дрейфом нуля. При больших сопротивлениях
источников сигнала на погрешность усиления существенно влияют
входные токи I вх. ср : токи баз биполярных транзисторов или токи
затворов полевых транзисторов. При небольшой разности Δ I вх
удается частично скомпенсировать влияние входных токов.
В дальнейшем напряжение смещения и входные токи при
моделировании работы ОУ будут представляться соответственно
идеальным источником ЭДС и идеальным источником тока. Таким
же образом может моделироваться влияние шумов и помех,
приводимых к источникам напряжения и тока.

2.5.1. Усилитель тока

На рис. 2.15 представлена схема усилителя тока. Здесь источник

усиливаемого сигнала представлен идеальным генератором тока I г
и внутренним сопротивлением Rг . Напряжение смещения пред-
ставлено источником ЭДС e. На сопротивлении между входами ОУ
Rвх действует напряжение U вх . Это напряжение усиливается в
K u раз и инвертируется, т.е. U вых = − K u U вх . Между инвертирую-
щим входом и выходом ОУ включен резистор обратной связи Rос .

49
 Рис. 2.15

Вначале найдем U вых схемы при e = 0 и Rг = ∞ .

Ток I г в узле a разветвляется на две части:
U вх U вх − γ U вых
I г = I + I ос = + .
Rвх Rос
R2
где γ = — доля выходного напряжения, поступающего в
R1 + R2
ос U
цепь обратной связи. По определению Rвх = вх . Подставив в
Iг
предыдущую формулу U вых = − K u U вх , получим входное сопро-
тивление усилителя с цепью обратной связи ( Rос ):
ос Rос
Rвх = || Rвх .
1 + γ Ku
ос R
Обычно Rос << Rвх , а γ K u >> 1. Поэтому Rвх ≈ ос .
γ Ku
Выходное напряжение пропорционально входному:
ос Ku I R
U вых = − Ku I г Rвх ≈ − Iг Rос ≈ − г ос .
1 + γ Ku γ
Выходное сопротивление Rг генератора тока I г можно учесть,
включив его параллельно входному сопротивлению ОУ Rвх . В вы-
Rос
сокоомных цепях Rг >> , и роль Rг несущественна.
1 + γ Ku
50
 Учтем теперь влияние источника ЭДС e. Для этого найдем
напряжение в узле a:
U вых
U a = U вх − е = − − е.
Ku
С другой стороны
Rг
U a = γ U вых .
Rг + Rос
Отсюда
е е ⎛ Rос ⎞
U вых = − ≈− ⎜⎜1 + ⎟.
1
+γ
Rг γ ⎝ Rг ⎟⎠
Ku Rг + Rос
Итак, искомое выходное напряжение
⎛ R ⎞
I г Rос + е ⎜⎜1 + ос ⎟⎟
⎝ Rг ⎠
U вых =− .
γ
Относительное влияние источников I г и e определяется
отношением
Iг ⎛ 1 1 ⎞
⎜⎜ + ⎟⎟ .
е ⎝ Rос Rг ⎠

В высокоомных цепях, когда Rос и Rг велики, преобладает

влияние тока I г . В низкоомных цепях преобладающее значение
имеет источник ЭДС e. Поэтому при усилении тока от высо-
коомных датчиков целесообразно использовать ОУ с малыми
входными токами (например с полевыми транзисторами на входе).
При усилении напряжений в низкоомных цепях преобладающее
значение на погрешность измерений оказывает напряжение
смещения. В этом случае при выборе ОУ приоритетным является
минимальное напряжение смещения.

51
 2.5.2. Суммирующий усилитель

Схема усилителя показана на рис. 2.16. Она имеет n входов, на

которые подаются сигналы U i . Сначала рассмотрим работу схемы
без учета погрешностей, вносимых I вх1 , I вх2 и e.

Рис. 2.16

Воспользуемся методом узловых потенциалов для определения

входного напряжения. Тогда получим:
Ui
∑ Ri
U вх = .
1 1
ос
+∑
Rвх Ri

ос
В реальных схемах Rвх ( ) −1
>> ∑
1
Ri
R
, а Rвх >> ос .
1 + Ku
Rос Ui
Поэтому U вх =
1 + Ku
∑ Ri
.

Умножив U вх на K u , получим:
Ku Ui Ui
U вых = −
1 + Ku
Rос ∑ Ri
≈ − Rос ∑ Ri
.

Погрешность формулы определяется тремя составляющими:

1 Rос R 1
δ= + + ос
Ku Rвх (1 + K u ) 1 + Ku
∑ Ri
.

52
 С увеличением K u , Rвх , Ri и уменьшением Rос погрешность
суммирования уменьшается.
Учтем теперь влияние источников I вх1 , I вх2 и e. Для входного
тока I вх1 данная схема представляет усилитель тока с сопро-
тивлением источника сигнала Rг , определяемым из соотношения
1 1
=∑ . Входной ток I вх2 создает на внешнем резисторе R
Rг Ri
падение напряжения I вх2 R , которое эквивалентно дополнитель-
ному напряжению смещения. Влияние напряжение e аналогично
влиянию в схеме усилителя тока (с учетом замечания о Rг ). Итак,
дополнительная аддитивная погрешность в виде выходного
напряжения Δ U вых будет равна
⎛ 1⎞
Δ U вых = I вх1 Rос + (е − I вх2 R) ⎜⎜1 + Rос ∑ ⎟.
Ri ⎟⎠
⎝
В частном случае все Ri = ∞ за исключением одного R1 . Тогда
схема становится инвертирующим усилителем с коэффициентом
R
передачи K = − ос .
R1

2.5.3. Неинвертирующий усилитель

Найдем UВЫХ для неинвертирующего усилителя, показанного на

рис. 2.17.

Рис. 2.17

53
 Пусть вначале I вх1 = I вх2 = 0 . Тогда, пренебрегая R по сравне-
нию с Rвх ( R << Rвх ), имеем

⎛ R1 ⎞
U вых = Ku ⎜⎜U вх − U вых ⎟.
⎝ R1 + R2 ⎟⎠

R1
Отсюда при Ku >> 1, что всегда реализуется на прак-
R1 + R2
тике,
⎛ R ⎞
U вых = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ U вх .
⎝ R1 ⎠

Ток I вх1 дает приращение выходного напряжения на величину

− I вх1 R2 . Ток I вх2 создает на резисторе R падение напряжения,
эквивалентное входному сигналу I вх2 R . На выходе будет при-
⎛ R ⎞
ращение напряжения I вх2 R ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ . При соблюдении равенства
⎝ R1 ⎠
⎛ R ⎞
I вх1 R2 = I вх2 R ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ происходит компенсация влияния входных
⎝ R1 ⎠
токов.
В частном случае R1 = ∞ схема превращается в повторитель
напряжения. Компенсация наступает при I вх1 R2 = I вх2 R .

2.5.4. Интегрирующий усилитель

Схема усилителя представлена на рис. 2.18.

Рассмотрим отклик выходного напряжения при подаче на вход
схемы ступеньки напряжения. Составим следующие уравнения:
U г − U вх = R ( I вх + I ос ) ;
U вх
I вх = ;
Rвх

54
 U вых
U вх = − ;
Ku

⎛ 1 ⎞⎟ ⎛ 1 ⎞⎟
I ос = (U вх − U вых ) ⎜ p C + = (1 + K u ) U вх ⎜ p C + ,
⎜ Rут ⎟⎠ ⎜ Rут ⎟⎠
⎝ ⎝
где p — оператор, Rут — сопротивление утечки конденсатора.
После элементарных преобразований получаем искомое напря-
жение
U г Ku
U вых ( p ) = − .
R ⎛ 1 + Ku ⎞
1+ +R⎜ ⎟ + p C R (1 + K u )
Rвх ⎜ Rут ⎟
⎝ ⎠

Рис. 2.18

Переходя к оригиналу, имеем

⎡ ⎛ t ⎞⎤
U вых (t ) = U уст ⎢ 1 − exp ⎜ − ⎟ ,
⎣ ⎝ τ ⎠ ⎥⎦
где
U г Ku
U уст = − ;
R ⎛ 1 + Ku ⎞
1+ +R⎜ ⎟
Rвх ⎜ Rут ⎟
⎝ ⎠

55
 τ ≈ C R || Rвх (1 + K u ) .
Разложим экспоненту в ряд и ограничимся линейным прибли-
жением:
⎡ ⎛ t ⎞⎤ t
U вых (t ) = U уст ⎢1 − ⎜1 − + . . .⎟ ⎥ = U уст .
⎣ ⎝ τ ⎠⎦ τ
Подставив U уст и τ, получим
Ku t
U вых (t ) = − U г.
1 + Ku R C
Таким образом, начальный участок экспоненты описывает
процесс интегрирования. Интегрирование тем точнее, чем лучше
выполняется неравенство t << τ . Поэтому к усилителю предъяв-
ляются требования больших Rвх и K u . Сопротивление конден-
сатора Rут также должно быть большим, иначе U вых будет стре-
миться не к U уст ≈ − K u U г , а к значительно меньшей величине
Rут
U уст ≈ − U г . Эта погрешность сильно проявляется на низких
R
частотах.

56
 Глава 3
Усилители с обратными связями

В усилителе с обратной связью (ОС) часть энергии выходного

сигнала поступает на вход усилителя. Использование ОС позволяет
улучшить параметры усилителя. Анализ схем, основанный на тео-
рии ОС, упрощает расчеты, а результаты анализа делает более на-
глядными.

3.1. Классификация видов ОС

По виду выходного сигнала, который передается на вход, уси-

лители делятся на усилители: с ОС по напряжению; с ОС по току; с
комбинированной ОС.
Для определения вида ОС можно мысленно провести опыт хо-
лостого хода или короткого замыкания на выходе усилителя. ОС по
напряжению при холостом ходе сохраняется, а при коротком замы-
кании исчезает. ОС по току при коротком замыкании сохраняется,
а при холостом ходе исчезает.
По способу подачи сигнала ОС во входную цепь различают уси-
лители: с последовательной ОС; с параллельной ОС; с последова-
тельно-параллельной ОС.
При последовательной ОС происходит векторное сложение на-
пряжений источника сигнала и цепи ОС. При параллельной ОС
происходит векторное сложение токов источника сигнала и цепи
ОС.
В зависимости от разности фаз усиливаемого сигнала и сигнала
ОС различают усилители:
• с отрицательной ОС (ООС), когда разность фаз равна 180°;
• с положительной ОС (ПОС), когда разность фаз равна нулю;

57
 • с комплексной ОС (КОС), когда разность фаз лежит в пределах
от нуля до 180°.
Если ОС охватывает один из каскадов усилителя, то говорят о
местной ОС; если ОС охватывает весь усилитель, то такую ОС на-
зывают общей.

3.2. Последовательная ООС по напряжению

Рассчитаем основные параметры усилителя с ОС, структура ко-

торого показана на рис. 3.1. Параметры усилителя без ОС: K u ,
Rвх , Rвых , f н , f в , δ, tфр ; коэффициент передачи цепи ОС — γ u .

Рис. 3.1

Напряжение на нагрузке Rн в отсутствии ОС равно U н = K u U г .

Включив ОС, получим U н = K u (U г − U ос ) . Напряжение ОС U ос
пропорционально напряжению на нагрузке U ос = γ u U н . Таким об-
разом, U н = K u (U г − γ u U н ) или
Ku
Uн = Uг .
1 + γ u Ku
Отсюда получаем основную формулу теории ОС
Uн Ku
Kuос = = .
U г 1 + γ u Ku
58
Величину K u γ u называют глубиной ОС, а 1 + γ u K u = F — факто-
ром ОС. При γ u K u >> 1 — большой глубине ОС, коэффициент
1
усиления Kuос = не зависит от параметров усилителя без ОС,
γu
являющихся, как правило, не достаточно стабильными. Цепь ОС
строится на пассивных элементах, поэтому γ u и, соответственно,
K uос оказываются достаточно стабильными.
Продифференцировав K uос по K u и перейдя к соответствующим
приращениям Δ K uос и Δ K u , найдем относительную нестабиль-
ность K uос :
Δ Kuос Δ K u 1
ос
= ⋅ .
Ku Ku 1 + γ u Ku

Вывод: нестабильность K uос по сравнению с K u уменьшается в

F раз.
ос U
Входное сопротивление Rвх = вх найдем при Rг = 0 , так как
I вх
от сопротивления источника сигнала оно не зависит. Тогда
ос U
Rвх = г , а
I вх

U г − U ос 1 ⎛ Ku ⎞ U г 1
I вх = = ⎜⎜U г − U г γ u ⎟⎟ = ⋅ .
Rвх Rвх ⎝ 1 + γ u Ku ⎠ Rвх 1 + γ u Ku
Таким образом,
ос
Rвх = Rвх (1 + γ u K u ) = Rвх Fон ,
где Fон — фактор ОС при Rг = 0 . Итак, ООС последовательного
типа увеличивает входное сопротивление в Fон раз.
ос
ос U хх
Выходное сопротивление Rвых = ос
. При коротком замыка-
I кз
ос
нии ОС по напряжению не действует. Поэтому I кз = I кз . Напряже-
ние холостого хода
59
 ос Ku U хх U
U хх = Uг = = хх ,
1 + γ u Ku 1 + γ u Ku F ∞
г

где K u и F ∞ определяются при холостом ходе, т.е. Rн = ∞ . Таким

г
образом,
ос Rвых R
Rвых = = вых .
1 + γ u Ku F∞
г

Выходное сопротивление при ООС по напряжению уменьшает-

ся по сравнению с выходным сопротивлением без ОС в F ∞ раз.
г
Нагрузочная способность усилителя улучшается — напряжение на
нагрузке U н меньше зависит от тока нагрузки I н .
Влияние ООС на нелинейные искажения найдем для относи-
тельно небольших искажений, когда можно воспользоваться прин-
ципом суперпозиции. Будем считать, что напряжение нелинейных
искажений (амплитуды гармоник) прямопропорциональны уров-
ням напряжений в цепях усилителя. Пусть
U нос = K u (U г − U ос ) = U н − γ u K uU нос .

Заменив U н на U ни , U нос на U ни
ос
, получим
ос ос
U ни = U ни − γ u K uU ни .
Или
ос U ни U
U ни = = ни .
1 + γ u Ku F
В усилителе с ООС уровень нелинейных искажений меньше,
чем в усилителе без ОС в F раз. Использование ООС позволяет
увеличить динамический диапазон для входного сигнала при за-
данном коэффициенте нелинейных искажений.
Влияние ООС на линейные искажения найдем, основываясь
на обобщенной формуле для коэффициента усиления
K ( p)
K ос ( p) = ,
1 + γ K ( p)

60
где γ — коэффициент передачи цепи ОС, K ( p ) для малых времен
(высших частот) и больших времен (низших частот) соответствен-
но следующие функции:
K p τн
K ( p) = , K ( p) = K .
1 + p τэкв 1 + p τн
Подстановка K ( p ) для высших частот дает:
K 1 K
K ос ( p ) = ⋅ = .
1 + p τ экв 1 + γK 1 + p τ экв + γ K
1 + p τэкв
Таким образом,
K 1 K ос
K ос ( p ) = ⋅ = ,
1 + γ K 1 + p τ экв 1 + p τос
экв
1+ γ K

τ экв 2,2 τ экв tфр

где τос
экв =
ос
. Длительность фронта tфр = 2,2 τос
экв = =
F F F
уменьшается по сравнению с усилителем без ОС в F раз.
ωос 1 F
Верхняя граничная частота f вос = в = ос
= = fн F
2π 2π τэкв 2π τ экв
увеличивается в F раз.
Подстановка K ( p ) для низших частот дает:
K p τн 1 K p τн
K ос ( p ) = ⋅ = .
1 + p τ н 1 + γ K p τн 1 + p τн (1 + γ K )
1 + p τн
Или
K p (1 + γ K ) τн p τос
K ос ( p) = ⋅ = K ос н
,
1 + γ K 1 + p τн (1 + γ K ) 1 + p τос
н

где τос
н = τн F . Относительный спад плоской вершины импульса
tи t δ
δос = ос = и = уменьшается по сравнению с усилителем без
τн τ н F F
ОС в F раз.
61
 Нижняя граничная частота
ωос 1 1 f
f нос = н
= = = н.
2π 2π τос
н 2 π τ н F F
уменьшается по сравнению с усилителем без ОС в F раз. Таким
образом, ООС уменьшает линейные искажения.

3.3. Усилители с положительной ОС (ПОС)

В усилителе с ПОС напряжения U г и U ос складываются. Най-

денные ранее формулы для ООС будут справедливы и для ПОС,
если в них изменить знак коэффициента передачи цепи ОС. Тогда
коэффициент усиления
K
K ос = ,
1− γ K
1 − γ K = F — фактор ОС. Относительная нестабильность
Δ K ос Δ K
= при F < 1 возрастает. Нижняя граничная частота
K ос KF
f
f нос = н возрастает, а верхняя граничная частота f вос = f н F
F
уменьшается. Следовательно, полоса пропускания усилителя с
ПОС Δ f ос = f вос − f нос сужается по сравнению с полосой пропус-
кания Δ f = f в − f н усилителя без ОС.
ПОС при γ K > 1 приводит к самобозбуждению усилителя —
усилитель теряет устойчивость, превращается в генератор.

3.4. Параллельная ООС по току

Рассчитаем коэффициент усиления по току K iос , входное со-

ос ос
противление Rвх , выходное сопротивление Rвых усилителя с ОС,
структура которого показана на рис. 3.2 при параметрах усилителя
без ОС K i , Rвх , Rвых .

62
 Рис. 3.2

Ток нагрузки в отсутствии ОС I н = I K i , при включении ОС ток

I н = K i ( I г − I ос ) . Ток ОС пропорционален току нагрузки
Rсв
I ос = γ i I н , где γ i ≅ — коэффициент передачи цепи ОС.
Rсв + Rос
Итак, I н = K i ( I г − γ i I н ) или
Ki
Iн = Iг .
1 + γ i Ki
Таким образом, коэффициент усиления по току
Iн Ki
Kiос = = .
I г 1 + γ i Ki
При большой глубине ОС, когда γ i K i >> 1, осуществляется стаби-
лизация K iос в F = 1 + γ i K i раз по сравнению со стабильностью K i
(аналогично усилителям с последовательной ООС по напряжению).
ос U
Входное сопротивление Rвх = вх найдем при Rг = ∞ , так как
I вх
от сопротивления источника сигнала оно не зависит. Тогда
ос U вх U вх U вх U вх U вх
Rвх = = = = = .
Iг I + I ос I + γ i I н I + γ i K i I I (1 + γ i Ki )

63
 U вх
Входное сопротивление без ОС Rвх = . Поэтому
I
ос Rвх R
Rвх = = вх ,
1 + γ i K i F∞ н

где F∞ н — глубина ОС при Rг = ∞ . Таким образом, входное со-

противление с ОС в F∞ н раз меньше Rвх без ОС.
ос
ос U хх
Выходное сопротивление Rвых = ос
найдем при Rн = 0 , так
I кз
как от Rн выходное сопротивление не зависит. При холостом ходе
ос
цепь ОС размыкается, поэтому U хх = U хх . Выходной ток при ко-
ротком замыкании
ос Ki I
I кз = Iг = кз .
1 + γ i Ki Fг 0
где Fг0 — фактор ОС при Rн = 0 . Итак,

ос U хх
Rвых = (1 + γ i Ki ) = Rвых Fг0 .
I кз
Выходное сопротивление увеличивается в Fг0 раз.
Рассчитанный усилитель целесообразно использовать для пере-
дачи сигналов от источников тока (высокоомных устройств) в
сравнительно низкоомную нагрузку.

3.5. Последовательная ООС по току

Рассчитаем крутизну S ос , входное сопротивление Rвх

ос
и вы-
ос
ходное сопротивление Rвых усилителя с ОС, структура которого
показана на рис. 3.3. Крутизна усилителя без ОС S, входное и вы-
ходное сопротивления соответственно Rвх и Rвых .

64
 Рис. 3.3

Ток нагрузки можно представить следующим образом: I н = S U ,

где U — напряжение на входе усилителя без учета ОС. С учетом
ОС I н = S (U г − U ос ) , где напряжение ОС U ос = I н Rсв . Итак,
S Uг
I н = S (U г − I н Rсв ) или I н = .
1 + S Rсв
Таким образом, искомая крутизна
Iн S
S ос = = .
U г 1 + S Rсв
При большой глубине ОС, когда S Rсв >> 1, крутизна стабилизи-
1
руется на уровне S ос ≅ . Крутизна S ос будет стабильнее кру-
Rсв
тизны S без ОС в F = 1 + S Rсв раз.
ос U
Входное сопротивление Rвх = вх найдем при Rг = 0 , так как
I вх
ос ос U
от Rг сопротивление Rвх не зависит. Тогда Rвх = г , где I вх оп-
I вх
ределяется следующим образом.

65
 S Rсв
Uг −Uг
U − U ос 1 + S Rсв Uг 1
I вх = г = = ⋅ .
Rвх Rвх Rвх 1 + S Rсв
ос
Таким образом, Rвх = Rвх (1 + S Rсв ) = Rвх F0н , где F0н — фактор
ОС при Rг = 0 .
ос
ос U хх
Выходное сопротивление Rвых = ос
так же, как и для усили-
I кз
теля с параллельной ООС по току, найдем при Rн = 0 .
Опыт холостого хода приводит к разрыву цепи ОС, поэтому
ос
U хх = U хх . Ток короткого замыкания на выходе усилителя

ос S I кз I
I кз = Uг = = кз .
1 + S Rсв 1 + S Rсв Fг 0
ос ос
Подстановкой U хх и I кз находим искомое сопротивление:
ос
Rвых = Rвых Fг0 .
Понятием крутизны удобно пользоваться для усилительных
элементов с большими Rвх и Rвых , например для полевых транзи-
сторов.
Итак, ООС по току увеличивает выходное сопротивление неза-
висимо от того последовательная эта ОС или параллельная. После-
довательная ООС увеличивает входное сопротивление независимо
от того по напряжению она или по току.

3.6. Параллельная ООС по напряжению

Рассчитаем передаточное сопротивление R ос , входное Rвх

ос
и
ос
выходное Rвых сопротивления усилителя с ОС, структура которого
показана на рис. 3.4. Передаточное сопротивление усилителя без
ОС R, входное Rвх и выходное Rвых сопротивления считаем из-
вестными.

66
 Рис. 3.4

Из определения передаточного сопротивления как отношения

Uн
следует, что напряжение на нагрузке усилителя равно
Iг
U н = I R . Введение ОС видоизменяет это напряжение U н =
= ( I г − I ос ) R . Ток ОС I ос пропорционален U н и обратно пропор-
1
ционален Rос . Следовательно, U н = ( I г − γ U н ) R , где γ = , или
Rос
R
Uн = Iг .
1+ γ R
Передаточное сопротивление
Uн R
R ос = = .
Iг 1 + γ R
При большой глубине ОС, когда γ R >> 1,
1
R ос ≈ = Rос —
γ
передаточное сопротивление R ос совпадает с сопротивлением ре-
зистора Rос в цепи ОС.
ос
Входное сопротивление Rвх найдем при Rг = ∞ , так как от Rг
ос
сопротивление Rвх не зависит. Тогда

67
 ос U вх U вх U вх R
Rвх = = = = вх .
I вх I + I ос I + I R γ 1 + γ R
Передаточное сопротивление можно представить следующим обра-
зом:
U U U
R = н = н ⋅ вх = Ku Rвх .
I U вх I
Поэтому при γ R >> 1,

ос Rвх Rвх ⋅ Rос Rос

Rвх ≅ = = .
γR Ku Rвх Ku
ос
ос U хх
Выходное сопротивление по определению Rвых = ос
. При
I кз
коротком замыкании цепь ОС размыкается. Следовательно,
ос
I кз = I кз . Напряжение холостого хода определяется так:
ос I R U
U хх = г = хх .
1 + γ R Fг∞
Таким образом,
ос R
Rвых = вых .
Fг∞

68
 Приложение 1

Методы анализа и расчета

электронных схем
Расчет электронных схем основан на известных из теории цепей
законах Ома и Кирхгофа. Применяются метод суперпозиции (для
линейных схем), метод контурных токов, метод узловых потенциа-
лов и другие.
Для расчета статического состояния схем (установившихся ре-
жимов) законы Ома и Кирхгофа использутся в обычной форме.
При анализе передачи гармонического сигнала используются зако-
ны, записанные в комплексной форме, а для анализа переходных
процессов — законы в обобщенной (операторной) форме.
Расчет статических состояний сводится к совтавлению алгеб-
раических уравнений (в общем случае трансцендентных) и их ре-
шению.
Существенно сложнее анализ переходных процессов. Однако
этот анализ имеет большое практическое значение, так как с пере-
ходными процессами непосредственно связано быстродействие
электронных устройств.
В практических схемах при переходе из одного состояния в дру-
гое возникает переходный процесс. Объясняется это тем, что вся-
кая реальная система содержит индуктивные и емкостные элемен-
ты (хотя бы паразитные). Каждому состоянию цепи соответствует
определенная энергия магнитного и электрического полей. Пере-
ход к новому состоянию связан с изменением энергии этих полей.
Энергия магнитного поля Wм = 0,5L I L2 и энергия электрического
поля Wэ = 0,5 С U С2 не могут измениться скачком, так как в этом
случае пришлось бы затратить бесконечно большую мощность от
источника энергии, что физически невыполнимо.
В настоящее время наиболее распространенными методами ана-
лиза переходных процессов в различных электронных узлах явля-
ются: «классический», суперпозиционные, метод спектрального
анализа, операторный.
«Классический» метод анализа заключается в интегрировании
дифференциальных уравнений переходных процессов в цепи. При
составлении дифференциальных уравнений применяется один из
69
общих методов расчета электрических цепей (метод контурных
токов, узловых потенциалов, метод наложения и т.д.). «Классиче-
ский» метод анализа является наиболее универсальным и поэтому
наиболее громоздким.
Действительно, анализ начинается с составления исходного
дифференциального уравнения, затем находится частное решение,
составляются и решаются уравнения для определения постоянных
интегрирования.
В основе суперпозиционных методов лежит анализ реакции
цепи на воздействие единичного скачка или единичного импульса.
Отклик на выходе электрической цепи при воздействии единич-
ного скачка называется переходной характеристикой или переход-
ной функцией цепи.
Зная реакцию цепи на единичную функцию, можно найти реак-
цию той же цепи на произвольную функцию посредством интегра-
ла Дюамеля.
Единичным импульсом в радиотехнике называют δ-функцию.
Отклик на выходе цепи при воздействии единичного импульса на-
зывается импульсной характеристикой цепи. Вследствие линейно-
сти цепи импульсная характеристика есть производная по времени
от ее переходной характеристики.
В методе спектрального анализа переходных процессов в ка-
честве элементарного воздействия используется гармоническое
(синусоидальное) колебание. Напряжение на выходе цепи опреде-
ляется произведением входного сигнала на комплексный коэффи-
циент передачи цепи. Этот метод используется для приближенного
решения задач прохождения сигналов через частотно-избира-
тельные цепи.
Операторный метод характерен предварительным преобразо-
ванием системы интегро-дифференциальных уравнений в систему
алгебраических уравнений. Решением полученной новой системы
являются изображения искомых функций. При этом отпадает не-
обходимость определения постоянных интегрирования, что являет-
ся существенным преимуществом метода.
В основе операторного метода лежит преобразование Лапласа
∞
f ( p) = ∫ f (t ) e − p t d t ,
0

70
 1 c+ j∞ pt
f (t ) = ∫ f ( p) e dp ,
2π j c − j ∞

где f (t ) — оригинал; f ( p ) — изображание функции. Использует-

ся также преобразование Карсона—Хевисайда
∞
− pt
F ( p) = p ∫ F (t ) e dt,
0

1 c + j ∞ F ( p) p t
F (t ) = ∫
2π j c − j ∞ p
e dp ,

преимуществом которого является то, что оригинал и изображение

имеют одинаковые размерности. При решении ряда задач нет не-
обходимости вычислять интеграл. Искомая функция может быть
найдена с помощью теоремы разложения Хевисайда или с исполь-
зованием таблиц преобразованных функций.
Наряду с изложенными выше точными методами часто исполь-
зуются различные приближенные методы и приемы решения задач.
Из факта невозможности мгновенного изменения энергии элек-
тромагнитного поля можно сделать следующие выводы, являю-
щиеся следствием законов коммутации:
а) скачком при переходных процессах могут меняться токи в
сопротивлениях и емкостях, напряжения на сопротивлениях и инд-
кутивностях;
б) в первый момент после коммутации Δ iL (0) = 0 , Δ U C (0) = 0 ;
в) при нулевых начальных условиях, т.е. при iL (0) = 0 ,
U C (0) = 0 индуктивность в начальный момент времени после
коммутации равносильна разрыву цепи, а емкость — короткому
замыканию;
г) в случае ненулевых начальных условий индуктивность в пер-
вый момент времени после коммутации равносильна источнику
тока, а емкость — источнику ЭДС.
Пользуясь законами коммутации, можно легко найти переход-
ный процесс в простейших электронных цепях. В более сложных
случаях удобнее пользоваться операторным методом. Преимуще-
71
ством операторного метода перед классическим является возмож-
ность использования таблиц формул преобразования оригиналов в
операторные изображения и наоборот. Однако операторный метод
прост для применения при решении линейных дифференциальных
уравнений. Для того чтобы им воспользоваться при анализе нели-
нейных систем, последние «сводят» к линейным для определенных
участков вольт-амперных характеристик.
При решении задач операторным методом требуются справоч-
ные данные преобразования оригиналов в изображения. Некоторые
наиболее употребительные данные приводятся ниже.
Операторные соотношения по Карсону—Хевисайду для законов
Ома и Кирхгофа записываются в следующем виде.
1. Закон Ома для участка цепи:
U ( p)
I ( p) = ,
z ( p)
где z ( p ) — обобщенное сопротивление. Можно также ввести
обобщенную проводимость.
2. Законы Кирхгофа:
I закон (для узла цепи)
∑ I ( p) = 0 ;
II закон (для контура цепи)
∑ I к ( p ) zк ( p ) = ∑ Eк ( p ) .
Изображения обобщенных сопротивлений имеют следующий вид:
1
R ≒ zR ; ≒ zC ; p L ≒ z L .
pC
Наиболее часто при анализе электронных схем используются слe-
дующие формулы преобразования:
1
1 ≒ 1(t ) ; p ≒ 1′ (t ) ; ≒ t;
p
p p a
≒ ea t ; ≒ e− a t ; ≒1 − e− a t ;
p−a p+a p+a

72
 p 1
≒ (a − b t − a − a t ) ;
( p + a ) ( p + b) a − b

1 1 1 ⎛ e− b t e− a t ⎞
≒ + ⎜ − ⎟.
( p + a ) ( p + b) a b b − a ⎜ b a ⎟
⎝ ⎠
На семинарских занятиях и при самостоятельной работе студен-
там предлагается рассчитать схемы, показанные на рис. П.1—П.3,
которые наиболее части используются в электронных устройствах.
1. Для дифференцирующей цепи (рис. П.1) необходимо рас-
считать переходный процесс на резисторе и конденсаторе при по-
даче на вход ступеньки (или прямоугольного импульса) нап-
ряжения с помощью законов коммутации и операторным методом.
Результат представляется графически и аналитически. Дифферен-
цирующая цепь применяется для гальванической развязки, укоро-
чения (дифференцирования) импульсов. Она может служить моде-
лью для анализа переходных процессов в области больших времен
и искажений в области низших частот.

а) б)
Рис. П.1

2. Апериодическое звено (интегрирующая цепь) (рис. П.2) рас-

считывается и анализируется так же, как и в п. 1. Апериодическое
звено применяется для расширения (интегрирования) импульсов, а
также для анализа линейных искажений в области малых времен и
высших частот.

73
 а) б)
Рис. П.2

3. Рассматривается влияние внутреннего сопротивления источ-

ника входного сигнала на работу дифференцирующей и интегри-
рующей цепей. Для дифференцирующей цепи влияние внутреннего
сопротивления генератора сводится к уменьшению амплитуды в
R
отношении и увеличению постоянной времени цепи. В ин-
R + Rг
тегрирующей цепи происходит только увеличение постоянной
времени.
4. Для цепей рассчитываются амплитудно-частотные характери-
стики, нижняя и верхняя граничные частоты. Устанавливается
связь между граничными частотами и постоянными времени цепей.
5. Для схем на рис. П.1 и П.2 производится расчет длительно-
макс
стей переходных процессов на уровнях (0,1 − 0,9) U вых . Длитель-
ность переходных процессов t = τ ln 9 зависит лишь от постоянной
времени τ и уровней отсчета (0,1 − 0,9) и не зависит от величины
входного сигнала U вх (рис. П.3,а).
Тот же расчет производится для случая, когда переходный экс-
поненциальный процесс ограничивается на некотором уровне U м
(рис. П.3,б). Длительность переходного процесса
U вх − 0,1 U м
t = τ ln
U вх − 0,9 U м
зависит не только от постоянной времени и уровней отсчета, но и
от величины входного сигнала.
74
 а) б)
Рис. П.3

а) б)
Рис. П.4

6. Рассчитывается «ускоряющая» цепь (рис. П.4), которая при-

меняется для создания скачков тока (чаще всего в базах транзисто-
ров). Скачок тока получается за счет шунтирования токоограничи-
вающего резистора R конденсатором C на начальном этапе пере-
ходного процесса.
7. Рассчитывается «емкостной делитель» (рис. П.5). В отличие
от ускоряющей цепи в емкостном делителе первоначальный скачок
меньше своего установившегося значения. Схема может служить
одной из моделей анализа помех в электронных устройствах.
8. Рассчитывается переходной процесс в схеме рис. П.6, которая
моделирует входные цепи электронных устройств. Из-за шунти-
рующего действия емкости C происходит затягивание фронта
управляющего сигнала, т.е. замедление переходного процесса.

75
 а) б)
Рис. П.5

а) б)
Рис. П.6

9. Рассчитывается переходной процесс в «компенсированном

делителе» (рис. П.7), который применяется для передачи сигналов
без искажений их формы. Рассматриваются случаи компенсации,
недокомпенсации и перекомпенсации при Rг = 0 . Затем рассмат-
ривается влияние Rг на переходной процесс (качественно). Фор-
мулируется связь между сопротивлением Rг и мощностью источ-
ника сигнала.
10. Рассчитывается реакция колебательного контура (рис. П.8)
на ступеньку тока. Находится коэффициент режима. Рассматрива-
ется переходной процесс для апериодического, критического и ко-
лебательного режимов.
11. Рассчитываются переходные процессы для схемы на
рис. П.9. Результат представляется аналитически и графически.

76
 а) б)
Рис. П.7

а) б)
Рис. П.8

Рис. П.9 Рис. П.10

12. Рассчитываются изменения тока в индуктивности и сопро-

тивлении схемы на рис. П.10.

77
 Рис. П.11

13. Рассчитываются изменения напряжения на конденсаторе C

(рис. П.11), если на вход в одном случае подается ступенька тока, а
в другом — импульс тока.

78
 Приложение 2

Контрольные вопросы
К гл. 1
1. Перечислите области работы биполярного транзистора. В
какой области работает транзистор в линейном усилительном
каскаде?
2. Назовите схемы включения биполярного и полевого тран-
зисторов.
3. Каково назначение элементов схемы каскада ОЭ?
4. Как стабилизируется исходный режим работы транзистора?
5. Назовите основные элементы схемы каскада ОЭ и параметры
транзистора влияющие на амплитудно-частотную и фазочастот-
ную характеристики.
6. Сформулируйте требования ко входному и выходному со-
противлениям каскадов при усилении напряжения и тока.
7. Какова связь параметров амплитудно-частотной и переходной
характеристик усилителей?
8. Как можно уменьшить спад плоской вершины импульса?
9. Предложите способы увеличения быстродействия усилитель-
ного каскада.
10. Как характеризуется нагрузочная способность усилителя?
Как ее увеличить?
11. Изобразите эквивалентные схемы каскадов ОЭ и ОИ. В чем
заключаются их отличительные особенности?
12. Сравните каскады ОЭ, ОК, ОИ, ОС по основным пара-
метрам.

К гл. 2
1. Изобразите структуру интегрального операционного усилите-
ля. Сформулируйте требования к параметрам ОУ.
2. Каково назначение дифференциального каскада? Перечислите
параметры ДК.
3. Приведите примеры схем ДК. Объясните принцип их дейст-
вия.
4. Каково назначение каскадов согласования уровней? На при-
мерах схем КСУ объясните принципы их построения.
79
 5. Изобразите «основные» схемы выходных каскадов ОУ. Сфор-
мулируйте требования к их параметрам. Объясните принцип дейст-
вия выходных каскадов.
6. Как осуществляется защита от короткого замыкания на вы-
ходе ОУ? Приведите примеры схем защиты. Объясните принцип их
действия.
7. Как, зная АЧХ и ФЧХ отдельных каскадов ОУ, найти
частотные характеристики операционного усилителя?
8. Как на основе диаграммы Боде анализируется устойчивость
ОУ? Перечислите способы обеспечения устойчивости усилителей.
9. Какие параметры ОУ вносят погрешность в производимые
этими усилителями операции?
10. Как минимизируется влияние параметров ОУ на точность
производимых ими операций?

К гл. 3
1. С какой целью используются обратные связи в усилителях?
2. Приведите классификацию видов ОС.
3. Как отличить ОС по напряжению от ОС по току?
4. Как влияет отрицательная ОС на полосу пропускания усили-
теля?
5. Сравните влияние различных видов ОС на входное сопро-
тивление усилителей.
6. Сравните влияние различных видов ОС на выходное сопро-
тивление усилителей.
7. Как влияет отрицательная ОС на нагрузочную способность
усилителя?
8. Как влияет отрицательная ОС на фронт и спад плоской вер-
шины импульса?
9. Объясните влияние глубины ОС на устойчивость усилителей.
10. Сформулируйте назначение различных видов ОС.

80
 Список литературы
1. Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники. М.:
Энергия, 1974.
2. Осипов А. К. Активные элементы и базовые каскады
микроэлектронных схем. М.: МИФИ, 1991.
3. Диткин В. А., Прудников А. П. Операционное исчисление.
М.: Высшая школа, 1975.
4. Анго Андре. Математика для электро- и радиоинженеров. М.:
Наука, 1967.
5. Справочник по импульсной технике. / Под ред. В. Н. Яков-
лева. Киев: Техника, 1973.
6. Осипов А. К. Методические указания по расчету аналоговых
электронных схем. М.: МИФИ, 1987.

81
 Алексей Константинович Осипов

БАЗОВЫЕ КАСКАДЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

Учебное пособие

Редактор М.В. Макарова

Оригинал-макет подготовлен Л.М. Бурлаковой

Подписано в печать 17.09.09. Формат 60х84 1/16.

Уч.-изд.л. 5,25. Печ.л. 5,25. Тираж 150 экз. Изд. № 071-1. Заказ №

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ».

Типография НИЯУ МИФИ.
115409, Москва, Каширское ш., 31
 Федеральное государственное бюджетное
образовательное учреждение
высшего профессионального образования

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ

УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»

МИФИ – базовое высшее учебное заведение России, предназначен-

ное для подготовки инженеров: физиков, математиков, системотех-
ников – инженеров-исследователей, обладающих глубокими зна-
ниями физико-математических дисциплин в сочетании с серьезной
инженерной подготовкой.

ФАКУЛЬТЕТЫ телефон

Факультет экспериментальной и тео- 8(495)324-84-40

ретической физики (Т)

Физико-технический факультет (Ф) 8(495)324-84-41

Факультет автоматики и электроники (А) 8(495)324-84-42

Факультет кибернетики (К) 8(495)324-84-46

Факультет информационной безопас- 8(495)324-84-00

ности (Б)

Гуманитарный факультет (Г): 8(495)323-90-62

- Институт международных отношений 8(495)323-95-83
- Финансовый институт 8(495)324-03-78
- Институт инновационного менеджмента 8(495)323-90-88
- Экономико-аналитический институт 8(495)323-92-15
- Институт финансовой и экономической безопасности 8(495)323-95-27

ПРИЕМНАЯ КОМИССИЯ 8(495)324-84-17; 8(495)323-95-12

Адрес МИФИ: 115409, г. Москва, Каширское ш., д.31

По вопросам повышения квалификации учителей физики, матема-

тики и информатики, а также по работе МИФИ со школами в регио-
нах РФ обращаться в Центр повышения квалификации и пе-
реподготовки кадров по тел.: 8(495)324-05-08, 8(499)725-24-60.