MIAA-HB17FA-300N

Информационный лист IGBT модуля

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм 1700 В 300 A

Особенности чипов
 IGBT чип
o Trench FS
o низкое значение UCE(sat)
o длительность КЗ 10 мкс при 150°C
o квадратная область RBSOA при 2xIC
o низкое ЭМИ
 FRD чип
o быстрое и мягкое восстановление
o низкое падение напряжения
Особенности конструкции
 медное основание
 Al2O3 DBC подложки
 ультразвуковая приварка силовых выводов
 улучшенная стойкость к термоциклам
 соответствие RoHS
Типовые применения
 приводы двигателей переменного тока
 преобразователи на основе солнечных батарей
 системы кондиционирования воздуха
 преобразователи высокой мощности и ИБП
Предельно допустимые значения параметров
Параметр Обозн. Условия Знач. Ед.
IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер UCES UGE = 0. 1700 В
Номинальный ток коллектора IC nom 300 A
IC 25 Tvj (max) = 175°C; Tc = 25°C. 367 A
Постоянный ток коллектора
IC 80 Tvj (max) = 175°C; Tc = 80°C. 281 A
Максимальный повторяющийся импульсный ток
ICRM ICRM = 3 x IC nom; tp = 1 мс. 900 A
коллектора*1
Tvj = 25°C; UGE = ±15 В; UCE = 1000 В;
10
Длительность импульсного тока короткого RG on = RG off = 2.2 Ом; IСmax < 1900 A.
tpsc мкс
замыкания Tvj = 150°C; UGE= ±15 В; UCE= 1000В;
RG on = RG off = 2.2 Ом; Iсmax < 1550 A.
10
Напряжение затвор-эмиттер UGES ±20 В
Рабочая температура перехода Tvj (op) -40…+150 ºC
Диод чоппера\Обратно-параллельный диод.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение URRM UGE = 0 В. 1700 В
Номинальный прямой ток IF nom 300 A
IF 25 Tvj (max) = 175°C; Tc = 25°C. 295 A
Постоянный прямой ток
IF 80 Tvj (max) = 175°C; Tc = 80°C. 223 A
Повторяющийся прямой импульсный ток*1 IFRM IFRM = 3 x IF nom; tp = 1 мс. 900 A
Рабочая температура перехода Tvj (op) -40…+150 °C
Модуль
Температура хранения Tstg -55…+50 °C
Напряжение пробоя изоляции Uisol AC sin 50 Гц; t = 1 мин. 4000 В
*1 Длительность импульса и частота повторения должна быть такой, чтобы температура перехода не превышала Tvj max.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 1

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Характеристики
Знач.
Параметр Обозн. Условия Ед.
мин. тип. макс.
IGBT
Напряжение насыщения UGE = +15 В; IС = 300 А; Tvj = 25°C 2.16 2.19 2.33 В
UCEsat
коллектор-эмиттер tu = 1000 мкс. Tvj = 150°C 2.95 3.23 2.96 В
Пороговое напряжение IC = 12 мА; UCE = UGE; Tvj = 25°C;
UGE(th) 5.29 5.64 6.36 В
затвор-эмиттер tu = 2 мс.
UCE = 1700 В; Tvj = 25°C 3.71 4.57 300 мкА
Ток утечки коллектор-эмиттер ICES
tu = 50 мс; UGE = 0. Tvj = 150°C 0.98 1.41 5.00 мА
UCE = 0; UGE = ±20 В; Tvj = 25°C;
Ток утечки затвор-эмиттер IGES 12.2 20.4 500 нА
tu = 30 мс.
Входная ёмкость Cies - 27.20 - нФ
UCE = 10 В; UGE = 0 В;
Выходная ёмкость Coes - 1.40 - нФ
f = 1 МГц; Tvj = 25°C.
Обратная передаточная ёмкость Cres - 2.80 - нФ
IC = 300 А; UCE = 920 В;
Заряд затвора QG - 3483 3738 нКл
UGE = - 8÷15 В.
Встроенный резистор затвора RGint Tvj = 25°C. - 2.50 - Ом
Tvj = 25°C 452 488 580
Время задержки включения td(on) нс
Tvj = 150°C 556 568 660
Tvj = 25°C 58.0 59.0 70.0
Время нарастания тока коллектора tri UCE = 920 В; нс
Tvj = 150°C 63.0 64.0 80.0
UGE = ±15 В; 39.0 41.0 56.0
Tvj = 25°C
Энергия потерь при включении Eon IC max = 300 А; мДж
Tvj = 150°C 68.0 72.0 88.0
RG = 2.2 Ом;
Tvj = 25°C 640 650 815
Время задержки выключения td(off) Ls = 56 нГн. нс
Tvj = 150°C 820 840 990
Tvj = 25°C 468 480 550
Время спада тока коллектора tfi нс
Tvj = 150°C 596 616 740
Tvj = 25°C 63.0 66.0 82.0
Энергия потерь при выключении Eoff мДж
Tvj = 150°C 89.0 93.0 120
Пороговое напряжение UGE = +15 В; Tvj = 150°C;
UCE0 0.98 1.02 1.04 В
коллектор-эмиттер ICE1 = 75 А; ICE2 = 300 А;
Динамическое сопротивление rCE0 tu = 1000 мкс. 6.36 7.26 8.00 мОм
Тепловое сопротивление DC; ICE = 220±10 A; Itest = 1.0 A;
Rth(j-c) - 0.096 0.103 K/Вт
переход-корпус UGE = +15 В.
Диод чоппера\Обратно-параллельный диод.
IF = 300 А; Tvj = 25°C 1.89 1.94 2.10 В
Постоянное прямое напряжение UF
UGE = 0; tu = 1000 мкс. Tvj = 150°C 2.24 2.51 2.33 В
Tvj = 25°C 157 168 200 нc
Время обратного восстановления trr
UGE = ±15 В; Tvj = 150°C 259 330 470 нc
Импульсный ток обратного UСE = 920 В; Tvj = 25°C 324 339 390 A
Irr
восстановления IС max = 300 А; Tvj = 150°C 355 376 440 А
RG on = 2.2 Ом; Tvj = 25°C 31.0 33.0 60.0 мкКл
Заряд обратного восстановления Qrr Ls = 56 нГн. Tvj = 150°C 53.0 60.0 100 мкКл
Энергия потерь при обратном Tvj = 25°C 47.0 50.0 63.0 мДж
Erec
восстановлении Tvj = 150°C 83.0 87.0 110 мДж
Пороговое напряжение U(T0) Tvj = 150°C; UGE = 0; ICE1 = 75 А; 0.87 0.90 0.93 В
Динамическое сопротивление rT ICE2 = 300 А; tu = 1000 мкс 4.40 5.19 5.91 мОм
Тепловое сопротивление DC; ICE = 200±10 A; Itest = 1.0 A;
Rth(JC-D) - 0.176 0.190 К/Вт
переход-корпус UGE = +15 В.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 2

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Модуль
RP12 - 0.28 0.50
Сопротивление выводов RPxy Tvj = 25°C. мОм
RP13 - 0.38 0.50
Паразитная индуктивность модуля
LPce - 22 - нГн
между силовыми выводами
Тепловое сопротивление корпус-
RthCH для модуля - 0.02 0.04 К/Вт
охладитель
Момент затягивания винтов корпуса Ms к охладителю M6 3 - 5 Н*м
Момент затягивания на силовых
Mt к клеммам M6 2.25 2.50 2.75 Н*м
выводах
Вес W - 318 340 г

Примечания:
 Рабочая температура корпуса и изоляционных материалов не должна превышать Tc = 125°C макс;
 Рекомендуемая рабочая температура кристалла Tvj (op) = - 40 ÷ +150°C;
 №ТУ 3417-065-41687291-2016.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 3

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Рисунок 2 – типичная зависимость тока коллектора от

Рисунок 1 – типичная выходная характеристика, IGBT.
температуры корпуса.
350 400

300 350
T j = 25°C 300
250
250
200
T j = 150°C 200

IC [A]
IC [A]

150
150
100
100
50 50

0 0
1 1,5 2 2,5 3 3,5 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
UCE [В] T C [°C]
UGE = +15 В. Постоянный ток;
UGE = +15 В;
Tvj (max) = 150°C.

Рисунок 3 – типичная энергия переключения от тока Рисунок 4 – типичная энергия переключения от

коллектора, IGBT. сопротивления в затворе, IGBT.

100 160
90 140
80
120
70 Eoff
60 100
E [мДж]

E [мДж]

50 Eoff 80 Eon
40 60
30
40
20 Eon
10 20

0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
IC [A] RG [Ом]
UCE = 920 В; UCE = 920 В;
UGE = ±15 В; UGE = ±15 В;
RG =  2.2 Ом; IC max = 300 А;
Ls = 56 нГн; Ls = 56 нГн;
Tvj (max) = 150°C. Tvj (max) = 150°C.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 4

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Рисунок 5 – типичное время переключения от тока Рисунок 6 – типичное время переключения от сопротивления
коллектора, IGBT. в затворе, IGBT.

1000 1800
900 1600
td_off
800 1400
700
1200
600 td_on
1000 td_off
500
t [нс]

t [нс]
800
400
600
300
td_on
200 400
100 200
0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
IC [A] RG [Ом]
UCE = 920 В; UCE = 920 В;
UGE = ±15 В; UGE = ±15 В;
RG =  2.2 Ом; IC max = 300 А;
Ls = 56 нГн; Ls = 56 нГн;
Tvj (max) = 150°C. Tvj (max) = 150°C.

Рисунок 7 – типичное время переключения от тока Рисунок 8 – типичное время переключения от сопротивления
коллектора, IGBT. в затворе, IGBT.

1000 700
900
600
800 tfi tfi

700 500
600 400
500
t [нс]

t [нс]

400 300

300 200
200
tri 100 tri
100
0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
IC [A] RG [Ом]
UCE = 920 В; UCE = 920 В;
UGE = ±15 В; UGE = ±15 В;
RG =  2.2 Ом; IC max = 300 А;
Ls = 56 нГн; Ls = 56 нГн;
Tvj (max) = 150°C. Tvj (max) = 150°C.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 5

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Рисунок 9 – максимальное переходное тепловое

Рисунок 10 – область безопасной работы при выключении.
сопротивление.
1,000 700

600
Diode
500
0,100
IGBT
Z thJC [K/Вт]

400

IC [A]
300
0,010
200

100

0,001 0
0,001 0,010 0,100 1,000 10,000 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
t [с] UCE [В]
Единичный импульс; UСE max = 1700 В;
UGE = +15 В. UGE = ±15 В;
IC max = 2*IC nom;
RG = 2.2 Ом;
Ls = 56 нГн.

Рисунок 12 – типичная энергия рассеиваемая при

Рисунок 11 – типичная прямая характеристика, FRD.
восстановлении от тока коллектора, FRD.

350 100
90
300
80
T j = 25°C
250 70

T j = 150°C 60
Erec [мДж]

200
50
IC [A]

150 40
100 30
20
50
10
0 0
1 1,5 2 2,5 3 0 50 100 150 200 250 300 350
UF [В] IC [A]
UGE = 0 В. UGE = ±15 В;
UСE = 920 В;
Ls = 56 нГн;
RG on = 2.2 Ом;
Tvj (max) = 150°C.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 6

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Рисунок 13 – типичная энергия рассеиваемая при Рисунок 14 – типичная зависимость заряда обратного
восстановлении от сопротивления в затворе, FRD. восстановления от сопротивления в затворе, FRD.

100 70
90
60
80
70 50
60

Q rr [мкКл]
Erec [мДж]

40
50
40 30

30 20
20
10
10
0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
RG [Ом] RG [Ом]
UGE = ±15 В; UGE = ±15 В;
UСE = 920 В; UСE = 920 В;
IС max = 300 А; IС max = 300 А;
Ls = 56 нГн; Ls = 56 нГн;
Tvj (max) = 150°C. Tvj (max) = 150°C.

Рисунок 16 – типичная зависимость тока обратного

Рисунок 15 – типичная характеристика заряда затвора.
восстановления от сопротивления в затворе, FRD.
20 450
400
15
350
10 300
250
UGE [В]

5
Irr [A]

200
0 150
0 1000 2000 3000 4000
100
-5
50
-10 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Q G [нКл] RG [Ом]
IC = 300 А; UCE = 920 В;
UCE = 920 В; UGE = ±15 В;
UGE = - 8÷15 В. Ls = 56 нГн;
Tvj (max) = 150°C.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 7

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Рисунок 17 – максимальная зависимость тока коллектора от

частоты.

350

300

250

200
IC [A]

150

100

50

0
0 5 10 15 20 25
fSW [кГц]
Скважность 50%;
UСE = 920 В;
Tc = 80 °C;
Tvj (max) = 175 °C.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 8

 MIAA-HB17FA-300N
Информационный лист IGBT модуля

Габаритные размеры: тип корпуса ‒ AA

Руководство по маркировке
MIAA - HB 17 AA - 300 N
MIAA Тип корпуса IGBT модуля: AA
HB 2 ключа в схеме полумост
HC 1 ключ в схеме верхний чоппер
LC 1 ключ в схеме нижний чоппер
17 Номинальное напряжение (UCES/100)
AA IGBT+FRD модификация чипсета
300 Средний ток
N Климатическое исполнение: умеренный климат

Информация, содержащаяся в данным документе, защищена авторским правом. В интересах улучшения качества продукта
АО «Протон-Электротекс» оставляет за собой право вносить изменения в информационные листы без предварительного
уведомления.

17.08.2021 Информационный лист для модуля MIAA-HB17FA-300N_v1.7 страница 9