Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ОРЕНБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Электроэнергетический факультет
Кафедра промышленной электроники и информационно-измерительной
техники

ОТЧЕТ
по лабораторной работе № 4
по курсу
«Физические основы электроники»
Изучение пленочных резисторов
ОГУ 13.03.01.4020.464 О

Руководитель
канд. техн. наук, доцент
Филяк М.М.
“ “ 2020
г.
Исполнитель
студент гр. 19ЭН(б)ПЭ
Донковцев А.В.
“ “ 2020
г.

Оренбург 2020

Содержание
Теоретическая часть 2
Эксперимент 8
Вывод 11
 Теоретическая часть

Структура и конфигурации пленочного резистора показаны на рис. 1.

Как видим, в общем случае конфигурация пленочного резистора
зигзагообразная. В частности, она может быть полосковой. Поэтому расчет
сопротивления можно проводить по формуле (1).

R=R S⋅k Ф (1),

где кФ – коэффициент формы.

КФ= a/b, (2)

где а – длина резистора, в- ширина резистора.

Рис. 1. Пленочные резисторы полосковой (а) и зигзагообразной (б)

конфигурации.

Удельное сопротивление слоя зависит от толщины слоя и материала.

Типичные значения Rs приведены в табл. 1. Там же приведены типичные
значения других параметров резисторов: максимального и минимального
номиналов сопротивления, разброса номиналов (δ), температурного
коэффициента (ТКС) и временного дрейфа сопротивления (за 1000 ч при
температуре + 70 °С).
Значение разброса (допуска) δ приведены для двух случаев: когда
отсутствует специальная подгонка (юстировка) резисторов после их
изготовления (б/подг.) и после такой подгонки (с подг.). Значения ТКС также
приведены для двух величин: для сопротивления отдельного резистора (R) и
для отношения сопротивлений двух резисторов (R1/R2).
Из табл. 1 можно сделать следующие общие выводы:
 - диапазон сопротивлений пленочных резисторов несравненно шире,
чем полупроводниковых (диффузионных и ионно-легированных);
- тонкопленочная технология обеспечивает более высокую
прецизионность и стабильность резисторов;
- подгонка обеспечивает существенное уменьшение разброса
(допусков) сопротивлений; следовательно, возможность такой подгонки
является важным преимуществом пленочных резисторов;
- отношение сопротивлений, как и в случае полупроводниковых ИС,
характеризуется меньшим разбросом и меньшим ТКС, чем отдельное
сопротивление.

Таблица 1 Типичные параметры пленочных резисторов.

Подгонку резисторов можно осуществлять разными способами.

1. Простейший, исторически первый способ состоит в частичном
механическом соскабливании резистивного слоя до того, как
поверхность ИС защищается тем или иным покрытием.
2. Более совершенными являются методы частичного удаления
слоя с помощью электрической искры, электронного или
лазерного луча. Разумеется, все эти способы позволяют
только увеличивать сопротивление резистора.
3. Наиболее совершенный и гибкий метод состоит в
пропускании через резистор достаточно большого тока. При
токовой подгонке одновременно идут два процесса: окисление
поверхности резистивного слоя и упорядочение его
мелкозернистой структуры. Первый процесс способствует
увеличению, а второй — уменьшению сопротивления.
Подбирая силу тока и атмосферу, в которой ведется подгонка,
можно обеспечить изменение сопротивления и в ту, и в
 другую сторону на ± 30% с погрешностью (по отношению к
желательному номиналу) до долей процента.
Резисторы толстопленочных микросхем получают нанесением через
трафареты специальных паст (метод шелкографии) на поверхность
керамической подложки (керамика 22ХС) с последующим их вжиганием в
тело подложки (метод горячей керамики).
Резисторы тонкопленочных схем образуются в процессе напыления
металлов или других токопроводящих веществ обычно на ситалловую
подложку. Их конфигурация определяется топологией (размещением и
размерами) резистивного слоя масок, через «окна» которых проводится
напыление. Для напыления резисторов применяют сплав МЛТ-ЗМ, тантал,
керметы и силициды.
Тонкопленочные резисторы имеют ряд преимуществ перед
полупроводниковыми: они более стабильны (ТКС  ±10-4 1/град), более
точны (до . ±5%) и имеют широкий диапазон номиналов (до 100 кОм).

Рис. 4 Тонкопленочный резистор.

материалы, применяемые для изготовления тонкопленочных

резисторов

Поверхностное Поверхностное
Материал сопротивление, Материал сопротивление,
Ом/ Ом/

Рений 3∙102 – 104 Кремний–хром 103 – 104

Моноокись
Хром 50 – 300 10 – 104
кремний–хром
Нихром 10 – 400 Никель 10 – 300
Нитрид тантала 50 – 500 Окись олова 10 – 103
Кермет 3∙103 – 104 Вольфрам 102 – 104
 Палладиево-
Сплав МЛТ-3М 500 102 – 105
серебряная глазурь

Эксперимент
Цель работы:
1 Измерить геометрические размеры пленочного резистора
2 Рассчитать его сопротивление

Порядок выполнения работы

Полученный в задании пленочный резистор (МЛТ-сплав) был изучен при

помощи электронного микроскопа. В ходе работы было необходимо
измерить его геометрические размеры: площадь его изображения
(коэффициент формы) оказалась 2,128 кв. см. Из формулы 1 можно
рассчитать его сопротивление, оно равно 1064 Ом.

Вывод: В ходе работы удалось определить сопротивление пленочного

резистора, оно оказалось равным около 1 кОм.