Введение

Электроникой называют отрасль науки и техники, изучающую физические

основы функционирования приборов, работа которых основана на протекании
электрического тока в твердом теле, вакууме и газе. Такими приборами являются
полупроводниковые приборы, электровакуумные и ионные приборы.
Электроника может быть условно разделена на две части: информационную
электронику и силовую электронику, называемую еще преобразовательной
техникой.
Информационная электроника занимается устройствами для передачи,
обработки и отображения информации. Эту область электроники условно можно
назвать слаботочной, так как все процессы передачи, обработки и отображения
информации осуществляются на низких уровнях энергии в элементах устройств.
Силовая электроника занимается вопросами преобразования электрической
энергии: энергии переменного тока в энергию постоянного тока (выпрямители),
энергию постоянного тока в энергию переменного тока (инверторы), энергию
переменного тока одной частоты в энергию переменного тока другой частоты
(преобразователи частоты) и т.д. Элементы таких преобразователей подвержены
большим электромагнитным нагрузкам, поэтому при проектировании большое
внимание уделяется оптимизации массогабаритных показателей проектируемых
устройств.

1. ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

1.1. Резисторы

Резистор – элемент электроники, предназначенный для регулирования и

распределения электрической энергии между цепями и элементами схемы.
Классификация:
1. По виду вольт-амперной характеристики различают резисторы линейные
(постоянного и переменного сопротивления) и нелинейные.
2. По конструкции резисторы подразделяются на пленочные, объемные и
проволочные.
3. По материалу токопроводящего элемента – на пленочные углеродистые,
металлопленочные, металлоокисные, металлодиэлектрические, композиционные и
полупроводниковые.
4. По способу защиты резистивного элемента – неизолированные,
изолированные, компаундированные, опрессованные пластмассой,
герметизированные и вакуумные.
5. По назначению – общего и специального применения.
Основные характеристики:
1. Номинальное сопротивление – значение сопротивления, которое должен
иметь резистор в соответствии с нормативной документацией. Фактическое
значения сопротивления каждого экземпляра может отличаться от номинального, но
не более чем на величину допустимого отклонения, которое выражается в
процентах.
2. Номинальная мощность – максимально допустимая мощность,

5
рассеиваемая на резисторе, при которой параметры резистора сохраняются в
установленных пределах в течение длительного срока службы.
3. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) – относительное
изменение сопротивления резистора при изменении температуры окружающей
среды на 10С.
4. Электрическая прочность резистора – характеризуется предельным
напряжением, при котором резистор может работать в течение срока службы без
электрического пробоя.
Маркировка резисторов.
На каждом непроволочном резисторе указываются номинальное
сопротивление, допустимые отклонения сопротивления от номинального значения и
тип резистора.
Номинальное сопротивление резисторов устанавливаются стандартными
рядами Е (табл. 1).
Таблица 1
Индекс ряда Номинальные значения Допустимое отклонение
Е6 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 20%
Е12 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 10%
1,2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 10%
Е24 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 5%
1,1 1,6 2,4 3,6 5,1 7,5 5%
1,2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 5%
1,3 2,0 3,0 4,3 6,2 9,1 5%

Кодированные обозначения номинального сопротивления резисторов состоят

из цифры, обозначающей номинальное сопротивление, и буквы, обозначающей
единицу измерения сопротивления. Сопротивления до 100 Ом выражаются в Омах
и обозначаются буквой Е, сопротивления от 100 Ом до 100 кОм – в килоомах и
обозначаются буквой К, а сопротивления от 100 кОм до 100 МОм – в мегаомах и
обозначаются буквой М. Эти буквы ставятся на место запятой десятичной дроби,
которая выражает значение сопротивления.

Резисторы постоянного сопротивления. Углеродистые резисторы (БЛП) –

резистивный элемент этих резисторов представляет собой тонкую пленку углерода
осажденную на основание из керамики.
Металлопленочные резисторы (МТ и ОМЛТ) – содержат резистивный элемент
в виде очень тонкой металлической пленки, осажденной на основание из керамики
или пластмассы.

6
 Резисторы переменного сопротивления. Применяются для
регулирования силы тока и напряжения. По конструктивному исполнению делятся
на одинарные и сдвоенные, одно- и многооборотные, с выключателем и без него; по
назначению - на подстроечные (для разовой или периодической подстройки
аппаратуры, до 1000 циклов перемещения рабочей части) и регулировочные (для
многократной регулировки, более 5000 циклов).

1.2. Конденсаторы

Электрический конденсатор представляет собой систему из двух

проводников электрического тока (обкладок), разделенных диэлектриком и обладает
свойством накапливать электрическую энергию.
Сокращенные обозначения, позволяющие определить, к какому типу
относится данный конденсатор, устанавливаются ГОСТом. Они содержат три
элемента. Первый элемент (одна или две буквы) обозначают группу конденсаторов:
К – конденсатор постоянной емкости; КТ – конденсатор подстроечный; КП –
конденсатор переменный. Второй элемент это число, обозначающее разновидность
конденсаторов: 1 – вакуумный, 2- воздушный, 3 – с газообразным диэлектриком, 4 –
с твердым диэлектриком, 10 – керамические до 1600 В, 15 – керамические до 1600 в
и выше, 20 – кварцевые, 21 – стеклянные, 22 – стеклокерамические, 23 –
стеклоэмалевые,40 – бумажные до 2кВ. Третий элемент – буква, определяющая
назначение конденсатора (П – для работы в цепях постоянного тока, У - для работы
в цепях постоянного, переменного токов и в импульсном режиме, И – для работы в
импульсном режиме, для работы в цепях переменного тока).
Маркировка конденсаторов . Состоит из цифр, обозначающих
номинальную емкость, буквы, обозначающей единицу емкости и буквы,
обозначающей допустимое отклонение.
Емкости до 100 пФ выражаются в пикофарадах и обозначаются буквой П,
емкости от 100 пФ до 0,1 мкФ – в нанофарадах и обозначаются буквой Н, емкости
от 0,1 мкФ и выше – в микрофарадах и обозначают буквой М.

1.3. Катушки индуктивности

Катушки индуктивности, за исключением дросселей, предназначенных для

использования в цепях питания, не являются комплектующими изделиями. Они
изготавливаются на сборочных заводах и имеют те параметры, которые необходимы
для конкретных устройств.
Дроссели предназначены для обеспечения большого сопротивления для
переменных токов и малого для постоянного тока.

1.4. Трансформаторы

Это электромагнитное устройство переменного тока, предназначенное для

изменения напряжения, согласования сопротивления электрических цепей,
разделения цепей источника питания и нагрузки по постоянному току. Основной
частью трансформатора является магнитопровод из магнитомягкого материала с

7
размещенными на нем обмотками.
Трансформаторы, используемые в электронике, можно разделить на
трансформатор питания (силовые) и согласующие (сигнальные). Трансформаторы
питания применяются в выпрямительных устройствах для получения различных
уровней напряжений. Согласующие трансформаторы используют для согласования
входа усилителя и источника сигнала, выхода усилителя с нагрузкой.
Магнитопроводы по конструкции разделяют на броневые, стержневые и
тороидальные. В броневом сердечнике обмотки располагаются на центральном
стержне, что упрощает конструкцию. В стержневых – обмотки располагаются на
двух стержнях.
Основные параметры трансформаторов:
1. Номинальное напряжение первичной обмотки;
2. Номинальный ток первичной обмотки;
3. Напряжение вторичной обмотки;
4. Ток вторичной обмотки;
5. Напряжение холостого хода;
6. Номинальная мощность;
7. Коэффициент трансформации;
8. Частота питания.

2. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

2.1. Зонная теория твердого тела

Полупроводниками называют вещества, занимающие по электропроводности

промежуточное положение между металлами (проводниками) и диэлектриками.
Чистые полупроводники по электропроводности ближе к диэлектрикам.
Особенность электропроводности полупроводников обусловлена спецификой
распределения электронов атомов по энергетическим уровням.
В соответствии с принципами квантовой механики электроны атома могут
находиться на определенных (разрешенных) энергетических уровнях . В
изолированном атоме существует конечное число энергетических уровней, на
каждом из которых могут находиться одновременно не более двух электронов,
различающихся направлением спиновых моментов (принцип Паули). Электроны
низших уровней сильно связаны с атомом. По мере увеличения энергии уровня,
занимаемого электроном, эта связь ослабевает.
Вследствие взаимодействия атомов друг с другом в кристалле разрешенные
уровни энергии электронов соседних атомов смещаются, образуя близко
расположенные смещенные уровни энергии – подуровни. Подуровни образуют так
называемые зоны разрешенных уровней энергии , которые отделены друг от
друга запрещенными зонами .

8
 На электропроводность твердого тела существенное значение оказывает
расположение двух соседних зон разрешенных уровней энергии в верхней части
энергетической диаграммы (рис. 2, а), где В – валентная зона, все уровни которой
при температуре абсолютного нуля заполнены электронами, С – зона свободных
электронов (зона проводимости), на уровни которой могут переходить электроны
из валентной зоны при возбуждении атома, и З – запрещенная зона,
энергетические уровни в которой отсутствуют. Наличие запрещенной зоны
означает, что для перехода в зону проводимости электрону необходимо сообщить
энергию, большую, чем величина ∆W.

электрон дырка ионы примесей

Рис. 2. Зонная диаграмма и схемы образования носителей в чистом
полупроводнике (а) и полупроводниках n-типа (б) и р-типа (в)

У металлов запрещенная зона отсутствует (∆W=0) и валентная зона

непосредственно примыкает к зоне проводимости. Поэтому в металлах число
свободных электронов велико, что и обеспечивает их высокую электро- и
теплопроводность. У диэлектриков ширина запрещенной зоны велика (∆W>3 эВ) и
при температурах ниже 400-800ºС и в отсутствие сильных электрических полей
электроны проводимости практически отсутствуют.
Ширина запрещенной зоны у наиболее распространенных полупроводников –
германия (Ge) и кремния (Si) – составляет соответственно 0,72 и 1,12 эВ. Эти
полупроводники принадлежат к IV группе периодической таблицы элементов
Менделеева и имеют четыре валентных электрона. В кристалле полупроводника
соседние атомы взаимодействуют между собой, образуя парноэлектронные связи.
При этом внешняя электронная оболочка каждого атома содержит восемь
электронов. Такая оболочка в атомах является наиболее прочной. На рис. 2, а

9
показана двумерная модель кристаллической решетки кремния, где связи,
образованные валентными электронами, обозначены двойными линиями.

2.2. Собственная электропроводность полупроводников

Из-за относительно узкой запрещенной зоны у германия и кремния уже при

комнатной температуре некоторые электроны получают энергию, достаточную,
чтобы преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости. При уходе
электрона в валентной зоне остается незаполненный энергетический уровень –
дырка. В нормальном (не возбужденном) состоянии атом электрически нейтрален,
так как положительный заряд ядра компенсируется соответствующим количеством
электронов, имеющих отрицательный заряд. Поэтому уход одного электрона
приводит к тому, что атом приобретает положительный заряд. Таким образом,
дырка – это положительный заряд, равный заряду электрона. В кристаллической
решетке при этом происходит разрыв одной из валентных связей и появление
свободного электрона, который может свободно перемещаться по кристаллу, и
дырки – атома, лишенного одного из электронов связи. Оборванная связь может
быть восстановлена, если ее заполнит электрон из соседнего атома.
Процесс восстановления связей за счет перемещения электронов от одного
атома решетки к другому можно представить в виде противоположного
направленного движения дырок. Таким образом, в кристалле возможно
перемещение, как свободных электронов (отрицательных зарядов), так и дырок
(положительных зарядов).
Процесс образования в чистом полупроводнике пары электрон-дырка получил
название генерации собственных носителей заряда . Одновременно с
процессом генерации носителей заряда протекает процесс их рекомбинации –
встречи электронов с дырками, сопровождающийся возвратом электрона из зоны
проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов. Среднее
время между моментами генерации и рекомбинации называется временем жизни
носителей заряда.
Благодаря рекомбинации количество носителей заряда в полупроводнике не
увеличивается и при постоянной температуре неизменно. Концентрации электронов
ni и дырок pi в чистом полупроводнике равны: pi = ni. В рабочем диапазоне
температур концентрация электронов и дырок в чистом полупроводнике мала и по
своим электрическим свойствам чистый полупроводник близок к диэлектрикам.

2.3. Примесные полупроводники

Электропроводность чистых полупроводников очень мала и сильно зависит от

температуры. Поэтому чистые полупроводники в технике практически не
применяют, а применяют так называемые примесные полупроводники.
Введение в чистый полупроводник небольших количеств примесей приводит
к резкому изменению характера электропроводности. Если ввести в кремний или
германий атомы примесей элементов V группы таблицы Менделеева (мышьяк,
фосфор, сурьму), которые имеют на внешней электронной оболочке пять
электронов, то один из электронов не образует связи с соседними атомами
полупроводника и оказывается свободным. На энергетической диаграмме этому

10
электрону соответствует локальный энергетический уровень , расположенный в
верхней части запрещенной зоны (рис. 2, б) и заполненный при температуре
абсолютного нуля. Такие примеси называют донорными.
Близость локальных уровней к зоне проводимости приводит к тому, что уже
при комнатной температуре все атомы примеси ионизируются и отдают свободный
электрон в зону проводимости. Поэтому концентрация NД введенной примеси
определяет концентрацию свободных электронов nв в полупроводнике и
проводимость полупроводника. Ионизация атомов примеси при образовании
свободных электронов не приводит к увеличению концентрации дырок, так как
атомы примеси удалены друг от друга и обмен электронами между атомами
примеси невозможен. В данном случае электропроводность определяется в
основном электронами и электроны называют основными носителями (их
концентрацию обозначают nn), а дырки, образовавшиеся в результате генерации в
собственном полупроводнике – неосновными (их концентрация pn). Такой
полупроводник называют полупроводником n-типа. Для него справедливы
соотношения
Nn >> pn ; nn ≈ NД.
При введении в кремний или германий примесей III группы элементов
таблицы Менделеева (алюминия, бора, индия), называемых акцепторными, в
кристаллической решетке (рис. 2, в) в месте расположения атома примеси
появляется дополнительный уровень, расположенный вблизи валентной зоны и
незаполненный при температуре абсолютного нуля. Уже при комнатной
температуре все атомы примеси захватывают электроны у соседних атомов
полупроводника образуя прочные ковалентные связи с атомами полупроводника.
При этом образуется отрицательный ион примеси, а на месте разорванной связи
полупроводника – дырка (рис. 2, в). Локальные энергетические уровни примесей
расположены вблизи валентной зоны и легко берут на себя электроны из этой зоны,
приводя к образованию дырок. Основными носителями при этом становятся
дырки, а неосновными – электроны. Полупроводник с акцепторной примесью
называется полупроводником p-типа, для которого выполняются соотношения
pp >> np ; pp ≈ Na,
где Na – концентрация акцепторных примесей; pp – концентрация дырок в
примесном полупроводнике p-типа; np - концентрация электронов в примесном
полупроводнике p-типа.
Таким образом, в примесных полупроводниках концентрация основных
носителей заряда (nn – электронного полупроводника и pp – дырочного
полупроводника) создаются за счет внесения примеси, а концентрации неосновных
носителей заряда (pn, np – соответственно электронного и дырочного
полупроводников) – за счет термогенерации носителей заряда, связанной с
переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости. Необходимая
примесь вносится в таком количестве, при котором концентрация основных
носителей на два-три порядка превышает концентрацию неосновных носителей
заряда. В зависимости от концентрации введенной примеси удельная проводимость
примесного полупроводника возрастает по сравнению с чистым полупроводником в
десятки и сотни тысяч раз.
Характерной особенностью примесных полупроводников является то, что
произведение концентраций основных и неосновных носителей заряда при данной
11
температуре является постоянной величиной и определяется соотношением

nn pn = pp np = pi ni = A2e- ΔW/kT,
где А – коэффициент, числовое значение которого зависит от рода кристалла;
k- постоянная Больцмана; Т – абсолютная температура.
Зависимость концентрации носителей заряда от температуры накладывает
ограничения на температурный диапазон применения полупроводниковых
приборов.
При температурах, превышающих верхний температурный предел причиной
нарушения условия nn >> pn и pp >> np является повышение концентраций
неосновных носителей заряда, создаваемых в кристалле при термогенерации. При
этом может оказаться, что концентрация носителей заряда и электрическая
проводимость полупроводника будет определяться не концентрацией введенной
примеси, а концентрацией собственных носителей заряда (вырождение примесного
полупроводника в собственный полупроводник). Верхний температурный предел
зависит от ширины запрещенной зоны полупроводника и составляет для германия
75 - 85˚С, а для кремния 150 - 170˚С.
При температурах ниже рабочего диапазона основную роль играет понижение
концентрации основных носителей заряда (и уменьшение электрической
проводимости) вследствие уменьшения количества ионизированных атомов.
Нижний температурный предел работы полупроводниковых приборов составляет от
–55 до -60˚С.

2.4. Полупроводниковые резисторы

Простейшими полупроводниковыми приборами являются полупроводниковые

резисторы. Принцип их действия основан на свойствах примесных
полупроводников изменять свое сопротивление под действием температуры,
приложенного напряжения и других факторов.
Терморезисторы представляют собой полупроводниковые приборы,
сопротивление которых значительно изменяется при изменении температуры.
Терморезисторы подразделяются на термисторы и позисторы.
Термисторы имеют отрицательный температурный коэффициент
сопротивления, т. е. с увеличением температуры сопротивление уменьшается по
экспоненциальному закону. Позисторы имеют положительный ТКС.
Терморезисторы применяются для измерения и регулирования температуры,
термокомпенсации, в устройствах стабилизации напряжения в цепях переменного и
постоянного токов.
Основными параметрами терморезисторов являются: температурный
коэффициент сопротивления, сопротивление при температуре t=19,5°С,
максимальная рабочая температура, предельная мощность рассеивания.
Варисторы (переменные резисторы) представляют собой нелинейные
полупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется нелинейно и
одинаково под действием как положительного, так и отрицательного напряжения.
Варисторы применяются для защиты устройств переменного тока от
импульсных перенапряжений, стабилизации и регулирования напряжений и токов.

12
 2.5. Электронно-дырочный переход

2.5.1. Полупроводниковый p-n - переход в отсутствие внешних

напряжений

Полупроводниковая структура, сочетающая в себе два слоя, один из которых

обладает дырочной (p), а другой электронной (n) проводимостью называется
электронно-дырочным переходом (p-n – переходом). Двухслойная p-n-структура
создается введением в один из слоев монокристалла акцепторной примеси, а в
другой – донорной примеси (рис. 3, а).
На границе раздела двух сред АВ в слое, толщиной l0, возникает градиент
концентрации основных носителей заряда pp и nn (рис. 3, б). Вследствие этого
возникает ток диффузии Jдиф: дырки из области p, где концентрация их велика (pp),
переходят в область n, где их концентрация мала (pn), а электроны из области n, где
концентрация их велика (nn), переходят в область p, где их концентрация мала (np)
(рис. 3, в).
В области n дырки
рекомбинируют с электронами,
образуя вблизи границы объемный
положительный заряд, а в области
p электроны рекомбинируют с
дырками, образуя вблизи границы
объемный отрицательный заряд
(рис. 3, а, г). Ввиду наличия
объемного заряда в p-n-переходе
создаются электрическое поле Е
(рис. 3, д) и разность потенциалов
φ0 (рис. 3, е). Возникающие поле и
разность потенциалов
препятствуют увеличению тока
диффузии, так как для основных
носителей заряда они являются
тормозящими. Однако для
неосновных носителей заряда
возникающее поле и разность
потенциалов являются
ускоряющими. Поэтому
неосновные носители заряда np из
области p движутся в область n, а
неосновные носители заряда pn из
области n движутся в область p,
создавая ток дрейфа Jдр (рис. 3, в).

Рис.3. Образование р-n-перехода в структуре

полупроводника 13
 В установившемся режиме при отсутствии внешних потенциалов ток
диффузии и ток дрейфа равны и противоположны по знаку и кристалл
полупроводника остается электрически нейтральным. Равенство составляющих тока
Jдиф=Jдр создается установлением соответствующей величины потенциального
барьера φ0 в p-n-переходе. Величина потенциального барьера φ0 зависит от
соотношения концентраций носителей заряда одного знака по обе стороны перехода
и определяется соотношением
0 = φт ln (pp/pn) = φт ln (nn/np),
где φт – тепловой потенциал.
При комнатной температуре для германия φ0 = (0,3 – 0,6) В, а для кремния φ0
= (0,6 – 0,8) В. Различие в значениях φ0 объясняется большей величиной ∆W у
кремния и, следовательно, меньшей концентрацией неосновных носителей заряда
(при одинаковой температуре и одинаковых концентрациях внесенных примесей).

2.5.2. Прямое смещение p-n-перехода

Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения)

приводит к изменению условий переноса заряда через p-n-переход. Существенную
роль при этом играет полярность внешнего напряжения, прикладывемого к p-n-
переходу. Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение Ua подключено в прямом
направлении, т.е. плюсом к p-области, а минусом – к n-области (рис. 4, а). При таком
подключении источника создаваемое им электрическое поле направлено
противоположно внутреннему полю в переходе, что приводит к уменьшению
результирующего поля в p-n-переходе. Объемному заряду в p-n-переходе будет
отвечать напряжение φ0 – Ua, меньшее, чем в отсутствие внешнего источника.
Величина φ0 – Ua определяет величину потенциального барьера в p-n-переходе при
включении внешнего источника в прямом направлении (рис. 4, б).
Уменьшение потенциального барьера облегчает переход основных носителей
заряда под действием диффузии через границу раздела, что приводит к увеличению
диффузионного тока (рис. 4, в).
С повышением приложенного внешнего напряжения диффузионный ток
увеличивается, так как уменьшившийся потенциальный барьер способны
преодолеть основные носители заряда, обладающие меньшей энергией. В связи с
этим возрастает прямой ток через переход. Примерный вид прямой ветви вольт-
амперной характеристики p-n-перехода показан на рис. 4, г. Ток Ia равен
произведению плотности тока Ja через p-n-переход на площадь его сечения S.

2.5.3. Обратное смещение p-n-перехода

Рассмотрим случай, когда источник Ub внешнего напряжения подключен к

p-n-переходу в обратном направлении (рис. 5, а). В этом случае потенциальный
барьер возрастает на величину Ub и становится равным φ0 + Ub (рис. 5, б). При этом
увеличивается объемный заряд в p-n-переходе и его ширина. Возросший
потенциальный барьер затрудняет прохождение через p-n-переход основных
носителей заряда, вследствие чего диффузионный ток, обусловленный движением
этих носителей, уменьшается. Дрейфовый же ток, обусловленный движением
неосновных носителей заряда по обе стороны перехода (Jдр = Jдр p + Jдр n ) можно
14
считать неизменным (рис. 5, в). Однако теперь он будет превышать диффузионный
ток. Через p-n-переход будет протекать ток в обратном направлении Jb =
Jдр – Jдиф.

Рис. 5. Обратное смещение p-

Рис. 4. Прямое смещение pn- n-перехода
перехода

Обратная ветвь вольт-амперной характеристики показана на рис. 5, г. При

небольших обратных напряжениях наблюдается увеличение обратного тока за
счет уменьшения диффузионной составляющей. При большем обратном
напряжении основные носители заряда не способны преодолеть потенциальный
барьер, в связи с чем диффузионный ток равен нулю. Этим объясняется отсутствие
роста обратного тока при увеличении обратного напряжения.
Обратный ток, создаваемый неосновными носителями заряда, зависит от их
концентраций в p- и n-слоях, а так же от рабочей поверхности p-n-перехода. Этим
объясняется тот факт, что в мощных приборах, имеющих большую площадь p-n-
перехода, обратный ток больше, чем в маломощных. Поскольку концентрация
неосновных носителей заряда является функцией температуры кристалла, обратный
ток так же зависит от температуры. По этой причине обратный ток иногда называют
тепловым. Увеличение обратного тока с ростом температуры подчиняется
примерно экспоненциальному закону.
Как известно, концентрация неосновных носителей заряда уменьшается с
ростом ширины запрещенной зоны. Ширина запрещенной зоны у кремния (1,12
эВ) больше, чем у германия (0,72 эВ). Поэтому обратный ток в кремниевых
приборах на несколько порядков меньше, чем в германиевых и кремниевые приборы

15
допускают эксплуатацию при более высокой температуре кристалла (135-140°С
против 50-60°С у германиевых приборов). Кроме того, по этой же причине
кремниевые приборы выпускаются на более высокие обратные напряжения, чем
германиевые.
2.5.4. Емкость p-n-перехода

Так как при обратном смещении p-n-перехода образуются концентрированные

неподвижные заряды, его можно рассматривать как электрический конденсатор.
Такая система будет иметь барьерную емкость, зависящую от площади и ширины
p-n-перехода, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя.
Величина барьерной емкости влияет на динамические свойства p-n-перехода и
используется в некоторых приборах.

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

3.1. Диоды

Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковый кристалл с

двумя слоями проводимости, заключенный в корпус и снабженный двумя выводами
для присоединения во внешнюю цепь.
По назначению полупроводниковые диоды подразделяются на
выпрямительные, импульсные, туннельные, кремниевые стабилитроны, варикапы,
магнитодиоды, светоизлучающие диоды, фотодиоды, а также другие элементы,
которые построены на основе полупроводникового p-n-перехода.
Общим для всех типов диодов является то, что все они выполнены на основе
полупроводникового p-n-перехода. В зависимости от типа диода в качестве рабочего
участка используется прямая или обратная ветвь вольт-амперной характеристики p-
n-перехода. На рис. 6 показана вольт-амперная характеристика диода. Наиболее
общими для всех диодов считаются четыре
параметра: предельно допустимый прямой ток Iпр
max, прямое падение напряжения ∆Uа (на прямой
ветви вольт-амперной характеристики),
предельно допустимое обратное напряжение Uобр
max и обратный ток Iобр при заданной температуре
кристалла (на обратной ветви вольт-амперной
характеристики).
Полная вольт-амперная характеристика
диода может быть выражена в аналитической
форме уравнением
,
Рис. 6. ВАХ полупроводникового где Is = SJдр = Iобр – ток насыщения (тепловой ток),
диода создаваемый неосновными носителями заряда; Т
– тепловой потенциал; Jдр – плотность тока
дрейфа; S – площадь p-n-перехода.
Согласно приведенному выражению при U =0 ток Ia = 0. В случае приложения
прямого напряжения (U = Ua  0) в выражении единицей можно пренебречь и
зависимость Ia (Ua) будет иметь экспоненциальный характер. В случае обратного
16
напряжения (U = Ub  0) можно не учитывать достаточно малую величину eU/T и
тогда Ia = Ib = Iобр.
Обратная ветвь ВАХ диода показана на рис.6. На участке 0-1 происходит
увеличение обратного тока за счет уменьшения тока диффузии до нуля, поэтому
составляющей обратного тока остается только ток дрейфа. На участке 1-2 у
идеальных диодов обратный ток не изменяется, так как при неизменной
температуре количество неосновных носителей заряда, создающих обратный ток,
при изменении обратного напряжения не меняется. Однако в реальных диодах
существует ток утечки, поэтому на самом деле участок 1-2 имеет наклон. На
участке 2-3 проявляется влияние явления генерации носителей заряда, которое
на участке 3-4 приводит к электрическому пробою.
Электрический пробой может быть лавинным или туннельным. Лавинный
пробой обусловлен лавинным размножением носителей заряда в p-n-переходе в
результате ударной ионизации атомов быстрыми носителями заряда. При
соответствующей напряженности электрического поля носители заряда
приобретают энергию, достаточную для отрыва валентных электронов. При этом
образуются дополнительные пары носителей заряда – электроны и дырки, которые
ускоряясь полем при столкновении с атомами также создают дополнительные
носители заряда. Описанный процесс носит лавинный характер. В основе
туннельного пробоя лежит непосредственный отрыв валентных электронов от
атомов кристаллической решетки под действием сильного электрического поля.
Образующиеся при этом электроны и дырки увеличивают обратный ток через p-n-
переход.
Лавинный и туннельный пробои являются обратимыми процессами. Это
означает, что они не приводят к повреждению диода и при снижении напряжения
его свойства сохраняются.
Участок 4-5 вольт-амперной характеристики диода соответствует тепловому
пробою, который возникает при недопустимом повышении температуры. Процесс
развивается лавинообразно, так как увеличение числа носителей заряда за счет
увеличения температуры вызывает увеличение обратного тока и, следовательно,
еще больший разогрев p-n-перехода. Процесс заканчивается расплавлением p-n-
перехода и выходом прибора из строя.
Тепловой пробой может произойти в результате перегрева отдельного участка
p-n-перехода вследствие протекания большого обратного тока при лавинном или
туннельном пробое. Произведение обратного напряжения на диоде на обратный ток,
протекающий по диоду - это мощность, рассеиваемая на нем, которая преобразуется
в тепло, разогревающее p-n-переход, и при определенных условиях может привести
к тепловому пробою.

3.1.1. Выпрямительные диоды

Выпрямительные диоды, как следует из

названия, предназначены для выпрямления
переменного тока. Условное обозначение и структура
выпрямительных диодов показаны на рис. 7. Диод
имеет два вывода: анод (А) и катод (К).

Рис. 7. УГО выпрямительного 17

диода (а) и его структура (б)
 Основные справочные параметры выпрямительных диодов:
- допустимый выпрямленный ток Iпр ср (среднее значение прямого тока);
- прямое падение напряжения Uпр ≈ ∆Uпр при номинальном значении прямого
тока;
- максимально допустимое обратное напряжение Uобр max;
- обратный ток Iобр при заданном значении температуры кристалла.
Выпрямительные диоды можно условно разделить на выпрямительные диоды
малой, средней и большой мощности. К выпрямительным диодам малой
мощности относятся диоды с допустимым выпрямленным током до 300 мА. Такие
диоды выпускаются на максимальные напряжения от десятков вольт до 1200 В. На
более высокие напряжения выпускаются выпрямительные столбы, содержащие
последовательно соединенные диоды. Обратные токи не превышают 300 мкА для
германиевых и 10 мкА для кремниевых диодов. По частотным свойствам диоды

Рис. 8. Конструкция маломощных германиевых выпрямительных диодов Д7А-Д7Ж (а): 1 –

внешний вывод (анод), 2 – Трубка (шгенгель), 3 – стеклянный изолятор, 4 – корпус, 5 –
внутренний вывод анода, 6 – таблетка индия, 7 – кристалл германия, 8 – кристаллодержатель, 9
– внешний вывод (катод); вольт-амперная характеристика диода Д7Ж (б).

Рис. 9. Конструкция кремниевых выпрямительных диодов средней мощности

Д202- Д205 (а): 1 – внешний вывод (анод), 2 – трубка (шгенгель), 3 – стеклянный
изолятор, 4 – корпус, 5 – внутренний вывод анода, 6 – алюминий, 7 – кристалл
кремния, 8 – теплоотводящее основание, 9 – кристаллодержатель, 10 – внешний
вывод (катод); вольт-амперная характеристика диода Д205 (б).
18
этого типа подразделяют на низкочастотные (до 400 Гц) и высокочастотные (10-20
кГц).
Конструкция и вольт-амперные характеристики сплавного германиевого
диода Д7Ж (Ia ср доп =300 мА, Uобр max = 700 В) показаны на рис. 8.
К выпрямительным диодам средней мощности относятся диоды,
допустимое среднее значение прямого тока которых лежит в диапазоне 300 мА- 10
А. Больший прямой ток этих диодов по сравнению с маломощными достигается
увеличением рабочей площади p-n-перехода. Диоды средней мощности
выпускаются преимущественно кремниевыми, поэтому обратный ток у них
достаточно мал (несколько десятков микроампер) при сравнительно большой
площади p-n-перехода.
Теплота, выделяемая в кристалле от протекания прямого и обратного токов в
диодах средней мощности, уже не может быть рассеяна корпусом прибора. Для
улучшения условий теплоотвода применяют дополнительные охладители-
радиаторы. Для крепления на радиатор корпус диода имеет стержень с винтовой
нарезкой. Диоды с плоским основанием крепят (прижимают) к радиатору с
помощью фланцевого соединения. Пример возможной конструкции
выпрямительных диодов средней мощности показан на рис. 9.
К выпрямительным диодам большой
мощности (силовым диодам, вентилям)
относятся диоды на токи от 10 А и выше (рис. 10).
Отечественная промышленность выпускает
силовые диоды на токи 10, 16, 25, 40 и т.д. до
1000 А и обратные напряжения до 3500 В.
Силовые вентили имеют градацию по частоте и
охватывают частотный диапазон до десятков
килогерц.
Работа силовых вентилей при больших токах
и высоких обратных напряжениях связана с
выделением большой мощности в p-n-переходе.
Поэтому предусматриваются методы
эффективного отвода теплоты, выделяемой в p-n-
переходе. В установках с мощными вентилями
применяют воздушное и жидкостное охлаждение.
Рис. 10. Конструкция мощного При воздушном охлаждении отвод теплоты
кремниевого диода ВЛ-200: 1 – производится с помощью радиатора и проходящего
внешний гибкий вывод (анод), вдоль его ребер потока воздуха. При этом
2 – стакан, 3 – стеклянный
охлаждение может быть естественным или
изолятор, 4 – внутренний
гибкий вывод анода, 5 – принудительным, когда используется
корпус, 6 – чашечка, 7 – принудительный обдув радиатора с помощью
кристалл с p-n-переходом, 8 – вентилятора. При жидкостном охлаждении в
кристаллодержатель (катод), 9 радиатор по специальным каналам пропускается
– шпилька для крепления к теплоотводящая жидкость, например, вода,
радиатору
антифриз, трансформаторное масло, синтетические
диэлектрические жидкости.

Предельные характеристики для выпрямительных диодов на сегодня

составляют 10 кВ / 8 кА. Совершенно очевидно, что выпрямительные диоды будут
19
 занимать существенную часть в большинстве силовых электрон ных систем
также и в будущем. И хотя это достаточно прорабо танный класс приборов
силовой электроники, их развитие непрерывно продолжается.

3.1.2. Импульсные диоды

Особой разновидностью полупроводниковых диодов являются

полупроводниковые высокочастотные и импульсные диоды, при создании
которых достигнуты малые значения внутренних
емкостей и малое время переключения из
проводящего состояния в непроводящее и обратно.
К основным параметрам импульсных диодов
наряду со статическими параметрами
выпрямительных диодов относятся динамические
параметры:
- время установления прямого
Рис. 11. Схема исследования сопротивления tу;
импульсного диода - время восстановления обратного
сопротивления tв;
- заряд переключения Q.
Динамические параметры импульсного диода можно измерить, собрав схему
однополупериодного выпрямителя, работающего на резистивную нагрузку и
питающегося от источника напряжения прямоугольной формы (рис. 11). Временные
диаграммы тока нагрузки i, напряжения u Д и мощности Р Д , рассеиваемой на
импульсном диоде VD, показаны на рис. 12.
Напряжение на входе схемы в момент времени t0 скачком приобретает
положительное значение Um. Из за инерционности диффузионного процесса ток в
диоде появляется не мгновенно, а нарастает в течение времени tу = tнар.

20
Рис. 12. Временные диаграммы переключения импульсного диода
Одновременно с нарастанием тока в диоде снижается напряжение на диоде, которое
в момент времени t1 становится равным Uпр. В цепи устанавливается стационарный
режим, при котором ток диода i = Iн = Um/Rн. Такое положение сохраняется вплоть
до момента времени t2, когда полярность входного напряжения uИ меняется на
противоположную. Однако заряд, накопленный на границе p-n-перехода, некоторое
время поддерживает диод в открытом состоянии, хотя направление тока под
действием входного напряжения uИ меняется на противоположное. По существу
происходит рассасывание зарядов на границе p-n-перехода (т.е. разряд
эквивалентной емкости). Этот процесс продолжается в интервале времени tрас = t3 –
t2 .
К моменту времени t3 напряжение на диоде становится равным нулю и в
дальнейшем приобретает обратное значение. Процесс восстановления запирающих
свойств диода продолжается до момента времени t4, после чего диод оказывается
запертым. К этому времени ток в диоде становится равным нулю, а напряжение
достигает значения – Um . Таким образом, время восстановления обратного
сопротивления tв = tрас + tвос.
Из временной диаграммы мощности Р Д, рассеиваемой на диоде (мощности
потерь) следует, что мощность потерь резко повышается при его включении и,
особенно, при выключении. Следовательно, потери в диоде растут с повышением
частоты выпрямленного напряжения.

3.1.3. Кремниевые стабилитроны

Стабилитроны – это полупроводниковые приборы, работающие в режиме

лавинного пробоя. Условное графическое изображение стабилитрона показано на
рис. 13, а. Рабочим участком стабилитрона является обратная ветвь вольт-амперной
характеристики, которая соответствует лавинному пробою (рис. 13, б).

21
Рис. 13. Условно-графическое обозначение и характеристики стабилитронов
 Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от температуры. На рис. 13,
б пунктирной линией показано смещение характеристик при увеличении
температуры. Температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации у
стабилитронов с напряжением стабилизации Uст > 5 В положительный, а у
стабилитронов с напряжением стабилизации Uст < 5 В – отрицательный. При Uст =
5-6 В ТКН близок к нулю.
Основные параметры стабилитронов (рис. 14):
- напряжение стабилизации Uст;
- минимальный Iст мин и максимальный Iст макс токи стабилизации;
- дифференциальное сопротивление стабилитрона;
- температурный коэффициент стабилизации ТКН;
- максимально допустимая мощность рассеяния Ррас = Uст Iст.
Дифференциальное сопротивление rд
характеризует качество стабилитрона, т.е. степень
изменения напряжения стабилизации при изменении
тока стабилизации rд = ∆Uст/∆ Iст
Иногда для стабилизации напряжения
используют прямое падение напряжения на диоде.
Такие полупроводниковые приборы называют
стабисторами. В области прямого смещения p-n-
перехода напряжение на нем составляет (0,7-2) В и
мало зависит от тока. Поэтому стабисторы
Рис. 14. Основные параметры применяют только для стабилизации малых
стабилитрона напряжений (до 2 В). Параметры стабистора
аналогичны параметрам стабилитрона с той лишь
разницей, что они соответствуют прямой ветви вольт-амперной характеристики
стабистора.
Схемы включения стабилитронов и стабисторов показаны на рис. 15.

Рис. 15. Схема включения стабилитрона (а) и стабистора (б)

3.1.4. Варикапы

Варикапы – это полупроводниковые диоды, в которых используется

барьерная емкость p-n-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду
обратного напряжения. Условное графическое обозначение и зависимость емкости
варикапа от обратного напряжения приведены на рис. 16 а,б.
Основные параметры варикапа: начальная емкость С0 (при Uобр=0),
добротность QC = Q/P, где Q – реактивная мощность варикапа; Р – мощность,
рассеиваемая на варикапе, коэффициент перекрытия по емкости КС = Смакс/Смин ,

22
температурный коэффициент емкости с = ∆С/∆Т и предельная частота fпред, при
которой добротность варикапа снижается до QС = 1.

Uобр

Рис. 16. Условное графическое обозначение (а) и зависимость емкости варикапа от

обратного напряжения (б)

3.1.5. Туннельные диоды

В основе туннельного эффекта лежит непосредственный отрыв

электронов от атомов кристаллической решетки под действием сильного
электрического поля. Туннельный эффект создается в узких p-n-переходах, где при
сравнительно небольших напряжениях имеется высокая напряженность поля. При
этом через узкий p-n-переход протекает значительный ток. Этот ток протекает в
обоих направлениях, но в прямом направлении ток сначала растет, а достигнув
значения Imax при напряжении U1 (Рис. 17, а) затем довольно резко убывает до Imin при
напряжении U2. Снижение тока связано с уменьшением числа электронов,
способных совершить туннельный переход. При напряжении U2 число таких
электронов становится равным нулю и туннельный эффект исчезает. При
дальнейшем увеличении напряжения выше U2 прохождение прямого тока такое же
как у обычного диода и определяется диффузией.
На прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода (ТД)
можно выделить три участка. Начальный участок роста тока от 0 до Imax при

Рис. 17. Вольт-амперная характеристика (а) и условное графическое обозначение тунельного

диода (б) 23
увеличении напряжения от 0 до U1 (участок положительного сопротивления),
участок спадания тока от Imax до Imin при увеличении напряжения от U1 до U2 (участок
отрицательного сопротивления) и участок дальнейшего увеличения тока от Imin при
увеличении напряжения от U2 и далее.
Наличие участка отрицательного сопротивления позволяет создавать на
основе туннельных диодов генераторы напряжения высокой частоты. Для
возникновения колебаний в схеме генератора необходимо, чтобы нагрузочная
характеристика проходила через участок отрицательного сопротивления ТД и
сопротивление нагрузки было меньше отрицательного сопротивления ТД. Высокая
частота генерируемых колебаний обеспечивается тем, что ТД практически
безинерционный прибор, а на частоту генерируемых колебаний наибольшее
влияние оказывает индуктивность выводов ТД.

3.1.6. Фотодиоды

Фотодиод (ФД) представляет собой диод с открытым p-n-переходом.

Световой поток, падающий на открытый p-n-переход, приводит к появлению в
одной из областей дополнительных неосновных носителей заряда. В результате
этого увеличивается обратный ток. В общем случае ток фотодиода определяется
выражением
I = IS(eU/т –1) – Iф = Iдиф – (IS + Iф),
где Iф = SiФ – фототок; Si – интегральная чувствительность; Ф – световой поток.
Вольт-амперные характеристики ФД приведены на рис. 18, а, условное
графическое изображение – на рис. 18, б.
Без включения нагрузки фотодиод может работать в двух режимах: 1)
короткого замыкания и 2) холостого хода. В режиме короткого замыкания
напряжение на диоде равно нулю и ток в диоде равен фототоку, т.е.I =  Iф = SiФ.
Таким образом, в режиме короткого замыкания соблюдается прямая
пропорциональность между током в диоде и световым потоком.
В режиме холостого хода тока в диоде нет, а напряжение холостого хода Uхх
лежит на оси абсцисс (рис. 18, а). Прологарифмировав предыдущее выражение,
можно получить величину напряжения холостого хода
Uхх = тln(Iф/IS + 1).
Таким образом, при Iф = 0 между электродами при освещении появляется
разность потенциалов, называемая фото-ЭДС. Фото-ЭДС равна напряжению Uхх и не

Рис. 18. Вольт-амперная характеристика (а) и условное графическое обозначение

фотодиода (б)

24
может превышать контактной разности потенциалов к. Для кремниевых
фотодиодов напряжение Uхх не превышает 0,7 В.
Фотодиоды находят применение как приемники оптического излучения. К
основным характеристикам фотодиодов можно отнести: диапазон длин волн
принимаемого излучения; интегральную чувствительность Si, темновой ток Iт и
постоянную времени .
Обозначение фотодиода состоит из букв ФД и порядкового номера
разработки. Например, фотодиод ФД24К имеет интегральную чувствительность 0,5
мкА/лк и темновой ток 1 мкА. В связи со сравнительно небольшим уровнем
выходного сигнала фотодиоды обычно работают с усилителем. Усилитель может
быть внешним или расположенным в одном корпусе вместе с фотоприемником.

3.1.7. Светоизлучающие диоды

Светоизлучающие диоды (СИД) преобразуют

электрическую энергию в световое излучение за счет
рекомбинации электронов и дырок. В обычных диодах
рекомбинация электронов и дырок происходит с
выделением тепла без светового излучения. Такая
Рис. 19. Условное
графическое изображение рекомбинация называется фононной. В СИД
светодиода преобладает рекомбинация с излучением света, которая
называется фотонной. Обычно такое излучение бывает
резонансным и лежит в узкой полосе частот. Для изменения длины волны излучения
нужно менять материал, из которого изготовлен светодиод, или изменять ток. На
рис. 19 показано условное графическое изображение светодиода.
Для изготовления светодиодов используют фосфид галлия или арсенид
галлия. Для диодов видимого излучения часто используют фосфид-арсенид галлия.
Из отдельных светодиодов собирают блоки и матрицы, которые позволяют
высвечивать изображения букв и цифр.

3.1.8. Диоды с барьером Шотки

Для выпрямления малых напряжений высокой частоты широко используются

диоды с барьером Шотки (ДШ). В этих диодах вместо p-n-перехода используется
контакт металлической поверхности с полупроводником. Процессы в таком
переходе зависят от работы выхода электронов, т.е.
от той энергии, которую должен затратить электрон,
чтобы выйти из металла или полупроводника. Если в
контакте металла с полупроводником n – типа работа
выхода электронов из полупроводника будет меньше чем
работа выхода из металла, то электроны будут переходить
главным образом из полупроводника в металл и в
приграничном слое полупроводника образуется область,
Рис. 20. Условное обедненная основными носителями и поэтому имеющая
графическое изображение большое сопротивление. Здесь создается сравнительно
диода Шотки высокий потенциальный барьер (барьер Шотки), высота
которого будет существенно меняться в зависимости от
25
полярности приложенного напряжения. Такой переход обладает выпрямляющими
свойствами. Аналогичные выпрямляющие свойства имеет контакт металла с
полупроводником р – типа если работа выхода электронов из полупроводника
будет больше чем работа выхода из металла. В ДШ отсутствуют процессы
накопления и рассасывания зарядов неосновных носителей, характерные для
электронно-дырочных переходов.
Условное графическое изображение ДШ показано на рис.20.
Диоды с барьером Шотки отличаются от диодов с p-n-переходом по
следующим параметрам: более низкое прямое падение напряжения; не высокое
обратное напряжение; более высокий обратный ток; почти полностью отсутствует
заряд обратного восстановления.
Низкое прямое падение напряжения и малое время восстановления обратного
сопротивления обусловливают область применения ДШ – низковольтные
высокочастотные выпрямители.
Максимальное обратное напряжение современных диодов Шотки составляет
около 150 В. При этом напряжении прямое падение напряжения меньше прямого
напряжения диодов с p-n-переходом на 0,2 – 0,3 В. Преимущества ДШ особенно
заметны при выпрямлении малых напряжений. При понижении обратного
напряжения ДШ до 15 В прямое напряжение снижается до 0,3 – 0,4 В. В среднем
применение диодов Шотки в выпрямителе позволяет снизить потери примерно на 10
– 15%. Максимальная рабочая частота ДШ составляет 200 кГц и более при токе до
30 А.

Обозначения полупроводниковых диодов состоят из пяти элементов.

1. Буква или цифра, указывающая, на основе какого полупроводникового
материала выполнен диод (Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия).
2. Буква, обозначающая подкласс диода (Д – выпрямительные, импульсные,
универсальные, В – варикапы, И – тунельные и обращенные диоды, С –
стабилитроны, А – сверхвысокочастотные).
3. Цифра, определяющая назначение диода (101-399 – выпрямительные, 401-
499 – универсальные, 501-599 – импульсные).
4. Цифры, определяющие порядковый номер разработки.
5. Буква, показывающая деление технологического типа на параметрические
группы (например, по температуре или макимальному напряжению).

В последние годы заметен быстрый прогресс улучшения характеристик

быстровосстанавливающихся диодов на базе кремния. Текущее состояние и
возможности быстровосстанавливающихся диодов (БВД) опре деляют
"канавочные" (траншей ные — trench) структуры, ячеис тые pin-диоды Шотки,
технологии облучения для уменьшения времени жизни и регулирования
эффективности эмиттера. Пре дельное блокирующее напряже ние для БВД
составляет 6,5 кВ, в ближайшее время ожидается появление БВД на 8 кВ.
Силовые диоды из карбида кремния ( SiC) только выходят на рынок, но могут
стать доминирующими для высокочастотных (и высокотемпературных)
применений, если будут решены проблемы получения исходного материала. В
настоящее время на рынке есть SiC диоды (Шотки) на напряжения до 1200 В и
токи до 20 А. В ближайшее вре мя ожидается промышленное производство SiC-
БВД на 2500 В / 100 А, а к концу десятиле тия — 5 кВ / 200 А. К концу де сятилетия
возможно также по явление БВД на основе GaN и алмазных плёнок.

26
 3.2. Транзисторы

Транзистором называется полупроводниковый прибор, предназначенный

для усиления электрических сигналов. Многообразие конструкций транзисторов
отражено на блок-схеме рис. 21.
Транзисторы
Биполярные с
изолированным
Полевые Однопереходные Биполярные
затвором

С управляющим
С изолированнм p-n-p n-p-n
p-n-переходом
затвором

С
С встроенным
индуцированным
каналом
каналом

С каналом С каналом
р-типа n-типа

Рис. 21. Классификация транзисторов по конструкции

3.2.1. Униполярные (полевые) транзисторы

К разряду униполярных относят

транзисторы, принцип действия которых
основан на использовании носителей
заряда только одного знака (электронов
или дырок). Управление током в
униполярных транзисторах
осуществляется изменением
проводимости канала, через который
протекает ток транзистора под
воздействием электрического поля.
Рис. 22. Конструкция полевого транзистора Вследствие этого униполярные
с pn-переходом (а), условное обозначение транзисторы называют полевыми.
полевого транзистора с pn-переходом и
каналом n-типа (б), с pn-переходом и
каналом р-типа (в)
27
 По способу создания канала различают полевые транзисторы с p-n-переходом,
встроенным каналом и индуцированным каналом.

3.2.1.1. Полевые транзисторы с p-n-переходом

Модель полевого транзистора с p-n-переходом показана на рис. 22, а. В

приведенной конструкции канал протекания тока представляет собой слой
полупроводника n-типа, заключенный между двумя p-n-переходами. Электрод, от
которого начинают движение носители заряда (в данном случае электроны)
называют истоком, а электрод, к которому они движутся, - стоком.
Полупроводниковые слои р-типа, образующие с n-слоем два p-n-перехода, созданы с
более высокой концентрацией примеси, чем n-слой. Оба р-слоя электрически
связаны между собой и имеют внешний электрод, называемый затвором.
Подобную же конструкцию имеют и полевые транзисторы с каналом p-типа.
Условные обозначения полевых транзисторов с каналами n- и p-типа приведены на
рис. 22, б, в.
Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на
рис. 22, а. Управляющее (входное) напряжение Uзи подается между затвором и
истоком. Напряжение Uзи является обратным для обоих p-n-переходов. В выходную
цепь, в которую входит канал транзистора, включается напряжение Uси,
положительным полюсом к стоку.
Управляющие свойства транзистора объясняются тем, что при изменении
напряжения Uзи изменяется ширина его p-n-переходов, представляющих собой
участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Поскольку р-слой имеет
большую концентрацию примеси, чем n-слой, изменение ширины p-n-переходов
происходит в основном за счет более высокоомного n-слоя (эффект модуляции
ширины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего канала и его
проводимость, т.е. выходной ток Iс прибора.
Особенностью полевого транзистора является влияние на проводимость
канала как управляющего напряжения Uзи, так и напряжения Uси. Влияние
подводимых напряжений на проводимость канала иллюстрирует рис. 23.
Если внешнее напряжение приложено только к входной цепи транзистора
(рис. 23, а), то проводимость канала изменяется только за счет изменения его
сечения на одинаковую величину по всей длине канала. Но выходной ток Iс = 0,
поскольку Uси = 0.
Если внешнее напряжение приложено только между стоком и истоком (Uси 
0, Uзи = 0, рис. 23, б), то через канал протекает ток Iс, в результате чего создается
падение напряжения, возрастающее в направлении стока. В силу этого потенциалы
точек канала будут неодинаковыми по его длине, возрастая в направлении стока от
нуля до Uси. В связи с этим обратное напряжение, приложенное к p-n-переходам,
возрастает и p-n-переходы расширяются в направлении стока. При некотором
напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих p-n-
переходов смыкаются (рис. 23, б) и сопротивление канала становится высоким.
На рис. 23, в показано результирующее влияние на канал обоих напряжений
Uси и Uзи. Канал показан для случая смыкания p-n-переходов. Для полевых
транзисторов представляют интерес два вида вольт-амперных характеристик:
стоковые и стоко-затворные.

28
 Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с p-
n-переходом и каналом n-типа показаны на рис. 24, а. Они отражают
зависимость тока стока от напряжения сток-исток при фиксированном напряжении
затвор-исток

Рис. 23. Поведение полевого транзистора с pn-переходом и каналом n-типа

при подключении внешних напряжений:
а – Uси<0, Uзи=0; б - Uзи=0, Uси>0, в – Uзи<0, Uси>0

Рис. 24. Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и стоко-

затворная характеристика (б) полевого транзистора с p-n-переходом и
каналом n-типа

Отличительной особенностью стоковых характеристик полевых транзисторов

является практически линейная зависимость на начальном участке характеристики
(участок 0-а на характеристике, соответствующей Uзи = 0). При дальнейшем
увеличении напряжения Uси крутизна увеличения тока уменьшается (участок а-б) из-
за сужения токопроводящего канала. При переходе из области I в область II
(пунктирная кривая на рис. 24, а) сечение токопроводящего канала уменьшается до
минимума в результате смыкания обоих p-n-переходов. Дальнейшее увеличение
напряжения Uси не должно приводить к увеличению тока, так как одновременно с
ростом напряжения Uси будет увеличиваться сопротивление канала (наступает так
называемый режим насыщения). Некоторое увеличение тока Ic объясняется
наличием различного рода утечек и влиянием сильного электрического поля в p-n-
переходах, прилегающих к каналу.

29
 Участок III резкого увеличения тока Iс характеризуется лавинным пробоем
области p-n-переходов вблизи стока по цепи сток-затвор (начало в точке в).
Стоко-затворная характеристика полевого транзистора показывает
зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при фиксированном
напряжении сток-исток. Примерный вид этой характеристики показан на рис. 24, б.
Максимального значения ток стока достигает при Uзи = 0. Напряжение затвор-исток,
при котором ток стока становится равным нулю, называют напряжением
отсечки затвор-исток U з и о т с .
Другой параметр полевого транзистора, напрямую связанный со стоко-
затворной характеристикой, - это крутизна характеристики
которая отражает связь выходного тока (тока стока) полевого транзистора с
входным напряжением (напряжением затвор-исток).
Крутизна характеристики S – это усилительный параметр полевого
транзистора.
Внутреннее (выходное) сопротивление полевого транзистора
характеризует наклон стоковой (выходной) характеристики на участке II (см. рис.
24, а).
Входное сопротивление r в х = dU з и /dI з определяется сопротивлением p-n-
переходов, смещенных в обратном направлении. Величина входного сопротивления
имеет порядок (108-109) Ом, поэтому входной ток Iз в статическом режиме можно
считать равным нулю.
К основным параметрам полевого транзистора также относятся:
- максимальный ток стока Ic max;
- максимальное напряжение стока Uси max;
- межэлектродные емкости затвор-исток Сзи, затвор-сток Сзс и сток-исток Сси.
Маломощные полевые транзисторы с p-n-переходом выпускают на токи Ic max
до 50 мА и напряжения Uси max до 50 В. Типичные значения параметров таких
транзисторов: Uзи отс = (0,8-10) В, ri = (0,02=0,5) кОм, S = (0,3-7) мА/В, rвх
= (10 -10 ) Ом, Сзи = Сси = (6-20) пФ, Сзс = (2-8) пФ.
8 9

3.2.1.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором

( MOSFET или МДП-транзисторы)

В отличие от полевых транзисторов с p-n-переходом, в МДП-транзисторах

затвор изолирован от области токопроводящего канала слоем диэлектрика. Отсюда
и название МДП – металл-диэлектрик-полупроводник. В качестве диэлектрика
используют окисел кремния SiO2. Поэтому другое название – МОП-транзисторы
(структура металл-окисел-полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает
очень высокое входное сопротивление транзисторов (1012-1014) Ом.
Принцип действия МДП- транзисторов основан на эффекте изменения
проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком
под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой
полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП-
транзисторы выполняют двух типов – со встроенным каналом и с индуцированным
каналом.

30
 МДП- транзисторы
представляют собой в общем случае
четырехэлектродный прибор.
Четвертым электродом,
выполняющим вспомогательную
функцию, является вывод от
подложки исходной
полупроводниковой пластины. МДП-
транзисторы могут быть с каналом n-
или р-типа. Условные обозначения
Рис. 25. Условные обозначения МДП- МДП- транзисторов показаны на рис.
транзисторов со встроенным каналом n-типа (а) 25.
и выводом от подложки (в); со встроенным Конструкция МДП- транзистора
каналом р-типа (б) и выводом от подложки (г); с
индуцированным каналом n-типа (д) и выводом
со встроенным каналом n-типа
от подложки (ж); с индуцированным каналом р- показана на рис. 26, а. В исходной
типа (е) и выводом от подложки (з) пластине кремния р-типа с помощью
диффузионной технологии созданы
области истока, стока и канала n-типа.
Слой окисла SiO2 выполняет функции
защиты поверхности, близлежащей к истоку, а также изоляции затвора от канала.
Вывод подложки иногда присоединяют к истоку.
Стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным
каналом n-типа показаны на рис. 26, б. По виду эти характеристики близки к
характеристикам полевого транзистора с p-n-переходом. Различие заключается в
том, что входное напряжение Uзи может быть как положительной так и
отрицательной полярности.
Если к затвору приложено отрицательное напряжение Uзи  0, то поле затвора
оказывает отталкивающее действие на электроны – носители заряда в канале, что
приводит к уменьшению их концентрации в канале и уменьшению проводимости
канала. Вследствие этого стоковые характеристики при Uзи  0 располагаются ниже
кривой, соответствующей Uзи = 0. Режим работы транзистора, при котором
происходит уменьшение концентрации зарядов в канале называют режимом
обеднения.
При подаче на затвор напряжения Uзи  0 поле затвора притягивает электроны
в канал из р-слоя полупроводниковой пластины. Концентрация зарядов в канале
увеличивается, что соответствует режиму обогащения канала носителями заряда.
Проводимость канала возрастает, ток Iс увеличивается. Стоковые характеристики
располагаются выше кривой, соответствующей Uзи = 0.
Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным
каналом приведена на рис. 26, в. Ее отличие от стоко-затворной характеристики
транзистора с p-n-переходом обусловлено возможностью работы как при Uзи  0
(режим обеднения), так и при Uзи  0 (режим обогащения).
Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа показана
на рис. 27, а. Канал проводимости тока здесь специально не создается, а образуется
(индуцируется) благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины в
случае приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно
истока. За счет притока электронов в приповерхностном слое происходит изменение
31
 Рис. 26. Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а);
семейство его стоковых характеристик (б); сток-затворные характеристики (в)

Рис. 27. Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом (а); семейство

его стоковых характеристик (б); сток-затворные характеристики (в)

электропроводности полупроводника, т.е. индуцируется токопроводящий канал n-

типа. Проводимость канала возрастает с повышением приложенного к затвору
напряжения положительной полярности. Таким образом, транзистор с
индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.
Стоковые характеристики полевого транзистора с
индуцированным каналом n-типа приведены на рис. 27, б. Они отличаются от
характеристик транзистора со встроенным каналом тем, что управление током
осуществляется напряжением Uзи одной полярности, совпадающей с полярностью
Uси.
Вид стоко-затворной характеристики полевого транзистора с
индуцированным каналом n-типа приведен на рис. 27, в.

Полевые, транзисторы играют важную роль в диапазоне малых и средних

мощностей. Сопро тивление в открытом состоянии низковольтных MOSFET (до
200 В) было уменьшено за после дние годы более чем в 10 раз. Это было
достигнуто оптимиза цией геометрии ячейки и исполь зования технологии
утопленного канала (trench-gate technology). Плотность упаковки совре менных
низковольтных MOSFET достигает в настоящее время 100 млн. элементарных
ячеек на квадратный дюйм. Для низко вольтного диапазона напряже ний можно
32
предсказать непре рывное развитие MOSFET для снижения статических потерь и
повышения стойкости.
Для высоковольтных MOSFET настоящей революцией была технология
создания суперпере хода, реализованная " Infineon Technology " в семействе высо -
ковольтных MOSFET – CoolMOS. Поэтому высоковольтные MOSFET будут
иметь все боль шее и большее значение в диа пазоне напряжений от 500 до 1200 В.
В течение ближайших пяти лет на рынке могут появиться по левые
транзисторы, управляе мые р-п-переходом ( VJFET), на базе карбида кремния (SiC).
Также имеется потенциал для использования в качестве быс трых и стойких
высоковольтных ключей каскодных соединений SiC — MOSFET с низковольтными
кремниевыми MOSFET.
3.2.2. Однопереходные транзисторы

Однопереходный транзистор (ОПТ) или двухбазовый диод

представляет собой полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом, имеющим
участок отрицательного сопротивления.

Рис. 28. Структура (а), условное обозначение (б) и характеристики (в)

однопереходного транзистора

Конструктивно полупроводниковый прибор выполнен в виде пластины

полупроводникового материала, на концах которой расположены омические
(невыпрямляющие) контакты баз Б1 и Б2, а на боковой стороне – один p-n-переход
(рис. 28, а). Вывод из области р называют эмиттерным.
Обычно длина l1 ,базы Б1 значительно меньше, чем длина l2 базы Б2.
К выводам Б2, Б1 подводится внешнее напряжение Uбб, под действием
которого через ОПТ протекает межбазовый ток Iбб. Этот ток вызывает в кристалле
падения напряжения, которые распределяются пропорционально длинам участков l1
и l2, причем l2  l1. Падение напряжения ∆U в области базы Б1 приложено
положительным полюсом к n-области, прилегающей к эмиттеру, а отрицательным
полюсом через внутреннее сопротивление источника сигнала Uэ – к р-области
эмиттера. Таким образом, p-n-переход эмиттер-база смещен в обратном
направлении и через него протекает небольшой обратный ток Iэо (рис. 28, б).
После подачи входного сигнала Uвх = Uэ указанной на рис.28, а полярности,
обратный ток эмиттер-база Iэо уменьшается, так как напряжение Uэ направлено

33
встречно падению напряжения ∆U. По мере увеличения напряжения Uэ ток Iэ
становится равным нулю. При дальнейшем увеличении Uэ ток в цепи эмиттер-база
становится положительным и при некотором его значении начинается интенсивная
инжекция носителей заряда – дырок – в область базы Б1. При этом развивается
лавинный процесс. Увеличение количества носителей заряда в области базы
приводит к уменьшению сопротивления RБ1 этой области при практически
неизменном межбазовом токе. Постоянство базового тока Iб обеспечивается
выполнением условия RБ2  RБ1, так как l2  l1. Уменьшение RБ1 приводит к
уменьшению ∆U = RБ1Iб, следовательно увеличивается разность Uэ - ∆U в пользу Uэ,
значит увеличивается ток эмиттер-база, уменьшается RБ1 и т.д. Этот процесс
приводит к появлению участка вольт-амперной характеристики (ВАХ) с
отрицательным дифференциальным сопротивлением (участок II). Процесс
продолжается до тех пор, пока область Б1 не насытится носителями заряда. Далее
нарастание тока в цепи потребует увеличения приложенного напряжения (участок
III ВАХ), чему способствует наличие внутреннего сопротивления источника сигнала
Uэ.
Таким образом, ОПТ – это полупроводниковый прибор с нелинейной ВАХ
эмиттерной цепи S-образного типа (в отличие от туннельного диода, где ВАХ – N-
образного типа). Такая характеристика позволяет использовать его в режиме
переключения. Как видно из рис. 28, б, ВАХ ОПТ может пересекаться с нагрузочной
прямой IV в двух точках: точке 1 при минимальном токе и точке 2 – при
максимальном эмиттерном токе и минимальном напряжении на эмиттере.
Чтобы включить ОПТ (увеличить Iэ), необходимо несколько уменьшить
напряжение Uбб. Тогда уменьшится ток Iб, уменьшится ∆U, ВАХ сместится в
положение, показанное пунктиром, и из точки 1 ОПТ переместится в точку 2.
Выключение ОПТ производится уменьшением Uэ (нагрузочная прямая смещается в
положение IV).
Особенностью ОПТ является стабильность точки переключения Uпер. Для
дальнейшего увеличения стабильности Uпер в цепь межбазового тока включается
небольшое сопротивление Rдоб.
ОПТ получили распространение в схемах управления тиристорами, в
импульсных схемах для построения генераторов, преобразователей сигналов и т.п.

3.2.3. Биполярные транзисторы (BJT)

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную

полупроводниковую структуру с чередующимся типом проводимости
слоев и содержит два p-n-перехода. В зависимости от чередования слоев
существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n (рис. 29, а, б). Их условное
обозначение на схемах электрических принципиальных показано на рис. 29, в, г. В
качестве исходного материала для получения трехслойной структуры используют
германий или кремний (германиевые и кремниевые транзисторы).
Трехслойная транзисторная структура создается по сплавной или
диффузионной технологии. Трехслойная транзисторная структура типа p-n-p,
выполненная по сплавной технологии, показана на рис. 29, д. Пластина
полупроводника n-типа является основанием, б а з о й (отсюда и название слоя)
конструкции. Два наружных p-слоя создаются в результате диффузии в них

34
акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из
слоев называется э м и т т е р н ы м, а другой к о л л е к т о р н ы м. Также
называются и p-n-переходы, создаваемые этими слоями, а также и внешние
выводы от этих слоев.

Рис. 29. Полупроводниковая структура транзисторов типа р-n-р (а) и n-р-n (б); их условные
графические обозначения (в,г); сплавная транзисторная структура типа р-n-р (д); пример
конструктивного исполнения маломощного транзистора в металлическом корпусе (е): 1-донце
корпуса; 2-колба; 3-вывод эмиттера; 4-таблетка индия; 5-кристеллодержатель; 6-пластина
германия n-типа; 7-таблетка индия; 8-вывод коллектора; 9-стеклянный изолятор

Функция эмиттерного перехода – инжектирование (эмиттирование)

носителей заряда в базу. Функция коллектороного перехода – сбор
носителей заряда, прошедших через базовый слой. Чтобы носители заряда,
инжектируемые эмиттером и проходящие через базу, полнее собирались
коллектором, площадь коллекторного перехода делают больше площади
эмиттерного перехода. Пример конструктивного исполнения маломощного
транзистора показан на рис. 29, е.
В транзисторах типа n-p-n функции всех трех слоев и их названия аналогичны,
изменяется лишь тип носителей заряда, проходящих через базу: в приборах типа p-
n-p – это дырки, а в приборах типа n-p-n – электроны.

3.2.3.1. Принцип действия биполярного транзистора

Принцип действия транзистора рассмотрим на примере транзистора типа

p-n-p (рис. 30).

35
 В отсутствие внешних напряжений на границах раздела трех слоев образуются
объемные заряды, создается внутреннее электрическое поле и между слоями
действует внутренняя разность потенциалов. Потенциальный барьер в каждом из
переходов устанавливается такой величины, чтобы устанавливалось равновесие
диффузионного и дрейфового потоков носителей заряда, движущихся через
переходы в противоположных направлениях, т.е. равенство нулю протекающих
через них токов.
Внешние напряжения подключают к транзистору таким образом, чтобы
обеспечивалось смещение эмиттерного перехода в прямом направлении,
а коллекторного – в обратном направлении . Это достигается с помощью двух
источников напряжения Uэб и Uкб (рис. 30). Напряжение Uэб подключается
положительным полюсом к эмиттеру относительно базы, напряжение Uкб –
отрицательным полюсом к коллектору относительно базы (схема включения
транзистора с общей базой).
Поскольку в эмиттерном переходе
П1 внешнее напряжение Uэб действует в
прямом направлении, потенциальный
барьер для дырок – основных носителей
заряда эмиттерного слоя – уменьшается
и дырки из эмиттера под действием
диффузии будут в большом количестве
переходить (инжектировать) в область
базы, создавая ток Iэр (рис. 30).
Аналогичным образом увеличится
диффузионный поток электронов –
Рис. 30. Диаграмма составляющих токов в основных носителей заряда в базе – в
транзисторе эмиттер, создавая ток. Составляющая
тока Iэn много меньше составляющей Iэр,
так как при проектировании
транзистора базовый слой делается намного более высокоомным, чем эмиттерный и
коллекторный слои. Т.е. концентрация основных носителей заряда в базе много
меньше концентрации основных носителей заряда в эмиттере pp  nn. Общий ток в
цепи эмиттера в этом случае содержит две составляющие
Iэ = Iэр + Iэn.
Одним из важнейших показателей эмиттерного перехода является так
называемый коэффициент инжекции , показывающий, какую часть от полного
эмиттерного тока составляет его дырочная составляющая:
 = Iэр/ Iэ.
С точки зрения качества эмиттерного перехода необходимо, чтобы
коэффициент инжекции  стремился к единице. Эту задачу решают применением
высокоомного исходного полупроводника для создания базового слоя и введением
большой концентрации акцепторной примеси для получения эмиттерного слоя. Для
выпускаемых промышленностью транзисторов коэффициент инжекции  = 0,97-
0,995.
Процессы в базовом слое определяются а основном поведением дырок,
перешедших в базу через эмиттерный переход. Ввиду относительно малой толщины
базового слоя (соизмеримого с длиной свободного пробега дырок и электронов)
36
основная часть дырок, инжектированных в базу из эмиттера, подхватываются
электрическим полем источника Uкб и через переход П2 попадают в коллектор,
создавая ток Iкр (рис. 30).
Наличие дырок и электронов в базе приводит к тому, что в процессе диффузии
некоторая часть дырок рекомбинирует с электронами, создавая ток Iбр (рис. 30). В
соответствии с этим соотношение для дырочных составляющих токов транзистора
имеет вид
Iэр = Iкр + Iбр.
Для определения части дырок, прошедших из эмиттера в коллектор, вводят
коэффициент переноса дырок в базе, равный отношению дырочной
составляющей коллекторного тока к дырочной составляющей эмиттерного тока
транзистора:
 = Iкр/Iэр
Желательно, чтобы величина коэффициента  как можно меньше отличалась
от единицы. Способы приближения к единице коэффициента  направлены на
сокращение потерь дырок в базе за счет актов рекомбинации. Это достигается
сокращением времени нахождения дырок в базе (уменьшением толщины базового
слоя) и увеличением скорости их прохождения через базу. Типовые значения  для
транзисторов лежат в пределах 0,96-0,996.
Коллекторный ток транзистора связан с током эмиттера Iэ коэффициентом
передачи тока транзистора, включенного по схеме с общей базой (ОБ) :
 = Iкр/ Iэ.
Умножив числитель и знаменатель последнего выражения на Iэр, получим
 = (Iэр/ Iэ)( Iкр/ Iэр) = .
Следовательно, коэффициент  тем ближе к 1, чем меньше отличаются от 1
коэффициенты  и . Для современных транзисторов коэффициент передачи 
составляет 0,9-0,999 и имеет некоторую зависимость от температуры.
Наличие коллекторного перехода, включенного в обратном направлении,
приводит к появлению дополнительной неуправляемой составляющей тока
коллектора, обусловленной протеканием обратного тока коллекторного
перехода Iко (рис. 30). Обратный ток создается дрейфом неосновных носителей
заряда из близлежащих областей обратно включенного p-n-перехода, в данном
случае дырками, концентрацией pn в базе, и электронами, концентрацией np в
коллекторе. Поскольку концентрации неосновных носителей зависят от
температуры, величина обратного тока также зависит от температуры, поэтому этот
ток часто называют тепловым. От величины тока эмиттера Iко не зависит.
Управляющее свойство транзистора, характеризующее изменение
выходного (коллекторного) тока Iк под действием подводимого входного тока Iэ,
обуславливается изменением дырочной составляющей коллекторного тока Iкр за
счет изменения дырочной составляющей эмиттерного тока Iэр. Таким образом,
принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного
(проходящего) потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и
управлении коллекторным (выходным) током за счет изменения эмиттерного
(входного) тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током .
Основное соотношение для токов транзистора составляется по первому закону
Кирхгофа:
Iэ = Iк + Iб.
37
 С учетом теплового тока Iко и соотношения (1) токи Iк и Iб можно выразить
через Iэ:
Iк = Iэ + Iко, (1)
Iб = (1-)Iэ - Iко.

Различают три основные режима работы биполярного транзистора:

1. Активный режим – эмиттерный переход смещен в прямом направлении,
а коллекторный в обратном.
2. Режим глубокой отсечки – оба перехода транзистора смещены в
обратном направлении с помощью внешних напряжений. Ток коллектора при этом
имеет минимальное значение, равное току p-n-перехода смещенного в обратном
направлении. Ток эмиттера имеет противоположный знак и значительно меньше
тока коллектора и его принимают равным нулю. Ток база примерно равен току
коллектора.
Режим глубокой отсечки характеризует запертое состояние транзистора, в
котором его сопротивление максимально, а токи электродов минимальны. Он
широко используется в импульсных устройствах, где транзистор играет роль
электронного ключа.
3. Режим насыщения – оба перехода с помощью приложенных внешних
напряжений смещены в прямом направлении. При этом падение напряжения на
транзисторе (Uкэ) минимально и оценивается десятками милливольт. Режим
насыщения возникает тогда, когда ток коллектора ограничен параметрами
внешнего источника энергии и при данной схеме включения не может превысить
какое-то значение Ik max. В то же время параметры источника внешнего сигнала взяты
такими, что ток эмиттера существенно больше максимального значения тока
коллектора: Ik max<Iэ.
Из сказанного ясно, что, для того чтобы транзистор из активного режима
перешел в режим насыщения, необходимо увеличить ток эмиттера так, чтобы
начало выполняться последнее условие.
Свойства транзисторов описываются системой характеристик и параметров. К
основным параметрам транзисторов относятся следующие:
1. Iк макс - максимально допустимый коллекторный ток;
2. Uкэ макс (Uкб макс) - максимально допустимые напряжения коллектор-эмиттер
или коллектор-база;
3. Рк макс - максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе;
4. () - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (с общей
базой);
5. Iко - обратный коллекторный ток.

3.2.3.2. Схемы включения транзисторов, параметры и характеристики

38
 Существуют три способа включения транзистора в зависимости от того, какой
вывод транзистора является общим для входной и выходной цепи: с общей базой
(ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) (рис. 31, а. б, в).

Рис. 31. Схемы включения транзисторов ОБ (а), ОЭ (б), ОК (в)

Каждая из схем включения транзистора обладает особенностями, которые

проявляются в различии параметров и характеристик. Как правило, представляют
интерес следующие параметры:
- коэффициент усиления (передачи) по току KI = ∆Iвых/∆Iвх (отношение
небольшого приращения выходного тока к соответствующему приращению
входного);
- коэффициент усиления (передачи) по напряжению KU = ∆Uвых/∆Uвх
(отношение небольшого приращения выходного напряжения к соответствующему
приращению входного);
- коэффициент усиления по мощности Kp = Pвых/Pвх (отношение выходной
мощности, отдаваемой схемой в нагрузку, к мощности, затраченной на входе
схемы);
- входное сопротивление Rвх = ∆Uвх/∆Iвх;
- выходное сопротивление Rвых, определяемое внутренним сопротивлением
схемы как источника напряжения.
Схема (ОБ). Для схемы ОБ (рис. 31, а) входным током является ток эмиттера
Iэ, а выходным – ток коллектора Iк. Поэтому основное уравнение токов
транзистора – это зависимость тока коллектора от тока эмиттера
Iк = Iэ + Iко,
из которого следует, что коэффициент передачи по току для схемы ОБ
KI(б) = ∆Iк/∆Iэ =   1.
Таким образом, схема ОБ не обладает усилением по току.
Коэффициент усиления по напряжению KU(б) = ∆Uкб/∆Uэб измеряется
десятками и сотнями единиц. Это связано с тем, что переход эмиттер-база смещен в
прямом направлении и напряжение Uэб на нем не превышает 1-1,5 В (прямое
падение напряжения на p-n-переходе), а переход коллектор-база смещен в обратном
направлении и напряжение Uкб на нем в зависимости от типа транзистора может
составлять десятки и сотни вольт.
Коэффициент усиления по мощности , равный произведению
коэффициентов усиления по току и по напряжению Kp(б) = KI(б) KU(б) также
измеряется десятками и сотнями единиц.
Входное сопротивление Rвх(б) = ∆Uэб/∆Iэ определяется сопротивлением
39
прямо смещенного p-n-перехода эмиттер-база и в зависимости от типа транзистора и
участка входной характеристики, где измеряется сопротивление, составляет
единицы или десятки Ом.
Выходное сопротивление Rвых(б) = rк(б) определяется внутренним
сопротивлением обратно смещенного p-n-перехода коллектор-база и составляет
сотни килоом или единицы мегаом.
Схема ОБ не нашла широкого применения из-за отсутствия усиления по току.
Однако основные ее достоинства: высокая температурная стабильность высокая
граничная частота усиления.
Схема (ОЭ). Для схемы ОЭ (рис. 31, б) входным током является ток базы Iб,
а выходным – ток коллектора Iк. В соответствии с законом Кирхгофа
Iэ = Iк + Iб. (2)
Подставив выражение (2) в выражение (1), получим:
(1-) Iк =  Iб + Iко.
Поделив все члены полученного выражения на (1-), получим основное
уравнение тока коллектора в схеме с общим эмиттером
Iк =  Iб + (+1) Iко, (3)
где  = /(1-) – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером.
Величина коэффициента усиления по току  измеряется десятками и сотнями
единиц ( = 10 –1000). Таким образом, схема ОЭ обладает усилением по току:
KI(э) = ∆Iк/∆Iб =  = /(1-).
Иногда уравнение (3) записывают в другом виде
Iк =  Iб + I*ко,
где I*ко = (+1) Iко – тепловой ток транзистора в схеме с общим эмиттером.
Коэффициент усиления по напряжению KU(э) = ∆Uкэ/∆Uэб практически
такой же как и в схеме ОБ, так как напряжения Uкэ и Uкб отличаются незначительно.
Коэффициент усиления по мощности Kp(э) = KI(э) KU(э) во много раз
больше, чем в схеме ОБ, так как схема ОЭ обладает усилением по току.
Входное сопротивление Rвх(э) = ∆Uэб/∆Iб примерно на порядок выше, чем в
схеме ОБ, и составляет десятки или сотни Ом.
Выходное сопротивление Rвых(э) так же как и в схеме ОБ определяется
внутренним сопротивлением обратно смещенного p-n-перехода коллектор-база и
составляет сотни килоом или единицы мегаом.
Схема ОЭ находит наибольшее применение в схемотехнике электронных
устройств, так как обладает усилением по току, напряжению и мощности.
Недостатком схемы по сравнению а схемой ОБ является большая величина
неуправляемого теплового тока. Для уменьшения теплового тока приходится
принимать специальные меры.
На рис. 32. приведены вольт-амперные характеристики маломощного
транзистора в схеме ОЭ.
Выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ определяют
зависимость коллекторного тока Iк = F(Uкэ) при Iб = const (рис. 32, а). На
характеристиках можно выделить три области: I – начальная область, II – рабочий
участок транзистора, работающего в режиме усиления (слабая зависимость Iк от Uкэ)
и III – пробой коллекторного перехода
В области I оба перехода эмиттер-база и коллектор-база смещены в прямом
направлении под действием напряжения Uэб. На границе с областью II прямое
40
напряжение снимается с коллекторного перехода и в области II на коллекторном
переходе действует обратное напряжение. Точке перехода от области I к области II
соответствует напряжение Uкэ порядка 0,5-1,5 В.
Некоторое возрастание тока коллектора при повышении напряжения Uкэ на
участке II связано с увеличением коэффициента усиления  за счет эффекта
модуляции базы. Наклон характеристики на этом участке характеризуется
дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода rк(э) = dUкэ/dIк
при Iб = const, которое может быть найдено по выходной характеристике как
отношение приращений напряжения и тока. Уравнение выходной характеристики на
участке II имеет вид
Iк =  Iб + Uкэ/rк(э) + (+1) Iко, (4)
где за наклон характеристики «отвечает» второе слагаемое уравнения.
Нулевому входному току Iб = 0 соответствует ток Iко(э) = (+1) Iко = I*ко,
называемый начальным или сквозным (рис. 32, а).
Если эмиттерный переход перевести в непроводящее состояние, т.е. подать
напряжение в данном случае Uэб 0, то ток коллектора снизится до Iко (рис. 32, а) и
будет определяться обратным током коллекторного перехода Iко, протекающим по
цепи база-коллектор.
Наличие составляющей I*ко = (+1) Iко в выражении (6) является одой из
главных причин температурной зависимости выходных характеристик
транзистора. Влияние температуры приводит к изменению тока I*ко и смещению
характеристик вверх при повышении температуры (пунктирные кривые на рис. 32,
а).

Рис. 32. Выходные (а) и входные (б) характеристики транзистора включенного

по схеме ОЭ

Входные (базовые) характеристики транзистора отражают зависимость

тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении коллектор-
эмиттер: Iб = F(Uэб) при Uкэ = const (рис. 32, б).
При Uкэ = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви
вольтамперной характеристики двух p-n-переходов (эмиттерного и коллекторного),
включенных параллельно. Ток базы при этом равен сумме токов эмиттера и
коллектора, работающего в режиме эмиттера.
41
 При Uкэ  0 ток базы составляет малую часть тока эмиттера. При
определенной величине Uэб подача напряжения Uкэ  0 вызывает уменьшение тока
Iб, т.е. смещение вниз характеристик относительно кривой со значением Uкэ = 0.
В токе Iб присутствует составляющая Iко. Поэтому при Uкэ  0 входные
характеристики исходят из точки с отрицательным значением тока базы, равным Iко.
Схема ОК. Для схемы ОК (рис. 31, в) входным током является ток базы Iб, а
выходным – ток эмиттера Iэ. Так как Iэ = Iк + Iб, то основное уравнение тока
эмиттера для схемы ОК будет иметь вид
Iэ = (+1) Iб + (+1) Iко, (5)
или
Iэ = (+1) Iб + I*ко. (6)
В соответствии с (5) коэффициент усиления по току в схеме ОК
KI(к) = ∆Iэ/∆Iб = +1.
Коэффициент усиления по напряжению KU(к) = ∆Uкэ/∆Uкб  1, так как
напряжение Uкэ меньше, чем напряжение Uкб на величину Uэб.
Коэффициент усиления по мощности Kp(к) = KI(к) KU(к) примерно равен
коэффициенту усиления по току KIк, так как коэффициент передачи по напряжению
KU(к) примерно равен единице.
Входное сопротивление Rвх(к) = ∆Uкб/∆Iб = ∆Iэ(Rэ+Rэб)/Iб = (+1)(Rэ+Rэб).
Учитывая, что   1 и Rэ  Rэб, можно считать:
Rвх(к)  Rэ.
Выходное сопротивление Rвых(к) = Rэ, что следует из анализа рис. 31, в.
Основное достоинство схемы ОК – высокое входное сопротивление и низкое
выходное сопротивление. Поэтому схема ОК нашла применение для согласования
сопротивлений (маломощного высокоомного источника сигнала с низкоомным
приемником сигнала). Несколько видоизмененная схема ОК получила название
эмиттерный повторитель.

3.2.3.3. Транзистор как активный четырехполюсник,

h-параметры транзистора

Транзистор можно представить как линейный четырехполюсник, если в

качестве измеряемых токов и напряжений принимать небольшие их приращения,
накладывающиеся на постоянные составляющие. Такие ограничения приходится
принимать, так как входные и выходные
характеристики транзистора нелинейны. Для
небольших приращений напряжений и токов
параметры транзистора можно считать линейными,
что позволяет представить транзистор в виде
линейного четырехполюсника.
Связь между входными (U1, I1) и выходными
Рис. 33. К определению (U , I ) напряжениями и токами четырехполюсника
2 2
параметров транзистора как
четырехполюсника (рис. 33) выражается системой двух уравнений.
Выбрав два из входящих в эту систему параметров
за независимые переменные, находят два других.
Для транзистора как четырехполюсника в качестве независимых переменных
выбирают приращение входного тока ∆I1 и выходного напряжения ∆U2, а
42
приращения входного напряжения ∆U1 и выходного тока ∆I2 выражают через h-
параметры транзистора.
∆U1 = h11∆I1 + h12∆U2, (7)
∆I2 = h21∆I1 + h22∆U2. (8)
Все h-параметры имеют конкретный физический смысл и отражают
параметры транзистора в соответствующей схеме включения.
Для конкретной схемы включения транзистора необходимо использовать
соответствующие данной схеме входные и выходные токи и напряжения. Для
примера приведем систему h-параметров транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Коэффициент усиления по току h 2 1 ( э ) транзистора, включенного по схеме
ОЭ равен коэффициенту , определенному ранее (h21(э) = )
Для определения h-параметров иногда применяют графоаналитический метод,
основанный на использовании вольт-амперных характеристик транзистора. На
рис. 34 показан пример определения h-параметров транзистора, включенного по
схеме ОЭ.
Входное сопротивление h 1 1 ( э ) определяют по входной характеристике
транзистора (рис. 34, б), снятой при напряжении Uкэ = 2 В. Входные характеристики,
снятые при напряжениях Uкэ > 2, практически будут совпадать с ней, вследствие
очень малой величины коэффициента обратной связи h 1 2 ( э ) ≈ .
Входная характеристика Iб = F(Uэб) имеет нелинейный характер и в разных
точках характеристики сопротивления h 1 1 ( э ) будут различны. Поэтому
сопротивление определяют в точке с током базы I0б, соответствующем режиму
работы транзистора по постоянному току. Для определения h 1 1 ( э ) проводят
касательную к входной характеристике в точке, соответствующей току I0б, и,
определив приращения ∆Uэб и ∆Iб находят по формуле (13) величину
дифференциального входного сопротивления
h 1 1 ( э ) = ∆Uэб/∆Iб = d Uэб/dIб. (13, а)
Коэффициент обратной связи по напряжению h 1 2 ( э ) по вольт-
амперным характеристикам не снимают ввиду его очень малой величины.
Коэффициент усиления по току h 2 1 ( э ) определяют по семейству
выходных характеристик (рис. 34, а). Для этого выбирают две характеристики Iк =
F(Uкэ), соответствующие двум токам базы, например, Iб2 и Iб3. Проводят
вертикальную линию из точки соответствующей напряжению на коллекторе
транзистора, например Uкэ1, до пересечения с указанными характеристиками. Затем
находят токи коллектора Iк2 и Iк3 на этих характеристиках и по формуле (15)
определяют коэффициент усиления транзистора в схеме ОЭ
h 2 1 ( э ) = ∆Iк/∆Iб = (Iк3 - Iк2)/( Iб3 - Iб2).

43
 Рис. 34. Пример определения h-параметров по семейству выходных
(а) и входной (б) характеристикам транзистора, включенного по
схеме ОЭ

Выходную проводимость h 2 2 ( э ) определяют по выходной характеристике

Iк = F(Uкэ), снятой при токе базы, соответствующем режиму работы транзистора по
постоянному току, например, Iб = Iб4 (рис. 34, а). На характеристике отмечают две
точки, соответствующие двум напряжениям Uкэ, и находят приращение тока ∆Iк,
соответствующее приращению напряжения ∆Uк. Затем по формуле (16) находят
выходную проводимость
h 2 2 ( э ) = ∆Iк/∆Uк,
которая определяет наклон характеристики Iк = F(Uкэ) к оси абсцисс. Величина,
обратная h 2 2 ( э ) , есть выходное сопротивление rвых(э) транзистора в схеме ОЭ.

Обозначения транзисторов, как и диодов состоят из шести элементов. С

отличием: вторая буква Т – биполярный транзистор, П – полевой.

Биполярные транзисторы, достигнувшие пре дельных параметров 1400 В /

200 А и широко приме нявшиеся последние два деся тилетия прошлого столетия,
будут постепенно вытесняться и заменяться биполярными тран зисторами с
изолированным затвором (IGBT).

3.2.4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором выполнены как

сочетание входного полевого транзистора с изолированным затвором и выходного
биполярного транзистора.

44
 При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором всегда
образуется паразитный биполярный транзистор, который не находил практического
применения (рис.35). В этой схеме VT1 – полевой транзистор с изолированным
затвором, VT2 – паразитный биполярный транзистор, R1 – последовательное
сопротивление канала полевого транзистора, R2 – сопротивление, шунтирующее
переход база-эмиттер транзистора VT2. Благодаря сопротивлению R2 транзистор
VT2 заперт и не оказывает существенного влияния на работу полевого транзистора
VT1. Структура IGBT-транзистора дополнена еще одним pn-переходом, благодаря
которому в схеме замещения (рис. 36) появляется еще один биполярный транзистор
VT3. Образованная структура из транзисторов VT2 и VT3 имеет глубокую
внутреннюю обратную связь, так как ток коллектора VT3 влияет на ток базы VT2.
Коллектор
Сток
VT3

R1 R1
Uси

VT2 VT1 VT2 Uкэ

VT1
Затвор
Затвор
R2
R2

Uзи
Uзэ
Исток Эмиттер

Рис. 35. Схема замещения реального Рис. 36 Схема замещения IGBT

полевого транзистора

Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор.
Соединения эмиттера и истока, базы и стока являются внутренними. Сочетание двух
приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и
биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой
нагрузкой и малым сопротивлением во включённом состоянии.
Использование IGBT началось с 80-х годов и уже
претерпела четыре стадии своего развития.
I поколение IGBT (1985 г.): предельные
коммутируемые напряжения 1000 В и токи 200 А в
модульном и 25 А в дискретном исполнении, прямые падения
напряжения в открытом состоянии 3,0-3,5 В, частоты
Рис. 37. Условное коммутации до 5 кГц (время включения/выключения около 1
обозначение IGBT мкс).
II поколение (1991 г.): коммутируемые напряжения до
1600 В, токи до 500 А в модульном и 50 А в дискретном исполнении; прямое
падение напряжения 2,5-3,0 В, частота коммутации до 20 кГц ( время включения/
выключения около 0,5 мкс).
III поколение (1994 г.): коммутируемое напряжение до 3500 В, токи 1200 А в
модульном исполнении. Для приборов с напряжением до 1800 В и токов до 600 А

45
прямое падение напряжения составляет 1,5-2,2 В, частоты коммутации до 50 кГц
(времена около 200 нс).
IV поколение (1998 г.): коммутируемое напряжение до 4500 В, токи до 1800
А в модульном исполнении; прямое падение напряжения 1,0-1,5 В, частота
коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).
Схематичный разрез структуры IGBT показан на рис. 38, а. Биполярный
транзистор образован слоями p+ (эмиттер), n (база), p (коллектор); полевой - слоями
n (исток), n+ (сток) и металлической пластиной (затвор). Слои p+ и p имеют
внешние выводы, включаемые в силовую цепь. Затвор имеет вывод, включаемый в
цепь управления. На рис. 38, б изображена структура IGBT IV поколения,
выполненного по технологии "утопленного" канала (trench-gate technology),
позволяющей исключить сопротивление между p-базами и уменьшить размеры
прибора в несколько раз.

Рис. 38. Схематичный разрез структуры IGBT: а-обычного (планарного); б-

выполненного по "trench-gate technology".
Структура IGBT напоминает структуру МОП-транзистора, полученного
методом вертикальной диффузии, отличаясь двойной диффузией области р-типа и
области n-типа. Инверсионный слой может быть сформирован под затвором
посредством приложения к затвору управляющего напряжения, как и в МОП-
транзисторе. Если напряжение приложенное к затвору, относительно эмиттера,
меньше чем пороговое Uп, тогда инверсионный слой МОП-транзистора не
возникнет, и прибор выключен.
Процесс включения IGBT можно условно разделить на два этапа. Включение
прибора достигается увеличением напряжения затвора UG до величины большей,
чем пороговое Uп. Это приводит к формирования инверсионного слоя под затвором,
который образует канал, связывающий исток с дрейфовой областью n-. Электроны
инжектируются из истока в дрейфовою область и полевой транзистор открывается.
На втором этапе движение зарядов из n области в p область приводит к открытию
биполярного транзистора и возникновению тока от эмиттера к коллектору. Таким
образом, полевой транзистор управляет работой биполярного.
Большие пробивные напряжения, широкая область безопасной работы,
удобство управления прибором, устойчивость к быстрому нарастанию напряжения и
способность выдерживать большие нагрузочные токи делают их похожими на
МОП-транзисторы. В то же время они лишены таких недостатков последних, как
зависимость проводимости канала от температуры и уровня напряжения.

46
 Для IGBT с номинальным напряжением в диапазоне 600-1200 В в полностью
включённом состоянии прямое падение напряжения, так же как и для биполярных
транзисторов, находится в диапазоне 1,5-3,5 В. Это значительно меньше, чем
характерное падение напряжения на силовых MOSFET в проводящем состоянии с
такими же номинальными напряжениями.
С другой стороны, MOSFET с номинальными напряжениями 200 В и меньше
имеют более низкое значение напряжения во включённом состоянии, чем IGBT , и
остаются непревзойдёнными в этом отношении в области низких рабочих
напряжений и коммутируемых токов до 50 А.
По быстродействию IGBT уступают MOSFET, но значительно превосходят
биполярные. Типичные значения времени рассасывания накопленного заряда и
спадания тока при выключении IGBT находятся в диапазонах 0,2-0,4 и 0,2-1,5 мкс,
соответственно.
Область безопасной работы IGBT позволяет успешно обеспечить его
надёжную работу без применения дополнительных цепей формирования траектории
переключения при частотах от 10 до 20 кГц для модулей с номинальными токами в
несколько сотен ампер. Такими качествами не обладают биполярные транзисторы.
Так же как и MOSFET вытеснили биполярные в ключевых источниках
питания с напряжением до 500 В, так и IGBT делают то же самое в источниках с
более высокими напряжениями (до 3500 В).
Характеристики таких транзисторов аналогичны характеристикам
биполярных транзисторов.
3.3. Тиристоры

3.3.1. Устройство и принцип действия

Тиристором называется полупроводниковый прибор с тремя последовательно

включенными р-n-переходами, который может переключаться из закрытого
состояния в открытое или наоборот. По устройству и принципу действия тиристоры
подразделяются на динисторы, тринисторы и симисторы.
Структура динистора показана на рис. 39, а. Крайние области называются p1
+Е +Е Iпр
а) б) в) III
Rн Rн Iэ1
А

p1 p1 Э1
П1 Iб1=Iк2
К2 Iуд Б II
n1 n1 Б1 n1
П2
Iк1=Iб2
p2 p2 К1 p2 Б2 Iвкл А
П3 I
n2 n2 Э2
IV Uост Uотпр Uвкл Uпр
К Iэ2
-Е
-Е
г)

Рис. 39. Динистор: а – структурная схема, б – транзисторная модель, в –ВАХ, г – условное

обозначение
47
и n2 -эмиттерами, а средние — р2 и n1 – базами.
К эмиттерным областям присоединяют выводы. Электрод, подключенный к
p1-эмиттеру, называется анодом А, а к n4-эмиттеру — катодом К. Соответственно
переходы П1 и П3 , называются эмиттерными, а переход П2 - коллекторным.
При подключении к динистору напряжения (плюс — на аноде и минус — на
катоде) переходы П1 и П3 , смещаются в прямом направлении, а средний переход П2
— в обратном. Напряжение таким образом оказывается целиком приложенным к
коллекторному переходу П2.
Динистор может быть представлен в виде двух условных транзисторов типов
р-n-р и n-р-n, включенных согласно рис. 39, б. Эта условная модель позволяет
пояснить ВАХ динистора (рис. 39, г). Переход П2 для обоих транзисторов является
общим коллекторным переходом. Ток коллекторного перехода П2 определяется
суммой трех составляющих коллекторных токов Iпр=Iк1+Iк2+Iк0. С учетом
коэффициентов передачи токов эмиттеров 1и 2 имеем Iпр=1Iэ1+2Iэ2+Iк0
Так как переходы соединены последовательно: Ik1=Ik2=Iэ1+Iэ2=Iпр, откуда
Iпр=Iк0/(1-(1+2)).
При повышении прямого напряжения Uпр от нулевого значения прямой ток Iпр
медленно увеличивается (участок 1). В момент, когда сумма коэффициентов
передачи токов эмиттеров 1+2 будет приближаться к единице, а знаменатель— к
нулю, прямой ток Iпр резко возрастет, а сопротивление коллекторного перехода П 2
резко уменьшится. Процесс развивается за несколько микросекунд и сопровож-
дается уменьшением сопротивления в результате лавинного увеличения числа
носителей электрических зарядов в слое П2 и переноса тока через коллекторный
переход П2. Участок кривой II на ВАХ называют участком с «отрицательным»
сопротивлением Напряжение, при котором включается динистор, называют
напряжением включения Uвкл.
В открытом состоянии динистор будет находиться до тех пор, пока через него
проходит ток, равный току удержания Iуд (точка Б на участке III на рис. 39, в).
Номинальное значение прямого тока динистора определяется резистором нагрузки
Rн.
Если изменить полярность внешнего напряжения, т.е. соединить анод с
отрицательным, а катод с положительным зажимом источника, то переходы П 1 и П3
смещаются в обратном направлении, а П2 — в прямом направлении, и через
динистор будет проходить небольшой обратный ток (участок IV на рис. 39, в) двух
последовательно соединенных и включенных в обратном направлении
полупроводниковых диодов. Динистор будет находиться в закрытом состоянии. На
рис. 39, г показано условное обозначение (графическое) динистора.
Тринистор, у которого имеется вывод от одной из баз, называется триодным
тиристором. Дополнительный третий вывод называется управляющим
электродом (УЭ). Тринистор (далее просто тиристор) по сравнению с динистором
имеет возможность управлять напряжением включения с помощью цепи управления
УЭ - катод, причем мощность в этой цепи значительно меньше мощности силовой
цепи анод — катод.Тиристоры могут быть незапираемыми и запираемыми. В
незапираемых тиристорах УЭ используется только для отпирания, т. е. для
переключения тиристора в открытое состояние, а в запираемых тиристорах
посредством сигналов на УЭ можно как открывать, так и закрывать тиристор
(требуемая мощность запирающего управляющего импульса значительно выше
48
 а) б)

Рис. 40. Структура триодного тиристора (а) и его условное

обозначение (б)

Рис. 41. Семейство ВАХ триодного

тиристора

Рис. 42. Паразитные емкости тиристора

Рис. 43. Способ уменьшения скорости нарастания напряжения

мощности отпирающего импульса). Структура незапираемого тиристора приведена

на рис. 40, а. Прибор состоит из четырех чередующихся р- и n -областей. Кроме
анодного и катодного выводов, имеется еще и управляющий электрод - УЭ, который
может быть присоединен к базовым р-или n- областям. Если УЭ присоединен к р-
базе, на него подается положительное напряжение по отношению к катоду, если к n-
49
базе, полярность меняется на обратную.
Эффект управления объясняется тем, что входной ток УЭ увеличивает один из
эмиттерных токов, т. е происходит рост коэффициента передачи тока 1, или 2.
Поэтому условие 1+2 > 1 выполняется уже при меньшем значении приложенного
напряжения между анодом и катодом
На рис. 41 показано семейство ВАХ тиристора. Если входной ток УЭ равен
нулю, а напряжение подано в прямом направлении на анод и катод, тиристор
переключается как динистор при внешнем напряжении Uвкл.
При увеличении напряжения в цепи управления растет ток управления, что
приводит к уменьшению напряжения включения тиристора Uвкл.
Тиристор имеет два устойчивых состояния: первое характеризуется малым
прямым током через тиристор и большим падением напряжения в нем, второе
соответствует большому прямому току и малому падению напряжения на
тиристоре. Управление тиристором осуществляется при его включении в
проводящее (открытое) состояние. После этого тиристор становится
неуправляемым. Для запирания тиристора необходимо уменьшить его прямой ток
до значения, не превышающего ток удержания Iуд, или подать напряжение обратной
полярности, или снять напряжение питания анод – катод. На рис. 40, б показано
условное (графическое) изображение тиристора.

3.3.2. Основные параметры тиристоров

1. Класс тиристора. Класс характеризует максимальное повторяющееся

напряжение, которое можно прикладывать к прибору как в прямом так и в обратном
направлении и при этом он остается в непроводящем состоянии.
Umax=Uпр.maxUобр.maxКл*100 В. Классы от 0,5 до 20.
2. Номинальный прямой ток . Это допустимый средний ток в открытом
состоянии. Диапазон токов: 100мА…2000А. Значение тока оговаривается при
естественном и принудительном охлаждении. Принудительное охлаждение потоком
воздуха применяется для мощных приборов. При этом оговаривается скорость
воздуха.
3. Прямое падение напряжения в открытом состоянии Uпр. откр.
Uпр.откр.=0,8...1,2 В.
4. Допустимая скорость нарастания напряжения на закрытом
тиристоре в прямом направлении du/dt. Параметр du/dt приводится в справочнике.
du/dt=100…2000 В/мкс. Тиристор имеет паразитные межэлектродные емкости - рис.
42. При приложении крутого фронта прямого напряжения может произойти
самопроизвольное включение тиристора. Для ограничения du/dt параллельно
тиристору подключают конденсатор определенной емкости, как показано на рис. 43.
Последовательно с конденсатором включают небольшое сопротивление, т.к. при
включении тиристора конденсатор разряжается через это сопротивление и тиристор,
при этом сопротивление ограничивает ток разряда. Диод параллельно R обычно не
ставят. Обычно С=0,2…2 мкФ, R=10…100 Ом мощностью до 25 Вт.
5. Допустимая скорость нарастания тока через открытый тиристор
di/dt. При включении тиристора средней и большой мощности ток вначале начинает
концентрироваться около управляющего электрода, а затем распределяется по всей
полупроводниковой структуре. Концентрация тока, нарастающего с большой
50
скоростью около управляющего электрода, может привести к прожогу структуры.
Если di/dt ограничено, то ток успевает распределиться по структуре и разрушения
полупроводника не будет. Для ограничения di/dt последовательно с тиристором
включается индуктивность L. Часто в качестве L используется индуктивность
трансформатора питания.
6. Время включения t в к л . Это интервал времени между началом импульса
управления и моментом, когда напряжение на тиристоре снизится до 0,1 от
напряжения питания. Составляет несколько микросекунд.
7. Время выключения t в ы к л . Это интервал времени от момента перехода тока
анода через ноль до момента приложения к нему прямого напряжения, не
вызывающего его отпирания. Для приборов средней мощности tвыкл=50…300 мкс,
что в несколько раз больше времени включения.
8. Ток управления I у п р . Различают Iупр.длит. и Iупр.имп.. Iупр.имп=20…1000мА.
9. Ток удержания I у д . Это минимальное значение прямого тока, при
котором тиристор остается в открытом состоянии при Iупр=0.

3.3.3. Симистор

Структура
симистора представлена на
рис. 44, а. Основу
симистора составляет
многослойная структура
р1-n1-n2-р2-n3-n4, в которой
электрод В1 частично
шунтирует области p1-n1, а
управляющий электрод -
области р2-n4. Если к
силовым электродам В1, и
B2 подвести напряжение:
плюс на B1, отрицательный
Рис. 44. Симистор: а – структурная схема, б - условное потенциал относительно В2
обозначение, в – ВАХ к УЭ, то электроны
области n4 пройдут через
переход П4 и обогатят об-
ласть p2. Потенциальный барьер обратно смещенного перехода П 2 снижается, и по
симистору от В1, к и В2 проходит прямой ток Iпр.
При смене полярности на силовых выводах отрицательный потенциал
электрода УЭ обеспечивает смещение П2 и П3 в прямом направлении. По структуре
проходит обратный ток Iобр. В случае положительной полярности на УЭ (на В1
минус, на В2 плюс) ранее закрытый переход П2 откроется вследствие инжекции
электронов из области n3, и по структуре пойдет прямой ток.
Вольт-амперная характеристика симистора изображена на рис.44, в. Ветви
характеристик в первом и третьем квадрантах отображают работу симистора при
разных полярностях напряжения на его электродах. При отсутствии тока управления
симистор отпирается напряжением любой полярности, превышающим напряжение
включения Uвкл. Если ток управления Iупр > 0, симистор работает аналогично двум

51
встречно включенным диодам. На рис. 44, б приведено условное графическое
изображение симистора.
3.3.4. Тиристоры с управляемым затвором (GTO-тиристоры)

A Структура полностью
управляемого GTO-тиристора в
P P P A
областях анода и катода состоит из
большого числа технологичесих
n
элементов, представляющих
G
P G отдельные тиристоры, включенные
K
параллельно, в результате чего он
n n n приобретает способность
выключаться по управляющему
электроду (рис. 45).
K
Рис. 45 Строение GTO-тиристора и его
графическое обозначение

3.3.5. Динамические характеристики GTO-тиристоров

Динамические процессы при переключении GTO-тиристора представлены на

рис. 46 . Процесс включения состоит из задержки включения в течении времени tзад
и времени нарастания tнар, в течении которого напряжение на тиристоре
уменьшается до 0,1 от первоначального значения. Сумма этих времен составляет
время включения tвкл. Для обеспечения малого времени включения и малых потерь
при включении ток управляющего электрода должен обладать значительной
скоростью нарастания
.
Процесс выключения
GTO-тиристора более
длителен чем у простого
тиристора. На первой стадии
t1 ток тиристора спадает до
0,1-0,2 от своего
превоначального значения.
На второй стадии t2
происходит достаточно
медленное уменьшение тока.
Время затягивания процесса
выключения (время "хвоста")
обычно больше времени
спада и его необходимо
учитывать. Отрицательный
ток управляющего электрода,
выключающий тиристор,
должен иметь значительную
52
Рис. 46. Диаграммы переключения GTO-тиристора
скорость нарастания

Подобно выпрямительным ди одам тиристоры являются хоро шо

отработанными приборами и будут продолжать непрерывно совершенствоваться
и развиваться. Однако определяющее значение тиристоров, доминиро вавших в 60-
80-х годах прошлого столетия, будет медленно уменьшаться. Оптотиристоры
(LTT), запираемые тиристоры ( GТО) и коммутируемые по зат вору запираемые
тиристоры (GCT, IGCT) являются производ ными тиристорных технологий и
находят применение в мегаваттном диапазоне мощностей. В настоящее время для
LTT достигнуты предельные параметры 8 кВ / 4 кА, для GCT — 4,5 кВ. К 2006 г.
планируется производ ство GCT на 8 кВ, к 2011 г. — на 10 кВ. Будет развиваться и
совершенствоваться технология IGCT — объединение на одной пластине GCT с
обратным диодом в таблеточных корпусах с плавающими прижимными кон -
тактами, конструктивно объеди ненных с платой управления (драйвером). В
будущем класс тиристоров все же будет частич но заменен и возможно полно стью
вытеснен высоковольтны ми IGBT. Тиристоры в комбина ции с MOSFET
структурами, такие как МСТ, МТО и EST, все же не нашли широкого применения.
Их будущее зависит от разви тия технологий, подобных тех нологии прямого
сращивания пластин ( wafer bonding). В настоящее время они нашли час тичное
применение в схемах с мягкой коммутацией.

4. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ

4.1. Классификация усилителей

Усилителем называют устройство,

предназначенное для увеличения параметров
электрического сигнала (напряжения, тока,
мощности). Усилитель (рис. 47) имеет входную цепь,
к которой подключается усиливаемый сигнал, и
выходную цепь, с которой выходной сигнал
Рис. 47. Усилитель снимается.
электрического сигнала
Основными параметрами усилителя считаются:
коэффициент усиления по напряжению К U =
U в ы х /U в х , коэффициент усиления по току К I = I в ы х /I в х , и коэффициент
усиления по мощности

.
Все усилители можно разделить на два класса: с линейным режимом
работы и с нелинейным режимом работы.
К усилителям с линейным режимом работы предъявляются требования
минимальных искажений, вносимых усилителем в выходной сигнал. Это
достигается путем пропорциональной передачи усилителем мгновенных значений
входных напряжения или тока.
Важнейшим показателем усилителей с линейным режимом работы является
амплитудно-частотная характеристика (АЧХ), отражающая зависимость
модуля коэффициента усиления |K U |, определенного для синусоидального входного
сигнала, от частоты. В зависимости от вида АЧХ усилители с линейным режимом
работы подразделяют (рис. 48) на усилители постоянного тока (УПТ),
53
усилители низкой (звуковой) частоты (УНЧ), усилители высокой
частоты (УВЧ), широкополосные усилители (ШПУ) и узкополосные
усилители (УПУ).

Рис. 48. Классификация усилителей

Отличительная особенность усилителей постоянного тока - это возможность

усиливать сигналы с частотой, равной нулю, т.е. постоянный ток. Верхняя граница
частоты усиливаемых сигналов в зависимости от назначения УПТ может быть
достаточно высокой – до 108 Гц. Одно из применений УПТ – усилители входного
сигнала в осциллографах. УНЧ характеризуются частотным диапазоном 20 Гц-20
кГц и применяются в усилителях звуковых сигналов. УВЧ имеют полосу
пропускания от десятков килогерц до десятков и сотен мегагерц. Основное
применение – радиоприемные и радиопередающие устройства. ШПУ имеют
нижнюю граничную частоту примерно как у УНЧ, а верхнюю – как у УВЧ. На
основе ШПУ выполняют линейные импульсные усилители и видеоусилители в
телевизионной технике. УПУ характеризуются пропусканием узкой полосы частот.
Применяются в усилителях промежуточной частоты радио- и телеприемников.
В усилителях с нелинейным режимом работы пропорциональность в
передаче мгновенных значений входного сигнала отсутствует. Такие усилители
используются для преобразования сигналов по форме, а также для усиления
импульсов.

4.2. Усилительные каскады на биполярных транзисторах

Усилители, как правило, выполняют из нескольких каскадов,

осуществляющих последовательное усиление сигнала. В зависимости от
выполняемых функций усилительные каскады разделяют на каскады
предварительного усиления и выходные каскады. Каскады предварительного
усиления предназначены для повышения уровня сигнала по напряжению, а
выходные каскады – для получения требуемых тока или мощности сигнала в
нагрузке.
Принцип построения каскада усиления по напряжению показан на рис. 49.
Основными элементами каскада являются управляемый элемент УЭ, функцию
54
которого выполняет биполярный или полевой транзистор, и резистор R. Совместно с
источником питания Е эти элементы образуют выходную цепь каскада .
Усиливаемый сигнал uвх, принятый для простоты синусоидальным, подается на вход
УЭ. Выходной сигнал напряжения снимается с выхода УЭ или с резистора R.
Выходное напряжение создается за счет падения напряжения на резисторе R
при протекании по нему выходного тока усилительного элемента УЭ. Поскольку ток
УЭ изменяется по закону, заданному входным напряжением, то и падение

Рис. 49. Структурная схема (а) и временные диаграммы (б)

усилительного каскада

напряжения на резисторе R изменяется во времени по такому же закону. В

соответствии со структурной схемой рис. 49, а закон изменения выходного
напряжения определяется выражением
uвых = E – i(uвх)R,
где второе слагаемое определяет переменную составляющую выходного сигнала.
Процесс усиления основывается на преобразовании энергии
источника постоянного напряжения Е в энергию переменного
напряжения в выходной цепи за счет изменения тока УЭ по закону,
задаваемому входным сигналом.
Следует особо подчеркнуть назначение резистора R в структурной схеме
каскада рис. 49, а. Оно состоит в преобразовании источника тока, каковым является
выходная цепь и биполярного и полевого транзисторов, в источник напряжения с
внутренним сопротивлением R. Строго говоря, выходное сопротивление каскада
равно сопротивлению параллельно соединенных резистора R и выходного
сопротивления УЭ. Однако выходное сопротивление транзисторов очень велико
(выполняется условие rУЭ  R), поэтому практически не оказывает влияния на
выходное сопротивление каскада.
Ток выходной цепи является однонаправленным, поэтому для обеспечения
работы усилительного каскада при переменном входном сигнале в его
выходной цепи должны быть созданы постоянные составляющие тока I 0
и напряжения U 0 (рис. 49, б). Эту задачу решают путем подачи во входную цепь
каскада кроме переменного усиливаемого сигнала соответствующего постоянного
напряжения U0вх (рис. 49, а), или постоянного входного тока I0вх.
Постоянные составляющие тока и напряжения определяют так называемый
режим покоя усилительного каскада. Параметры режима покоя во входной цепи

55
(U0вх и I0вх) и в выходной цепи (U0 и I0) характеризуют состояние схемы в отсутствие
входного сигнала.
Показатели усилительных каскадов зависят от способа включения
транзистора, выполняющего роль управляемого элемента. В связи с этим анализ
усилительных каскадов на биполярных транзисторах проводится для трех способов
включения: с общим эмиттером ОЭ, общим коллектором ОК и общей
базой ОБ.

4.2.1. Усилительный каскад ОЭ

Особенности
усилительных каскадов ОЭ
рассмотрим на примере схемы
рис. 50, получившей наибольшее
распространение при реализации
каскада на дискретных
компонентах.
Основными элементами
схемы являются источник
питания Ек, управляемый
элемент – транзистор VT и
резистор Rк. Эти элементы
Рис. 50. Схема усилительного каскада ОЭ образуют главную цепь
усилительного каскада, в
которой за счет протекания
коллекторного тока,
управляемого по цепи базы, создается усиленное переменное напряжение на выходе
схемы.
Резисторы R1, R2 используются для задания режима покоя каскада. Резистор
R1 предназначен для создания цепи протекания тока базы покоя I0б, который
определяет величину тока покоя коллектора
I0к = I0б + Iко
где тепловой ток Iко, который при нормальной (комнатной) температуре можно не
учитывать ввиду его малости. Резистор R2 совместно с резистором R1 обеспечивает
исходное напряжение на базе UR2 относительно общего провода" (зажима "-"
источника питания).
Резистор Rэ осуществляет отрицательную обратную связь по току и
предназначен для стабилизации режима покоя при изменении температуры.
Конденсатор Сэ шунтирует резистор Rэ по переменному току, исключая тем самым
проявление отрицательной обратной связи по переменному току и соответсвующее
уменьшение коэффициентов усиления каскада.
Проявление стабилизирующего действия сопротивления Rэ на ток I0к можно
показать на схеме рис. 50. Допустим под влиянием температуры увеличился ток I0к
из-за увеличения тока Iко. В такой же степени увеличится и ток эмиттера I0э = I0к +
I0б и напряжение URэ = I0эRэ на сопротивлении Rэ. Напряжение UR2 можно считать
постоянным, так как при проектировании каскада выбирается ток делителя Iд на
порядок больше тока базы покоя транзистора Iд  10 I0б. Поэтому напряжение покоя
56
эмиттер-база транзистора уменьшается U0эб = UR2 - URэ. В соответствии со входной
характеристикой транзистора уменьшается и ток базы I0б, вызывая уменьшение тока
покоя коллектора I0к, чем создается препятствие наметившемуся увеличению тока
I0к.
Анализ и расчет каскада по постоянному току проводят графо-
аналитическим методом, основанным на использовании входных и выходных
характеристик транзистора (рис. 51). Тип транзистора выбирают с учетом
частотного диапазона работы каскада (по частоте f или f), а также параметров по
току, напряжению и мощности. Максимально допустимый ток коллектора
транзистора Iк доп должен быть больше наибольшего мгновенного значения тока
коллектора в каскаде, т.е.
Ik max = I0k + Ikm  Iк доп .
По напряжению транзистор выбирают из соотношения
Uкэ доп  Ек.
Мощность Рк = U0кI0k, рассеиваемая на коллекторном переходе, должна быть
меньше максимально допустимой мощности Рк доп транзистора.
В качестве исходных данных для расчета выбирают, как правило напряжение
источника питания Ек, параметры точки покоя I0к, U0кэ (координаты точки П на рис.
51, б – они могут определяться непосредственно по характеристикам),
сопротивление нагрузки Rн, коэффициент усиления транзистора  и нижнюю
граничную частоту fн усиливаемого сигнала. При выполнении расчетов используют
некоторые допущения, используемые в практике применения каскадов ОЭ.
Считается, что для хорошей температурной стабилизации точки покоя следует
выбирать URэ = 0,2 Ек,
На выходных характеристиках транзистора рис. 51, б проводят линию
нагрузки по постоянному току, представляющую собой геометрическое место точек,
координаты которых Iк и Uкэ соответствуют возможным значениям точки покоя
каскада. Для построения линии нагрузки по постоянному току достаточно двух
точек, так как она представляет собой прямую линию (линейное сопротивление R
связывает между собой ток и напряжение каскада).
Первую точку найдем, создав режим "холостого хода", т.е., положив Iк = 0.
Тогда напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ будет равно
напряжению источника питания Ек, так как падение напряжения на Rк равно нулю.
Точка находится на оси абсцисс с напряжением Ек.
Вторую точку найдем, создав режим короткого замыкания, положив Uкэ = 0.
При этом ток коллектора транзистора должен быть равен Iк = Ек/(Rк+Rэ). Отложив
это значение тока на оси ординат, получим вторую точку.
Линия, соединяющая первую и вторую точки, является линией нагрузки по
постоянному току. Аналитическое уравнение линии нагрузки по постоянному току
имеет вид
Uкэ = Ек – Iк(Rк+Rэ).
На этой линии находится точка покоя П (рис. 51, б), которой соответствует
точка покоя П на входной характеристике (рис. 51, а). Величина тока I0б,
соответствующего этой точке находится из очевидного соотношения I0б = I0к/ (или
определяется из семейства выходных характеристик).

57
 Рис. 51. Графический анализ режима работы каскада ОЭ на входной (а) и выходной (б)
характеристиках транзистора

Резисторы R1, R2, обеспечивающие ток покоя базы, найдем, используя принимаемое
из практических соображений допущение Iд  10I0б.
Величины емкостей конденсаторов С1 и С2 выбирают с таким расчетом,
чтобы их реактивное сопротивление не вносило затухания в полезный сигнал,
проходящий через них соответственно от источника сигнала на вход каскада и с
выхода каскада к нагрузке.
При определении переменных составляющих выходного напряжения каскада
и коллекторного тока используют линию нагрузки каскада по переменному
току. При этом надо учесть, что сопротивление Rэ зашунтировано конденсатором
Сэ, сопротивление которого переменному току практически равно нулю, так же как
и сопротивление конденсатора С2, соединяющее нагрузку Rн с коллектором. Если к
тому же учесть, что сопротивление источника питания Ек переменному току также
близко к нулю, то окажется, что сопротивление каскада по переменному току
определяется сопротивлениями Rк и Rн, включенными параллельно, т.е.
Rн = Rк || Rн
меньше, чем сопротивление каскада постоянному току, равному Rн- = Rк + Rэ.
Линия нагрузки по переменному току обязательно должна пройти
через точку покоя П. Это можно объяснить так: если постепенно уменьшать
амплитуду переменного входного сигнала, то в конце концов мы окажемся в точке
покоя П (рис. 51, б). Вторую точку линии нагрузки по переменному току можно
найти, задав приращение тока коллектора ∆Iк и определив соответствующее ему
приращение напряжения коллектор-эмиттер
∆Uкэ = ∆Iк Rн..
Для того, чтобы эта точка находилась на оси абсцисс, нужно взять ∆Iк = I0к
(см. рис. 51, б). Линия, проведенная через найденные две точки является линией
нагрузки каскада по переменному току.

58
 При поступлении на вход каскада переменного напряжения uвх в базовой цепи
транзистора создается переменная составляющая тока базы iб, связанная с
напряжением uвх входной характеристикой (рис. 51, а). Так как ток коллектора
связан с током базы пропорциональной зависимостью iк = Iб, то в коллекторной
цепи транзистора создаются переменная составляющая тока коллектора iк (рис. 51,
б) и переменное выходное напряжение uвых, связанное с током iк линией нагрузки по
переменному току. Линия нагрузки по переменному току показывает как
перемещается рабочая точка (i к ,u к ) при изменении мгновенных значений
переменного коллекторного тока.
Таким образом, расчет каскада по постоянному току решает задачу выбора
элементов схемы для получения в нагрузке необходимых параметров выходного
сигнала.
Важными показателями каскада являются его коэффициенты усиления по
току KI, напряжению KU, мощности KP, а также входное Rвх и выходное Rвых
сопротивления. Эти показатели определяются путем расчета усилительного
каскада по переменному току .
Расчет каскада производится в области средних частот, в которой зависимость
параметров от частоты не учитывается, а сопротивления конденсаторов в схеме рис.
50 равны нулю. По переменному току сопротивление источника питания
равно нулю, поэтому верхние концы резисторов R1 и R2 считаются связанными с
выводом эмиттера. Входной сигнал считается синусоидальным. Токи и напряжения
в схеме оцениваются их действующими значениями.
Входное сопротивление каскада Rвх равно сопротивлению параллельно
соединенных резисторов R1, R2 и сопротивления rвх = h11э входной цепи (rэб)
транзистора.
Rвх = R1|| R2|| rвх.
Входное сопротивление транзистора r в х определяется по входной
характеристике транзистора рис. 43, а как дифференциальное сопротивление rэб
транзистора в точке покоя П при токе базы, равном I0б. Способ определения
сопротивления показан на рис. 34, б, формула для вычисления (13, а).
Выходное сопротивление каскада определяют относительно его
выходных зажимов
Rвых = Rк|| rк (э),
где выходное (коллекторное) сопротивление транзистора rк (э) = 1/h22э  Rк, поэтому
можно считать, что Rвых = Rк.
Коэффициент усиления каскада по току равен отношению тока
нагрузки к входному току KI = Iн/ Iвх. Выразим ток Iн через Iвх. Для этого вначале
определим ток базы транзистора Iб через Iвх
Iб = IвхRвх/rвх.
Ток нагрузки Iн связан с током коллектора транзистора Iк соотношением
Iн = Iк Rн/ Rн.
Учитывая связь между токами коллектора и базы транзистора Iк = Iб, найдем
Iн = ( IвхRвх/rвх)Rн/ Rн.
Из (17) видно, что KI пропорционален коэффициенту усиления транзистора 
и зависит от шунтирующего действия входного делителя на резисторах R1, R2 и
соотношения сопротивлений Rк и Rн.

59
 Коэффициент усиления каскада по напряжению KU = Uвых/Uвх можно
найти, выразив входные и выходные напряжения через входные и выходные токи и
входные и выходные сопротивления
Коэффициент усиления по мощности KP = KU KI в схеме ОЭ составляет
(0,25) 103.

4.2.2. Усилительный каскад ОК (эмиттерный повторитель)

На рис. 52 приведена схема усилительного каскада ОК. Ее называют каскадом

ОК, так как коллекторный вывод транзистора по переменному току является общим
для входной и выходной цепей каскада. Эмиттерным повторителем схему называют
вследствие того, что ее выходное напряжение, снимаемое с эмиттера транзистора,
близко по величине входному напряжению (uн = uвх+ uэб  uвх) и совпадает с ним по
фазе.
Резистор Rэ в схеме
выполняет ту же функцию, что и
резистор Rк в схеме ОЭ, -
создание изменяющегося
напряжения в выходной цепи, за
счет протекания в ней тока,
управляемого по цепи базы.
Конденсатор С2 отсекает
постоянную составляющую
напряжения, выделяемого на
сопротивлении Rэ. Резисторы R1
и R2 предназначены для задания
режима покоя каскада. Для
Рис. 52. Схема усилительного каскада ОК
повышения входного
сопротивления каскада резистор
R2 в схему часто не вводят. Расчет каскада по постоянному току проводят по
аналогии со схемой ОЭ.
Входное сопротивление каскада ОК определяется сопротивлением
параллельно соединенных резисторов R1, R2 и сопротивлением входной цепи
транзистора rвх:
Rвх = R1|| R2|| rвх.
Для определения rвх выразим напряжение Uвх через ток базы Iб:
Uвх = h11эIб + (Rэ||Rн)Iэ = Iб[h11э+ (+1) (Rэ||Rн)].
Поделив Uвх на Iб, получим входное сопротивление входной цепи транзистора
rвх = h11э+ (+1) (Rэ||Rн).
Таким образом, входное сопротивление каскада ОК без учета шунтирующего
сопротивления коллекторной цепи транзистора Rк (которое обычно достаточно
велико) равно
Rвх = R1|| R2|| [h11э+ (+1) (Rэ||Rн)]. (18)
Анализируя выражение (18), можно видеть, что при выборе высокоомного
входного делителя R1|| R2 входное сопротивление каскада ОК получается достаточно
большим даже при низкоомной нагрузке Rн. Так при  = 50 и Rэ||Rн = 1 кОм входное
сопротивление Rвх = 51 кОм.
60
 Высокое входное сопротивление определяет область применения
каскада ОК: согласующее звено между маломощным источником
сигнала с высоким внутренним сопротивлением и низкоомным
приемником сигнала.
Выходное сопротивление каскада ОК представляет собой сопротивление
схемы со стороны эмиттера и определяется соотношением
Rвых = Rэ|| [(h11э+ RГ|| R1|| R2)/(+1)].
Выходное сопротивление каскада мало (10-50) Ом. Это свойство используют
для согласования выходной цепи усилителя с низкоомным сопротивлением
нагрузки (выходные каскады усилителей).
Коэффициент усиления по току определяется так же, как и в схеме ОЭ,
выражением, аналогичным выражению (17) с учетом отличий входных и выходных
сопротивлений и параметра h21к = (+1)
Коэффициент усиления по напряжению KU  1 и в пределе стремится к
единице. Это свойство каскада используют, когда необходимо повысить мощность
сигнала при сохранении величины напряжения.
Коэффициент усиления по мощности можно считать равным KI, так как
KU  1.

4.3. Усилительные каскады на полевых транзисторах

Принцип построения усилительных каскадов на полевых транзисторах тот же,

что и каскадов на биполярных транзисторах. Отличительная особенность состоит в
том, что полевой транзистор управляется по входной цепи напряжением,
а не током. Поэтому задание режима покоя в каскадах усиления на полевых
транзисторах осуществляется подачей во входную цепь каскада постоянного
напряжения соответствующей величины и полярности.
Полевые транзисторы, так же как и биполярные имеют три схемы включения.
В соответствии с названиями электродов различают каскады с общим стоком
(ОС), общим истоком (ОИ) и общим затвором (ОЗ). Каскад ОЗ обладает
низким входным сопротивлением, поэтому имеет ограниченное практическое
применение.
Усилительный каскад ОИ. Схема усилительного каскада ОИ приведена на
рис. 53. Каскад выполнен на МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа.
Основными элементами каскада являются источник питания Ес, транзистор VT и
резистор Rc. Нагрузка подключена к стоку транзистора через развязывающий
конденсатор С2. Остальные элементы выполняют вспомогательную роль. Элементы
R1, R2, предназначены для задания U0зи
в режиме покоя. Резистор Rи
предназначен для создания
отрицательной обратной связи по
постоянному току с целью
стабилизации режима покоя при
изменении температуры и разбросе
параметров транзистора. Конденсатор
Си предназначен для исключения
отрицательной обратной связи по

Рис. 53. Схема усилительного каскада ОИ 61

переменному току. Конденсатор С1 обеспечивает связь каскада с источником
входного сигнала по переменному напряжению.
Режим покоя каскада выбирается так же как и в схеме на биполярном
транзисторе. Ток стока покоя I0c и напряжение сток-исток покоя U0си связаны
соотношением
U0си = Ес - I0c(Rс+ Rи)
и определяются напряжением затвор-исток транзистора U0зи, соответствующем
точке покоя.
Полевой транзистор со встроенным каналом может работать как при
отрицательном так и при положительном напряжении на затворе относительно
истока.
Рассмотрим случай, когда U0зи < 0. Он является типичным также и для каскада
ОИ на полевом транзисторе с p-n-переходом.
Элементами, предназначенными для создания напряжения U0зи < 0 в режиме
покоя являются только резисторы Ru и R2 (см. рис. 53), резистор R1 не нужен.
Необходимые величины и полярность напряжения получаются на резисторе Ru в
результате протекания через него тока I0u = I0с. В связи с этим выбор Ru производят
по формуле
Ru = U0зи/ I0с.
Резистор R2 предназначен для обеспечения потенциала затвора, равным
потенциалу нижнего вывода резистора Ru , т.е. для подачи напряжения URu с
резистора Ru между затвором и истоком транзистора. Сопротивление резистора R2
выбирают на несколько порядков меньше входного сопротивления транзистора для
исключения влияния температурной нестабильности и разброса значения входного
сопротивления транзисторов на величину входного сопротивления каскада.
Значение сопротивления резистора R2 принимают равным 1 – 2 МОм.
С целью повышения стабильности режима каскада по постоянному току часто
идут на увеличение Rи сверх значения, требуемого для обеспечения напряжения U0зи.
Требуемая при этом компенсация избыточного напряжения URu осуществляется
подачей на затвор соответствующего напряжения U0з путем включения в схему
резистора R1. Из условия указанной компенсации получается соотношение для
расчета сопротивления резистора R1:
U0зи = URu - U0з = I0сRu - ЕсR2/(R2+ R1), (19)
R1 = ЕсR2/(URu - U0зи) - R2. (20)
Величину URи так же, как и в каскаде ОЭ, выбирают в диапазоне (0,1 – 0,3)Ес.
При U0зи > 0 необходимость включения резистора Rи связана с требованием
стабилизации режима покоя. Выбор элементов производится с использованием
соотношений (19) и (20), в которых необходимо изменить знак перед U0зи. Режим
U0зи > 0 является типичным для МДП-транзисторов с индуцированным каналом.
Выбор типа транзистора производят с учетом максимального тока стока Ic max,
максимального напряжения Uси max и максимальной рассеиваемой мощности в
транзисторе Рр max. Возможные значения сопротивления Rс выбирают из диапазона:
Rс = (0,05 – 0,15)ri, где ri – внутреннее сопротивление транзистора.
Коэффициент усиления каскада по напряжению
KU = Uвых/Uвх = SUвх(ri|| Rн~)/ Uвх = S(ri|| Rн~) = SriRн~/( ri+ Rн~).

62
 Произведение Sri называют статическим коэффициентом усиления μ
полевого транзистора. С учетом этого формулу коэффициента усиления можно
записать в виде
KU = μ Rн~/( ri+ Rн~).
В случае, когда схема ОИ является каскадом предварительного усиления в
многокаскадном усилителе, Rн~ = Rс||Rвх  Rс. Если учесть к тому же, что Rс ri, то
коэффициент усиления каскада по напряжению можно рассчитывать по формуле
KU = SRс.
Входное сопротивление каскада ОИ равно сопротивлению параллельно
соединенных резисторов R1 и R2
Rвх = R1||R2.
Выходное сопротивление каскада ОИ равно
Rвых = Rс|| ri  Rс.
При переходе в область высоких частот необходимо учитывать
межэлектродные емкости транзистора, а также емкости монтажа.

4.4. Многокаскадные усилители

При усилении малых входных сигналов может оказаться, что одного

усилительного каскада недостаточно для получения нужного коэффициента
усиления. В этом случае соединяют последовательно несколько отдельных
каскадов. Выходной сигнал каждого предыдущего каскада является входным для
последующего каскада. Поэтому коэффициент усиления многокаскадного усилителя
равен произведению коэффициентов усиления всех входящих в него каскадов
KU = KU1 KU2… KUN.
Входное и выходное сопротивление усилителя определяются соответственно
входным и выходным каскадами.
Связь каскадов в многокаскадном усилителе может осуществляться с
помошью конденсаторов, трансформаторов или непосредственно (гальваническая
связь). В соответствии с этим различают усилители с конденсаторной,
трансформаторной и непосредственной (гальванической) связью.
Для многокаскадных усилителей важными показателями являются
амплитудно-частотная, фазо-частотная и амплитудная
характеристики. Вид этих характеристик зависит от типа связи, применяемого в
многокаскадном усилителе. Наиболее общим является пример усилителя с
емкостной связью, который и будет предметом дальнейшего рассмотрения.

4.5. Амплитудно-частотная и фазо-частотная характеристики

усилителя

63
 В многокаскадных усилителях с емкостной связью выходной сигнал
предыдущего каскада (например, Uвых1 на рис. 54, в) поступает во входную цепь
последующего каскада через делитель напряжения: разделительный конденсатор Ср2
– входное сопротивление Rвх2 (см. рис. 54, в). Для средних частот сопротивление
конденсатора Ср2 можно считать равным нулю, т.е. сигнал от предыдущего каскада
передается к следующему без ослабления и общий коэффициент усиления
усилителя KU0 равен произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов.

Рис. 54. Общий вид амплитудно-частотной характеристики многокаскадного

усилителя с конденсаторной связью (а), влияние конденсаторов связи на
амплитудно-частотную характеристику в области низких частот (б), цепь для
расчета коэффициента частотных искажений (в)

По мере снижения частоты реактивные сопротивления разделительных

конденсаторов Ср = 1/С увеличиваются и напряжения сигнала, поступающие на
последующие каскады с делителей Ср - Rвх уменьшаются. Общий коэффициент
усиления многокаскадного усилителя уменьшается (рис. 54, а). Частота, при которой
модуль коэффициента усиления снижается в 2 раз, считается нижней граничной
частотой f н усилителя звуковых частот. Влияние величины емкости
разделительного конденсатора на нижнюю граничную частоту и, как следствие, на
ширину полосы пропускания усилителя показано на рис. 54, б.
В области высоких частот факторами, влияющими на модуль
коэффициента усиления, являются зависимость коэффициентов усиления
транзисторов от частоты, наличие межэлектродных емкостей транзисторов и
емкости монтажа усилителей. Для усилителей звуковых частот верхней граничной
частотой f в считается частота, на которой модуль коэффициента усиления
снижается в 2 раз.
Диапазон усиливаемых частот усилителя оценивается показателем, который
получил название полоса пропускания f п = f в - f н (см. рис. 54, а).
Уменьшение модуля коэффициента усиления в области низких и высоких
частот оцениваются коэффициентами частотных искажений
Мн = KU0/ |KUн|; Мв = KU0/ |KUв|,
где |KUн| и |KUв| – модули коэффициентов усиления соответственно на нижней и
верхней граничных частотах усилителя, которые представляют собой произведения
коэффициентов частотных искажений, вносимых каждым каскадом
Мн = Мн1Мн2… МнN; Мв = Мв1Мв2… МвN.
Коэффициент частотных искажений в области низких частот рассчитывают
как величину, обратную коэффициенту ослабления делителя, образованного
разделительным конденсатором Ср и входным сопротивлением Rвх каскада (рис. 54,
в)

64
 Коэффициент частотных искажений в области высоких частот можно
рассчитать по формуле
где в =  + к – эквивалентная постоянная времени каскада в области
высоких частот;  = 1/(2f); f - верхняя граничная частота усиления транзистора;
к – определяется параметрами коллекторной (стоковой) цепи каскада.
В общем случае при определении полосы пропускания усилителя учитывают
не только нижнюю f н и верхнюю f в граничные частоты усилителя, но и
коэффициенты частотных искажений Мн и Мв на этих частотах, которые могут
отличаться в зависимости от назначения усилителя.
Наличие конденсаторов в схеме и комплексный характер коэффициента
усиления транзисторов на высоких частотах приводят к появлению фазовых сдвигов
выходного сигнала по отношению ко входному.
С понижением частоты входного сигнала появление фазового сдвига
обусловлено тем, что ток в цепях с конденсаторами опережает по фазе напряжение.
Поэтому фазовый сдвиг в области низких частот имеет опережающий характер, его
угол равен сумме углов фазовых сдвигов, создаваемых всеми конденсаторами в
схеме
н = н1 + н2 +…+ нN.
Угол фазового сдвига можно найти, анализируя схему рис. 54, в
В области высоких частот комплексный характер коэффициента усиления
транзистора и шунтирующее действие межэлектродных емкостей создают
отстающий фазовый сдвиг выходного напряжения относительно входного. Угол
фазового сдвига, создаваемого одним каскадом усиления, можно найти из
соотношения
Для многокаскадного усилителя угол фазового сдвига в области высоких
частот равен сумме углов фазовых сдвигов, создаваемых каскадами
в = в1 + в2 + …+ вN.

4.6. Амплитудная характеристика усилителя

Амплитудная характеристика усилителя – это зависимость амплитуды

выходного напряжения усилителя от изменения амплитуды напряжения на входе.
По этой характеристике судят о пределах изменения входного и выходного сигналов
усилителя. Ее снимают при синусоидальном входном сигнале для области средних
частот. Типичный вид амплитудной характеристики усилителя показан на рис. 55.
Участок 2 – 3 соответствует
пропорциональной зависимости амплитуды
выходного напряжения Uвых m от амплитуды
входного напряжения Uвх m, которые связаны
между собой коэффициентом усиления
KU0 = Uвых m/ Uвх m.
Амплитудная характеристика не
проходит через начало координат из-за
наличия на выходе усилителя собственных
шумов. Участок 1 – 2 амплитудной
Рис. 55. Амплитудная характеристика характеристики не используется, так как
усилителя 65
здесь полезный сигнал трудно отличить от собственных шумов усилителя. По
величине Umin/KU0 оценивают уровень минимальных напряжений входного сигнала
(чувствительность) усилителя.
При достижении некоторого уровня входного сигнала, соответствующего
точке 3, пропорциональность зависимости выходного напряжения от входного
сигнала нарушается. Причиной является ограничение максимального напряжения
одной или обеих полуволн выходного напряжения на неизменном уровне.
Ограничение выходного напряжения обуславливается перемещением рабочей точки
каскада вдоль линии нагрузки по переменному току в область начальных участков
коллекторных характеристик (для одной полуволны), либо в область отсечки
коллекторного тока (для другой полуволны).
Отношение максимально допустимого выходного напряжения к минимально
допустимому называется динамическим диапазоном усилителя
D = Umax/Umin.
При входном напряжении синусоидальной формы сигнал на выходе усилителя
нельзя считать чисто синусоидальным. Искажения формы выходного напряжения,
вносимые усилителем, называют нелинейными. Нелинейные искажения,
создаваемые усилителем, оценивают для синусоидального входного напряжения,
исходя из состава высших гармоник, появляющихся в кривой выходного
напряжения усилителя из-за отличия формы выходного напряжения от
синусоидальной. Мерой оценки служит коэффициент нелинейных искажений
(клирфактор) усилителя, выражаемый в процентах:

4.7. Усилители с обратной связью

Обратная связь осуществляется подачей на вход

усилителя сигнала с его выхода. Структурная схема
усилителя с обратной связью показана на рис. 55. Звено
обратной связи характеризуется коэффициентом
передачи ŵ, показывающим связь параметра
Рис. 55. Структурная схема (напряжения, тока) выходного сигнала этого звена с
усилителя с обратной параметром (напряжением, током) выходной цепи
связью усилителя. Коэффициент усиления усилителя Ķ и
коэффициент передачи цепи обратной связи (ОС) ŵ
показаны на рис. 55 в виде комплексных значений с целью учета возможного
фазового сдвига, возникающего на низких и высоких частотах из-за наличия в схеме
усилителя и в цепи ОС реактивных элементов. Если анализируется работа усилителя
в области средних частот и в цепи ОС отсутствуют реактивные элементы, то можно
использовать действительные значения коэффициентов K и w.
Различают четыре основных вида обратной связи:
- последовательная обратная связь по напряжению;
- последовательная обратная связь по току;
- параллельная обратная связь по напряжению;
- параллельная обратная связь по току.
Обратная связь по напряжению реализуется путем измерения выходного
напряжения и подачей некоторой его части на вход. Обратная связь по току

66
реализуется путем измерения выходного тока и подачей некоторой его части на
вход.
Последовательная обратная связь реализуется путем суммирования на
входе усилителя напряжения входного сигнала и напряжения,
пропорционального выходному напряжению или току. Параллельная обратная
связь реализуется путем суммирования на входе усилителя тока входного сигнала
и тока, пропорционального выходному напряжению или току.
Обратную связь называют положительной, если результат ее воздействия
приводит к увеличению сигнала на входе и, следовательно, на выходе. Если
результат воздействия обратной связи приводит к уменьшению сигнала на входе и
выходе, то обратную связь называют отрицательной. Отрицательная обратная
связь позволяет улучшить некоторые показатели усилителя, поэтому она нашла
наибольшее применение.
Коэффициент усиления усилителя, охваченного обратной связью, в области
средних частот можно определить по формуле
Знак "-" в выражении (21) соответствует положительной обратной связи, а
знак «+» - отрицательной. Таким образом, коэффициент усиления усилителя,
охваченного положительной обратной связью, больше коэффициента усиления
самого усилителя, а коэффициент усиления усилителя, охваченного отрицательной
обратной связью,