Источники вторичного электропитания

В. К. Битюков, Д. С.
Симачков,
В. П. Бабенко
ИСТОЧНИКИ
ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ
Учебник
4-е издание
Москва Вологда
«Инфра-Инженерия»
УДК 621.311.6(075)
ББК 31.252я73
Б66
Битюков, В. К.
Б66 Источники вторичного электропитания : учебник / В. К. Битюков,
Д. С. Симачков, В. П. Бабенко. - 4-е изд. - Москва ; Вологда : Инфра-
Инженерия, 2020. - 376 с.
ISBN 978-5-9729-0471-6
Рассмотрены базовые вопросы физики и схемотехники современных ис

точников вторичного электропитания, включающих выпрямительные устройства,
стабилизаторы напряжения, инверторы тока и напряжения и преобразователи по
стоянного тока. Значительное внимание уделено современной элементной базе,
а также формированию у читателя метрологической культуры и навыков экспе
риментального, аналитического и метрологического исследования характеристик
как отдельных устройств электропитания, так и источника вторичного электропи
тания в целом.
Для студентов, обучающихся по направлениям бакалавриата 11.03.01 «Ра
диотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»,
11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», магистратуры
11.04.01 «Радиотехника» и специалитета 11.05.01 «Радиоэлектронные системы
и комплексы», для углубленного изучения дисциплин «Источники вторичного
электропитания» и «Физические основы преобразовательной техники». Также
учебник будет полезен студентам других технических и инженерно-физических
специальностей при изучении дисциплин «Электропреобразовательные устройства
РЭС», «Промышленная электроника», «Аналоговая схемотехника» и аналогичных.
УДК 621.311.6(075)
ББК31.252я73
ISBN 978-5-9729-0471-6 © В. К. Битюков, Д. С. Симачков, В. П. Бабенко, 2020

© Издательство «Инфра-Инженерия», 2020
© Оформление. Издательство «Инфра-Инженерия», 2020
ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА 1.
КЛАССИФИКАЦИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ИСТОЧНИКОВ
ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ................................................................................. 9
§1.1. Классификация источников вторичного электропитания....................................... 9
§ 1.2. Структурная схема современного источника вторичного электропитания........ 10
§ 1.3. Условные обозначения отечественных полупроводниковых приборов...............15
§ 1.4. Трансформаторы и дроссели..................................................................................... 17
Контрольные вопросы...........................................................................................................30
ГЛАВА 2.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ИСТОЧНИКОВ
ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ............................................................................... 31
§2.1. Нагрузочная характеристика и динамическое сопротивление..............................31
§ 2.2. Передаточная характеристика и коэффициент стабилизации
выходного напряжения по входному напряжению................................................. 35
§ 2.3. Коэффициенты стабилизации стабилизаторов тока источников
вторичного электропитания....................................................................................... 37
§ 2.4. Регулировочная характеристика................................................................................. 40
§ 2.5. Энергетические и эксплуатационные параметры.................................................... 40
§ 2.6. Применение метода наименьших квадратов для обработки
экспериментальных данных....................................................................................... 43
§ 2.7. Методы уменьшения массогабаритпых параметров источников
вторичного электропитания....................................................................................... 51
§ 2.8. Метрологическая культура представления результатов экспериментальных
и расчетных исследований......................................................................................... 56
§ 2.9. Расчет систематических погрешностей измерений................................................. 58
2.9.1. Расчет систематической погрешности аналоговых
измерительных приборов................................................................................ 59
2.9.2. Расчет систематической погрешности цифровых
измерительных приборов............................................................................... 59
2.9.3. Оформление результатов измерений............................................................ 61
Контрольные вопросы............................................................................................................66
ГЛАВА 3.
УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
В ЭНЕРГИЮ ПОСТОЯННОГО ТОКА (AC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)..................... 69
§3.1. Классификация выпрямительных устройств.......................................................... 69
§ 3.2. Неуправляемые выпрямительные устройства........................................................ 72
3.2.1. Структурная схема выпрямительного устройства.......................................74
3.2.2. Типовые схемы построения неуправляемых
выпрямительных устройств......................................................................... 75
3.2.2.1. Работа неуправляемого выпрямительного устройства
на резистивную нагрузку............................................................ 75
ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

на резистивно-емкостную нагрузку......................................... 90
3.2.3. Методы определения угла отсечки............................................................. 103
3.2.4. Работа неуправляемого выпрямителя на резистивно-индуктивную
нагрузку...........................................................................................................114
§ 3.3. Умножители напряжения.......................................................................................... 121
§ 3.4. Сглаживающие фильтры........................................................................................... 128
§ 3.5. Управляемые выпрямители...................................................................................... 129
3.5.1. Работа управляемого выпрямителя на резистивную нагрузку................ 132
3.5.2. Работа управляемого выпрямителя
на резистивно-индуктивную нагрузку....................................................... 138
3.5.3. Коммутация тока в управляемых выпрямительных устройствах........... 144
3.5.4. Исследование формы токов тринисторов в процессе коммутации
их токов...........................................................................................................151
§ 3.6. Управляемые выпрямители с вольтодобавкой...................................................... 154
Контрольные вопросы..........................................................................................................173
ГЛАВА 4.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА
(DC/DC-11РЕОБРАЗОВАТЕЛИ)......................................................................................... 175
§4.1. Классификация стабилизаторов напряжения и тока............................................. 175
§ 4.2. Физика и схемотехника параметрических стабилизаторов напряжения
и тока............................................................................................................................ 177
4.2.1. Вольт-амперная характеристика стабилитронов.......................................177
4.2.2. Параметрические стабилизаторы напряжения постоянного тока,
построенные по схеме делителя напряжения............................................ 184
4.2.3. Параметрические стабилизаторы тока........................................................ 191
4.2.4. Параметрические стабилизаторы напряжения постоянного тока,
построенные по мостовой схеме................................................................. 197
§ 4.3. Стабилитронные интегральные микросхемы......................................................... 201
Контрольные вопросы......................................................................................................... 202
ГЛАВА 5.
КОМПЕНСАЦИОННЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ ПОСТОЯННОГО
ТОКА С НЕПРЕРЫВНЫМ РЕГУЛИРОВАНИЕМ
(DC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)........................................................................................204
§5.1. Элементная база стабилизаторов напряжения и тока......................................... 204
5.1.1. Биполярные транзисторы............................................................................. 207
5.1.2. Полевые транзисторы....................................................................................222
5.1.3. Комбинированные биполярно-полевые транзисторы IGBT..................... 243
§ 5.2. Схемотехника компенсационных стабилизаторов напряжения
постоянного тока с непрерывным регулированием............................................. 252
§ 5.3. Аналитический вывод соотношений для определения основных
параметров стабилизаторов......................................................................................263
§ 5.4. Схемотехника компенсационных стабилизаторов тока
с непрерывным регулированием............................................................................. 266
§ 5.5. Интегральные стабилизаторы с непрерывным регулированием........................ 268
§ 5.6. Пример использования схемотехнических особенностей
при разработке линейных стабилизаторов напряжения постоянного тока..... 276
ГЛАВА 6.
УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
В ЭНЕРГИЮ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА (DC/АС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)....................282
§6.1. Силовая часть инверторов......................................................................................... 283
§ 6.2. Автономные инверторы с самовозбуждением....................................................... 286
6.2.1. Принцип действия..........................................................................................287
6.2.2. Вывод формулы для определения частоты коммутации......................... 292
6.2.3. Запускающие цепочки.................................................................................. 295
§ 6.3. Автономные инверторы тока и напряжения.......................................................... 299
ГЛАВА 7.
ИМПУЛЬСНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
(DC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)......................................................................................... 309
§7.1. Преобразователи постоянного тока с гальванической развязкой входа
и выхода..................................................................................................................... 310
7.1.1. Прямоходовые DC/DC-преобразователи....................................................311
7.1.2. Обратноходовые DC/DC-преобразователи.................................................316
§ 7.2. Преобразователи постоянного тока с гальванической связью входа
и выхода..................................................................................................................... 320
7.2.1. КСП с ИР, силовая часть которого построена
по схеме понижающего типа...................................................................... 323
7.2.2. КСН с ИР, силовая часть которого построена
по схеме повышающего типа...................................................................... 334
по схеме полярно-инвертирующего типа...................................................339
7.2.4. DC/DC-преобразователи повышающе-понижающего типа..................... 343
7.2.4.1. DC/DC-преобразователи по топологии SEPIC......................... 343
7.2.4.2. DC/DC-преобразователи по топологии с накачкой заряда.... 346
§ 7.3. Принципиальная электрическая схема компенсационного стабилизатора
напряжения постоянного тока с импульсным регулированием....................... 352
Контрольные вопросы........................................................................................................355
ГЛАВА 8.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ В СЕТЕВЫХ ИСТОЧНИКАХ
ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ............................................................................. 358
§8.1. Обобщенная схема сетевого бестрансформаторного источника
вторичного питания................................................................................................... 358
§ 8.2. Распределенная система электропитания............................................................... 362
§ 8.3. Сетевой адаптер для зарядки телефонов................................................................ 364
§ 8.4. Сетевой адаптер на микросхеме LNK362P............................................................ 366
§ 8.5. Бссгрансформаторныс AC/DC ROHM.................................................................... 369
ЗАКЛЮЧЕНИЕ........................................................................................................................ 372
ЛИТЕРАТУРА.......................................................................................................................... 373
ВВЕДЕНИЕ
Неотъемлемой частью современных наукоемких радиоэлектронных

средств (РЭС), к которым относятся радиотехнические, компьютерные,
телекоммуникационные, технологические и другие технические системы,
являются источники энергии.
Источники энергии РЭС делятся на первичные (ПИЭ) и вторичные
(ИВЭ).
ПИЭ преобразуют неэлектрические виды энергии (механическую,
тепловую, ядерную, химическую, солнечной радиации, приливов и т. д.)
в электрическую. К ПИЭ относятся генераторы, фотоэлектрические пре
образователи, фотоэмиссионные преобразователи, термоэлектрические
генераторы, химические источники тока (батареи, аккумуляторы), ядер-
ные преобразователи и т. д.
ИВЭ выполняют преобразование электрической энергии одного ро
да тока в электрическую энергию того же или другого рода тока требуе
мых параметров и качества.
В настоящем учебнике рассмотрены только источники вторичного
электропитания.
Значимость ИВЭ подтверждается тем, что итоговой функцией лю
бой технической системы является преобразование энергии источника
вторичного электропитания в энергию выходного сигнала.
Конструктивно ИВЭ представляют собой совокупность различных
преобразователей электрической энергии, выполняющих соответствую
щие операции: выпрямление, фильтрацию, инвертирование, стабилиза
цию, защиту, управление, сигнализацию и так далее. Улучшение тактико
технических характеристик ИВЭ, в том числе снижение их массогабарит
ных параметров, достигается решением комплекса проблем. Например,
выбором принципа действия, структуры построения, схемы реализации,
режима работы, элементной базы и конструкции. Основная тенденция со
вершенствования современных ИВЭ заключается в растущем использо
вании импульсного режима силовых транзисторов. Это в значительной
степени позволяет уменьшить массогабаритные параметры ИВЭ и повы
сить их КПД.
В середине последнего десятилетия XX века на рынке интеграль
ных электрорадиоэлементов (ЭРЭ), применяемых в источниках вторично
го электропитания, произошла революция: начался их массовый выпуск.
К таким компонентам относятся управляемые полупроводниковые си
ловые ключи (на базе транзисторов MOSFET и IGBT), импульсные дио
ды с малым временем обратного восстановления, драйверы управления
электронными ключами, компоненты защиты от перенапряжений, микро
схемы преобразователей и стабилизаторов, в том числе комбинированные
микросхемы для построения ИВЭ. Силовые MOSFET и IGBT — одни из
самых востребованных в настоящее время ключевых электрорадиоэле
ментов, частота преобразования которых достигает ~4МГц. К сожале
нию, впечатляющих эффектов в уменьшении массы и габаритов статиче
ских электромагнитных устройств (дросселей и трансформаторов)
до настоящего времени не достигнуто. Широкая номенклатура современ
ной элементной базы при ее доступности позволяет применять модуль
ный принцип к проектированию стандартных ИВЭ. Ситуация значитель
но усложняется при стремлении получить ИВЭ с высокими тактико
техническими показателями.
ИВЭ в значительной степени определяют эксплуатационные, мас
согабаритные и энергетические показатели всей системы, а также надеж
ность ее функционирования на всех этапах жизненного цикла. Это обу
словливает необходимость строгого подхода к разработке, проектирова
нию, реализации и утилизации источников вторичного электропитания.
В учебнике рассмотрены основные вопросы схемотехники управля
емых и неуправляемых выпрямителей, параметрических, линейных и им
пульсных стабилизаторов, инверторов и преобразователей постоянного
тока, являющихся составными устройствами ИВЭ. Значительное внима
ние уделено современной элементной базе источников вторичного элек
тропитания, формированию у читателя метрологической культуры, мето
дических навыков и умений экспериментального, аналитического и мет
рологического исследования основных характеристик и параметров как
отдельных устройств электропитания, так и источника вторичного элек
тропитания в целом. Изложение материала построено так, чтобы у чита
теля уже на студенческой скамье формировался профессиональный под
ход к разработке радиоэлектронных устройств, работающих в составе со
ответствующих наукоемких технических систем и комплексов.
В учебнике представлены материалы, используемые авторами
в ходе педагогической деятельности в МИРЭА - Российском технологиче
ском университете (РТУ МИРЭА) при преподавании дисциплин «Источ
ники вторичного электропитания», «Электропреобразовательные устрой
ства радиоэлектронных средств», «Физические основы преобразователь
ной техники», «Энергообеспечение радиотехнических систем» и близких
к ним. Общение авторов со студентами, обучающимися в бакалавриате,
магистратуре и специалитете, позволило отобрать материал учебника,
который, с одной стороны, позволяет сформировать соответствующие
компетенции, а с другой стороны, помогает подготовить читателей к ак
тивной научно-исследовательской и/или конструкторско-технологической
деятельности. Поэтому авторы стремились учесть актуальные тенденции
в развитии ИВЭ, схемотехнические и технологические достижения
современной элементной базы и реальный уровень подготовки читателей.
Много внимания также уделено развитию у читателей физического и схе
мотехнического мышления и метрологической культуры.
Педагогический опыт работы в высшей школе показал, что само
стоятельная работа студентов является базовым этапом современного ин
новационного учебного процесса по наукоемким направлениям и специ
альностям, который формирует квалифицированного профессионала,
востребованного на рынке труда.
Надо отметить, что по дисциплинам типа «Источники вторичного
электропитания» имеется много отечественных и зарубежных учебников
и учебных пособий, а также профильных монографий, справочников
и массовой литературы. Авторы не ставили перед собой задачу их заме
нить. Настоящий учебник является дополнением как к имеющимся учеб
никам и учебным пособиям, так и к методическим указаниям по выпол
нению лабораторных работ, расчетно-графических заданий и курсового
или дипломного проектирования по тематике, связанной со схемотехни
кой аналоговых электронных устройств.
При изложении материала авторы учитывали требования норматив
ной технической документации по оформлению печатных изданий.
Но иногда авторы сознательно отступали от этих требований. Это дела
лось в целях облегчения восприятия излагаемой информации.
Учебник предназначен в первую очередь для студентов, обучающихся
по направлениям бакалавриата 11.03.01 Радиотехника, 11.03.02 Инфо-
коммуникационные технологии и системы связи, 11.03.03 Конструирование
и технология электронных средств, магистратуры 11.04.01 Радиотехника
и специалитета 11.05.01 Радиоэлектронные системы и комплексы.
Учебник будет также весьма полезен студентам других технических
и инженерно-физических направлений и специальностей при изучении
дисциплин «Электропреобразовательные устройства РЭС», «Промыш
ленная электроника», «Аналоговая схемотехника» и других.
ГЛАВА 1.
КЛАССИФИКАЦИЯ И СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ ИСТОЧНИКОВ
§1.1. Классификация источников вторичного электропитания

Источники вторичного электропитания РЭС в зависимости от
назначения классифицируют по следующим основным признакам.
По виду входной электрической энергии:
• ИВЭ, работающие от однофазной или многофазной сети пере
менного тока;
• ИВЭ, работающие от сети постоянного тока;
• ИВЭ, работающие от сетей постоянного и переменного тока.
По виду выходной электрической энергии:
• ИВЭ с выходным напряжением переменного тока;
• ИВЭ с выходным напряжением постоянного тока;
• ИВЭ с выходным напряжением переменного и постоянного тока.
По величине выходной мощности РВЬ1Х:
• ИВЭ микромощные (РВЬ1Х < 1 Вт);
• ИВЭ малой мощности (РВЬ1Х = 1... 10 Вт);
• ИВЭ средней мощности (РВЬ1Х = 10... 100 Вт);
• ИВЭ повышенной мощности (РВЬ1Х= 100... 1 000 Вт);
• ИВЭ большой мощности (Рвых > 1 000 Вт).
По номинальному значению выходного напряжения УВЬ|Х:
• ИВЭ на низкое выходное напряжение (UBbIX< 100 В);
• ИВЭ на среднее выходное напряжение (Увых = 100... 1 000 В);
• ИВЭ на высокое выходное напряжение (1/ВЬ1Х > 1 000 В).
По допустимому отклонению выходного напряжения:
• низкой точности (более 5 %);
• средней точности (1...5 %);
• высокой точности (0,1... 1,0 %);
• прецизионные (менее 0,1 %).
По уровню пульсации выходного напряжения постоянного тока:
• малый уровень (менее 0,1 %);
• средний уровень (0,1... 1,0 %);
• большой уровень (более 1 %).
По степени постоянства выходного напряжения:
• ИВЭ без стабилизации;
• ИВЭ со стабилизацией.
По числу выходов:
• одноканальные (один выход) ИВЭ;
• многоканальные (два и более выходов) ИВЭ.
По наличию на входе сетевого трансформатора:
• с сетевым входным трансформатором;
• без сетевого входного трансформатора.
По принципу организации электропитания РЭС:
• централизованное электропитание;
• децентрализованное электропитание.
По способу стабилизации:
• параметрические;
• компенсационные.
Параметрические стабилизаторы имеют в своем составе нелиней
ный элемент, и стабилизация напряжения и/или тока осуществляется
за счет нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ) элемента.
Компенсационные стабилизаторы представляют собой систему
автоматического регулирования, в которой постоянство, например, вы
ходного напряжения при изменении входного напряжения, температуры
ИВЭ, сопротивления нагрузки обеспечивается за счет изменения падения
напряжения на регулирующем элементе (РЭ). По способу управления ре
гулирующим элементом компенсационные стабилизаторы подразделяют
ся на компенсационные стабилизаторы напряжения с непрерывным регу
лированием (КСН с HP) и компенсационные стабилизаторы напряжения
с импульсным регулированием (КСН с ИР). Компенсационные стабили
заторы напряжения или тока с непрерывным регулированием часто назы
вают линейными, а компенсационные стабилизаторы напряжения с им
пульсным регулированием — импульсными или ключевыми.
§ 1.2. Структурная схема современного источника вторичного

электропитания
Источники вторичного электропитания преобразуют энергию одно
го рода тока в энергию другого рода тока или в энергию того же рода то
ка, но другого количества и/или качества (табл. 1.1).
На рис. 1.1 показана структурная схема современного источника
вторичного электропитания РТС, работающего от однофазной сети пере
менного тока.
Напряжение ис переменного тока питающей промышленной сети
(как правило, напряжением 220 В и частотой f = 50 Гц) подвергается
последовательно соответствующим преобразованиям в помехоподавля
ющем фильтре (Фпп), сетевом (низкочастотном) выпрямительном устрой
стве (НВУ), токоограничивающем резисторе (ТОР) и низкочастотном
сглаживающем фильтре (НСФ).
Помехоподавляющий фильтр выполняет две функции. Во-первых,
он защищает есть от помех, создаваемым самим ИВЭ. Во-вторых, защи-
Рис. /./. Структурная схема современного источника вторичного электропитания,

построенного по бестрансформаторной схеме и использующего энергию
промышленной сети переменного тока
Таблица 1.1
Виды преобразований энергии постоянного и переменного токов
и устройства для их реализации
Род тока, Род тока,
из энергии в энергию Устройства,
№ Название
которого которого осуществляющие
н.п. процесса
выполняется выполняется преобразование
преобразование преобразование
Вьп 1рямителы I ые
устройства: преобразователи
1 Переменный Постоянный Выпрямление AC/DC (англ. Alternating
Current / Direct Current
Converter)
Преобразование
Стабилизаторы
постоянного тока
и преобразователи DC/DC
2 Постоянный Постоянный в постоянный
(англ. Direct Current / Direct
(стабилизация,
Current Converter)
преобразование)
Инверторы: преобразователи
DC/А С (англ. Direct
3 Постоянный Переменный Инвертирование
Current / Alternating Current
Converter)
Преобразование Tран сформатор ы,
переменного стабилизаторы
тока и преобразователи АС/АС
4 Переменный Переменный
в переменный (англ. Alternating Current /
(стабилизация, Alternating Current
трансформация) Converter)
Затем выпрямленное и сглаженное сетевое напряжение подается на
инвертор (Инв), на выходе которого формируется, как правило, напряжение
высокой частоты (/" = 10...4 000 кГц) прямоугольной формы, которое преоб
разуется трансформатором (Тр-р). Напряжение с выхода трансформатора
подается на последовательно включенные высокочастотное выпрямительное
устройство (ВВУ), высокочастотный сглаживающий фильтр (ВСФ) и стаби
лизатор напряжения (СН) и/или стабилизатор тока (СТ). На рис. 1.1 по
казано, что в ИВЭ на выходе может быть использован либо СН, либо СТ,
либо одновременно стабилизатор напряжения и стабилизатор тока ( сн/ст)-
На выходе ИВЭ формируется стабилизированное напряжение Увых
постоянного тока.
Основными устройствами ИВЭ, на которых теряется значительная
мощность и от которых зависит КПД, масса и объем источника вторично
го электропитания, являются стабилизатор напряжения, низкочастотный
сглаживающий фильтр и сетевой низкочастотный трансформатор. КПД
стабилизатора главным образом определяется мощностью, рассеиваемой
на его регулирующем элементе. Величина этой мощности зависит как
от пределов изменения входного напряжения, так и от диапазонов регу
лирования выходного напряжения и тока нагрузки.
При низких уровнях выходного напряжения ИВЭ КПД стабилиза
тора мал, а на его регулирующем элементе рассеивается значительная
мощность, часто превышающая полезную мощность, отдаваемую им
в нагрузку. При повышении уровня выходного напряжения КПД стабили
затора возрастает.
Устройство защиты и диагностики (Узащ) связано со всеми функци
ональными блоками ИВЭ. Для этого в ИВЭ вводят дополнительные
устройства, воздействующие своими сигналами на соответствующие уз
лы при аварийных режимах работы ИВЭ. Устройство защиты и диагно
стики выполняет широкую гамму вспомогательных функций в ИВЭ.
Например, индикация состояния всего ИВЭ и его отдельных блоков, за
шита от короткого замыкания в нагрузке и от превышения тока нагрузки,
защита от превышения выходного напряжения и от понижения выходно
го напряжения. Все это существенно упрощает взаимодействие человека
и источника вторичного электропитания.
Инвертор осуществляет преобразование энергии постоянного тока
в энергию переменного тока высокой частоты, равной f = 10...4 000 кГц
и значительно превышающей частоту питающей сети, равной 50...800 Гц.
За счет повышения частоты преобразуемого тока трансформатор современ
ного ИВЭ имеет массу и объем значительно меньшие, нежели сетевой низ
кочастотный трансформатор той же мощности.
В схеме стабилизирующего источника вторичного электропитания
(рис. 1.2, а), в отличие от предыдущей схемы, показанной на рис. 1.1, нет
стабилизатора напряжения.
Рис. 1.2. Структурные схемы современных источников вторичного электропитания,
построенных по бестрансформаторной схеме
Функцию регулятора выходного напряжения ИВЭ выполняет ин

вертор, на выходе которого имеется трансформатор. При изменении вы
ходного напряжения ИВЭ сигнал обратной связи через устройство обрат
ной связи (Уос) воздействует на регулируемый инвертор (11нврс1), что при
водит к изменению длительности импульсов на его выходе.
В данной схеме ИВЭ стабилизация его выходного напряжения осу
ществляется за счет широтно-импульсного регулирования (ШИМ) напря
жения инвертора. С точки зрения уменьшения объема и массы ИВЭ эта
схема наиболее предпочтительна, так как функции преобразования и регу
лирования напряжения в ней совмещены.
На рис. 1.2, б показана схема двухканального бестрансформаторно-
го источника вторичного электропитания.
Сигнал обратной связи первого канала, формирующего выходное
напряжение U8bIxl, через устройство обратной связи поступает на вход
регулируемого инвертора (Инврсг).
При вариации напряжения UBblxl на выходе первого канала ИВЭ
(рис. 1.2,6) изменяется и сигнал обратной связи, что изменяет длитель
ность выходных импульсов регулируемого инвертора, а следовательно,
возвращает выходное напряжение ИВЭ к своему первоначальному значе
нию. Одновременно с этим осуществляется стабилизация напряжения
на выходе последовательно включенных высокочастотных выпрямитель
ном устройстве и сглаживающем фильтре второго канала. При измене
нии тока нагрузки первого канала стабилизация выходного напряжения
UBbIxl осуществляется регулируемым инвертором (Инврсг), а стабилиза
ция выходного напряжения второго канала UDL[x2— стабилизатором
(сн/ст), включенным в цепь этого канала.
В настоящее время значительное число РЭС использует батарейное
питание. В значительной степени это относится к автономным потреби
телям .
Если первичным источником энергии является аккумуляторная ба
тарея, то в схеме ИВЭ отсутствует сетевой низкочастотный выпрямитель
и низкочастотный сглаживающий фильтр (рис. 1.3).
Такие ИВЭ находят широкое применение для электропитания
устройств телекоммуникации, где первичными источниками энергии яв
ляются источники напряжения постоянного тока на 24, 48 и 60 В.
Рассмотренные схемы ИВЭ реализуют централизованный принцип
элекгропигания РЭС.
Электропитание ряда современных РЭС, например, радиотехниче
ских и инфокоммуникационных автономных систем, строится по децен
трализованному принципу.
Рис. 1.3. Структурная схема современного источника вторичного электропитания,

питающегося от источника постоянного тока
При этом к печатным платам иди функционально законченным

блокам подводится нестабилизированное напряжение постоянного тока,
а индивидуальный стабилизатор напряжения устанавливается на каждой
плате или в блоке (рис. 1.4). ___________________________________
Рис. 1.4. Структурная схема современного ИВЭ, использующего энергию
постоянного тока и реализующего децентрализованный принцип
электропитания РЭС
Стабилизаторы напряжения реализуются на интегральных микро

схемах (ИМС) DA1 и DA2. Причем ИМС DA1, как правило, представляет
собой импульсный стабилизатор напряжения, на выходе которого имеют
ся значительные пульсации напряжения. Конденсатор С2 не может их
существенно подавить. Поэтому дополнительно установлена ИМС DA2,
представляющая собой линейный стабилизатор напряжения и выпол
няющая роль активного сглаживающего фильтра. Выбор емкости конден
саторов Cl, С2 и СЗ осуществляется по рекомендациям производителей
микросхем. Обычно в качестве конденсаторов С1,С2и С3 используются
керамические конденсаторы емкостью из диапазона от 0,1 мкФ до 1 мкФ.
§ 1.3. Условные обозначения отечественных полупроводниковых

приборов
В основу системы обозначений отечественных полупроводниковых
приборов положен буквенно-цифровой код, который состоит из пяти эле
ментов.
Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупро
водниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый при
бор. Для приборов общегражданского применения используются четыре
буквы: Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полу
проводника или полупроводникового соединения. Для приборов спе
циального применения вместо этих букз используются цифры от 1 до 4.
Таким образом, для обозначения исходного материала используются сле
дующие символы:
Г или 1 —для германия или его соединения;
К или 2 — для кремния или его соединения:
А или 3 — для соединений галлия (например, арсенид галлия);
И или 4 — для соединений индия.
Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых
приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора как первая бук
ва названия:
Т — транзисторы биполярные;
П — транзисторы полевые;
Д — диоды (выпрямительные, импульсные, магнитодиоды, термо
диоды);
Ц — выпрямительные столбы и блоки;
В — варикапы;
Н — диодные тиристоры (динисторы);
У — триодные тиристоры (тринисторы);
С — стабилитроны;
О — оптопары;
Л — излучающие оптоэлектронные приборы;
Г — генераторы шума.
Для обозначения наиболее характерного признака полупроводнико
вых приборов служит третий элемент (цифра), который определяет ос
новные функциональные возможности прибора. У различных подклассов
приборов характерные возможности описываются разными величинами.
Для транзисторов это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для вы
прямительных диодов — максимальное значение прямого тока, для тири
сторов — значение тока в открытом состоянии, для стабилитронов —
напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность.
В качестве примера можно отметить, что для обозначения функци
ональных возможностей (третий элемент буквенно-цифрового кода) ста
билитронов используются следующие цифры:
1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным
напряжением стабилизации менее 10 В;
напряжением стабилизации от 10 до 100 В;
напряжением стабилизации более 100 В;
4 — для стабилитронов мощностью от 0,3 до 5 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В;
7 — для стабилитронов мощностью от 5 до 10 Вт с номинальным
напряжением стабилизации более 100 В.
Четвертый элемент— число (дзе либо три цифры), означающее
порядковый номер технологической разработки прибора; изменяется
от 01 до 999.
Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы услов
ных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам при
боров, изготовленных в единой технологии. Для обозначения использу
ются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме 3, О, Ч, Ы, Ш,
Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.
Пример записи в буквенно-цифровом коде системы условных обо
значений полупроводниковых приборов— КС433А: кремниевый ста
билитрон средней мощности (от 0,3 до 5 Вт) общегражданского при
менения, предназначенный для стабилизации напряжений менее 10 В
и имеющий особенность, определяемую группой разбраковки А.
§ 1.4. Трансформаторы и дроссели

Важным пассивным компонентом ИВЭ является трансформатор,
который в значительной степени определяет массогабаритныс параметры
всего источника вторичного электропитания.
Согласно установленному определению, трансформатор — это
статическое электромагнитное устройство, имеющее две или более ин
дуктивно связанные обмотки и предназначенное для преобразования по
средством электромагнитной индукции одной или нескольких систем пе
ременного тока в одну или несколько других систем переменного тока.
Трансформаторы имеют две или более индуктивно связанные об
мотки и позволяют:
• преобразовывать одну или нескольких систем переменного тока
в одну или несколько других систем переменного тока;
• согласовывать сопротивления источника сигнала и нагрузки;
• осуществлять гальваническую (электрическую) развязку элек
трических цепей;
• изменять форму переменного напряжения (тока), а также число
фазных напряжений.
На принципиальных электрических схемах трансформаторы обо
значаются буквой Т(рис. 1.5).
/1 «2
Т\
+(-) к J Н-)
• с•
-Ис И’ W2 «2
-(•») ( -(+) ,
Рис. 1.5. Принципиальная электрическая схема двухобмоточного трансформатора

с согласно включенными обмотками
Первичной обмоткой трансформатора называют обмотку W|, к ко
торой приложено сетевое (входное) напряжение ис, а вторичной обмот
кой называют обмотку w2, с которой снимают выходное напряжение и2.
Современные трансформаторы, как правило, имеют две первичные и не
сколько (до 15 ...20) вторичных обмоток. С этой точки зрения трансфор
матор, схема которого приведена на рис. 1.5, является двухобмоточным.
Общие вопросы удобно рассмотреть именно на таком трансформаторе.
Первичная и вторичная обмотки трансформатора могут быть вклю
чены либо согласно (как на рис. 1.5), либо встречно. Начало обмотки ука
зывается точкой, размещаемой у соответствующей обмотки. При соглас
ном включении обмоток один и тот же магнитный поток наводит на них
ЭДС одинаковой полярности. Из рис. 1.5 видно, что если ток ц первич
ной обмотки W-1 втекает в начало обмотки, то ток i2 вторичной обмотки
w2 вытекает из ее начала. При этом полярность напряжений ис и и2 на
обмотках совпадает. Аналогично, если ток ц втекает в конец первичной
обмотки, то ток i2 вытекает из конца вторичной обмотки, при этом по
лярность напряжений ис и и2 на обмотках совпадает.
Сетевые трансформаторы ИВЭ используются, как правило, для свя
зи с сетевым источником питания переменного тока. Трансформаторы
работают в ненасыщенном режиме, обладают большой индуктивностью
и большой мощностью. Все это приводит к тому, что эти трансформаторы
обладают самыми большими массогабаритными параметрами среди всех
видов трансформаторов.
В конструкторской документации приводится полное условное обо
значение трансформатора, которое состоит из слова «трансформатор»,
сокращенного обозначения типа трансформатора, условного порядкового
номера в ряду выбранного типа трансформаторов, номинального питаю
щего напряжения, частоты питающей сети и вида климатического испол
нения.
Маркировка сетевых трансформаторов выполняется по следующе
му правилу:
TXXY — — Г — В,
где Т— принадлежность данного элемента к группе трансформаторов;
XX — одна или группа букв, обозначающих принадлежность к типу
силовых трансформаторов:
• А — анодный, для питания цепей с повышенным напряжением;
• Н — накальный, для питания цепей с пониженным напряжением;
• АН — анодно-накальный, для совместного питания цепей с по
вышенным и пониженным напряжением;
• ПП — для питания устройств полупроводниковой техники;
• С — для питания бытовой аппаратуры;
У — заводской номер серии данного типа трансформатора в ряду
трансформаторов;
— номинальное напряжение сетевого питания, выражен
ное в В (может быть использовано напряжение либо либо У2),
Г— рабочая частота сетевого напряжения, выраженная в Гц;
В — буквенное обозначение климатического исполнения:
• В — всеклиматическое;
• ТС — тропическое с сухим климатом;
• ТВ — тропическое с влажным климатом;
• УХЛ — для умеренного и холодного климата.
Пример условного обозначения трансформатора для питания полу
проводниковых устройств с порядковым номером 323, номинальным пи
тающим напряжением сети 127 или 220 В, частотой 50 Гц и всеклимати-
ческого исполнения: Трансформатор ТПП 323-127/220-50 В.
Принципиальная электрическая схема нескольких типов трансфор
маторов показана на рис. 1.6.
• |< * fV'V^l
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
a)
1 la 16 2 3 4 4a 46 5 6
• • p<'°| *
7 8 9 10 11 1213 14 1516
6)
1 2 3 4 5 6
в)
Рис. 1.6. Схемы принципиальные ряда типов сетевых трансформаторов:
а — ТА. ТПП; б — TH; в — ТАН
Сетевые трансформаторы всех типов, как правило, имеют две пер

вичные обмотки, которые работают с питающим напряжением 220 В
или 127 В. Иногда с целью снижения массогабаритных параметров при
использовании сетевого напряжения 220 В частотой 50 Гц делают одну
первичную обмотку без отводов.
Схема включения обмоток, приведенная на рис. 1.6, а, используется
в трансформаторах типа ТА и ТПП.
У трансформаторов типа ТА имеется большое число вторичных
обмоток с достаточно большим напряжением и небольшим током, ко
торое после выпрямления и стабилизации применяют как анодное нап
ряжение ламповых конструкций. У трансформаторов типа ТПП тоже
имеется большое число обмоток для сравнительно малого напряжения,
но достаточно большого тока. Данный тип трансформаторов исполь
зуется в ИВЭ для питания полупроводниковых устройств, где не тре
буется высоких напряжений, но должен быть обеспечен достаточ
ный ток.
Схема включения обмоток, приведенная на рис. 1.6, б, используется
в трансформаторах типа TH. У этих трансформаторов имеется небольшое
число вторичных обмоток с достаточно большими токами, но маленьки
ми напряжениями. Такие трансформаторы предназначены для питания
катодных цепей ламповых устройств.
Схема, приведенная на рис. 1.6, в, соответствует трансформаторам
типа ТАН. У этих трансформаторов имеются вторичные обмотки с доста
точно большими напряжениями и небольшим током, а также несколько
обмоток с маленькими напряжениями, но большими токами. Номиналы
напряжений и токов обмоток трансформаторов, а также их соединение
можно найти в справочниках.
Для получения необходимых напряжений вторичные обмотки
трансформаторов соединяют либо согласно, либо встречно.
В справочной литературе приводится исчерпывающая информация
о трансформаторах. Например, для малогабаритных трансформаторов ти
па ТА с частотой питающей сети 400 Гц указано следующее: конструкция
и размеры; назначение; габаритные и установочные размеры; условия
эксплуатации.
Конструкция трансформаторов способна противостоять механиче
ским и климатическим воздействиям, сохранять работоспособность
при повышенной влажности и во всех случаях тепловых воздействий
обеспечивать необходимый запас электрической прочности изоляции
обмоток.
На рис. 1.7 показана электрическая схема малогабаритного транс
форматора типа ТА, предназначенного для питания анодных цепей РЭС
промышленного назначения с номинальным напряжением питающей сети
40, 115 или 220 В и частотой 400 Гц.
ооглогто
5 67 89
Рис. 1.7. Электрическая схеиа трансформатора
1011 12 13 14 15 16
В табл. 1.2 приведены напряжения на отводах первичной обмотки

трансформаторов типа ТА с частотой питающей сети 400 Гц.
Таблица 1.2
Напряжения на отводах первичной обмотки трансформаторов типа
ТА с частотой питающей сети 400 Гц
Номинальное Напряжение на отводах, В
Тип
напряжение сети, Вы воды
трансформатора 1-2 1-4
В
40 1-3 37,6 42,4
ТА 115 1-3 108 122
220 1-3 200 233
Основные электрические параметры малогабаритных трансформа

торов типа ТА с частотой питающей сети 400 Гц в номинальном режиме;
приведены в табл. 1.3.
Таблица 1.3
Электрические параметры некоторых трансформаторов типа ТА
с частотой питающей сети в номинальном режиме
Напряжение Ток
вторичной вторичной
Мощность,
обмотки, В обмотки, А
ВА
Ток Выводы обмоток
Типономннал первичной
Максимальная
Номинальная
трансформатор: обмотки,
А
5-6 9-10 5-6 9-10 13-14
13-14 15-16
7 8 11-12 7-8 11-12 15-16
ТА 1-40-400 0,400
ТА 1-115-400 7,5 10 0.140 28 28 6 6 0,056 0,064 0,064
ТЛ1 220 400 0,073
Окончание таблицы 1.3
Напряжение Ток
Мощность,
вторичной вторичной
ВА
обмотки, В обмотки, А
Гок
Выводы об ИОТОК
Максимальная
первичной
Номинальная
Типономинал
обмотки,
трансформатора
А
5-6 9-10 5-6 9-10 13-14
13-14 15-16
7-8 11-12 7-8 11-12 15-16
ТА61-40-400 2,250
ТА61-115 400 67 80 0,800 80 56 20 12 0,210 0,230 0,230
ТА61-220 400 0,410
ТА329-40-400 10,0
ТА329-115 400 357 380 3,5 115 6,3 6,3 — 2,80 2,80 2,80
ТА329-220 400 1,9
В табл. 1.4 показана зависимость КПД у трансформаторов от их

мощности, измеряемой в В А.
Таблица 1.4
Зависимость КПД трансформаторов от их мощности
Р, Более
До 0,5 0,5...1,5 1,5...4,0 4...10 10..до2 1О2...1О3
ВА 10'
>1 0,70 0,75 0,80 0,85 0,90 0,90...0,95 0,95...0,98
Важным параметром трансформатора является коэффициент транс

формации, который нормируется рядом: 0,012; 0,018; 0,025; 0,035; 0,05;
0,07; 0,1; 0,12; 0,14; 0,17; 0,2; 0,28; 0,34; 0,4; 0,48; 0,56; 0,67; 0,8; 0,85; 1,0;
1,05; 1,25; 1,5; 1,8; 2,1; 2,5; 3,0; 3,5; 4,2; 5,0; 6,0; 7,0; 8,5; 10,0; 14,0; 20,0;
28,0.
Магнитопроводы трансформаторов выполняют либо пластинчатыми,
либо ленточными, либо прессованными. На рис. 1.8 и рис. 1.9 приведены
конструкции магнитопроводов (сердечников) трансформаторов, различа
ющиеся по способу формирования структуры магнитопровода.
h
i v
a У
а) б)
Рис. 1.8. Пластинчатые магнитопроводы трансформаторов:
а — броневые; б — стержневы е
Наиболее простым и дешевым способом изготовления сердечника

является штамповка пластин и сборка их в пакеты магнитопровода.
Чтобы исключить зазор между пластинами, магнитопровод собирают
«вперекрышку». Если в обмотках трансформатора протекает постоянный
ток, то делают в магнитопровод с немагнитный зазор, где помещают изо
лирующий материал. Для уменьшения потерь в магнитопроводе на вих
ревые токи пластины изолируют тонким слоем лака или окисла, который
образуется при отжиге пластин. Пластины после сборки магнитопровода
трансформатора стягивают специальными обжимами или шпильками
с гайками. Пластины штампуют из листовой электротехнической стали
марок 1511 и 1512толщиной 0,35...0,50 мм или 3411 ...3413 толщиной
0,20. ..0,35 мм. Другой способ сборки магнитопровода основан на навивке
из полос электротехнической стали марок 3411...3413 толщиной
0,20...0,35 мм тороидальных сердечников.
Рис. 1.9. Ленточные магнитопроводы трансформаторов:

а — броневые: б — стержневые, в — тороидальные
Для обозначения марки электротехнических сталей используется
код из четырех цифр, причем первые три цифры означают тип стали,
а четвертая — порядковый номер типа стали. Первая цифра характеризу
ет структурное состояние и вид прокатки стали:
• 1 — горячекатаная изотропная;
• 2 — холоднокатаная изотропная;
• 3 — холоднокатаная анизотропная.
Вторая цифра классифицирует сталь по содержанию кремния:
• 0 — содержание кремния до 0,4 % включительно;
• 1 — содержание кремния от 0,4 до 0,8 % включительно;
• 5 — содержание кремния от 3,8 до 4,8 % включительно.
Третья цифра определяет основную нормируемую характеристику:
• 0— удельные потери при магнитной индукции 1,7 Тл и частоте
50 Гц (Pl.7/50);
• 1 — удельные потери при магнитной индукции 1,5 Тл и частоте
50 Гц (/>|.5/5о);
• 2 — удельные потери при магнитной индукции 1,0 Тл и частоте
400 Гц (/’1,о/4оо) для горячекатаной стали и удельные потери при
магнитной индукции 1,5 Тл и частоте 400 Гц (/’1,50/400) для холод
нокатаной анизотропной стали.
Для устройств специального назначения или устройств, работаю
щих в слабых магнитных полях, в качестве сердечников используют
пермаллои, которые представляют собой сплавы никеля и железа с при
месью других химических элементов.
Маркировка пермаллоя 79НМ:
• 79 — процентное содержание никеля в сплаве,
• Н — обозначение никеля как основного металла в сплаве,
• М — обозначение молибдена как примеси в сплаве (вместо бук
вы «М» могут быть другие обозначения: «X» — хром, «С» —
кремний, «А» — алюминий).
Применение пермаллоев при ленточном изготовлении магнитопро
вода уменьшает поток рассеяния в трансформаторах, что приводит к уве
личению индукции при одинаковых ампер-витках по сравнению с транс
форматорами, использующими штампованное железо. Таким образом,
применение пермаллоя в конечном счете уменьшает массогабаритные
параметры трансформатора и улучшает их технические характеристи
ки. Однако при разработке трансформаторов следует учитывать более
высокую стоимость пермаллоя по сравнению с электротехнической ста-
лью. Кроме того, следует учитывать, что тороидальный сердечник позво
ляет лучше выполнить охлаждение обмоток, так как витки располагаются
по всей поверхности тора, а также уменьшить расход металла на провода
обмоток и повысить КПД трансформатора.
Для преобразования высокочастотных сигналов используют прес
сованные магнитопроводы — ферриты, которые представляют собой со
единение трехвалентного железа с окислом двухвалентного металла.
Ферриты представляют собой очень твердый материал, который характе
ризуется малыми потерями на вихревые токи при работе на высоких ча
стотах. Маркировка ферритов выполняется следующим образом.
Например, 1500НМ-.
• 1500 — начальная магнитная проницаемость /zH,
• Н — обозначает, что данный материал предназначен для работы
на низких частотах (буквами ВЧ обозначается высокочастотный
материал),
• М — обозначает, что использован марганец-цинковый материал
(буква Н обозначает, что использован никель-цинковый мате
риал).
При сборке трансформаторов на сердечники устанавливают катуш
ки с обмотками. Броневые и стержневые сердечники используются на ча
стотах 50... 1 000 Гц, а тороидальные — на 10...400 кГц и выше.
Броневые сердечники применяют в трансформаторах, у которых
катушка с первичными и вторичными обмотками располагается на сред
нем стержне. Данная конструкция реализуется в маломощных и средней
мощности трансформаторах, поскольку при больших токах в обмотках
трансформатора возникает неравномерный нагрев железа трансформато
ра. Стержневые магнитопроводы используются в мощных трансформато
рах, так как обмотки могут располагаться произвольно на двух стержнях,
поэтому отбор избыточного тепла при больших токах, протекающих
в обмотках трансформатора, выполняется более эффективно. Часть маг
нитопровода, соединяющая стержни, называется ярмом, и оно предназна
чено для замыкания магнитных силовых линий между стержнями.
У трансформаторов с тороидальным сердечником ярмо отсутствует,
что позволяет улучшить технические характеристики трансформатора.
При выборе сердечника трансформатора всегда следует стараться выби
рать сечение стержня, на котором будет расположена обмотка, так, чтобы
отношение сторон сечения было равно 1 : 2. При больших отношениях
затрудняется реализация плотной намотки обмоток, так как со стороны
большего размера витки ложатся недостаточно плотно, что приводит
к «вспучиванию» обмотки.
Основные свойства магнитопровода трансформатора определяются
кривыми перемагничивания, представляющими собой семейство симмет
ричных гистерезисных петель в системе декартовых координат
в = fm,
где В — магнитная индукция материала,
Н — напряженность магнитного поля (рис. 1.10).
На рис. 1.10 использованы следующие обозначения:
• Вн и — Ви — индукция насыщения при положительном и отрица
тельном направлении магнитного поля соответственно,
• Во и —Во — остаточная индукция при уменьшении напряженно
сти магнитного поля до нуля при положительном и отрицатель
ном направлении магнитного поля соответственно,
• Нк и —Нк — коэрцитивная сила, при которой индукция прини
мает пулевое значение при положительном и отрицательном
направлении магнитного поля соответственно,
• Нм и —Нм — максимальная напряженность магнитного поля при
положительном и отрицательном направлениях магнитного поля
соответственно,
• Дн — начальная магнитная проницаемость материала магнито
провода трансформатора.
В трансформаторах используют магнитотвердые и магнитомягкие
материалы, которые имеют различие в соотношении параметров В и Н.
Магнитотвердые материалы обладают большой коэрцитивной силой
и в ИВЭ не применяются. Магнитомягкие материалы обладают боль
шой магнитной проницаемостью при небольшой коэрцитивной силе.
На рис. 1.10 жирной линией обозначена основная кривая намагничивания,
характеризующая конкретный материал. Данная линия соединяет все
вершины частных гистерезисных петель, которые могут возникнуть
в процессе работы трансформатора в различных режимах работы.
В магнитопроводах применяются три вида магнитомягких материа
лов: электротехнические стали, железоникелевые сплавы (пермаллои)
и ферриты. Электротехнические стали по сравнению с другими фер
ромагнитными материалами обладают высокой индукцией насыще
ния, что используется при изготовлении мощных электромагнитных
устройств. Железоникелевые сплавы обладают небольшой коэрцитивной
силой, что существенно увеличивает магнитную проницаемость магнито
провода. Кроме того, данные сплавы обладают большей начальной маг
нитной проницаемостью, что используется при работе в малых магнит
ных полях.
Рис. 1.10. Семейство симметричных гистерезисных петель
(пояснения в тексте)
Пермаллои, используемые для изготовления сердечников транс

форматоров, выполняются в виде лент, свиваемых в торообразные сер
дечники, а затем формируются в магнито провод трансформатора. Такие
магнитопроводы используются в маломощных низкочастотных устрой
ствах ИВЭ (сетевых источниках вторичного электропитания), а также для
уменьшения массогабаритных параметров изделия, но обладают более
высокой стоимостью. Ферриты используются в ИВЭ в качестве магнито
проводов различных преобразователей электромагнитной энергии.
Ферриты обладают более прямоугольной петлей гистерезиса, малыми по
терями на вихревые токи при работе на высоких частотах.
При использовании ферритов в устройствах с жесткими требовани
ями к нелинейным искажениям рекомендуется использовать марганец
цинковые ферриты. При наличии жестких требований к потерям в мате
риале в случае работы на высоких частотах следует применять никель
цинковые ферриты.
Другим статическим электромагнитным ЭРЭ является дроссель, ко
торый так же, как и трансформатор, в значительной степени определяет
массогабаритныс параметры всего ИВЭ.
Дроссель — это фактически трансформатор, у которого имеется
всего одна основная обмотка, а иногда еще и несколько дополнительных
обмоток, которые гальванически связаны с основной, дополняют ее рабо
чие характеристики и не предназначены для преобразования энергии.
Дроссель в ИВЭ в основном используется в сглаживающих филь
трах выпрямителей, но может использоваться во входных фильтрах сете
вого согласующего устройства, а также в качестве аккумулирующего
элемента в ИВЭ с импульсным регулированием. К основным параметрам
дросселей относятся: сопротивление обмоток постоянному току, макси
мальное переменное напряжение, приложенное к обмоткам, максималь
ный ток подмагничивания и индуктивность обмоток.
Промышленностью выпускается достаточно широкий спектр типо
размеров и конструкций дросселей. В ИВЭ в основном используют дрос
сели с магнитопроводами типа ШЛ или ШЛМ броневого типа. Дроссель,
как и трансформатор с магнитопроводом типа ШЛ, обладает наименьшей
массой. Однако дроссель с магнитопроводом типа ШЛМ обладает мень
шим расходом меди по сравнению с магнитопроводом типа ШЛ.
Дроссели имеют следующую структуру обозначения:
ДХ-Y-Z,
где Д — буква, обозначающая принадлежность элемента к дросселям,
X— число, обозначающее порядковый номер дросселя, который
присваивается заводом-изготовителем,
Y — число, указывающее индуктивность обмотки при номиналь
ном токе,
Z — число, обозначающее номинальный ток подмагничивания.
Например, дроссель Д201В представляет собой низкочастотный
дроссель всеклиматического исполнения. Дроссели данного типа имеют
четыре вида схемной реализации, которые приведены на рис. 1.11.
Из рис. 1.11 видно, что дроссели с порядковыми номерами от 1
до 274 распадаются на четыре вида схемной реализации. Обмотка с кон
тактами 1 и 2 называется основной, а остальные обмотки называются
компенсационными. При согласном соединении основной и компенсаци
онных обмоток индуктивность обмоток увеличивается, в противном слу
чае — уменьшается. Обмотки можно включать параллельно, при этом ток
подмагничивания увеличивается, а индуктивность уменьшается.
В качестве примера в табл. 1.5 приведены электрические параметры
некоторых дросселей.
Обмотки трансформаторов и дросселей обычно размещают на кар
касе из электроизолирующего материала (гетинакса, текстолита, картона
и т. д.), имеющего толщину 1,0... 1,5 мм. Выполняют обмотки обычно
медным проводом типа ПЭЛ (провод с лакостойкой эмалью) или ПЭВ
(провод с высокопрочной эмалью). Провода типа ПЭЛ используют
при температуре нагрева обмоток до 55 °C, а провода типа ПЭВ — 90 °C.
Тепловой расчет трансформатора и дросселя выполняют по методикам,
приведенным в соответствующей литературе. Нагрев трансформатора
и дросселя определяется плотностью тока в их обмотках: чем больше
плотность тока в обмотке, тем выше и ее температура.
1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6
а)
1 2
в) г)
Рис. 1.11. Схема электрическая дросселей:
а-Д1-Д59, Д61 — 69; 6—Д60; в —Д101 — Д179; г —201 — 274
Таблица 1.5
Электрические параметры некоторых дросселей
Индуктивность Номинальный Максимальное
Сопротивление
Обозначение при ток переменное
обмоток,
дросселя номинальном намагничивания, напряжение,
Ом
токе, Гн А В
Д 1-0,08-0,32 0,08 0,32 1.0 19,0
Д46-0,6-0,8 0,6 0,8 5,0 15,0
Д60-0,0005-10 0,0005 10 0,25 0,015
Д 120-0,02-0,8 0,02 0,8 44,0 2,00
Д 170-0,04-2,2 0,04 2,2 100 0,28
Д2Ю 0,005 0,8 0,0912 0,84
Д259 1.2 0,4 9,65 27,5
В некоторых случаях, когда требуется дополнительная фильтрация

высокочастотных помех, используют высокочастотные дроссели типа
ДМ. Дроссели данного типа имеют небольшую индуктивность и исполь
зуются, как правило, в маломощных цепях.
Пример записи дросселей типа ДМ в технической документации:
Дроссель высокочастотный ДМ-2,4-4 мкГн ± 5 %. Этот дроссель пред
ставляет собой высокочастотный дроссель, рассчитанный на ток до 2,4 А,
обладает индуктивностью 4 мкГн, имеет разброс индуктивности ± 5 %.
В ИВЭ применяют автотрансформаторы — разновидность транс
форматоров, у которых одна обмотка является частью другой, то есть
между первичной и вторичной обмотками имеется гальваническая связь.
Полный расчет трансформаторов и дросселей является достаточно
громоздкой и сложной задачей. Методики и примеры расчетов трансфор
маторов и дросселей подробно изложены в справочной и специальной
технической литературе.
Контрольные вопросы
1. В чем отличие вторичных источников электропитания от первичных?

2. Какие функции выполняют источники вторичного электропитания?
3. Какие источники первичного и вторичного электропитания использу
ются в автомобилях?
4. Какие источники вторичного и первичного электропитания использу
ются в носимой аппаратуре мобильной связи?
5. По каким параметрам осуществляется классификация ИВЭ?
6. Имеется ли на входе современных ИВЭ, использующих энергию пе
ременного тока, сетевой трансформатор?
7. Что означает аббревиатура КСИ с ИР?
8. Что означает аббревиатура КСИ с ИР?
9. Нарисуйте структурную схему современного источника вторичного
электропитания, использующего энергию однофазной сети перемен
ного тока.
10. Что означает фраза «ИВЭ построен по бестрапсформаторной схеме»?
11. Как в современных ИВЭ реализуется гальваническая развязка вход
ных и выходных цепей?
12. Перечислите виды преобразований энергии постоянного и переменно
го токов и устройства для их реализации.
13. Нарисуйте структурную схему современного ИВЭ, использующего
батарейное питание.
14. Как и в каких единицах измерения определяется полная мощность ис
точников питания с выходом на переменном токе?
15. Как определяется коэффициент мощности источника питания?
16. Как определяется коэффициент полезного действия источника пита
ния?
17. Почему мощность трансформаторов измеряется в В-А, а не в Вт?
18. Перечислите функции, которые выполняют трансформаторы и дрос
сели в ИВЭ.
19. Какие материалы используются для изготовления магнитопроводов
трансформаторов в современных ИВЭ?
20. Из каких электроизоляционных материалов изготавливают каркасы
для размещения обмоток трансформаторов и дросселей?
21. Как в конструкторской документации приводится полное условное
обозначение трансформатора?
ГЛАВА 2.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ИСТОЧНИКОВ
Для ИВЭ, содержащих стабилизатор напряжения и обеспечиваю

щих неизменность выходного напряжения Увых, основными дестабилизи
рующими факторами, вызывающими отклонение от номинального значе
ния выходного напряжения УВЬ1Х, являются изменения входного напряже
ния UBX и/или тока нагрузки /н, то есть
Увых = ftVJ
Это выражение записано в предположении, что ИВЭ работает
в изотермических условиях, то есть его температура Т остается неизмен
ной.
§ 2.1. Нагрузочная характеристика и динамическое сопротивление

Нагрузочной характеристикой ИВЭ называется зависимость его
выходного напряжения Увых от тока нагрузки /н при постоянном входном
напряжении t/BX (рис. 2.1), то есть
^вых = fUii) ПРИ Увх = const. (2.1)
По нагрузочной характеристике определяется динамическое (внут
реннее, выходное, дифференциальное) сопротивление ИВЭ.
Динамическое сопротивление определяется как модуль производ
ной выходного напряжения УВЬ1Х по току нагрузки /н при постоянном
входном напряжении Увх, то есть в дифференциальной форме выражение
имеет вид:
/?, _ I вых| п у _ consi (2.2)
I d/n I
В экспериментальных исследованиях изменения 1/ВЬ|Х и /н имеют
конечные значения. Поэтому выражение (2.2) для определения динамиче
ского сопротивления можно записать в конечных разностях
= I ”ых I при UBX = const, (2.3)

I шн I
где Д/н - изменение тока нагрузки,

Д(/ВЬ1Х _ изменение выходного напряжения, вызванное вариацией Д/н.
Следует отметить две особенности применения формул (2.2) и (2.3).
Во-первых, в выражении (2.3) в качестве динамического сопротив
лений ИВЭ принимается модуль отношения ДУВЫХ к Д/н. С физической
точки зрения наличие модуля объясняется тем, что численные значения
ДУВЬ1Х и Д^н имеют разные знаки, так как при увеличении тока нагрузки
на величину Д/н выходное напряжение уменьшается на величину ДУВЫХ.
Во-вторых, при вычислении конечных приращений, например,
ДУвых; используют значения УВЬ1Х для двух точек, то есть
ДУвых = Увых1 — Увых2-
При этом следует помнить о метрологической особенности вычис
ления малой разности больших чисел. Поэтому значения УВЬ|Х1 и Увых2
должны быть достаточно удалены друг от друга, но в пределах, когда
функция, описывающая Увых, нс должна существенно отличаться от ли
нейной.
вторичного электропитания
В соответствии с формулой (2.2) можно дать геометрическую ин

терпретацию понятию динамического сопротивления.
Динамическое сопротивление /?; численно равно тангенсу угла
наклона касательной линии к нагрузочной характеристике ИВЭ для за
данного значения тока нагрузки.
На рис. 2.1 для двух заданных токов нагрузки /Н1 и /н2 в точках А и В
проведены касательные к рассматриваемой нагрузочной характеристике;
углы наклона обозначены как «4 и а2- Следовательно, при токе нагрузки
/Н1 динамическое сопротивление Ri ИВЭ равно tgaj. Аналогично можно
записать, что при токе нагрузки /н2 динамическое сопротивление ИВЭ
Ri равно tg«2- Более того, по характеру нагрузочной характеристики
(рис. 2.1) видно, что с ростом тока нагрузки динамическое сопротивле
ние ИВЭ также растет.
На рис. 2.2 показаны результаты анализа зависимости динамическо
го сопротивления ИВЭ от тока нагрузки с использованием нагрузочной
Рис. 2.2. Иллюстрация зависимости динамического сопротивления ИВЭ

от тока нагрузки:
а нагрузочная характеристика;
б — зависимость динамического сопротивления ИВЭ от тока нагрузки
Видно, что при малых токах нагрузки динамическое сопротивление
мало и существенно возрастает с увеличением тока нагрузки.
Иллюстрация выбора ИВЭ, имеющего минимальное динамическое
сопротивление, из трех ИВЭ по их нагрузочным характеристикам, имею
щим линейный характер, приведена на рис. 2.3. В соответствии с опреде
лением динамического сопротивления и его геометрической интерпрета
цией видно, что для нагрузочной характеристики 1 динамическое сопро
тивление меньше, чем для нагрузочных характеристик 2 и 3. Поэтому
можно утверждать, что целесообразно использовать ИВЭ, имеющий
нагрузочную характеристику 1 (рис. 2.3).
Рис. 2.3. Иллюстрация выбора ИВЭ.

имеющего минимальное динамическое сопротивление:
а — нагрузочные характеристики трех ИВЭ;
б — зависимость динамического сопротивления ИВЭ от тока нагрузки
Следует подчеркнуть, что при линейном характере нагрузочной ха
рактеристики динамическое сопротивление /?, исследуемого источника
вторичного электропитания не зависит от тока нагрузки.
Очевидно, что чем меньше динамическое сопротивление ИВЭ,
тем он лучше. У стабилизаторов напряжения современных источников
вторичного электропитания динамическое сопротивление достигает
10'3...10’4 Ом.
§ 2.2. Передаточная характеристика и коэффициент стабилизации

выходного напряжения по входному напряжению
Передаточная характеристика (рис. 2.4) ИВЭ представляет зависи

мость выходного напряжения УВЬ1Х от входного напряжения UBX при по
стоянном токе нагрузки /н, то есть
Увых = Мы) ПРИ zh = const. (2.4)

По передаточной характеристике определяется коэффициент ста
билизации Ку выходного напряжения по входному напряжению при
постоянном токе нагрузки.
Коэффициент стабилизации Ки выходного напряжения по входно
му напряжению при постоянном токе нагрузки (проще — коэффициент
стабилизации) показывает, во сколько раз относительное изменение
входного напряжения dUBX/UBX превышает относительное изменение
выходного напряжения dUBblx/UBblx, вызванное изменением 1/вх на вели
чину dUBX.
Поэтому можно записать выражение для Ки, называемого коэффи
циентом стабилизации выходного напряжения по входному напряжению
при /н = const,
dUBX dUBblx
Ки = (2.5)
Чцх ^вых
В практических расчетах коэффициент стабилизации Ки удоб
нее вычислять нс по формуле (2.5), а с использованием конечных при
ращений, то есть как отношение соответствующих конечных прира
щений напряжений на входе ДУВХ и выходе &UBblx устройства, то сеть
Д^ВХ Д^ВЫХ _ Д^вх ^вых

(2.6)
^ВХ ^ВЫХ Д^ВЫХ ^вх
Численное значение Ки ИВЭ определяют по его передаточной ха

рактеристике (рис. 2.4).
На передаточной характеристике ИВЭ выбирают участок стабили
зации напряжения, то есть тот участок передаточной характеристики,
на передаточной характеристике ИВЭ выбирают участок стабилизации
напряжения, то есть тот участок передаточной характеристики, на кото
ром значительным изменениям входного напряжения Увх соответствуют
малые изменения выходного напряжения URhlx. Надо отметить, что это
достаточно условный участок и выбирается субъективно. Затем для за
данного (номинального) значения входного напряжения UBXH по переда
точной характеристике определяют номинальное значение выходного
напряжения J7BblXH. После этого выбирают величину изменения входного
напряжения Д(/вх (диапазон изменения Д(/вх выбирают в пределах участка
стабилизации и, как правило, симметричным относительно Увхн) и опре
деляют по передаточной характеристике соответствующую величину из
менения выходного напряжения ДУВЫХ. Расчет искомого коэффициента
стабилизации Ки выполняют по формуле (2.6).
Естественно, что чем больше величина Ки, тем выше качество

напряжения, формируемого стабилизатором напряжения ИВЭ.
У современных стабилизаторов напряжения постоянного тока вели
чины /<и~104 ... 106.
Аналитические формулы для определения динамического сопро
тивления R{ и коэффициента стабилизации Ки выходного напряжения
по входному напряжению (обе величины являются основными показате
лями качества функционирования ИВЭ) получены в предположении
достаточно малых изменений входного напряжения Увх и тока нагрузки /н
вблизи их номинальных значений.
Дифференциальный коэффициент стабилизации КУдиф ИВЭ опреде
ляется отношением приращения напряжения на входе стабилизатора ДУВХ
к вызванному им приращению напряжения на выходе стабилизатора ДУВЬ1Х:
ДУВХ
КцдИф = Т77^- (2.7)
£дивых
Коэффициент передачи напряжения Л со входа на выход ИВЭ опре
деляется отношением выходного напряжения UBbK к входному напряже
нию UBX, то есть
Л = ^. (2.8)
^ВХ
С учетом формул (2.7) и (2.8) выражение (2.6) для определения ко

эффициента стабилизации выходного напряжения по входному напряже
нию можно записать в виде
«и — «и диф ‘ 2 . (2.9)
§ 2.3. Коэффициенты стабилизации стабилизаторов тока источников

При стабилизации тока /н, протекающего через нагрузку ИВЭ, де

стабилизирующими факторами являются изменения входного напряже
ния UBX и сопротивление нагрузки RH (при изотермическом режиме рабо
ты), то есть
/н=Жх^н). (2.10)
Коэффициент стабилизации тока нагрузки /н по входному напряже

нию UBX при R„ = const К/ определяется по формуле:
(2.Н)
Физический смысл коэффициента стабилизации тока нагрузки

по входному напряжению состоит в том, что он показывает, во сколько
раз относительное изменение входного напряжения dUBX/UBX превышает
относительное изменение тока нагрузки dIa/IB при /?н = const.
В практических расчетах коэффициент стабилизации тока нагруз
ки Ki удобнее вычислять не по формуле (2.11), записанной в дифферен
циальной форме, а по формуле с использованием конечных прираще
ний, то есть как отношение соответствующих конечных приращений
напряжения на входе Д1/вх и тока нагрузки и Д/н, то есть
дивх д/н _дпвх /н (2.12)

^вх At А/н UBX
Численное значение К/ ПВЭ определяют по его передаточной ха-
источника вторичного электропитания
На передаточной характеристике по току ИВЭ выбирают участок

стабилизации тока нагрузки, то есть тот участок передаточной характе
ристики, на котором значительным изменениям входного напряжения
Увх соответствуют малые изменения тока нагрузкиНадо отмстить,
что это достаточно условный участок и выбирается субъективно. Затем
для заданного (номинального) входного напряжения Двхн по переда
точной характеристике определяют номинальный ток нагрузки /ннОм. По
сле этого выбирают величину изменения входного напряжения ДУВХ
(диапазон изменения AUBX выбирают в пределах участка стабилизации и,
как правило, симметричным относительно Увхн) и определяют по пере
даточной характеристике соответствующее изменение тока нагрузки
Д/н. Расчет искомого коэффициента стабилизации К/ выполняют по фор
муле (2.12).
Чем больше Kh тем выше качество стабилизации источником вто
ричного электропитания тока нагрузки.
Коэффициент стабилизации тока нагрузки /н по изменению сопро
тивления нагрузки RH при Увх = const KR< показывает во сколько раз от
носительное изменение сопротивления нагрузки dRH/RH превышает от
носительное изменение тока нагрузки d/H//H. Для определения KR* поль
зуются формулой, записанной либо в дифференциальной форме,
к _ dR„ dlH dRH /н
(2.13)
к" «н ‘ /н dIH ' /?н
либо в конечных разностях
к _ ДЯН Д/н _ Д/?н /н
*н RH ’ /н Д/н ’ /?н (2.14)
Величину KR определяют по зависимости /н = /(/<„), показанной

на рис. 2.6.
Рис. 2.6. Иллюстрация методики определения коэффициента стабилизации тока

нагрузки по изменению сопротивления нагрузки ИВЭ
На передаточной характеристике по току ИВЭ выбирают участок

стабилизации тока нагрузки, то есть тот участок передаточной характери
стики, на котором значительным изменениям сопротивления нагрузки RH
соответствуют малые изменения тока нагрузки /н. Надо отметить, что это
достаточно условный участок и выбирается субъективно. Затем для за
данного (номинального) сопротивления нагрузки 7?нном по передаточной
характеристике определяют номинальный ток нагрузки /нном. После это
го выбирают величину изменения сопротивления нагрузки Д/?н (диапазон
изменения ДЯН выбирают в пределах участка стабилизации и, как прави
ло, симметричным относительно Янном) и определяют по передаточной
характеристике соответствующее изменение тока нагрузки Д/н. Расчет
искомого коэффициента стабилизации KRh выполняют но формуле (2.14).
Чем больше KRh, тем выше качество стабилизации источником вто
ричного электропитания тока нагрузки.
§ 2.4. Регулировочная характеристика
Часто для регулирования выходного напряжения в источниках вто

ричного электропитания применяют управляемые выпрямители (УВ),
в которых в качестве вентилей применяются тиристоры. Тиристоры,
в отличие от выпрямительных диодов, обладают дополнительной сте
пенью свободы, называемой углом управления (регулирования) а. УВ ха
рактеризуются зависимостью среднего выпрямленного напряжения UOa
Рис. 2.7. Регулировочная характеристика управляемого выпрямителя
По регулировочной характеристике управляемого выпрямителя су

дят о влиянии угла управления а на среднее выпрямленное напряже
ние иоа.
Угол управления, при котором среднее выпрямленное напряже
ние UOa равно нулю, называется углом предельного регулирования «пред.
§ 2.5. Энергетические и эксплуатационные параметры
Величина пульсаций выходного напряжения ИВЭ определяет его

электромагнитную совместимость с нагрузкой. Радиоэлектронные сред
ства, выполненные на цифровых микросхемах, предъявляют умеренные
требования к пульсациям выходного напряжения источников вторичного
электропитания. Так, для электропитания большинства цифровых микро
схем допустимо напряжение постоянного тока с переменной состав
ляющей до 1 %. Для аналоговых устройств РЭС в большинстве случаев
допустима пульсация не более 0,1...0,2% от уровня выходного напряже
ния. К высоковольтным источникам вторичного электропитания, исполь
зуемым в радиопередающих устройствах, предъявляются повышенные
требования по значениям и составу гармонических составляющих выход
ного напряжения.
Пульсации выходного напряжения УВЬ1Х источников вторичного
электропитания оцениваются коэффициентом пульсации Кп, определяе
мым по формуле:
^вых ml (2.15)
~U
м ВЫХ
’
где УВыхт1 — амплитуда первой гармоники выходного напряжения.

Влияние температуры Т окружающей среды на выходное напряже
ние Uablx ИВЭ характеризуется температурным коэффициентом напряже
ния (ТКН) у, определяемым по формуле:
ВЫХ
■ 100 %, %/к, (2.16)
dT
где dT — изменение температуры. Единицей измерения ТКН является
%/К (читается: процент на Кельвин).
ИВЭ переменного тока характеризуются дополнительными показа
телями качества.
Во-первых, коэффициентом искажения формы кривой переменного
напряжения (тока) Кф на нагрузке стабилизатора, равным отношению
среднего квадратического напряжения (тока) основной гармоники Щ (/х)
напряжения (тока) к среднему квадратическому напряжению (току) U (/),
то есть
Кф = ^.^ = 7- <217)
Во-вторых, коэффициентом мощности cos ср, равным отношению ак

тивной мощности, потребляемой стабилизатором, к полной мощности,
проводимой к стабилизатору от источника электрической энергии пере
менного тока. Коэффициент мощности cos ср — это энергетический пара
метр ИВЭ, определяемый соотношением
cos <р =, (2.18)

*^ВХ
где Рвх = UBX ■ /вх — входная активная мощность,

/вх — входной ток источника вторичного электропитания,
SBX — полная мощность, потребляемая ИВЭ от сети переменного
тока.
Для повышения (почти до 1) коэффициента мощности ИВЭ требует
ся обеспечение синусоидальности входного тока и уменьшение угла
сдвига (р между входным напряжением и током. Для этих целей на входе
ИВЭ устанавливается корректор коэффициента мощности.
Массогабаритными параметрами ИВЭ являются удельный объем
ИВЭ, определяемый по формуле:
РвыхМвэ (2-19)
и измеряемый в Вт/дм3, и удельная масса ИВЭ, определяемая по формуле:
Рвых/^ивэ (2.20)
и измеряемая в Вт/кг, где Иивэ и бивэ — объем и масса источника вто

ричного электропитания соответственно.
Параметры надежности ИВЭ оцениваются интенсивностью отказов,
временем наработки на отказ и вероятностью безотказной работы. Выбор
показателей надежности определяется назначением радиоэлектронных
средств. Так, наибольшую наработку на отказ должны обеспечивать РЭС,
размещаемые на необслуживаемых (автономных) объектах. Наиболь
шая вероятность безотказной работы требуется от РЭС, функционирова
ние которых в течение заданного времени должно быть гарантировано.
К таким РЭС относятся, например, соответствующие системы ракетно-
космической техники, медицинской аппаратуры, связи. Наработка на от
каз отдельных составных частей (функциональных узлов) источни
ков вторичного электропитания обычно составляет (50 ...100) • 103 час,
а наработка на отказ самих источников вторичного электропитания не
превышает (20 ... 70) • 103 час. Вероятность безотказной работы ИВЭ
и их функциональных узлов составляет примерно 0,95 за 1 000 часов не
прерывной работы.
Помимо указанных параметров, ИВЭ должен удовлетворять требо
ваниям по уровню создаваемых им электромагнитных и сетевых помех.
Помехи от ИВЭ не должны превышать значений, установленных соответ
ствующими стандартами.
Технические требования к характеристикам ИВЭ должны выпол
няться в заданных условиях эксплуатации радиоэлектронных средств.
Эти условия определяются назначением аппаратуры, в которой исполь
зуются ИВЭ, и могут существенно различаться. Если РЭС размещаются
в отапливаемом помещении, то они рассчитываются на темпера
туру окружающей среды от +5 до +40 °C, атмосферное давление не ни
же 460 мм рт. ст. и относительную влажность воздуха 95 % при темпе
ратуре 30 °C. Если радиоэлектронные средства размещаются на под
вижных наземных носителях, то ИВЭ проектируются на температуру
окружающей среды от -50 до +65 °C, а относительную влажность воздуха
до 98... 100%.
К источникам вторичного электропитания предъявляются также
требования к устойчивости к воздействию проникающей радиации.
В этом случае необходимо учитывать обратимые и необратимые измене
ния, происходящие в полупроводниковых структурах, конденсаторах,
электромагнитных и других компонентах.
Конструкция ИВЭ должна обеспечивать заданный тепловой режим
работы в течение всего срока эксплуатации, быть технологичной и позво
лять выполнять миниатюризацию и унификацию, а также быть удобной
и безопасной при обслуживании и ремонте.
Коэффициент полезного действия г) ИВЭ с выходом на постоянном
токе определяется как отношение выходной активной мощности, равной
Рвых — ^вых ■ Ап к входной активной мощности, равной в общем случае
Рвх = Двх • /„ • cos <р, то есть
г] =^.100 0/о = ^вых ------100%. (2.21)

^ВХ Увх ' Al ’ COS V
Коэффициент полезного действия источника вторичного электро

питания во многом определяется сочетанием выходных напряжений и то
ков. При одинаковой выходной мощности ИВЭ с более высоким выход
ным напряжением имеют, как правило, и более высокий КПД. Однако
в маломощных высоковольтных ИВЭ получение высокого КПД затруд
нено, так как режим их работы близок к режиму холостого хода. В источ
никах вторичного электропитания с большими выходными токами КПД
определяется в основном мощностью тепловых потерь на регулирующем
элементе.
В низковольтных источниках вторичного электропитания КПД
обычно составляет: при режиме стабилизации с непрерывным регулиро
ванием — 45 ... 55 %, а при режиме стабилизации с импульсным регули
рованием — 75 ... 80 %.
§ 2.6. Применение метода наименьших квадратов для обработки

экспериментальных данных
При экспериментальном исследовании характеристик ИВЭ, напри

мер, нагрузочной характеристики, представляющей зависимость его вы
ходного напряжения UBbIX от тока нагрузки /н при постоянных температу
ре и входном напряжении Увх, получают и пар значений (7вых/ и /н;,
где z = 1, 2, ..., и, а и — число измерений. Переход от экспериментальных
точек к аналитической зависимости нагрузочной характеристики
Увых = /Uh) при ^вх = const иТ = const (2.22)

выполняют разными методами. Наиболее часто для аппроксимации экс
периментальных или расчетных данных применяется метод наименьших
квадратов (МНК).
Вид аналитической зависимости, которой предстоит аппроксимиро
вать экспериментальные данные, определяется либо физическими аспек
тами исследуемого явления, либо техническим заданием, либо интуитив
но выбирается самим исследователем. А метод наименьших квадратов
позволяет определить лишь числовые коэффициенты при переменных для
искомой аналитической зависимости.
Суть МНК состоит в том, что наивероятнейшими значениями ко
эффициентов искомой аналитической зависимости будут такие, при кото
рых сумма квадратов отклонений экспериментальных значений функции
у, от значений самой функции у, вычисленных по искомой аналитиче
ской зависимости, для всех значений х, будет наименьшей.
Иначе говоря, на основании п экспериментальных пар у, и X; сле
дует определить т + 1 параметр (т + 1 — число искомых коэффициен
тов аналитической зависимости) функции
У f Об а0, ^1/ > &гп)> (2.23)
которая наилучшим образом описывает массив пар у, их,, то есть МНК

требует выполнения условия
п
= min. (2.24)
i=l
Выражение (2.23) представляет собой искомое уравнение аппрок

симации (уравнение регрессии), записанное в общем виде.
В уравнении (2.24) коэффициенты а0,а1, ...,ат являются незави
симыми переменными. Для их нахождения следует из уравнения (2.24)
получить и приравнять к нулю частные производные по каждому
из т + 1 параметров. Это позволит составить систему из т + 1 уравне
ний ст + 1 неизвестными а0, аг, ...,ат.
Практическое использование МНК требует индивидуального под
хода как к выбору аппроксимирующего уравнения (2.23), так и к опреде
лению коэффициентов аппроксимации а0,а1( ...,ат.
Математическое обеспечение современных персональных компью
теров содержит стандартные программы, реализующие МНК. Часто об
работка по методу наименьших квадратов экспериментальных данных
выполняется с помощью программы технической графики и анализа дан
ных ORIGIN.
Для уяснения идеологии МНК целесообразно выполнить математи
ческие преобразования в наиболее простом случае (рис. 2.8).
Рис. 2.8. Иллюстрация к выводу формул для определения коэффициентов линейной
аппроксимации по методу наименьших квадратов
При выборе аппроксимирующего уравнения (2.23) в виде полинома

первой степени
у = а0 + ci] ■ х (2.25)
функционал J, равный сумме квадратов отклонений экспериментальных

значений от значений самой функции (2.25), вычисленных по искомой
аналитической зависимости для всех значений х,, должен быть наимень
шим, го есть
= min. (2.26)
Метод наименьших квадратов требует нахождения минимума

функционала/ (уравнение (2.26)). А это возможно при рассмотрении пер
вых производных функционала J по искомым коэффициентам уравнения
аппроксимации. Таким образом, можно записать
=о (2.27)
да0
и
(2.28)
Из выражения (2.27) получают
dj д у-1
= “ а° “ а1 ' Хд = 0 '
да0 uuoi_
Выполнив дифференцирование полученного уравнения, можно за

писать
п
2 • ^(у, - а0 - «1 ' ■ (-1) = 0.
i=i
После выполнения сокращений и преобразований в полученном

уравнении имеют
п п
У У1 - п • а0 - • У х, = 0.
i=i i=i
Из этого выражения можно записать формулу для определения ко
эффициента а0 уравнения аппроксимации линейной функцией (2.25):
п п
(2.29)
__ п 27
—1 xi-
t=i i=i
Из выражения (2.28) можно записать
dj д V-1 ,
д^=6тму,~а°~а''х,} °-
1=1
После дифференцирования полученного уравнения имеют

п
2• (У1 - а0 - ■ Х() ■ (-х() = 0
7^1
или, выполнив алгебраические преобразования, получают

п п п
~^\xi'Уд + ао Xi + аг ■ У х(2 — 0. (2.30)
i=i i=i i=i
Подставляя выражение (2.29) для а0 в (2.30), имеют

п п п п п п
- 2^• У;) + - • yt • 2^ X; - - • • 2^ X; • 2^ X; + «! • 2^ X? = 0 .
i=l i=l i=l i=i i=l i=l
Из полученного выражения можно записать выражение для опреде
ления коэффициента аг уравнения аппроксимации линейной функцией
(2.25):
Уравнения (2.29) и (2.31) позволяют определить коэффициенты а0

и аг при линейной аппроксимации экспериментальных данных по методу
наименьших квадратов.
В качестве примера практического применения МНК можно рас
смотреть аппроксимацию десяти пар (« = 10) экспериментальных точек у<
и (рис. 2.9). В табл. 2.1 представлены экспериментальные результаты
измерения UBb]xi и IHi при исследовании нагрузочной характеристики
ИВЭ. Индекс i соответствует текущему измерению (i изменяется от 1
до и, где п — число измерений).
Таблица 2.1
Экспериментальные результаты для построения нагрузочной
характеристики ИВЭ (и = 10)
^вых Ь В 5,50 5,30 5,27 5,08 4,90 4,83 4,79 4,69 4,45 4,41
мА 101 111 130 141 159 171 188 201 217 231
На основании визуального анализа расположения эксперименталь

ных точек, представленных на рис. 2.9, в качестве аппроксимирующего
уравнения (2.23) выбран полином первой степени (2.25).
Таким образом, по уравнениям (2.29) и (2.31) вычисляют коэффици
енты а0 и аг.
Для экспериментальных данных, приведенных в табл. 2.1, получены
следующие значения: а0 = 6,25 В и аг — -8,08-10'3 B/мА. Следовательно,
исследуемый ИВЭ имеет нагрузочную характеристику
УВых = 6,25 - 8,08 • 10“3 • /н , (2.32)
которая показана на рис. 2.9. В уравнении (2.32) УВЬ|Х измеряется в воль

тах (В), а /н — в миллиамперах (мА).
По нагрузочной характеристике ИВЭ УВЬ1Х = /(/н) (рис. 2.9) опре
деляют его динамическое сопротивление /?г, используя для этого форму
лы (2.2) или (2.3).
Рис. 2.9. Пример аппроксимации по методу наименьших квадратов
линейной функцией нагрузочной характеристики источника
При использовании формулы (2.2) необходимо иметь аналитиче

ское выражение нагрузочной характеристики, полученное, например, по
сле ее аппроксимации по МНК. В этом случае для каждого выбранного
тока нагрузки определяют динамическое сопротивление (ведь производ
ная вычисляется для конкретного тока нагрузки /н). На характер нагру
зочной характеристики (например, линейность) не накладываются какие-
либо ограничения. Иными словами, при использовании формулы (2.2)
определяют мгновенное (для каждого тока нагрузки) динамическое со
противление ИВЭ.
Для проверки правильности аппроксимации по методу наименьших
квадратов нагрузочной характеристики линейной функцией можно ис
пользовать следующий факт. В уравнении (2.29) суммы S”=1y, и
деленные на представляют собой выражения для вычисления средних
арифметических уср = ~' £д1=1У; и хср — - ■ SF=ixi измеренных значений
у и х соответственно. Учитывая эти обозначения, уравнение (2.29) можно
записать в следующем виде:
а0 — Уср — а1 ‘ ^ср
или
Уср @0 й" Я] f Хср.
Следовательно, аппроксимирующая прямая линия должна проходить

через точку с координатами (у^; хср). Иллюстрация такой проверки правиль
ности выполненной аппроксимации по МНК приведена на рис. 2.9.
В общем случае динамическое сопротивление /?г ИВЭ зависит от
тока нагрузки, то есть Rt = Единственным исключением из этого
является линейно изменяющаяся нагрузочная характеристика. Естествен
но, что для аппроксимации такой функции УВЬ1Х = f(J„) выбирают урав
нение (2.25) у = а0 + аг • х. В этом случае абсолютное значение коэффи
циента аг равно динамическому сопротивлению ИВЭ и не зависит от тока
нагрузки, то есть .
При использовании для определения динамического сопротивления
Rt ИВЭ формулы (2.3), записанной в конечных разностях, необходимо
учитывать две особенности.
Во-первых, формула (2.3) справедлива для линейного характера из
менения нагрузочной характеристики. Однако в реальных условиях
(/вых = /(/„) является нелинейной функцией (рис. 2.10). Причем чем
ближе зависимость Увых = /"(/„) к линейной функции, тем применение
формулы (2.3) более допустимо, а результаты расчета по ней — более до
стоверны. Поэтому на нагрузочной характеристике выделяют линейные
либо близкие к ним участки (рис. 2.10): 2-3 и 4-5. Применять формулу
(2.3) к участкам 1-2 и 3-4 нельзя из-за явной нелинейности 1/вых = /(/„)•
Практический интерес имеет участок 2-3, так как на нем Rt суще
ственно меньше, чем на участке 4-5.
Во-вторых, при выборе значений (7ВЬ1Х, U"blx, и надо помнить о
метрологической особенности измерения малой разности больших чисел.
Ведь при использовании формулы (2.3) вычисляют соответствующие раз
ности ДУВЬ1Х = £/вых — УВ'Ь1Х и Д/н = /„ — /" для двух выбранных точек
на линейном участке нагрузочной характеристики.
В метрологии показано, что абсолютная погрешность ДА определе
ния разности двух чисел XjH х2, измеренных с абсолютными погрешно
стями Дх! и Дх2, равна сумме абсолютных погрешностей Дхг и Дх2 без
учета их знака, то есть ДА = Дхг -I- Дх2. Отсюда следует, что при малой
разности больших чисел может сложиться ситуация, когда сумма абсо
лютных погрешностей Дх1 и Дх2 будет соизмерима или даже больше ис
комой разности чисел, то есть Дхх 4- Дх2 > А.
Таким образом, из рассмотренных особенностей применения фор
мулы (2.3) для определения Rt источников вторичного электропитания
следуют практические рекомендации: для заданного диапазона токов
нагрузки надо выбрать линейный участок нагрузочной характеристики;
значения токов /' и надо выбрать максимально удаленные друг от дру
га, но не выходящие за границу рассматриваемого линейного участка
нагрузочной характеристики.
В качестве примера реализации названных особенностей примене
ния формулы (2.3) можно рассмотреть определение Rt по нагрузочной
характеристике, показанной на рис. 2.9. Учитывая, что нагрузочная
характеристика имеет линейный характер, то значения и /„ выбирают
на концах исследованного диапазона изменения тока нагрузки. Затем, ис
пользуя построенное уравнение аппроксимации (а нс экспериментальные
значения УВЬ1Х), определяют УВЬ1Х и (7"1Х.
Рис. 2.10. Иллюстрация определения динамического сопротивления ИВЭ

_____ при нелинейном характере его нагрузочной характеристики____________
Расчеты показали, что Д/н = 128 мА и Д1/ВЬ1Х = 1,02 В. Следова

тельно, динамическое сопротивление /?, ИВЭ, рассчитанное по форму
ле (2.3), равно 7,97 Ом.
Ранее отмечалось, что при линейной аппроксимации нагрузоч
ной характеристики коэффициент аг (уравнение (2.25)) численно равен
динамическому сопротивлению. Для рассматриваемого примера относи
тельное расхождение рассчитанного /?, по формуле (2.3) и коэффицие-
X.TIIZ /8,08-7,974
нта at из линейного уравнения аппроксимации по МИК равно ———J ■
100% = 1,4%. Это вполне допустимое расхождение определения
двумя методами. Оно вполне объяснимо тем, что значения Увых, UBhlx, /'
и определены по графику с некоторой погрешностью.
Подтверждением правильности аппроксимации нагрузочной харак
теристики линейной функции и достоверности построения се на графике
(рис. 2.9) является совпадение значения а0 из уравнения (2.25) со значе
нием УВЬ1Х при экстраполяции уравнения аппроксимации до пересечения
с осью ивых при токе нагрузки, равном нулю.
§ 2.7. Методы уменьшения массогабаритных параметров источников
До семидесятых годов XX века ИВЭ представляли собой достаточ

но простые с точки зрения физики и схемотехники устройства. На
рис. 2.11 показана традиционная для названного времени структурная
схема источника вторичного электропитания РЭС, использующего энер
гию переменного тока промышленной частоты/' 50 Гц.
Рис. 2.11. Структурная схема источника вторичного электропитания

радиоэлектронных средств, построенного по традиционной схеме
Схема ИВЭ, приведенная на рис. 2.11, включает в себя последова

тельно включенные сетевой низкочастотный трансформатор, неуправляе
мое или управляемое выпрямительное устройство, низкочастотный сгла
живающий фильтр, стабилизатор напряжения/тока с непрерывным или
импульсным регулированием. Естественно, что ИВЭ содержали устрой
ства защиты и диагностики Узащ.
Низкочастотное (как правило, частотой/= 50 Гц) напряжение ис пе
ременного тока питающей сети, преобразованное трансформатором, вы
прямлялось, фильтровалось и стабилизировалось. На нагрузку подавалось
напряжение 1/вых постоянного тока. Применение в рассматриваемой схе
ме ИВЭ компенсационного стабилизатора напряжения с непрерывным
регулированием и/или компенсационного стабилизатора тока с непре
рывным регулированием обеспечивало хорошие качественные показатели
выходного напряжения.
Основными элементами ИВЭ, в которых теряется значительная
мощность и от которых зависят КПД, масса и габариты источника вто
ричного электропитания, являются стабилизатор напряжения/тока, сгла
живающий фильтр и сетевой низкочастотный трансформатор. Коэффици
ент полезного действия стабилизатора с непрерывным регулированием
главным образом определяется мощностью, рассеиваемой на его регули
рующем элементе. Величина этой мощности зависит как от пределов из
менения входного напряжения, так и от пределов регулирования выход
ного напряжения и тока нагрузки. При низких уровнях выходною нап
ряжения ИВЭ КПД стабилизатора мал, так на его регулирующем элемен
те рассеивается значительная мощность, часто превышающая полезную
мощность, отдаваемую им в нагрузку. При повышении уровня выходного
напряжения КПД стабилизатора возрастает.
Источник вторичного электропитания, построенный по традицион
ной схеме и приведенной на рис. 2.11, имеет КПД, равный 15...30 %, зна
чительные массу и габариты. Применение в рассматриваемой схеме ИВЭ
компенсационного стабилизатора напряжения с импульсным регулирова
нием вместо КСИ с непрерывным регулированием позволяет в опреде
ленной степени уменьшить мощность, рассеиваемую на регулирующем
элементе, повысить КПД всего источника вторичного электропитания,
а также уменьшить его массу и габариты.
Миниатюризация современных ИВЭ, построенных по схеме, пока
занной на рис. 1.1, достигнута благодаря реализации в них следующих
инновационных методов.
Во-первых, повышение частоты тока, протекающего через обмотки
электромагнитных компонентов (трансформатор, дроссель), до ~ 1 000 кГц.
Во-вторых, переход от непрерывных методов регулирования к им
пульсным.
В-третьих, применение эффективных методов отвода тепла от тер
монагруженных компонент и блоков.
В-четвертых, применение современной элементной сазы.
Первый метод уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ за
ключается в повышении частоты тока, протекающего через обмотки элек
тромагнитных компонент (трансформатор, дроссель), до ~1 ООО кГи.
Известно, что с повышением частоты тока, протекающего через об
мотки статических электромагнитных устройств (трансформаторы, дрос
сели), их массогабаритные параметры уменьшаются (рис. 2.12).
Рис. 2.12. Влияние частоты тока, протекающего через обмотки трансформаторов

и дросселей, на их массу
Следует помнить, что повышение частоты тока, протекающего через

обмотки электромагнитных компонентов, дает положительный эффект при
частотах до ~1 ООО кГц. Дальнейшее повышение частоты сопровождается
увеличением массы и габаритов электромагнитных компонентов.
Рассмотренный метод уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ
схемотехнически отражается отсутствием на входе современных ИВЭ сете
вого низкочастотного трансформатора (рис. 1.1). Такие ИВЭ называются
бестрансформаторными. Это вовсе не означает, что названные ИВЭ не
включают трансформатор. В бестрансформаторных ИВЭ трансформатор
устанавливают после инвертора, который и питает этот трансформатор вы
сокочастотным (/’до ~1 ООО кГц) напряжением переменного тока.
Второй метод уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ за
ключается в переходе от непрерывного регулирования к импульсному ре
гулированию (это требует наличия высокочастотных эффективных элек
тронных силовых ключей).
В качестве электронных ключей традиционно используются тран
зисторы и тиристоры. Частотные свойства транзисторов за последние
пятьдесят лет значительно улучшены. Поэтому надо отметить некоторые
особенности транзисторов.
Биполярный транзистор — это токовый полупроводниковый прибор,
управление включением и выключением которого осуществляется током
базы. Биполярные транзисторы требуют для своего управления больших за
трат энергии и имеют ограничения по повышению частоты переключения.
За последние тридцать лет полевые транзисторы в качестве сило
вых электрических ключей в значительной степени заменили биполярные
транзисторы.
Одна из разновидностей полевых транзисторов — это мощные по
левые транзисторы с изолированным затвором. В английской тран
скрипции они называются Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transis
tor (MOSFET).
Другая разновидность транзисторов — это транзисторы, которые
являются по своей сути комбинированными транзисторами, состоящими
из управляющего MOSFET и входного биполярного каскада. В этих тран
зисторах, называемых IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), соединены
положительные качества полевых и биполярных транзисторов, работаю
щих в ключевом режиме.
Поэтому в настоящее время появилась реальная возможность эффек
тивного перехода от непрерывных методов регулирования к импульсным.
На рис. 2.13, а показана коллекторная характеристика биполярного
транзистора, представляющая собой зависимость коллекторного тока /к
от напряжения между коллектором и эмиттером Укэ для нескольких токов
базы /б. Нагрузочная характеристика /к = /(1/кэ) помогает иллюстрировать
режимы работы транзистора: насыщения, отсечки и нормальный активный.
На рис. 2.13, б видно, что мощность PVT, рассеиваемая на биполярном
транзисторе, мала, если рабочая точка транзистора находится в режиме
отсечки или в режиме насыщения. Такая ситуация реализуется в импульс
ных устройствах. А если рабочая точка транзистора находится в нормаль
ном активном режиме, то мощность PVT, рассеиваемая на транзисторе, ве
лика. Такая ситуация реализуется в линейных устройствах.
Это предопределило использование в современных ИВЭ, как пра
вило, импульсных стабилизаторов напряжения и тока.
Однако надо отмстить, что в тех случаях, когда необходим ИВЭ
с минимальными электромагнитными помехами и его массогабаритные
параметры не критичны, предпочтение отдают линейным стабилизаторам
напряжения и тока.
Рис. 2.13. Иллюстрация к методу уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ

за счет перехода от непрерывных методов регулирования к импульсным:
а — коллекторная характеристика биполярного транзистора;
б —мощность, рассеиваемая на транзисторе,
выполняющем функцию регулирующего элемента
Третий метод уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ за
ключается в применении современных методов отвода тепла от термо
нагруженных радиоэлектронных компонентов и блоков.
Эффективность термостабилизации электронных компонентов
в значительной степени определяет надежность функционирования как от
дельных блоков, так и РЭС в целом. Дело в том, что повышение темпера
туры окружающей среды на каждые 10 градусов сокращает время жизни
электронных компонентов на 50 %.
Традиционно для отвода тепла от термонагруженных радиоэлектрон
ных компонентов и блоков применяют радиаторы, вентиляторы и плавя
щиеся вещества.
Первые два типа устройств рассеивают энергию, отводимую от
термонагруженных электронных компонентов и блоков в окружающее их
пространство. При этом за счет конвекиии тепловой режим расположен
ных рядом с термонагруженным электронным компонентом или блоком
элсктрорадиокомпонснтов изменяется. Болес того, радиаторы и вентиля
торы увеличивают массогабаритные параметры ИВЭ, а вентилятор ухуд
шает условия работы обслуживающего персонала.
Отвод тепла от термонагруженных радиоэлектронных компонентов
и блоков с помощью плавящихся веществ практически реализуется лишь
на достаточно короткое время (несколько минут) и на устройствах специ
ального назначения.
Поэтому в последние сорок лет в наукоемких отраслях промыш
ленности и офисной электронной аппаратуре нашли широкое применение
тепловые трубы (ТТ), позволяющие реализовать современные эффектив
ные методы отвода тепла от термонагруженных радиоэлектронных ком
понентов и блоков (рис. 2.14).
Рис. 2.14. Устройство тепловой трубы:

1 — термонагруженный элемент (подвод тепла), 2 — корпус,
3 — капиллярно-пористая структура, 4 — внешняя поверхность (для сброса тепла),
5 — зона ис парения теплоносителя, б — паровое ядро,
7— зона конденсации теплоносителя
Конструктивно тепловая труба (рис. 2.14) представляет собой герме
тичный тонкостенный цилиндр 2 диаметром ~15 мм и длиной от -15 мм до
-50 м, изготовленный из дюраля или меди и имеющий на переднем торце
площадку для крепления термонагруженного компонента или блока 1.
Задний торец ТТ выводят параллельно одной из внешних поверхностей
4 соответствующего устройства (параллельно задней стенке прибора).
На внутренней поверхности ТТ находится капиллярно-пористая
структура 3, насыщенная теплоносителем. В ТТ, работающих в различ
ных температурных диапазонах, в качестве капиллярно-пористой струк
туры и теплоносителя используются различные материалы. Для низко
температурных ТТ, то есть ТТ, применяемых в радиоэлектронных сред
ствах, в качестве капиллярно-пористой структуры используются синтети
ческие волокнистые структуры, а в качестве теплоносителя — смесь воды
и спирта, имеющая температуру фазового перехода -25 °C.
Принцип действия ТТ состоит в следующем. Пусть на переднем
торце ТТ закреплена микросхема 1. При ее нагревании повышается тем
пература теплоносителя у переднего торца, и при температуре -25 °C
теплоноситель испаряется 5 и формируется паровое ядро 6 в центральной
области ТТ. В это же время капиллярно-пористая структура 3 подтягивает
за счет капиллярного эффекта теплоноситель от заднего торца ТТ. При
достижении паровой фазы теплоносителя заднего торца ТТ, от которого
отводится тепловая энергия, теплоноситель конденсируется 7 и насыщает
капиллярно-пористую структуру.
Таким образом происходит перемещение паровой фазы теплоноси
теля по центральной области ТТ от переднего торца к заднему, а жидкой
фазы теплоносителя — по капиллярно-пористой структуре от заднего тор
ца к переднему.
Все процессы в ТТ протекают при температуре фазового перехода
теплоносителя, то есть ТТ работает в изотермических условиях. А это
означает, что тепловой режим рядом расположенных компонентов не из
меняется.
Четвертый метод уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ
заключается в применении современной элементной базы. Успешное раз
витие отечественной и зарубежной радиоэлектроники существенно рас
ширило номенклатуру радиоэлектронных компонентов, а значит, и воз
можности разработчиков РЭС. Конкретные примеры интересующих ком
понентов можно найти в справочной литературе и в сети Internet.
§ 2.8. Метрологическая культура представления результатов

экспериментальных и расчетных исследований
Современный человек в числе прочих умений должен обладать мет

рологической культурой. В ее формировании важную и в значительной
степени определяющую роль выполняет лабораторный и компьютерный
практикум.
Результаты экспериментальных и расчетных исследований и ком
пьютерного моделирования, как правило, представляются в виде соответ
ствующих графиков. Графическое представление информации позволяет
повысить эффективность ее восприятия за счет визуализации.
При построении графиков необходимо рационально использовать
площадь графика. Болес того, для сравнительного визуального и количе
ственного анализа режимов исследуемого устройства целесообразно на
одном графике показывать несколько кривых, причем диапазоны измене
ния их параметров могут не совпадать. Пример отображения на одном
графике информации о результатах исследования трех нагрузочных ха
рактеристик показан на рис. 2.15.
Рис. 2.15. Иллюстрация построения на одном графике трех нагрузочных

характеристик, имеющих различные диапазоны изменения аргументов
Выполняя такую процедуру, следует помнить о некоторых реко

мендациях.
Оси координат располагают не только традиционно, слева и внизу,
но и справа и вверху графика.
Масштаб по осям декартовых координат выбирают таким, чтобы
линия графика имела к ним наклон ~ 45 градусов.
Совсем не обязательно совмещать начало координат с нулевым
значением соответствующей величины.
При нанесении на оси координат единицы масштаба следует указы
вать только округленные значения, а середину отрезка между соседними
значениями отмечать выносным штрихом (зарубком) без указания его
числового значения.
В конце координатной оси указывают обозначение физической ве
личины и единицу ее измерения.
Каждая серия измерений на графике обозначается индивидуальными
значками, например, «о», «х», «о», «*», «б», «А», «о», «■», «А», «►»,
«▼», «◄», «О», «ф» и так далее. В этом случае визуализация конкретной
серии измерений значительно улучшается. Экспериментальные точки, от
носящиеся к одной серии измерений, аппроксимируют, например, по ме
тоду наименьших квадратов, соответствующей функцией, которая также
отображается на графике и для удобства отмечается арабской и/или рим
ской цифрой.
Оси координат, в которых построена функция, указываются вынос
ными линиями со стрелками, исходящими из соответствующего графика.
С учетом этих рекомендаций и требований к оформлению графиков
и построен рис. 2.15.
§ 2.9. Расчет систематических погрешностей измерений

Физические величины характеризуются своим количественным
значением и погрешностью определения. В лабораторной практике часто
используются два термина: «измеряемая физическая величина» и «оцени
ваемая физическая величина».
Измеряемая физическая величина характеризуется как количествен
ным значением, так и погрешностью определения.
Оцениваемая физическая величина характеризуется только количе
ственным значением.
При экспериментальном исследовании характеристик и параметров
ИВЭ используют стрелочные и цифровые измерительные приборы (ИП),
для которых оценки систематических погрешностей имеют специфиче
ские особенности.
При этом необходимо помнить и учитывать две метрологических
особенности.
Во-первых, специфику измерения малой разности больших чисел.
Во-вторых, необходимость использования шкалы отношений. Шка
ла отношений позволяет исключить необходимость знания коэффициента
пропорциональности между значением измеряемой величины у и значе
нием аргумента х. Например, при исследовании линейно изменяющихся
функций уг = кхг и у2 — кх2 их отношение У\/Уг не зависит от коэффи
циента пропорциональности к. При использовании шкалы отношений
следует быть уверенным в линейном характере исследуемых функций
У1 = кхг и у2 = кх2.
2.9.1. Расчет систематической погрешности
аналоговых измерительных приборов
Аналоговые (стрелочные) измерительные приборы характеризуют
ся классом точности у, выраженным одним числом.
Класс точности у — это наименьшая относительная погрешность,
с которой данным ИП можно выполнить измерение конкретной вели
чины.
По определению класс точности аналоговых измерительных прибо
ров равен
ДУ
у =-—.100%, (2.33)
^К
где ДУ — абсолютная предельно допускаемая погрешность,

UK — конечное значение шкалы ИП, на которой выполнено измере
ние.
Из выражения (2.33) вычисляют абсолютную предельно допускае
мую погрешность (при заданных значениях у и Ук) измерительного при
бора:
Y-UK
ДУ = (2.34)
100%’
где ДУ выражается в тех же единицах, что и Ук.
Учитывая, что относительная погрешность г определения физиче
ской величины U равна
ДУ
£ = — •100%, (2.35)
то с учетом уравнения (2.34) из (2.35) можно получить

£ = У^,%. (2.36)
Из выражения (2.36) следует, что чем ближе значение измеряемой

величины U к конечному значению шкалы Ук используемого средства
измерения, тем меньше относительная погрешность £ определения У.
В частности, при У = Ук относительная погрешность £ определения фи
зической величины U равна классу точности у используемого средства
измерения, то есть £ = у.
Это является иллюстрацией физического смысла класса точности
средства измерения.
2.9.2. Расчет систематической погрешности

цифровых измерительных приборов
Цифровые измерительные приборы характеризуются классом точ
ности, обозначаемым, как правило, числами с и d, разделенными косой
чертой: c/d (табл. 2.2). В этом случае относительная погрешность £ из
мерения физической величины U цифровым измерительным прибором
определяется формулой:
(2.37)
Таблица 2.2
Класс точности некоторых цифровых измерительных приборов
Тин Измеряемая величина
прибора и У. / К R
В7-16 0,05/0,05 0,5/0,02 — — 0,2/0,02
В17-16А 0,1/0,05 0,2/0,05 — 0,2/0,05
Щ4313 0,25/0,1 1,0/0,5 0,4/0,2 1,0/0,5 0,5/0,25
Следует отметить, что для вольтметра В7-16 относительная по
грешность измерения определяется не по формуле (2.37), а по формуле:
£ =с+d % (2.38)
Формулы (2.37) и (2.38) показывают, что наименьшая относитель

ная погрешность измерения соответствующей физической величины
с помощью цифрового измерительного прибора при U = UK численно
равна числу с, определяющему постоянную составляющую в относитель
ной погрешности измерения £.
Зная относительную погрешность измерения £ по формуле:
£-U
(2.39)
100%'
получаемой из (2.35), определяют абсолютную погрешность ДУ измере
ния конкретной величины U.
Абсолютную погрешность ДУ определяют в единицах измерения
соответствующей физической величины У.
Надо отметить, что некоторые современные цифровые мультиметры
характеризуются разрядностью. Простые цифровые мультиметры, как пра
вило, имеют разрядность 2,5 цифровых разряда, что соответствует относи
тельной погрешности около 10 %. Более распространены приборы с разряд
ностью 3,5 (погрешность около 1,0%). Например, разрядность цифрового
мультиметра «3,5» означает, что дисплей прибора показывает три полно
ценных разряда с диапазоном цифр от 0 до 9 и один разряд с ограниченным
диапазоном. Так, прибор типа «3,5 разряда» может, например, определять
показания измеряемой величины в пределах от 0,000 до 1,999. При выходе
значения измеряемой величины за эти пределы требуется переключение
прибора на другой диапазон (ручное или автоматическое). Важно помнить,
что количество разрядов не определяет погрешность прибора. Метрологи
ческие параметры прибора зависят от разрядности его аналого-цифрового
преобразователя, то есть от применяемых электронных компонентов, каче
ства защиты от внешних наводок и качества сделанной калибровки.
В лабораторной практике широкое применение нашли современные
универсальные цифровые вольтметры типа В7-65 с расширенными
функциональными возможностями и малым энергопотреблением, разра
ботанные и выпускаемые ОАО «Минский научно-исследовательский
приборостроительный институт».
Вольтметр универсальный цифровой В7-65 предназначен для изме
рения постоянного напряжения, среднеквадратического значения пере
менного напряжения произвольной формы, сопротивления постоянному
току, силы постоянного и переменного токов, частоты и периода синусо
идального и импульсного сигналов. Вольтметр обеспечивает хранение до
200 результатов измерений во внутреннем ОЗУ.
Вольтметр В7-65 и его модификации В7-65/1 и В7-65/2 обеспечивают
математическую обработку результатов измерений по десяти программам,
в том числе тестирование диодов и цепей, измерение температуры, изме
рение мощности, допусковый контроль, поиск экстремумов, усреднение
результатов измерений (цифровая фильтрация), измерение в децибелах,
накопление и просмотр массива данных. Вольтметр В7-65/1 обеспечи
вает обмен информацией через канал общего пользования. Вольтметр
В7-65/2 обеспечивает обмен информацией по последовательному асинхрон
ному интерфейсу типа «Стык С2» в соответствии с ГОСТ 18145-81.
Формат индикации результатов измерения вольтметрами определен
производителем и составляет 4,5 и 5,5 разрядов.
Класс точности измерительного прибора определяется заводом-
изготовителем или лабораторией метрологического контроля и указыва
ется либо на шкале, либо в паспорте прибора.
2.9.3. Оформление результатов измерений

При оформлении результатов исследований необходимо выполнять
правила записи чисел.
Значащие цифры данного числа — это все цифры от первой слева,
не равной нулю, до последней цифры, записанной справа (в том числе
равной нулю) (табл. 2.3).
Таблица 2.3
Примеры определения числа значащих цифр
Число Количество значащих цифр
220 три
12,0 три
50 две
5,0 две
0,5 одна
0,05 одна
0,050 две
120 103 три
0,514 три
0,0078 две
7,8 ■ 10"3 две
Особенность определения значащих цифр числа состоит в том, что

нули, следующие из множителя 10”, не учитываются. Таким образом, ну
ли, стоящие слева от первой цифры анализируемого числа, не равной ну
лю, не являются значимыми.
Например, числа 0,5, 0,05, 0,005 и 0,0005 имеют одну значащую
цифру и их удобно представлять сомножителем 10” в следующем виде:
5 ■ 10"1, 5 • 10“2, 5 • 10“3 и 5 • 10“4.
Однако нули, стоящие справа от последней цифры анализируемого
числа, являются значимыми. Например, числа 0,50, 0,500 и 0,5000 имеют
две, три и четыре значащие цифры соответственно. Нули, стоящие справа
от последней цифры анализируемого числа, отражают метрологическую
сторону числа. Эти числа можно записать сомножителем 10” в следую
щем виде: 50 • 10"2, 500 ■ 10~3 и 5000 ■ 10"4.
Это позволяет различать записи приближенных чисел по количеству
значащих цифр. Следует различать, например, числа 3,4 и 3,40. Запись
3,4 означает, что верны только цифры целых и десятых. Запись 3,40
означает, что верны и сотые доли.
Запись 220 означает, что все цифры верны. Однако если, например,
за последнюю цифру ручаться нельзя, то рассматриваемое число должно
быть записано 22 • 101 или 2,2 • 102.
Если в числе 4720 верны лишь две первые цифры, то оно должно
быть записано в виде 47 • 102 или 4,7 • 103.
Если необходимо указать, что число является точным, то после числа
должно быть указано слово «точно» или последняя значащая цифра
должна печататься жирным шрифтом. Например, 1 кВт ч = 3600000 Дж
(точно) или 3600000 Дж.
Число, для которого указывается допускаемое отклонение, должно
иметь последнюю значащую цифру того же разряда, как и последняя зна
чащая цифра отклонения. В табл. 2.4 приведены примеры правильных
и неправильных записей.
Таблица 2.4
Примеры правильной и неправильной записи числа,
для которого указано допускаемое отклонение
Правильно Неправильно
17,0 ± 0,2 17 ± 0,2 или 17,00 ± 0,2
12,13 ±0,17 12,13 ± 0,2 или 12,1 ± 0,17
5,00 ± 0,25 5 ± 0,25
46,40 ±0,15 46,4 ± 0,15 или 46,402 ± 0,15
Числовое значение величины и абсолютную погрешность сс опре

деления записывают с указанием одной и той же единицы физической ве
личины. Например, 68,497 ± 0,013 В.
Диапазон (интервал) между числовыми значениями величин запи
сывают следующим образом: от 60 до 100 или свыше 100 до 120.
Основные правила округления чисел заключаются в следующем.
Округление числа представляет собой отбрасывание значащих
цифр справа до определенного разряда с возможным изменением цифры
этого разряда. Например, при округлении числа 132,48 до четырех зна
чащих цифр следует писать 132,5.
В случае если первая из отбрасываемых цифр (считая слева напра
во) меньше пяти, то последняя сохраняемая цифра не изменяется. Напри
мер, округление числа 12,23 до трех значащих цифр дает 12,2.
В случае если первая из отбрасываемых цифр (считая слева напра
во) равна 5 или больше 5, то сохраняемая цифра увеличивается на еди
ницу. Например, при округлении числа 0,145 до двух значащих цифр сле
дует писать 0,15.
В тех случаях, когда необходимо учитывать результаты предыду
щих округлений, поступают следующим образом. Во-первых, если отбра
сываемая цифра получилась в результате предыдущего округления
в большую сторону, то последняя сохраняемая цифра не изменяется.
Например, округление до одной значащей цифры числа 0,35 (полученного
после округления числа 0,349) дает 0,3. Во-вторых, если отбрасываемая
цифра получилась в результате предыдущего округления в меньшую сто
рону, то последняя сохраняемая цифра увеличивается на единицу. Напри
мер, округление числа 0,35 (полученного в результате предыдущего
округления числа 0,352) дает 0,4.
Учитывая, что при многоэтапном округлении необходимо знать
предысторию процедуры, то целесообразно округление выполнять только
в числе, отражающем конечный результат, сразу до требуемого количе
ства значащих цифр, а не по этапам. Например, округление числа
565,46 до трех значащих цифр дает 565.
В случае округления числа 565,46 до трех значащих цифр в два
этапа без учета приведенных выше рекомендаций можно получить оши
бочный результат. Например, в первом этапе при округлении числа
565,46 получают 565,5, а во втором этапе округления числа 565,5 полу
чают 566, что является ошибочным результатом.
Целые числа округляют по тем же правилам, что и дробные.
Например, округление числа 12456 до двух значащих цифр даст 12 • 103.
При изложении результатов исследований, расчетов и моделирова
ния необходимо использовать корректный с технической и метрологиче
ской точек зрения язык.
В табл. 2.5 приведены примеры часто встречающихся ошибок в при
менении некоторых физических, технических и метрологических терми
нов и определений.
Очень важно не путать термины «погрешность измерений» и «точ
ность измерений» (а также термины «погрешность средства измерения»
и «точность средства измерения»),
В отличие от понятия «погрешность измерения» понятие «точность
измерения» не является строгим, количественно определенным понятием
и используется лишь для качественного описания измерений (прежде все
го, в разговорной практике и в изданиях, не относящихся к числу техни
ческих или, тем более, метрологических). Обычно под высокоточными
измерениями понимают измерения с малой погрешностью и, наоборот, —
под низкоточными измерениями понимают измерения с большой по
грешностью.
Таблица 2.5
Примеры часто встречающихся ошибок в применении некоторых
физических, технических и метрологических терминов
и определений
Неправильно Правильно Объяснение
Резистор — электрорадиоэлемент, одним из

Сопротивление Резистор основных его параметров является
сопротивление
Конденсатор — электрорадиоэлемент, одним
Емкость Конденсатор
из основных его параметров является емкость
Замерить,
Измерить, Термин «измерение» является исходным
промерить,
измерение корректным термином
замер
Измерительный Средство
инструмент измерения
Термин «величина» характеризует свойство,
Величина тока Сила тока
но не количество
Неправильно Правильно Объяснение
Величина Значение массы Термин «величина» характеризует свойство,

массы (масса) но не количество
Физическая величина и ее единица — разные
Частота понятия. Наименования единиц не должны
Число оборотов
вращения использоваться вместо наименований
физических величин
1. Диапазон
измерений от 0
Диапазон Диапазон — область значений измеряемой
до 1 000 В
измерений величины, ограниченная ее нижним
2. Верхний предел
1 000 В и верхним пределами
диапазона
измерений 1 000 В
Н естабильность
Стабильность показаний прибора В качестве характеристики нестабильности
показаний в течение года показаний средств измерений принимают
прибора ±0,3 % составляет ±0,3 % допускаемые отклонения от некоторого
в течение года от верхнего предела выбранного (нормирующего) значения
измерений
Отклонение Отклонение В технической документации нормируются
должно нс должно быть требования к показателям качества,
быть нс более более а нс к нормам дефекта
Вместимость Корректным считается применение термина
Емкость бака
бака «емкость» в радиотехнике
Вес — это сила, измеряемая в Н. Масса —
Вес 0,2 кг Масса 0,2 кг это мера инертности (податливости),
измеряется в кг
Действующее Среднее
Действующее напряжение (ток) —
напряжение квадратическое
устаревший термин
(ток) напряжение (ток)
Эффективное Среднее
Эффективное напряжение (ток) —
напряжение квадратическое
устаревший термин
(ток) напряжение (ток)
Термин «точность» корректно использовать лишь в понятии «класс

точности», которое широко применяется в практике нормирования точ
ностных характеристик средств измерений определенных типов. При этом
надо говорить, к примеру, не класс точности +0,1 %, а класс точности 0,1.
Корректным является использование термина «погрешность измере
ния» («погрешность средства измерения») лишь с указанием того, какого
рода характеристика погрешности измерения или характеристика погреш
ности средства измерения имеется в виду. В технической документации
регламентируются обычно численные значения одной из следующих
характеристик погрешности: абсолютной, относительной или приведенной
погрешности (последняя характеристика погрешности, как правило, ис
пользуется для выражения точностных свойств измерения).
При этом разряды последних значащих цифр при выражении ре
зультата измерений и значений абсолютной погрешности измерения
должны быть одними и теми же.
При регистрации данных в процессе эксперимента необходимо учи
тывать следующие нюансы.
Во-первых, надо использовать ту шкалу измерительного прибора,
предельное значение которой наиболее близко к значению измеряемой
величины.
Во-вторых, записывать вес разряды числа, отображаемые на инди
каторе измерительного прибора.
При записи результата измерения необходимо обратить внимание
на правильную запись количества значащих цифр. Рекомендуется указы
вать численные значения погрешности измерения с использованием нс
более двух значащих цифр.
В учебном эксперименте принято округление начинать с абсолютной
погрешности ДУ, где оставляют одну значащую цифру, после чего изме
ренную величину U округляют до той же значащей цифры, что и в ДУ.
Иначе говоря, числа, характеризующие значение измеряемой величины У
и оценку ее абсолютной погрешности ДУ, должны заканчиваться цифрами
одинакового разряда. При этом ноль в конце числа является значащим.
Например, корректными являются следующие записи: I = 5,30 ± 0,07,
R = (3,7 ± 0,2) Ом, U = (20,9 ± 0,3) В, У = (19,47 ± 0,13) В.
1. Перечислите основные характеристики ИВЭ.

2. Перечислите основные параметры ИВЭ.
3. Запишите формулу для определения коэффициента стабилизации вы
ходного напряжения по входному и назовите единицу его измерения.
4. Исходя из каких соображений выбирают участок стабилизации на пе
редаточной характеристике ИВЭ?
5. Для чего в современных ИВЭ производится преобразование сетево
го напряжения с частотой 50 Гц в напряжение высокой частоты
(до ~1 МГц)?
6. Какие методы уменьшения массогабаритных параметров ИВЭ наибо
лее часто реализуются?
7. Исходя из каких соображений выбирают температуру фазового пере
хода теплоносителя в тепловых трубах, применяемых в радиоэлек
тронных средствах?
8. Почему отвод тепла от термонагруженных электрорадиоэлементов за
счет плавления, например, парафина не применяется в компьютерной
технике?
9. Почему современные ИВЭ строятся по бестрансформаторной схеме?
10. Как в современных ИВЭ реализуется гальваническая развязка вход
ных и выходных цепей?
11. Нарисуйте структурную схему современного ИВЭ для централизо
ванного и децентрализованного электропитания РЭС.
12. Чем отличаются ИВЭ, питающиеся от источника переменного тока
и от источника постоянного тока?
13. Какой параметр ИВЭ определяется по его нагрузочной характеристи
ке? Запишите расчетную формулу определения этого параметра.
14. Как выбрать наилучший ИВЭ из нескольких однотипных, если име
ются только их нагрузочные характеристики?
15. Зависит ли динамическое сопротивление ИВЭ от его тока нагрузки для
нагрузочной характеристики, изменяющейся по линейному закону?
16. Зависит ли динамическое сопротивление ИВЭ от его тока нагрузки для
нагрузочной характеристики, изменяющейся по нелинейному закону?
17. Какое значение динамического сопротивления имеет идеальный ста
билизатор напряжения?
18. Как связано КПД ИВЭ с его динамическим сопротивлением?
19. Какие преобразования токов реализуются в ИВЭ?
20. Какой из коэффициентов стабилизации выходного напряжения по
входному лучше и почему: Ки = 0,999 или Ки = 999?
21. Какое значение коэффициента стабилизации выходного напряжения
от входного имеет идеальный стабилизатор напряжения?
22. Почему при переходе от линейного регулирования к импульсному
уменьшаются массогабаритные параметры ИВЭ?
23. В чем состоит принцип действия тепловой трубы?
24. Что такое коллекторная характеристика биполярного транзистора и как
она связана с мощностью, рассеиваемой на регулирующем транзисторе?
25. Какие требования следует выполнять при построении графиков?
26. Что такое класс точности измерительного прибора?
27. Что является иллюстрацией физического смысла класса точности из
мерительного прибора?
28. Какой вид имеет формула для определения относительной погрешно
сти измерений с помощью цифрового прибора?
29. Что такое разрядность цифровых мультиметров?
30. Как определяется число значащих цифр числа?
31. Перечислите основные правила округления чисел.
32. В каком случае погрешность измерения будет меньшей: если измере
ния выполняются в начале шкалы измерительного прибора или в кон
це шкалы измерительного прибора?
33. Как правильно говорить: «... в схему включено сопротивление 7?1...»
или «... в схему включен резистор 7?1...»?
34. Сформулируйте принцип, по которому определятся среднее квадрати
ческое напряжение переменного тока.
35. Должны ли быть одними и теми же разряды последних значащих
цифр результата измерений и его абсолютной погрешности?
36. Верна ли с метрологической точки зрения запись: сетевое напряжение
220 В ± 10 %?
(220 ± 22) В?
от 198 В до 242 В?
39. Как определяется коэффициент полезного действия источника вторич
ного электропитания?
ГЛАВА 3.
УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ
ПЕРЕМЕННОГО ТОКА В ЭНЕРГИЮ ПОСТОЯННОГО ТОКА
(AC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)
Устройства, осуществляющие преобразование энергии переменного

тока в энергию постоянного тока, называются выпрямительными устрой
ствами (ВУ) или преобразователями AC/DC.
§ 3.1. Классификация выпрямительных устройств
Классификация ВУ выполняется по ряду признаков.

1. Классификация выпрямительных устройств по типу питающей
(первичной) сети: однофазные и трехфазные.
2. Классификация ВУ по числу полупериодов напряжения питаю
щей сети, используемых для выпрямления за период сетевого напряже
ния. По этому признаку различают следующие схемы выпрямителей: од-
нополупериодные и двухполупериодные (последние разделяются на схе
мы с нулевым выводом (средней точкой) и мостовые схемы).
3. Классификация ВУ по тактности. Тактность схемы определяет
ся числом импульсов тока, протекающих по вторичной обмотке сетевого
трансформатора за период питающего напряжения. Если по одной и той
же вторичной обмотке трансформатора ток протекает за период только
в одном направлении, то такая схема называется однотактной, а если
в обоих направлениях, то двухтактной. Вес реальные схемы ВУ могут
быть однотактными или двухтактными.
Надо отметить важную особенность понятия тактности. Однотакт
ными выпрямителями называются такие ВУ, у которых каждая вторичная
обмотка трансформатора за период питающего напряжения работает
только один раз, и, следовательно, ток в каждой фазе имеет постоянную
составляющую. Двухтактными называются ВУ, у которых каждая вто
ричная обмотка трансформатора за период питающего напряжения рабо
тает два раза. При этом в течение периода питающего напряжения токи
через вторичную обмотку трансформатора протекают в противополож
ных направлениях и, следовательно, ток в каждой фазе не имеет постоян
ной составляющей.
4. Классификация ВУ по пульсности тока. Пульсность тока опре
деляется числом импульсов тока, протекающих через нагрузку ВУ за пе
риод питающего напряжения. Если за период питающего напряжения че
рез нагрузку проходит один импульс тока, то выпрямитель относится
к однопульсным ВУ. Если за период питающего напряжения через
нагрузку проходят два импульса тока, то выпрямитель относится к двух-
пульсным ВУ. Если за период питающего напряжения через нагрузку
проходят три импульса тока, то выпрямитель относится к трехпульсным
ВУ. Если за период питающего напряжения через нагрузку проходят
шесть импульсов тока, то выпрямитель относится к шестипульсным ВУ.
5. Классификация ВУ по возможности регулирования среднего вы
прямленного напряжения, то есть по типу полупроводникового прибора.
Если в качестве вентилей используются диоды, то такие ВУ называются
неуправляемыми выпрямительными устройствами (НВУ), а если в каче
стве вентилей используются тиристоры, то такие ВУ называются управ
ляемыми выпрямительными устройствами (УВУ).
6. Классификация ВУ по наличию сетевого трансформатора, то
есть по наличию на входе ВУ трансформатора, называемого сетевым:
трансформаторные и бестрансформаторные. Надо отметить, что КПД
трансформатора, как известно, незначительно отличается от единицы.
В ИВЭ радиоэлектронных средств наибольшее применение нашли
следующие схемы выпрямления, реализованные либо в трансформатор
ном, либо в бестрансформаторном исполнении:
1 — однополупериодная схема выпрямления однофазного тока;
2 — схема выпрямления со средней точкой однофазного тока;
3 — мостовая схема выпрямления однофазного тока (схема Греца);
4 — однополупериодная схема выпрямления трехфазного тока
(схема Миткевича);
5 — мостовая схема выпрямления трехфазного тока (схема Ларио
нова).
Для мостовых схем выпрямления параметры полупериодности
и тактности совпадают.
Для анализа конкретной схемы выпрямления и правильного выбора
ее электрорадиоэлементов необходимо учитывать соотношение парамет
ров, определяемых питающей сетью и схемой выпрямления, и парамет
ров, характеризующих нагрузку.
К параметрам, определяемым питающей сетью, относятся:
• среднее квадратическое напряжение питающей сети Up,
• частота питающей сети Д;
• число фаз питающей сети пр.
К параметрам, определяемым схемой выпрямления, относятся:

• среднее квадратическое напряжение U2 на вторичной обмотке
трансформатора;
• средний квадратический ток /2, протекающий через вторичную
обмотку трансформатора;
• число фаз т2 вторичной обмотки трансформатора;
• средний квадратический ток первичной обмотки /х трансформа
тора;
• амплитуда обратного напряжения на диоде Uo6p тах;
• амплитудный ток /а тах, средний квадратический ток /а и сред
ний выпрямленный ток /а0, протекающие через диод;
• амплитуда основной гармонической составляющей выпрямлен
ного напряжения UQ1 тах;
• коэффициент пульсации Кп выпрямленного напряжения, опреде
ляемый отношением амплитуды основной гармонической состав
ляющей U_0CH к среднему выпрямленному напряжению Uo, то
есть
^~осн/^0 >
• коэффициент полезного действия Т] выпрямительного устройства
u0-i0 100 %.
К параметрам, характеризующим нагрузку, относятся:

• среднее выпрямленное напряжение Uo и средний выпрямленный
ток /0;
• выходная мощность Ро = Uo ■ 10 по постоянному току;
• допустимый коэффициент пульсаций на нагрузке К„ тах.
Для упрощения анализа физических процессов, протекающих в ВУ,

и их математического описания обычно принимают следующие допуще
ния:
• питающее напряжение — синусоидальное;
• трансформатор выпрямительного устройства является идеаль
ным, то есть его сопротивление, потери и ток холостого хода
равны нулю;
• выпрямительные диоды являются идеальными, то есть их сопро
тивление в прямом направлении равно нулю, а в обратном —
бесконечно велико.
В выпрямительных устройствах в качестве вентилей применяются

полупроводниковые приборы (рис. 3.1) с одним р-п-переходом. Исключение
составляют симисторы, которые со схемотехнической точки зрения пред
ставляют собой два встречно-параллельно включенных тринистора. Таким
образом, симисторы — это, по сути, два тринистора с общим управлением,
включенных встречно-параллельно. Основное отличие симисторов от тири
сторов заключается в двунаправленной проводимости электрического тока.
Это и дало полупроводниковому прибор} название, представляющее собой
производное от словосочетания «симметричные тиристоры», и отразилось
на его условном графическом обозначении (УГО).
На рис. 3.1 обозначены выводы: анод (А), катод (К) и управляющий
электрод (УЭ). На внешних поверхностях полупроводниковых приборов
имеются контактные металлические слои, к которым припаяны соответ-
ствующие выводы._____________________________________________________
VD\ VD2 VD3 VD4 VD5
а) б) в) г) д)
Рис. 3.1. Условные графические обозначения полупроводниковых вентилей:

а — диод; б — стабилитрон; в — двуханодны й стабилитрон; г — диод Шоттки;
д — варикап; е — фотодиод; ж — светодиод; з — динистор; и — тринистор;
к — симистор
Надо отметить, что у симистора обозначение выводов как А и К

не имеет смысла, так как рассматриваемый полупроводниковый прибор
проводит электрический ток в обоих направлениях.
§ 3.2. Неуправляемые выпрямительные устройства

В неуправляемых выпрямительных устройствах в качестве венти
лей применяются полупроводниковые диоды (рис. 3.1, а).
При прямом смещении диода, то есть когда его анод положителен,
а катод отрицателен, диоду свойственна высокая проводимость, а при об
ратном смещении — низкая.
Полупроводниковые диоды являются простейшими неуправляемы
ми силовыми ключами с вентильными свойствами, обладающими спо
собностью пропускать ток в направлении от анода к катоду и практиче
ски не пропускать его в другом направлении.
На рис. 3.2 показаны ВАХ реального и идеального диодов, то есть
зависимость их анодного тока /а от анодного напряжения 1/а. У реаль
ных кремниевых диодов прямое падение напряжения Упр на диоде равно
~ 0,6...0,7 В.
а — реальная ВАХ; б — идеальная ВАХ
Принимается, что у идеальных диодов прямое падение напряжения

Упр равно нулю и обратный ток также равен нулю, то сеть диоды прово
дят ток только в одном направлении и потери на них отсутствуют.
Для зашиты кристалла полупроводникового диода его обычно по
мещают в металлостеклянный, металлокерамический, стеклянный или
пластмассовый корпус. Конструктивно диоды выпускаются в дискретном
исполнении как отдельные приборы, каждый в своем корпусе, а также
в виде выпрямительных столбов и блоков.
Выпрямительные диоды характеризуются следующими параметра
ми, обычно приводимыми в справочных материалах (табл. 3.1):
• средний выпрямленный ток /пр;
• средний обратный ток/обр;
• прямое падение напряжения Упр;
• максимально допустимое обратное напряжение Uo6p тах;
• динамическое сопротивление /?,:
• средняя рассеиваемая мощность Рср;
• предельная частота fmax.
Таблица 3.1
Параметры вы прямит ельных диодов
Тип прибора ^обр тах> В ^пр» А в обр» МА fmax, ««ГЦ
КД202А...С 35-480 5,0...3,5 0,9 0,8 1,2
2Д203А...Д 420. 700 10,0 1,0 1,5 1,0
2Д20чА...В 400. 600 5,0 1,2 0,7 1,о
КД206А...В 400. 600 10,0 1,2 0,7 1,0
КД212А...Г 200. 100 1,0 1,0...1,2 0,05...1 100
КД213А...Г 200. 100 10,0 1,3 0,2 100
3.2.1. Структурная схема выпрямительного устройства
Со схемотехнической точки зрения принципы построения неуправ
ляемых и управляемых выпрямительных устройств одинаковы.
Структурная схема типового ВУ с трансформаторным входом пока
зана на рис. 3.3. Такие ВУ состоят из последовательно включенных
трансформатора (Тр-р), вентильной группы (ВГ), предназначенной для
преобразования переменного тока в постоянный, токоограничивающего
резистора (ТОР) и низкочастотного сглаживающего фильтра (СФ) для
подавления пульсаций выпрямленного напряжения. Кроме перечислен
ных блоков, ВУ может содержать сетевой помехоподавляющий фильтр
для защиты питающей сети от помех, создаваемых самим ВУ, и ВУ от се
тевых помех, а также блок защиты и диагностики.
В современных 11ВЭ (рис. 1.1) входные низкочастотные выпрями
тельные устройства не содержат сетевой трансформатор. У них после по
мехоподавляющего фильтра включают выпрямительное устройство, пер
вым элементом которого является ВГ, работающая с сетевым напряже
нием.
Рис. 3.3. Структурная схема типового выпрямительного устройства

с трансформаторным входом
Вентильная группа реализуется одним или несколькими вентилями,

включенными по соответствующей схеме.
Токоограничивающий резистор представляет собой низкоомный ре
зистор, шунтированный, например, тринистором с соответствующей схе
мой управления. ТОР чрезвычайно необходим при включении ВУ, рабо
тающего на нагрузку с емкостной реакцией.
Сглаживающий фильтр уменьшает пульсации выпрямленного
напряжения и реализуется как на пассивных компонентах (конденсаторы,
дроссели, резисторы), так и на активных элементах (например, линейные
стабилизаторы напряжения).
По структурной схеме, приведенной на рис. 3.3, строятся как не
управляемые, так и управляемые выпрямительные устройства.
В качестве вентилей в НВУ используются полупроводниковые диоды.
В быстродействующих импульсных цепях широко используются
диоды Шоттки, у которых переход выполнен на основе контакта
«металл — полупроводник». У этих диодов не затрачивается время на на
копление и рассасывание зарядов в базе, поэтому их быстродействие зави
сит только от скорости перезарядки барьерной емкости.
Вольт-амперная характеристика диодов Шоттки подобна ВАХ дио
дов на основе р-п-переходов. Отличие состоит в том, что их прямая ветвь
представляет почти идеальную экспоненциальную кривую, а обратные
токи малы (десятки наноампер).
Конструктивно диоды Шоттки выполняются в виде пластины низ
коомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная
пленка с электропроводностью того же типа. На поверхность пленки ва
куумным напылением нанесен слой металла.
3.2.2. Типовые схемы построения неуправляемых выпрямительных

устройств
Физические процессы в выпрямительных устройствах, а значит,
и иллюстрирующие их диаграммы токов и напряжений существенно за
висят от характера (реакции) нагрузки. Различают следующие виды ха
рактера нагрузки: резистивный (обозначают /?), емкостной (обозначают
С), индуктивный (обозначают L) и смешанный (обозначают RLC). Харак
тер нагрузки определяется главным образом первым элементом пассивно
го сглаживающего фильтра, расположенного за выпрямительным устрой
ством (рис. 3.3).
Вначале целесообразно рассмотреть работу НВУ на резистивную
нагрузку.
3.2.2J. Работа неуправляемого выпрямительного устройства

на рез истивную нагрузку
Однополупериодная бестрансформаторная схема неуправляемого
выпрямительного устройства, работающего на резистивную нагрузку /?н,
показана на рис. 3.4.
В соответствии со структурной схемой ВУ вентильная группа реа
лизована одним диодом VD1, являющимся неуправляемым вентилем.
+ t/o
-и0
Рис. 3.4. Однофазная бестрансформаторная схема однополупериодного
неуправляемого выпрямителя, работающего на резистивную нагрузку
На вход ВУ подается сетевое питающее гармоническое напряжение
ис, которое можно записать в следующем виде:
«с = Утах 'Sin V, (3.1)
где Umax — амплитуда,
v = а) ■ t — фазовый угол,
со — круговая частота питающей сети,
со — 2 ■ я • /, t — время.
Поэтому на входе ВУ каждый полупериод питающего напряжения
ис изменяется полярность напряжения. На рис. 3.4 полярность входного
напряжения ис в один полупериод питающего напряжения показана без
скобок, а в другой — в скобках.
Известно, что необходимым условием протекания через диод
VD1 тока iVD1 является наличие положительного напряжения uVD1 между
анодом А и катодом К диода VD1.
Пусть положительное напряжение uVD1 на диоде VD1 появляется
при положительной полуволне сетевого напряжения (на рис. 3.4 по
лярность указана без скобок). Характерные диаграммы рассматриваемого
ВУ показаны на рис. 3.5.
В первый полупериод питающего напряжения ис (v изменяется от
О до я) (рис. 3.5, а) при открытом диоде VD1 (рис. 3.4) все сетевое напря
жение оказывается приложено к нагрузке RH, то есть на нагрузке форми
руется мгновенное выпрямленное напряжение и0, тождественное сетево
му напряжению, то есть и0 = ис = Umax ■ sin v (рис. 3.5, б). При этом се
тевое напряжение обеспечивает протекание тока по цепи: (+uc) -» VD1 ->
-> RH (~ис) (рис. 3.4).
В соответствии с законом Ома можно утверждать, что при рези
стивном характере нагрузки мгновенный выпрямительный ток i0
(рис. 3.5, в) по форме повторяет мгновенное выпрямленное напряжение
и0 (рис. 3.5, б) и имеет амплитуду 1тах. В рассматриваемый полупериод
питающего напряжения ис диод VD1 открыт, а с учетом принятого пред
положения о его идеальности мгновенное напряжение uVD1 на диоде
VD1 равно нулю (рис. 3.5, г).
Рис. 3.5. Характерные диаграммы бестрансформаторного
однополупериодного выпрямительного устройства,
работающего на резистивную нагрузку
Во второй полупериод питающего напряжения ис (г изменяется от

7Г до 2zr) (рис. 3.5, а) ко входу ВУ приложено отрицательное напряже
ние (его полярность на рис. 3.4 указана в скобках). Это напряжение для
диода VD1 является обратным, то есть между его анодом А и катодом К
приложено отрицательное напряжение ис. Поэтому диод VD1 закрыт,
через него ток не протекает, то есть мгновенный выпрямленный ток i0
и мгновенное выпрямленное напряжение и0 равны нулю (рис. 3.5, в
и рис. 3.5, б). К закрытому диоду приложено сетевое напряжение, то есть
uvdi = ис = Umax ' sin v (рис. 3.5, г). Причем амплитуда мгновенного
напряжения на закрытом диоде VD1 равна Umax.
Выпрямительные устройства характеризуются рядом параметров,
например, средним выпрямленным напряжением Uo, средним выпрям
ленным током /0, углом отсечки в и коэффициентом пульсаций Кп.
Угол осечки— это выраженная в угловом измерении половина
времени, в течение которого ток протекает через диод за период питаю
щего напряжения.
Надо отметить, что для определения угла отсечки используется ос
циллограмма тока iVD1 — f(y), протекающего через диод.
Для рассматриваемой схемы выпрямления (при резистивном ха
рактере нагрузки) угол отсечки в равен 7г/2, то есть 90° градусов
(рис. 3.5, в). Поэтому надо понимать, что на рассматриваемом рисунке
для определения в используется именно осциллограмма iVD1 = /(v) и на
ней отмечен двойной угол отсечки 29.
По определению среднее значение U функции и за период Т опре
деляется по формуле:
т
о
С учетом этого среднее выпрямленное напряжение Uo для рассмат
риваемой схемы построения ВУ определяется по формуле:
2я
и0 = — J uodv. (3.3)
о
Эта формула определяет усреднение функции и0 (рис. 3.5, б) за пе
риод Т = 2п. Особенность функции и0 состоит в том, что в интервале v
от нуля до п она определяется соотношением и0 = Umax ■ sin v, а в интер
вале v от 7Г до 2л функция и0 равна нулю. Поэтому в интеграле формулы
(3.3) верхний предел интегрирования должен быть равен п. Тогда форму
ла (3.3) примет вид:
max
max
m ах max max
Полученное выражение показывает, что среднее выпрямленное

напряжение Uo для однополупериодной схемы выпрямления в я раз
меньше амплитуды сетевого напряжения Umax (рис. 3.5, б).
Аналогично можно получить формулу для определения среднего
выпрямленного тока 10 (рис. 3.5, в).
2л 7Г
/0 = — J i0 dv = —J/тах-sinvdv =(3.5)
о о
Полученные формулы (3.4) и (3.5) показывают, что в однополупери-
одной схеме выпрямления гармонического напряжения, работающего на ре
зистивную нагрузку, амплитуды Umax и 1тах превышают Uo и /0 в д раз.
Полезно выполнить сравнительный анализ среднего квадратическо
го напряжения U и среднего выпрямленного напряжения Uo. Учитывая,
что для гармонического напряжения
у _ Umax
V2
и для рассматриваемого ВУ (формула (3.4))

Umax
И
то можно записать
^тах
Полученная формула показывает, что среднее квадратическое

напряжение питающей сети должно быть в 2,22 раза больше среднего
выпрямленного напряжения ВУ.
Таким образом, на рис. 3.4 показана схема выпрямительного устрой
ства, которая имеет следующие классификационные признаки: бестранс-
форматорная, однофазная, однополупериодная, однотактная, однопульсная.
Достаточно часто эта схема реализуется в трансформаторном ис
полнении (рис. 3.6).
Схема однофазного трансформаторного однополупериодного одно
тактного однопульсного ПВУ, работающего на резистивную нагрузку,
приведена на рис. 3.6.
Рис. 3.6. Трансформаторная схема однополупериодного выпрямителя,

При подключении первичной обмотки трансформатора Г1 выпря
мительного устройства к питающей сети гармонического напряжения
ис = иг переменного тока на всех обмотках трансформатора наводится
синусоидальная ЭДС. Первичная и вторичная обмотки сетевого транс
форматора Т1 включены согласно. Это на рис. 3.6 показано точками,
нанесенными у витков соответствующих обмоток. На вторичной обмотке
сетевого трансформатора Т\ наводится синусоидальная ЭДС индукции
и2, определяемая уравнением
w2 = Угтах ■ Sinv, (3.6)
где U2 тах — амплитуда.
Форма мгновенного выпрямленного напряжения и0 на резистивной

нагрузке R„ и среднее выпрямленное напряжение (постоянная составля
ющая) Uo приведены на рис. 3.7, а.
При построении графика и0 = /(v) были учтены два фактора.
Во-первых, для идеального трансформатора ЭДС индукция е2 на его вто
ричной обмотке и напряжение и2 на ней одинаковы по величине и форме.
Во-вторых, в интервале изменения v от 0 до п анод диода VD1 положите
лен по отношению к его катоду.
На рис. 3.6 у первичной и вторичной обмоток сетевого трансфор
матора указана полярность напряжения: без скобок — полярность в пер
вый полупсриод питающего напряжения, а в скобках— полярность
во второй полупериод питающего напряжения.
Рис. 3.7. Характерные диаграммы для однофазного однополупериодного

неуправляемого ВУ:
а —мгновенное выпрямленное и среднее выпрямленное напряжения на нагрузке;
б — мгновенный и средний выпрямленный токи, протекающие через нагрузку R„,
диод VD1 и вторичную обмотку трансформатора Т1
Поэтому в первый полупериод питающего напряжения диод VD1 от
крыт, а значит, и мгновенное выпрямленное напряжения и0 на нагрузке Rn
равно напряжению и2 на вторичной обмотке сетевого трансформатора
(ведь диод идеален).
При смене полярности питающего напряжения, а значит, и нап
ряжения и2, что наблюдается при v = тг, анод диода VD1 становится
отрицательным относительно катода. Поэтому в интервале изменения
v от п до 2 л диод ИО 1 закрыт (он находится под обратным напряже
нием, равным и2) и мгновенное выпрямленное напряжение и0 на нагруз
ке равно нулю. При v = 2п диод VD1 открывается, и процессы повто
ряются.
Значения фазового угла V, при которых вентиль открывается либо
закрывается, то есть происходит коммутация вентиля, называются момен
тами его естественной коммутации. Как видно, например, по рис. 3.5, в,
моментами естественной коммутации рассматриваемого напряжения яв
ляются v, равные 0, я, 2я и так далее.
Таким образом, форма мгновенного выпрямленного напряжения w()
на нагрузке имеет форму однонаправленных синусоидальных импульсов,
длительностью в половину периода питающего напряжения.
Форма зависимостей мгновенного выпрямленного тока i0, проте
кающего через нагрузку RH, тока iVD1, протекающего через диод VD1,
и тока i2, протекающего через вторичную обмотку трансформатора Т1,
от v тождественны и показаны на рис. 3.7, б.
Для рассматриваемого выпрямителя можно записать (аналогично
формуле (3.4))
Я ^2 max
(3.7)
О
о
Основным преимуществом рассмотренной схемы построения ВУ
является ее схемотехническая простота.
Недостатками схемы являются: значительные массогабаритные па
раметры, обусловленные как неэффективным использованием обмоток
сетевого трансформатора, так и вынужденным намагничиванием магни
топровода постоянной составляющей выпрямленного тока; большая ве
личина и низкая частота /, равная частоте питающей сети fc, основной
гармоники выпрямленного тока, что предопределяет значительные мас-
согабаритпые параметры сглаживающего фильтра.
Рассмотренная однофазная трансформаторная однополупериод-
ная однотактная однопульсная схема выпрямления применяется в мало
мощных выпрямительных устройствах.
Схема однофазного НВУ со средней точкой, работающего на
активную нагрузку RH, приведена на рис. 3.8, а форма мгновенного
выпрямленного напряжения и0 на нагрузке и среднее выпрямленное
напряжение Uo на нагрузке иллюстрируются на рис. 3.9.
В рассматриваемой схеме ВУ от середины вторичной обмотки сете
вого трансформатора сделан отвод. Поэтому вторичную обмотку можно
рассматривать состоящей из двух согласно включенных секций. Это на
рис. 3.7 показано точками, нанесенными у витков соответствующих об
моток и секций. Напряжения на секциях вторичной обмотки трансформа
тора, имеющих равное число витков, обозначены и21 и и22 и изменяются
по гармоническому закону и смещены друг относительно друга на л.
Такие трансформаторы часто называют дифференциальными.
Схему со средней точкой можно рассматривать как схему, состоя
щую из двух однополупериодных схем (рис. 3.6), работающих поочеред
но на одну и ту же нагрузку.
Для рассматриваемой схемы среднее выпрямленное напряжение
равно
U0=^l U2max • SinV • dv = (3.8)
Рис. 3.8. Схема неуправляемого выпрямительного устройства со средней точкой
Формула (3.8) показывает, что для ВУ, построенных по схеме со

средней точкой, среднее выпрямленное напряжение в два раза превышает
среднее выпрямленное напряжение ВУ, построенных по однополупсри-
одной схеме.
Такое же соотношение для этих двух схем выполняется и для ам
плитуды напряжения, приложенного к закрытому диоду.
Из анализа информации, показанной на рис. 3.9, видно, что мгно
венное напряжение на нагрузке достигает максимума два раза за период.
Поэтому частота основной гармоники выпрямленного напряжения равна
удвоенной частоте питающей сети, то есть f = 2 ■ fc.
Вынужденное намагничивание магнитопровода сетевого трансфор
матора для схемы со средней точкой отсутствует, так как встречно
направленные магнитные потоки, создаваемые токами, протекающими
в обеих секциях вторичной обмотки трансформатора, взаимно компенси
руются.
Рис. 3.9. Характерные формы напряжений для ВУ со средней точкой:

а —мгновенные напряжения на секциях вторичной обмотки сетевого
трансформатора;
б —мгновенное выпрямленное напряжение и0 и среднее выпрямленное напряжение Uo;
в —мгновенное напряжение на диоде VD1;
г — мгновенное напряжение на диоде VD2
При неравенстве напряжений и21 и и22, индуцируемых на секциях
вторичной обмотки трансформатора, форма мгновенного выпрямленного
напряжения н0 искажается. Эта несимметричность и0 повторяется через
каждый период питающего напряжения. В таком случае на выходе вы
прямительного устройства, кроме составляющей пульсации, имеющей
частоту, равную удвоенной частоте питающей сети, появляется дополни
тельная составляющая пульсации, частота которой равна fc.
Схема со средней точкой имеет следующие преимущества перед
однополупериодной схемой ВУ: массогабаритные параметры ее транс
форматора значительно меньше из-за отсутствия вынужденного намагни
чивания трансформатора; в два раза меньше амплитуда тока, протекаю
щего через вентиль; вследствие двукратного повышения основной часто
ты пульсации значительно уменьшаются массогабаритные параметры
сглаживающего фильтра.
Основным недостатком рассмотренной схемы выпрямления являет
ся необходимость выполнения отвода от середины вторичной обмотки
трансформатора. Это является далеко не тривиальной процедурой в вы-
Двухполупсриоднос выпрямление осуществляется также при по

мощи однофазной мостовой схемы, показанной на рис. 3.10. Форма мгно
венного напряжения п0 на нагрузке для данной схемы и схемы ВУ со
средней точкой совпадают.
Рис. 3.10. Схема однофазного мостового неуправляемого выпрямителя
Следует отметить, что для рассмотренных однофазных двухполу-

периодных схем выпрямления отсутствуют интервалы времени, в течение
которых мгновенное выпрямленное напряжение на нагрузке равно нулю.
Напряжение и0 принимает нулевое значение лишь в моменты естествен
ной коммутации тока с одного вентиля на другой.
Недостаток мостовой схемы выпрямления по сравнению со схемой
со средней точкой состоит в большом числе используемых вентилей.
Рассмотренная однофазная мостовая схема построения ВУ имеет
следующие преимущества по сравнению со схемой со средней точкой:
напряжение на выводах вторичной обмотки трансформатора в два раза
меньше; обратное напряжение, приложенное к каждому вентилю, в два
раза меньше; отсутствует вывод от середины вторичной обмотки транс
форматора; массогабаритные параметры трансформатора выше из-за
эффективного использования его обмоток.
В современных радиоэлектронных средствах широкое применение,
в частности, для питания операционных усилителей, нашла однофазная
схема выпрямления для формирования двух симметричных выходных
напряжений, показанная на рис. 3.11.
Рис. 3.11. Схема мостового выпрямителя с двумя симметричными выходными

напряжениями
Эта схема, по существу, представляет собой соединение двух схем:

мостовой схемы и схемы со средней точкой. Одна схема включает
верхнюю секцию вторичной обмотки трансформатора Т1 и диоды VD1
и IZD2, а вторая схема — нижнюю секцию вторичной обмотки трансфор
матора Tin диоды VD4 и VD3.
Характерные диаграммы для мостового выпрямителя, формирую
щего на нагрузках R'u и /?" равные и симметричные напряжения, приведе
ны на рис. 3.12.
Рис. 3.12. Характерные диаграммы для мостового выпрямителя,

формирующего на выходе два симметричных напряже ния
При полярности напряжения на вторичной обмотке трансформато

ра, указанной на рис. 3.11 без скобок, ЭДС и21, индуцируемая на верхней
секции вторичной обмотки трансформатора 71, приложена к нагрузке /?„
(ток нагрузки протекает через диод VD1), а ЭДС и22, индуцируемая на
нижней секции вторичной обмотки трансформатора 71, приложена
к нагрузке R„ (ток нагрузки протекает через диод VD4).
В следующую половину периода сетевого напряжения, то есть при
полярности напряжения на вторичной обмотке трансформатора, указанной
на рис. 3.11 в скобках, ЭДС и22 на нижней секции приложено к нагрузке
/?' (ток нагрузки протекает через диод 17)3), а ЭДС и21 на верхней секции
приложено к нагрузке (ток нагрузки протекает через диод VD2).
Средние выпрямленные напряжения Uq и Uq определяются тра
диционным методом и отмечены на рис. 3.12, б и рис. 3.12, в соответ
ственно.
Схема трехфазного однонолупериодного однотактного выпрямите
ля часто называемой схемой со средней точкой или схемой с нулевым
выводом, приведена на рис. 3.13, а форма мгновенного выпрямленного
напряжения и0 на нагрузке RH и среднее выпрямленное напряжение Uo
показаны на рис. 3.14.
Свободные концы фаз а, b и с вторичной обмотки сетевого транс
форматора, на которых формируются напряжения и2а, и2Ь и и2с подклю
чены, к анодам диодов CD1, VD2 и VD3 соответственно. При этом их ка
тоды образуют так называемую катодную группу, которая является по
ложительным выходом +[/0 среднего выпрямленного напряжения Uo вы
прямительного устройства. В любой момент времени открыт только один
из трех диодов, а именно тот диод, анод которого подключен к фазе вто
ричной обмотки сетевого трансформатора, имеющей в рассматриваемый
момент времени относительно средней (нейтральной) точки наибольшее
положительное напряжение.
Рис. 3.13. Схема трехфазиого однополупериодного одчотактного выпрямителя

(схема Миткевича)
Рис. 3.14. Диаграммы напряжений на нагрузке трехфазного выпрямительного
устройства
Поэтому из анализа информации, приведенной на рис. 3.14, а, мож

но построить форму мгновенного выпрямленного напряжения и0 рас
сматриваемого ВУ, работающего на резистивную нагрузку (рис. 3.14, б).
Видно, что для данной схемы выпрямления отсутствуют даже мо
менты времени, когда и0 — 0. При этом мгновенное выпрямленное
напряжение на нагрузке достигает максимума три раза за период. Отсюда
следует, что частота основной гармоники выпрямленного напряжения
в три раза превышает частоту питающей сети.
Среднее выпрямленное напряжение (рис. 3.14, б) рассчитывают
по соответствующей формуле, являющейся следствием формулы (3.2).
Так же, как и в однофазной схеме со средней точкой, несимметрич
ность и0, обусловленная неравенством фазных напряжений сети пере
менного тока и/или различием коэффициентов трансформации отдельных
фаз, повторяется через период, а наименьшая частота дополнительной со
ставляющей пульсации равна частоте питающей сети.
Трехфазная схема со средней точкой обладает следующим основ
ным преимуществом по сравнению с ранее рассмотренными: малыми
массогабаритными параметрами сглаживающего фильтра (благодаря
увеличению частоты пульсации и уменьшению коэффициента пульса
ций). Недостаток схемы — наличие вынужденного намагничивания маг
нитопровода. Наиболее эффективно он устраняется секционированием
вторичных обмоток, что обеспечивает компенсацию магнитных потоков,
созданных в каждом стержне магпитопровода трансформатора постоян
ной составляющей выпрямленного тока.
Схема трехфазного двухполупериодного двухтактного выпрямителя,
часто называемая трехфазной мостовой схемой, приведена на рис. 3.15.
Эта схема представляет собой сочетание двух трехфазных схем со сред
ней точкой, включенных последовательно и питающихся от одних и тех
же обмоток трансформатора напряжениями, сдвинутыми на 180 граду
сов.
Выпрямительные диоды (С£>1, КОЗ и VD5) образуют катодную
группу, а диоды (VD2, VD4 и VD6) — анодную группу. В каждый момент
Рис. 3.15. Схема трехфазного двухполупериодного двухтактного выпрямителя

(схема Ларионова)
Трехфазная мостовая схема по сравнению с трехфазной схемой со

средней точкой обладает следующими основными преимуществами: ма
лыми массогабаритными параметрами трансформатора (благодаря хоро
шему использованию его обмоток) и сглаживающего фильтра (вследствие
двукратного увеличения частоты пульсации и четырехкратного уменьше
ния коэффициента пульсаций), а также отсутствием вынужденного
намагничивания магнитопровода трансформатора.
Основным недостатком трехфазной мостовой схемы является ис
пользование шести вентилей вместо трех.
на резистивно-емкостную нагрузку
Схема однополупериодного НВУ с трансформаторным входом, ра

ботающего на резистивно-емкостную нагрузку, показана на рис. 3.16.
Наличие в схеме конденсатора С1, включенного параллельно нагрузке RH,
существенно изменяет физику процессов в выпрямительном устройстве.
При установившемся режиме, то есть когда конденсатор С1 устой
чиво работает в режиме зарядки-разрядки, напряжение иС1 на конденса
торе С1 имеет полярность, указанную на рис. 3.16.
В первый полупериод питающего напряжения ис напряжение
и2 = U2max -sinv на вторичной обмотке сетевого трансформатора Т1
имеет полярность, указанную на рис. 3.16 без скобок.
Rh
■t/o
Рис. 3.16. Схема однополупериодного выпрямительного устройства
с резистивно-емкостной характером нагрузкой
Следовательно, напряжение uVD1 между анодом и катодом диода

VD1 определяется разностью мгновенных напряжений и2 и иС1, то есть
UVD1 = и2 ~ иа ■ (3-9)
Учитывая, что напряжение и2 на вторичной обмотке сетевого
трансформатора Т1 изменяется по гармоническому закону, то напряжение
uVD1 на выпрямительном диоде VD1 является знакопеременной функ
цией. Это приводит либо к включению диода VD1 (при положительном
напряжении uVD1), либо к его выключению (при отрицательном напряже
нии uVD1).
Для упрощения анализа работы УВ здесь, как ранее и как далее, ди
од VD1 принят идеальным, то есть его коммутация происходит мгновен
но, и прямое падение напряжения ипр и обратный ток равны нулю.
Если момент Vj (рис. 3.17) включения диода V771, происходя
щий при равенстве возрастающего напряжения п2 на вторичной обмотке
сетевого трансформатора Т1 и уменьшающегося напряжения на конден
саторе иС1, определяется однозначно, то этого нельзя сказать о моменте
выключения диода KD1.
Для определения момента выключения диода VD1 надо провести
анализ этой процедуры и, в частности, процесса формирования напряже
ния иС1 на конденсаторе 61. Моменты зыключения диода VD1 отмечены
на рис. 3.17 точками 1, 3 и 5.
Как отмечено ранее, в момент v = vr включается диод VD1, и через
него начинает протекать ток iVD1, определяющий токи через конденсатор
61 и нагрузку /?н (рис. 3.16). При открытом диоде VD1 в интервале от vx
п
до - мгновенное выпрямленное напряжение и0 и мгновенное напряжение
иС1 на конденсаторе 61 равны напряжению и2 на вторичной обмотке се
тевого трансформатора Т1 (сплошная линия, являющаяся частью штри-
Л’ис. 3.17. Иллюстрация процедуры определения момента выключения диода
Учитывая, что момент выключения диода VD1 заранее не известен,

то можно предположить, что диод VD1 закроется в момент v = - (точ
ка 1 на рис. 3.17). В этот момент напряжение и.2 на вторичной обмотке
трансформатора Т1 максимально и равно U2max. После выключения дио
да передача энергии со входа НВУ на его выход прекращается. Напряже
ние на нагрузке определяется напряжением на конденсаторе 61. Измене
ние напряжения и'С1 на разряжающемся на нагрузку /?н конденсаторе
61 происходит по экспоненциальному закону.
uci = uo(v) ’ e~o>RC , (З.Ю)
u0(v) = ^2 max ‘ sin7 = ^2max — мгновенное выпрямленное напряжение

при v = л / 2 (точка 1).
Напряжение и'С1 разряжающегося конденсатора при v > я/2 изменя
ется по экспоненциальному закону (линия 1-2). При этом уменьшающее
ся напряжение и2 на вторичной обмотке трансформатора Т1 имеет сину
соидальный характер. Из рис. 3.17 видно, что напряжение и2 приложено
к аноду диода VD1. а напряжение на конденсаторе и'С1 — к его катоду.
До тех пор, пока потенциал анода диода VD1 более положителен, чем по
тенциал его катода, диод остается открытым. Следовательно, предполо
жение, что диод VD1 выключается в момент v = - (точка 1 на рис. 3.17)
не выполняется.
Пусть тогда диод VD1 закрывается в точке 3 (рис. 3.17). Изменение
напряжения после этого на конденсаторе С1 происходит по линии 3-4.
Анализ процесса коммутации диода VD1, выполненный аналогично ана
лизу для точки 1, показывает, что и в точке 3 диод VD1 не выключается.
Это позволяет сформулировать условие выключения диода VD1:
при равенстве нулю анодного напряжения на диоде производные по вре
мени напряжений и2 и иС1 должны быть равны, то есть
du2 duci
(З.Н)
dv dv
Этому условию удовлетворяет точка 5 при v = v2 (рис. 3.17).
Напряжение и2 на вторичной обмотке трансформатора Т1 опреде
ляется выражением (3.6).
А напряжение иС1 на конденсаторе С1 с момента выключения дио
да VD1, то есть при v >v2, определяется выражением
uci = (u2max-sinv2) (3.12)
1
R — это сопротивление нагрузки RH.

Подставляя выражения (3.6) и (3.12) в формулу (3.11), получают
U2 max • COS V = (У2 max ■ Sin V2) ’ e Vz)
Для момента v — v2 полученное выражение можно записать в виде
U2 max ■ COS V2 = (U2 max ■ Sin V2) • в

или, после алгебраических преобразований,
cos v2 = sin v2 ■ e° •
Полученное выражение можно записать в следующем виде:
tg v2 = - — = - w R • CCi. (3.13)
Из выражения (3.13) определяют момент v2> т<> есть момент выклю
чения диода VD1, который показан на рис. 3.17 точкой 5. Начиная с этого
момента v2 и далее потенциал катода диода VD1, формируемый напряже
нием иС1 на конденсаторе С1, становится более положительным, чем по
тенциал анода диода VD1, формируемый напряжением и2 на вторичной
обмотке трансформатора Т1. Следовательно, с v > v2 диод VD1 выклю
чен, так как к нему приложено обратное напряжение.
Принцип работы однополупериодного выпрямительного устройства
с рсзистивно-смкостным характером нагрузки иллюстрируют диаграммы
токов и напряжений (рис. 3.18).
В момент v = vx (рис. 3.18, в) напряжение на аноде диода VD1, со
зданное возрастающим напряжением и2 на вторичной обмотке трансфор
матора Т1, равно напряжению на катоде диода VD1, определяемым по
нижающимся напряжением иС1 на конденсаторе С1, то есть в момент
v = vT выполняется равенство и2 = иС1.
В интервале от Vj до v2 (рис. 3.18, в) напряжение и2 на вторичной
обмотке трансформатора Т1 превышает напряжение иС1 на конденсаторе
С1, а значит, потенциал анода диода VD1 более положительный, чем по
тенциал его катода. По этой причине диод VD1 открыт, и через него про
текает ток iVD1 со вторичной обмотки трансформатора Т1 на параллельно
включенные конденсатор С1 и нагрузку RH (рис. 3.16). При этом конден
сатор С1 подзаряжается, а следовательно, напряжение иС1 на конденсато
ре С1 возрастает, что приводит к уменьшению мгновенного выпрямлен
ного тока i0, протекающего через нагрузку R„.
Ток зарядки конденсатора ici (рис. 3.18, г) в интервале от до
является отрицательным по сравнению с направлением тока icl, показан
ным на рис. 3.16. А в момент v = - (напряжение на вторичной обмотке
трансформатора Т1 равно U2max) ток lci через конденсатор С1 равен ну-
лю, так как для v = -, то есть при t = -, выполняется условие
При этой записи было учтено, что при V = - напряжения и2 и иС1

совпадают.
Надо отметить особенность зависимости тока iVD1, протекающе
го через диод К£>1, от v. В момент v = - ток ici конденсатора С1 равен
нулю (рис. 3.18, г). С физической точки зрения это означает, что в данный
момент конденсатор С1 не участвует в процессах рассматриваемого
выпрямительного устройства. Поэтому амплитуды токов iyD1 и iVD1, про
текающих через диод VD1 при работе рассматриваемого ВУ на резистив
КIN
ную и резистивно-емкостную нагрузки, совпадают в момент v =
(рис. 3.18, в).
Рис. 3.18. Диаграммы, иллюстрирующие работу выпрямительного устройства

на резистивно-емкостную нагрузку
В следующий интервал от до v2 ток ici через конденсатор С1 ста
новится положительным (рис. 3.18, г), что означает начало разрядки кон
денсатора С1 на нагрузку /?н. Мгновенный выпрямленный ток i0 проте
кающий через нагрузку R„ в этом интервале, формируется суммой тока
iypi, протекающего через диод VD1, и тока ici, протекающего через кон
денсатор С1. Это позволяет записать равенство
io(V)| = '■vdi + 'а ■
В моменту = v2 диод VD1 выключается (рис. 3.18, в).

В следующий интервал от v2 до v3 (рис. 3.18, в) напряжение и2
на вторичной обмотке сетевого трансформатора Т1, приложенное к аноду
диода VD1, меньше напряжения иС1 на конденсаторе С1, приложенного
к катоду диода VD1. Поэтому диод VD1 выключен, а значит, и ток iVDl,
протекающий через него, равен нулю. Мгновенный выпрямленный ток i0
через нагрузку RH, сопротивление которой равно R, определяется соотно
шением
io(v)| = ^.
R
v=v2-.v3
В этом интервале к диоду VD1 приложено обратное напряжение.

Диапазон от v2 (момент выключения диода VD1) и до v3 (момент вклю
чения диода У£>1) можно разделить на три интервала: от v2 до я, от я
до 2тг и от 2тг до v3.
На интервале от v2 до я напряжение на диоде VD1 определяется
разностью = u2 — иС1. Учитывая, что при этом и2 < иС1, то к ди
оду VD1 приложено отрицательное напряжение (рис. 3.18, д).
На интервале от п до 2тт напряжение и2 на вторичной обмотке
трансформатора является отрицательным (по сравнению с предыдущим
полупериодом). Полярность и2 на рис. 3.16 показана в скобках. Обратное
напряжение на диоде определяется суммой последовательно включенных
напряжений и2 и иС1 (рис. 3.18, д).
Следовательно, на интервале от п до 2я амплитуда Uo6pmax обрат
ного напряжения на диоде VD1 больше амплитуды У2 тах напряжения и2
и определяется неравенством (рис. 3.18, д)
^2 max — ^обр max — 2 ’ У2 max ■
На интервале от 2п до v3 полярность напряжения и2 указана на

рис. 3.16 без скобок. При этом к диоду VD1 приложено напряжение,
определяемое разностью напряжений и2 и иС1 (как и на интервале от v2
ДО 7T).
При v3 диод VD1 открывается. Поэтому с момента v = v3 начинает
ся новый период работы НВУ, и все процессы повторяются.
Влияние емкости конденсатора сглаживающего фильтра на работу
НВУ иллюстрируется диаграммами напряжений иС1 на конденсаторе
С1 (рис. 3.19), токов iVD1 через диод VD1 (рис. 3.20), а также обратного
напряжения на выключенном диоде VD1 (рис. 3.21).
при разных значениях емкости конденсатора сглаживающего фильтра
Графики под номером 1 на рис. 3.19-3.21 показывают диаграммы

работы устройства при отсутствии конденсатора, то есть при работе вы
прямительного устройства на резистивную нагрузку. Графики под номе
рами 2, 3 и 4 это диаграммы работы НВУ при наличии конденсатора
С1, включенного параллельно нагрузке RH. Причем емкость сглаживаю
щего конденсатора увеличивается с ростом номера кривой 2, 3 и 4.
Рис. 3.20. Диаграммы токов через диод VD1

при разных значениях емкости конденсатора сглаж ивающего фильтра
Видно, что увеличение емкости конденсатора С1 приводит к умень
шению пульсаций выходного напряжения и0 на нагрузке RH (график 4
на рис. 3.19). Обратной стороной этого положительного эффекта является
Рис. 3.21. Диаграммы обратных напряжений на диоде VD1

при разных значениях емкости конденсатора сглаживающего фильтра
Следует помнить, что мощность, рассеиваемая на электрорадиоэле

ментах, в соответствии с законом Джоуля — Ленца увеличивается про
порционально квадрат} амплитуды протекающего через ЭРЭ тока. Сле
довательно, при резистивно-емкостном характере нагрузки тепловой ре
жим выпрямительных диодов существенно усложняется. По этой причине
мощные выпрямительные устройства не работают на нагрузку с рези
стивно-емкостным характером.
Надо отметить особенность схождения всех графиков в момент
v = - на рис. 3.20. Как было отмечено ранее, в момент v = - ток кон
денсатора С1 при любой емкости конденсатора (графики 2-4) разен ну
лю. С физической точки зрения это означает, что в данный момент кон
денсатор С1 нс участвует в процессах работы НВУ. Поэтому амплитуды
токоз iVDl, iyoi, ivoi El i'vbi разны амплитуде 12тах тока-> протекающего
через выпрямительный диод УО1при работе выпрямительного устрой
ства на резистивную нагрузку.
Это принципиально важный факт работы рассматриваемого НВУ.
Визуальное изображение диаграмм токов, протекающих через вы
прямительный диод VD1 при различных значениях емкости конденсатора
сглаживающего фильтра, позволяет точку v = - (рис. 3.20) назвать
х-точкой.
Вместе с увеличением амплитуды тока iVD1, протекающего через
открытый диод VD1, на выключенном диоде VD1 увеличивается и мак
симальная амплитуда обратного напряжения Uo6pmax, что показано гра
фиками 2-4 на рис. 3.21.
Вышесказанное свидетельствует о том, что увеличение емкостно
го характера нагрузки приводит к сглаживанию выходного напряжения
на нагрузке за счет ухудшения режима работы выпрямительного диода
VD1.
По этой причине емкостные сглаживающие фильтры используются
только в относительно маломощных устройствах при небольших токах
нагрузки.
Схема со средней точкой неуправляемого выпрямительного
устройства с трансформаторным входом, работающего на резистивно
емкостную нагрузку, показана на рис. 3.22.
ivD\ VD\ Cl
—>
. +(-)' +
М21
1 “(+)1
и0
;+н
«22
1 "(+)1 [bJ
VD2
Рис. 3.22. Схема выпрямителя со средней точкой,
Характерные диаграммы, поясняющие работу рассматриваемого

устройства, приведены на рис. 3.23.
Напряжения и21 и и22 на секциях (полуобмотках) вторичной об
мотки сетевого трансформатора Т1 равны по амплитуде и сдвинуты по
фазе на угол п (рис. 3.23, а), то есть
«21 = Узтах ■ Sinv, (3.15)
U22 = U2max-Sin(y + n'). (3.16)

На рис. 3.23, б штриховой линией показана форма мгновенного вы
прямленного напряжения и0 на нагрузке, имеющей резистивный характер
(см. также рис. 3.9), а сплошной линией — для рассматриваемого рези
стивно-емкостного характера Hai-рузки.
Рис. 3.23. Характерные диаграммы, поясняющие работу выпрямителя со средней
точкой на резистивно-емкостную нагрузку
К выпрямительным диодам ИО1и VD2 (рис. 3.22) в любой момент

времени приложена разность напряжения и21 или и22 на соответствующей
секции вторичной обмотки сетевого трансформатора Т1 и напряжения ис
на конденсаторе С1. Очевидно, что диоды VD1 и VD2 будут включены (от
крыты) в интервале времени, когда к диоду приложено прямое напряжение,
то есть когда мгновенное напряжение на секции вторичной обмотки сетево
го трансформатора больше мгновенного напряжения на конденсаторе.
В момент v1 возрастающее мгновенное значение напряжения и21 на
верхней полуобмоткс трансформатора становится равным уменьшающе
муся мгновенному напряжению ис на конденсаторе С1, то есть u21 = ис>
что обеспечивает включение диода VD1 и начало протекания тока iVD1
через него (рис. 3.23, б).
В это время диод VD2 выключен, так как к нему приложено обрат
ное напряжение, равное сумме напряжений и22 и ис.
При v > vr диод VD1 открыт и через него протекает ток iVD1, равный
выпрямленному току i0 и току t21 полуобмотки вторичной обмотки транс
форматора. Конденсатор С1 заряжается (полярность указана на рис. 3.22),
его напряжение ис, равное и0, увеличивается. Падение напряжения на от
крытом диоде VD1 равно нулю, так как принято, что вентили являются иде
альными полупроводниковыми приборами. Амплитуда обратного напряже
ния на закрытом диоде VD2 практически равна удвоенной амплитуде
У2 max напряжения на секции вторичной обмотки трансформатора.
В момент v2 уменьшающееся мгновенное напряжение и21 на верх
ней секции трансформатора становится равным возрастав? щему
мгновенному напряжению ис на конденсаторе С1, то есть и21 = ис,
что обеспечивает выключение диода VD1, а значит, ток, протекающий
через диод VD1, уменьшается до нуля.
Следовательно, в интервале от до v2 через диод VD1 протекает ток.
При v > v2 оба диода VD1 и VD2 выключены (к ним приложено
обратное напряжение), а значит, и токи через них не протекают. Такой
режим диодов сохранится до момента v3 (рис. 3.23, б).
В момент v3 возрастающее мгновенное напряжение и22 на нижней
секции трансформатора становится равным уменьшающемуся мгновен
ному напряжению ис на конденсаторе С1, то есть и22 = ис, что обеспечи
вает включение диода VD2 и начало протекания тока iVD2 через него.
В это время диод VD1 продолжает оставаться в выключенном со
стоянии, так как к нему приложено обратное напряжение, равное сумме
напряжений и21 и ис.
При v > v3 диод VD2 открыт, и через него протекает ток iVD2, рав
ный выпрямленному току i0 и току i22 секции вторичной обмотки транс
форматора. Конденсатор С1 заряжается, его напряжение ис, равное и0,
увеличивается. Падение напряжения на открытом диоде VD2 равно нулю,
так как принято, что вентили являются идеальными полупроводниковыми
приборами. Амплитуда обратного напряжения на закрытом диоде
VD1 практически равна удвоенной амплитуде U2max напряжения на сек
ции вторичной обмотки трансформатора.
В момент v4 уменьшающееся мгновенное напряжение и22 на ниж
ней полуобмотке трансформатора становится равным возрастающему
мгновенному напряжению ис на конденсаторе С1, то есть и22 — ис, что
обеспечивает выключение диода VD2, а значит, ток, протекающий через
диод VD2, уменьшается до нуля.
Следовательно, в интервале от v3 до v4 через диод VD2 протекает ток.
При v > v4 оба диода VD1 и VD 2 выключены (к ним приложено об
ратное напряжение), а значит, токи через них не протекают. Такой режим
диодов сохранится до момента v5.
В момент v5 возрастающее мгновенное напряжение и21 на верхней
секции трансформатора становится равным уменьшающемуся мгновен
вает включение диода VD1 и начало протекания тока iVD1 через него.
В это время диод VD2 выключен, так как к нему приложено обрат
ное напряжение, равное сумме напряжений и22 и ис.
При v > v5 диод VD1 открыт, и через него протекает ток рав
ный выпрямленному току i0 и току i21 секции вторичной обмотки транс
форматора. Конденсатор С1 заряжается, его напряжение ис, равное и0,
увеличивается. Падение напряжения на открытом диоде VD1 равно нулю,
так как принято, что вентили являются идеальными полупроводниковыми
приборами. Амплитуда обратного напряжения на закрытом диоде VD2
практически равна удвоенной амплитуде U2max напряжения на секции
вторичной обмотки трансформатора.
В момент v6 уменьшающееся мгновенное напряжение и21 на верх
ней секции трансформатора становится равным возрастающему мгновен
вает выключение диода VD1, а значит, ток, протекающий через диод VD1,
уменьшается до нуля.
Следовательно, в интервале от v5 до v6 через диод VD1 протекает ток.
Затем процессы в рассматриваемом выпрямительном устройстве по
вторяются. Сравнивая НВУ, работающие на резистивную и резистивно
емкостную нагрузки, надо отметить следующее.
При резистивном характере нагрузки ток через диод протекает в те
чение полупериода питающего напряжения, равного я, а при резистивно
емкостном характере нагрузки ток через диод протекает в течение мень
шего интервала, чем полупериод питающего напряжения, го есть угол от
сечки в при резистивно-емкостном характере нагрузки уменьшается.
Полезно отметить, что средний ток, протекающий через конденса
тор С1 за период питающего сетевого напряжения ис, равен нулю, так как
постоянная составляющая тока через конденсатор не протекает. Следова
тельно, площади, ограниченные зарядным и разрядным токами конденса
тора, равны по величине.
Другая схема построения однофазного НВУ называется мостовой.
На рис. 3.24 показана трансформаторная схема НВУ, работающего
на нагрузку с резистивно-емкостным характером.
Рис. 3.24. Трансформаторная схема мостового выпрямителя,

работающего на резистивно-емкостную нагрузку
Форма мгновенного выпрямленного напряжения и0 для НВУ, по
строенных по схеме со средней точкой (рис. 3.22) и мостовой схеме
(рис. 3.24), совпадают.
В современных источниках вторичного электропитания сетевые
(низкочастотные) неуправляемые выпрямительные устройства строятся,
_какправило,побестрансформаторнойсхеме.____________________________
Причем в технической документации и научной и технической ли
тературе графическое начертание мостовых схем выпрямления осуществ
ляется не только так, как показано на рис. 3.24, но и так, как показано на
рис.3.25-3.27.
Рис. 3.25. Бестрансформаторная схема мостоеого выпрямителя,

+ Г/0
-t/o
Рис. 3.26. Бестрансформаторная схема мостоеого выпрямителя,

Бестрансформаторное исполнение сетевых неуправляемых выпря

мительных устройств является примером схсмо!схничсской реализации
одного из способов уменьшения массе габаритных параметров ИВЭ за
счет повышения частоты тока, протекающего по обмоткам статических
электромагнитных устройств (трансформаторов и дросселей).
Рис. 3.27. Бестрансформаторная схема мостового выпрямителя,
Таким образом, при работе неуправляемых выпрямительных

устройств на резистивно-емкостную нагрузку проявляются следующие
особенности:
• уменьшение пульсаций мгновенного и среднего выпрямленного
напряжений и увеличение среднего выпрямленного напряжения;
• сокращение времени работы вентилей;
• увеличение амплитуды токов, протекающих через вентили и об
мотки сетевого трансформатора с ростом емкости конденсатора,
так как в течение более короткого времени необходимо передать
со входа на выход ту же мощность;
• ухудшение использования обмоток трансформатора, так как при
увеличении амплитуды тока возрастает и его средний квадрати
ческий ток, а значит, увеличивается мощность обмоток транс
форматора;
• усиливается зависимость выпрямленного напряжения от тока
нагрузки, то есть увеличивается динамическое сопротивление
выпрямителя.
3.2.3 Методы определения угла отсечки

Угол отсечки в характеризует время протекания тока через выпря
мительный диод. Для определения угла отсечки 0 применяют два метода:
экспериментальный и расчетный.
При экспериментальном методе определения угла отсечки в после
довательно с выпрямительным диодом включают резистор малого сопро
тивления. В качестве примера на рис. 328 показана схема преобразовате
ля AC/DC, построенная по схеме со средней точкой.
юз
Рис. 3.28. Схема экспериментального метода определения угла отсечки
выпрямительного ус тройства, построенного по схеме со средней точкой
Последовательно с выпрямительным диодом VD1 включен низко-

омный резистор R1 (его сопротивление составляет ~ 1...5 Ом). Для реги
страции мгновенного падения напряжения ufil на резисторе R1 исполь
зуется осциллограф.
Следует отмстить, что осциллографы не являются измеритель
ными приборами (отсутствует метрологическая поверка). Они относятся
к регистрирующим электроизмерительным приборам (ГОСТ 2.729-68
(2002)).
Для резистора R1 закон Ома можно записать в виде:
UR1
(3-17)
где iR1 — гок, протекающий через последовательно включенные рези

стор R1 и диод VD1,
uR1 — падение напряжения на резисторе R1,
Rr1 — сопротивление резистора R1.
Из (3.17) видно, что мгновенные ток iR1 и напряжение uR1 про
порциональны (коэффициент пропорциональности 1/RK1). Причем если
сопротивление резистора R1 равно единице, то численные значения iR1
и иfil равны.
Для определения угла отсечки 9 необходима временная развертка
осциллограммы тока, протекающего через диод VD1 (рис. 3.29).
Рис. 3.29. Осциллограмма тока, протекающего через выпрямительный диод:
а — резистивный характер нагрузки; б —резистивно-емкостной характер нагрузки
Учитывая закон Ома (формула 3.17), можно утверждать, что вре

менные изменения iR1 и uR1 совпадают. Поэтому для экспериментального
определения угла отсечки в используют осциллограмму падения напря
жения на активном резисторе R1. На ней измеряют длительность L пери
ода Т и длительность / протекания 20 тока через диод за период питаю
щего напряжения.
В соответствии с обозначениями, принятыми на рис. 3.29, можно
составить пропорцию
(29 -I
(2л — L'
из которой можно записать
I
29 = 2л
L/
или
/
0 = 7ГТ
Полученное выражение позволяет определить угол отсечки 9 экс
периментальным методом.
Полезно отметить, что экспериментально измеренные параметры I
и L входят в рассматриваемое выражение в виде отношения. По этой при
чине I и L должны быть измерены в одних и тех же единицах. А вот в ка
ких единицах — совершенно не принципиально. Например, величины I
и L могут быть измерены в миллиметрах, а могут быть измерены в кле
точках и т. д. Дело в том, что при использовании отношения двух чисел
в расчетных соотношениях определения изучаемого параметра метроло
гические требования к единицам измерения сводится лишь к требованию
применения одних и тех же единиц, гак как коэффициент пропорцио
нальности в единицах измерения сокращается. Безусловным требова
нием к измеряемым параметрам является их линейность в выбранном
диапазоне.
Вывод уравнения для расчетного метода определения угла отсечки
в удобно провести па основе выпрямителя, построенного по схеме со
средней точкой (рис. 3.22) и работающего на резистивно-емкостную
нагрузку.
При выводе расчетных соотношений для определения угла
ки 0 принимают следующие допущения:
• во-первых, переменное напряжение имеет неискаженную сину
соидальную форму;
• во-вторых, активное сопротивление диода в прямом направлении
является постоянным;
• в-третьих, проводимость диода в обратном направлении равна
нулю;
• в-четвертых, индуктивность рассеяния обмоток сетевого транс
форматора равна нулю;
• в-пятых, падение напряжения на конденсаторе, включенном па
раллельно нагрузке, равное среднему выпрямленному напряже
нию Uo, является неизменным;
• в-шестых, выполняется условие СС1 ■ RH » Т.
На рис. 3.30 приведены формы мгновенного выпрямленного напря

жения и0 (рис. 3.30, а), среднего выпрямленного напряжения Uo
(рис. 3.30, а), мгновенного тока, протекающего через один из диодов
(например, через диод VD1) (рис. 3.30, б) и мгновенного тока, протекаю
щего через нагрузку (рис. 3.30, в).
Рис. 3.30. Характерные диаграммы, поясняющие вывод уравнения
для реализации расчетного метода определения угла отсечки
Из физики работы рассматриваемой схемы преобразователя AC/DC

(рис. 3.22) следует, что в первый полупериод питающего напряжения
(полярность на рис. 3.22 указана без скобок) электрический ток iVD1 через
диод VD1 течет лишь тогда, когда мгновенное напряжение н21 на верхней
секции вторичной обмотки трансформатора Т1 больше напряжения Uc
на конденсаторе С1, равного среднему выпрямленному напряжению Uo,
то есть при u21 > Уо.
Следовательно, в соответствии со вторым законом Кирхгофа при
u2i > Uo можно записать
1vdi ’ R = и21 ~ > (3.18)
где R — сопротивление фазы выпрямителя, равное сумме сопротивле
ний диода Rvd и трансформатора RT1, то есть
R — П' Rvd "Ь Rti> (3.19)

где п — число последовательно включенных выпрямительных диодов.
Под сопротивлением сетевого трансформатора RT1 понимается
сумма приведенного к его вторичной обмотке активного сопротивле
ния первичной и активное сопротивление вторичной обмоток трансфор
матора.
Из уравнения (3.18) можно записать
и21 Up
lVDl (3.20)
R
Учитывая, что
u2i = U2max-cosv, (3.21)
то для v = в ток iVD1 = 0 и напряжение u21 = Uo (рис. 3.30). Поэтому на
основании (3.21) можно записать
и0 = U2max-cose. (3.22)
Подставляя выражения для и21 и Uo из (3.21) и (3.22) в (3.20), мож

но записать
U2 max ' cos v U2 max ' cos & U2 max

JV£>1 (cos v — COS д') . (3.23)
R R
Полученное уравнение (3.23) определяет мгновенный ток, протека
ющий через диод VD1 в интервале от v — —в до v — в, то есть при
u2i > Uo (рис. 3.30, б).
Аналогичные процессы протекают в преобразователе AC/DC в другой
полупериод питающего сетевого напряжения (полярность на рис. 3.22
указана в скобках, через диод VD2 течет ток iVD2 в интервале от v = тт — в
до v = п + 9 (рис. 3.30, в)).
Это позволяет построить диаграмму мгновенного выпрямленного
тока i0, протекающего через нагрузку йн, состоящую за период 2п пита
ющего напряжения из двух одинаковых импульсов тока iVD1 и iVD2
(рис. 3.30, в).
Средний выпрямленный ток /0 определяется по формуле:
т п
1о = ?■ f iodt = ^- f iodv. (3.24)
0 -7Г
С учетом выражения (3.23) для тока iVD1 формулу (3.24) можно за
писать в виде:
7Г 0
/о = JCivD-L + ivDi^dv = р- J 2™ах (cosv - cos9)dv . (3.25)
—7Г -0
При этом было учтено, что за период Т сетевого напряжения через
нагрузку протекают два импульса тока. С целью придания последующим
формулам общего вида в (3.25) число импульсов тока через нагрузку за
период Т обозначено р. Для данной схемы р = 2, а для однополупериод-
ной схемы р = 1.
Учитывая, что функция cosv симметрична относительно оси токов,
выражение (3.25) можно преобразовать
G
( ^2 max f а Р max
—-— (cos V — COS 6)dv —--------- ---
JR П•R
О
V ’ ^2 max r ■ Г, П n\
■ (sin 9 — 9 ■ cos 9) .
п■R
(3.26)
С учетом соотношения (3.22) выражение (3.26) можно записать как
/0 = ■ (sin 9 - 9 ■ cos 9) = (tg 9 - 0) . (3.27)

7Г • R cos 9 п■R
Полученное соотношение (3.27) целесообразно переписать в виде:
(3.28)
Правую часть выражения (3.28) традиционно обозначают парамет

ром А:
л = пф,° (3.29)
p-u0
Параметр А является интегральным (комплексным) параметром для
конкретного типа 11ВУ. Все величины, входящие в А, либо определяют
НВУ в целом (Uo и /0), либо отражают выбранную схему выпрямления
(р, R). Таким образом, вся информация о конкретном выпрямительном
устройстве сконцентрирована в параметре А.
Выражение (3.28) с учетом (3.29) можно записать в виде:
tg 9 — 9 = А . (3.30)
Уравнение (3.30) используется для определения угла отсечки 9 рас
четным методом.
Уравнение (3.30) является трансцендентным и может быть решено
только численным методом. Высокую скорость сходимости итерационно
го процесса и некритичность к выбору начального приближения имеет
метод Ньютона (метод касательных). В этом методе для нахождения кор
ня уравнения функции F, зависящей от аргумента .г,
Г(х) = О (3.31)
реализуется итерационный цикл
где п — номер итерации,

F (х) — производная функции F (3.31).
Применительно к уравнению (3.30) для расчета угла отсечки 9 вы
ражение (3.32) может быть записано в следующем виде:
t-9 @п Л
#п+1 — @п
(3.33)
Полученное выражение позволяет для конкретного выпрямительно

го устройства, то есть для заданного значения параметра А, численно
определить угол отсечки 9.
Следует помнить, что в уравнении (3.33) угол отсечки 9 измеряется
в радианах.
При выборе начального («нулевого») приближения 0О (п = 0) Для
угла отсечки при численном решении выражения (3.33) следует иметь
в виду, что 9 изменяется в интервале от нуля до д/2.
Численный счет проводят, как правило, до получения трех достовер
ных цифр, то есть модуль разности е значений угла отсечки 0п+1 и 9п для
двух последовательных итераций п + 1 и п не превышает 0,001 (здесь еди
ница измерения угла отсечки — радианы). Тогда условие выхода из итера
ционного цикла можно записать в следующем виде:
I @п+1 вп I < £ ■ (3.34)

Пример
Определить угол отсечки для НВУ, построенного по схеме со сред
ней точкой и имеющего параметры Uo = 15,0 В, /0 = 2,0 А. Магнито
провод сетевого трансформатора выполнен из электротехнической
стали.
В качестве выпрямительных диодов выбраны кремниевые диоды
типа Д243Б, рассчитанные на средний ток, равный 2,0 А, и у которых
прямое падение напряжения U„p равно 1,0 В.
Резистивное сопротивление RT1 обмоток сетевого двухобмоточного
трансформатора, предназначенного для питания выпрямительного
устройства, приведенное к его вторичной обмотке, определяют по из
вестной формуле:
но
и0 f ' ^max
.35)
RT1 = К •
Iq ■ f ■ fynax у Uo-Io ’
где К — коэффициент, зависящий от схемы выпрямления (табл. 3.2);

Втах — амплитуда магнитной индукции в магнитопроводе транс
форматора, Вб/м2;
f — частота сети, Гц.
Значение амплитуды магнитной индукции Втах магнитопроводов
сетевых трансформаторов мощностью до 1 000 В А равно 1,2 ... 1,3 Вб/м2
на частоте 50 Гц и 1,0 ... 1,6 Вб/м2 на частоте 400 Гц.
Таблица 3.2
Численные значения коэффициента К,
зависящего от схемы выпрямления
Схема Двухполунериодная Однофазная

Однополупериодная Удвоения
НВУ со средней точкой мостовая
К 2,3 4,7 3,5 0,9
В рассматриваемом примере для расчета RT1 выбирают следующие

параметры: К = 4,7; f = 50 Гц; Втах = 1,2 Вб/м2. Тогда резистивное
сопротивление RT1 обмоток сетевого двухобмоточного трансформатора,
предназначенного для питания выпрямительного устройства и приведен
ное к его вторичной обмотке, равно
15,0 50 • 1,2
= 4,7- 0,70 Ом.
2,0 • 50 • 1,2 15,0-2,0
Сопротивление RVD выпрямительного диода в прямом направлении

определяется по формуле:
(3.36)
где Ка — коэффициент (для германиевых диодов Ка = 2,0 ... 2,3, а для

кремниевых диодов Ка — 2,2 ... 2,4),
U„p — прямое падение напряжения на диоде,
— средний ток, протекающий через диод.
Для рассматриваемого примера
2,3 • 1,0
В соответствии с формулой (3.19) можно записать, что сопротивле
ние фазы выпрямления равно (и = 1)
R = 1 ■ 1,15 + 0,70 = 1,85 Ом.
Параметр А, согласно формуле (3.29), равен
3,14-1,85-2,0
А ~ 2 ■ 15,0 “ 0,39 '
Теперь для определения угла отсечки в рассматриваемого НВУ

можно записать уравнение
tg 0 - в = 0,39
или
F(0) = tg в — в — 0,39 .
Решение этого трансцендентного уравнения методом касательных
может быть выполнено по рекуррентной формуле:
„ _ _ tg вп ~ 9п ~ 0,39
1 • (3.37)
cos2 вп
Для начала численного счета необходимо выбрать «нулевое» при
ближение для угла отсечки, то есть выбрать исходное значение угла от
сечки, которое удобно обозначить в0.
Величину 0О выбирают, исходя либо из физики процесса, либо из
приближенного решения соответствующего уравнения, либо интуитивно,
либо на основе экспериментальных данных.
В рассматриваемом примере угол отсечки изменяется в диапазоне
от нуля до я/2. Логично принять в качестве 00 среднее значение из ука
занного интервала, то есть в0 = п/А.
Вычисления следует продолжать до тех пор, пока не будет получе
но решение с заданной погрешностью. Эта погрешность определяется
условием выхода из итерационного цикла. Одно из распространенных
условий — эго условие, что модуль разности между двумя последова
тельными итерациями 0п+1 и вп меньше наперед заданного числа £, то
есть
|0„+1 - 0п1 < £ • (3.38)
Целесообразно принять для рассматриваемого примера £ = 0,1°, что
эквивалентно £ = 0,0017 * 0,002 радиан.
Учитывая, что в формуле (3.37) угол отсечки следует подставлять в
радианах, то условие выхода из итерационного цикла, то есть условие
(3.38) окончания счета, удобно записать в виде:
|0п+1-0п1 < 0,002. (3.39)
В ходе первой итерации в рассматриваемом примере при выбран
ном «нулевом» приближении для угла отсечки Оо = тг/4 = 0,785 полу
чают
„ л tg 0О - 0О - 0,39 л *g(4) I “0,39
10 1 t ~ 4 1_____ !
cos2 0О cos2
1 - 0,785 - 0,39
= 0,785----------- т-------------- = 0,785 + 0,175 = 0,960.
оЗ-1
Получив значение угла отсечки на первой итерации вг = 0,960,
проверяют выполнение условия (3.39). В данном случае
|0,960 - 0,785| = 0,175 > 0,002 .

Условие окончания счета (3.39) нс выполняется. Поэтому надо вы
полнять следующую (вторую) итерацию, считая полученное значение
0Г = 0,960 известным.
В ходе второй итерации при полученном первом приближении для
угла отсечки, равном 0Х = 0,960, можно записать
tg 01 - 01 - 0,39 tg(55°) - 0,960 - 0,39

02 = 0j - 5 1 г 1------ -— = 0,960 - —------------------------ ----- =
cos2 0j 4 cos2(55°) 4
1,428 - 0,960 - 0,39

= 0,960------------ 3 04- 1--------- = 0,960 “ 0,038 = °’922’
Получив значение угла отсечки на второй итерации 02 = 0,922,

проверяют выполнение условие (3.39). В данном случае
|0,922 - 0,960| = 0,038 > 0,002 .
Условие окончания счета (3.39) не выполняется. Поэтому надо вы

полнять следующую (третью) итерацию, считая полученное значение
02 = 0,922 известным.
В ходе третьей итерации при полученном втором приближении для
угла отсечки, равном 02 = 0,922, можно записать
1,319 - 1,312
= 0,922---------2 74- 1— = 0,922 " 0,004 = °'918'
из
Получив значение угла отсечки на третьей итерации 03 = 0,918,
|0,918 - 0,922| = 0,004 > 0,002 .
Условие окончания счета (3.39) не выполняется. Поэтому надо вы
полнять следующую (четвертую) итерацию, считая полученное значение
= 0,918 известным.
В ходе четвертой итерации при полученном третьем приближении
для угла отсечки, равном 03 = 0,918, можно записать
Получив значение угла отсечки на четвертой итерации 04 = 0,918,

|0,918-0,918| = 0 < 0,002.
В ходе четвертой итерации получено значение угла отсечки равное
04 = 0,918, для которого условие (3.39)
|0п+1-0п1 <0,002
выполняется.
Таким образом, найденное значение угла отсечки в4 = 0,918 = 52,6°
является искомой величиной рассматриваемого примера.
3.2.4. Работа неуправляемого выпрямителя

на резистивно-индуктивную нагрузку
Резистивно-индуктивный характер нагрузки выпрямительного
устройства реализуется при использовании дросселя в качестве первого
элемента пассивного сглаживающего фильтра, то есть при использовании
пассивных Г-образных сглаживающих LC-фильтров.
При подаче на дроссель, индуктивность которого равна L, гармони
ческого напряжения и2 = U2 тах ■ sin v через обмотку дросселя течет пе
ременный ток iL, который на обмотках дросселя наводит ЭДС самоин
дукции sL, равную
Q = (3.40)
Закон Ома для неоднородного участка цепи, представленного об

моткой дросселя, можно записать как
i • R — и2 + £l , (3.41)
где i — ток, текущий по участку цепи с резистивным сопротивлением R,
и2 — падение напряжения на участке цепи,
sL — ЭДС, действующая на этом участке цепи.
Сопротивление обмотки дросселей, которые используются в ИВЭ,
мало (R -» 0).
Принимая левую часть уравнения (3.41) равной нулю, это уравне
ние можно записать в следующем виде:
U2max-sinv-L^ = 0 (3.42)
ИЛИ
сП/
U2max-sinv. (3.43)
Из уравнения (3.43) следует, что

,. ^2 max .
di, = — ----- sin v • dt.
L L
Домножив на ш числитель и знаменатель правой части данного вы
ражения, получают
^2 max . , . ^2 max . , л
di,—----- -—sinv • da)t = ----- -—sinv • dv. (3.44)
ыЬ (j)L
Величина ыЬ представляет собой индуктивное сопротивление дрос
селя. Естественно, что для постоянного тока (а> = 0) индуктивное сопро
тивление шЬ равно нулю. Однако с ростом частоты протекающего через
обмотку дросселя тока индуктивное сопротивление дросселя увеличивается.
Интегрирование выражения (3.44) для тока, протекающего через
дроссель, позволяет получить следующее уравнение
iL =----- 2 max cos v + Const . (3.45)
a)L
Известно, что постоянная составляющая тока iL, протекающего по
обмотке дросселя, равна нулю.
Поэтому в выражении (3.45) константу интегрирования следует
также приравнять нулю, то есть Const = 0, что позволяет выражение
(3.45) записать в виде
^2 max
iL ■ COS V . (3.46)
O)L
Учитывая, что в соответствии с формулой приведения
(3.47)
то уравнение (3.46) можно записать в виде
где
^2 max
^2 max ~ (3.49)
wL
Из уравнения (3.49) можно получить, что V 2тах - • 12тах- По

сле подстановки этого соотношения в уравнение (3.43) (с учетом того, что
левая часть есть не что иное, как напряжение на дросселе) получают
(3.50)
Из сравнения уравнений (3.50) и (3.48) следует, что ток iL, протека
ющий через обмотку дросселя, отстает от напряжения на нем, то есть
наблюдается временное отставание изменения тока от изменения напря
жения. Этот факт в значительной степени определяет особенность работы
выпрямительных устройств на резистивно-индуктивную нагрузку.
В качестве примера выпрямительного устройства, работающего на
резистивно-индуктивную нагрузку, можно рассмотреть схему однополу-
периодного НВУ, у которого сглаживающий элемент начинается с дрос
селя (рис. 3.31), и питающегося переменным сетевым напряжением ис,
изменяющимся во времени по гармоническому закону.
На рис. 3.32, а показано напряжение и2 = U2max • sin v на вторич
ной обмотке сетевого трансформатора Т1.
Надо отметить, что наличие индуктивности в электрической цепи,
по которой протекает изменяющийся ток, приводит к временному отста
ванию изменения тока от вызвавшего его изменения напряжения.
Это обусловлено наведением на обмотке дросселя L1 ЭДС индукции
определяемой соотношением, которое аналогично формуле (3.40>:
«и = (3.51)
где L — индуктивность дросселя L1,

iL1 — ток, протекающий по обмотке дросселя L1.
Г1 >VDi=iiA YD\ (1)__ ____ до io
1 +(-) + U0
i '^roi £l\
■ h «2 ’ Ч0
1 -и
-u0
Puc. 3.31. Схема НВУ, работающего на резистивно-индуктивную нагрузку

Знак «-» в формуле (3.51) показывает, что ЭДС индукции имеет по
лярность, которая противодействует изменению тока i£1, протекающего
по обмотке дросселя. Это утверждение называют правилом Ленца.
Таким образом, при возрастании тока iL1, протекающего по обмотке
дросселя, ЭДС индукции ££1 направлена навстречу напряжению и2 на
вторичной обмотке транзистора Т1. На рис. 3.31 полярность ££1 в этом
режиме указана без скобок.
Во время положительного полупсриода сетевого напряжения по
мере роста напряжения и2 ток i2, протекающий по вторичной обмотке
трансформатора Т1, возрастает, и также увеличивается ЭДС индукции
е£1, которая в соответствии с правилом Ленца отрицательна (рис. 3.32, б).
Надо подчеркнуть, что ток i2 вторичной обмотки трансформатора,
ток iVD1 диода VD1 и ток itl обмотки дросселя L1 равны мгновенному
выпрямленному току i0, протекающему через нагрузку /?и, то есть
G = i-VDi ~ = io ■ (3.52)
Возрастание тока г0 происходит до момента .
При v > sL1 становится положительной (на рис. 3.31 полярность
£L1 на обмотке дросселя L1 указана в скобках) и энергия, накопленная в
электромагнитном поле дросселя, затрачивается на поддержание проте
кания тока по обмотке дросселя в прежнем направлении.
В момент v = п, когда напряжение и2 становится равным нулю, и
даже при v > 7Г, когда напряжение и2 становится отрицательным, ЭДС
индукции е£1 на обмотке дросселя Ы обеспечивает протекание тока в об
мотке дросселя, а значит, и во всей цепи нагрузки (см. выражение (3.52))
в прежнем направлении (рис. 3.31 и рис. 3.32, в).
В момент v = v2 энергия, накопленная в электромагнитном поле
дросселя L1, полностью расходуется и ток i£1, протекающий через обмот
ку дросселя, становится равным нулю.
В интервале от Одо v2 диод VD1 находился в проводящем состоя
нии, следовательно, падение напряжения на нем uVD1 равно нулю
(рис. 3.32, 0).
При v = v2 диод VD1 выключается и к нему прикладывается мгно
венное напряжение и2 вторичной обмотки трансформатора Т1, то есть
на интервале от v2 до 2тг падение напряжения на uVD1 на диоде VD1 рав
но и2.
В момент v = 2п полярность напряжения и2 изменяется (на
рис. 3.31 указана без скобок), диод VD1 включается и все процессы по
вторяются.
Таким образом, можно сформулировать особенности работы НВУ,
работающего на резистивно-индуктивную нагрузку.
1. Ток i0 в цепи нагрузки возрастает медленнее, чем вызвавшее его
напряжение на вторичной обмотке трансформатора.
2. Пульсации мгновенного выпрямленного напряжения и тока будут
меньшими, чем у выпрямительного устройства, работающего на ре
зистивную нагрузку. Это объясняется тем, что время, в течение ко
торого ток протекает через диод, превышает половину периода я.
3. Дроссель, включенный последовательно с нагрузкой /?н и имею
щий индуктивность L и резистивное сопротивление /?др, оказыва
ет большое сопротивление лишь переменной составляющей тока,
протекающего через обмотку дросселя. Очевидно, что для повы
шения сглаживающего эффекта необходимо увеличивать индук
тивность дросселя так, чтобы
coL » /?др 4- RH . (3.53)
Следовательно, чем больше постоянная времени т цепи, равная
L
(3.54)
Ядр + R» '
тем лучше сглаживающее действие фильтра.

Для определения коэффициента сглаживания Ксгл индуктивного
фильтра можно воспользоваться эквивалентной схемой (рис. 3.33).
1А
Выходное напряжение после вентильной группы НВУ представляет

собой сумму двух составляющих: постоянной Uq и переменной
Резистивное сопротивление обмотки /?др дросселя существенно
меньше сопротивления нагрузки /?н. Поэтому в дальнейшем резистивное
сопротивление /?др дросселя не учитывается.
По определению, коэффициент сглаживания пульсаций Ксгл опреде
ляется отношением коэффициента пульсации Кпвх до фильтра к коэффи
циенту пульсаций К„ вых после фильтра, то есть
^сгл = ^^- (3.55)
вых
В свою очередь, К„ вх и Кп вых определяются по формулам
,z _ max (3.56)
''п вх «ж
и0
И
п'
и1 max
вых (3.57)
и0 '
где У1 тах — амплитуда первой гармоники напряжения на входе сгла
живающего фильтра;
[/' тах — амплитуда первой гармоники напряжения на выходе
Теперь с учетом (3.56) и (3.57) выражение (3.55) для коэффициента
сглаживания пульсаций Ксгл рассматриваемого индуктивного сглажива
ющего фильтра можно записать как
(3.58)
В свою очередь для Ur тах и У1 тах можно записать, что
^1 max ~ К max ’ И тах ~ тах ' Ян >
где /х тах — амплитуда первой гармоники тока, протекающего в цепи,

Z — полное сопротивление цепи, Z = yjR% 4- (wL)2.
Тогда выражение (3.58) можно представить в виде
Л max % _ % _ Vff,2 (шА)2

(3.59)
Л max ' Ян Ян Ян
Из выражения (3.59) следует, что
Ксгл ■ RH = y/R% + (wL)2
или
(Ксгл ■ Ян)2 = Ян + (W-
Из полученного соотношения можно записать выражение для опре
деления индуктивности L дросселя сглаживающего фильтра
(Я2Л - 1) ■ Я2
(3.60)
Эту формулу для определения индуктивности L дросселя можно

упростить. Учитывая, что Ксгл » 1, то выражение (3.60) можно перепи
сать в виде
(3.61)
Из полученного выражения для определения индуктивности L

дросселя следует вывод о практической реализации индуктивного сгла
живающего фильтра.
Для получения минимальной индуктивности дросселя СФ, а зна
чит, и минимальных его массогабаритных параметров при заданном ко
эффициенте сглаживания Ксгл пульсаций индуктивные СФ целесообраз
но применять при малых сопротивлениях нагрузки /?н и в многофаз
ных схемах выпрямления (со = р • шс, где шс — частота сети; р — такт-
ность).
§ 3.3. Умножители напряжения
Умножители напряжения (УН) — это устройства, преобразующие

энергию низковольтного напряжения переменного тока в энергию высо
ковольтного напряжения постоянного тока.
Умножители напряжения строится из «лестницы» конденсаторов
и диодов. Причем напряжения на всех ступенях «лестницы» равны. По
этому в отличие от трансформаторов умножители напряжения не требуют
магнитопровода (сердечника), имеющего значительные массогабаритные
параметры, и усиленной электрической изоляции. Используя только кон
денсаторы и диоды, умножители напряжения могут преобразовывать от
носительно низковольтное напряжение в очень высокое напряжение, при
этом оказываясь много легче и дешевле по сравнению с трансформатора
ми. Еще одной особенностью умножителей напряжения является воз
можность снимать напряжение с одной или нескольких ступеней схемы
так же, как и в многообмоточных трансформаторах.
Эти причины и предопределили использование умножителей
напряжения в высоковольтных маломощных ИВЭ вместо традиционной
выпрямительной схемы (сетевой трансформатор, выпрямитель и сглажи
вающий фильтр).
Принцип действия УН состоит в том, что последовательно вклю
ченные конденсаторы заряжаются каждый отдельно от низковольтной
вторичной обмотки сетевого трансформатора через соответствующие ди
оды. Причем конденсаторы соединены последовательно, а значит, их
суммарное напряжение равно сумме напряжений на них. Нагрузка вклю
чается параллельно конденсаторам. По этой причине выходное напряже
ние УН кратно, то есть умножается, по сравнению с напряжением на вто
ричной обмотке трансформатора.
Наиболее часто применяются однофазные умножители напряжения,
которые со схемотехнической точки зрения классифицируются на сим
метричные и несимметричные схемы УН.
На рис. 3.34 показана симметричная схема однофазного умножите
ля напряжения, часто называемая схемой удвоения напряжения или схе
мой Латура.
Это схема представляет собой два однополупериодных выпрямителя,
работающих на нагрузку, имеющую емкостной характер, от одной
вторичной обмотки сетевого трансформатора Tie временным сдигом на
полупериод питающего напряжения ис.
Л ЛИ
5
о-
J +(-) Uc\
+
~ис С «2 = С1
1 _(+)1
О-
Ifa'
= С2
VD2
Ш.
Рис. 3.34. Симметричная схема однофазного умножителя напряжения
Пусть в первый полупериод питающего напряжения (v изменяется

от 0 до л) на вторичной обмотке сетевого трансформатора имеется
напряжение и2 = U2max ’Si1117 (рис. 3.35, а), полярность которого указана
на рис. 3.34 без скобок. Напряжение и2 будет прямым напряжением для
диода VD1 и обратным напряжением для диода VD2, то есть в первый
полупериод питающего напряжения ис диод VD1 будет открыт, а диод
VD2 будет закрыт.
Учитывая емкостной характер нагрузки, ток iVD1 через диод VD1
и ток i2 через вторичную обмотку трансформатора равны и протекают по
цепи: «+и2» диод VD1 -> конденсатор С1 -> «—и2» лишь в интерва
ле от vx до v2 (рис. 3.35, б и рис. 3.35, в). В этом интервале конденсатор
С1 заряжается до напряжения иС1 (рис. 3.35, а и рис. 3.35, д), амплитуда
которого практически равна амплитуде напряжения U2 тах на вторичной
обмотке трансформатора Т1.
На интервале изменения v от 0 до v3 конденсатор С2 разряжается.
Изменение его мгновенного напряжения иС2 на этом интервале
иллюстрируют рис. 3.35, а и рис. 3.35, д.
Во втором полупсриодс питающего напряжения ис (v изменяется
от л до 2л) на вторичной обмотке сетевого трансформатора напряже
ние и2 = U2 тах • sin v (рис. 3.35, а) имеет полярность, указанную на
рис. 3.34 в скобках. Напряжение и2 будет обратным напряжением для диода
VD1 и прямым напряжением для диода VD2, то есть во втором полупериоде
питающего напряжения диод VD1 будет закрыт, а диод VD2 будет открыт.
Учитывая емкостной характер нагрузки, ток iVD2 через диод VD2 и ток i2
через вторичную обмотку трансформатора равны и протекают по цепи
«(+)и2» -> конденсатор С2 диод1ЛР2 -» «(—)и2» лишь в интервале
от v3 до v4 (рис. 3.35, б и рис. 3.35, г). На этом интервале конденсатор
С2 заряжается до напряжения иС2 (рис. 3.35, а и рис. 3.26, б), амплитуда
которого практически равна амплитуде напряжения U2max на вторичной
обмотке трансформатора Т 1.
Рис. 3.35. Характерные диаграммы умножителя напряжения,

построенного по схеме Латура
В интервале от v2 Д° vs конденсатор С1 разряжается. Изменение

его мгновенного напряжения иС1 на этом интервале иллюстрируют
рис. 3.35, а и рис. 3.35, д.
Таким образом, за период питающего напряжения каждый из
последовательно соединенных конденсаторов С1 и С2 заряжается до
напряжения, практически равного амплитуде питающего напряжения
U2max иа вторичной обмотке сетевого трансформатора Т1. Полярность
напряжений, до которых заряжаются конденсаторы С1 и С2, показана на
рис. 3.34. Нагрузку RH включают параллельно последовательно включен
ным конденсаторам С1 и С2, следовательно, мгновенное выпрямленное
напряжение и0 на нагрузке /?н равно сумме мгновенных напряжений иС1
и иС2 на конденсаторах С1 и С2 (рис. 3.35, 4), то есть
и0 = иС1 + иС2 .
Пренебрегая изменением мгновенного напряжения на конденса
торах С1 и С2 в процессе их зарядки-разрядки и принимая, что ампли
туды напряжений иС1 и иС2 равны U2max, получаем, что среднее вып
рямленное напряжение Uo на выходе умножителя напряжения опреде
ляется по формуле:
С/о ^С1 ^С2 ~ ^2 max + ^2 max ~ 2 U2 max .
Затем процессы повторяются.
В рассматриваемой схеме умножителя напряжения выходное
напряжение Uo практически равно удвоеному амплитудному напряжению
U2 тах на вторичной обмотке трансформатора (рис. 3.35, д). Поэтому эту
схему умножителя напряжения и называют удвоителем напряжения.
Надо отмстить некоторые особенности умножителей напряжения на
примере рассмотренной схемы.
Конденсаторы С1 и С2 работают в режиме зарядки-разрядки. Поэтому
средний ток, протекающий через каждый конденсатор, равен нулю.
Учитывая, что конденсаторы С1 и С2 заряжаются со сдвигом по
фазе на половину периода питающего напряжения, то мгновенное
выпрямленное (выходное) напряжение и0 имеет пульсации с удвоенной
сетевой частотой (рис. 3.35, д'). Следовательно, частота первой гармоники
переменной составляющей напряжения на нагрузке равна удвоенной
частоте сети.
Ток i2 во вторичной обмотке сетевого трансформатора каждый
полупериод питающего напряжения изменяет направление (рис. 3.35, б).
Поэтому постоянная составляющая тока, протекающего через вторичную
обмотку трансформатора, равна нулю.
Учитывая, что динамическое сопротивление умножителей напря
жения увеличивается с ростом числа каскадов, УН используют при
высокоомных нагрузках.
Несимметричные схемы однофазного умножителя напряжения
принято разделять на два типа.
Несимметричная схема умножителя напряжения первого типа пока
зана на рис. 3.36. Принцип действия такого УН во многом аналогичен
принципу действия рассмотренного удвоителя напряжения.
-1/с
Рис. 3.36. Несимметричная схема умножителя напряжения первого типа
Как и ранее, рассматривать принцип действия УН нужно с анализа

напряжения и2 на вторичной обмотке сетевого трансформатора Т1,
которое изменяется по гармоническому закону.
В первый полупериод питающего напряжения и2 (на рис. 3.36 по
лярность напряжения и2 указана без скобок) конденсатор С1 заряжается
по цепи «+и2» -> VD1 -> С1 -> «—и2». Амплитуда напряжения UC1 на
конденсаторе 61, до которого он зарядится, равна амплитуде напряжения
U2 тах на вторичной обмотке трансформатора Т1, то есть UC1 = U2max-
Полярность напряжения 6С1 на конденсаторе 61 показана на рис. 3.36.
Во второй полупериод питающего напряжения и2 (на рис. 3.36
полярность напряжения и2 указана в скобках) конденсатор 62 заря
жается по цепи «(+)и2» -» 61 -» VD2 -> С2 -> «(—)и2». Напряжение
на вторичной обмотке трансформатора и напряжение на конденсаторе 62
включены согласно. Поэтому конденсатор 62 заряжается до удвоенной
амплитуды питающего напряжения и2, то есть UC2 = 2 • U2 тах. Полярность
напряжения UC2 показана на рис. 3.36.
В следующий полупериод питающего напряжения и2 конденса
тор 61 подзаряжается по рассмотренной ранее цепи. Одновременно
с конденсатором 61 подзаряжается конденсатор 63 по цепи «+и2» ->
С2—> VD3-> 63 -» «—и2» до напряжения UC3, равного 3-U2max.
В этой цепи напряжения и2 и UC2 включены последовательно.
В следующий полупериод питающего напряжения и2 конденса
тор 62 подзаряжается по рассмотренной ранее цепи. Одновременно
с конденсатором 62 подзаряжается конденсатор 64 по цепи «(+)и2» -*
-> СЗ -> VD4 С4 -> «(—)ы2» до напряжения UC4, равного 4- U2max-
В этой цепи напряжения и2 и UC3 включены последовательно.
В следующий полупериод питающего напряжения и2 конденсато
ры С1 и СЗ подзаряжаются по рассмотренным ранее цепям. Одновремен
но с конденсаторами С1 и С2 подзаряжается конденсатор С5 по це
пи «+и2» -> С4 -> VD5 -> С5 -» «—и2» до напряжения UC5, равного
5 • U2 тах. В этой цепи напряжения и2 и UC4 включены последовательно.
И так далее.
Видно, что на каждом последующем конденсаторе кратность
напряжения на нем соответствует его номеру, то сеть напряжение на
конденсаторе с номером п определяется соотношением UCn = п • U2max-
Выходное напряжение Увых = Uo снимается с конденсатора С5
(рис. 3.36). Частота пульсаций выходного напряжения равна частоте сети.
Несимметричная схема умножителя напряжения второго типа пока
зана на рис. 3.37.
Как и ранее, рассматривать принцип действия УН следует с анализа
мгновенного напряжения и2 на вторичной обмотке сетевого трансфор
матора Т1, которое изменяется по гарманическому закону.
Пусть в первый полупериод питающего сетевого напряжения ис
напряжение и2 на вторичной обмотке трансформатора имеет полярность,
указанную на рис. 3.37 без скобок. Тогда конденсатор С1 заряжается
по цепи«+и2» -» Cl -» VD1 -» «—и2» до напряжения UC1, практиче
ски равного амплитуде U2max напряжения и2 на вторичной обмотке
трансформатора Т1, то есть УС1 = U2max- Полярность напряжения УС1
на конденсаторе С1 показана на рис. 3.37.
Во второй полупериод питающего сетевого напряжения ис

напряжение и2 на вторичной обмотке трансформатора имеет полярность,
указанную на рис. 3.37 в скобках. При этом конденсатор С2 заряжается
по цепи <<(+)и2» -> С2 —> VD2 -> С1 -> «(—)и2» до напряжения UC2,
практически равного удвоенной амплитуде U2 тах напряжения и2
на вторичной обмотке трансформатора Т1. Это обусловлено тем, что
напряжение и2 на вторичной обмотке трансформатора и напряжение UC1
на конденсаторе С1 включены последовательно. Поэтому напряжение
на конденсаторе С2 определяется соотношением UC2 = 2 • U2max-
Полярность напряжения UC2 показана на рис. 3.37.
В следующий (третий) полупериод питающего напряжения и2
конденсатор С1 заряжается по рассмотренной ранее цепи. Одновременно
с конденсатором С1 заряжается и конденсатор СЗ по цепи «+и2» ->
-» С1 -» СЗ -» VD3 -» С2 -> «—и2» до напряжения UC3. Для количес
твенного определения напряжения UC3 надо рассмотреть сумму напря
жений указанной цепи, которая должна быть равна нулю. При этом надо
учесть, что напряжения и2 — U2 тах и UC2 — 2 • U2 тах включены сог
ласно, a UC1 = U2max и искомое напряжение UC3 также включены сог
ласно между собой, но встречно по отношению к и2 и UC2. Это позволяет
записать, что
U2 + Uf2 — УС1 — ^сз ~ 0 ■
Из этого выражения можно получить соотношение для определения
напряжения, до которого заряжается конденсатор СЗ:
UСЗ =2' и2 тах-
В следующий (четвертый) полупериод питающего напряжения

конденсатор С2 заряжается по рассмотренной ранее цепи. Одновременно
с конденсатором С2 заряжается и конденсатор С4 по цепи «(+)и2 -»
-» С2 -» С4 -> VD4 СЗ -> С1 -> «(—)ц2» до напряжения UC4. Для
коли-чественного определения напряжения UC4 надо рассмотреть,
как и ранее, сумму напряжений указанной цепи, которая должна быть
равна нулю. При этом надо учесть, что напряжения и2 = U2max,
uci = U2max и UC3 = 2U2max включены согласно, a UC2 = 2U2max
и искомое напряжение UC4 также включены согласно между собой,
но встречно по отношению к UC2 и UC4. Это позволяет записать, что
и2 + Uci + UC3 — UC2 — UС4 = 0 .
Из этого выражения можно получить соотношение для определения
напряжения, до которого заряжается конденсатор С4
^С4 ~ 2 ' U2 max-
Выполняя далее анализ зарядно-разрядных цепей умножителя
напряжения, получают, что все все конденсаторы, кроме первого,
заряжаются практически до удвоенной амплитуды напряжения на
вторичной обмотке сетевого трансформатора.
На рис. 3.37 нагрузка подключена параллельно трем последова
тельно включенным конденсаторам Cl, СЗ и С5. Следовательно, напря
жение на нагрузке равно 5 ■ U2 тах.
§ 3.4. Сглаживающие фильтры

Напряжения па выходе выпрямителя, стабилизатора напряжения,
микросхемы, ИВЭ обладают пульсациями, которые ухудшают качество
напряжения, а значит, и функционирование потребителя этого напряже
ния. Поэтому на выходе преобразователей электрической энергии распо
лагают сглаживающие фильтры, которые классифицируют на две группы:
активные СФ и пассивные СФ.
Функцию активных сглаживающих фильтров выполняют компен
сационные стабилизаторы напряжения с непрерывным регулированием
(линейные стабилизаторы).
Поэтому часто структурную схему современного ИВЭ представля
ют в виде двух последовательно включенных микросхем (блоков): преоб
разователя постоянного тока (преобразователя DC/DC) и линейного ста
билизатора с конденсаторами, рекомендуемыми фирмами-производите
лями (рис. 1.4).
В таком ИВЭ функцию активного сглаживающего фильтра выпол
няет микросхема, реализующая КСН с HP.
Пассивные сглаживающие фильтры образуют соответствующим
включением электрорадиоэлементов (рис. 3.38).
Z1 Я1
■ 1 |
= С1 = =С2 = С1 = -С2
1 к 1
д) е)
Рис. 3.38. Схемы основных типов пассивных сглаживающих фильтров:
а — индуктивный; б — емкостной; в — Г-образный LC-филътр;
г — Г-образный RC-фильтр; д — П-образный CLC-фильтр;
е — П-образный CRC-фильтр
Принцип действия пассивных сглаживающих фильтров основан на

том, что последовательно с нагрузкой включают электрорадиоэлемент
(например, дроссель), имеющий большое сопротивление для переменной
составляющей тока и малое сопротивление для постоянной составляющей
тока, а параллельно нагрузке включают ЭРЭ (например, конденсатор),
имеющий малое сопротивление для переменной составляющей и большое
сопротивление для постоянной составляющей тока.
Причем, если пассивный СФ установлен за выпрямителем, то тип
СФ (точнее, его первый электрорадиоэлемент) определяет физику работы
самого выпрямителя.
Надо отметить, что амплитуда первой гармоники выпрямленного
напряжения имеет наибольшее значение. Учитывая, что первая гармони
ка имеет наименьшую частоту, то она плохо сглаживается фильтром.
Поэтому в стандартных расчетах СФ рассматривается только первая гар
моника.
При проектировании ИВЭ, как правило, значение амплитуды пуль
сации первой гармоники и значение выходного напряжения задаются,
то есть задается коэффициент пульсаций на нагрузке. Если СФ устанав
ливают на выходе выпрямительного устройства, то коэффициент пульса
ций на входе СФ определяется схемой реализации ВУ.
Пассивные сглаживающие фильтры, типовые схемы которых показаны
рис. 3.38, классифицируют на однозвенные (индуктивные (рис. 3.38, а),
емкостные (рис. 3.38, б), Г-образные (LC-фильтры (рис. 3.38, в) и RC-фильт-
ры (рис. 3.38, г)) и двухзвенные П-образные (CLC-фильтры (рис. 3.38, д)
и CRC-фильтры (рис. 3.38, <?))•
Для получения высокого значения коэффициента сглаживания ис
пользуют многозвенные СФ, которые представляют собой последова
тельное включение нескольких одно- или двухзвенных фильтров.
§ 3.5. Управляемые выпрямители

Применение тиристоров в качестве вентилей в выпрямительных
устройствах позволяет не только преобразовать переменный ток в посто
янный, но и осуществлять как плавное, так и дискретное регулирование
среднего выпрямленного напряжения Uo, то есть совместить в одном
устройстве функции выпрямления и регулирования. Выпрямители, вы
полненные на тиристорах, являются управляемыми, имеют относительно
высокий КПД, небольшие массогабаритные параметры и малую стои
мость. Кроме того, тиристоры обладают сравнительно высокой скоростью
переключения, что позволяет использовать их в устройствах защиты
от перегрузок и короткого замыкания выходных цепей ИВЭ. Перечислен
ные качества тиристоров предопределяют их применение также в различ
ных стабилизаторах и регуляторах.
В УВУ, являющихся неотъемлемой частью многих источников вто
ричного электропитания, в качестве вентилей используются тиристоры.
Тиристоры имеют четырехслойную (чередующиеся слои) структу
ру Р-п-р-п с тремя р-п-переходами (рис. 3.39), где /71, /72, /73 —
р-п-переходы, А — анод, К — катод, У'_) — управляющий электрод, /а —
анодный ток тиристора (течет от анода к катоду), /у — ток управления
(течет от управляющего электрода к катоду (в тиристорах с управлением
по катоду)). На принципиальных электрических схемах тиристоры обо
значаются V51.
П1 П2 ПЗ
г И51 т ^1
а) 6)
Рис. 3.39. Тиристоры:
а —условное графическое обозначение бинистора;
б—условное графическое обозначение тринистора;
в— схема полупроводниковой структуры тринистора
Тиристоры подразделяются на динисторы, тринисторы и симисто-

ры. Если управляющий электрод отсутствует, то такой тиристор назы
вается динистором. Если управляющий электрод присутствует, а сам
прибор работает только при наличии положительного напряжения между
его анодом и катодом, то такой прибор называется тринистором. Если
управляющий электрод присутствует, а сам прибор работает при положи
тельном и отрицательном напряжении между его анодом и катодом,
то такой прибор называется симистором.
На рис. 3.40 показана вольт-амперная характеристика тринистора.
В исходном состоянии тринистор закрыт, а возможных устойчивых со
стояний у него два: закрытое ОА и открытое (проводящее) ВС. Режим АВ
является нестабильным (неустойчивым) и характеризуется отрицатель
ным сопротивлением.
Если (рис. 3.40) приложенное положительное напряжение UaK меж
ду анодом и катодом тринистора находится в диапазоне от нуля до
напряжения включения UrsKJt и ток управления /у равен нулю, то анодный
ток /а тринистора мал (тринистор выключен).
При равенстве приложенного напряжения UaK и напряжения вклю
чения ивкл (это осуществляется в точке .4) тринистор открывается при то
ке включения /вкл и его рабочая точка на ВАХ лавинообразно перемеща
ется от точки А (через нестабильный участок АВ) к точке В. Это означает
завершение перехода рабочей точки тринистора на линейный участок ВС
его ВАХ, то сеть тринистор открывается и его анодный ток /а и прямое
падение напряжения UVS1 н достигают номинальных значений.
Рис. 3.40. Вольт-амперная характеристики тринистора
Если тринистор переведен в проводящее состояние, то следующие

импульсы, подаваемые на управляющий электрод и катод, никак не отра
зятся на анодном токе, то есть цепь управления тринистора: отвечает толь
ко за его открывание, но не за его выключение. После включения трини
стор остается в открытом состоянии даже после снятия сигнала с управля
ющего электрода, что обусловлено наличием «памяти» у тринистора.
Для выключения тринистора необходимо его анодный ток /а умень
шить каким-либо способом, чтобы он стач меньше тока удержания /уд в те
чение времени выключения тринистора. Это достигается соответствующим
снижением анодного напряжения, разрядом конденсатора через открытый
тринистор (разрядный ток конденсатора является встречным для анодного
тока тринистора) или увеличением сопротивления нагрузки.
Увеличение тока управления /у тринистора позволяет уменьшить
напряжение его включения УвкД (рис. 3.40). Наконец, при достижении то
ком управления значения /ус тринистор сразу (при подаче на него даже
очень малого положительного напряжения) переходит из состояния с ма
лой проводимостью в состояние с большой проводимостью. Ток управ
ления /у, при котором тринистор имеет практически ВАХ диода (отсут
ствует область запертого состояния в прямом направлении), называется
током спрямления /ус.
Очевидно, что ВАХ динистора тождественна ВАХ тринистора при
его нулевом токе управления.
Здесь и далее принято, что тиристоры являются идеальными полу
проводниковыми приборами, ТО есть прямое падение напряжения на них
и их обратный ток равны нулю.
Тиристоры в открытом состоянии способны проводить токи до не
скольких сотен ампер, но при этом они довольно инерционны. Время
включения тиристора составляет от 100 нс до 10 мкс, а время выключения
в десять раз больше — от 1 мкс до 100 мкс.
Включение тринисторов в принципиальных электрических схемах
иллюстрирует рис. 3.41.
R
J—0
+ С/ком
7KS1
X
— ^ком
Рис. 3.41. Включение тринисторов в принципиальных электрических схемах
Схемы стабилизаторов, преобразователей и регуляторов на ти

ристорах чрезвычайно разнообразны и могут быть классифицированы
по различным признакам. Регулирующий элемент в тиристорных стаби
лизаторах и регуляторах, как правило, используется вместе с сетевым
трансформатором (существуют и бестрансформаторные схемы), что до
статочно просто решает проблему гальванической развязки нагрузки
с питающей сетью, а также с блоком управления. При работе с трансфор
матором тиристорный регулирующий элемент может располагаться либо
в цепи его первичной обмотки (рис. 3.42, а), либо в цепи вторичной об
мотки (рис. 3.42, б).
Т\
а)
Рис. 3.42. Способы включения регулирующего элемента при работе
с трансформатором:
а — в первичную обмотку (обмотки трансформатора включены согласно);
б — во вторичную обмотку (обмотки трансформатора включены встречно)
3.5.1. Работа управляемого выпрямителя на резистивную нагрузку

В ИВЭ широкое применение нашли управляемые выпрямители,
построенные по схеме со средней точкой. Функциональная схема УВУ,
построенного по схеме со средней точкой и работающего на резистивную
нагрузку /?н, показана на рис. 3.43.
Рис. 3.43. Функциональная схема управляемого выпрямителя, построенного

по схеме со средней точкой и работающего на резистивную нагрузку
Пусть к первичной обмотке сетевого трансформатора Т1 УВУ при

ложено сетевое гармоническое напряжение ис. Тогда в соответствии с за
коном электромагнитной индукции на всех обмотках сетевого трансфор
матора Т1 наводится ЭДС индукции. Вторичная обмотка трансформатора
Т1 разделена на две равные секции, и от середины вторичной обмотки
выполнен отвод. Мгновенное напряжение и21 на верхней секции вторич
ной обмотки трансформатора Т1 определяется соотношением
и21 = 1^2 max-Sin V, (3.62)
где U2 max — амплитуда напряжения на верхней секции вторичной обмот
ки трансформатора.
Аналогично можно записать выражение для мгновенного напряже
ния и22 на нижней секции вторичной обмотки трансформатора Т1 в виде
u22 = y2max’Sin(v + 7r). (3.63)
На рис. 3.44 приведены характерные эпюры токов и напряжений
для рассматриваемой схемы УВУ.
При записи и визуализации на рис. 3.44, а аналитических выраже
ний для напряжений и21 и “22 было учтено, что рассматриваемые мгно
венные напряжения смещены на угол я, так как представляют собой
мгновенные напряжения на двух согласно включенных секциях, образу
ющих вторичную обмотку сетевого трансформатора.
Блок управления (рис. 3.43) формирует управляющие сигналы
иу VS1 и uyy$2, поступающие на управляющие электроды и катоды трини-
сторов VS1 и VS2 соответственно (рис. 3.44, б). Обычно управляющие
сигналы подают поочередно на тринисторы VS1 и VS2. Если же управля
ющие сигналы подать одновременно на тринисторы VS1 и VS2, то откры
вается тот тринистор, у которого напряжение между анодом и катодом
положительно. В цепь УЭ всегда включают для защиты резисторы (с це
лью упрощения на рис. 3.43 они не показаны).
Рис. 3.44. Характерные эпюры токов и напряжений для управляемого

выпрямительного устройства, построенного по схеме со средней точкой
и работающего на резистивную нагрузку
На интервале v от нуля до а оба гринисгора закрыты, а мгновенное
выпрямленное напряжение иОа (на выходе УВУ) равно нулю (рис. 3.44, в).
При этом прямое падение напряжения uvsi пр на тринисторс 751 опреде
ляется положительной полуволной напряжения и21 на верхней секции вто
ричной обмотки и равно
uVsinp = U2max-smv. (3.64)
В момент v — а с блока управления на тринистор 751 поступает
управляющий сигнал uyVS1 и тринистор VS1 включается.
Угол а называется углом регулирования (управления) и определяет за
держку включения тринисторов по сравнению с моментами их естественной
коммутации (для рассматриваемой схемы 0, я, 2я, Зп и так далее).
Мгновенное выпрямленное напряжение иОа на нагрузке при г = а
скачком изменяется от нулевого значения до мгновенного напряжения
ц21 на верхней секции вторичной обмотки трансформатора при v = а.
В соответствии с выражением (3.62) можно записать:
ио« = U2max-sina.
Тринистор VS2 в это время остается закрытым, так как на его аноде
присутствует отрицательное напряжение.
На интервале v от а до я управляющий импульс uy отсутствует,
но тринистор VS1 продолжает оставаться открытым (падение напряжения
на нем равно нулю). Через верхнюю секцию вторичной обмотки сетевого
трансформатора, тринистор 751 и нагрузку течет ток iOa (рис. 3.44, г), рав
ный току i21.
Мгновенное выпрямленное напряжение иОа на нагрузке совпадает
с мгновенным напряжением и21 на верхней полуобмотке вторичной об
мотки трансформатора (выражение (3.62)).
В момент v = я сетевое напряжение ис изменяет знак, а следователь
но, изменяют знак и напряжения на секциях вторичной обмотки. Поляр
ности напряжений на обмотках трансформатора указаны на рис. 3.43 в
скобках.
Анодный ток тринистора 751 уменьшается и становится меньше
его тока удержания. Поэтому тринистор 751 закрывается. Теперь к три-
нистору 751 прикладывается обратное напряжение wl/slo6p, равное мгно
венному напряжению и21 на верхней секции вторичной обмотки транс
форматора, а тринистор 752 все еще закрыт.
На интервале v от я до (я + а), равном углу управления а, к аноду
тринистора 751 приложена отрицательная полуволна напряжения и21,
оба тринистора закрыты и мгновенное выпрямленное напряжение иОа на
нагрузке равно нулю.
В момент v = 7Г + а на управляющий электрод тринистора VS2
поступает управляющий импульс uyl/s2> и тринистор VS2 открывается.
Мгновенное выпрямленное напряжение иОа на нагрузке при v — п + а
скачком изменяется от нулевого значения до мгновенного напряжения
и22 на нижней секции вторичной обмотки трансформатора при v — п + а
(рис. 3.44, в). В соответствии с выражением (3.62) можно записать:
иоа = U2 max ’ sinO + «) = ^2 max ' sin «•
При этом и обратное напряжение uvsio6p на тринисторе VS1

(рис. 3.44, д) изменяется скачком. На интервале v от (7Г + а) до 2п управ
ляющий импульс uyVS2 отсутствует, но тринистор VS2 остается открытым
(падение напряжения на нем равно нулю). Через нижнюю секцию вто
ричной обмотки сетевого трансформатора, тринистор VS2 и нагрузку те
чет ток iOa (рис. 3.44, г), равный току i22. Мгновенное напряжение
на нагрузке определяется напряжением и22 на нижней секции вторичной
обмотки трансформатора, а к выключенному тринистору VS1 приклады
вается обратное напряжение иИ51обр, равное линейному (суммарному)
напряжению ку51обр = |и21| + |п22| = 2 • U2max ' sinv на вторичной об
мотке трансформатора.
В момент естественной коммутации v = 2п сетевое напряжение
изменяет полярность, и все процессы в схеме УВУ повторяются.
Недостатком данной схемы является наличие на закрытом трини
сторе напряжения с двойной амплитудой, что требует применения высо
ковольтных вентилей.
Если изменить угол управления а, то время открытого состояния
тринисторов изменится, что приведет к изменению напряжения на
нагрузке.
Например, при а = 0 напряжение на нагрузке максимально
(иОа = max), а при а = п равно нулю (иОа = 0).
Так как УВУ (рис. 3.43) преобразует переменное напряжение
в пульсирующее, то на нагрузке необходимо выделять постоянную со
ставляющую выходного напряжения UOa, которая называется средним
выпрямленным напряжением.
По определению средней величины (формула (3.2)) можно запи
сать, что среднее выпрямленное напряжение UOa на нагрузке для рас
сматриваемого УВУ равно
п п п
L,oa=- uodv = - U2max -sinvdv = = - I U2max -sinvdv
nJ nJ nJ
0 0 a
^2 max ч ^2 max , •, 2 ’ U2 max 1 + COS Ct
=------------ (cos n — cos a) =---------- (1 + cos a) -- ----------------------- - ------
n n n 2
ИЛИ
1 + cos а
Uoa=Uo------- - ------, (3.65)
где Uo = 2 • U2max/Tt — среднее выпрямленное напряжение при нуле

вом угле управления (а = 0), то есть для неуправляемого выпрями
теля (формула (3.8)).
Значение среднего выпрямленного напряжения UOa для фиксиро
ванного угла управления показано на рис. 3.44, в.
На рис. 3.44, дне показаны диаграммы напряжений на тринисторах
VS1 и V52.
Формула (3.65) определяет регулировочную характеристику, то
есть зависимость среднего выпрямленного напряжения UOa от угла
управления а (в размерном виде) управляемого выпрямителя, работаю
щего на резистивную нагрузку, то есть UOa =j{a) (кривая Я на рис. 3.45).
Полезно подчеркнуть, что приведенная на рис. 3.45 регулировочная
характеристика построена в безразмерном виде: по декартовой оси орди
нат отложена не размерная величина UOa, а безразмерный параметр
Uoa/Uo, то есть
Uoec/Uo = (3.66)
Такое представление информации является универсальным, так как

позволяет выполнять сравнительный анализ однотипных устройств, но
имеющих существенно разные количественные параметры.
Регулировочная характеристика УВУ определяет влияние угла
управления на среднее выпрямленное напряжение и, в частности, значе
ние угла предельного регулирования апр, то есть угла регулирования, при
котором UOa = 0. Для рассматриваемого УВУ апр = п.
Рис. 3.45. Регулировочные характеристики управляемого выпрямителя,

работающего на резистивную (R) или резистивно-индуктивную нагрузку (L)
Характерной для рассматриваемой регулировочной характеристики
является точка при угле управления, равном а = п/2, так как для нее
U0a/U0 = 0,5.
3.5.2. Работа управляемого выпрямителя

Характерные процессы, происходящие при работе управляемого
выпрямителя на резистивно-индуктивную нагрузку, целесообразно рас
смотреть на примере тринисторного УВУ, построенного по схеме со
средней точкой (рис. 3.46).
Здесь и далее, если особо нс оговорено, то сетевой трансформатор
считается идеальным.
Для упрощения принимают, что нагрузка имеет бесконечно боль
шую индуктивность, то есть L1 -» со. При анализе физических процессов,
происходящих в УВУ с резистивно-индуктивной нагрузкой, следует пом
нить о правиле Ленца, которое гласит, что индукционный ток всегда
направлен так, чтобы противодействовать причине его возникновения.
Рис. 3.46. Функциональная схема управляемого выпрямителя, построенного

по схеме со средней точкой и работающего на резистивно-индуктивную нагрузку
Теперь надо рассмотреть принцип действия УВУ, работающего

в установившемся режиме (рис. 3.46).
Пусть на вход выпрямителя подано сетевое напряжение ис.
Тогда в соответствии с правилом работы трансформатора на интер
вале v от 0 до а на аноде тринистора VS1 формируется полуволна пере
менного напряжения с положительным знаком, а на тринисторе VS2 —
полуволна переменного напряжения с отрицательным знаком (рис. 3.47).
Тринистор УбТ пока закрыт, а тринистор VS2 еще открыт. К нагрузке
приложено напряжение отрицательной полярности и по форме повторяю
щее мгновенное напряжение и22 на нижней секции вторичной обмотки
трансформатора. В отличие от работы управляемого выпрямителя на рези
стивную нагрузку, в данном случае тринистор (например, KST), вступив
в работу при v — а, будет проводить ток не до v — д (когда происходит
естественная коммутация вентилей, определяемая напряжениями на секци
ях вторичных обмоток трансформатора), а до v = тг + а.
Такое состояние тринистор ов характеризует предысторию процессов,
которые будут рассмотрены позже. В момент v = а на управляющий элек
трод трииистора V51 поступает управляющий сигнал uyysi. Тринистор
KST включается, а тринистор VS2 выключается (к нему прикладывается
двойное обратное напряжение). Мгновенное напряжение иОа на нагрузке
скачком увеличивается до значения, определяемого мгновенным напряже
нием и21 на верхней секции вторичной обмотки сетевого трансформатора.
Рис. 3.47. Характерные эпюры напряжений для управляемого выпрямителя,

построенного по схеме со средней точкой и работающего
На интервале v от а до п управляющий импульс uyVS1 отсутствует,
но тринистор И31 продолжает оставаться открытым, падение напряже
ния на нем равно нулю. Через нагрузку и тринистор VS1 течет ток i21.
Напряжение на нагрузке определяется напряжением и21. К тринистору
VS2 приложено обратное напряжение uVS2o6p с амплитудой Уу$2 обр max’
равное напряжению на вторичной обмотке трансформатора. Это нап
ряжение называется линейным и равно сумме напряжений на верх
ней и нижней секциях вторичной обмотки трансформатора, то есть
Длин ~ UVS2 обр lW21l + 1^22!)-
В момент v = 7T сетевое напряжение меняет знак. Однако за счет ЭДС
самоиндукции дросселя L1 тринистор VS1 останется в открытом состоянии
вплоть до момента v — п + а. Тринистор VS2 все еще закрыт. Напряжение
на нагрузке определяется отрицательной полуволной переменного напря
жения и21. В момент v — п + а на управляющий электрод тринистора
VS2 поступает управляющий импульс uyVS2, и тринистор VS2 открывается.
Мгновенное напряжение иОа па нагрузке скачком увеличивается до значе
ния, определяемого мгновенным напряжением и22 на нижней секции вто
ричной обмотки трансформатора. На интервале v от (я + а) до 2п управ
ляющий импульс Uy VS2 отсутствует, при этом тринистор VS2 продолжает
оставаться открытым, а тринистор VS1 закроется. Падение напряжения на
тринисторе VS2 минимально. Через нагрузку и тринистор VS2 течет ток i22.
Мгновенное напряжение иОа на нагрузке определяется напряжением и22 на
нижней секции вторичной обмотки трансформатора. К тринистору
VS1 прикладывается обратное напряжение иУ51обр = |u21| + |и22|, равное
напряжению вторичной обмотки трансформатора. В момент v = 2п сетевое
напряжение меняет свой знак. Тринистор VS2 продолжает поддерживаться
в открытом состоянии за счет ЭДС самоиндукции дросселя 1Л. Тринистор
KS1 все еще закрыт, а к его аноду приложено напряжение и21 положитель
ной полярности. В момент v = 2тг + а поступает управляющий импульс
Uyî, тринистор ИЗ! включается, а тринистор С52 выключается, процессы
в схеме повторяются.
Необходимо отмстить, что при L1 -» оо токи i21 и i22, протекающие
через тринисторы KS1 и VS2, практически идеально сглажены, а их ам
плитуды численно равны среднему выпрямленному току IOa — UOa/Ru
и имеют форму прямоугольных импульсов с длительностью фазового уг
ла, равной п.
Среднее выпрямленное напряжение UOa на нагрузке при ее рези
стивно-индуктивном характере и при бесконечно большой индуктивности
нагрузки определяется формулой:
л+а
иОа — — [ U2 тах ■ sin v dv —------ 2 тах • cos а (3.67)
ТС J 71
а
ИЛИ
и“ = и»-С05а' (3.68)
Полученное соотношение и является регулировочной характери
стикой рассматриваемого управляемого выпрямителя при его работе на
резистивно-индуктивную нагрузку (линия L на рис. 3.45). Угол предель
ного регулирования апр в данном случае равен я/2, при котором UOa — 0.
Из рис. 3.45 видно, что регулировочная характеристика управляемого вы
прямителя, работающего на резистивно-индуктивную нагрузку, суще
ственно отличается от регулировочной характеристики УВ, работающего
на резистивную нагрузку.
В безразмерном виде рассматриваемая регулировочная характери
стика описывается уравнением, которое следует из выражения (3.68),
[70а/(70 = cos ст. (3.69)
При этом прямое максимальное падение напряжения UVSnpmax на
открытом тринисторе зависит от угла управления а и определяется соот
ношением
Uys пр max — 2 • U2 тах ■ sin а , (3.70)

а обратное максимальное напряжение Uvs обр тах на закрытом тринисторе
не зависит от характера нагрузки и равно амплитуде линейного напряже
ния на вторичной обмотке трансформатора
^VS обр max ~ ‘ U2max . (3.78)
Следует отметить, что при наличии управления первая гармоника

тока, протекающего по первичной обмотке трансформатора, отстает по
фазе от питающего напряжения на угол управления а. Поэтому управ
ляемые выпрямители имеют коэффициент мощности меньше единицы,
причем это отличие увеличивается с ростом угла управления, то есть
УВУ потребляют из сети и реактивную мощность, которая хотя и нс
расходуется, но отягощает сеть переменного тока. Этот негативной
факт можно уменьшить включением в схему управляемого выпрямите
ля параллельно нагрузке /?н и дросселю L1 так называемого нулевого
(шунтирующего) диода VD1 (рис. 3.47).
В этом случае процессы, происходящие в схеме УВУ, поясняют
ся характерными эпюрами, представленными на рис. 3.48.
Рис. 3.47. Функциональная электрическая схема управляемого выпрямителя
с нулевым диодом, построенного по схеме со средней точкой
На интервале v от 0 до а тринисторы И51 и VS2 выключены,

а энергия, ранее накопленная в дросселе 1Л, обеспечивает протекание то
ка в контуре: дроссель Ll(+) -> нагрузка /?н -» нулевой диод VD1 -»
дроссель Ll(-). Причем (в соответствии с правилом Лениа) направление
протекания тока через дроссель L1 не изменяется. Так как диод VD1 шун
тирует нагрузку, го напряжение на ней определяется прямым падением
напряжения на диоде VD1, является сравнительно малой величиной
(0,7... 1,5 В) и в первом приближении может нс учитываться.
В момент v — а на управляющий электрод и катод тринистора
1/51 поступает управляющее напряжение uyysi с БУ, которое включает
тринистор KST. При этом угол управления равен а. Мгновенное выход
ное напряжение иОа скачком увеличивается до мгновенного напряжения
и21 на верхней секции вторичной обмотки трансформатора. Тринистор
VS2 пока закрыт, так как на его аноде присутствует отрицательное
напряжение, обусловленное линейным напряжением на вторичной об
мотке трансформатора.
На интервале v от а до п управляющий импульс uyVsl отсутствует,
но при этом тринистор VS1 продолжает оставаться открытым, а падение
напряжения на нем мало.
Рис. 3.48. Характерные эпюры токов и напряжений для управляемого выпрямителя
с нулевым диодом, построенного по схеме со средней точкой и работающего
При этом через нагрузку и тринистор V51 течет практически посто

янный ток iv5i = i2i (благодаря наличию в цепи дросселя с бесконечно
большой индуктивностью). Мгновенное выпрямленное напряжение иОа
на нагрузке определяется напряжением и21, при этом форма напряжения
u2i сохраняется.
В момент v = я, являющийся моментом естественной коммутации,
сетевое напряжение изменяет знак. Анодный ток тринистора 1Л$1 умень
шается до тока удержания, и тринистор закрывается и находится в таком
состоянии на интервале v от п до (2я + а). Тринистор VS2 на интервале
v от 7Т до (7Г + а) еще не открыт. Таким образом, на этом интервале оба
тринистора закрыты, а следовательно, мгновенное напряжение на нагруз
ке равно нулю. Энергия, накопленная в дросселе L1, разряжается на диод
VD1 и нагрузку.
В момент v = п + а на управляющий электрод и катод тринистора
VS2 с БУ поступает управляющее напряжение UyVS2, и тринистор VS2 от
крывается. Мгновенные напряжения иОа на нагрузке и на тринисторе
KS1 изменяются скачком. На интервале v от я до (2л + а) управляющий
импульс UyVS2 отсутствует, при этом тринистор VS2 продолжает оста
ваться открытым, падение напряжения на нем мало.
Через нагрузку и тринистор VS2 течет ток iVS2 — i22- Мгновенное
выпрямленное напряжение на нагрузке определяется напряжением и22,
при этом форма напряжения ц22 не изменяется. К тринистору V51 при
кладывается обратное напряжение, равное линейному напряжению
на вторичной обмотке трансформатора.
В момент v = 2я, являющийся моментом естественной коммута
ции, сетевое напряжение меняет свой знак. Тринистор VS2 закрывается,
а через нулевой диод начинает течь ток разряда дросселя 1Л, и все про
цессы в схеме повторяются.
Введение в схему УВУ нулевого диода VD1 исключает смену по
лярности мгновенного выпрямленного напряжения иОа на выходе, гак как
при отрицательной полярности указанного напряжения нулевой диод
VD1 открыт. Следует подчеркнуть, что форма мгновенного напряжения
иОа на нагрузке в данном случае совпадает с формой мгновенного напря
жения на нагрузке для УВУ, работающего на резистивную нагрузку. Зна
чит, и их регулировочные характеристики одинаковы.
Введение в схему УВУ нулевого диода приводит также и к умень
шению коэффициента пульсаций выпрямленного напряжения.
3.5.3. Коммутация тока

в управляемых выпрямительных устройствах
В предыдущих разделах процесс перехода тока с одного вентиля
на другой, называемый коммутацией тока, рассматривался как мгновен
ный. Такие процессы имеют место при описании работы идеализиро
ванных выпрямителей. В реальных выпрямителях, особенно в УВУ сред
ней и большой мощности, из-за наличия потоков магнитного рассеяния
в обмотках сетевого трансформатора процессы коммутации имеют опре
деленную длительность. В таких трансформаторах сопротивление индук
тивности рассеяния значительно превосходит сопротивление потерь об
моток.
Процесс коммутации тока в управляемом выпрямительном устрой
стве можно рассмотреть на примере УВУ, построенного по схеме со
средней точкой и работающего на резистивно-индуктивную нагрузку
(функциональная схема приведена на рис. 3.46, а эквивалентная схема —
на рис. 3.49). Сопротивления индуктивности рассеяния трансформатора
учтены двумя индуктивностями Ls, каждая из которых характеризует од
ну секцию вторичной обмотки сетевого трансформатора (для упрощения
принято, что индуктивности рассеяния секций одинаковы). Как и ранее,
принято, что нагрузка имеет бесконечно большую индуктивность, то есть
L1 -» оо.
/к
/
Рис. 3.49. Эквивалентная схема однофазного двухполупериодного
управляемого выпрямителя со средней точкой
Пусть на интервале v от 0 до а, то есть в течение времени задержки

включения тринистора по сравнению с моментом его естественной ком
мутации, тринистор VS1 выключен, а тринистор VS2 продолжает оста
ваться в проводящем состоянии. Форма мгновенного выпрямленного
напряжения иОа на выходе УВУ показана на рис. 3.50, в.
В момент v = а блок управления включает тринистор IASI, управля
ющий импульсом Цу izsi (рис. 3.50, б), и, поскольку потенциал анода грини-
стора К51 выше потенциала его катода (определяется напряжением и21
на верхней секции вторичной обмотки трансформатора (рис. 3.50, <?)), то
он начинает проводить ток при еще открытом тринисторе VS2. Тринистор
VS2 не смог выключиться, так как его анодный ток еще не уменьшился
до тока удержания /уд. С момента v = а оба тринистора открыты и вторич
ная обмотка трансформатора замкнута тринисторами KS1 и VS2 накоротко.
Это создает в короткозамкнутом контуре u21 — Ls — HSl — VS2 — Ls — и22
(рис. 3.49) коммутационный ток iK.
Рис. 3.50. Характерные диаграммы для управляемого выпрямителя

с учетом явления коммутации тока
Как отмечалось ранее, средний выпрямленный ток 10а управляемо
го выпрямительного устройства при бесконечно большой индуктивности
L1 нагрузки является постоянной величиной.
Причем средний выпрямленный ток 10а определяется токами
и iVS2, протекающими через тринисторы VS1 и VS2 соответственно. По
этому можно записать:
hsi + iv52 = ha = const. (3.69)
Учитывая, что для только что открывшегося тринистора VS1 ток
через него совпадает с коммутационным током iK (рис. 3.49), то есть
lVsi = > (3.70)
то из уравнений (3.69) и (3.70) можно записать
1-VS2 ~ ha ~ h ■ (3.71)
В процессе коммутации ток ivsl, протекающий через тринистор
VS1, увеличивается, а ток iVS2, протекающий через тринистор VS2,
уменьшается (рис. 3.50, г). В конце интервала коммутации, характеризуе
мого углом коммутации у, тринистор VS1 открыт, а тринистор VS2 за
крыт, ТО есть ВЫПОЛНЯЮТСЯ условия t'vsi = ha и hs2 = 0.
Физический смысл угла коммутации у (рис. 3.50, г) состоит в том,
что он количественно характеризует время перехода тока с одного венти
ля на другой.
Уравнение для определения угла коммутации можно получить сле
дующим образом (рис. 3.49).
Величина коммутационного тока iK определяется ЭДС индук
ции Е; контура коммутации, а также линейным напряжением илин =
= 2 • У2 max ’ sinv на вторичной обмотке сетевого трансформатора. Учиты
вая, что Ej и цли11 практически полностью уравновешивают друг друга, то
можно записать
^+«лин = 0- (3-72)
В соответствии с законом электромагнитной индукции можно запи
сать, что ЭДС индукции контура коммутации, имеющего две последова
тельно включенные индуктивности рассеяния Ls трансформатора, равна
£, = -2Ts.^. (3.73)
При записи аналитического выражения удобно за начало отсчета

принять V, равное углу управления а. Тогда выражение для линейного
напряжения илин на вторичной обмотке трансформатора может быть за
писано в виде:
«лин = 2 • U2 max ' Sin(v + «) . (3.74)
Подставляя формулы (3.73) и (3.74) в уравнение (3.72), после необ

ходимых преобразований можно записать
diK = 2 ”‘а* • sin(v + a) dv . (3.75)

to • Ls
Интегрируя полученное выражение (3.75)

1к V
[ diK = 2тах ■ f sin(v + ct) dv,
J co- Ls J
о 0
получают
iK = 2™ax ■ (cos a - cos(v + cr)) , (3.76)
где Xs — a> • Ls — индуктивное сопротивление секции вторичной обмотки

трансформатора.
Ток ivsl вступающего в работу тринистора И5Т равен iK (см. выра
жение (3.76)), а ток iVS2 выключаемого тринистора VS2, в соответствии
с уравнениями (3.71) и (3.76), равен
i|/S2 = !оа ~ U2™ax ■ (cosа - cos(v + cr)) . (3.77)

As
Полученные выражения (3.76) и (3.77) показывают, что токи ivsi

и ty$2> протекающие через тринисторы в процессе коммутации, изменя
ются со временем по косинусоидальному закону (рис. 3.50, г).
С учетом процесса коммутации длительность протекания тока через
тринистор по сравнению с идеализированной (без учета коммутации)
схемой УВУ увеличивается на величину, характеризуемую углом комму
тации у, и будет равна не д, а д + у.
При v = у ток iVS2 через тринистор VS2 становится равным нулю,
то есть iVS2 = 0. Тогда из уравнения (3.77) следует, что
1оа = 2^аХ ■ (cos а - cos(y + а)) ,
или
cos а — cos(y + а) = —-. (3.78)

и 2 max
Полученное уравнение (3.78) называется уравнением коммутации.
Оно связывает угол коммутации у со средним выпрямленным током 10а,
углом управления а, индуктивностью Ls рассеивания и амплитудой фаз
ного напряжения U2 тах на секции вторичной обмотки сетевого транс
форматора, а также частотой а> питающей сети.
Принимая при а = 0 угол коммутации за параметр у0, из уравнения
(3.789) получают
l-cosy0 = -y^. (3.79)

и2 max
Физический смысл параметра у0 состоит в том, что он определяет
угол коммутации НВУ, имеющего такие же характеристики, что и рас
сматриваемый УВУ.
Разделив уравнение (3.78) на уравнение (3.79), получают
cos а — cos(y + а)
---------------- -- ------ - = 1. (3.80)
1 — cos у0
Выражение для угла коммутации у из выражения (3.80) можно за

писать в виде:
у = arccos(cosа + cosy0 - 1) - а. (3.81)
Оно позволяет выполнить анализ влияния а и у0 на угол коммутации у

(рис. 3.51).
Из полученного выражения (3.81) можно определить величину
угла коммутации у для первого предельного режима, а именно для режи
ма работы управляемого выпрямительного устройства при а = 0, то есть
для режима неуправляемого выпрямителя. При а = 0 из (3.81) следует,
что у = Уо- Это подтверждает достоверность расчета по выражению
(3.81) .
Второй предельный режим рассматриваемого коммутационного
процесса в УВУ реализуется при угле управления а = тг/2. Из выражения
(3.81) при а = 7г/2 и у0 = 0 следует, что
у = arccos(cos а + cos у0 — 1) — а = arccos(cos(n72) + cos 0 — 1) — д/2 =

= arccos(0 + 1 — 1) — д/2 = arccos 0 — д/2 = 0 .
Эти результаты проиллюстрированы на рис. 3.51.

Одной из особенностей рассматриваемого процесса является то,
что при коммутации тока мгновенное выходное напряжение иОа равно
нулю.
Рис. 3.51. Влияние угла управления а и параметра у0 на угол коммутации
управляемого выпрямительного устройства:
1 -у„= 1°, 2 — уп = 5°, 3 — /о = Ю°. 4-Го = 20°. 5-у0 = 20°, 6-у„ = *0°
Это можно доказать следующим образом. При а < v < а + у мгно

венное выходное напряжение иОа управляемого выпрямителя определя
ется либо через напряжение и21 верхней секции вторичной обмотки сете
вого трансформатора, то есть
, dtvsi
иоа — и21 >
либо через напряжение и22 нижней секции вторичной обмотки трансфор
матора, то есть
, diVS2
и0а — и22 Ls ' >
Сложив левые и правые части последних двух уравнений, после со
ответствующих преобразований можно записать
1, . ч , fdivsi , divs2\
w0a — (3.82)
Известно, что сумма токов, протекающих через оба тринистора,

в любой момент времени постоянна (см. уравнение (3.69)), то в послед
нем соотношении
, diVS2
dt
а следовательно, уравнение (3.82) можно записать в виде:
1
и0а ~ 2 (М21 + и22) ■ (3.83)
Учитывая, что и21 и игг равны по величине, но смещены по фазе на
л, то в соотношении (3.83) (u21 + и22) = 0. Следовательно, в интервале
коммутации токов мгновенное выпрямленное напряжение иОа рассматрива
емого управляемого выпрямителя равно нулю, то есть uOte = 0 (рис. 3.50, в).
Таким образом, в интервале коммутации токов, протекающих через
тринисторы, вторичная обмотка трансформатора замыкается накоротко.
Поэтому среднее выпрямленное напряжение UOa УВУ при учете комму
тации токов тринисторов становится меньше, чем в случае работы идеа
лизированного УВУ (с мгновенной коммутацией).
Величину напряжения, на которую уменьшается UOa, называют ин
дуктивным падением напряжения MJX. В данном случае
а+у
7Г J
а
С учетом уравнения коммутации (3.78) последнее соотношение
примет вид:
^2 max Ipa'‘
(3.84)
^2 max Л
Уравнение (3.84) определяет связь индуктивного падения напряже

ния в управляемом выпрямителе со средним выпрямленным током
10а и индуктивным сопротивлением Xs секции вторичной обмотки транс
форматора. Видно, что характер зависимости ДУХ от 10а одинаков при
всех углах управления.
Регулировочная характеристика (зависимость среднего выпрямлен
ного напряжения UOa от угла управления а) управляемого выпрямителя,
работающего на резистивно-индуктивную нагрузку, при учете коммута
ции токов имеет вид:
Uoa = иоа ■ COS а- (3.85)
3.5.4. Исследование формы токов тринисторов

в процессе коммутации их токов
Вопросу анализа временной зависимости изменения токов, проте
кающих через тринисторы в процессе коммутации, уделено явно недоста
точное внимание. Поэтому неудивительно, что даже в учебной литерату
ре она иллюстрируется по-разному.
Ранее показано, что выражения (3.76) и (3.77) описывают времен
ное изменение токов гК51 и iVS2, протекающих через тринисторы в про
цессе коммутации.
Результаты расчетов (в безразмерном виде) временного изменения
токоз, протекающих через тринисторы VS1 и VS2 в процессе коммутации
токоз, представлены на рис. 3.52-3.57.
Рис. 3.52. Временная зависимость тока, протекающего через открывающийся

и закрывающийся тринисторы соответственно, при уо= 1° и значениях а:
1 — 0; 2 — 1°; 3 — 2°; 4 — 3°; 5 — 4°; 6 — 5°; 7 — 10°; 8 — 20°; 9 — 30°; 10-45°
При построении графиков обезразмеривание по осям токов было

выполнено значением среднего выпрямленного тока 10а.
Установлено, что при малых значениях параметра у0 равных 1°
и 5°, временная зависимость тока имеет линейный вид уже при значениях
угла управления а, равных 2° и 5° соответственно (рис. 3.52, 3.53).
Следовательно, ток, протекающий через открывающийся тринистор,
будет нарастать по линейному закону. Соответственно, ток, протекающий
через запирающийся тиристор, будет спадать по линейному закону.
С увеличением параметра у0 нелинейность временной зависимости
токоз, протекающих через тринисторы VS1 и VS2, становится заметнее.

и закрывающийся тринисторы соответственно, при у>= 5° и значениях а; 1 — 0;
2— 1°; 3 — 2°; 4 — 3°; 5 — 4°; 6— 5°; 7—10°; 8 — 20°;9 — 30°; 10 — 45°; 11 — 60°
Так при уо = Ю° нелинейность изменения исследуемых токов
наблюдается уже до угла управления а = 10° (рис. 3.54), а при у0 = 20° —
до угла управления а = 20° (рис. 3.55).
Рис. 3.54. Временная зависимость тока, притекающего через открывающийся

и закрывающийся транш торы соответственно, при уо = 10° и значениях а: 1 — 0;
2—1°; 3 — 2°; 4 — 3°; 5 — 4°; 6 —5°; 7— 10°; 8 — 20°; 9 — 30°; ВО — 45°; 11 — 60°
Рис. 3.55. Временная зависимость тока, протекающего через открывающийся и за

крывающийся тринисторы соответственно, при уо = 20° и значениях а: 1 — 0; 2 —
1°; 3 — 2°; 4—3°; 5 — 4°; 6 —5°; 7— 10°; 8 — 20°; 9- 30°; 10—45°; 11 — 60°

и закрывающийся тринш торы соответственно, при уо = 30° и значениях а: 1 0;
2 — I °; 3 — 2°; 4 — 3°; 5 — 4°; 6 — 5°; 7 — 10°; 8 — 20°; 9 — 30°; ВО — 45°; 11 — 60°
и закрывающийся транш торы соответственно, при уо - 40° и значениях а: 1 — 0;
2 — 1°; 3 — 2°; 4 — 3°; 5 — 4°; 6 — 5°; 7 — 10°; 8 — 20°; 9 — 30°; 1<0 — 45°; 11 — 60°
Надо подчеркнуть, что при проведении расчетов, результаты кото

рых представлены на рис. 3.52-3.57, изменения v G [0, у0]. Ведь по физи
ческому смыслу при v = у0 ток открывающегося тринистора дости
гает значения 10а, а ток закрывающегося тринистора становится равным
нулю.
§ 3.6. Управляемые выпрямители с вольтодобавкой
Управляемые выпрямители с вольтодобавкой (УВ с ВД) нашли ши

рокое применение как в образовании, так и в технике. УВ с ВД позволяют
регулировать среднее выпрямленное напряжение в соответствующих си
стемах и комплексах.
В схеме преобразователей AC/DC с вольтодобавкой минимальное
выходное напряжение обеспечивается неуправляемым выпрямителем,
а повышение выходного (выпрямленного) напряжения достигается под
ключением дополнительного напряжения, называемого волътодобавоч-
ным, открывшимся тринистором.
С физической точки зрения УВ с ВД представляют собой сравни
тельно простое устройство, но оно является далеко не тривиальным со
схемотехнической точки зрения.
На рис. 3.58 показана традиционная схема управляемого выпрями
теля с вольтодобавкой, имеющая широкое распространение.
Вторичная обмотка сетевого трансформатора Т1 разделена на четы
ре секции: две основные секции с равным числом витков w21 = w22,
которые через диоды VD1 и VD2 формируют нерегулируемую составля
ющую выпрямленного напряжения, и две вольтодобавочные секции
с равным числом витков w21 = w22, которые через тринисторы 1751
и VS2 формируют регулируемую составляющую выпрямленного напря
жения.
При подаче на первичную обмотку сетевого трансформатора гар
монического напряжения ис на всех секциях вторичной обмотки наводят
ся ЭДС, формирующие напряжения u2i и и22 на основных секциях, и21
на верхних основной и вольтодобавочной секциях и и22 на нижних ос
новной и вольтодобавочной секциях (рис. 3.59, а).
Для упрощения анализа физических процессов, протекающих в УВ
с ВД, целесообразно принять ограничения: 1Л -> со (это условие опреде
ляет неизменность токов, протекающих в силовых цепях, питаемых вто
ричной обмоткой трансформатора), идеальность вентилей (они обладают
односторонней проводимостью, и прямое падение напряжения на них
равно нулю) и отсутствие коммутационных процессов.
При выключенных тринисторах 751 и VS2 рассматриваемая схема
работает как обычный НУВ (поочередно работает одна из основных сек
ций вторичной обмотки трансформатора).
Рис. 3.58. Управляемый выпрямитель с волыподобавкой, построенный

по схеме со средней точкой
В начале первого полупериода питающего напряжения ис поляр

ность напряжения на секциях вторичной обмотки трансформатора Т1,
включенных согласно, указана без скобок. Через открытый диод VD1 (при
этом диод VD2 закрыт) протекает ток i21, и мгновенное выпрямленное
напряжение иОа на нагрузке /?н и 1Л, имеющей резистивно-индуктивный
характер, совпадает с мгновенным напряжением на верхней основной сек
ции и21 = ^2 max ' s*n v (здесь U2max — амплитуда напряжения на основ
ной секции, v = о> • t, где ы — круговая частота, t — время).
В начале второго полупериода сетевого питающего напряжения ис
на всех секциях вторичной обмотки трансформатора 7’1 наводится ЭДС
другой полярности (на рис. 3.58 она указана в скобках). В момент есте
ственной коммутации v = п диод VD1 закрывается, а диод VD2 открывает
ся. Падение напряжения и22 = U2max ' s'n v на основной секции с числом
витков ш22 через открытый диод VD2. по которому течет ток i22, приложе
но к нагрузке и определяет мгновенное выпрямленное напряжение иОа.
В режиме работы УВ с вольтодобавкой блок управления (рис. 3.58)
формирует управляющие напряжения uyVS1 и uyVS2 для тринисторов
VS1 и VS2 соответственно. БУ включает один из тринисторов с задерж
кой а (а — угол управления (регулирования)) по сравнению с моментом
естественной коммутации (рис. 3.50, б).
Токи управления /у1 и /у2 тринисторов VS1 и VS2 соответственно
протекают от БУ по цепи: БУ -» управляющий электрод -> катод трини
стора -> БУ (рис. 3.58). На этом рисунке показано, что управляющее
напряжение с БУ одновременно подастся на оба тринистора. Катоды три
нисторов VS1 и VS2 соединены с катодами диодов VD1 и VD2. При пода
че с БУ управляющего тока на тринисторы VS1 и VS2 откроется лишь тот
тринистор, у которого потенциал анода выше.
Следует обратить внимание и на тот факт, что одна и та же точка
вторичной обмотки трансформатора, например ее середина, одновремен
но отмечена положительным и отрицательным потенциалом. Это обу
словлено тем, что указана полярность падения напряжения на соответ
ствующих секциях.
Пусть в момент v = а управляющее напряжение с БУ (рис. 3.59, б)
включает тринистор VS1, а напряжение на вольтодобавочной секции с
числом витков w21 выключает диод VD1, т. к. оно является обратным
напряжением для диода VD1.
При этом мгновенное выпрямленное напряжение иОа скачком воз
растает до напряжения u21 = U? тах' sin а (здесь ^'2тах— амплитуда
суммарного напряжения на основной и вольтодобавочной секциях с чис
лом витков w21 и ш21 соответственно (рис. 3.59, в)), и совпадает с ним от
v — а до v — 7Г.
В момент естественной коммутации (v = л) тринистор 1Л51 закры
вается, так как его анодный ток становится меньше тока удержания, а ди
од VD2 открывается.
Формы токов i21, l2i> ^22 и ^22> протекающих через секции вторич
ной обмотки трансформатора с числом витков w21, w21,iv22 и w22, пока
заны на рис. 3.59, г-ж соответственно.
В начале второго полупериода сетевого напряжения ис на всех сек
циях вторичной обмотки трансформатора Т1 наводится ЭДС другой по
лярности (полярность указана на рис. 3.58 в скобках). При этом управля
ющие напряжения uyVS1 и uyVS2 тринисторов V51 и VS2, приложенные
между их управляющим электродом и катодом, равны нулю (рис. 3 59, б).
Рис. 3.59. Характерные диаграммы напряжений и токов для управляемого

выпрямителя с волыподобавкой, построенного по схеме со средней тонкой
Следовательно, тринисторы выключены, а падение напряжения
и22 = U2 тах • sin v на основной секции с числом витков w22 через от
крытый диод VD2 приложено к нагрузке и определяет мгновенное вы
прямленное напряжение иОа (рис. 3.59, в).
При этом к диоду VDl приложено обратное напряжение и21 и он
выключен.
В момент v = л + а управляющее напряжение uy VS2 с БУ включает
тринистор VS2, и напряжение на секции с числом витков w22 закрывает
диод VD2, а мгновенное выпрямленное напряжение иОа скачком возрас
тает до напряжения и22 = U'2 тах ■ sin а, равного сумме напряжений на
основной и вольтодобавочной секциях с числом витков w22 и ш22 соот
ветственно (рис. 3.59, в).
Через нагрузку протекает неизменяющийся выпрямленный ток 10а
(рис. 3.59, з).
Затем процессы повторяются.
Выражение для регулировочной характеристики УВ с ВД, пред
ставляющей зависимость среднего выпрямленного напряжения UOa от уг
ла управления а, то есть UOa = f(a) (формула (3.65)), может быть запи
сано следующим образом
Учитывая, что для всех секций вторичной обмотки трансформатора

выполняется неизменность параметра «вольт на виток», то можно запи
сать для основной и вольтодобавочной секций следующее равенство
Ц21 _ и21
W21 W21 + W21 '
Отсюда следует, что
w21 + w21
u21 ------------------- и21 = т • и21,
W21
где т — параметр вольтодобавки, равный
w2i + w21 (3-87)
т -------------- .
w21
п
Принимая II 2max • sinv
во внимание, что и21 = U • I =—
и u21 vv21+w21
-------
u2i = т ’ u2i — т ’ ^2 max ' s*nv’ гДе т— параметр вольтодобавки
(при записи этого соотношения учтена неизменность параметра «вольт
на виток» трансформатора), то выражение (3.86) можно записать в сле
дующем виде
а л
1 J U2 max-sinvdv + J m-U2max-sinvdv^
уо«=- (3.88)
7Г
О а
Полезно отметить, что параметр вольтодобавки т характеризует
количественное превышение суммарного числа витков основной и вольто
добавочной секций вторичной обмотки сетевого трансформатора над
числом витков основной секции вторичной обмотки сетевого трансформа
тора и фактически определяет диапазон регулирования среднего выпрям
ленного напряжения UOa.
После соответствующих преобразований в (3.88) получают уравне
ние регулировочной характеристики управляемого выпрямителя с воль-
тодобавкой
у (3.89)
UOa ~ 2тах • (т + 1 + (m — 1) ■ cos а).
7Г
В физическом эксперименте для сравнительного анализа различных
устройств обычно используется безразмерный вид соответствующих ха
рактеристик. Поэтому целесообразно и в рассматриваемом случае пред
ставить регулировочную характеристику в безразмерном виде. В качестве
нормирующей величины для управляемых выпрямителей, как правило,
используют среднее выпрямленное напряжение Uo для неуправляемого
выпрямительного устройства.
Учитывая, что для неуправляемого выпрямительного устройства,
построенного по схеме со средней точкой, справедливо соотношение
Uo = 2 • 2 ”'дх, то полученную регулировочную характеристику УВ с ВД
можно записать в безразмерном виде
(3.90)
Полученное выражение для регулировочной характеристики, запи

санное в безразмерном виде, необходимо проверить на достоверность.
Такую проверку выполняют по асимптотическим режимам. В данном
случае можно рассмотреть три таких режима.
Первый асимптотический режим реализуется при тп = 1. Физиче
ски это означает отсутствие вольтодобавочной секции, то есть устройство
представляет собой неуправляемый выпрямитель. Из выражения (3.90)
следует, что Uoa/Uo = 1 и не зависит от угла управления. Это подтвер
ждает, что речь идет о неуправляемом выпрямителе.
Второй асимптотический режим реализуется при а = 0. Физически
это означает, что тринисторы всегда открыты, то есть реализуется режим
неуправляемого выпрямителя. Из выражения (3.90) следует, что
U0a/U0 = т. Это подтверждает, что речь идет о неуправляемом выпря
мителе, функцию вентилей в котором выполняют тринисторы, а основная
и вольтодобавочпая секции объединены и выполняют роль основной сек
ции сетевого трансформатора.
Третий асимптотический режим реализуется при а = п. Физически
это означает, что тринистор всегда закрыт, то есть реализуется режим не
управляемого выпрямителя. Из выражения (3.90) следует, что U0a/U0 = 1.
Это подтверждает, что речь идет о неуправляемом выпрямителе.
На рис. 3.60 показана регулировочная характеристика в безразмер
ном виде управляемого выпрямителя с вольтодобавкой для различных
параметров вольтодобавки.
На регулировочной характеристике (рис. 3.60) анализируемого У В
с ВД можно отметить характерную точку, реализуемую при т = 2
и а — я/2. В этом случае U0a/U0 = 1,5.
Рис. 3.60. Регулировочная характеристика (в безразмерном виде) управляемого

выпрямителя с вольтодобавкой для различных параметров вольтодобавки
Схема УВ с ВД, построенного на базе мостовой схемы выпрямле

ния и имеющего две вольтодобавочных секции, показана на рис. 3.61.
Вторичная обмотка сетевого трансформатора Т1 состоит из вклю
ченных согласно основной секции с числом витков w2 и двух вольтодо
бавочных секций с равным числом витков w2-
При выключенных тринисторах FSl и VS2 устройство, построенное
по рассматриваемой схеме, представляет собой типичный неуправляемый
мостовой выпрямитель.
Рис. 3.61. Мостовая схема управляемого выпрямителя

с двумя вольтодобавочными секциями
При включенном одном из двух тринисторов устройство уже пред

ставляет собой управляемый выпрямитель с вольтодобавкой. Принцип
действия выпрямителя состоит в следующем.
В первый полупериод гармонического питающего напряжения ис,
поданного на первичную обмотку сетевого трансформатора Т1, напряже
ния па основной и вольтодобавочных секциях вторичной обмотки транс
форматора Т1 имеют полярность, указанную на рис. 3.61 без скобок.
При закрытых тринисторах KS1 и VS2, то есть при V, изменяющем
ся от 0 до а (рис. 3.62), работает только одна пара диагонально располо
женных диодов VD3 и VD2 (при полярности напряжения на основной
секции вторичной обмотки, указанной без скобок) или VD4 и VD1 (при
полярности напряжения на основной секции вторичной обмотки, указан
ной в скобках).
Рис. 3.62. Характерные диаграммы напряжений и токов для выпрямительного
устройства, построенного по мостовой <хеме управляемого выпрямителя
с двумя вольтодобавочными секциями
В интервале v от 0 до а мгновенное выпрямленное напряжение иОа

совпадает с мгновенным напряжением на основной секции вторичной
обмотки трансформатора и2 (рис. 3.62, в).
При v = а БУ включает, например, тринистор VS1 (рис. 3.62, б).
Тогда напряжение на верхней вольтодобавочной секции трансформатора,
являясь обратным для диода VD3, выключает его.
Мгновенное выпрямленное напряжение иОа на нагрузке в интер
вале v от а до п равно сумме напряжений на основной и верхней вольто
добавочной секциях, то есть иОа = и2 = т • U2 тах • sin v, где т =
= (w2 + w2)/w2 — параметр вольтодобавки (рис. 3.62, в).
В момент естественной коммуникации при v = п тринистор 751
выключается (его анодный ток становится меньше тока удержания), и к
нагрузке через диоды VD4 и VD1 приложено напряжение основной секции
вторичной обмотки сетевого трансформатора 7’1 (полярность этого напря
жения на рис. 3.61 указана в скобках). В интервале v = п ... (я 4- а) мгно
венные выпрямленное напряжение иОа на нагрузке RH и 1Л равно мгновен
ному напряжению на основной секции, то есть иОа = и2 = U2 тах ■ sin v.
В момент v = (п + а) БУ включает тринистор VS2 (рис. 3.62, б),
и напряжение на нижней вольтодобавочной секции вторичной обмотки
трансформатора, являясь обратным напряжением для диода VD4, выклю
чает его. С этого момента мгновенное выпрямленное напряжение иОа
на нагрузке равно сумме напряжений на основной и нижней вольтодоба
вочной секциях, то есть иОа = и2 = т ■ U2 тах • sinv.
Особенность рассматриваемой схемы состоит в том, что открыва
ющийся тринистор шунтирует один из диодов выпрямительного моста.
А также то, что через основную секцию вторичной обмотки сетевого
трансформатора протекает переменный ток, а через вольтодобавочные
секции — пульсирующий.
Схема УВ с ВД, построенного на базе мостовой схемы выпрямле
ния и имеющего одну вольтодобавочную секцию, показана на рис. 3.63.
Вторичная обмотка сетевого трансформатора Т1 состоит их двух
секций, включенных согласно: основной секции с числом витков iv2
и вольтодобавочной секции с числом витков w2.
В начале первого полупериода питающего напряжения полярность
напряжения на секциях вторичной обмотки трансформатора Т1 указана
без скобок.
При выключенных тринисторах 751 и VS2 работает основная сек
ция вторичной обмотки трансформатора. Мгновенный выпрямленный ток
i0 протекает по цепи: «+» основной секции с числом витков w2 диод
VD3 -» нагрузка RH и L1 -> диод VD2 -» «—» основной секции с числом
витков w2. При этом мгновенное выпрямленное напряжение иОа на
нагрузке Rn и L1 совпадает с мгновенным напряжением и2 на основной
обмотке трансформатора (рис. 3.64).
Рис. 3.63. Мостовая схема управляемого выпрямителя
с одной вольтодобавочной секцией
В момент у — а БУ (рис. 3.64, б) включает тринистор И52(три-

нистор /51 продолжает оставаться выключенным). При этом напря
жение на вольтодобавочной секции вторичной обмотки трансформа
тора, имеющее полярность, указанную на рис. 3.63 без скобок, через
только что открытый тринистор VS2 оказывается приложенным к дио
ду УОЗи выключает его, так как между анодом и катодом диода
VD3 приложено отрицательное напряжение. Мгновенный выпрямлен
ный ток протекает по цепи: «+» вольтодобавочной секции с числом вит
ков w'2 -> тринистор VS2 -> нагрузка R,, и L1 ->диодИ£>2 -» «—» ос
новной секции с числом витков w2. При этом мгновенное выпрямле
ние напряжения иОа на нагрузке R„ и L1 совпадает с мгновенным напря
жением и2, формируемым на основной и вольтодобавочной секциях
(рис. 3.64, в).
В момент v = 7Г, то есть в момент естественной коммутации вен
тилей, тринистор VS2 выключается (его анодный ток становится мень
ше тока удержания), полярность напряжения на секциях вторичной об
мотки трансформатора изменяется (на рис. 3.63 указана в скобках) и в ин
тервале v = п ... (п + а) открыты диоды И)4и VD1, что обеспечи
вает формирование на нагрузке мгновенного выпрямленного напряже
ния иОа, равного мгновенному напряжению и2 на основной секции w2
(рис. 3.64, в).
Рис. 3.64. Характерные диаграммы напряжений и токов для управляемого
выпрямителя с вольтодобавкой, построенного по мостовой схеме
с одной волыподобавочной секцией
При v — п + а БУ включает тринистор VS1, что приводит к выклю

чению диода VD1 и формированию на нагрузке мгновенного выпрямлен
ного напряжения иОа, равного мгновенному напряжению и'2 на основной
и вольтодобавочной секциях.
Схема, представленная на рис. 3.65, является разновидностью рас
смотренной схемы построения управляемого выпрямителя с вольтодо
бавкой, то есть управляемого выпрямителя с дискретным регулированием
Вторичная обмотка сетевого трансформатора Т1 состоит из четырех
секций: две секции имеют равное число витков w21 и w22 и две другие
секции также имеют равное числом витков w21 и w22. Катоды диода
VD2 и тринисторов VS1 и VS2 образуют общий узел, а аноды тринисторов
VS1 и VS2 отделены от анода диода VD2 соответствующими секциями
вторичной обмотки трансформатора с числом витков w21 и w22 соответ
ственно.
Г1 VD\
Рис. 3.65. Разновидность схемы мостового управляемого выпрямителя

с вольтодобавкой
Особенность рассматриваемого управляемого выпрямителя с воль

тодобавкой состоит в том, что две секции с числом витков w21 и w22 вто
ричной обмотки сетевого трансформатора Т1 выполняют функцию как
основной, так и вольтодобавочной секций.
При полярности напряжения на секциях вторичной обмотки транс
форматора Т1, указанной на рис. 3.65 без скобок, и выключенных трини-
сторах VS1 и VS2 (рис. 3.66, б), для v > 0 мгновенный выпрямленный ток
iOa протекает по цепи: «+» секции с числом витков w22 -» диод VD2 -»
нагрузка 1Л и /?„ -> диод VD3 -> «—» секции с числом витков w22. Следо
вательно, мгновенное выпрямленное напряжение иОа на нагрузке RH
и L1 совпадает с мгновенным линейным напряжением и2г (Рис- 3.66, а),
то есть иОа = и22 (рис. 3.66, в).
При v = а БУ включает тринистор И51. Напряжение на секции w21
вторичной обмотки сетевого трансформатора Т1 через только что вклю
ченный тринистор VS1 прикладывается к диоду VD2. Поскольку оно яв
ляется обратным напряжением для диода VD2, диод VD2 выключается.
Рис. 3.66. Характерные диаграммы токов
и напряжений мостового управляемого выпрямителя
с вольтодобавкой. построенного по счеме, приведенной на рис. 3.65
В интервале изменения v от а до я мгновенный выпрямленный ток

iOa протекает по цепи: «+» секции с числом витков w21 -> тринистор
VS1 -* нагрузка L1 и /?н -> диод VD3 «—» секции с числом витков w22
(рис. 3.65).
Следовательно, мгновенное выпрямленное напряжение иОа на
нагрузке RH и L1 совпадает с мгновенным линейным напряжением и22,
то есть иОа = и22.
В момент естественной коммутации v = я полярность напряжения
на всех секциях вторичной обмотки сетевого трансформатора Т1 изменя
ется (на рис. 3.65 она указана в скобках), тринистор VS1 выключается,
а диоды VD2 и VD1 включаются.
Следовательно, при v > п мгновенное напряжение и21 обеспечива
ет протекание тока через нагрузку, и диод VD1 и формирует мгновенное
выпрямленное напряжение иОа на нагрузке /?н и Б1то естьиОа = п21.
При v = (л + а) БУ включает тринистор VS2. Напряжение на сек
ции с числом витков w22 оказывается приложенным к диоду VD2 и вы
ключает его. Следовательно, напряжение и21 обеспечивает протекание
тока через нагрузку R„ и Ы и диод VD1 и формирует мгновенное вы
прямленное напряжение иОа на нагрузке /?н и £1,то естьиОа = и21.
В момент естественной коммутации v — 2л полярность напряжения
на секциях вторичной обмотки сетевого трансформатора Т1 изменяется
(на рис. 3.65 показана без скобок), тринистор VS2 выключается, а диоды
VD2 и VD3 включаются и процессы коммутации повторяются.
Характерные диаграммы токов и напряжений рассматриваемого УВ
с ВД показаны на рис. 3.66.
При проведении экспериментального исследования, например, пе
редаточной характеристики источников вторичного электропитания,
необходимо дискретно изменять его входное напряжение. Число таких
дискретов, а значит, и число экспериментальных точек, по которым за
тем строится передаточная характеристика, обычно не превышает пятна
дцати.
Более того, наличие сетевого трансформатора в регуляторе напря
жения, построенном по схеме УВ с ВД, обеспечивает гальваническую
развязку соответствующих силовых цепей.
Поэтому определенный интерес представляет управляемый выпря
митель с вольтодобавкой, схема которого для трех дискретов приведена
на рис. 3.67. Вторичная обмотка сетевого трансформатора Т1 состоит из
восьми секций (для выбранного дискрета, равного трем): двух основных
секций w2i и w22, имеющих равное число витков, и шести вольтодоба
вочных секций, каждая из которых имеет w витков.
Со схемотехнической точки зрения принцип работы УВ с ВД, по
строенного по этой схеме, аналогичен рассмотренным ранее. Существен
ное их различие состоит в возможности аналитического анализа регули
ровочной характеристики. Это обусловлено многопараметричностыо ее
описания.
Рис. 3.67. Модифицированная схема управляемого выпрямителя с вольтодобавкой.
построенного по схеме со средней точкой и имеющего три дискрета
Например, регулировочная характеристика (в безразмерном виде)

— = f(a) для традиционного УВ с ВД зависит от двух параметров: угла
уо
управления а и параметра вольтодобавки т. Информация, приведенная
на рис. 3.60, является наглядной иллюстрацией этого. В то же время регу
лировочная характеристика для модифицированного УВ с ВД (рис. 3.67)
зависит от шести параметров: трех углов управления а1л а2 и а3 и трех
параметров вольтодобавки тг, т.ц и тИ1. Здесь аг — угол управления
для тринисторов /53 и VS4, «2 — угол управления для тринисторов
VS2 и /55 иа3 — угол управления для тринисторов 751 и /56.
Для первых вольтодобавочных секций с числом витков w21 = w22,
которые вместе с основными секциями с числом витков w формируют
мгновенные напряжения и21 и и22, параметр вольтодобавки равен
iv+w' ,,
т, = . Для упрощения записи выражении для параметров вольтодо
бавки mh Ши и тш нижние индексы у w опущены.
Для вторых вольтодобавочных секций, формирующих мгновенные
,, ,, - w+w'+w"
напряжения и21 и и22, параметр вольтодобавки равен тп =----- ------- .
Аналогично для третьих вольтодобавочных обмоток, формирую
щих мгновенные напряжения и2{ и и22, параметр вольтодобавки равен
w+iv'+iv"+iv"'
тш ---------------------.
IV
Форма мгновенного выпрямленного напряжения иОа для управляе
мого выпрямителя с вольтодобавкой (рис. 3.67) и тремя дискретами при
ведена на рис. 3.68 и рис. 3.69.
Аналитические выражения для мгновенных напряжений рассматри
ваемого УВ с ВД могут быть записаны следующим образом:
U21 ^21 max ‘ sin v; и22 — U22 max • sin(v + 7r); U2^ max — U22 max',
u'21 = U21 max ■ sin v; u'22 = U22 max ■ sin(v + 7Г); U21 max = U22 max ,
где U21 max — m, • U21 max.
u'21 = U21 max ■ sin v; u'{2 = U22 max ■ sin(v + 7Г); Ц" — Ц"
U21 max — u22max >
где U21 max 21 max'
u'21 = U21 max ■ sin v; = U22 max ■ sin(v + я); И'"

u 21 max
— и'"
u22max >
m
где U21 max - mIII • U 21 max.
Для получения аналитического выражения регулировочной харак

теристики UOa = /(а) рассматриваемого УВ с ВД можно записать
(3.91)
Рис. 3.68. Форма мгновенного напряжения на нагрузке иОа и среднего выпрямленного
напря жения UOa при углах управления 20° (для тринисторов И53 и VS4),
40° (для тринисторов VS2 и VS5) и 60° (для тринисторов VS1 и VS6)
и параметрах вольтодобавки т, = 1,5; тц = 2,0 и тш = 2,5
С учетом выше записанных соотношений для мгновенных напря

жений последнее выражение можно представить в следующем виде:
'«i а2
1 J U21 max 'Sinvdv + J
UOa=~ mr Ihimax-sinvdv+
71
О «1
а3 7T
+ J т1Г ^21 max - Sinvdv + J
■ U21max- sinvdv I
а2 «3 /
После соответствующих преобразований выражение для регулиро

вочной характеристики примет вид:
UOa - ^21 таХ • (,тш + 1 + (т, - 1) • cos аг + (ти — т,) ■ cos а2 +

7Г
+(тш -тИ) ■ cos а3).
Рис. 3.69. Форма мгновенного выпрямленного напряжения на нагрузке иОа и среднего
выпрямленного напряжения UOa при углах управления 45° (для тринисторов VS3
и VS4), 90° (для тринисторов VS2 и VS5) и 135° (для тринисторов IZS1 и VS6)
и параметрах вольтодобавки т./ = 1,5; т;( = 2,0 и т1п = 2,5
Обозначив среднее выпрямленное напряжение рассматриваемого

,, 2U
с 21 max
выпрямителя при всех выключенных шести триписторах и0 =---- - ---- ,
тогда результирующее выражение для регулировочной характеристики
рассматриваемого выпрямителя в безразмерном виде примет вид
‘ ^т'" + 1 + ("i, - 1) • cos аг + (тП - т,) • cos а2 +

Ц) z
+ (тш - Шц) ■ cosa3).
Ранее отмечалось, что представить полученную регулировочную
характеристику в традиционном виде невозможно. Для такого типа УВ с
ВД целесообразно проводить либо конкретные (фрагментарные) расчеты,
либо расчеты предельных режимов работы (табл. 3.3).
Таблица 3.2
Результаты расчетов предельных режимов работы
№ «1 «2 «3 иОв
п.п. градусов градусов градусов
Ш/ тш
Uo
1 180 180 180 — — — 1
2 0 180 180 1.5 — — 1,5
3 0 0 180 2,0 2,0
4 0 0 0 — — 2,5 2,5
5 20 40 60 1,5 2,0 2.5 2.3
6 45 90 135 1,5 2,0 2,5 1,8
Полученное выражение (3.92) для регулировочной характеристики
позволяет рассчитать коэффициент, на который нужно умножить U2max,
чтобы получить значение среднего выпрямленного напряжения UOa.
На рис. 3.68 и 3.69 прямой сплошной линией показаны средние выпрямлен
ные напряжения UOa. Их числовые значения (при параметрах вольтодобав-
ки т, = 1,5, тп = 2,0, тш = 2,5) равны 1,47 -U2maxn 1,11 ■ U2max со
ответственно.
1. Для чего предназначены преобразователями AC/DC?

2. Какой вид имеет ВАХ диода и по какой схеме он включается в преоб
разователях AC/DC?
3. По каким признакам проводится классификация выпрямительных
устройств?
4. Что такое среднее выпрямленное напряжение и среднее квадратиче
ское напряжение?
5. Что такое мгновенное выпрямленное напряжение и0?
6. Что такое неуправляемое выпрямительное устройство и из какого ми
нимального количества радиоэлементов может состоять это устройство?
7. Нарисуйте мостовую схему выпрямительного устройства и напишите
формулу для нахождения среднего выпрямленного напряжения.
8. Чем отличается среднее выпрямленное напряжение НВУ, построенно
го по схеме со средней точкой, от НВУ, построенного по мостовой
схеме?
9. Какие основные недостатки НВУ, построенного по схеме со средней
точкой?
10. Чем отличается резистивная нагрузка от резистивно-емкостной
нагрузки и как они влияют на работу выпрямительного устройства?
11. Что такое угол отсечки в и какие методы его определения вы знаете?
12. Могут ли мощные НВУ работать на резистивно-емкостную нагрузку?
13. В чем отличие работы НВУ на резистивно-емкостную нагрузку от
устройства, работающего на резистивно-индуктивную нагрузку?
14. Поясните физические процессы, протекающие в типичных НВУ.
15. Нарисуйте схему мостового выпрямителя для формирования двух
симметричных напряжений.
16. Нарисуйте характерные диаграммы, которые иллюстрируют принцип
действия мостового выпрямителя для формирования двух симметрич
ных напряжений.
17. Сравните осциллограммы токов, протекающих через выпрямительный
диод в НВУ, работающем на резистивную и резистивно-емкостную
нагрузку.
18. Нарисуйте различные схемы включения четырех диодов для построе
ния мостового выпрямителя.
19. Зачем при экспериментальном определении угла отсечки НВУ после
довательно с выпрямительным диодом включают дополнительный ре
зистор? Какое примерное сопротивление этого резистора должно быть
выбрано?
20. Почему в схеме для анализа осциллограммы тока, протекающего че
рез выпрямительный диод, используется осциллограф, показывающий
форму мгновенного падения напряжения на дополнительном резисто
ре, включенном последовательно с диодом?
21. Перечислите и нарисуйте принципиальные электрические схемы пас
сивных сглаживающих фильтров.
22. В чем различие схем построения управляемых и неуправляемых ВУ?
23. Как классифицируют вентили, используемые в радиоэлектронике?
24. Нарисуйте вольт-амперную характеристику тиристора и поясните
условия его включения и выключения.
25. Нарисуйте функциональную схему управляемого выпрямителя, по
строенного по схеме со средней точкой.
26. Что такое угол регулирования а ина что он влияет при работе УВУ?
27. Как угол управления а влияет на значение среднего выпрямленного
напряжения UOa? Напишите формулу для определения UOa.
28. Какие предельные значения может принимать угол регулирования а и
как при этом будет работать УВУ?
29. По какому закону происходит коммутация тока в УВУ?
30. Что такое управляемый выпрямитель с вольтодобавкой?
31. Нарисуйте мостовую схему УВ с одной вольтодобавочной секцией.
32. Как выглядит мгновенное выпрямленное напряжение УВ с ВД, по
строенного по мостовой схеме при угле управления а — 9 0°?
33. Нарисуйте мостовую схему УВ с двумя вольтодобавочными секциями.
34. Почему в управляемом выпрямителе с вольтодобавкой при включении
тринистора диод выключается?
35. Как классифицируются умножители напряжения?
36. Как зависит динамическое сопротивление умножителя напряжения от
числа каскадов?
37. Какие ограничения накладываются на сопротивление нагрузки умно
жителя напряжения?
38. Чему равна частота пульсаций выходного напряжения для умножителя
напряжения, построенного по несимметричной схеме второго типа?
39. Как изменяется выходное напряжение умножителя напряжения при
увеличении тока нагрузки?
40. Какой примерный вид имеет нагрузочная характеристика умножителя
напряжения?
ГЛАВА 4.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
И ТОКА
(DC/DC-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)
Радиоэлектронные средства различного назначения требуют для

своей работы одного или нескольких стабильных источников постоянно
го тока, к которым предъявляются определенные требования, среди кото
рых важнейшими являются стабильность напряжения и/или тока на вы
ходе, низкий уровень пульсаций и др.
Качество выходного напряжения ИВЭ легко может быть улучшено
с помощью стабилизаторов. Стабилизатор обеспечивает автоматическое
поддержание (стабилизацию) напряжения (СН) и тока (СТ) на стороне
нагрузки с заданной точностью и поэтому является неотъемлемой частью
практически всех источников вторичного электропитания РЭС.
Подавляющее большинство стабилизаторов составляют устройства
с параметрическим или компенсационным принципом стабилизации.
В параметрических стабилизаторах напряжения (ПСН) и тока (ПСТ) ис
пользуются электрорадиоэлементы с нелинейной вольт-амперной харак
теристикой (стабилитроны, стабисторы, биполярные и полевые транзи
сторы и др.), и стабилизация выходного напряжения или тока нагрузки
осуществляется за счет нелинейности ВАХ.
Как правило, регулирующим элементом компенсационных стабили
заторов напряжения является биполярный либо полевой транзистор. Если
этот транзистор работает в активном режиме, го стабилизатор называют
линейным (с непрерывным регулированием), а если регулирующий тран
зистор работает в ключевом режиме — импульсным (с импульсным регу
лированием).
§ 4.1. Классификация стабилизаторов напряжения и тока
Классификация СН и СТ постоянного тока показана на рис. 4.1.

По физическому принципу работы стабилизаторы напряжения и тока раз
деляются на параметрические и компенсационные.
Параметрическими называются стабилизаторы напряжения и тока,
у которых стабилизация выходного напряжения или тока нагрузки осу
ществляется за счет нелинейного изменения параметра (например, вольт-
амперной характеристики) соответствующего электрорадиоэлемента (как
правило, стабилитронов, стабисторов, стабилитоков, биполярных или по
левых транзисторов).
Рис. 4.1. Классификация стабилизаторов напряжения и тока
Компенсационными называются стабилизаторы, у которых стаби

лизация выходного напряжения или тока нагрузки осуществляется за счет
изменения параметров управляемого прибора, называемого регулирую
щим элементом, за счет воздействия на него сигнала обратной связи.
Таким образом, компенсационные стабилизаторы выходного напряжения
или тока нагрузки представляют собой замкнутую систему автоматиче
ского регулирования с отрицательной обратной связью (ООС). В компен
сационных стабилизаторах напряжения сигнал обратной связи язляется
функцией выходного напряжения, а компенсационных стабилизаторах
тока— функцией тока нагрузки.
По временному режиму работы регулирующего элемента компенса
ционного стабилизатора последние подразделяются на компенсационные
стабилизаторы напряжения с непрерывным регулированием и компенса
ционные стабилизаторы напряжения с импульсным регулированием.
В КСН с HP рабочая точка регулирующего биполярного транзистора
находится на линейном участке его коллекторной характеристики. Поэто
му КСН с HP часто называют линейными стабилизаторами напряжения.
В КСН с ИР регулирующий транзистор работает в импульсном
(ключевом) режиме, то есть рабочая точка регулирующего транзистора
перемещается из режима насыщения в режим отсечки и обратно. Причем
большую часть времени рабочая точка регулирующего транзистора нахо
дится в режиме насыщения и режиме отсечки.
Различают три временных режима управления силовым (регули
рующим) транзистором: широтно-импульсная модуляция (ШИМ), ча
стотно-импульсная модуляция (ЧИМ) и двухпозиционная (релейная) мо
дуляция (ДПМ). Частота переключения (преобразования) fn транзисто
ра, выполняющего роль регулирующего элемента в КСН с ИР, состав
ляет- 50...4 000 кГц.
Надо отметить, что параметрические стабилизаторы и компенсаци
онные стабилизаторы с непрерывным регулированием фактически явля
ются DC/DC-преобразователями.
§ 4.2. Физика и схемотехника параметрических стабилизаторов

напряжения и тока
Принцип действия параметрических стабилизаторов напряжения

и тока основан на использовании для достижения конечного эффекта не
линейности ВАХ стабилитронов, стабисторов, стабилитоков и транзисто
ров. Это предопределяет достаточно простую физику и схемотехнику
ПСИ и ИСТ.
4.2.1. Вольт-амперная характеристика стабилитронов

В качестве нелинейного электрорадиоэлемента в параметрических
стабилизаторах напряжения постоянного тока широко применяются ста
билитроны и стабисторы, представляющие собой разновидности полу
проводниковых приборов с одним р-п-псрсходом, предназначенные
для стабилизации напряжения на определенном уровне.
Стабилитроном называют полупроводниковый диод, у которого
для стабилизации напряжения используется участок пробоя.
Стабистором называют полупроводниковый диод, у которого
для стабилизации напряжения используется прямая ветвь его ВАХ.
Работа стабилитрона основана на использовании явления электри
ческого пробоя р-п-перехода при включении диода в обратном направле
нии. Механизм пробоя может быть туннельным, лавинным или смешан
ным. У низковольтных стабилитронов (с низким сопротивлением базы)
более вероятен туннельный пробой. У стабилитронов со сравнительно
высокоомной базой пробой носит лавинный характер. Материалы, ис
пользуемые для создания р-п-перехода стабилитронов, имеют высокую
концентрацию примесей. При этом напряженность электрического поля
в р-п-переходе значительно выше, чем у обычных диодов. При относи
тельно небольших обратных напряжениях в р-п-переходе возникает силь
ное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой. В этом
режиме нагрев диода не носит лавинообразного характера. Поэтому элек
трический пробой не переходит в тепловой.
Стабилитроны используют обратную ветвь ВАХ р-п-перехода (3-й
квадрант на рис. 4.2) и при этом обладают малым напряжением пробоя
и поддерживают регламентированное напряжение от ~2 В до 300 В
на одном уровне при значительном изменении обратного тока.
Стабисторы, как и диоды, используют прямую ветвь ВАХ (1-й

квадрант на рис. 4.2) и поддерживают на заданном уровне напряжение от
~0,6 В до 2,1 В. Но их ВАХ располагается почти параллельно оси токов.
На рис. 4.2 представлена ВАХ стабилитрона, у которого область
1-2 характеристики является рабочей. Стабилитроны работают на обрат
ной ветви вольт-амперной характеристики р-п-перехода в области пробоя.
При включении стабилитрона в прямом направлении он обладает
ВАХ, практически совпадающей с ВАХ диода (1-й квадрант на рис. 4.2).
ВАХ стабилитрона, включенного в обратном направлении, существенно
отличается от ВАХ диода (3-й квадрант на рис. 4.2).
Стабилитроны характеризуются следующими основными парамет
рами: минимальным током стабилизации /CTmjn, характеризующим на
чало рабочего участка ВАХ (точка 1 на рис. 4.2); максимальным током
стабилизации /ст тах (точка 2 на рис. 4.2), при котором мощность ?VD’
рассеиваемая на стабилитроне, не превышает значения PVD max, где
PVD max — максимально допустимая мощность, рассеиваемая стабилитро
ном, при которой температура его р-п-перехода не превышает предельно
допустимого значения; динамическим сопротивлением RCTi, определяе
мым как модуль отношения приращения напряжения стабилизации к со
ответствующему приращению тока, протекающего через стабилитрон;
разбросом напряжения стабилизации от номинального значения Д 17ст при
заданных токе стабилитрона и температуре окружающей среды; темпера
турным коэффициентом стабилизации напряжения уст, определяемым от
ношением относительного изменения напряжения стабилизации в про
центах к абсолютному изменению температуры и вычисляемым по фор
муле:
с/(/Ст/(^ст
Уст — •100 %, %/К (4.1)
dT
или, в конечных разностях,
Д[/ст/[/ст
Уст • 100, %/К. (4.2)
ДУ
Единицей измерения ТКН является %/К (читается: процент на
Кельвин).
В частности, у стабилитрона КС510А минимальное напряжение
стабилизации Уст min = 9,9 В, максимальное напряжение стабилизации
1/сттах — Ю.О В, минимальный ток стабилизации /CTmin — 5 мА и макси
мальный ток стабилизации /-г max = 30 мА.
Если на катод стабилитрона поступает положительный потенциал
входного напряжения Увх, а на анод стабилитрона поступает отрицатель
ный потенциал этого напряжения, то такое включение стабилитрона
называется рабочим. Пробойный режим в стабилитроне не связан с ин
жекцией неосновных носителей. В связи с этим инерционные явления
в стабилитроне, связанные с накоплением и рассасыванием носителей,
при переходе из области пробоя в область запирания и обратно практиче
ски отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах
в качестве фиксаторов уровней и ограничителей напряжения.
Динамическое сопротивление стабилитрона, характеризующее его
стабилизирующие свойства, при увеличении тока стабилизации умень
шается на 10...20%. Это объясняется тем, что при увеличении прило
женного напряжения увеличивается площадь участков, на которых про
изошел пробой. При токе, мало отличающемся от номинального, динами
ческое сопротивление стабилитрона близко к собственному сопротивле
нию базы.
Известно, что динамическое сопротивление маломощных стаби
литронов является нелинейной функцией напряжения и тока стабилиза
ции (рис. 4.3, а).
Из рис. 4.3, а видно, что минимальное динамическое сопротивле
ние уст имеют маломощные стабилитроны с напряжением стабилизации
около 7 В.
Следовательно, если требуется получить напряжение стабилиза
ции порядка 14 В, то с целью уменьшения внутреннего сопротивления
ПСН лучше применить два последовательно соединенных стабилитрона
вместо одного высоковольтного.
Параллельное включение стабилитронов не рекомендуется, по
скольку в этом случае в схеме стабилизации будет работать только один
стабилитрон с наименьшим напряжением стабилизации.
На рис. 4.3, б приведена зависимость температурного коэффици
ента напряжения уст от напряжения стабилизации [/ст, а на рис. 4.3, в ти
повые ВАХ стабилитронов при температурах 293 К и 333 К.
Стабилитроны и диоды представляют собой полупроводниковые
приборы с одним р-п-переходом. Поэтому можно считать, что на рис. 4.3, в
приведены типовые вольт-амперные характеристики р-п-перехода. Стаби
литроны могут быть включены в режиме стабилизации (ВАХ в 3-м квадран
те) или в диодном режиме (ВАХ в 1-м квадранте). У диодов, реализующих
прямое включение р-п-перехода, и стабилитронов, включенных в диодном
режиме, вольт-амперная характеристика представляется, как правило, одной
обобщенной линией (на рис. 4.3 в она показана в первом квадранте сплош
ной линией). С повышением температуры полупроводникового прибора его
ВАХ смещается влево (на рис. 4.3 в это иллюстрирует штриховая линия 1 -го
квадранта), то есть диоды и стабилитроны, включенные в диодном режиме,
имеют отрицательный ТКН.
Для стабилитронов, реализующих обратное включение р-п-пере-
хода, величина ТКН существенно зависит от напряжения стабилизации.
Для значений напряжения стабилизации от 7 В до 13 В сходные ВАХ
имеют стабилитроны Д814А...Д814Д, а для 1/ст от 3 В до 7 В— стаби
литроны 2С133А...2С168А (сплошные линии в 3-ем квадранте рассмат
риваемого рисунка).
а) б)
Рис. 4.3. Характерные зависимости /?ст < и уСТ стабилитронов от напряжения:

а — динамического сопротивления стабилитронов;
б — температурного коэффициента напряжения стабилизации;
в — типовые вольт-амперные характеристики стабилитронов
при температурах 293 К (сплошные линии) и 333 К (штриховые линии)
Естественно, что ВАХ стабилитрона, включенного в прямом

направлении, совпадает с ВАХ диода.
Из рис. 4.3, в видно, что наклон кривых, характеризующих изме
нение Уст при изменении тока /ст, протекающего через стабилитрон,
для стабилитронов с разными напряжениями стабилизации UCT неодина
ков, причем этот наклон наименьший в области U„ от 7 В до 9 В. При
напряжениях стабилизации, превышающих 9 В и меньших 7 В, наклон
кривых увеличивается. В области UCT<6B при токах /ст < 5...10 мА
наклон кривых особенно большой.
Прямое падение напряжения Uup на диоде при токах, превышаю
щих 1 мА, равно 0,6...0,7 В и незначительно возрастает при увеличении
тока до 20 мА.
Рассматривая вольт-амперные характеристики стабилитронов
при температурах 293 К и 333 К можно заметить, что с повышением тем
пературы ВАХ сдвигаются влево при напряжениях стабилизации, боль
ших ~6 В, и вправо при напряжениях стабилизации, меньших ~5 В.
Из рис. 4.3, в видно, что стабилитроны с Уст > 6 В имеют положительный
ТКН, стабилитроны с Ucr < 5 В — отрицательный ТКН, а у стабилитро
нов с напряжением стабилизации 5.. .6 В при определенных токах ТКН
стремится к нулю.
Информация, представленная на рис. 4.3, в, широко используется
при разработке параметрических стабилизаторов напряжения с целью
уменьшения их ТКН. Так, положительный ТКН стабилитронов с
U„ > 6 В, включенных в обратном направлении, можно скомпенсиро
вать, включив последовательно с ними в прямом направлении стабилит
роны, имеющие отрицательный ТКН. Так как при включении в прямом
направлении стабилитроны являются обычными р-п-переходами, то
принципиально, что для термокомпенсации могут быть использованы не
только стабилитроны, но и диоды. Комбинируя в одном корпусе последо
вательное соединение р-п-перехода, включенного в обратном направле
нии, и одного или нескольких р-п-переходов, включенных в прямом
направлении, можно получить полупроводниковые приборы с приемле
мой вольт-амперной характеристикой и ТКН, приближающимся к нулю.
По такому принципу построены отечественные прецизионные стабилит
роны типа Д818 и КС 196, где используется последовательное включение
в одном корпусе трех р-п-переходов: одного, включенного в обратном
направлении, и двух, включенных в прямом направлении.
Если требуется стабилизировать или ограничить короткие импуль
сы напряжения (длительностью от десятков наносекунд до сотен микро
секунд), то применяют специально предназначенные для этих целей ста
билитроны, например, 2С175Е, КС182Е, 2С211Е и др. Они имеют сни
женную барьерную емкость, так что общая емкость составляет от не
скольких до двух десятков пикофарад, и малую длительность переходно
го процесса (от долей до нескольких наносекунд).
В табл. 4.1 приведены характеристики некоторых отечественных
стабилитронов.
Таблица 4.1
Характеристики некоторых отечественных стабилитронов
Тип Uвых min ••• Uвых maxi Arrmin •••^стшах’ ^стЬ
стабилитрона В мА Ом
КС 133 А 3,0...3,7 3...81 65
КС139А 3,5...4,3 3...70 60
КС 147 А 4,1...5,2 3...58 56
КС156А 5,0...6,3 3...55 28
Маркировка стабилитронов выполняется аналогично маркировке

выпрямительных диодов. Маркировка стабилитронов средней и большой
мощности выполняется непосредственно на корпусе.
На рис. 4.4 показана конструкция и маркировка стабилитрона сред
ней мощности типа КС433А.
Рис. 4.4. Конструкция и маркировка стабилитрона КС433А

(размеры указаны в мм)
Маркировка предусматривает обозначение стабилитрона, направле

ние прямого тока через стабилитрон, а также приводятся другие обозна
чения, принятые изготовителем. У маломощных стабилитронов марки
ровка выполняется с помощью цветовых точек или колец, наносимых
на корпус стабилитрона, аналогично тому, как это делается у выпрями
тельных диодов. Значения цветовой маркировки можно найти либо
в справочной литературе либо в технических условиях на конкретный по
лупроводниковый прибор.
Разновидностью стабилитронов являются стабисторы, которые
также предназначены для стабилизации напряжения. Дело в том, что у
стабисторов крутизна S, определяемая соотношением S = dl/dU прямой
ветви вольт-амперной характеристики больше, чем у диодов и стабилит
ронов, включенных в диодном режиме. Стабисторы работают при прямом
падении напряжения и позволяют стабилизировать малые напряжения
(порядка 0,6...2,1 В). По основным параметрам они близки к стабилитро
нам, но включаются в цепь стабилизации в прямом направлении.
В табл. 4.2 приведены характеристики некоторых отечественных стаби
сторов.
Таблица 4.2
Характеристики некоторых отечественных стабисторов
Тип ^вых min вых max* ст min •••^сттах* ^ст Ь
стабилитрона В мА Ом
КС 107А 0,63...0,77 1...100 7
КС113А 1,17...1,43 1...100 2
КС119А 1,71...2,09 1...I00 15
Стабисторы используются для стабилизации малых напряжений

при токах стабилизации до ~100 мА, а также в качестве термокомпенси
рующих элементов.
Конструкция и маркировка стабисторов выполняются аналогично
конструкции и маркировке у стабилитронов.
4.2.2. Параметрические стабилизаторы напряжения

постоянного тока, построенные по схеме делителя напряжения
На рис. 4.5 показаны структурная и принципиальная электрическая
схемы ПСН постоянного тока, построенного по топологии делителя
напряжения.
Рис. 4.5. Схема параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока,

построенного по схеме делителя напряжения:
а — структурная схема; б — принципиальная электрическая схема
Структурная схема ПСН постоянного тока (рис. 4.5, а) состоит из

двух элементов: линейного (ЛЭ) и нелинейного (НЭ).
Функцию ЛЭ выполняет либо резистор, либо параметрический стаби
лизатор тока, а функцию НЭ выполняет либо стабилитрон, либо стабистор.
Нагрузка ПСН включается параллельно нелинейному элементу.
На рис. 4.5, б показана традиционная схема ПСН постоянного тока,
построенного по схеме делителя напряжения, у которого функцию ЛЭ
выполняет гасящий (балластный) резистор R1, а функцию НЭ— стаби
литрон VD1.
Принцип действия ПСН заключается в следующем. Пусть ПСН,
подключенный к входному напряжению Увх, работает в установившемся
режиме: через гасящий резистор R1 протекает ток /0, который и форми
рует ток /ст, протекающий через стабилитрон VD1, и ток /н, протекающий
через нагрузку RH, то есть
/о = /ст + 'н • (4.3)
Например, при увеличении входного напряжения UEX параметриче
ского стабилизатора напряжения возрастает и ток /0, потребляемый ПСН,
который согласно уравнению (4.3) равен сумме токов 4т И которые,
естественно, тоже возрастут.
Из-за нелинейности ВАХ стабилитрона даже значительному возраста
нию тока /ст, протекающего через стабилитрон, соответствует малое увели
чение напряжения Ucr на стабилитроне VD1 (рис. 4.2). Очевидно, что напря
жение Уст на стабилитроне VD1 равно выходному напряжению УВЬ|Х ПСН.
Следовательно, устройство, схема которого показана на рис. 4.5, б, выпол
няет функцию стабилизации выходного напряжения УВЬ1Х. Разность между
входным напряжением У|!Х ПСН и падением напряжения на стабилитроне
VD1, равным выходному напряжению Увых, приложена к резистору R1. Та
ким образом, к резистору R1 приложено избыточное входное напряжение по
сравнению с выходным. Поэтому резистор R1 и называют гасящим.
Для количественного определения коэффициента стабилизации
выходного напряжения по входному Ки и динамического сопротивления
Ri ПСН необходимо получить их аналитические выражения. Для этого
целесообразно рассмотреть схему ПСН, приведенную на рис. 4.6.
Рис. 4.6. С*ема для выводов расчетных соотношений определения основных

параметров ПСН постоянного тока
Изменение на dUBX входного напряжения Увх рассматриваемого
ПСН равно сумме изменений падения напряжения dUR1 на гасящем рези
сторе R1 и изменению падения напряжения dUcr на стабилитроне VD1.
Учитывая, что нагрузка йн включена параллельно стабилитрону
VD1, то dUCT = dUBblx и = УВЬ1Х. Это позволяет записать, что
dUm = dUR1 + dUBblx . (4.4)
С физической точки зрения изменение dUR1 обусловленно измене
нием dlo входного тока /0 ПСН. Поэтому можно записать
dUR1 = dl0 ■ Rr1.
С учетом выражения (4.3) последнее соотношение примет вид:
d^Ri — (dl^ + d/H) • Rr1 .
Подставляя полученное выражение для dUR1 в (4.4), имеют
сШвх = dUBblx + (dl„ + dl„) ■ Rr1 . (4.5)
Учитывая, что dICT = dU^/Rî = dUBbiX/RCTi и dIH = dUBbiX/RH,

выражение (4.5) можно записать в виде
M \ <4-6>
... _ J7J I dUBblxy _
dUBX dUBblx +1 + I Rri
t
где /?ст i — динамическое сопротивление стабилитрона VD1,

Учитывая, что в практических схемах обычно /?н~1 ООО Ом,
/?ст(~ЮОм, то 1//?ст1 » 1//?н и в выражении (4.6) можно пренебречь
слагаемым 1//?н по сравнению со слагаемым l/RCTi, то выражение (4.6)
записать в виде:
dUBX = dUBblx-(l+^-Y
\ ст i
В полученном выражении единицей в скобках можно пренебречь
по сравнению с Rri/RCtI ~Ю0, так как Rr1~1 ООО Ом. Тогда последнее
выражение принимает вид:
dUBX = dUBblx-^~. (4.7)
кст i
Теперь в соответствии с определением коэффициента стабилизации
выходного напряжения по входному Ки, определением коэффициента пе
редачи напряжения Л со входа на выход и с учетом уравнения (4.7) можно
записать, что:
„ _ dUBX dUBMX dUBX ^вых ^R1 ^вых ^Rl , o,
KU — : ~jj — ~77j 7j — n 7j ~Ъ Л■
'-'вх '-'вых "'-'вых '-'bx ''cri ''вх kct i
Полученное выражение позволяет определить коэффициент

стабилизации выходного напряжения по входному ПСН постоянного
тока.
По формуле (4.8) легко провести оценочный расчет Ки. Напри
мер, для ПСН постоянного тока, у которого коэффициент передачи
напряжения со входа на выход Л = UBblx/UBX равен 0,5, a Rr1 = 1 000 Ом
и 7?CTi = 10 Ом, значение коэффициента стабилизации выходного напря
жения по входному получается равным 50.
Надо подчеркнуть, что Ки ПСН не превышает, как правило, не
скольких десятков единиц, то есть параметрические стабилизаторы
напряжения имеют малое значение Ки. Но, несмотря на это, параметриче
ские стабилизаторы напряжения постоянного тока нашли самое широкое
применение в ИВЭ в качестве источников эталонного (опорного) напря
жения.
На первый взгляд из анализа полученной формулы (4.8) можно сде
лать вывод, что повысить Ки ПСН можно, увеличивая сопротивле
ние гасящего резистора /?1. Но это ошибочный путь повышения Ку.
Дело в том, что при увеличении номинала резистора R1 необходимо
увеличивать и входное напряжение UBX. При этом на гасящем резисторе
будет увеличиваться рассеиваемая мощность, а КПД ПСН — умень
шаться.
Повысить Ки ПСН возможно за счет выбора стабилитрона VD1 с
малым динамическим сопротивлением /?CTi. Известно, что динамическое
сопротивление стабилитрона существенно зависит как от напряжения
стабилизации, так и от тока стабилизации, то есть RCTi = f(UCT, 1^).
В процессе работы ПСН его Ки изменяется в соответствии с изменениями
UCT и /ст. Выбор типа стабилитрона, а значит, и его /?ст, осуществляется
с учетом целого ряда требований.
Динамическое сопротивление /?, параметрического стабилизатора
напряжения постоянного тока определяется по формуле (2.2).
По своему физическому смыслу R( ПСН характеризует темп из
менения выходного напряжения УВЬ|Х при вариации тока нагрузки /н.
Принимая входное напряжение UBX ПСН неизменным, можно записать,
что количественные изменения токов /ст и /н (рис. 4.6) практически
одинаковы, но одно из них увеличивается, а другое уменьшается,
то есть
dIH |с//ст|.
Подставляя полученное выражение в (2.2), можно записать
|^^вых
Ri = I dl^.
а учитывая равенство dUBblx и dU^. выражение для динамического сопро

тивления ПСН примет вид:
idf/cTl
___ ЕЕ _ р (4.9)
■, — “ст i
I u/CT I
Формула (4.9) показывает, что динамическое сопротивление пара

метрического стабилизатора напряжения постоянного тока R{ практиче
ски равно динамическому сопротивлению стабилитрона /?ст,, то есть
Ri = Rcri-
На рис. 4.7 показана схема ПСН, нелинейным элементом которого
является стабистор (например, 2С107А), который включается аналогично
диоду : анод А (+), то есть к положительной клемме входного напряжения
Увх, а катод К (-), то есть к отрицательной клемме входного напряжения
Увх-
Рис. 4.7. Включение стабистора в схему параметрического

стабилизатора напряжения постоянного тока
Стабисторы используются для стабилизации малых напряжений

при токах стабилизации до ~100 мА, а также в качестве тсрмокомпснси-
руюших элементов.
Конструкция и маркировка стабисторов выполняются аналогично
конструкции и маркировке у стабилитронов.
ИВЭ работают в условиях, когда изменяется температура Т окру
жающей их среды, а значит, и температу ра самого источники вторичного
электропитания. Как отмечалось ранее, для количественного описания
влияния теплового состояния ИВЭ или его части на выходное напряже
ние используется параметр, называемый температурным коэффициен
том напряжения у.
Для уменьшения температурного коэффициента напряжения стаби
лизации последовательно со стабилитроном включают дополнительный
диод и/или другой стабилитрон, имеющие ТКН другого знака. Количе
ство и тип дополнительных (термокомпенсирующих) полупроводнико
вых приборов выбирается из условия, чтобы суммарный ТКН был как
можно ближе к нулю.
Подобные стабилитроны называются прецизионными и обычно
имеют вид законченных полупроводниковых компонентов— например,
стабилитроны 2С191А, КС211А, КС520В и др. В прецизионных парамет
рических стабилизаторах напряжения, выполненных по интегральной или
навесной технологии, функцию гасящего резистора часто выполняет па
раметрический стабилизатор тока.
Вопросу термокомпенсации выходного напряжения в ПСН, реали
зованных в интегральном или дискретном исполнении, уделяется особое
внимание.
Наиболее просто осуществить термостабилизацию выходного
напряжения ПСН при использовании стабилитрона с положительным
ТКН. В этом случае последовательно со стабилитроном включают один,
два или более других стабилитронов и/или диодов, которые имеют отри
цательный ТКН (рис. 4.8).
t/вы X
~t/вых
Рис. 4.8. Пример схемотехнической реализации термостабилизации

выходного напряжения в параметрическом стабилизаторе напряжения
Важно помнить, что суммарный ТКН стабилитронов VD1...VD3

должен быть близок к нулю.
При таком методе термокомпенсации функцию нелинейного эле
мента ПСН выполняют несколько включенных последовательно полу
проводниковых приборов. Следовательно, динамическое сопротивление
нелинейного элемента ПСИ равно сумме динамических сопротивлений
компонентов. Учитывая, что динамическое сопротивление ПСН равно
динамическому сопротивлению нелинейного элемента, го при рассмот
ренной термокомпенсации выходного напряжения динамическое сопро
тивление ПСН увеличивается, а Ки — уменьшается. При этом и падение
напряжения на нелинейном элементе ПСН также увеличивается.
Для увеличения мощности параметрического стабилизатора
напряжения используют схему с эмиттерным повторителем (рис. 4.9).
+ ^вых
Ан
— Uвых
Рис. 4.9. Параметрический стабилизатор напряжения
с эмиттерным повторителем
Выходное напряжение классического параметрического стабили

затора /?1ИО1 приложено ко входу эмиттерного повторителя, выполнен
ного на транзисторе VT1. Повторитель не усиливает по напряжению.
Поэтому напряжение (7ВЫХ на нагрузке /?н равно Свых = UVD1 + Убэ FT1,
где Убэ УГ1 = 0,7 В — напряжение на прямо смещенном эмиттерном пе
реходе транзистора VTI.
Эмиттерный повторитель усиливает по току, поэтому ток нагрузки
1Н будет в (Р+1) раз больше тока нагрузки стабилизатора, построенного
по схеме делителя напряжения.
Однако коэффициент стабилизации выходного напряжения по
входному такой схемы не увеличивается и остается на уровне, определя
емом ПСН, построенным по схеме делителя напряжения.
Иногда возникает необходимость в мощных стабилитронах, рас
считанных на значительный ток. Например, в схемах защиты от перена
пряжений нагрузка шунтируется мощным стабилитроном, который от
крывается при недопустимом повышении напряжения на нагрузке, вызы
вая срабатывание токовой защиты устройства (в простейшем случае
это плавкий предохранитель).
На рис. 4.10 показана схема аналога мощного стабилитрона,
построенного на транзисторе с большим допустимым коллекторным
током.
Рис. 4.10. Аналог мощного стабилитрона на транзисторе
Напряжение стабилизации аналога стабилитрона обусловлено

напряжением стабилизации стабилитрона К£>1. А ток аналога стабилит
рона будет в (Р+1) раз больше тока стабилитрона VD\. При использова
нии аналога мощного стабилитрона в схемах зашиты необходимо учиты
вать, что в аварийном режиме транзистор будет рассеивать значительную
мощность и может быть поврежден.
4.2.3. Параметрические стабилизаторы тока
В соответствии с классификацией стабилизаторов напряжения и тока

(рис. 4.1) в отдельную группу выделяют параметрические стабилизаторы
тока, которые реализуются на палевых или биполярных транзисторах.
Принцип построения ПСТ достаточно прост. Транзистор, выпол
няющий роль регулирующего элемента, и нагрузка включаются последо
вательно. Следовательно, если ток через РЭ не изменяется, то и ток через
нагрузку постоянен, то есть реализуется эффект стабилизации тока.
Наиболее простые схемы параметрических стабилизаторов тока ре
ализуются (рис. 4.11) с использованием полевых транзисторов с управ
ляющим р-п-переходом (Junction Field Effect Transistor, JFET).
Рис. 4.11. Схема параметрического стабилизатора постоянного тока

на полевом транзисторе с управляющим p-n -переходом
ПСТ на полевом транзисторе представляет собой нелинейный

двухполюсник. Обратное смещение Пзи на затворе транзистора ЕЛ
относительно его истока обеспечивается током стока /с, равным току
нагрузки /н, протекающим через канал транзистора VT\, нстоковый по
тенциометр /?1 и нагрузку /?н, то есть Uw = /„•/?].
На рис. 4.11 показана электрическая схема параметрического ста
билизатора тока на полевом транзисторе с n-каналом. Сток транзистора
ИЛ подключен к положительному выводу источника входного напряже
ния ивх.
Последовательно с каналом транзистора ИЛ включен потенцио
метр 7?1, изменяя сопротивление которого плавно регулируют стабилизи
рованный ток нагрузки /н.
Полевой транзистор ИЛ и истоковый резистор 7?1 называют стаби-
литоком.
Аналогичным образом схему ПСТ можно реализовать и на полевом
транзисторе с p-каналом, поменяв местами выводы стабилитока, то есть
подключить цепь стока двухполюсника с р-канальным транзистором по
следовательно с сопротивлением нагрузки RH, а истоковый вывод двух
полюсника — к плюсу источника Увх.
Принцип действия рассматриваемого ПСТ (рис, 4.11) основан
на особенности стоковых характеристик 1С = /(Уси) полевых транзисто
ров с управляющим р-п-псрсходом (рис. 4.12).
а —условное графическое обозначение полевого транзистора

с указанием названий выводов и полярностей напряжений;
б — стоко-затворная (входная) характеристика;
в — стоковая (выходная) характеристика
Работа полевого транзистора с управляющим р-п-псрсходом

и имеющим канал n-типа (рис. 4.12, а) основана на изменении сопротив
ления канала за счет изменения размероз области, обедненной основными
носителями заряда, которое происходит под действием приложенного
к затвору относительно истока обратного напряжения Узи.
Выводы полевых транзисторов называются: сток С, исток И и за
твор 3. Запитывают транзисторы напряжением Уси.
На рис. 4.12, б показана стоко-затворпая (входная) характеристика
полевого транзистора, представляющая собой зависимость тока стока /с
от напряжения затвор-исток Узи при постоянном напряжении сток —
исток Уси, то есть
А: — /(Узи)| Uc„=const •
На рис. 4.12, в показаны стоковые (выходные) характеристики

полевого транзистора, представляющие собой зависимость тока стока /с
от напряжения сток — исток иси при постоянном напряжении затвор-
исток 11зи, то есть
4 /(^си) | U3U=const ■
На рис. 4.12, б показано максимальное напряжение Узи тах полево

го транзистора, то есть напряжение между затвором и истоком, при кото
ром ток стока /с становится равным нулю.
На рис. 4.12, в отмечены три характерных области: I— крутая об
ласть; II — пологая область; III — область пробоя.
Рабочая точка полевого транзистора ПСТ находится на пологой об
ласти, которая реализует режим, при котором с увеличением напряжения
сток — исток 11си ток стока /с изменяется незначительно. Ток стока при
заданном напряжении затвор-исток U3H определяют по формуле
/с = /снач-(1-77^-) - <41°)
' ^зи max'
где /снач — начальный ток стока, под которым понимают ток при Узи = 0.
Учитывая, что управление полевым транзистором осуществляется
напряжением между его затвором и истоком Узи, то для количественной
оценки управляющего воздействия 1/зи на величину тока стока /с исполь
зуют понятие крутизны стоко-затворной характеристики S при постоян
ном напряжении сток — исток UCH
dlc
(4.11)
dt/3H Um=const
Учитывая зависимость тока стока от напряжения затвор-исток
(4.10), формулу (4.11) можно записать как
При U3K = 0 полученное выражение представляет собой начальную

крутизну 5нач:
с 2 • 'снач
/
•^нач=-7)------- ■ (4.13)
изи отс
С учетом формулы (4.13) выражение (4.12) для крутизны стоко
затворной характеристики S можно записать в виде
5 = 5нач-(1--^-). (4.14)
' ^зи отс'
Полученное выражение иллюстрирует факт, что крутизна характе
ристики полевого транзистора уменьшается при увеличении напряжения
затвор-исток.
Полевые транзисторы обладают слабой зависимостью тока стока /с
от напряжения сток — исток Уси (рис. 4.12, в). Такая зависимость сохра
няется и при соединении затвора с истоком. При этом трехполюс
ный транзистор превращается в токостабилизирующий двухполюс
ник, который включают последовательно с нагрузкой для стабилизации
тока в нагрузке. Для регулирования величины 1С в ПСТ включают рези
стор Й1 (потенциометр). Изменяя положение движка потенциометра, ре
гулируют требуемый ток стабилизации. При этом падение напряжения
между затвором транзистора VT1 и движком потенциометра /?1 выпол
няет функцию смещения.
Как видно из схемы ПСТ (рис. 4.12), при увеличении тока
ки /н увеличивается и падение напряжения на резисторе R1, которое и
формирует напряжение изи. А при увеличении Узи ток стока /с, а значит,
и ток нагрузки /„ уменьшаются. Следовательно, резистор в цепи истока
создает обратную отрицательную связь по току.
Соотношение для определения сопротивления резистора R1, вклю
чаемого в цепь истока полевого транзистора, можно получить из выра
У
жения (4.10). С учетом того, что (/зи = /с • /?К1, выражение (4.10) примет
вид:
1с = /1с нач Iх гг
' ^зи max
или
k ' Rri
нач Цзи max

\
Из полученного выражения можно записать
(4.15)
Если в параметрическом стабилизаторе напряжения постоянного
тока гасящий резистор R1 заменить стабилитоком, то основные парамет
ры ПСН (рис. 4.13) значительно улучшатся.
вых
R»
~ Uвых
Рис. 4.13. Принципиальная электрическая схеча параметрического стабилизатора

напряжения со стабилитоком вместо гасящего резистора
Увеличение входного напряжения Увх или уменьшение сопротив

ления нагрузки /?н приводит к увеличению падения напряжения на рези
сторе 7?1 и росту запирающего смещения на затворе (7ЗИ, что приводит
к уменьшению тока стока /с и возвращению тока нагрузки /н к первона
чальному значению. Горизонтальные участки выходной ВАХ
(рис. 4.12, в) показывают постоянство тока стока 1С при изменении в ши
роком диапазоне напряжения на канале UCH.
Параметрический стабилизатор тока на биполярном транзисторе
реализует принцип работы несколько отличающийся от рассмотренного.
Принципиальная электрическая схема ПСТ на биполярном транзисторе
показана на рис. 4.14.
вых
^вых
Рис. 4.14. Принципиальная электрическая схема параметрического стабилизатора

тока, построенного на биполярном транзисторе
Параметрический стабилизатор напряжения (стабилитрон ГО1
и резистор R2) стабилизирует напряжение между точками схемы 1
и 2 на уровне, соответствующем напряжению стабилизации стабилит
рона UVd\. Это стабилизированное напряжение обеспечивает неизмен
ность тока эмиттера /э р-п-р-транзистора VT\, определяемого по фор
муле:
, _ ^VDl ~ ^эб VT1
э~ Ri
где U36vti— напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе,

которое для кремниевых транзисторов составляет 0,6.. .0,7 В.
Ток коллектора IkVT1 транзистора ИТ1 определяется разностью тока
эмиттера /э и тока базы /б, то есть 1куп = Ц ~ ^б- Учитывая, что ток базы
/б составляет незначительную долю от тока эмиттера 1Э, то есть /б « 1Э, то
можно утверждать, что при стабильном токе эмиттера будет стабильным
и ток коллектора и, соответственно, ток нагрузки /н.
Иногда для повышения коэффициента стабилизации выходно
го напряжения по входному Ки вместо гасяшего резистора в пара
метрическом стабилизаторе напряжения применяют параметриче
ский стабилизатор тока, построенный на биполярном транзисторе
(рис. 4.15).
По своим характеристикам схемы, показанные на рис. 4.13 и
рис. 4.15, приблизительно равноценны. Использование биполярного тран
зистора вместо полевого иногда предпочтительнее. Даже по той причине,
что ассортимент биполярных транзисторов шире, чем полевых.
Рис. 4.15. Принципиальная электрическая схема ПСН,

у которого ф. нкцию гасящего резистора выполняет ПСТ,
построенный на биполярном транзисторе
4.2.4. Параметрические стабилизаторы напряжения
постоянного тока, построенные по мостовой схеме
Топология параметрического стабилизатора напряжения постоян
ного тока, построенного по мостовой схеме, показана на рис. 4.16.
Рассматриваемый ПСН построен по мостовой схеме и состоит из
параметрического стабилизатора напряжения реализованного по
схеме делителя напряжения, и резистивного делителя входного напряже
ния R2R3. Причем ПСН и делитель напряжения питаются от одного ис
точника энергии.
вых
-ивых
Рис. 4.16. Принципиальная электрическая схема ПСН,
настроенного по мостовой схеме
Входное напряжение Пвх ПСН обеспечивает протекание токов по

двум цепям. По первой цепи (+УВХ) — /?1 — VD1 — (—UBX) протекает
ток /ст. А по второй цепи (+УВХ) — R2 — R3 — (—UBX) протекает ток
Асомп •
Согласно закону Ома можно записать, что ток lVD1, протекающий
по первой цепи, равен
^вх
'1/01 “ п , R
К1 + KVD1
Тогда падение напряжения UVD1 на стабилитроне VD1 равно
Uvdi = п , р Rvdi • (4.16)

Л1 "Г KVD1
Аналогично, ток /кз, протекающий по второй цепи, равен
R3 R2 + R3'
Тогда падение напряжения UR3 на резисторе R3, часто называемом
компенсирующим резистором, равно
(4.17)
Полярность напряжений на UVD1 UR3 показана на рис. 4.16. Иногда

говорят, что напряжения UVD1 и UR3 включены встречно. Нагрузка /?„
в ПСН, построенном по мостовой схеме, включена параллельно последо
вательно включенным стабилитрону VD1 и резистору R3. Поэтому
выходное напряжение Увых ПСН равно разности падения напряжения
UVDi на стабилитроне VD1 и падения напряжения Укз на резисторе R3,
то есть
^вых — UvDl ~ ^R3 • (4.18)

Полученное выражение показывает, что, например, при увеличении
UBX увеличиваются токи, протекающие через стабилитрон VD1 и резистор
R3, а значит, увеличиваются падение напряжения UVD1 на стабилитроне
VD1 и падение напряжения UR3 на резисторе R3. Согласно выражению
(4.18) выходное напряжение УВЬ1Х остается неизменным, если вариации
UVD1 и ^R3 одинаковы.
Таким образом, в мостовых схемах ПСН постоянного тока реализу
ется принцип компенсации изменения напряжения стабилизации стаби
литрона при изменении входного напряжения за счет противофазного
изменения падения напряжения на компенсирующем резисторе (выраже
ние (4.18)).
В соответствии с определением коэффициента стабилизации вы
ходного напряжения по входному (2.5) для ПСН, построенного на рези
сторе R1 и стабилитроне VD1, можно записать
Дифференцируя выражение (4.16), получают
(4.19)
Учитывая, что в реальных условиях эксплуатации ПСН сопротив

ление гасящего резистора Rl~l ООО Ом, а динамическое сопротивление
стабилитрона /?уО1~10 Ом, то есть RVD1 « R1. Тогда выражение (4.19)
можно упростить и записать в следующем виде:
dUVD1=^-dUax.
(4.20)
Ki
Дифференцируя выражение (4.17), получают
сШвх
dUR3 = ——■ R3. (4.21)
R3 R2 + R3
При реализации мостовой схемы ПСН сопротивления резисторов

R2 и R3 выбирают примерно равными сопротивлениям гасящего резисто
ра /?1 и стабилитрона RVDi соответственно. В этом случае R3 « R2, что
позволяет упростить выражение (4.21), записав его в виде
R3
dUR3 — dUвх • (4.22)
R2
Согласно выражению (4.18) изменение выходного напряжения
dUabtx определяется соотношением
dUBblx — dUVD1 — dUR3 .

Полученное уравнение с учетом выражений (4.20) и (4.22) можно
записать в виде
'^VPI
w
1
ВЫХ
rJ
Из полученного выражения следует, что при выполнении условия
rvdi _
(4.24)
^1 R2
изменение выходного напряжения ПСН при вариации входного напряже

ния близко к нулю.
Выражение для Ки с учетом соотношения (4.23) может быть запи
сано в виде
dUBX = 1
dUBbK Rvoi Rz (4.25)
R1 R2
Из выражения (4.25) следует, что при выполнении условия (4.24)
Ки -> со.
Таким образом, коэффициент стабилизации выходного напряжения
по входному Ки ПСН, построенного по мостовой схеме, существенно
выше Ки ПСН, построенного по схеме делителя напряжения.
Динамическое сопротивление /?, ПСН определяется по формуле (2.2).
Полезно сравнить динамическое сопротивление Г1СН, построенного
по мостовой схеме, с динамическим сопротивлением ПСН, построенного
по схеме делителя напряжения.
Пусть ток нагрузки /н ПСН, построенного по мостовой схеме, уве
личился. Тогда ток lVDi, протекающий через стабилитрон VD1, умень
шится, что приведет к уменьшению напряжения стабилизации UVD1 (см.
ВАХ стабилитрона).
При этом ток 1R3, протекающий через компенсирующий резис
тор R3, увеличится, что приведет к увеличению падения напряжения
на резисторе /?3. Общее изменение выходного напряжения равно сумме
изменений напряжении на стабилитроне VD1 и компенсирующем рези
сторе R3.
Следовательно, ПСН, построенный по мостовой схеме, имеет
большее динамическое сопротивление Rt, чем ПСН, построенный по схе
ме делителя напряжения, у которого изменение выходного напряжения,
вызванное изменением тока нагрузки /н, равно лишь изменению падения
напряжения на стабилитроне.
Надо отметить, что реально удается повысить стабильность мосто
вых ПСН по сравнению со стабильностью ПСН, построенных по схеме
делителя напряжения, в пять раз. Однако при этом существенно увеличи
вается и динамическое сопротивление ПСН, а КПД — значительно
уменьшается.
Схему мостового ПСН (рис. 4.16) практически невозможно приме
нить для стабилизации низковольтных напряжений (~1 В). Для этих це
лей вполне можно использовать модифицированную схему мостового
ПСН, показанную на рис. 4.17.
Рис. 4.17. Принципиальная электрическая схема модифицированного мостового ПСН
Схема модифицированного мостового ПСН фактически представ

ляет собой два ПСН, построенных по схеме делителя напряжения, вклю
ченных встречно и работающих на одну нагрузку.
В этом устройстве УВЬ1Х = UVD1 — UVD2- Подбирая стабилитроны
с соответствующими напряжениями стабилизации, реализуют стабилиза
цию низковольтных напряжений.
§ 4.3. Стабилитронные интегральные микросхемы

При построении, например, компенсационных стабилизаторов
напряжения и тока, аналогово-цифровых преобразователей, неотъемле
мой их компонентой являются источники опорного (эталонного) напря
жения (ИОН).
От ИОН часто требуется повышенная температурная стабильность,
которую не может обеспечить дискретный стабилитрон. Для решения по
добных задач были разработаны стабилитронные интегральные микро
схемы (СИМС). Обычно они имеют два или три вывода и конструктивно
выполнены как обычный стабилитрон, но являются существенно более
сложными в схемотехническом плане устройствами, содержащими кроме
собственно стабилитрона дополнительно целый ряд активных и пассив
ных элсктрорадиоэлсмснтов, служащих для улучшения электрических
параметров и характеристик, в первую очередь постоянства напряжения
стабилизации при заданном токе.
Все СИМС можно разделить на три группы: температурно-ком
пенсированные; температурно-стабилизированные и прецизионные опор
ные источники с напряжением запрещенной зоны (bandgap ИОН).
Температурно-компенсированные СИМС характеризуются сверх
малым температурным коэффициентом напряжения. Конструктивно
они оформлены как стабилитроны, имеют всего два вывода, но схемо
технически достаточно сложны. В качестве примера можно назвать оте
чественную ИМС 1009ЕН1 (аналог ТАА550). Она состоит из трех
групп симметричных транзисторов. Каждая группа рассчитана на стаби
лизацию напряжения около 10 В. Микросхема предназначена для питания
варикапов в устройствах настройки телевизоров и радиоприемников,
имеет ТКН, равный 0,006 %/К, содержит 9 транзисторов и 7 резисто
ров, обеспечивает напряжение стабилизации 31...35 В при токе стабили
зации 5 мА.
Еще меньшие значения ТКН (до 0,00005 %/К) достигаются в темпе
ратурно-стабилизированных источниках опорного напряжения, напри
мер, LM199 фирмы National Semiconductor. СИМС содержит интеграль
ный стабилитрон с прецизионным термостатом, который обеспечивает
постоянную температуру кристалла интегрального стабилитрона. Датчик
температуры использует температурную зависимость перехода «база —
эмиттер» транзистора.
Прецизионные стабилитронные интегральные микросхемы являют
ся наиболее точными и стабильными из всех производимых типов ИОН.
Однако они дороги, имеют повышенное энергопотребление и малопри
годны для использования в низковольтных устройствах.
Описанные выше источники опорного напряжения предназначены
для получения фиксированного стабилизированного напряжения.
В тех случаях, когда необходимо регулировать величину опорного
напряжения, используют регулируемый интегральный стабилитрон типа
КР142ЕН19.
1. На какое примерное напряжение стабилизации рассчитаны стабилит

роны КС 133 и КС 156?
2. Какими основными параметрами характеризуются стабилитро
ны?
3. Для стабилитрона с положительным ТКН необходимо осуществить
термокомпенсацию его напряжения стабилизации с помощью двух
диодов. Нарисуйте схему параметрического стабилизатора напряже
ния, построенного по схеме делителя напряжения, с такой термоком
пенсацией.
4. Почему КПД параметрического стабилизатора напряжения, построен
ного по мостовой схеме, значительно меньше, чем у ПСН, построен
ного по схеме делителя напряжения?
5. Почему динамическое сопротивление мостового ПСН больше, чем
традиционного ПСН?
6. Почему Ки мостового ПСН больше, чем Ки традиционного ПСН?
7. Какую функцию выполняет стабилизатор тока на биполярном транзи
сторе в ПСН, построенном по схеме, приведенной на рис. 4.15?
8. Сколько ПСН показано на рис. 4.15?
9. Как количественно отличаются динамическое сопротивление
ПСН и динамическое сопротивление использованного стабилит
рона?
10. Если включить последовательно два ПСН, построенных по схеме де
лителя напряжения, то как оценить суммарный коэффициент стабили
зации и динамическое сопротивление такого стабилизатора?
11. Если включить последовательно два ПСН, построенных по схеме де
лителя напряжения, то можно ли использовать в обоих каскадах одно
типные стабилитроны?
12. По какой схеме можно построить ПСН для стабилизации низковольт
ных напряжений (~1 В)?
13. В чем состоит различие ВАХ стабисторов и диодов?
14. Можно ли использовать диоды для термокомпенсации напряжения
стабилизации стабилитронами с напряжением стабилизации, мень
шим 5 В?
15. Какими параметрами определяется коэффициент стабилизации вы
ходного напряжения по входному в ПСН?
16. У ПСН Ки достаточно мал (~10 ... 50), а динамическое сопротивление
велико (~2 ... 100 Ом). Но почему ПСН все-таки широко используют
ся в ИВЭ?
ГЛАВА 5.
КОМПЕНСАЦИОННЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
ПОСТОЯННОГО ТОКА С НЕПРЕРЫВНЫМ РЕГУЛИРОВАНИЕМ
Компенсационные стабилизаторы напряжения постоянного тока

с непрерывным регулированием (линейные стабилизаторы напряжения)
являются наиболее распространенными устройствами источников вто
ричного электропитания. КСН с HP строятся как на дискретных компо
нентах, так и в интегральном исполнении. КСН с HP представляют собой
систему автоматического регулирования, содержащую регулирующий
элемент и цепь отрицательной обратной связи. Стабилизация напряжения
в рассматриваемых устройствах осуществляется соответствующим изме
нением параметров регулирующего элемента при воздействии на него
сигнала обратной связи.
Компенсационные стабилизаторы напряжения постоянного тока
с непрерывным регулированием фактически представляют собой одно
тактные регулируемые преобразователи напряжения постоянного тока
(DC/DC-преобразователи) с гальванической связью входа и выхода, охва
ченные контуром отрицательной обратной связи.
§5.1. Элементная база стабилизаторов напряжения и тока
В ИВЭ исторически широко используются транзисторы. Они приме

няются для усиления мощности сигналов, а также используются в устрой
ствах, обеспечивающих генерацию сигналов прямоугольной и синусои
дальной формы. Транзистор является нелинейным усилительным прибо
ром, поэтому для схемотехнического анализа процессов в радиоэлектрон
ных устройствах используется достаточно большое число параметров
транзистора. Выбор транзистора для решения конкретной задачи является
достаточно ответственным шагом. Поэтому крайне важно уметь правильно
оценить основные параметры выбранного транзистора относительно тре
бований, предъявляемых к разрабатываемому устройству в целом.
В зависимости от принципа действия и конструктивных призна
ков транзисторы подразделяются на два больших типа: биполярные и по
левые.
После появления первых биполярных транзисторов (50-е годы
прошлого века) за прошедшие десятилетия было разработано множество
разновидностей и технологий производства транзисторов, позволяющих
получать приборы с самыми разнообразными свойствами и параметрами,
а технологии производства полевых транзисторов зачастую даже превос-
ходят аналогичные технологии, необходимые для производства биполяр
ных приборов.
Биполярные транзисторы (международный термин — BJT, Bipolar
Junction Transistor) представляют собой токоуправляемые устройства, чья
проводимость тока основывается одновременно на основных и на неос
новных носителях заряда (поэтому транзистор и называется биполяр
ным). Одна разновидность БТ использует в качестве основного носителя
заряда отрицательные частицы — электроны (транзистор типа п-р-п).
В другой разновидности БТ основными носителями заряда являются по
ложительно заряженные частицы — дырки (транзистор типа р-п-р).
Униполярные транзисторы, которые также называют полевыми
(международный термин— FET, Field Effect Transistor), представляют
собой устройства, управляемые напряжением, приложенным между
управляющим электродом и затвором. Поскольку проводимость тока обу
словлена лишь одним видом заряда, полевой транзистор может быть либо
n-канальным, либо р-канальным.
Также полевые транзисторы делятся на транзисторы с р-п-перехо-
дом (JFET — Junction Field Effect Transistor) и с изолированным затвором
(MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
На принципиальных электрических схемах транзисторы обознача
ются символом УТ.
На рис. 5.1 приведены условные графические обозначения транзи
сторов, которые наиболее часто используются в ИВЭ. Современная
промышленность предлагает достаточно широкий набор типов транзи
сторов.
На схемах биполярные транзисторы обозначают так, как показано
на рис. 5.1, а -в. Короткая черточка с линией-выводом от середины сим
волизирует базу (Б), две наклонные линии, проведенные к ней под углом
60°, — эмиттер (Э) и коллектор (К). Об электропроводности базы судят
по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (рис. 5.1, а),
то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база —
типа п (транзистор типа р-п-р); если же стрелка направлена в противопо
ложную сторону (рис. 5.1,6, в), то электропроводность эмиттера и ба
зы — обратная (транзистор, соответственно, п-р-п типа). Поскольку элек
тропроводность коллектора та же, что и эмиттера, то стрелку на символе
коллектора не изображают. Знать электропроводность эмиттера, базы
и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключать транзи
стор в соответствующую схему.
УГО полевых транзисторов с р-п-переходом и каналом p-типа пока
зано на рис. 5.1,6, а полевых транзисторов с р-п-переходом и каналом
п-типа - на рис. 5.1, е.
Полевые транзисторы называются так потому, что управление то
ком в выходной цепи транзистора (канала) осуществляется электри
ческим полем во входной цепи. ПТ обладают большим входным сопро
тивлением и, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в ка
нал приходят основные носители заряда, называется истоком (И)
(рис. 5.1,.ж-к). Вывод, к которому носители заряда приходят из канала,
называется стоком (С). Вывод, на который подается управляющее
напряжение относительно истока или стока, называется затвором (3).
Рис. 5.1. Классификация основных типов транзисторов и их обозначение на схемах:

а — биполярный р-п-р-транзистор в корпусе;
б — биполярный п-р-п -транзистор в корпусе;
в — бескорпусной биполярный п-р-п -транзистор;
г — комбинированный биполярно-полевой транзистор (IGBT);
д — полевой транзистор с р-п -переходом и каналом р-типа;
е — полевой транзистор с р-п -переходом и каналом п-типа;
ж — полевой транзистор с изолированным затвором и каналом п-типа;
3 — полевой транзистор с изолированным затвором и каналом р-типа;
и — полевой транзистор с изолированным затвором и с встроенным п-каналом;
к — полевой транзистор с изолированным затвором и с встроенным р-каналом
В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиаль

ных электрических схемах стрелка направлена к каналу п-типа, или от
канала р-типа.
В полевых транзисторах с изолированным затвором затвор отделен
от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых
приборах обычно используется двуокись кремния. Эти транзисторы обо
значают аббревиатурой МОП (металл-окисел-полупроводник) и МДП
(металл-диэлектрик-полупроводник). В англоязычной литературе их
обычно обозначают аббревиатурой MOSFET.
В свою очередь, полевые транзисторы с изолированным затвором
делятся на:
• транзисторы с встроенным (собственным) каналом (транзистор
обедненного типа), когда канал, соединяющий исток и сток, су
ществует и до подачи напряжения на затвор;
• транзисторы с индуцированным каналом (транзистор обогащен
ного типа): указанный выше канал отсутствует.
Встроенный канал обозначается сплошной линией, а индуцирован
ный (наведенный электрическим полем) — пунктиром.
5.1.1. Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор (чаще — просто транзистор) состоит из
трех областей: эмиттера, базы и коллектора, образованных тремя череду
ющимися слоями с разными типами электропроводности. Перенос заряда
осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками
(биполярный — двуполярный). Эти три слоя образуют два близко распо
ложенных р-п-перехода. В зависимости от типа проводимости этих обла
стей, выделяют п-p-n- и р-п-р-транзисторы. Обычно область коллектора
шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупро
водника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень
тонкой. Поскольку площадь контакта «эмиттер — база» (ЭБ) получается
значительно меньше площади контакта «база — коллектор» (БК), то по
менять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности под
ключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметрич
ным устройствам.
Среди силовых транзисторов предпочтение отдается п-р-п-транзис-
торам, обладающими лучшими характеристиками. В обоих типах транзи
сторов физические процессы аналогичны, они различаются только типом
инжектируемых и собираемых носителей и имеют одинаково широкое
применение. Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на
транзисторе типа п-p-n (рис. 5.2), для р-п-р принцип аналогичный, только
рассматриваются не электроны, а дырки.
Транзистор имеет два р-п-перехода. В активном режиме работы пе
реход ЭБ подключен с прямым смещением (потенциал минус на эмиттере
относительно базы), а переход БК — с обратным (потенциал плюс на
коллекторе относительно базы). При прямо смещенном переходе ЭБ
электроны с эмиттерпой области легко перемещаются в область базы
(происходит инжекция носителей). В области базы (полупроводник
p-типа) электроны являются неосновными носителями. При тонкой базе
значительная часть электронов успевает переместиться к переходу «ба
за— коллектор», где увлекаются электрическим полем коллектора. Кол
лекторный переход смещен в обратном направлении и обеспечивает сбор
неосновных носителей, инжектированных эмиттерным переходом в об
ласть базы. Обязательное условие: база, занимающая средний слой струк
туры, должна иметь достаточно малую толщину для возможности
возникновения транзисторного эффекта, чтобы инжектированные носите
ли не успели рекомбинировать в области базы.
Упрощенные структуры плоскостных транзисторов показаны
на рис. 5.2, где ЭП и КП — р-п-переходы, Э — эмиттер, К — коллектор,
Б — база, /э — ток эмиттера транзистора, 1К — ток коллектора транзисто
ра, /б — ток базы транзистора.
Рис. 5.2. Структура и условное графическое обозначение биполярного транзистора:

а — п-р-п -типа; б — р-п -р-типа
Коллекторный ток /к почти равен току эмиттера /э, исключая поте

ри при рекомбинации в базе, которая и формирует ток базы /б. Для тран
зистора справедлива формула:
/к = /э-/б- (5-1)
При малом изменении тока /э или /б (управляющий сигнал) пропор
ционально изменяется ток коллектора /к (выходной сигнал). Именно так
происходит усиление сигнала в биполярном транзисторе.
Кристалл транзистора герметизируется в корпус, который для мощ
ных транзисторов имеет поверхность, обеспечивающую тепловой контакт
с внешним теплоотводящим радиатором или тепловой трубой.
Условное графическое обозначение транзисторов в зависимости от
последовательности чередования слоев полупроводника р-п-р или п-р-п
показано на рис. 5.2.
В зависимости от типа электропроводности наружных слоев разли
чают транзисторы р-п-р- и п-р-п-типов. Принцип действия транзисторов
обоих типов идентичен. Отличие заключается в противоположности
направлений протекания токов и полярности приложенных напряжений.
Далее анализируются устройства, выполненные в основном па биполяр
ных транзисторах п-р-п-типа.
На рис. 5.3 показана полярность напряжения на электродах
и направление токов через биполярные транзисторы для структур
р-п-р- и п-р-п-типа. Условное графическое обозначение транзисторов
в зависимости от последовательности чередования слоев полупроводника
р-п-р или п-р-п показано на рис. 5.2, а и б.
(-) А
о——
А
U*
\ /-- ?
VT\ JK (+)
и*
•>О(+)<
б)
Рис. 5.3. Полярность напряжения на электродах и направление токов
через транзистор: а — р-п-р-типа; б — п-р-п -типа
В зависимости от типа электропроводности наружных слоев разли

чают транзисторы p-n-p-типа и n-p-n-типа. Принцип действия транзисто
ров обоих типов идентичен.
При малом изменении тока /э или /б — обычно это управляющий
сигнал, пропорционально изменяется и ток коллектора 1К (выходной сиг
нал). Именно гак происходит усиленЩ сигнала в биполярном транзисторе.
В транзисторе типа п-р-п основные носители заряда в эмиттере
(электроны) проходят через прямо смещенный переход эмиттер-база (ин
жектируются) в область базы. Малая часть этих электронов рекомбини
рует с основными носителями заряда в базе (дырками), образуя ток базы
/б. Большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффунди
рует в область коллектора, захватывается сильным электрическим полем
обратно смещенного коллекторного перехода и достигает коллекторного
электрода. Ток коллектора /к, таким образом, практически равен току
эмиттера /э, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе,
то есть
А = А + /к . (5.2)
Коэффициент передачи по току а, связывающий ток эмиттера и ток
коллектора, равен
а = /к//э (5.3)
и называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное зна
чение коэффициента а равно 0,90...0,99 и, конечно, всегда меньше еди
ницы. Чем больше коэффициент а, тем эффективней транзистор передает
ток на выход.
При включении транзистора по схеме с ОЭ, параметром, связыва
ющим выходной сигнал 1К со входным /б, является коэффициент переда
чи по току р, определяемый по формуле:
(5.4)
Подставив значение тока /э из выражения (5.2) в формулу (5.3) и раз

делив числитель и знаменатель на /б, получают следующее выражение:
(5.5)
А из этой формулы следует, что параметры р и а имеют одну и ту

же природу, только разную форму представления, то есть
Ток коллектора пропорционален управляющему току /э (в схеме

с ОБ) и току /б (в схеме с ОЭ). Поэтому в широком диапазоне параметры
а и р являются константами для данного транзистора. А так как в схеме
с ОЭ Р» 1, то малый ток базы управляет значительно большим током
коллектора.
Если а всегда меньше единицы, то параметр р всегда больше единицы
(типовое значение от 10 до 300). В редких случаях (у очень широкополос
ных транзисторов) Р может быть меньше (порядка 2...5), или больше (у спе
циальных низковольтных супсрбстатранзисторов— 5 000... 10 000). Таким
образом, биполярный транзистор, управляемый базовым током, является
более эффективным регулятором коллекторного тока.
При различной технологии изготовления транзисторов концентра
ция примесей в его базе может быть распределена равномерно или нерав
номерно. При равномерном распределении концентрации примесей внут
реннее электрическое поле отсутствует и неосновные носители заряда,
попавшие в базу, движутся в ней вследствие процесса диффузии. Такие
транзисторы называют диффузионными, или бездрейфовыми.
Понятие «диффузионный транзистор» отражает основные процессы,
происходящие в его базе, поэтому процесс его изготовления не следует пу
тать с технологическим процессом получения обычных р-п-переходов.
При неравномерном распределении концентрации примесей в базе
имеется внутреннее электрическое поле (при сохранении в целом элек
тронейтральности базы), и неосновные носители заряда движутся в ней
в результате дрейфа и диффузии, причем дрейф играет доминирующую
роль. Такие транзисторы называют дрейфовыми.
Технология изготовления дрейфовых транзисторов сложнее и до
роже, но время пролета носителями промежутка «база — коллектор»
раз в 5-6 меньше, чем у диффузионных, что сказывается на быстродей
ствии. Дрейфовые транзисторы более высокочастотные, чем диффу
зионные.
При изготовлении транзисторов эмиттер и коллектор выполняют
низкоомными (единицы Ом), а базу — относительно высокоомной (де
сятки — сотни Ом). При этом удельное сопротивление области эмиттера
несколько меньше, чем области коллектора.
В соответствии с симметричной структурой типов проводимостей
биполярного транзистора, показанной на рис. 5.2, эмиттерный и коллек
торный слои внешне идентичны, но конструктивно и технологически они
существенно различаются:
• для повышения допустимого коллекторного напряжения коллек
торный слой легируется слабо;
• площадь перехода «коллектор — база» значительно больше пло
щади перехода «база — эмиттер», что увеличивает вероятность
захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает ко
эффициент передачи;
• переход «коллектор — база» обычно включен с обратным сме
щением, и на нем выделяется основная доля тепла, рассеиваемого
прибором. Повышение его площади способствует лучшему
охлаждению кристалла;
• для обеспечения эффективной инжекции неосновных носителей
в базовый слой эмиттерный слой сильно легирован. Это увеличи
вает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Ве
личина допустимого обратного напряжения эмиттерного перехо
да не критична, так как обычно в электронных схемах транзисто
ры работают с прямо смещенным эмиттерным переходом;
• слой базы, расположенный между эмиттерным и коллекторным
слоями, слабо легирован, так как должен иметь большое электри
ческое сопротивление.
На практике биполярный транзистор является несимметричным
устройством с вполне определенной полярностью напряжения на элек
тродах. Тем не менее в некоторых случаях возможно инверсное включе
ние транзистора. Режим работы транзистора, при котором коллекторный
переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный — в обратном,
называется инверсным. В инверсном режиме работы коллекторный пере
ход, выполняющий роль эмиттерного, включают в прямом направлении,
а эмиттерный переход, выполняющий роль коллекторного, — в обрат
ном направлении.
Как в прямом, так и инверсном включении транзистор может нахо
диться:
• в режиме отсечки, когда оба перехода (эмиттерный и коллектор
ный) обратно смещены (заперты). Эмиттерный и коллекторный
ток через транзистор пренебрежимо малы: 1К = /э = 0. Напряже
ние между коллектором и эмиттером UK3 практически равно
напряжению коллекторного источника питания Еп ;
• в режиме насыщения, когда оба перехода (эмиттерный и коллек
торный) прямо смещены (открыты). Эмиттерный и коллекторный
ток 1ктах через транзистор максимален и определяется парамет
рами внешней электрической цепи /к тах — Еп /RK, где RK — со
противление в цепи коллектора. Остаточное напряжение Уост
между коллектором и эмиттером в режиме насыщения мини
мальное и практически нс зависит от тока транзистора /к. В пря
мом включении остаточное напряжение Uocr — UK3min состав
ляет 0,2...0,4 В. А при инверсном включении Uocr существенно
меньше и составляет 1...5 мВ;
• в активном (линейном) режиме, когда эмиттерный переход пря
мо смещен, а коллекторный — обратно смещен. Поэтому часто
такой режим называют основным, или нормальным. При этом ток
через транзистор 1К практически линейно зависит от управляю
щего тока:
о для схемы с общим эмиттером управляющим током является
ток базы /g, то есть 1К = (3 • 1&, где (3 ~ 10...200 — коэффи
циент передачи по току в схеме с ОЭ. В справочниках коэф
фициент (3 обозначается как /г21Э;
о для схемы с общей базой управляющим током является ток
эмиттера 1К, то есть 1К - а ■ /э, где а ~ 0,90... 0,99— коэф
фициент передачи по току в схеме с ОБ.
В линейном режиме при прямом включении транзистора коэффи
циенты аир оптимизированы для эффективного усиления сигналов
с минимальными искажениями. Именно в активном режиме транзи
стор наилучшим образом проявляет свои усилительные свойства;
• инверсный режим полностью противоположен активному режи
му, то есть коллекторный переход прямо смещен и выполняет
функции эмиттера, то есть инжектирует неосновные носители в
базу. А эмиттерный переход обратно смещен, выполняет функ
ции сбора носителей заряда, то есть функции коллектора. В таком
режиме транзистор также может использоваться для усиления.
Однако из-за конструктивных различий между областями кол
лектора и эмиттера усилительные свойства транзистора в инверс
ном режиме проявляются гораздо хуже, чем в режиме активном.
Поэтому на практике инверсный режим используется крайне
редко. Интересной особенностью этого режима является малое
остаточное напряжение между коллектором и эмиттером Уост,
составляющее единицы мВ.
Режимы насыщения и отсечки играют важнейшую роль в работе
силовых ключей импульсных источников вторичного электропитания из-
за малой рассеиваемой мощности при выключенном и открытом силовом
ключе.
Транзисторы в активном режиме обычно используются в усилите
лях и линейных стабилизаторах напряжения и тока. При работе транзи
стора в импульсном режиме транзистор в активном режиме находится
чрезвычайно короткое время лишь в момент переключения. И хотя это
время не велико, составляет единицы микросекунд, но эффект значите
лен. Именно в этот момент на транзисторе выделяется и рассеивается
в виде тепла значительная мощность.
В инверсном режиме транзистор используется достаточно редко.
Иллюстрацией практического использования инверсного режима являет
ся коммутатор аналоговых сигналов на биполярных транзисторах
(рис. 5.4, а), когда ключ S1, управляемый логическим сигналом Уупр,
замыкает и размыкает цепь знакопеременного аналогового сигнала
Увх/^вых, и такой фактор, как малое остаточное напряжение между кол
лектором и эмиттером, является определяющим.
а — структура; б— схема включения ИМС К101 КТ /
Обычные схемы включения биполярных транзисторов (прямое

включение) мало пригодны для коммутации аналоговых сигналов, так как
на насыщенном транзисторе имеется достаточно большое остаточное
напряжение (насыщения) порядка Уост, равное 0,2 В, которое накладыва
ется на выходной сигнал. При этом напряжение смещения сигнала (сиг
нал ошибки) нестабильно и зависит от температуры, тока сигнала, раз
броса параметров транзистора.
Для инверсного включения транзистора характерно малое остаточ
ное напряжение U0CT между коллектором и эмиттером, составляющее
единицы мВ, против зеличины Уост в режиме прямого включения, со
ставляющей сотни мВ (0,2 В). С использованием инверсного режима вы
полнены интегральные аналоговые коммутаторы на биполярных транзи
сторах типа К101КТ1 (рис. 5.4, б). По сути, это просто транзисторная
сборка двух встречно включенных транзисторов VT\ и VT2 п-р-п-типа.
Управление ключами осуществляется импульсным сигналом Пунр (после
разделительного трансформатора 71), приложенным к переходу «коллек
тор — база», а не «база — эмиттер», как в схемах с прямым включением
транзисторов.
При положительном напряжении на базе относительно коллектора
(база положительная, коллектор — отрицательный) оба транзистора от
крыты, сигнальная (аналоговая) цепь UBX/Uablx замкнута. При этом сопро
тивление каждого открытого транзистора составляет 10...20 Ом при оста
точном напряжении на каждом транзисторе 1...5 мВ. При отрицательном
напряжении на базе относительно коллектора (база отрицательная, кол
лектор — положительный) транзисторы запираются, размыкая аналого
вую цепь UBX/UBbtx. Гальваническая развязка между сигнальной и управ
ляющей цепями выполнена на трансформаторе 71. Встречное включение
транзисторов К71 и К72 дополнительно снижает остаточное напряжение
коммутатора до величины 5...50 мкВ, так как суммарное остаточное
напряжение такого коммутатора является разностью остаточных напря
жений отдельных транзисторов. При интегральном исполнении коммута
тора, когда транзисторы выполнены на общей подложке, они обладают
малым разбросом параметров и находятся в одинаковых тепловых усло
виях. Такая ИМС обладает неплохим быстродействием (около 0,5 мкс),
линейностью, малым напряжением ошибки (менее 50 мкВ). Основным
недостатком аналогового коммутатора на биполярных транзисторах явля
ется отсутствие гальванического разделения цепей аналогового сигнала и
импульсных цепей управления. Разделительный трансформатор 71, кото
рый выполняет функцию гальванического разделения цепей, препятству
ет реализации коммутатора в интегральном исполнении и позволяет ис
пользовать только переменный сигнал управления Уупр.
В настоящее время коммутаторы на биполярных транзисторах вы
теснены более совершенными интегральными коммутаторами на ком
плементарных МОП-транзисторах (КМОП), которые целиком выполнены
по интегральной технологии, управляются стандартными логическими
сигналами, имеют гальваническое разделение между цепями аналогового
сигнала и цифрового управления без использования трансформатора.
Например, ключи серий ИМС К590КНхх, К591КНхх. Буквенный индекс
КН зарезервирован в отечественной элементной базе за коммутаторами
аналоговых сигналов.
Все положения, приведенные ранее для единичного р-п-перехода,
справедливы и для каждого из р-п-переходов транзистора. В равновесном
состоянии наблюдается динамическое равновесие между потоками дырок
и электронов, протекающими через каждый р-п-переход, и результирую
щие токи равны нулю.
Различают три схемы включения биполярных транзисторов. В зави
симости от того, какой электрод транзистора является общим для входно
го и выходного сигналов, различают три схемы включения транзистора
(рис. 5.5): с общей базой (ОБ); с общим эмиттером (ОЭ); с общим коллек
тором (ОК).
В этих схемах включения: Убэ— напряжение база — эмиттер;
UK3 — напряжение коллектор — эмиттер; Uk6 — напряжение коллек
тор — база транзистора.
Л {+)
(-) /э ру] Jk (+) Л н
0
Г (+) у> (-) /о |Л
t/бэ рб С4б >Т1 ию VT\ t/кэ
Убз |рэ С7кб
о о
IU
(+) н н (-) (+) (+)
а) б) в)
Рис. 5.5. Схемы включения биполярного транзистора:
а — с общей базой; б — с общим эмиттером; в — с общим коллектором
Транзистор, как любой полупроводниковый прибор, обладает ВАХ,

которая характеризует его свойства. Для транзисторов чаше всего приме
няются два семейства характеристик — входные и выходные. Вид входных
и выходных вольт-амперных характеристик транзистора зависит от схемы
включения его в цепь. В источниках вторичного электропитания наиболее
часто транзисторы включают по схеме с ОЭ. На рис. 5.6 представлены ти
повые входные и выходные характеристики транзистора средней мощно
сти, зключениого по схеме с ОЭ.
а) б)
Рис. 5.6. Статичен кие вольт-амперные характеристики транзистора
с общим эмиттером:
а — входные; б — выходные
Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ отражают

зависимость входного тока (тока базы /6) от входного напряжения
(напряжения Убэ база — эмиттер) при постоянном напряжении UK3 кол
лектор — эмиттер (рис. 5.6, а). Видно, что входная характеристика по
добна ВАХ выпрямительного диода, включенного в прямом направлении.
Однако данная характеристика в значительной степени зависит от кол
лекторного напряжения, так как ток базы определяет напряжение на кол
лекторном переходе. Действительно, с увеличением напряжения на кол
лекторном переходе его ширина увеличивается, а толщина базы умень
шается. Уменьшение толщины базы приводит к уменьшению числа ре
комбинаций в области базы, а следовательно, к уменьшению тока базы —
в данном случае входные характеристики будут смещаться вправо.
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ представляют
собой зависимость выходного тока (тока коллектора /к) от напряжения кол
лектор — эмиттер UK3 при постоянном токе базы /б = const (рис. 5.6, б).
ВАХ транзистора наглядно можно представить в виде двух обла
стей: 1 — область насыщения, 2 — область линейного режима.
В области 1 ток коллектора резко зависит от напряжения на коллек
торе. С увеличением напряжения на коллекторе все большее количество
зарядов достигает коллекторного электрода. Однако напряжение на кол
лекторе остается небольшим, для кремниевых транзисторов — на уровне
0,6...0,7 В. Эта область называется областью насыщения транзистора.
Используется в ключевом режиме работы транзистора.
Область 2, когда ток коллектора слабо зависит от напряжения на
коллекторе, является основной при работе транзистора в усилительном
режиме. Характеризуется малыми искажениями усиливаемого сигнала.
Поэтому называется линейной областью.
Есть еще третья область, не показанная на выходной ВАХ. При
больших напряжениях на коллекторе ток начинает существенно увеличи
ваться вследствие пробойных явлений в р-п-переходе. В этой области 3,
которая получила название области пробоя, не рекомендуется допускать
работу транзистора.
Для биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ с кол
лекторной нагрузкой RK и питанием от источника постоянного напряже
ния Un, можно записать выражение, связывающее напряжение на коллек
торе UK3 и ток 1К, протекающий через последовательно включенные тран
зистор и резистор RK,
икэ = U„- IK- RK.
Это уравнение является линейным. График этой функции можно
построить по двум точкам (/к= 0; UK3= ЕП и Укэ= 0; IK — Un/RK) (рис 5.7).
Линия АВ является ВАХ коллекторного резистора RK. Совместное
изображение ВАХ транзистора и ВАХ коллекторного резистора в одной
системе координат позволяет графически решить уравнение электриче
ской цепи с нелинейным элементом — транзистором.
Точка А соответствует режиму насыщения транзистора с макси
мально большим током 1К нас и минимальным напряжением на коллекторе
Uкэ нас-
Точка В соответствует режиму запирания (отсечки) транзистора,
когда на коллекторе максимально большое напряжение Укэотс, близкое
к Un, и через транзистор протекает небольшой остаточный ток /котс.
При малом коллекторном напряжении UK3 (начальная часть харак
теристики рис. 5.7) с ростом напряжения UK3 все большее количество но
сителей заряда достигает коллектора. Поэтому ток коллектора /к растет
практически пропорционально напряжению UK3. Но начиная с некоторого
напряжения UK3 нас практически все носители заряда достигают коллекто
ра, и рост коллекторного тока прекращается. Характеристики становятся
почти горизонтальными. Небольшой наклон характеристик объясняется
эффектом модуляции толщины базы (эффект Эрли — модуляция толщи
ны базы), когда с ростом коллекторного напряжения уменьшается тол
щина базы, вследствие чего уменьшается время нахождения неосновных
носителей (электронов) в области базы. Это вызывает уменьшение коли
чества рекомбинированных носителей, большее количество их достигает
коллектора. Что и является причиной приращения коллекторного тока
Рис. 5.7. ВАХ биполярного транзистора:

участок ОА —режим насыщения; участок ОВ —режим отсечки;
участок АС — активный режим
Тангенс угла наклона ВАХ характеризует выходное сопротивление

транзистора /?вых0Э = Дикэ/Д/к. Вследствие достаточно плавного изме
нения характеристик выходное сопротивление биполярного транзистора
при включении по схеме с общим эмиттером составляет сотни кОм.
Входные и выходные характеристики транзистора используются
для графического определения рабочей точки и динамики сигнала при его
прохождении через транзистор. Входные и выходные ВАХ обычно при
водятся в технических условиях на конкретный транзистор. Причем
обычно приводится входная и выходная ВАХ, например, для схемы с ОЭ.
При других схемах включения транзистора есть соответствующие фор
мулы пересчета параметров для расчета электрических характеристик.
Кроме того, в справочниках приводятся электрические и предель
ные эксплуатационные параметры транзисторов.
Например, маломощный высокочастотный транзистор 2Т603А име
ет кремниевую структуру п-р-п-типа, способен работать с аналоговыми
и импульсными сигналами. Транзистор 2Т603А выпускается в металло
стеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 5.8).
Его конструкция является типовой для высокочастотных транзи
сторов. Коллектор соединен с корпусом, а эмиттер и база выведены из
корпуса через стеклянные изоляторы. Маркировка и обозначение типа
транзистора нанесены на корпусе. Обозначения эмиттера, коллектора
и базы распознаются по положению на соответствующем рисунке (в дан
ном случае см. рис. 5.8).
Рис. 5.8. Внешний вид биполярного транзистора 2Т603Л
Электрические параметры группы транзисторов типа 2Т603 приве

дены в табл. 5.1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме
с ОЭ транзисторов типа 2Т603 равна 200 МГц (при UK3 = 10 В, 1Э = 30 мА).
Емкость коллекторного перехода транзисторов типа 2Т603 равна 15 пФ
(при UK3 — 10 В, f - 5 МГц).
В табл. 5.1 использованы следующие обозначения:
• ^кэ нас — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером;
• ^бэ нас — напряжение насыщения между базой и эмиттером;
• ^21Э — коэффициент передачи постоянного тока в режиме мало
го сигнала в схеме с ОЭ;
• ^кэ — постоянное напряжение между коллектором и эмиттером;
• ^рас — время рассасывания неосновных носителей из области ба
зы.
Таблица 5.1
Параметры транзисторов типа 2Т603
Uкз нас» В ^бэ нас» В ^рас,,1е
при при ^213
Тип при
при
транзистора /к = 150 мА, /к = 150 мА, /к = 150 мА,
Укэ = 2 В
/б = 15 мА /б = 15 мА 16 = 15 мА
2Т603А 0,8 1,5 20...80 70
КТ603А 1,0 1,5 10...80 100
2Т603Б 0.8 1,5 60...180 70
КТ603Б 1,0 1,5 60...200 100
На рис. 5.9 в качестве примера приведен знешний вид транзисто

ра общего применения КТ815, предназначенного для работы в ключевых
и линейных схемах. Он имеет структуру п-р-п, эпитаксиально-планарный,
кремниевый.
Транзистор выполнен в пластмассовом корпусе с тремя металличе
скими выводами с нижней части (рис. 5.9). В центре корпуса чуть выше
средней точки имеется отверстие для крепления к алюминиевым теплоот
водам. Коллектор имеет с «задней» стороны металлическое основание
для лучшего контакта с теплоотводом.
Рис. 5.9. Внешний вид транзистора КТ815
Термин «эпитаксиальный» связан с технологией изготовления, ко

гда на полупроводниковой положке, изготовленной из кремния, выращи
вается слой полупроводника с легирующими добавками, имеющий такую
же кристаллографическую ориентацию, что и подложка.
Термин «планарный» также связан с технологией одновременного
изготовления в едином технологическом процессе огромного числа дис
кретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем на
одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость, обес
печить высокую идентичность параметров изготавливаемых приборов.
Параметры транзистора КТ815'.
• ^кэ нас (напряжение насыщения между коллектором и эмитте
ром) — минимальное напряжение между коллектором и эмитте
ром в режиме насыщения равно 0,5...0,6 В;
• ^21 оэ или Р (коэффициент передачи постоянного тока в режиме
малого сигнала в схеме с ОЭ) — отношение между приращением
тока коллектора к приращению тока базы равен 275;
• 4эо (обратный ток коллектор — эмиттер) — ток между коллекто
ром и эмиттером запертого транзистора равен 100 мкА.
Предельные параметры:
• max (максимальный ток коллектора, превышение которого при
водит к перегреву) равен 1,5 А на постоянном токе и 3,0 А в им
пульсном режиме;
• Uk max (максимально допустимое напряжение коллектора) —
напряжение, превышение которого приводит к пробою
р-п-перехода) равно от 40 до 100 В в зависимости от буквы обо
значения;
• ?к max (максимально допустимая мощность, рассеиваемая на кол
лекторе) — мощность, превышение которой приводит к теплово
му пробою равна 10 Вт;
• tmax (максимально допустимая температура перехода) — темпе
ратура, превышение которой приводит к тепловому пробою рав
на 150 °C;
• fmax (предельная частота работы транзистора). Обычно приво
дится граничная частота усиления по току. Она различная при
разных схемах включения ОЭ и ОБ. Для схемы ОЭ fmax — 3 МГц.
Биполярные транзисторы требуют для своего управления боль
ших затрат энергии и не позволяют повысить частоту переключения.
Биполярный транзистор — это токовый полупроводниковый прибор,
то есть управление его включением и выключением осуществляется то
ком базы.
Составной транзистор
Для увеличения коэффициента усиления по току // силового ключа
используется каскадное соединение двух (редко — трех или более) бипо
лярных транзисторов, включенных таким образом, что нагрузкой в эмит-
терной цепи предыдущего каскада является переход база— эмиттер
транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего тран
зистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы
транзисторов соединены. В этой схеме ток эмитгера предыдущего тран
зистора является базовым током последующего транзистора. Такая схема
получила название составной, или схемой Дарлингтона (по имени инже
нера-электрика по имени Sidney Darlington) (рис. 5.10, а).
Приведенная схема эквивалентна одиночному п-р-п-транзистору.
В данной схеме ток эмиттера транзистора VT\ является током базы тран
зистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в ос
новном током транзистора VT2. Основным преимуществом составного
транзистора (схемы Дарлингтона) является высокое значение коэффици
ента усиления по току Рсо„, которое можно приблизительно определить
как произведение и /?2 входящих в схему транзисторов РТ1 и VT2:
Рсосг - /?1 ’ & •

Если коэффициент усиления р\ первого транзистора равен 100,
а второго /?2 — 50 то коэффициент усиления составного транзистора ра
вен произведению этих величин /?сост = 5 000. Высокий коэффициент
усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на
управляющий вход составного транзистора, выходными токами, превы
шающими входной на несколько порядков.
/’ис. 5.10. Составной транзистор:

а — схема Дарли нгтона; б — схема Ш иклаи
В биполярных транзисторах коэффициент р достаточно сильно за

висит от тока коллектора. Поэтому при малых токах коллектора транзи
стора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Чтобы при всех
значениях входного тока р оставался высоким, между базой и эмиттером
транзистора VT2 включают дополнительный резистор R1. Кроме того, ре
зистор R1 обеспечивает надежное запирание транзистора VT2, когда при
запертом транзисторе VT1 протекает начальный ток транзистора. Обычно
сопротивление резистора Л1 выбирают равным нескольким килоом.
Следует отметить, что схема Дарлингтона обладает таким недостат
ком, как повышенное напряжение Укэнас в насыщенном состоянии. Если
в обычных транзисторах UK3 нас составляет ~0,2 В, то в составном транзи
сторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью
открывать транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напря
жение 0,7 В (если рассматриваются кремниевые транзисторы).
Этого недостатка лишена схема составного транзистора на компле
ментарных транзисторах с разным типом проводимости, предложенная
инженером Шиклаи (Sziklai) получившая название схемы Шиклаи
(рис. 5.10, б), который работает как транзистор с п-р-п-проводимостью.
Напряжение насыщения база — эмиттер составного транзистора по схеме
Шиклаи намного ниже, чем для схемы Дарлингтона.
Общим недостатком составных транзисторов является невысокое
быстродействие. Поэтому они нашли широкое применение только в низ
кочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя
в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, линейных ста
билизаторов напряжения, в схемах управления электродвигателями,
в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
В настоящее время биполярные транзисторы почти полностью вы
теснены более эффективными силовыми ключами, кроме устройств мас
сового применения, где определяющим фактором является низкая стои
мость на единицу мощности.
5.1.2. Полевые транзисторы

В последние 20-30 лет полевые транзисторы стали одними из са
мых распространенных компонентов электронной индустрии и вошли в
состав широчайшего круга изделий — от микропроцессоров до силовых
интегральных схем. Семейство полевых транзисторов достаточно широко
и разнообразно. Однако в преобразовательной технике в основном ис
пользуются полевые транзисторы с изолированным затвором — транзи
сторы типа MOSFET, которые в отечественной литературе называются
МОП (металл — оксид — диэлектрик) или МДП (металл — диэлек
трик— полупроводник). Термины МОП и МДП— синонимы для крем
ниевой технологии, так как в структуре транзистора в качестве диэлек
трического слоя, препятствующего протеканию тока между управляю
щим электродом (затвором) и каналом (исток — сток) используется окись
кремния SiO2 — дешевая и технологичная разновидность диэлектрика.
В других технологиях (например, арсенид-галиевой, GaAs) в качестве
подзатворного диэлектрика используется пленка А120з, и поэтому термин
МДП является более универсальным. В английском языке есть един
ственный вариант MOS (Metal Oxide Semiconductor), что буквально соот
ветствует МОП.
Технология полевых транзисторов была предложена примерно
на 20 лет раньше появления биполярных транзисторов. Однако первые
маломощные (сигнальные) полевые транзисторы появились лишь в конце
50-х годов прошлого столетия, а вот полевые транзисторы для силовых
устройств удалось создать только в середине 70-х годов.
У полевых транзисторов ток, проходящий через них, регулируется
внешним электрическим полем, то есть напряжением. Это принципиаль
ное различие между ними и биполярными транзисторами, где ток нагруз
ки регулируется управляющим током. Поскольку у полевого транзистора
нет управляющего тока, то у него очень высокое входное сопротивление,
достигающее 10"...1012 Ом. У биполярных транзисторов входное сопро
тивление составляет всего лишь единицы кОм (103 Ом).
Полевые транзисторы иногда называют униполярными транзисто
рами, поскольку ток через них осуществляется только основными носи
телями — или n-типа (электронами), или p-типа (дырками). Технологиче
ски полевые транзисторы разделяются на два типа:
• полевой транзистор с управляющим р-п-переходом, когда канал
протекания тока через транзистор отделен от управляющего
электрода (затвора) обратно смещенным р-п-переходом;
• полевые транзисторы с изолированным каналом, когда управ
ляющий электрод отделен от канала слоем диэлектрика
(MOSFET).
МОП-транзисторы с управляющим р-п-переходом

Полевой транзистор представляет собой полупроводниковое
устройство с тремя выводами, модуляция проводимости канала которого
происходит за счет изменения толщины слоя объемного заряда р-п-
перехода, смещенного в обратном направлении. Как полевым, так и би
полярным транзисторам свойственна высокая эффективность, высокое
быстродействие, надежность и дешевизна; они могут выполнять сходные
функции в большинстве электронных схем. Характеризуются хорошей
технологической совместимостью с биполярной технологией и исполь
зуются при производстве аналоговых ИМС. Полевые транзисторы
с управляющим р-п-переходом существует в виде двух разновидностей —
с п и р каналом, подобно тому, как у биполярных транзисторов суще
ствуют подтипы р-п-р и п-p-n. Главным преимуществом полевых транзи
сторов JFET является большое входное сопротивление /?вх.
УГО рассматриваемых транзисторов показано на рис. 5.11.
Устройство полевого транзистора с управляющим р-п-переходом
проще биполярного. В отличие от биполярного, у полевого транзистора
пет р-п-переходов в пределах основного пути «капала», образованного
узким участком полупроводникового материала с высоким удельным со
противлением. Подобно биполярным транзисторам разного типа прово
димости, полевые транзисторы также существуют с разной электропро
водностью каналов п или р типа, подключенных к выводам истока
(Source) — И (S) и стока (Drain) — С (D). Управление током, протекаю
щим по этому каналу, достигается путем изменения напряжения, прило
женного к затвору (Gate) — 3 (G).
Транзистор с полевым эффектом является «однополярным» устрой
ством, которое зависит только от проводимости электронов (п-канал)
или дырок (p-канал). Каналом является слой полупроводникового мате
риала с высоким удельным сопротивлением, заключенный между двумя
р-п-переходами. Области затвора и канала образуют управляющий
р-п-псрсход. При работе транзистора оба р-п-псрсхода должны быть смс-
Рис. 5.11. BAXJFET:

а — стоко-затворная пир канального транзистора;
б — стоковая (выходная) при разных напряжениях на затворе
В транзисторе с n-каналом основными носителями заряда в канале

являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким
потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока /с.
Между затвором и истоком полевого транзистора приложено обратное
напряжение, запираюшсс р-п-псрсход. При увеличении запирающего
напряжения на затворе увеличивается толщина обедненного слоя между
областями р и п, что приводит к сужению сечения канала, уменьшению
электропроводности, увеличению его сопротивления, уменьшению тока /с
между стоком и истоком. При достижении некоторого напряжения на за
творе относительно истока 1/ЗИ0ТС канал смыкается, а ток /с падает до нуля,
транзистор оказывается запертым. Очевидно, что канал может существо
вать только при запирающем напряжении на затворе. Поэтому для транзи
стора с n-каналом напряжение [/зи между затвором и истоком должно
быть отрицательным при положительном напряжении между стоком и ис
током Уси . У транзистора с p-каналом напряжение Узи должно быть поло
жительным при отрицательном напряжении между стоком истоком С/си .
Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но
помещает в середине кружка-корпуса, символы истока и стока присоеди
няют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолже
нии линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на
символе затвора УГО.
Каналом является слой полупроводникового материала с высоким
удельным сопротивлением, заключенный между двумя р-п-переходами.
Области затвора и канала образуют управляющий р-п-переход. При рабо
те транзистора оба р-п-перехода должны быть смещены в обратном
направлении. В транзисторе с п-каналом основными носителями заряда
в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока
с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток
стока /с. Между затвором и истоком полевого транзистора приложено об
ратное напряжение, запирающее р-п-псрсход. При увеличении запираю
щего напряжения на затворе увеличивается толщина обедненного слоя
между областями р и п, что приводит к сужению сечения канала, умень
шению электропроводности, увеличению его сопротивления, уменьше
нию тока 1С между истоком и стоком. При достижении некоторого напря
жения на затворе относительно истока U30 канал смыкается, ток 1С падает
до нуля, а транзистор оказывается запертым. Очевидно, что канал может
существовать только при запирающем напряжении на затворе. Поэтому
для транзистора с n-каналом, когда ток канала обусловлен переносом
электронов, напряжение между стоком и истоком Уси должно быть поло
жительным при отрицательном напряжении между затвором и истоком
Узи (рис. 5.12, а).
У транзистора с p-каналом, когда ток канала обусловлен переносом
дырок, напряжение между стоком — истоком Уси должно быть отрица
тельным при положительном напряжении между затвором и истоком Пзи
(рис. 5.12, б).
Встречается два вида УГО:
• при изображении дискретного транзистора условное обозначе
ние транзистора помещают в кружок, символизирующий его кор
пус;
• в случае транзистора в интегральном исполнении его изображают
без кружка.
Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но

помещают его в середине кружка-корпуса. Символы истока и стока при
соединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на про
должении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой
на символе затвора.
Планарная технология, когда на одной подложке в едином техно
логическом процессе изготавливается множество полупроводниковых
приборов или ИМС, позволяет существенно снизить их стоимость, обес
печивает максимальную идентичность их параметров. Конструктивно
у транзистора для планарной технологии выводы должны располагаться
с одной стороны подложки.
Структура n-канального полевого транзистора с р-п-переходом,
изготовленного по планарно-эпитаксиальной технологии, показана на
рис. 5.13, а.
а) б)
Рис. 5.12. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом (JFET); структура

с полярностью напряжений на выводах и УГО:
а — с п-каналом; б — с р-каналом
На монокристаллической подложке из кремния p-типа наращивает

ся слаболегированный эпитаксиальный слой n-типа с такой же кристал
лической ориентацией, как у подложки. Методом диффузии формируют
ся сильнолегированные области затвора р+ и стока п+ и истока п+, кото
рые омическими контактами связываются с электродами затвор «3», сток
«С» и исток «И» соответственно.
Области истока и стока обычно делаются с повышенной прово
димостью (электропроводность п+ типа), чтобы уменьшить бесполез
ное падение напряжения и потерю мощности в этих областях. Повышен
ную проводимость имеет и область затвора (электропроводность р+ ти
па). Это обеспечивает увеличение толщины запирающего слоя главным
образом в сторону канала, то есть усиливает управляющее действие за
твора.
Кристалл транзистора (подложка) является областью р-типа, от ко
торой часто делают вывод «П»— подложка, который может быть ис
пользован как дополнительный затвор. Подавая, например, на него не
которое постоянное напряжение, устанавливают начальную толщину
канала.
£ Ф
* *♦ Z
Подложка -р
• #*
а)
Рис. 5.13. Планарный вариант п-канального полевого транзистора
с управляющим р-п-переходом:
а — структура с п-каналом; б — конструктивное оформление JFET
Между выводами исток—сток образуется проводящий канал п-

типа с проводимостью резистивного типа, то есть позволяющий току ис
ток— сток 1С проходить в прямом и обратном направлении. При напря
жении между затвором и истокам 1/зи, равным нулю и, соответственно,
нулевом напряжении на р-п-переходе, ширина канала максимальна, а че
рез канал будет протекать ток стока /с максимальной величины, если
между стоком и истоком будет приложено напряжение U&, с положитель
ной полярностью на стоке. В n-канальном JFET носителями тока через
канал являются электроны (отсюда термин n-канал). Аналогично для р-
канального JFET, легированного акцепторными примесями, носителями
тока через канал являются дырки (отсюда и термин р-канап).
Проводимость канала n-канальных JFET выше (меньше сопротив
ление канала), чем у подобных р-канальных, поскольку электроны обла
дают большей подвижностью через проводник по сравнению с дырками.
Это делает n-канальный JFET более эффективным проводником по срав
нению с их аналогами р-каналов.
К важнейшим характеристикам палевых транзисторов относят стоко
затворную вольт-амперную характеристику и семейство стоковых вольт-
амперных характеристик. Стоко-затворная ВАХ отражает зависимость то
ка стока /с от приложенного к выводам затвор — исток напряжения U3H
при фиксированном напряжении сток — исток UCH. На рис. 4.12 приведены
ВАХ для полевых транзисторов с управляющим переходом и каналом
п-типа.
Если напряжение Ucli между стоком и истоком равно нулю, то про
дольное электрическое поле, обеспечивающее дрейф основных носителей
от истока к стоку, отсутствует. Поэтому ток стока /с = 0. При увеличении
абсолютной величины напряжения Уси напряженность продольного элек
трического поля растет, вызывая рост тока стока /с. Ток 1С, протекающий
через канал, создает по длине последнего падение напряжения, которое ока
зывается запирающим для р-п-перехода затвор — канал. Это приводит к из
менению ширины обедненного слоя р-п-перехода вдоль канала, причем ши
рина р-п-перехода увеличивается по мере приближения к стоку. При опре
деленном напряжении между стоком и истоком, называемым напряжением
насыщения UCH нас, ток стока создает вдоль канала такое падение напряже
ния, что происходит перекрытие канала у области стока. Дальнейший рост
напряжения Уси приводит к динамическому равновесию, когда увеличение
напряжения Уси и рост тока /с вызывают увеличение длины перекрытого
участка канала, а следовательно, значительное увеличение сопротивления
канала. В результате рост тока стока существенно замедляется, а транзистор
переходит в режим насыщения. В режиме насыщения напряжение Ucii пере
распределяется между перекрытой и не перекрытой частями канала.
При этом на перекрытой части канала напряжение остается постоянным
и равным UCii нас, а на участке перекрытия составляет (7СИ-УСИ нас.
На выходной ВАХ (рис. 4.12, в) можно четко выделить три зоны.
В линейной, малосигнальной области (I) (0 < Уси< 0,2...0,6 В) тока стока
/с резко возрастает. Это так называемая «омическая» область. Канал ис
ток — сток ведет себя как резистор, сопротивление которого управляется
напряжением на затворе транзистора.
Вторая зона (II) — область насыщения, зависит от управляюще
го напряжения на затворе, «усилительная». Она имеет почти линейный
вид. Здесь происходит перекрытие канала в области стока, которое
увеличивается при дальнейшем росте напряжения исток— сток. Соот
ветственно, растет и сопротивление канала, а стоковый ток изменяется
очень слабо. Учитывая, что управление полевым транзистором осуществ
ляется напряжением между затвором и истоком 1/зи, то для количест
венной оценки управляющего воздействия Узи на величину тока стока /с
введено понятие крутизны стоко-затворной характеристики S при посто
янном напряжении сток — исток Уси. Именно этот участок характерис
тики используют в усилительной технике, поскольку здесь наимень
шие нелинейные искажения сигналов и оптимальные значения мало
сигнальных параметров, существенных для усиления. К таким пара
метрам относятся крутизна стоко-затворной характеристики (Mutual
Transconductance):
^ = dlc/riu =2...50мА/В;
аС/3и
а также внутреннее сопротивление и коэффициент усиления.

Третья зона графика (III) — область лавинного пробоя, ограничи
вающая диапазон возможных напряжений на стоке. При пробое разру
шается резистивный канал, и через транзистор протекает неконтролируе
мый ток. В справочниках обычно приводится значение Уси тах — допу
стимое напряжение на стоке.
Одно из важнейших свойств полевых транзисторов, как уже упо
миналось ранее, — это очень высокое входное сопротивление RBX, для
JFET составляющее 108 ... 109 Ом. Благодаря этому полевые транзисто
ры практически не потребляют ток у источника сигнала, который надо
усилить.
Быстродействие JFET приборов связано в первую очередь со скоро
стью перезаряда паразитных емкостей. В связи с малыми рабочими тока
ми через транзистор, быстродействие, как правило, невысокое.
Значительным недостатком JFET по сравнению с биполярным тран
зистором является очень низкий коэффициент усиления по напряжению.
Если построить усилитель на основе JFET, можно добиться Ки в лучшем
случае около 20. При аналогичном использовании биполярного транзи
стора с высоким значением [3 (коэффициент усиления биполярного тран
зистора в схеме с ОЭ) можно достигнуть Ки в несколько сотен.
Поэтому для качественных усилителей нередко используются сов
местно оба типа транзисторов. Например, входной каскад выполняется на
полевом транзисторе с высоким входным сопротивлением RBX, благодаря
чему обеспечивается согласование входного сопротивления усилителя
с высокоомным источником сигнала. А уже потом с помощью биполяр
ного транзистора усиливают сигнал по напряжению.
JFET как в дискретном исполнении, так и в виде ИМС выпускаются
только как маломощные приборы с небольшими токами /с (единицы мА)
и напряжениями Uclimax (десятки В). Как любые транзисторы, в схемах
они обозначаются VT. В справочниках за JFET-транзисторами зарезерви
ровано буквенное обозначение КП или 2П (например, КП 1 ОЗМ). В инте
гральном исполнении они используются в составе аналоговых ИМС.
В преобразовательной технике приборы JFET имеют ограниченное при
менение в схемах маломощных генераторов стабильного тока, эталонных
источников тока и напряжения.
МОП-транзисторы с встроенным каналом

У полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-тран-
зистор, МОП-транзистор), затвор отделен в электрическом отношении
от канала слоем диэлектрика. Принцип действия таких транзисторов
основан на изменении проводимости поверхностного слоя полупро
водника под воздействием поперечного электрического поля. Поверх
ностный слой является токопроводящим каналом этих транзисторов.
У МОП-транзисторов хроме электродов исток, сток и затвор имеется еще
один электрод (так называемая подложка), напряжение на котором также
может изменять свойства транзистора.
МОП-транзисторы с изолированным затвором выпускаются двух
видов: с встроенным (Depletion Mode Transistor) и индуцированным кана
лом (Enhancement Mode Transistor). В первом случае канал создастся при
изготовлении транзистора технологически, путем ионной имплантации
примесей. Во втором случае канал индуцируется (возникает) под воздей
ствием поперечного электрического поля. Каждый из перечисленных ви
дов может быть реализован с каналом р- или п-типа.
Структура МОП-транзистора с изолированным затвором и встроен
ным каналом n-типа показана на рис. 5.14, а. В исходной пластинке крем
ния p-типа с относительно высоким удельным сопротивлением с помо
щью диффузионной технологии созданы две легированные области
с противоположным типом электропроводности. На эти области нанесены
металлические электроды — исток и сток. Между истоком и стоком име
ется поверхностный канал с электропроводностью n-типа. Поверхность
кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким сло
ем диэлектрика. На этот слой нанесен металлический электрод — затвор.
Наличие слоя диэлектрика позволяет подавать на затвор управляющее
напряжение обеих полярностей.
14, (7СИ
3 с
ЬьГГ
Канал 1 i-типа
Р
I а)
Рис. 5.14. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом:
а — структура транзистора п-типа проводимости;
б — УГО р-канального транзистора; в — УГО п-канального транзистора
Канал создается технологически при изготовлении путем ионной

имплантации примесей. Если напряжение на затворе относительно истока
отрицательно, то имеет место явление обеднения канала (уменьшение
числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются
из канала в p-область, что приводит к уменьшению тока через канал;
при положительном же напряжении затвор — исток, наоборот, имеет ме
сто обогащение канала электронами, пришедшими в канал из областей
р и п+, что приводит к увеличению тока через канал. Таким образом,
этот полевой транзистор может работать и при положительных, и при от
рицательных значениях напряжения затвор — исток. Транзистор с встро
енным каналом открывается уже при «О», а при отрицательном напряже
нии на затворе работает в обедненном режиме (тоже открыт, но пропус
кает меньше тока). Если же к затвору приложить положительное напря
жение, то он продолжит открываться и перейдет в так называемый режим
обогащения — ток стока будет увеличиваться. При этом ток через затвор
не протекает, так как затвор изолирован от канала.
Примерный вид семейств выходных ВАХ данного транзисто
ра изображен на рис. 5.15. Особенностью полевого транзистора является
то, что на проводимость канала оказывает влияние и управляющее
напряжение U3li, и напряжение Um. При Уси = 0 выходной ток /с = 0.
При Ucit > 0 (С/Зи = 0) через канал протекает ток /с, в результате создастся
падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Суммарное па
дение напряжения участка исток — сток равно Уси. Повышение напряже
ния UCH вызывает увеличение падения напряжения в канале и уменьшение
его сечения, и, следовательно, уменьшение проводимости канала. При
некотором напряжении Уси происходит сужение канала, при котором гра
ницы обоих р-п-переходов сужаются, и сопротивление канала становится
высоким. Такое напряжение Уси называют напряжением насыщения
1/си нас- При подаче на затвор обратного напряжения [/зи происходит до
полнительное сужение канала, и его перекрытие наступает при меньшем
значении напряжения 1/си нас. В рабочем режиме усиления используются
пологие участки выходных характеристик транзисторов.
При некотором отрицательном значении напряжения на затворе
Узи отс ток через канал прекращается, транзистор переходит в режим от
сечки и остается запертым при дальнейшем увеличении отрицательного
напряжения на затворе.
Для транзистора с n-каналом режим отсечки, когда ток через канал
прекращается, характеризуется некоторым отрицательным значением
Изи отс-
Эти характеристики справедливы для случая, когда электрод под
ложки «П» соединен с истоком. Если этот электрод используется для
управления током стока, то тогда его называют «нижним затвором», при
чем механизм этого управления аналогичен управлению самого затвора.
Независимо от типа проводимости канала (п- или p-типа) при нуле
вом напряжении на затворе протекает значительный ток стока /с0
(рис. 5.15, а). Изменяя полярности напряжения на затворе можно регули
ровать величину тока через канал в широких пределах. Напряжение на за
творе может быть и положительным, и отрицательным.
Рис. 5.15. ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором
и встроенным каналом:
а — стоко-затворная (передаточная) ВАХ п- и р-канального транзистора;
_______________ б — выходная ВАХп-канапьного транзистора_____________
Для запирания транзистора с встроенным каналом полярность

напряжения на затворе Узи должна быть противоположной полярности
напряжения на стоке и по абсолютной величине превосходить напряже
ние отсечки Узи отс, то есть |1/зи| > |УЗИЭТС|.
Быстродействие устройств с подобными транзисторами определя
ется скоростью перезаряда паразитных емкостей и при малых токах стока
/с относительно невысокое.
МОП-транзисторы со встроенным каналом выпускаются в дискрет
ном и интегральном исполнении только как маломощные приборы.
В линейной области стоковых характеристик полевые транзисто
ры ведут себя подобно резисторам, управляемым напряжением, а в обла
сти насыщения они являются управляемыми напряжением источниками
тока.
С МОП-транзисторами необходимо соблюдать меры предосторож
ности с целью предотвращения пробоя статическим электрическим заря
дом изолирующего слоя между затвором и каналом как на стадии произ
водства, так и во время транспортировки, хранения и эксплуатации. Ос
новными составляющими комплексной антистатической защиты являют
ся антистатические браслеты, покрытия, пакеты, контейнеры, наклейки,
измерители статического напряжения, ионизаторы. Выводы транзистора
замыкаются перемычкой, которая удаляется после установки транзистора
в схему.
МО!1-транзисторы с индуцированным каналом
МОП-транзисторы с индуцированным каналом (MOSFET) получи
ли в последнее время самое широкое распространение в устройствах си
ловой электроники.
Конструктивно MOSFET выпускаются как дискретные приборы и
интегральные модули. Дискретные MOSFET оформляются в металличе
ских, пластмассовых или керамических корпусах, их конструкции прак
тически не отличаются от конструкции биполярных транзисторов. Для
эффективного охлаждения мощные транзисторы имеют возможность
крепления к теплоотводу.
а)
и и
в) г)
Рис. 5.16. MOSFET:
а — внешний вид; б — структура с индуцированным каналом п-типа;
в — УГО с п-каналом; г — УГО с р-каналом
Принцип действия полевых транзисторов с изолированным затво

ром MOSFET основан на изменении проводимости поверхностного слоя
полупроводника под воздействием поперечного электрического поля
(рис. 5.16,6). Под влиянием электрического поля, создаваемого изоли
рованным (при помощи слоя оксида кремния) затвором, в области, нахо
дящейся под ним (области канала), происходит явление, называемое
«инверсией проводимости»— часть p-области под затвором насыщает
ся индуцированными (притянутыми полем) электронами, в результате
становясь областью с n-проводимостью. Таким образом, между
п-областыо истока и n-областью стока образуется п-канал, способный за
счет электронной проводимости проводить ток от истока к стоку. Чет
вертый электрод — подложка (П), может быть выведен отдельно и ис
пользоваться как второй затвор (двухзатворныс транзисторы). Этот
электрод часто соединяется с истоком, как показано на рис. 5.16, в, г.
Конструктивное исполнение MOSFET показано на рис. 5.16, а.
Канал может быть образован положительными носителями за-
ряда — дырками (р) или отрицательными носителями заряда — элсктро-
нами (п). Тогда, чтобы обеспечить перенос носителей через канал для
транзисторов с каналом типа р, напряжение на стоке относительно истока
Уси должно быть отрицательное. Для транзисторов с каналом п-типа
напряжение Уси должно быть положительным. В силу ряда при-чин
n-канальные MOSFET имеют лучшие характеристики, чем р-канальные,
и являются самыми востребованными в настоящее время ключевыми
элементами, используемыми для преобразования электрической энергии.
Стоковая характеристика MOSFET внешне похожа на соответству
ющую ВАХ полевого транзистора с управляющим р-п-переходом. Харак
терным параметром для MOSFET является пороговое напряжение Упор
(рис. 5.17, а), при превышении которого появляется проводимость канала
и резко растет ток стока. Полярность напряжения 1/пор совпадает с поляр
ностью стокового напряжения. Ток стока MOSFET зависит как от значе
ния, так и от полярности напряжений сток— исток и затвор— исток.
При напряжении на затворе ниже порогового |(7ЗИ| < |(/пор| транзистор
заперт, а ток стока 1С практически равен нулю (рис. 5.17, а). При превы
шении напряжения на затворе выше порогового значения |УЗИ| > | Упор|
ток через канал резко увеличивается (рис. 5.17, а).
И11
Um2> f-inl
1/ 14.
64nl зи порог ; J
O-jM порог ;S
---------- 7*----- *
Uu max XL.
Рис. 5.17. ВАХ MOSFET:

а — стоко-затворная (проходная) и УГО транзистора с п-каналам и р-каналом;
б — стоковая (выходная)
Аналогично биполярному транзистору, полевой транзистор имеет
области работы: область линейного режима и насыщения (область малого
сопротивления сток — исток). И ведет он себя в этих режимах аналогич
но биполярному транзистору. На выходной характеристике MOSFET
можно выделить три характерные области (рис. 5.17, б).
При малых напряжениях сток — исток (область I) зона резкого воз
растания тока стока и сопротивление канала имеет омический характер.
Это так называемая «омическая» область. Канал исток — сток ведет себя
как резистор, сопротивление которого изменяется напряжением на затво
ре транзистора. В области I действует закон Ома: ток /с растет прямо
пропорционально росту напряжения Уси. Ток может протекать в обоих
направлениях. В этом состоит отличие полевых транзисторов от элек
тронных ламп, в которых поток электронов всегда имеет одно направле
ние — от катода к аноду. В этом режиме MOSFET иногда используется
качестве переменного резистора, управляемого напряжением (аттенюато
ры, линейные стабилизаторы).
Зона II — область насыщения, когда ток стока почти не изменяется
при изменении напряжения Уси. Здесь происходит перекрытие канала в об
ласти стока, которое увеличивается при дальнейшем росте напряжения ис
ток — сток. Соответственно, растет и сопротивление канала, а стоковый ток
изменяется очень слабо. Именно этот участок характеристики используют
в усилительной технике, поскольку здесь наименьшие нелинейные искаже
ния сигналов и оптимальные значения малосигнальных параметров, суще
ственных для усиления. Увеличение напряжения между стоком и истоком
в этой области вызывает относительно небольшое изменение тока стока, ко
торый практически будет зависеть только от напряжения на затворе.
Когда напряжение Уси превышает пороговое напряжение (напряже
ние пробоя р-п-перехода), структура полупроводника разрушается,
и транзистор превращается в обычный проводник (зона III). Данный про
цесс необратим, и прибор приходит в негодность.
На приведенной характеристике (рис. 5.17, а) указано порого
вое напряжение Упор, при котором формируется канал. Концентрация
носителей в канале зависит от величины поля, создаваемого затвором, го
есть от напряжения на затворе, поэтому максимальный ток, проходящий
через канал, является функцией этого напряжения. Этот факт определяет
существование такой важной характеристики MOSFET, как крутизна.
Четвертый электрод на условном обозначении транзистора подклю
чается к подложке.
В точке перегиба стоковой ВАХ на границе зоны 1 и 11 (рис. 5.17. б)
напряжение 1/си минимально, ток стока достигает максимальной величи
ны, транзистор полностью открыт. По аналогии с биполярным транзисто
ром этот режим называется режимом насыщения. Пунктирная линия, со
единяющая точки насыщения на характеристиках, называется линией
насыщения. В режиме насыщения канал транзистора ведет себя как ак
тивное сопротивление, которое у современных силовых MOSFET может
составлять доли Ом, что позволяет их использовать как эффективные
коммутаторы с малыми потерями больших токов и мощностей.
Силовые MOSFET
Режим насыщения для MOSFET принципиально отличается от ре
жима насыщения биполярного транзистора. Напряжение Уси открытого
транзистора растет пропорционально току через канал. Следовательно,
сопротивление канала открытого транзистора при малых напряжениях
между стоком и истоком (рис. 5.17, б) можно представить эквивалентным
резистором величиной доли Ом (в отличие от биполярного транзистора, у
которого напряжение между коллектором и эмиттером практически не
зависит от напряжения). Справочные данные на ключевые транзисторы
этого типа включают параметр, характеризующий сопротивление Rdson
сток — исток в открытом состоянии. Для низковольтных транзисторов
величина этого сопротивления составляет десятые — сотые доли Ом, что
обуславливает малую мощность, рассеиваемую на транзисторе в статиче
ском режиме. К сожалению, сопротивление Rds оп заметно увеличивается
при увеличении максимально допустимого напряжения сток — исток.
Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах обуслов
лены переносом носителей через канал и перезарядом между электрод
ными емкостями, емкостями нагрузки и монтажа.
Наибольшее влияние на динамику процесса переключения имеют
паразитные емкости между затвором и истоком Сзи и между затвором
и стоком Сзс. При подаче с драйвера управления напряжения на затвор
отпирающего импульса в момент Сх амплитудой Uo (рис. 5.18, а) начина
ются процессы открывания транзистора. На интервале времени tx ... t2
происходит заряд емкости Сзи и перезаряд Сзс до напряжения на затворе,
равного пороговому Упор. Но транзистор при этом остается запертым.
Интервал Сх ... t2 определяет время задержки включения t3BKJI. Длитель
ность этого интервала определяется по формуле
где Rr — сопротивление источника управляющего напряжения (драй

вера),
Uo — амплитуда напряжения управляющего сигнала на затворе,
[/пор — пороговое напряжение отпирания транзистора.
На интервале t2 ... t3 транзистор отпирается и переходит в активный
усилительный режим. Транзисторный ключ в активном режиме можно
рассматривать как усилительный каскад, выходной сигнал которого сни
мается с нагрузки в цепи стока. В таком каскаде выходной сигнал будет
сдвинут по фазе относительно входного на 180°. Обратная связь через ем
кость Сзс настолько сильно уменьшает амплитуду входного сигнала, что по
отношению к нему входная емкость транзистора (рис. 5.18, я) кажется
больше, чем она есть на самом деле.
Рис. 5.18. Паразитные емкос ти MOSPET-ключа

и временные диаграммы процесса переключения:
а — электрическая схема; б — напряжение генератора импульсов;
в — форма напряжения на затворе;
г — временные диаграммы тока стока и напряжения на стоке
На этом этапе перезаряд Сзс замедляется вследствие увеличения эк
вивалентной входной емкости за счет действия отрицательной обратной
связи, возникающей в момент переключения. Это явление получило
название эффекта Миллера в честь первого исследователя этого эффекта
Джона Мильтона Миллера (1920 г.). В соответствии с законом Миллера
в переключающем устройстве в моменты времени существования отрица
тельной обратной связи (то есть когда устройство находится в активном
режиме) входная емкость Свх увеличивается в (1 4- Ки) раз:
где Kti = 5 • RH — коэффициент усиления каскада,

S — крутизна стоко-затворной характеристики,
йн — сопротивление нагрузки.
Оценки, выполненные для MOSFET типа IRF1010N, красноречиво
свидетельствуют о том, насколько неприятен эффект Миллера. При пара
метрах транзистора, взятых из Datasheet, Сзи = 3,20 нФ, Сзс = 0,14 нФ,
S = 32 A/В при сопротивлении нагрузки RH = 10 Ом, оценки показыва
ют, что входная емкость (емкость Миллера) в момент переключения ста
новиться огромной, что замедляет время включения:
Свх = 3,20 + (1 + 32 • 10) • 0,14 = 324 нФ .
На интервале t2 ... t3 напряжение на затворе остается практически
постоянным (плато Миллера) до тех пор, пока транзистор полностью не
откроется.
На интервале t3 ... t4 транзистор полностью открыт. При этом он те
ряет свои усилительные свойства, обратная связь через емкость Сзс обры
вается. Входная емкость уменьшается практически до исходной величи
ны. По окончании перезаряда емкости Сзс (момент С4) напряжение на за
творе увеличивается до величины выходного напряжения драйвера
управления Uo. Интервал П... С4 соответствует длительности процесса
включения транзистора. Выключение происходит в обратном порядке. Те
же процессы растягивают процесс выключения на время 1выкл.
Следует отметить, что промежутки времени, характеризующие ди
намические свойства MOSFET, значительно меньше, чем аналогичные
параметры у биполярных транзисторов. Высокое быстродействие обу
словлено отсутствием накопления и рассасывания неосновных носителей.
К достоинствам MOSFET следует отнести:
• чрезвычайно малую мощность управления по сравнению бипо
лярными транзисторами;
• высокую скорость переключения, резко снижающую коммутаци
онные (динамические) потери мощности;
• отсутствие саморазогрева MOSFET, характерного для биполяр
ных транзисторов, а следовательно, хорошую тсрмоустойчивость,
что позволяет легко и просто решать проблему параллельного
включения нескольких транзисторов;
• высокую температурную стабильность времени переключения
и крутизны вольтамперной характеристики.
Из недостатков MOSFET можно отмстить возможность вторичного
пробоя, вызванного влиянием паразитного биполярного п-р-п-транзистора,
возникающего в полупроводниковой структуре. При низких напряжениях
сток — исток паразитный транзистор не проявляет себя. С повышением
напряжения биполярный транзистор «просыпается», определяя вид ВАХ
транзистора в области пробоя. Для сохранения положительных свойств
MOSFET и исключения включения биполярного транзистора технологиче
ски замыкают накоротко эмиттерный переход паразитного транзистора.
Еще один неприятный момент связан с несанкционированным от
крытием паразитного транзистора. Это является обычным в динамиче
ских режимах при быстром спаде или росте напряжения сток — исток UCH
и может привести к выходу из строя всей силовой схемы.
От процесса переключения MOSFET зависит КПД схемы. Чем
быстрее переключается транзистор, тем меньше будут тепловые потери
на нем, тем выше КПД, тем меньшие габариты охлаждающих радиаторов
необходимы в конструкции.
Из-за сложного характера процесса заряда затвора и нелинейности
паразитных емкостей расчеты постоянной времени зарядки входной ем
кости методом зарядки простой /?С-цепи слишком сложны и не точны.
Для удобства расчета длительности переходных процессов в ключах на
MOSFET используют интегральную характеристику, называемую полный
заряд затвора (Total Gate Charge) Q3, накапливаемый на входной емкости
током в цепи затвора i3(t),
Согласно этому выражению необходимо просуммировать произве

дения токов за очень короткие промежутки времени, в течение которых
ток можно условно считать постоянным. Зная полный заряд затвора Q3,
сопротивление в цепи затвора Rr и напряжение на затворе Ur, вычисляют
время включения (выключения):
где /3 — ток, протекающий в цепи затвора, обеспечиваемый драйвером

управления транзистором.
Например, тот же транзистор IRF1010N с Q3=l 20 нКл можно вклю
чить за 12 мкс током в 10 мА, но током в 10 А за 12 нс. Параметр Q3
приводится в справочниках и определяется изготовителем эксперимен
тальным путем.
Технология изготовления МДП-транзисторов приводит к формиро
ванию паразитного биполярного транзистора VTI (рис. 5.19). При быст
ром изменении напряжения Уси на базе паразитного транзистора, возни
кающее за счет делителя напряжения из паразитной емкости С1 и рези
сторе Я1, может спонтанно отпереть транзистор ИЛ. Его влияние можно
значительно ослабить, подключив па стадии изготовления технологиче
ской проводящей перемычкой подложку к истоку, что отображено на
условном обозначении MOSFET. Таким простым методом гарантирован
но исключается опасность неконтролируемого поведения паразитного
VT2
Рис. 5.19. Паразитные элементы в составе MOSFET
К сожалению, вред от наличия паразитного элемента полностью ис

ключить не удается, так как в результате подключения подложки к истоку
в транзисторе появляется паразитный антипараллельный диод VD1, обра
зованный переходом база — эмиттер транзистора VT1 (рис. 5.17, б). Од
нако подавляющее большинство выпускаемых на сегодняшний день по
левых транзисторов имеют диоды с достаточно большим временем об
ратного восстановления. В преобразовательных двухтактных схемах за
держка выключения антипараллельного диода приводит к появлению
сквозных токов и, соответственно, к усложнению схемы управления.
Для исключения этих эффектов следует строго соблюдать рекомен
дации изготовителя и стремиться к тому, чтобы источник управляющего
сигнала в цепи затвора имел минимальное внутреннее сопротивление.
Область безопасной работы MOSFET определяется его предельны
ми параметрами:
• максимально допустимым током стока;
• напряжением пробоя сток — исток;
• максимальной рассеиваемой мощностью.
В табл. 5.2 приведены параметры ключевых MOSFET, используе
мых в ИВЭ. В этом режиме рассеиваемая транзистором мощность опре
деляется потерями на сопротивлении канала в открытом состоянии, поте
рями при переключении и потерями в цепи затвора.
Таблица 5.2
Основные параметры некоторых MOSFET
Imax ^си max Rds on
Наименование Аналог Тип
А В Ом
КП 150 IRFP150 п 38 100 0,055
КП402(А) BF998 р 0,15 200 20
КП460 1RFP460 п 20 500 0,27
КП501(А,Б.В) ZVN2120 п 0,18 240 10
КП507А BSS315 р U 50 0,8
КП508А BSS92 р 0,15 240 20
КП704 (А.Б) 2SK757 п 10 200 0,2
КП705 (А-В) APT 1004 п 5,4 1 000 3,3
КП723 (А-В) IRFZ44.1RFZ45 п 50 60 0,028
КП726 (А,Б) BUZ90 п 4,5 600 1,6
КП727 (А-В) 1RFZ34 п 30 60 0,05
K1I740 (А-В) 1RFZ24.1RFZ25 п 17 60 0,1
КП741 (А,Б) IRFZ48 п 50 60 0,018
КП742 (А.Б) STH75N06 п 80 60 0,012
КП751 (А-В) IRF720 п 3,3 400 0,8
КП767 (А-В) IRF640.IRF630 п 18 200 0,18
КП768 (А-М) IRF730.IRF720 п 10 400 0,55
КП769 (А-Г) IRF540.IRF530 п 28 100 0,077
КП775 (А-В) 2SK2498A п 50 60 0,009
2П7102Д IRFZ44 п 50 60 0,028
2П7160А п 46 30 0,006
КП7181А п 40 500 0,14
КП7275 IXFH75N10 п 75 100 0,026
КП812(А1-В1) IRFZ44.IRFZ34 п 50 60 0,028
КП813 (А1,Б1) п 22 200 0,12
КП931 (А-В) NTP7N05 п 5 800 0,07
КП953 (А-Д) F1014 п 15 800 0,05
КП954 (А-Е) BFL545 п 20 150 0,025
В качестве драйверов, связывающих контроллеры с мощными
MOSFET-ключами, применяется широкий спектр формирователей управ
ляющих сигналов, из которых наибольшее распространение получили
драйверы с запуском от оптопар, изготовленные в виде отдельных микро
схем. Помимо отдельных MOSFET-ключей, выпускаются также силовые
модули различной конфигурации на MOSFET транзисторах на рабочие
напряжения до 1 000 В и токи до 200 А.
При подключении мощных MOSFET (особенно работающих на вы
соких частотах на пределе своих возможностей) используется стандарт
ная обвязка транзистора, куда входят следующие элементы.
1. RC-цепочка (снаббер), включенная параллельно истоку — стоку,
для подавления высокочастотных колебаний и мощных импульсов тока,
возникающих при переключении транзистора из-за индуктивности под
водящих шин. Высокочастотные колебания и импульсные токи увеличи
вают нагрев транзистора и могут вывести его из строя (если транзистор
работает на пределе своих тепловых возможностей). Снаббер также за
щищает от самооткрывания транзистора при превышении скорости
нарастания напряжения на выводах сток — исток.
2. Быстрый защитный диод, включенный параллельно истоку —
стоку (обратное включение), для шунтирования импульса тока, образую
щегося при отключении индуктивной нагрузки.
3. Если транзисторы работают в мостовой или полумостовой схеме
на высокой частоте (сварочные инверторы, индукционные нагреватели,
импульсные источники питания), то помимо защитного диода в цепь сто
ка встречно включается диод Шоттки для блокирования паразитного дио
да. Паразитный диод имеет большое время запирания, что может приве
сти к сквозным токам и выходу транзисторов из строя.
4. Резистор, включенный между истоком и затвором, для сброса заря
да с затвора. Затвор удерживает электрический заряд как конденсатор, и по
сле снятия управляющего сигнала MOSFET может не закрыться (или за
крыться частично, что приведет к повышению его сопротивления, нагреву
и выходу из строя). Величина сопротивления резистора подби-рается таким
образом, чтобы не мешать управлению транзистором, но в то же время как
можно быстрее сбрасывать электрический заряде затвора.
5. Защитные диоды (супрессоры), параллельные транзистору и его
затвору. При превышении напряжения питания на транзисторе (или при
превышении управляющего сигнала на затворе транзистора) выше допу
стимого, например, при импульсных помехах, супрессор срезает опасные
выбросы и спасает транзистор.
6. Резистор, включенный в цепь затвора, для уменьшения тока заря
да затвора. Затвор мощного полевого транзистора обладает достаточно
высокой емкостью (десятки нФ), что приводит к значительным импульс
ным токам в момент перезарядки емкости затвора (единицы ампер).
Большие импульсные токи могут повредить схему управления затвором
транзистора.
7. Управление мощным MOSFET, работающем в ключевом режиме
на высоких частотах, осуществляют с помощью драйвера — специальной
схемы или готовой микросхемы, усиливающей управляющий сигнал
и обеспечивающей большой импульсный ток (единицы А) для быстрой
зарядки затвора емкости транзистора. Также используются драйверы
с гальванической развязкой, обеспечивающие гальваническую развязку
силовой части схемы от схемы управления верхними ключами MOSFET
в мостовых схемах. Совмещение драйвера с элементами гальванической
развязки в одном корпусе упрощает разработку и монтаж схемы, умень
шает габариты изделия, его стоимость и т. д.
8. В сильно зашумленных или находящихся под большим током це
пях к входам микросхем, основанных на MOSFET-структурах, подклю
чают по паре диодов Шоттки, включенных в обратном направлении —
так называемую диодную вилку (один диод— между входом и общей
шиной, а другой — между входом и шиной питания) для предотвращения
явления «защелкивания» МОП-структуры. Однако в некоторых случаях
применение диодной вилки может привести к нежелательному эффекту
«паразитного питания» (при отключении питающего напряжения диодная
вилка может работать как выпрямитель и продолжать питать схему).
Сравнивая силовые ключи на MOSFET и биполярных транзисторах,
следует отметить: при рабочих напряжениях более 200 В высоковольтные
силовые ключи на их основе MOSFET по предельным энергетическим
показателям уступают биполярным транзисторам. Это определяется от
носительно высоким сопротивлением канала RDSon открытого транзи
стора (табл. 5.2).
Силовые MOSFET-ключи на меньшее напряжение конкурентов не
имеют.
5.1.3. Комбинированные биполярно-полевые транзисторы IGBT

Вред от паразитного биполярного транзистора п-р-п в составе
MOSFET можно обратить в пользу, если к нему добавить еще один до
полнительный биполярный транзистор р-п-р. Такое решение позволи
ло объединить положительные качества транзисторов биполярного и
MOSFET в единой монолитной структуре, называемой IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor), или биполярный транзистор с изолированным за
твором (БТИЗ) (рис. 5.20).
Рис. 5.20. Комбинированные биполярно-полевые транзисторы IGBT:

а — конструктивное исполнение; б— отечественное УГО; в — международное УГО;
г — УГО с быстродействующим диодом
Его входные характеристики подобны входным характеристикам
MOSFET, а выходные— выходным характеристикам биполярного тран
зистора.
IGBT представляет собой силовой полупроводниковый прибор
с тремя выводами, сочетающий два транзистора в одной полупроводни
ковой структуре: биполярный р-п-р (образующий силовой канал) и поле
вой MOSFET (образующий канал управления). Чаще всего IGBT исполь
зуют в качестве мощных ключей, у которых время включения
0,2 ... 0,4 мкс, а время выключения 0,2 ... 1,5 мкс, при этом коммутируе
мые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи — 1 200 А.
IGBT вытесняют тиристоры и биполярные транзисторы из высоко
вольтных схем преобразователей и позволяют создать импульсные источ
ники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристика
ми. IGBT используются широко в инверторах для управления электродвига
телями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свы
ше тысячи вольт и токами в сотни ампер. В какой-то степени это является
следствием того, что во включенном состоянии при токах в сотни ампер па
дение напряжения на IGBT меньше, чем на MOSFET, меньше статические
потери. Однако IGBT уступают MOSFET по быстродействию.
Статические характеристики IGBT

IGBT, как и MOSFET, управляется электрическим полем. Но IGBT
при больших токах имеет большую крутизну стоко-затворной характери
стики и меньшее сопротивление канала в открытом состоянии.
Из эквивалентной схемы IGBT (рис. 5.21) видно, что этот класс
транзисторов является достаточно сложным прибором, в котором транзи
стор 1/7'2 типа р-п-р управляется n-канальным MOSFET UTl. Коллектор
IGBT является эмиттером транзистора VT4. При подаче положительного
напряжения на затвор транзистора VT1 появляется электропроводный ка
нал. Через него эмиттер транзистора IGBT (коллектор транзистора VT2)
оказывается соединенным с базой транзистора VT1.
Рис. 5.21. Комбинированные биполярно-полевые транзисторы 1GBT:

а — структура; б — эквивалентная схема
Комбинация из двух транзисторов VT1 и VT2 так же, как и в струк
туре тиристора, охвачена положительной внутренней связью. Базовый
ток VT1 является частью коллекторного тока транзистора VT2, и наобо
рот — базовый ток транзистора VT2 является частью коллекторного тока
транзистора VT1.
Положительная обратная связь приводит к лавинообразному про
цессу переключения, вследствие чего эквивалентная крутизна значитель
но превосходит крутизну полевого транзистора, входящего в эту схему.
Это приводит к тому, что IGBT полностью отпирается, и падение
напряжения между коллектором IGBT и его эмиттером становится рав
ным падению напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT2, про
суммированному с падением напряжения Уси на транзисторе МДП.
Структура IGBT (рис. 5.21, а) имеет много общего со структурой
MOSFET. Отличается материалом исходной подложки, в качестве которой
используется полупроводниковая пластина с электропроводностью р+.
Конструктивно IGBT выполняется в виде дискретных элементов,
силовых модулей, имеющих в своем составе несколько транзисторов, ре
ализованных в одном корпусе. Условное графическое изображение пред
ставлено на рис. 5.20.
Поскольку IGBT имеет комбинированную структуру из полевого
и биполярного транзистора, три его вывода получили названия:
• управляющий электрод— затвор (3) или Gate (G). При отпира
нии напряжение на затворе должно иметь положительную поляр
ность относительно эмиттера, но не боле +20 В;
• эмиттер (Э) или Emitter (Е);
• коллектор (К) или Collector (С). Напряжение на коллекторе
должно иметь положительную полярность относительно эмитте
ра, но не более допустимого значения Укэ доп.
Затвор IGBT электрически изолирован от канала очень тонким сло

ем диэлектрика. Максимально допустимое напряжение затвор — эмиттер
обычно не должно превышать +20 В. Превышение этого напряжения мо
жет пробить изоляцию затвора и вывести прибор из строя. Не рекоменду
ется работа IGBT при свободном, нс подключенном затворе, так как воз
можно ложное включение прибора.
Вследствие высокой крутизны входной характеристики (коллектор
но-затворной) в справочных материалах приводится только параметр по
рогового напряжения (Gate Threshold Voltage) (/зэ порог» ПРИ котором под
затвором формируется инверсный слой носителей и появляется ток через
канал, обычно на уровне 3 ... 6 В.
Выходная вольт-амперная характеристика IGBT (рис. 5.22) похожа
на выходную ВАХ биполярного транзистора. Также как у ключа на бипо
лярном транзисторе у IGBT существует режим насыщения (область I)
в открытом состоянии, то есть напряжение UK3 в режиме насыщения
практически не зависит от управляющего напряжения на затворе. В ак
тивной области (II) характеристики максимально линейные и слабо зави
сят от напряжения на коллекторе. В области пробоя (III) начинаются эф
фекты, связанные с лавинным пробоем р-п-перехода, который легко пе
реходит в тепловой необратимый пробой и разрушение структуры.
В отличие от характеристик MOSFET, у которого напряжение на
канале открытого транзистора Уси пропорционально току /с, в IGBT
напряжение UK3 практически не зависит от тока через канал.
Рис. 5.22. Статические выходные характеристики IGBT

при разных напряжениях на затворе
К наиболее важным параметрам IGBT относят следующие:

• максимальный постоянный ток коллектора, А;
• максимальный импульсный ток коллектора, А;
• максимальное напряжение коллектор — эмиттер, В;
• максимальное допустимое напряжение затвор — эмиттер, В.
Обычно составляет ±20 В;
• полный заряд затвора, нКл;
• емкости затвор — эмиттер, коллектор — эмиттер и затвор —
коллектор при заданном напряжении коллектор — эмиттер, пФ;
• длительность включения и выключения транзистора, мкс;
• напряжение насыщения, то есть напряжение между выводами
коллектор — эмиттер открытого транзистора, В;
• максимальная мощность рассеяния, Вт;
• максимальная допустимая температура нагрева кристалла, °C.
Ключевые свойства IGBT

Динамика процесса переключения IGBT, как и у MOSFET, в
первую очередь зависит от емкостей затвора Сзэ и Сзк, а также внутренне
го и внешнего импеданса цепи управления. На рис. 5.23 показаны основ
ные эквивалентные малосигнальные емкости переходов, нормируемые
в технических характеристиках:
• ^зэ — емкость «затвор — эмиттер»;
• Gk — емкость «затвор — коллектор» (или емкость Миллера);
• Go — емкость «коллектор — эмиттер».
В документации обычно приводятся эквивалентные малосигналь-

ныс емкости, содержащие паразитные емкости, показанные на рис. 5.23:
• входная С3 = С33 + Сзк;
• обратной связи Сос = Сзк;
• выходная СВЬ|Х = Сзк + Скэ.
Формат эквивалентных емкостей более удобен для физических из

мерений, которые обычно проводятся при выключенном транзисторе.
Величина этих емкостей обусловлена в основном конструкцией транзи
стора и поэтому слабо зависит от температуры и приложенного напряже
ния. Но при переключении транзистора особую роль играет емкость об
ратной связи Сос. Через нее на затвор действует изменение высокого
напряжения на стоке, что эквивалентно увеличению входной емкости.
Эффект влияния емкости обратной связи в ключевых схемах подобен эф
фекту Миллера, впервые изученному на ламповом триоде Джоном М.
Миллером. Суть эффекта в том, что к емкости Сзк, соизмеримой в стати
ческом режиме с емкостью Сзэ, прикладывается напряжение значительно
большее, чем входное управляющее напряжение, и поэтому при пере
ключении величина заряда емкости Сзк, или емкости Миллера, значи
тельно больше заряда емкости Сзэ.
Как и у MOSFET, в моменты переключения IGBT особую роль иг
рает емкость Сзк — емкость Миллера. Через нее на затвор действует из
менение высокого напряжения на коллекторе, что эквивалентно увеличе
нию входной емкости (эффект Миллера).
Поведение IGBT при его открывании полностью определяется ха
рактеристикой заряда затвора. Схема для исследования коммутационных
процессов показана на рис. 5.23. Импеданс цепи управления (драйвера)
имитируется резистором в цепи затвора Rr. Диод VD1 существует всегда
как паразитный диод при изготовлении IGBT. Но часто транзистор шун
тируется внешним быстродействующим диодом.
Процесс включения IGBT условно можно разделить на три этапа,
которые связаны с первичным зарядом емкости Сзэ, зарядом емкости
Миллера Сзк и, наконец, полным зарядом входной емкости, при котором
обеспечивается открывание транзистора до его насыщения.
Характерные эпюры включения и выключения транзистора приве
дены на рис. 5.24.
Рис. 5.24. Временные диаграммы процесса переключения IGBT

В начальный момент времени входное напряжение на затворе равно
нулю, транзистор заперт, напряжение на коллекторе равно напряжению
питания UK3 = U'п, а ток коллектора /к равен нулю.
На отрезке времени (1) происходит начальный заряд входной емко
сти затвора Сзэ. Удобнее считать (реальные процессы сложнее), что заряд
входной емкости производится постоянным током 13, обеспечиваемым
источником управляющего сигнала UBX. Данному этапу соответствует
первый практически линейный участок нарастания напряжения U33
(рис. 5.24,6), который продолжается весь отрезок времени (1). В конце
первого участка напряжение затвора достигает порогового значения от
пирания транзистора Узэ порог.
В зависимости от свойств транзистора и импеданса цепи управле
ния ток затвора /3 на данном участке может достигать значения в не
сколько ампер. Поскольку на участке (1) напряжение затвора находится
ниже порога отпирания, отсутствует ток коллектора /к, а напряжение
коллектор — эмиттер Укэ равно напряжению питания Un.
Как только сигнал управления становится выше УЗЭПорог (отрезок
времени (2)), начинается включение IGBT, характеризующееся ростом
тока коллектора /к до значения, ограничиваемого нагрузкой /кн = Un/RH.
В реальных схемах вследствие неидеальности диода амплитуда то
ка в момент включения может несколько превышать величину /кн
(рис. 5.24, г). Причиной этого является процесс обратного восстановления
диода, когда к току коллектора на время перехода диода в непроводящее
состояние добавляется ток восстановления диода. Поэтому на момент
кратковременного выброса тока коллектора появляется искажение формы
фронта напряжения на коллекторе UK3.
Этот временной участок (1), продолжающийся до момента, пока
напряжение на затворе не достигнет напряжения открывания Узэ порог, от
ветственен за время задержки включения Сзвкл.
Далее в начале временного отрезка (2) напряжение на затворе
(рис. 5.24, 6) достигает величины 1/3милл> носящей название «плато Мил
лера». Транзистор приоткрывается и переходит в активный режим, начи
нается перезаряд емкости Миллера Сзк. Появляется ток коллектора, пада
ет напряжение на коллекторе. При этом напряжение на затворе почти нс
изменяется, оставаясь на уровне УзМилл. Временной интервал, затрачива
емый на этот процесс, ответственен за длительность фронта включения
транзистора Сф вкл.
На временном отрезке (3) происходит дальнейший заряд входной
емкости до амплитуды входного напряжения Увх (рис. 5.24, б). После
полного выключения диода завершаются переходные процессы. Транзи
стор полностью открывается и входит в насыщение.
В начале временного отрезка «4» транзистор уже полностью вклю
чен, а емкость Миллера Сзк — перезаряжена. Экспоненциально спадаю
щий ток затвора продолжает поступать во входную емкость, доводя
напряжение на ней до максимального значения UBX, определяемого схе
мой управления. В конце данного этапа величина напряжения на коллек
торе достигает своего минимума, называемого напряжением насыщения
УКэнас (порядка 1...2В). Через транзистор протекает максимальный ток
коллектора1Кн = Un/RH.
При выключении транзистора описанные процессы происходят
в обратном порядке.
На временном участке (5) от схемы управления приходит нулевой
сигнал выключения. Входная емкость разряжается до величины плато
Миллера У3милл- Но транзистор остается открытым. Протекает коллек
торный ток /кн, на коллекторе по-прежнему низкое напряжение Укэнас.
Этим обусловлено время задержки включения Сзвкл.
В начале участка (6) напряжение на затворе достигает уровня плато
Миллера и стабилизируется. При этом происходит перезаряд емкости
Миллера Сзк. На этом временном отрезке транзистор опять переходит
в активный режим. Длительность этого интервала определяет длитель
ность фронта выключения транзистора.
Пока все процессы соответствовали динамике транзистора
MOSFET. Но на участке (6) появляются отличия. Ток коллектора доста
точно большой и сохраняет свое значение из-за протекания процесса рас
сасывания неосновных носителей, затем резко спадает почти до нуля.
Этот временной интервал называется временем спада, или длительно
стью фронта при выключении Сф ВЬ1КЛ.
Однако на этом процесс выключения нс заканчивается. На участках
(7) и (8) (рис. 5.24, г) протекают внутренние процессы рекомбинации
носителей заряда, вследствие чего наблюдаются непериодические коле
бания коллекторного тока, так называемый токовый хвост, длитель
ностью 0,2... 1,5 мкс. Этот «хвост» особенно неприятен в ключах мосто
вых преобразователей, поскольку требуется вводить временной промежу
ток между интервалами проводимости двух ключей, установленных в од
ном плече моста для устранения сквозных токов. Для ускорения процесса
рассасывания носителей заряда параллельно выводам коллектор —
эмиттер IGBT устанавливают специальные демпфирующие цепи из дио
дов, конденсаторов, мощных постоянных резисторов. «Хвост» приводит
к увеличению тепловых потерь и к снижению КПД преобразователя.
Для уменьшения длительности «хвоста» необходимо снижать коэффици
ент усиления биполярного транзистора в составе IGBT. Но при этом уве
личивается напряжение насыщения открытого IGBT и растут статические
потери.
Детальные исследования показали, что в быстродействие IGBT ос
новной вклад вносит биполярная составная часть, а не полевая. Поэтому
компании-производители IGBT выпускают приборы IGBT нескольких ка
тегорий, различающихся по скорости переключения:
• среднего быстродействия (Standard Speed) — порядка единиц ки
логерц;
• скоростные (Fast Speed) — до 10 кГц;
• сверхскоростные (Ultra Fast) — до 60 кГц;
• серия (Warp Speed) — до 150 кГц, сравнимые с MOSFET по ско
рости переключения.
Типичные значения времени рассасывания накопленного заряда
и спада тока при выключении IGBT находятся в диапазонах 0,2 ... 0,4
и 0,2 ... 1,5 мкс соответственно.
В некоторые IGBT специально интегрирован в корпус быстрый за
щитный (оппозитный) диод, включенный параллельно коллектору —
эмиттеру (обратное включение) для шунтирования импульса тока, обра
зующегося при отключении индуктивной нагрузки.
Достоинством IGBT является меньшее напряжение насыщения, чем
у MOSFET при напряжении сток — исток, превышающее 400 В. Поэтому
при напряжении коллектор — эмиттер более 600 В и коммутируемой
мощности от нескольких киловатт IGBT имеют преимущества и над би
полярными транзисторами, и над MOSFET. Мощные силовые модули
IGBT отдельных марок могут работать при очень больших токах коллек
торов, превышающих 1 000 А, и напряжениях коллектор — эмиттер, до
стигающих 6 000 В, однако стоимость таких модулей высока, что, конеч
но, является недостатком.
От характерной величины предельного напряжения коллектор —
эмиттер зависит типовое напряжение насыщения IGBT: более высоко
вольтный транзистор обладает большим напряжением насыщения, что
необходимо учитывать при выборе компонентов.
При увеличении температуры у IGBT уменьшается напряжение
насыщения коллектор — эмиттер. Это вызывает сложности при парал
лельном соединении мощных ключей. У MOSFET падение напряжения на
канале открытого транзистора увеличивается с ростом температуры и по
этому позволяет легко увеличивать коммутируемые токи, соединяя тран
зисторы параллельно. IGBT-ключи уступают MOSFET по быстродей
ствию и имеют более высокую стоимость. Максимальная частота, на ко
торой могут функционировать наиболее быстрые IGBT класса warp speed,
существенно ниже, чем у MOSFET.
IGBT уступают по быстродействию высокочастотным и сверхвысо
кочастотным биполярным транзисторам. Преимущество IGBT становится
бесспорным лишь при напряжении коллектор — эмиттер свыше 400 В
и токе коллектора свыше нескольких десятков ампер.
При больших токах (сотни А) и обратных напряжениях (тысячи В)
IGBT пока уступают мощным тиристорам.
По сравнению с биполярными транзисторами IGBT-ключи имеют
большее напряжение насыщения и, следовательно, большие статические
потери. Учитывая стоимость IGBT и биполярных транзисторов, выбор
между ними при постоянном напряжении коллектор — эмиттер от 300 В
до 500 В может быть непрост, и он не всегда в пользу IGBT. Себестои
мость IGBT выше, чем MOSFET с аналогичными параметрами, что также
является недостатком.
Силовые ключи на основе IGBT на сегодняшний день представля
ются самыми перспективными элементами в диапазоне мощностей от
единиц киловатт до единиц мегаватт.
§ 5.2. Схемотехника компенсационных стабилизаторов напряжения

постоянного тока с непрерывным регулированием
Компенсационные стабилизаторы напряжения обладают лучшими

параметрами, чем параметрические стабилизаторы. Компенсационные
стабилизаторы напряжения с непрерывным регулированием выполняют
по двум функциональным схемам: либо с последовательным (рис. 5.25),
либо с параллельным (рис. 5.26) включением регулирующего элемента
и нагрузки Rн-
Рис. 5.25. Функциональная схема компенсационного стабилизатора напряжения

непрерывного регулирования с последовательным включением
регулирующего элемента и нагрузки
Со схемотехнической точки зрения у КСН с HP, построенных с по

следовательным включением регулирующего элемента и нагрузки Ян, по
следние (РЭ и RH) представляют собой делитель входного напряжения.
При этом часть входного напряжения формирует выходное, а разность
входного и выходного напряжений компенсируется на регулирующем
элементе.
Принцип действия КСН с HP, выполненного по схеме с последова
тельным включением регулирующего элемента и нагрузки /?н (рис. 5.25)
состоит в следующем. Пусть напряжение на входе КСН с HP увеличи
лось, тогда возрастут и напряжения на параллельно включенных нагрузке
и делителе выходного напряжения (ДН). С делителя выходного напряже
ния часть выходного напряжения подается на первый вход усилителя по
стоянного тока (УПТ), а на второй вход усилителя подается напряжение
с источника опорного напряжения (ИОН). Разность напряжений, подава
емых на УПТ, последним усиливается и подастся на регулирующий эле
мент, изменяя его режим работы так, чтобы выходное напряжение КСН
с HP достигло первоначальной величины или весьма близкой к ней.
и нагрузки
Для уменьшения пульсаций выходного напряжения предназначен

сглаживающий фильтр (СФ).
Таким образом, напряжение на нагрузке КСН с HP остается посто
янным благодаря компенсации регулирующим элементом вариаций вход
Компенсационные стабилизаторы напряжения с непрерывным
регулированием представляют собой замкнутую систему автоматическо
го регулирования. В этой системе возмущение, возникшее в любом ее
звене, пройдет через всю систему, после чего вернется в то же звено. При
этом, в зависимости от параметров системы, возмущение, пройдя через
нее, может ослабиться или усилиться. Если возмущение усилится, го пе
реходной процесс будет нарастающим и система превратится в генератор
колебаний, амплитуда которых ограничена нелинейностью системы,
а частота определяется ее эквивалентными параметрами. Такая система
регулирования называется неустойчивой, и в ней стабилизация невоз
можна. Если возмущение будет ослаблено, то переходный процесс станет
затухающим, а система регулирования устойчивой. Для превращения
неустойчивой системы в устойчивую в нес вводят отрицательную обрат-
НуЮ-СВЯЗЬ._______________________________________________________________
В компенсационных стабилизаторах напряжения с непрерывным
регулированием и параллельным включением регулирующего элемента и
нагрузки для сохранения неизменным выходного напряжения компенса
ция вариаций входного напряжения осуществляется на гасящем резисторе
R1 (рис. 5.26). С физической точки зрения принцип действия данного ти
па стабилизаторов напряжения и типа, рассмотренного ранее (рис. 5.25),
аналогичны. Параллельные стабилизаторы имеют меньший КПД и ис
пользуются реже. Для стабилизации при повышенных токах и напряже
ниях чаще используются последовательные стабилизаторы, однако они
чувст вительны к короткому замыканию нагрузки и требуют обязательно
го применения защиты от короткого замыкания выходной цепи. Стабили
заторы напряжения параллельного типа не требуют принятия специаль
ных мер защиты от короткого замыкания на выходе, так как напряжение
на РЭ, а следовательно, и рассеиваемая мощность равны нулю.
Наибольшее распространение в РЭС нашли КСН с HP, выполнен
ные по схеме с последовательным включением регулирующего элемента
и нагрузки. Поэтому в дальнейшем анализируются только КСН с HP с по
следовательным включением регулирующего элемента и нагрузки, вы
полненные по схеме, показанной на рис. 5.25.
Принципиальная электрическая схема КСН с HP и последователь
ным включением регулирующего элемента и нагрузки приведена на
Рис. 5.27. Топология компенсационного стабилизатора напряжения с непрерывным

регулированием и последовательным включением регулирующего элемента и нагрузки
Функциональные блоки компенсационного стабилизатора напря

жения с непрерывным регулированием, показанные на рис. 5.25, в прин
ципиальной схеме, приведенной на рис. 5.27, реализованы следующими
электрорадиоэлементами: РЭ — транзистор VT1, УПТ — транзистор VT2
и резистор R1, ИОН — стабилитрон VD1 и резистор R2, ДН — резисторы
R3, /?4 и /?5, СФ — конденсаторы С1 и С2. Конденсаторы С1 и С2 гасят
броски напряжения, вызванные переходными процессами, и предотвра
щают самовозбуждение стабилизатора. Емкость этих конденсаторов
не может быть большой, иначе при включении будет срабатывать защита
от короткого замыкания. Обычно в качестве конденсатора С1 используют
керамический безиндуктивный конденсатор емкостью около 0,1 мкФ,
а в качестве конденсатора С2 — электролитический конденсатор емко
стью несколько десятков мкФ, зашунтированный керамическим конден
сатором емкостью 0,1 мкФ.
Принцип действия КСН с HP состоит в следующем. При изменении
тока нагрузки, например, увеличении в первый момент времени, выход
ное напряжение компенсационного стабилизатора напряжения с непре
рывным регулированием уменьшится из-за увеличения падения напряже
ния на регулирующем транзисторе (напряжение на входе остается неиз
менным). Это вызывает уменьшение падения напряжения на нижнем пле
че /?" делителя выходного напряжения R3R4R5, которое приложено
между базой усилительного транзистора VT2 и минусовой шиной стаби
лизатора напряжения. Параметрический стабилизатор напряжения
VD1R2 обеспечивает неизменность напряжения между эмиттером усили
тельного транзистора VT2 и минусовой шиной стабилизатора напряже
ния. Поэтому падение напряжения между базой и эмиттером 1/бэ VT2 уси
лительного транзистора VT2 уменьшится.
Уменьшение напряжения между базой и эмиттером усилительного
транзистора 1/7’2 приводит к уменьшению коллекторного тока транзисто
ра VT2. Последнее приводит, в свою очередь, к увеличению базового тока
регулирующего транзистора VT1. Известно, что при увеличении тока ба
зы биполярного транзистора падение напряжения UK3 между его коллек
тором и эмиттером уменьшается. Последнее (при постоянном входном
напряжении) приводит к приоткрыванию транзистора VT1 (уменьшению
его сопротивления), а значит, и обеспечивает возврат выходного напря
жения до первоначального значения.
Если в рассматриваемой схеме КСН с HP отсутствует конден
сатор С1, то коэффициент сглаживания пульсаций Ксгл приблизитель
но равен коэффициенту стабилизации выходного напряжения по вход
ному Ки.
Включение конденсатора С1 параллельно верхнему плечу R' де
лителя выходного напряжения R3R4R5, то есть при шунтировании R'
по переменной составляющей напряжения наблюдается рост Ксгл по
сравнению с Ки. Емкость конденсатора С1 выбирают такой, чтобы его
сопротивление 1/(о> ■ Сх) было по крайней мере на порядок меньше со
противления R' верхнего плеча делителя выходного напряжения, то есть
1
— < 0,1 ■/?', (5.7)
со ■ Сг
где со = 2nf, f — частота. Из соотношения (5.7) можно получить фор
мулу для расчета емкости конденсатора С1:
Следует иметь в виду, что уменьшение емкости конденсатора С1 за

счет увеличения сопротивления R' не рекомендуется, так как при увели
чении сопротивления R' надо увеличивать также и сопротивление нижне
го плеча R" делителя выходного напряжения. А это приводит к росту по
стоянной времени т нижнего плеча ДН, равной т = R" • С, где С — ем
кость монтажных проводов и входная емкость усилительного транзистора
VT2. Увеличение постоянной времени т уменьшает ослабление пульса
ции выходного напряжения, что вызывает необходимость дополнитель
ного увеличения емкости конденсатора С1.
Пределы регулирования выходного напряжения в рассматриваемом
КСН с HP могут быть определены следующим образом.
Как видно из рис. 5.27, напряжение У" на нижнем плече R" делите
ля выходного напряжения равно сумме напряжения UVD1 на стабилитроне
VD1 и напряжения Uq3VT2 между базой и эмиттером усилительного тран
зистора VT2, то есть
(5.10)
/?4 + /?5 /?3 + R4 + R5 '
где R'4 — сопротивление потенциометра /?4 между его движком и рези
стором R5.
Из соотношений (5.9) и (5.10) следует
UVD1 + U63 VT2
где а = (/?4 + R5)/(R3 + R4+R5)— коэффициент передачи делителя

Эту формулу можно упростить, если учесть, что, UVD1 » U6aVT2
(обычно Убэ ууз порядка 0,7 В, а напряжение стабилизации стабилитрона
UVD1 > 5 В). Тогда
иВЫХ а (5.11)
Из полученного выражения (5.11) следует, что стабильность вы

ходного напряжения в значительной степени зависит от стабильности
напряжения ИОН. Уравнение (5.11) после перехода к конечным прира
щениям имеет вид
л г, _ ^VDl
^(^вых > (5.12)
а
Учитывая, что а < 1, из уравнения (5.12) следует, что
Д^вых > ДУущ. (5.13)
Нестабильность выходного напряжения в значительной степени за
висит от стабильности ИОН и превышает изменение опорного (эталонно
го) напряжения &UVD1.
То есть у компенсационных стабилизаторов напряжения с непре
рывным регулированием изменение выходного напряжения ДУВЫХ пре
вышает изменение опорного (эталонного) напряжения /\UVD1.
Принципиальная электрическая схема КСН с ИР и параллельным
Рис. 5.28. Принципиальная электрическая схема компенсационного стабилизатора

напряжения с непрерывным регулированием
и параллельным включением регулирующего элемента и нагрузки
Функциональные блоки компенсационного стабилизатора напряже

ния с непрерывным регулированием, показанные на рис. 5.26, в принципи
альной электрической схеме, приведенной на рис. 5.28, реализованы следу
ющими электрорадиоэлементами: R1— гасящий резистор, РЭ— транзи
стор VT1, УПТ— транзистор VT2 и резистор Л2, ИОН— стабилитрон
VD1 и резистор R3. ДН — резисторы /?4, RS и R6, СФ — конденсатор СТ.
Стабилизаторы напряжения параллельного типа находят примене
ние при небольших токах нагрузки или, когда ток нагрузки изменяется
в достаточно узком диапазоне.
Из анализа процессов в КСН с HP следует, что повышения стабиль
ности выходного напряжения Увых можно достичь по крайней мере тремя
схемотехническими методами:
• увеличивая сопротивление коллекторной нагрузки усилительного
транзистора, то есть используя динамическую нагрузку;
• улучшая стабильность напряжения питания усилителя постоян
ного тока;
• осуществляя температурную компенсацию опорного напряжения.
Пример реализации первого метода (применение динамической

нагрузки для УПТ) приведен на принципиальной электрической схеме,
показанной на рис. 5.29.

напряжения с непрерывным регулирование и использованием динамической нагрузки
для усилителя постоянного тока
В рассматриваемом КСН с HP в коллекторную цепь усилительного

транзистора VT3 включена динамическая нагрузка. Она представляет со
бой параметрический стабилизатор тока, состоящий из транзистора VT1,
резисторов 7?1 и R2 и стабилитрона VD1.
Этот ПСТ обеспечивает стабильность коллекторного тока IkVT1
транзистора КТ1, то есть выполнение условия 1куп = const. Учитывая,
что 1кут1 = IevT2 + ^кУТЗ’ то изменения токов 1бут2 и ^кутз равны по мо
дулю. Поэтому при увеличении UBbtx возрастают ибэУТЗ, токи базы и кол
лектора транзистора VT3, а ток базы регулирующего транзистора
VT2 уменьшается. Это приводит к увеличению падения напряжения на
нем, а значит, к возврату выходного напряжения к исходному.
Такой схемотехнический прием на порядок улучшает коэффициент
стабилизации устройства.
Реализация второго метода (повышение стабильности напряжения
питания усилителя постоянного тока) улучшения стабильности выходно
го напряжения КСН с HP может быть выполнена, если питать УГ1Т с ди
намической нагрузкой от дополнительного стабилизированного источни
ка питания (7Д0П согласно принципиальной электрической схеме, приве
денной на рис. 5.30.
m /?1
с дополнительным стабилизированным источником электропитания

для усилителя постоянного тока
Дополнительный источник электропитания выполнен в виде пара

метрического стабилизатора напряжения R1VT3VD2, у которого функ
цию гасящего резистора выполняет стабилизатор тока (стабилиток)
R1VT3. Усилитель постоянного тока в рассматриваемой схеме КСН с ИР
питается от суммарного напряжения Удоп дополнительного источника
электропитания и входного напряжения Увх стабилизатора напряжения.
При изменении UBX, например, при его увеличении, потенциал базы
усилительного транзистора VT2 становится более положительным, а его
базовый и коллекторный токи увеличиваются. Напряжение UR2 на рези
сторе R2 равно сумме напряжений UVD2 на стабилитроне VD2 и Uq3VT1
регулирующего транзистора VT1, то есть
= ^702 + ^6эУТ1 ■ (5-14)

Учитывая, что напряжение U63VT1 изменяется незначительно из-за
нелинейности входной характеристики транзистора VT1, а напряжение
UVD2 также изменяется незначительно из-за нелинейности ВАХ стабилит
рона, то и падение напряжения UR2 можно считать постоянным. Тогда и
ток IR2, протекающий через резистор R2, является постоянным. Поэтому
можно записать, что
Ir2 = ^kVT2 + levri = const . (5.15)

В соответствии с уравнением (5.15) при постоянном токе IR2 изме
нения /к VT2 и /б VT1 равны по величине, но различаются по знаку.
Следовательно, увеличение коллекторного тока усилительного
транзистора VT2 приводит к уменьшению базового тока регулирующего
транзистора VT1, что вызывает увеличение падения напряжения между
коллектором и эмиттером регулирующего транзистора, а значит, и к со
хранению неизменным выходного напряжения КСН с HP.
Пример использования третьего метода (применение температур
ной компенсации опорного напряжения) для улучшения стабильности
выходного напряжения КСН с IIP иллюстрируется схемой, приведенной
на рис. 5.31.
Рис. 5.31. Компенсационный стабилизатор напряжения

с непрерывным регулированием и термокомпенсацией опорного напряжения
Эталонное напряжение UVD1 формируется двумя стабилитронами

VD1 и VD2. Причем стабилитрон PD1, имеющий положительный темпе
ратурный коэффициент напряжения, включен в режиме стабилизации
напряжения, а стабилитрон VD2 включен в диодном режиме (его ТКН от
рицателен) и обеспечивает термокомпенсацию эталонного напряжения.
Такое схемотехническое решение построения ИОН уменьшает влияние
теплового состояния КСН с HP на величину выходного стабилизирован
ного напряжения. В типовых схемах КСН с HP источник опорного
напряжения питается стабилизированным выходным напряжением. Од
нако это не устраняет нестабильность выходного напряжения, обуслов
ленную изменением температуры окружающей среды.
Действительно, например, при повышении температуры напряже
ние стабилизации стабилитрона VD1, имеющего положительный ТКН,
увеличивается. Это приводит к уменьшению разности потенциалов меж
ду эмиттером и базой усилительного транзистора VT2, а значит, и к
уменьшению его коллекторного тока, что обуславливает увеличение ба
зового тока регулирующего транзистора VT1. Это эквивалентно его при-
открыванию, а значит, и уменьшению падения напряжения на регулиру
ющем транзисторе и росту выходного напряжения всего стабилизатора
Термокомпенсацию выходного напряжения КСН с HP можно осу
ществить и включением в верхнее плечо делителя напряжения диода
VD3 (рис. 5.32). Такая термокомпенсация возможна лишь при положи
тельном ТКН стабилитрона VD1. Если ТКН последнего отрицателен,
то в одно из плеч делителя выходного напряжения включают термозави
симый резистор, который и обеспечивает постоянство выходного напря
жения при изменении теплового режима устройства.
Рис.5J2. Схема КСН с HP с термокомпенсацией с помощью диода,

включенного в цепь резистивного делителя выходного напряжения
В рассмотренных схемах КСН с HP выходное напряжение всег
да превышало эталонное напряжение. Поэтому они не могут быть ис
пользованы для построения низковольтных стабилизаторов напряжения.
Усгранение такого недостатка линейных стабилизаторов напряжения
возможно с использованием схемотехнического приема, показанного
на рис. 5.33.
Рис. 5.33. Принципиальная электрическая схема КСН с HP.

у которого выходное напряжение меньше эталонного
В рассматриваемом линейном стабилизаторе напряжения делитель

выходного напряжения R3R4R5 питается напряжением, равным сумме
выходного напряжения и напряжения, формируемого ПСН R2VT1VD1,
у которого функцию гасящего резистора выполняет стабилиток /?2УТ1.
Выходное напряжение СН больше, чем эталонное напряжение.
В КСН с HP ток через регулирующий транзистор такой же, что и
ток нагрузки. На регулирующем транзисторе рассеивается значительная
мощность, зачастую превышающая мощность в нагрузке.
Поэтому при проектировании КСН с HP необходимо применять
специальные меры по облегчению работы РЭ:
• снижение падения напряжения на регулирующем транзисторе
(стабилизаторы LDO);
• разгрузка РЭ по току и мощности (достигается параллельным
включением транзисторов);
• разгрузка РЭ по напряжению и мощности (достигается последо
вательным включением транзисторов);
• уменьшение управляющего тока от УПТ, что достигается исполь
зованием в качестве силовых транзисторов мощных транзисторов
с большим коэффициентом усиления /У или сставных транзисто
ров (схема Дарлингтона).
§ 5.3. Аналитический вывод соотношений для определения основных

параметров стабилизаторов
На основании функциональной схемы КСН с HP с последователь

ным включением регулирующего элемента и нагрузки (рис. 5.34) можно
составить уравнения, описывающие физические процессы в стабилизато
ре и позволяющие выполнить оценки коэффициента стабилизации Ки вы
ходного напряжения по входному и динамического сопротивления Rt
КСН с HP.
Рис. 5.34. Функциональная схема КСН с HP для оценки коэффициента стабилизации

и динамического сопротивления
Для этого надо рассмотреть установившийся режим работы ком

пенсационного стабилизатора напряжения постоянного тока с непрерыв
ным регулированием.
При возникновении возмущающего воздействия, например, увели
чении входного напряжения Увх на величину d£/BX, изменяются падение
напряжения Укэу7ч на регулирующем транзисторе VT1 на dUK3VT1 и па
дение выходного напряжения UBbIX на нагрузке R„ на dUBblx. Поэтому
можно записать уравнение
dUBX — dUK3vri + dUBblx. (5.16)
Изменение падения напряжения Kj<3i/ri на регулирующем транзи
сторе КП на dUK3VT1 обусловлено вариациями двух напряжений: изме
нением падения напряжения dUKVT1 на коллекторном сопротивлении
RK VT1 транзистора, равном
^кит1 — ^Kvri • cokvti ' (5.17)
и изменением падения напряжения dUK3VT1, обусловленным усилитель
ными свойствами транзистора и равным
dUKsvri = ’ ^УВыхупт< (5.18)
где dIK VT1 — изменение коллекторного тока, протекающего через тран
зистор VT1,
Кг — коэффициент усиления регулирующего транзистора VT1 по
напряжению,
с/УВыхУПТ— изменение выходного напряжения усилителя постоян
ного тока.
Подставляя выражения (5.17) и (5.18) в уравнение (5.16), можно за
писать
dUBX — Rkvti ' dIKVri + ' ^выхупт + dU вых . (5.19)
В уравнении (5.19) величину dIKVT1 можно заменить на величину
изменения тока нагрузки dIH, так как численное значение тока /КуГ1, про
текающего через силовой транзистор VT1, практически равно току
нагрузки /н, протекающего через нагрузку RH. Это справедливо по той
причине, что токи, протекающие через ПСН R1VD1 и резистивный дели
тель выходного напряжения R2R3, много меньше тока нагрузки.
Тогда уравнение (5.19) примет вид
dUBx vti ' d/H Т Ki ■ ^ПВЬ1Хупт + dUвых. (5.20)
Для определения изменения сШВЬ|хУПТ необходимо рассмотреть
сигналы, формируемые на входах У ПТ.
На один вход усилителя постоянного тока подается часть выходно
го напряжения ивых, формируемого на резисторе R3 делителя R2R3 вы
ходного напряжения и равная
ВЫХ
и'
17 вых вых вых > (5.21)
где а = R3/(R2 + /?3) — коэффициент деления резистивного делителя

R2R3 выходного напряжения УВЬ|Х. Очевидно, что а < 1.
На другой вход УПТ подается эталонное напряжение (/эт, формиру
емое на стабилитроне VD1 параметрического стабилизатора напряжения
постоянного тока R1VD1.
УПТ усиливает разность входных напряжений [7ВЬ1Х и 1/эт в К2 раз.
Тогда на выходе У ПТ изменение выходного напряжения сП/выхупт можно
записать в виде
^^выхупт ^2 ’ (dUВЬ1Х ~ dUyr) — К2(а • dUBblx — dU3T),
где К2 — коэффициент усиления УПТ.
С учетом полученного выражения уравнение (5.20) можно записать
в следующем виде:
^вх — R& VTl ' + R1 ' ^2 ’ ’ ^вых ^эт) + ^вых ■

Раскрыв скобки и выполнив алгебраические преобразования, полу
ченное уравнение можно представить в следующем виде:
(1 + а ■ ■ К2) ■ dUBblx = dUBX - RKVT1 ■ dlH — Kr- K2- dU3T . (5.22)
Уравнение (5.22) можно упростить. Дело в том, что у реальных

КСН с HP параметры, входящие в уравнение (5.22), имеют следующий
порядок величин: а~0,5; Кг~ 50; К2~ 103; /?КУГ1~ 103 Ом. Следова
тельно, в выражении (1 4- а • Кх • /<2) величина второго слагаемого имеет
следующий порядок: а • Кг • К2~ 50 • 103 • 0,5 = 2,5 • 103 » 1.
Поэтому в выражении (1 + а • Кг ■ /<2) единицей можно пренебречь
по сравнению с а • Кг - К2. С учетом этого, уравнение (5.22) можно запи
сать в виде:
ct' Кг • К2 • dUBbK dUBX RKvti' dlB ■ K2 ■ dU3.r

или
dUBblx = v1 v' dU°* - „ vti

7 У
1 dU3T ■
• d/H - - (5.23)
Ct • I\^ • A2 &' a
Из полученного уравнения (5.23) следует, что изменение выходного
напряжения для конкретного КСН с HP определяется вариациями вход
ного напряжения Увх, тока нагрузки /н и эталонного напряжения U3T.
Из уравнения (5.23) можно получить выражения для определения
коэффициента стабилизации Ки выходного напряжения по входному, ди
намического сопротивления /?, и аналитическую связь изменений эталон
ного напряжения U3r и выходного напряжения 17вых.
Из выражения (5.23) в соответствии с определением коэффициента
стабилизации Ки выходного напряжения по входному
можно записать формулу для определения Ки КСН с HP:
Ки=а-К1-К2-Л. (5.24)
Полезно сделать оценочный расчет Ки для линейного стабилизато
ра напряжения по формуле (5.24). Учитывая, что а~0,5; Кг~50;
К2~ 103; Л ~ 0,5, то коэффициент стабилизации имеет порядок Ки ~ 104.
Для сравнения Ки ПСН имеет порядок Ки ~ 50.
Динамического сопротивления СН определяется по формуле:
которая с учетом выражения (5.23) может быть записана в следующем

виде:
1
(5.25)
Полученная формула позволяет рассчитать динамическое сопро

тивление Ri КСН с HP.
Полезно сделать оценочный расчет для КСН с HP по формуле
(5.25). Учитывая, что а ~ 0,5; Кг~ 50; К2~ Ю3; Ю3 0м, то дина
мическое сопротивление /?( имеет порядок ~ 4 • 10-2 Ом. Для сравне
ния, ПСН имеет порядок Rt ~ 40 Ом.
Из уравнения (5.23) можно еще получить и аналитическую зависи
мость изменений эталонного и выходного напряжений (при Увх = const,
/„ - const):
(5.26)
Из полученного выражения (5.26) с учетом того, что а < 1, следует

тот факт, что изменение выходного напряжения КСН с HP всегда больше
изменения эталонного напряжения. Поэтому вопросу стабилизации опор
ного (эталонного) напряжения в линейных стабилизаторах всегда уделя
ется пристальное внимание.
Такой же результат ранее был получен другим методом (форму
ла (5.13)).
§ 5.4. Схемотехника компенсационных стабилизаторов тока

с непрерывным регулированием
Стабилизаторы тока, в отличие от стабилизаторов напряжения, ста

билизируют ток, а напряжение на нагрузке будет зависеть от ее сопро
тивления. Стабилизаторы тока используются:
• для питания светодиодов;
• для питания газоразрядных ламп;
• для заряда аккумуляторов различного типа;
• широко применяются в составе интегральных микросхем для за
дания тока усилительных и преобразовательных каскадов. Там
они обычно называются генераторами тока.
Особенностью стабилизаторов тока является их большое динами
ческое (выходное) сопротивление. Это позволяет исключить влияние
входного напряжения и сопротивления нагрузки па величину выходпо-
го тока. При этом напряжение на нагрузке будет зависеть от ее сопротив
ления.
В схемотехнике построения стабилизаторов напряжения и тока
много общего. В общем случае они могу быть параметрическими, ком
пенсационными с линейным и импульсным регулированием. Различие за
ключается в том, что в стабилизаторах напряжения используется отрица
тельная обратная связь по напряжению, а в стабилизаторах тока ООС вы
полняется по току.
Область применения стабилизаторов тока стремительно расширяет
ся, в первую очередь в связи с широким использованием светодиодов.
Светодиоды, как и все диоды, имеют нелинейную вольт-амперную харак
теристику, когда ток через светодиод изменяется непропорционально.
Стабилизатор тока устанавливает заданный ток через светодиод вне зави
симости от приложенного к схеме напряжения. При увеличении напряже
ния на схеме выше порогового уровня ток достигает установленного зна
чения и далее не изменяется. При дальнейшем увеличении напряжения
напряжение на светодиоде перестает изменяться, а напряжение на стаби
лизаторе тока растет.
Для надежной и стабильной работы светодиода его надо питать че
рез стабилизатор тока. В общем виде стабилизатор тока для светодиода
представляет двухполюсник, соединенный последовательно со светодио
дом. В литературе иногда встречается название генератор стабильного
тока.
Схемотехника построения компенсационных стабилизаторов тока с
непрерывным регулированием (КСТ с HP) (рис. 5.35) и компенсационных
стабилизаторов напряжения с непрерывным регулированием (рис. 5.27)
во многом подобны. Принципиальное различие КСТ с HP и КСН с HP со
стоит в том, что в компенсационных стабилизаторах тока с непрерывным
регулированием последовательно с нагрузкой включают иизкоомпый ре
зистор с сопротивлением ~ 0,5 Ом (на рис. 5.35 потенциометр /?3), вы
полняющий функцию датчика тока нагрузки. Напряжение отрицательной
обратной связи, снимаемое с датчика тока нагрузки, пропорционально то
ку нагрузки /н. Оно сравнивается с напряжением, формируемым на ста
билитроне VD1 параметрического стабилизатора напряжения К£>1/?2.
Функцию компаратора выполняет транзистор VT2, входящий в УПТ, ко
торый, в свою очередь, управляет силовым транзистором VT1.
тока с непрерывным регулированием
Это обеспечивает управление регулирующим транзистором VT1.

Изменяя сопротивление потенциометра R3, регулируют стабилизируемый
тока нагрузки.
Широкое применение компенсационных стабилизаторов напряже
ния и тока с непрерывным регулированием объясняется их высокими ка
чественными показателями и хорошей электромагнитной совместимо
стью с аппаратурой РЭС. Их основными недостатками являются относи
тельно низкий КПД, уменьшающийся с понижением уровня выходных
напряжений, а также большие масса и габариты.
§ 5.5. Интегральные стабилизаторы с непрерывным регулированием
В настоящее время для построения стабилизаторов напряжения

имееюя чрезвычайно широкая номенклатура интегральных микросхем
как отечествен ного, так и импортного производства.
Исторически производство таких ИМС восходит к 1967 г. С тех пор
интегральные стабилизаторы напряжения являются неотъемлемой частью
РЭС, тактико-технические характеристики и параметры которых в значи
тельной степени определяют достоверность и стабильность питающих
напряжений.
Последнее десятилетие характеризуется бурным развитием и широ
ким применением автономных устройств и систем с батарейным питани
ем. Это мобильные средства связи, портативные компьютеры, микро
контроллеры, видеокамеры слежения ит. д. Особенность энергообеспе
чения таких устройств и систем предопределена использованием низко
вольтных напряжений, например, 5,0; 3,3; 2,5; 2,0 и 1,8 В.
Очевидно, что при использовании стандартных линейных стабили
заторов напряжения КПД преобразования будет чрезвычайно малым.
Поэтому особым спросом для электропитания устройств и систем
с батарейным питанием пользуются линейные стабилизаторы с малым
падением напряжения на регулирующем элементе, которые часто назы
вают LDO-стабилизаторами (Low Drop Out). Стабилизаторы с малым
падением напряжения используют в качестве регулирующего элемента
биполярный или полевой транзистор (одиночный либо составной).
Падение напряжения в стабилизаторах напряжения LDO составляет деся
тые доли вольта, что, безусловно, расширяет область применения
LDO-стабилизаторов. При этом в полной мере реализуются преимуще
ства LDO-стабилизаторов — малое падение напряжения, высокое быст
родействие, наличие сервисных функций, различные и гибкие режимы
энергосбережения и т. д.
В номенклатуре радиоэлектронных компонентов, доступной разра
ботчикам ИВЭ, имеется более тысячи типов LDO-стабилизаторов, отли
чающихся значениями минимального падения напряжения на регулиру
ющем элементе, диапазоном входного напряжения, диапазоном выход
ных напряжений и токов, числом каналов, собственным током потребле
ния, уровнем шумов, а также наличием сервисных функций.
В ИВЭ широко используются интегральные микросхемы. Напри
мер, к числу, наверное, наиболее распространенных ИМС можно отнести
отечественные микросхемы 142-й серии. Эти ИМС выпускаются двух ос
новных типов: с регулируемым выходным напряжением и фиксирован
ным выходным напряжением. В интегральных стабилизаторах первого
типа отсутствует резистивный делитель. В то же время имеются выводы
от функциональных узлов ИМС, что расширяет область их применения за
счет включения дополнительных внешних электронных компонентов.
Интегральные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным
напряжением представляют собой функционально законченные микро
схемы. Они отличаются большей мощностью по сравнению с первым
типом. Кроме того, стабилизаторы, построенные с использованием
микросхем второго типа, повышают надежность РЭС благодаря тому,
что они не требуют включения дополнительных внешних электрорадио
компонентов.
Интегральные стабилизаторы дешевы, удобны в использовании,
надежны. Практически все они имеют встроенные цепи защиты:
• защиту от перегрузки по току и/или короткого замыкания в
нагрузке;
• тепловую защиту;
• схему коррекции области безопасной работы регулирующего
Применение интегральных стабилизаторов упрощает схемотехнику
ИВЭ и позволяет улучшить их электрические параметры. Даже самые
простые и дешевые ИМС имеют достаточно хорошие электрические па
раметры: коэффициент подавления пульсаций 40 ... 80 дБ и выходное со
противление от 15 ... 30 мОм.
В настоящее время компенсационные стабилизаторы на дискретных
компонентах в области малых и средних мощностей полностью вытесне
ны стабилизаторами в интегральном исполнении. В микросхеме преду
смотрено лишь несколько выводов для подсоединения шин питания и ре
ализации сервисных функций, несмотря на сложное внутреннее устрой
ство стабилизатора. Например, широко распространены стабилизаторы
всего с тремя выводами: для входа, для выхода и для подключения к об
щему проводу. При необходимости увеличения рассеиваемой мощности
к интегральной микросхеме стабилизатора можно прикрепить внешний
радиатор. Для этой цели в пластиковом корпусе микросхемы обычно
предусматривают металлическую площадку, которая имеет хороший теп
ловой контакт с полупроводниковым кристаллом. Если регулирующий
прибор, встроенный в интегральный стабилизатор, неспособен отдать
в нагрузку требуемую мощность, то к микросхеме допустимо подключить
внешний транзистор.
К выходу интегральных стабилизаторов напряжения не следует
подключать конденсаторы большой емкости, поскольку, если в стабили
затор встроена система защиты от короткого замыкания, то она отключит
микросхему при перегрузке по току, вызванной зарядом конденсатора,
а если система защиты отсутствует, то может быть выведен из строя си
ловой транзистор.
Подробно параметры интегральных стабилизаторов напряжения
и типовые схемы их включения приведены в справочной литературе.
Здесь показаны некоторые схемы лишь в порядке иллюстрации.
На рис. 5.36 приведена принципиальная схема КСН с HP с исполь
зованием микросхем К142ЕН1 (микросхема обведена штриховой линей).
Регулирующий элемент микросхемы выполнен на транзисторах V77 и
PTS, включенных по схеме Дарлингтона. Источник опорного напряжения
выполнен на элементах VT1,VD1,VT2,R1,R2 и VD2. Опорное напряже
ние снимается между выводами 6 и 8 микросхемы.
Рис. 5.36. Схема КСН с HP на базе микросхемы K142LH1
Полевой транзистор VT1 и стабилитрон VD1 представляют собой

параметрический стабилизатор напряжения постоянного тока. Транзистор
VT2 и резисторы /?1, R2 обеспечивают получение требуемого эталонного
(опорного) напряжения (Уэт — 2,4 В). Диод VD2 осуществляет темпера
турную стабилизацию опорного напряжения. Усилитель постоянного то
ка выполнен на транзисторах VT4h VT5 по несимметричной дифферен
циальной схеме. Коллекторной нагрузкой транзистора ИТ 5 является по
левой транзистор VT3. Напряжение на резисторе R3 равно Уэт.
Для защиты стабилизатора от короткого замыкания и перегрузок по
току в схему ИМС включен транзистор VT9.
В микросхеме предусмотрена возможность выключения стабилиза
тора внешним сигналом. Для этой цели используется транзистор VT6.
Для работы интегрального стабилизатора напряжения необходимо
подключить к схеме делитель обратной связи /?8/?9/?10, выходной кон
денсатор Сн и резисторы схемы защиты R5, R6 и R7.
Принцип действия СН заключается в следующем. При изменении
входного напряжения, например, увеличении, в первый момент времени
увеличиваются выходное напряжение и напряжение U^bn на нижнем пле
че делителя напряжения (нижняя часть резистора R9 и резистор /?10). По
ложительный потенциал на базе транзистора VTS и его базовый и коллек
торный токи также увеличиваются, что приводит к уменьшению токов
базы транзисторов 777 и VT8, которые запираются, а напряжение кол
лектор — эмиттер транзисторов VT7 и 77'8 возрастает.
Увеличение падения напряжения на составном транзисторе (тран
зисторы VT7 и VT8) приводит, в свою очередь, к уменьшению выходного
напряжения КСН с HP. то есть (7ВЬ1Х останется неизменным.
Принцип действия защиты стабилизатора от короткого замыкания
и перегрузки по току основан на запирании составного регулирующего
транзистора. В номинальном режиме, когда напряжение на резисторе
R7 (датчике тока) меньше напряжения на резисторе /?5, база транзистора
77’9 имеет отрицательный потенциал по отношению к его эмиттеру
и транзистор 77’9 закрыт. При токовой перегрузке или при коротком за
мыкании на выходе С’Н возрастает напряжение на резисторе R7. Как
только напряжение на резисторе R7 превысит напряжение на резисторе
R5, потенциал базы транзистора 77’9 станет положительным по отноше
нию к его эмиттеру, транзистор 77’9 открывается и его базовый и коллек
торный токи увеличиваются. Увеличение коллекторного тока транзистора
77’9 приводит к уменьшению токов базы транзисторов 777 и 77'8, они
запираются, что вызывает уменьшение тока нагрузки.
Как следует из принципа действия схемы защиты, ток нагрузки, при
котором происходит срабатывание, зависит от сопротивления резистора
R7. Чем меньше сопротивление резистора R7, тем при больших токах
нагрузки срабатывает схема зашиты.
На рис. 5.37 изображена зависимость выходного напряжения от то
ка нагрузки стабилизатора.
Рис. 5.37. Зависимость выходного напряжения КСН с HP от тока нагрузки в режиме

стабилизации напряжения и в режи ме ограничения тока нагрузки
КСН с HP работает в режиме стабилизации напряжения при токах

нагрузки, не превышающих номинальный ток нагрузки /нном, Д° значения
тока нагрузки /н, равного значению /Нтах. При токах нагрузки, превы
шающих /нтах и достигших максимального тока нагрузки /нтах, начи
нает работать схема защиты, и стабилизатор переходит в режим ограни
чения тока. При этом ток нагрузки уменьшается до минимального тока
А<з О-
Для выключения стабилизатора на базу транзистора VT6 (вывод 9)
подастся внешний положительный сигнал. Транзистор VT6 открывается,
составной регулирующий транзистор (транзисторы VT7 и VT8) запирает
ся, а напряжение на выходе стабилизатора уменьшается до нуля.
Интегральные микросхемы типа 1<142ЕНЗи К142ЕН4 обеспечива
ют выходные напряжения в диапазоне от 3 В до 30 В. Максимально допу
стимый ток составляет 1 А.
Максимальная мощность микросхемы без дополнительного тепло
провода составляет 1,4 Вт (при температуре окружающей среды +50 °C).
Типовая схема включения микросхем К142ЕНЗ и К142ЕН4 приведена
на рис. 5.38.
Интегральные микросхемы типа К142ЕН5А и К142ЕН5Б обеспечи
вают фиксированные значения выходных напряжений 5 и 6 В соответ
ственно. Максимально допустимый ток нагрузки не превышает 3 А. Мак
симально доп} стимая мощность для этих схем без применения дополни
тельного теплоотвода составляет 1,2 Вт (при температуре окружающей
Рис. 5.J8. Типовая схема включения микросхем К142ЕНЗ и К142ЕН4
В стабилизаторах с фиксированным выходным напряжением уро

вень выходного напряжения задан с помощью встроенного делителя вы
ходных напряжений. Типовая схема включения содержит только два
внешних элемента — конденсаторы С1 и С2, величины которых укаты
вают в паспортных характеристиках ИМС. С помощью конденсатора
С2 обеспечивается устойчивость стабилизатора при импульсном измене
нии тока нагрузки. Входной конденсатор С1 необходим для подавления
высокочастотных помех первичной сети и устранения возможной генера
ции при скачкообразном включении входного напряжения.
Схема включения ИМС К142ЕН5А и К142ЕН5Б приведена на
Интегральные микросхемы К142ЕН6 дают возможность получить

двуполярное стабилизированное напряжение в диапазоне ± (5.. .25) В при
максимальном токе нагрузки до 0,2 А. Схема стабилизатора на микросхе
ме К142ЕН6 приведена на рис. 5.40.
Рис. 5.40. Типовая схема включения микросхем К1421ТН6

Микросхемы К142ЕН10дают возможность получить стабилизиро
ванное напряжение отрицательной полярности. Схема включения микро
схемы К142ЕН10 приведена на рис. 5.41.
+ ^внх
Рис. 5.41. Типовая схема включения микросхемы К142ЕН10
Если микросхемы интегральных стабилизаторов напряжения не мо

гут обеспечить необходимый ток нагрузки, то подключается внешний до
полнительный регулирующий транзистор.
Интегральные стабилизаторы напряжения 142-й серии не всегда
имеют полную маркировку типа. В этом случае на корпусе микросхемы
стоит условный код обозначения, который и позволяет определить тип
микросхемы.
Микросхемы стабилизаторов напряжения с приставкой КР вместо
К имеют те же параметры и отличаются только конструкцией корпуса.
При маркировке этих микросхем часто используют укороченное обозна
чение, например, вместо КР142ЕН5А наносят КРЕН5А.
Примеры расшифровки кодовой маркировки на корпусе микросхем
представлены на рис. 5.42.
142ЕН5А К142ЕН8Д
год и месяц
Рис. 5.42. Кодовая маркировка на корпусе микросхем

§ 5.6. Пример использования схемотехнических особенностей
при разработке, швейных стабилизаторов напряжения
При разработке КСН с HP и последовательным включением регу

лирующего элемента и нагрузки иногда РЭ выполняется в виде двух по
следовательно включенных транзисторов (рис. 5.43). Это выполняют для
разгрузки регулирующего транзистора по напряжению и мощности.
Управление силовым транзистором VT3 осуществляется обычным
образом, а силовым транзистором VT1— разностью падений напря
жений UR4 на резисторе /?4и UK3VT3 на транзисторе VT3, то есть
^бэУТ1 = UR4 — UK3VT3. Причем напряжение UR4 является постоянной
величиной, так как питается от ПСН, построенного на стабилитоке
/?1К7'2 и стабилитроне VD2 и питающегося от дополнительного источ
ника энергии с входным напряжением 1/доп.
Для разгрузки транзистора VT1 по току и мощности он шунтирован
резистором R2.
Принцип действия рассматриваемого КСН с HP аналогичен прин
ципу действия компенсационного стабилизатора напряжения непрерыв
ного регулирования, построенного по традиционной схеме.

напряжения постоянного тока с непрерывным регулированием
Пусть входное напряжение Увх КСН с HP уменьшилось. Тогда в пер
вый момент времени уменьшится напряжение УВЬ1Х на нагрузке, а значит,
на резисторе R8 делителя R7R8 выходного напряжения.
Это приведет к уменьшению управляющего напряжения U63VT4
усилительного транзистора РТ4(ведь ибэ VT4 = URS — UVD1, где UR8 —
напряжение на резисторе R8, UVD1 — напряжение на стабилитроне VD1,
поддерживаемое постоянным ПСИ Р7)1/?6). В свою очередь, уменьшение
управляющего напряжения 1/бэ У7-4 согласно входной характеристике
/б = /(Убэ) биполярного транзистора приводит к уменьшению его базо
вого тока /бгГ4. Учитывая, что коллекторный 1кУТ4 и базовый laVT4 токи
связаны соотношением 1кУт4 = ^21Э ’ VT4 (здесь /г21Э— коэффициент
передачи тока), то уменьшается и коллекторный ток 1кУт4- Напряжение
UR5 на резисторе R5 определяется суммой малоизменяющихся падений
напряжений (JVD2 и Убэгтз> то есть ^R5 = Uvd2 + ^бэгтз = const. Тогда
и ток /к5 через резистор R5 является малоизменяющимся, то есть практи
чески постоянным. С учетом того, что IR5 = Iqvt3 + А<тт4> уменьшение
1кУт4 приводит к росту базового тока 1(1Утз транзистора VT3, что (в соот
ветствии с выходными характеристиками биполярных транзисторов) при
сохранении неизменного коллекторного тока IKVT3 приводит к уменьше
нию падения его напряжения коллектор — эмиттер UK3VT3. Это обеспечи
вает сохранение неизменным УВЬ1Х при уменьшении UBX, то есть в рас
сматриваемом устройстве наблюдается стабилизация выходного напря
жения.
В номинальном режиме работы КСН с HP мощность PVT3, рассеи
ваемая на транзисторе VT3, равна
Рутз = /н • UK3VT3 = /н ■ (UR4 — Uq3VT1).
Учитывая, что 1/бэУТ1 « ^?4> последнее выражение можно записать
в виде
РVT3 = /н • UR4 ,
то есть PVT3 является практически постоянной величиной. Более того, ре
гулируя напряжение UR4, можно ее сделать незначительной. Напряжение
UR4 должно обеспечивать линейный режим работы транзистора VT3 при
минимально допустимых напряжениях UK3VT3.
В номинальном режиме работы КСН с HP мощность PVT1, рассеи
ваемая на транзисторе VT1, равна
РУГ1 = IkVTI ’ ^ksVTI = IkVTI ' (^вх _ ^кэ VT3 ~ ^Ll ~ ^вых)<
где UL1 — падение напряжения на дросселе L1.
Учитывая, что UK3VT3 является малоизменяющейся величиной и
^кэгтз « (^вх — ^вых)> а величина UL1 примерно равна 0,1 В, то послед
нее выражение можно записать как
Pvti — IkVTI ' (^вх ^вых)- (5.27)
Коллекторный ток IkVT1 транзистора VT1 равен разности тока 1„
нагрузки и тока IR2 через шунтирующий резистор R2, то есть
Ikvti — А) “ Ir2- (5.28)

Учитывая, что
кэ VT1 (t/BX ^вых)
//?2 — I
R2 R2
то выражение (5.28) можно записать в виде
. _ . (t/вх ~ ^вых)
'kVTI — ‘н (5.29)
R2
Отсюда следует, что при неизменном токе нагрузки /н вариация
входного напряжения UBX КСН с HP от минимального UBxmin до макси
мального UBxmax значения коллекторный ток lKyri транзистора VT1 из
меняется от максимального значения, равного /н, до минимального значе
ния. Это позволяет задать правило выбора сопротивления резистора R2.
Например, сопротивление резистора R2 выбирают таким, чтобы при мак
симальном входном напряжении UBXmax через шунтирующий резистор
R2 протекал ток, равный току нагрузки (естественно, что при этом IK VT1
равен нулю).
Уравнение (5.29) можно для этого режима записать как
(t/вх мах t/BbIX)
0 = /н
R2
ИЛИ
(t/вх мах ^вых)
R2 = (5.30)
~Н '
С учетом уравнения (5.20) из уравнения (5.29) следует
I -- I _ С^ВХ Удых) /
/к™-'н №х мах-t/вых)'
/ /н
Теперь выражение (5.27) для определения мощности, рассеиваемой

на силовом транзисторе VT, можно записать в виде
PVT1 = /и • (1 - ,/ВХ ~5п'Х ) • (t/вх - t/вых) • (5.31)
' ^вх мах ^вых'
Уравнение (5.31) иллюстрирует тот факт, что зависимость мощно
сти, рассеиваемой на транзисторе VT1, от напряжения на этом транзисто
ре определяется параболической зависимостью, имеющей максимум
(рис. 5.44).
Рис. 5.44. Харакпирные диаграммы токов и мощности для КСН с ИР
Для определения максимального значения мощности PVTlmux, рас

сеиваемой на транзисторе VT1, необходимо приравнять нулю частную
производную PVT1 по (Увх — Увых), то есть исследовать функцию
дРуп _ Q
~ ^вых)
Полученное выражение с учетом формулы (5.31) после соответ

ствующих преобразований можно записать в следующем виде
дРуп Хувх - ивыхУ
= 0.
d(UBX - ивых) Vitx мах VBbIK
Из этого уравнения следует, что максимум функция (5.31) имеет
при
вхтах VBMX)
VsblX >
2
а максимальная мощность PVTltnax ПРИ этом определяется формулой
PvTlmax — 4 '^н ' (Хвктах Двых) • ( ■ )
Полученная формула (5.32) иллюстрирует положительный эффект

от реализованных схемотехнических решений в рассмотренном КСН с
HP, а именно тот факт, что рассеиваемая мощность на регулирующем
транзисторе в четыре раза уменьшилась благодаря шунтированию сило
вого транзистора резистором.
Кош рольные вопросы
1. Какие устройства называются линейными стабилизаторами напряже

ния и стабилизаторами тока?
2. По каким параметрам классифицируют линейные стабилизаторы
3. Почему компенсационные стабилизаторы напряжения с непрерывным
регулированием называют линейными?
4. Нарисуйте структурные схемы линейных стабилизаторов напряжения
с последовательным и параллельным включением регулирующего
транзистора и нагрузки.
5. Как определяются динамическое сопротивление и коэффициент ста
билизации выходного напряжения по входному КСН с HP?
6. Объясните физические процессы в КСН с HP при возрастании вход
7. Какие существуют схемотехнические методы улучшения основных
параметров КСН с HP?
8. Покажите область на коллекторной характеристике биполярного
транзистора, в которой находится рабочая точка регулирующего (си
лового, проходного) транзистора в устройствах с непрерывным регу
лированием.
9. Объясните принцип работы линейного стабилизатора напряжения
с динамической нагрузкой.
с дополнительным стабилизированным питанием усилителя постоян
ного тока.
с термокомпенсацией опорного напряжения.
12. Нарисуйте линейный стабилизатор тока и объясните принцип его ра
боты.
13. Как включены датчик напряжения в КСН с HP и датчик тока в КСТ
с HP?
14. Какие требования предъявляются к датчикам напряжения и тока?
15. Может ли выходное напряжение линейного стабилизатора напряже
ния быть меньше опорного напряжения?
16. В каком случае целесообразно строить КСН с HP на дискретных ком
понентах, а не на интегральных микросхемах?
17. Как осуществляется умощнение КСН с HP, построенных с использо
ванием интегральных микросхем?
18. Нарисуйте функциональную схему линейного стабилизатора напря
жения и получите в аналитическом виде выражения для определения
его динамического сопротивления и коэффициента стабилизации,
а также связи изменений эталонного и выходного напряжений.
19. Нарисуйте типовую схему линейного стабилизатора напряжения на
микросхеме К142ЕН1.
20. Найдите в технической литературе и/или сети Internet 6-8 типов мик
росхем отечественного и зарубежного производства для построения
линейных стабилизаторов напряжения. Проанализируйте их взаимо
заменяемость.
21. Зачем в КСН с HP и последовательным включением регулирующего
элемента и нагрузки иногда РЭ выполняется в виде двух последова
тельно включенных транзисторов?
элемента и нагрузки иногда РЭ выполняется в виде двух параллельно
включенных транзисторов?
элемента и нагрузки иногда регулирующий транзистор шунтируют
резистором?
ГЛАВА 6.
УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ
ПОСТОЯННОГО ТОКА В ЭНЕРГИЮ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
(DC/АС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ)
Преобразование энергии постоянного тока в энергию переменного

тока называется инвертированием, а электронные устройства, осуществ
ляющие такое преобразование, — инверторами (Инв), или DC/AC-
преобразователями.
Инверторы классифицируются по ряду признаков, основными из
которых являются следующие:
• тип коммутирующего полупроводникового прибора (транзистор
или тиристор), то есть на транзисторные и тиристорные инверто
ры;
• род преобразуемой величины (ток или напряжение), то есть на
инверторы тока и инверторы напряжения;
• принцип управления коммутирующими полупроводниковыми
приборами (инверторы с самовозбуждением и инверторы с внеш
ним возбуждением);
• принцип выбора частоты коммутации (автономные инверторы
и зависимые инверторы, которые часто называют инверторами,
ведомыми сетью);
• число фаз выходного напряжения (однофазные и трехфазные ин
верторы);
• гактность (однотактные и двухтактные инверторы).
Принцип инвертирования заключается в периодическом изменении

полярности входного напряжения постоянного тока, питающего нагрузку,
что обеспечивает протекание в нагрузке переменного тока. Для нормаль
ной работы инвертора необходима коммутация его входного напряжения.
Поэтому функционально необходимым элементом инверторов является
электронный ключ. В инверторах малой и средней мощности в качестве
такого ключа используются, как правило, транзисторы.
Транзисторы, работающие в режиме переключения, наиболее полно
соответствуют модели идеального электронного ключа, так как имеют
малое сопротивление (десятые — сотые доли Ома) в замкнутом состоя
нии и большое сопротивление (105 ... 10б Ом) в разомкнутом состоянии.
Причем основное время периода коммутации рабочая точка транзистора
находится в названных предельных режимах, когда мощность, рассеивае
мая на транзисторе, мала. Лишь при переходе рабочей точки, например,
биполярного транзистора из режима насыщения в режим отсечки и об
ратно его рабочая точка проходит через активную область, то есть через
область с достаточно большой мощностью, рассеиваемой на транзисторе.
Естественно, что при коммутации транзистора время его переключения
существенно меньше времени нахождения транзистора в режиме насы
щения или отсечки. Такая организация траектории рабочей точки транзи
стора по его области безопасной работы обеспечивает незначительные
потери мощности в транзисторе, что обеспечивает высокий КПД инвер
торов, достигающий 90 %.
§6.1. Силовая часть инверторов
Эксплуатационные и энергетические характеристики инверторов

в значительной степени определяются их силовой частью.
Силовая часть однотактных инверторов представляет последова
тельное включение коммутирующего элемента и нагрузки.
На рис. 6.1 показана схема силовой части однотактного инвертора,
питающего нагрузку /?н через трансформатор Т1.
J.+H
w2
nJ W| 1ЫХ
1 -(+) ML
Г...
Рис. 6.1. Схема силовой части однотактного инвертора
При полностью открытом транзисторе VT1 к первичной обмотке

трансформатора Т1 приложено сетевое напряжение Увх, под действием
которого по обмотке начинает протекать ток, создающий в магнито
проводе трансформатора поток магнитной индукции Ф. Этот поток маг
нитной индукции наводит ЭДС на обмотках и w2 трансформатора Т1,
включенных, например, согласно. На рис. 6.1 это показано точками на
обмотках Wj и w2. Полярность наведенных ЭДС на обмотках Ш] и w2
в соответствии с правилом Ленца указана на рис. 6.1 без скобок. ЭДС,
наведенная на вторичной обмотке w2 трансформатора Т1, обеспечивает
протекание тока ix через нагрузку /?н.
При выключении транзистора VT1 через первичную обмотку
трансформатора Т1 ток не протекает. Поэтому в соответствии с правилом
Ленца полярность наведенных ЭДС на обмотках w1 и w2 изменяется.
На рис. 6.1 они указаны в скобках. За счет энергии, накопленной в маг
нитном поле трансформатора, обеспечивается протекание тока i2 через
нагрузку R„ в противоположном направлении.
__ Таким образом, на выходе рассматриваемого инвертора формирует
ся напряжение переменного тока.
В однотактных инверторах ток через первичную обмотку транс
форматора протекает один раз за период коммутации электронного клю
ча. Это является причиной подмагничивания магнитопровода трансфор
матора. Для исключения названного явления магнитопровод трансформа
тора выполняют с немагнитным зазором.
Различают три типовых схемы построения силовой части двухтакт
ных инверторов, то есть инверторов, в которых энергия со входа на выход
передастся в течение обоих тактов работы силового транзистора: схема со
средней точкой (с нулевым выводом), мостовая схема и полумостовая
схема.
Силовая часть двухтактного инвертора, построенная по схеме со
средней точкой (рис. 6.2), содержит два электронных ключа, например,
два транзистора VT1 и VT2, и выходной трансформатор Т1, у которого
имеется вывод от середины первичной обмотки, состоящей из двух полу
обмоток с равным числом витков wx = w2, а к вторичной обмотке w3
Рис. 6.2. Силовая часть инвертора, построенная по схеме со средней точкой
При полностью открытом транзисторе VT1 и закрытом транзисторе

VT2 входное напряжение UBX инвертора обеспечивает протекание тока ix
по верхней полуобмотке wt первичной обмотки трансформатора Т1. При
закрытом транзисторе VT1 и полностью открытом транзисторе VT2 вход
ное напряжение Увх инвертора обеспечивает протекание тока i2 по ниж
ней полуобмотке первичной обмотки w2 трансформатора.. Наличие в об
мотках wr и w2 токов обеспечивает появление в магнитопроводе транс
форматора изменяющегося во времени t потока магнитной индукиии Ф,
который (в соответствии с законом электромагнитной индукции) наводит
на всех обмотках iv1; iv2 и w3 трансформатора ЭДС, которые пропорцио
нальны числу витков соответствующей обмотки и скорости изменения
потока магнитной индукции. Наличие на выходной обмотке w3 ЭДС ин
дукции обеспечивает протекание через нагрузку /?н переменного тока.
Мостовая схема силовой части инвертора (рис. 6.3) содержит четы
ре электронных ключа, например, четыре транзистора VT1 ... КТ4, вклю
ченных по мостовой схеме.
Рис. 6.J. Силовая часть инвертора, построенная по мостовой схеме
При полностью открытых транзисторах VT1 и К7'4 и закрытых

транзисторах VT2 и VT3 входное напряжение Увх обеспечивает протека
ние через нагрузку /?н тока it. При закрытых транзисторах VT1 и VT4
и полностью открытых транзисторах VT2 и VT3 входное напряжение Увх
обеспечивает протекание через нагрузку RH тока i2. Это формирует
на нагрузке 7?н выходное напряжение ttBblx переменного тока.
Полумостовая схема силовой части инвертора (рис. 6.4) содержит
два электронных ключа, например, два транзистора VT1 и VT2, образую
щих одно плечо моста, и два конденсатора С1 и С2, образующих другое
плечо моста. Нагрузка /?н включена в диагональ моста, как правило, через
трансформатор.
Транзисторы VT1 и VT2, как и в предыдущих схемах построения
силовой части инвертора, работают противофазно и в ключевом режиме.
Входное напряжение UBX обеспечивает непрерывную подзарядку конден
саторов СТ и С2. Сами же конденсаторы С1 и С2 поочередно разряжаются
на нагрузку /?н соответствующими токами, что обеспечивает протекание
переменного тока через нагрузку. Таким образом,! на нагрузке /?н форми
руется выходное напряжение иВЬ1Х переменного тока.
Рис. 6.4. Силовая часть инвертора, построенная по полумостовой схеме
В рассмотренных схемах построения силовой части инверторов

за период коммутации полупроводниковых приборов через первичную
обмотку трансформатора протекают два импульса тока, имеющих разные
направления. Это исключает вынужденное подмагничивание магнито
провода трансформатора.
Рассмотренные схемы построения силовой части инвертора тради
ционны. При реализации конкретной схемы построения силовой части
следует представлять ее достоинства и недостатки. Так, в схеме со сред
ней точкой требуется в два раза меньше транзисторов, чем в мостовой,
но при этом напряжение, приложенное к закрытому транзистору, почти
в два раза превышает напряжение питания Пвх. Кроме того, трансформа
тор для схемы со средней точкой менее технологичен по сравнению
с трансформатором для других схем. В полумостовой схеме по сравне
нию с мостовой требуются конденсаторы при соответствующем умень
шении числа транзисторов.
§ 6.2. Автономные инверторы с самовозбуждением
Автономные инверторы с самовозбуждением не требуют внешних

источников управляющих переменных сигналов. Переменное напряжение
требуемой частоты создается самим инвертором.
Коммутация ключей в автономных инверторах с самовозбуждением
выполняется с помощью нелинейного элемента, функцию которого реа
лизует либо сетевой трансформатор, либо дополнительный (коммутиру
ющий) трансформатор.
Автономный инвертор с самовозбуждением (синонимы — генера
тор Ройера, двухтактный блокинг-генератор, двухтактный магнито
транзисторный генератор) предназначен для формирования напряжения
переменного тока, как правило, прямоугольной формы достаточно высо
кой частоты преобразования f, равной (50 ... 1 000) кГц.
6.2.1. Принцип действия

Инвертор (рис. 6.5) состоит из двух силовых транзисторов VT1
и VT2, работающих в ключевом режиме, сетевого трансформатора Т1
с согласно включенными коллекторными обмотками vv2 и w3 и базовыми
обмотками и w4, а также нагрузочной обмоткой w5 (на рис. 6.5 это от
мечено точками). Строго говоря, схема включения нагрузочной обмотки
w5 по отношению к остальным обмоткам w4, w2, w3 и w4 может быть лю
бой: либо согласной, либо встречной. Обычно реализуют равное число
витков как для двух базовых обмоток, так и двух коллекторных обмоток,
то есть — w4 и w2 — w3- Это превращает рассматриваемый инвертор
в симметричное устройство.
Рис. 6.5. Схема автономного инвертора

с насыщающимся сетевым трансформатором
Делитель R 1/?2 входного напряжения Увх называется резистивной

запускающей цепочкой, обеспечивающей первоначальный запуск инвер
тора за счет создания между базой и эмиттером каждого из силовых тран
зисторов VT1 и VT2 напряжения, равного напряжению на резисторе R2
и достаточного для надежного включения силовых транзисторов.
Базовые обмотки и iv4 сетевого трансформатора Т1 обеспечива
ют в инверторе положительную обратную связь. Магнитопровод транс
форматора Т1 выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерези
са, то есть зависимость магнитной индукции В от напряженности магнит
ного поля Н близка к прямоугольной.
В качестве материала для изготовления магнитопроводов инверто
ров используются пермаллой и феррит.
Пермаллой представляет собой прецизионный сплав с магнитно
мягкими свойствами, состоящий из железа и никеля (45 ... 82 % Ni) и ле
гированный несколькими другими компонентами. Наиболее распростра
нены пермаллои марок 79НМ, 81 НМД. Они выпускаются в виде ленты
толщиной от 0,005 мм до 2,5 мм, их магнитная индукция насыщения Bs
составляет ~0,75 Тл, они обладают начальной магнитной проницаемо
стью ~10 ООО и максимальной магнитной проницаемостью ~200 ООО.
Ферриты представляют собой поликристаллические многокомпо
нентные соединения, изготавливаемые по специальной технологии. Общая
химическая формула ферритов записывается в виде МеБе20з, где Me — ка
кой-либо ферромагнетик (например, Мп, Zn, Ni). Наибольшее распростра
нение в ИВЭ получили марганец-цинковые ферриты марок НМ (6000НМ,
4000НМ, 3000НМ, 2000НМ, 1500НМ, 1000НМ) и никель-цинковые ферри
ты марок НН. Марганец-цинковые ферриты марок 6000НМ, 4000НМ,
3000НМ, 2000НМ, 1500НМ, 1000НМ используются при частотах до не
скольких сот килогерц. Никель-цинковые ферриты марок 2000НН, 1000НН,
600НН, 200НН, 100НН используются при частотах до семи мегагерц.
Принцип действия автономного инвертора с насыщающимся сете
вым трансформатором состоит в следующем.
При подключении инвертора к первичному источнику питания Увх
через резистивную запускающую цепочку R1R2 протекает ток, обеспечи
вающий падение напряжения UR2 на резисторе R2, достаточное для
надежного включения транзисторов VT1 и VT2. Напряжение UR2 прило
жено между базой и эмиттером силовых транзисторов VT1 и Р7’2.
Из-за неидентичпости параметров используемых транзисторов кол
лекторные токи ix = i'kvti и i2 = iKvr2 транзисторов VT1 и У7’2 не равны.
Пусть коллекторный ток ц транзистора VT1 случайным образом
(например, из-за различия параметров транзисторов) стал больше коллек
торного тока i2 транзистора VT2, то есть магнитодвижущая сила первичной
обмотки w2 превысила магнитодвижущую силу первичной обмотки w3. Ре
зультирующая магнитодвижущая сила обмоток w2 и w3 создает в магнито
проводе трансформатора магнитный поток Ф, который, в свою очередь,
индуцирует на всех обмотках ш2, ..., ш5 соответствующие ЭДС, поляр
ность которых определяется правилом Ленца и на рис. 6.5 указана на всех
обмотках без скобок.
Причем включение (согласное или встречное) обмотки w5 по отно
шению к остальным обмоткам трансформатора для формирования вы
ходного напряжения иВЬ|Х переменного тока роли не играет.
ЭДС, наведенная на базовой обмотке w1, является входным напря
жением для транзистора VT1. А ЭДС, наведенная на базовой обмотке iv4,
является входным напряжением для транзистора VT2. По этой причине
потенциал базы транзистора VT1, через который протекал больший кол
лекторный ток, стал сшс более положительным, а потенциал базы транзи
стора VT2, через который протекал меньший коллекторный ток, стал еще
более отрицательным.
Это приводит к лавинообразному процессу открывания транзистора
VT1 (на рис. 6.6 это интервал времени от t0 до Сг) и закрывания транзи
стора VT2. В результате транзистор VT1 будет открыт и насыщен, а тран-
Рис. 6.6. Характерные диаграммы для автономного инвертора напряжения

с насыщающимся сетевым трансформатором
При этом к последовательно включенным обмотке w2 трансформа

тора Т1 и транзистору VT1, рабочая точка которого находится на его кол
лекторной характеристике в режиме насыщения, приложено входное
напряжение UBX, то есть можно записать
Ubx ^вх + Укэ нас > (6-1)
где U'm — напряжение, приложенное к обмотке w2,

UK3 нас — напряжение на транзисторе, рабочая точка которого нахо
дится на коллекторной характеристике в режиме насыщения.
Коллекторный ток гх = iK VT1 открытого и насыщенного транзисто
ра определяется суммой токов: током нагрузки i„, приведенным к пер
вичной обмотке w2 трансформатора; током базы i'5 транзистора (также
приведенным к первичной обмотке w2) и током намагничивания
трансформатора, то есть
й = *н + ‘б + ‘д- (6.2)
Пока магнитопровод трансформатора Т1 не насыщен (участки
3—2—1—7 и 3-5-6-7 петли гистерезиса, показанной на рис. 6.7), ток намаг
ничивания значительно меньше суммы токов i'H и i'6, то есть « i'H + i’6,
а значит, не оказывает существенного влияния на коллекторный ток
ix открытого и насыщенного транзистора VT1. Надо отметить, что на
рис. 6.7 декартовы оси координат представляют зависимость магнитной
индукции В от напряженности магнитного поля Н, то есть В = f(H).
В свою очередь, напряженность магнитного поля Н пропорциональна силе
тока намагничивания .
В это время (на рис. 6.6, а это интервал времени от t0 до t2) на
нагрузке /?н формируется первый полупериод выходного напряжения
ивых, полярность которого указана на рис. 6.5 без скобок.
Однако при насыщении магнитопровода трансформатора (участки
3-4 и 7-8 петли гистерезиса, показанной на рис. 6.7) прекращается увели
чение магнитной индукции В (она достигла магнитной индукции насы
щения Bs), а ток намагничивания i^, пропорциональный напряженности
магнитного поля И, резко увеличивается (на рис. 6.6, а это начинается
с момента времени t2), а значит, увеличивается и коллекторный ток тран
зистора VT1 (рис. 6.6, б). Это обусловлено тем, что ток намагничивания
значительно больше суммы токов и i'6, то есть » i'H + i'q, а значит,
оказывает существенное влияние на коллекторный ток ix открытого
и насыщенного транзистора (формула (6.2)).
Из-за роста коллекторного тока транзистора VT1 увеличивается па
дение напряжения на нем (рабочая точка транзистора VT1 перемещается
на его коллекторной характеристике из режима насыщения в активный
режим), что приводит к уменьшению падения напряжения на обмотке ш2,
то есть происходит перераспределение напряжения питания UBX между
транзистором VT1 и обмоткой w2- В соответствии с правилом Ленца это
вызывает изменение полярности ЭДС, индуцированной на обмотке ш2,
а значит, и всех других согласно включенных обмотках трансформатора
(на рис. 6.5 она указана в скобках).
Рис. 6.7. Петля гистерезиса намагничивания материала магнитопровода сетевого

трансформатора инвертора
Изменение полярности ЭДС, индуцированных на базовых обмотках

Wj и w4, приведет к тому, что транзистор VT1 закрывается (его рабочая
точка на коллекторной характеристике переходит из режима насыщения
в режим отсечки). На рис. 6.6 это отмечено моментом времени t3. При
этом транзистор VT2 открывается (его рабочая точка на коллекторной ха
рактеристике переходит из режима отсечки в режим насыщения), и начи
нает формироваться второй полупериод выходного напряжения иВЬ1Х, по
лярность которого указана на рис. 6.5 в скобках.
По этой причине входной ток инвертора протекает через обмотку
w3 и транзистор VT2 и создаст в магнитопроводе трансформатора Т1
магнитный поток другого направления.
На интервале времени от t3 до t6 (рис. 6.6, а) на нагрузке RH форми
руется второй полупериод выходного напряжения цВЬ|Х, полярность кото
рого указана на рис. 6.5 в скобках.
При достижении насыщения магнитопровода сетевого трансформа
тора Т1 (момент времени t5) вновь в интервале времени от t5 до С6
(рис. 6.6, а) произойдет лавинообразный процесс, в результате которого
транзистор VT2 будет закрыт, а транзистор VT1 — открыт и насыщен.
Затем процесс коммутации повторится.
Выбор силовых транзисторов для! электронных ключей АИН вы
полняют в основном по трем параметрам:
• максимальный коллекторный ток 1ктах',
• максимальное коллекторное напряжение Икэ тах',
• максимальная допустимая мощность Руттах-
Указанные параметры определяют рабочую область транзистора.

Выбор силовых транзисторов проводят на основании проверки непревы-
шения параметров их максимальным значениям.
В табл. 6.1 приведены диапазоны значений основных параметров
некоторых отечественных биполярных транзисторов (h213 — коэффици
ент передачи тока).
Таблица 6.1
Основные параметры некоторых отечественных
биполярных транзисторов
Тип 'к max? кэ тах? Рут maxi
^21э
транзистора А В Вт
Малой мощности 0,01 ...0,1 5...25 0,01 ...0,3 20 ...200
Средней мощности 0,05 ...0,5 25... 100 0,3 ...3,0 10 ...30
Большой мощности 0,5 ...10 50 ...1 000 3,0 ...100 5... 7
Транзисторная сборка 10 ...500 100 ...1 000 100 ...10 000 500 ...10 000
6.2.2. Вывод формулы для определения частоты коммутации

Зависимость магнитной индукции В от времени t практически
представляет собой линейную функцию (рис. 6.6, в). И лишь в интервалах
коммутации, длительность которых значительно меньше периода выход
ного напряжения ивых, временная зависимость магнитной индукции явля
ется явно нелинейной функцией. Это позволяет для идеальных электрон
ных ключей построить графики uBbIX = /(t) и В = /(t) (рис. 6.8). Форма
выходного напряжения ивых трансформатора приближается к меандру.
В этом случае в интервале времени от нуля до Т/2, то есть когда
магнитопровод трансформатора нс насыщен, напряжение [7'х, приложен
ное к коллекторной обмотке, например, w2, уравновешивается ЭДС ин
дукции.
Поэтому можно записать, что
У'х = и/2- —. (6.3)
Учитывая уравнение (6.1) и связь магнитного потока Ф с магнитной

индукцией В
Ф = В -S, (6.4)
где 5 — площадь поперечного сечения магнитопровода, охватываемая
каждым витком обмоток трансформатора, из уравнения (6.3) можно
записать
^вх ^кэ нас
(6.5)
Рис. 6.8. Временные зависимости выходного напряжения и магнитной индукции
В течение времени, пока сетевой трансформатор не насыщен, пра

вая часть полученного уравнения остается постоянной. Тогда из этого
уравнения очевидно следует, что clB/dt = const, а магнитная индукция
зависит от времени по линейному закону. Симметричность рассматрива
емой схемы инвертора обеспечивает отсутствие подмагничивания магни
топровода трансформатора.
Пренебрегая интервалом коммутации транзисторов по сравнению
с периодом Т следования импульсов выходного напряжения, можно
уравнения (6.5) на первом полупериоде иВЬ|Х записать в виде:
(6.6)
где Bs — магнитная индукция насыщения материала магнитопровода

трансформатора инвертора.
Интегрируя уравнение (6.6), получают
Âsx (^кэ нас Г
(6.7)
W2 ’ 2’
Формула для расчета частоты f коммутации, а значит, частоты
выходного напряжения иВЬ1Х переменного тока автономного инвертора с
насыщающимся сетевым трансформатором из выражения (6.7) имеет
следующий вид:
Ubx ^кэ нас
(6.8)
4 • w2 • 5 ■ Bs ’
Пример. Рассчитать частоту коммутации f автономного инвертора с са

мовозбуждением, сетевой насыщающийся трансформатор которого вы
полнен на магнитопроводе К16/8-6 и изготовлен из феррита марки
2000НМ1. Напряжение питания инвертора равно 24,0 В, число витков
коллекторной обмотки — 8. В качестве ключей использованы транзисто
ры 2Т827А (это составной транзистор, изготовленный в одном корпусе).
Решение. Из справочной литературы находим, что для выбранного типа

транзистора 1/кэ нас = 2,0 В, а магнитная индукция насыщения Bs исполь
зованного феррита равна 0,39 Тл. Учитывая, что типоразмер тороидаль
ных магнитопроводов обозначается К D/d — h, где D и d — внешний и
внутренний диаметры магнитопровода, h — толщина магнитопровода
(D, d и h измерены в миллиметрах), то площадь поперечного сечения
магнитопровода, охватываемая витками обмоток трансформатора, равна
D-d 16-8
5 = —— • h = —— • 6 ■ 10~6 = 24 • 10~6 м2.
2 2
Тогда по формуле (6.8) вычисляют искомую частоту коммутации:
24,0 - 2,0
f = 4 ■ 8 ■ 24 ■ 10_6 ■ 0,39 = 73 КГЦ'
При записи результата вычислений округление выполнено до двух

значащих цифр, так как исходные данные представлены либо двумя зна
чащими цифрами (2,0; 0,39; 24), либо тремя (24,0).
Формула (6.8) позволяет выполнить анализ влияния факторов
на частоту генерации выходного напряжения инвертора с самовозбужде
нием.
Частота генерации, к сожалению, практически линейно зависит
от напряжения питания (ведь, как правило, 1/кэ нас « Увх), то есть относи
тельные изменения напряжения питания и частоты преобразования прак
тически равны. Это предопределяет один из основных недостатков ин
верторов с насыщающимся сетевым трансформатором, заключающийся
в изменении частоты переключения транзисторов из-за разрядки первич
ного источника энергии, что встречается часто на автономных объектах.
Частота генерации зависит и от тока нагрузки /н. Если магнито
провод трансформатора выполнен из материала с прямоугольной пет
лей гистерезиса (феррит либо пермаллой), то при изменении тока нагруз
ки /н изменяется лишь падение напряжения на открытом и насыщенном
транзисторе (см. формулы (6.1) и (6.2)). Учитывая, что, как правило,
{/КЭнас « ^вх, т0 и влияние тока нагрузки /н на частоту коммутации f
мало. Если же магнитопровод трансформатора выполнен из материала
с непрямоугольной петлей гистерезиса (электротехнические стали),
то изменение тока нагрузки влияет не только на падение напряжения
Укэнас’ но и на амплитуду магнитной индукции. Таким образом, примене
ние в инверторах с самовозбуждением трансформаторов, магнитопровод
которых выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерезиса,
позволяет снизить зависимость частоты преобразования от тока нагрузки.
Этот эффект будет тем значительней, чем реальная петля гистерезиса
(рис. 6.7) будет ближе к идеальной.
При коротком замыкании на выходе инвертора транзисторы VT1
и VT2 выходят из режима насыщения, и генерация выходного напряже
ния срывается. После устранения указанного короткого замыкания инвер
тор легко запускается. Таким образом, рассмотренное устройство некри
тично к коротким замыканиям, что является достоинством инверторов
с самовозбуждением.
6.2.3. Запускающие цепочки
Прежде чем инвертор, работа которого описана в предыдущем раз

деле, будет генерировать колебания в установившемся режиме, необхо
димо обеспечить его начальный запуск после подачи напряжения питания
Увх-
В схеме автономного инвертора, показанной на рис. 6.5, использует
ся резистивная запускающая цепочка которая чрезвычайно проста,
но малоэффективна (особенно при низких и изменяющихся питающих
напряжениях (7ВХ).
Особенность запускающей цепочки предопределена тем, что после
установления в инверторе автоколебаний необходимость в ней отпадает.
Однако для некоторых запускающих цепочек, например, резистивной
(рис. 6.5), в номинальном режиме работы инвертора ток через запускаю
щую цепочку протекает в течение всего времени работы, что приводит
к дополнительной потере энергии, а значит, и к ухудшению энергетиче
ских характеристик инвертора.
Первый из отмеченных недостатков резистивной запускающей це
почки (неэффективность при малых и изменяющихся питающих напря
жениях) легко устраняется заменой резистора R2 диодом, прямое падение
напряжения на котором незначительно зависит от тока. Схема инвертора
с насыщающимся сетевым трансформатором и резистивно-диодной
R1VD1 запускающей цепочкой приведена на рис. 6.9.
Делитель /?1ED1 входного напряжения UBX, обеспечивает перво
начальный запуск инвертора за счет создания между базой и эмитте
ром каждого из силовых транзисторов VT1 и VT2 напряжения, равного
прямому напряжению на диоде VD1 и достаточного для надежного вклю
чения силовых транзисторов. Надежность работы резистивно-диодной
запускающей цепочки R1VD1 при, например, разрядке первичного ис
точника энергии UBX сохраняется, так как падение напряжения на диоде
мало изменяется при вариации анодного тока.
Инверторы с насыщающимся сетевым трансформатором благодаря
схемотехнической простоте получили широкое распространение в мало
мощных (до 10...20 Вт) источниках вторичного электропитания. Этим
инверторам присущи следующие недостатки: большие потери мощности,
низкие энергетические показатели и значительные электромагнитные по
мехи.
R2 П
+Н/
Рис. 6.9. Схема автономного инвертора напряжения с насыщающимся сетевым

трансформатором и резистивно-диодной запускающей цепочкой
Для улучшения основных эксплуатационных характеристик инвер

торов в их схемы вводят дополнительные нелинейные элементы, насы
щающиеся в конце каждого полупериода и вызывающие тем самым пере
ключение мощных транзисторов, а значит, и смену полярности выходно
го напряжения инвертора до насыщения его силового трансформатора.
Часто функции такого нелинейного элемента выполняет дополни
тельный маломощный трансформатор, называемый коммутирующим.
На рис. 6.10 приведена схема автономного инвертора с дополнительным
(коммутирующим) маломощным трансформатором.
Рис. 6.10. Схема автономного инвертора напряжения с комм;, тирующим
трансформаторам и резистивно-емкостной зап. скающей цепочкой
Силовая часть инвертора с коммутирующим (дополнительным ма

ломощным) трансформатором построена по схеме со средней точкой,
а для первоначального запуска инвертора использована резистивно
емкостная цепочка.
В этой схеме на магнитомроводс силового трансформатора 7’2 рас
положена дополнительная обмотка с числом витков wflon, включенная со
гласно с его первичными обмотками и iv2 (на схеме инвертора это от
мечено точками у обмоток). Напряжение идоп, наводимое на дополни
тельной обмотке wflon, используется для питания маломощного насыща
ющегося трансформатора Т1, первичные и вторичные обмотки которого
включены согласно.
Пусть один силовой транзистор, например, VT1, открыт и насыщен,
а другой силовой транзистор VT2 — закрыт. Полярность ЭДС на обмот
ках трансформаторов Т1 и Т2 указана на рис. 6.10 без скобок. Напряже
ние идоп на дополнительной обмотке 1УД0П имеет практически прямо
угольную форму и равно сумме напряжений на первичной обмотке
трансформатора Т1 и резисторе R6. При насыщении магнитопровода до
полнительного трансформатора Т1 ток, текущий по его первичной об
мотке, резко увеличивается, что приводит к увеличению падения напря
жения на резисторе /?6, а учитывая постоянство напряжения на дополни
тельной обмотке— к уменьшению падения напряжения на первичной
обмотке трансформатора Т1. Из-за последнего фактора на первичной об
мотке трансформатора Т1 изменяется полярность напряжения, что приво
дит, в свою очередь, к изменению полярности напряжения на вторичной
обмотке трансформатора Т1 (на рис. 6.10 указана в скобках): потенциал
базы открытого транзистора VT1 становится отрицательным, а потенциал
базы закрытого транзистора VT2 — положительным, то есть транзисторы
VT1 и VT2 устанавливаются в режимы отсечки и насыщения соответ
ственно. После чего процессы в инверторе повторяются.
Частота переключения транзисторов в инверторах с коммутирую
щим трансформатором вычисляется по формуле (6.8) при условии, что
входящие в нее параметры относятся к коммутирующему трансформато
ру, a UKX заменяется на идоп.
В инверторе, схема которого приведена на рис. 6.10, использована рс-
зистивно-емкостная запускающая цепочка /?1/?2/?ЗС1, причем высокоом
ный резистор R2 (его сопротивление значительно больше суммарного со
противления резисторов R1 и R3) шунтирован конденсатором С1. В мо
мент запуска инвертора разряженный конденсатор С1 закорачивает высо-
кооомный резистор R2, и напряжение на низкоомном резисторе R3, вклю
ченном между базой и эмиттером транзисторов VT1 и VT2, зависит только
от напряжения питания Uax и сопротивления его резистивного делителя
R1R3. После зарядки конденсатора С1, то есть после установления номи
нального режима инверторов, шунтирующее действие конденсатора пре
кращается, ток через резистивный делитель резко уменьшается и определя
ется в основном напряжением питания UBX и сопротивлением резистора R2.
Резистивно-емкостная запускающая цепочка по сравнению с рези
стивно-диодной цепочкой имеет более высокие энергетические характе
ристики, но в то же время из-за наличия конденсатора и малых сопротив
лений резисторов R1 и R3 она неэффективна при медленном нарастании
питающего напряжения в переходном процессе.
Свободной от указанного недостатка является резистивно
транзисторная запускающая цепочка. На рис. 6.11 показана схема авто
номного инвертора, силовая часть которого построена по схеме со средней
точкой, причем для переключения силовых транзисторов VT2 и VT3 ис
пользован коммутирующий трансформатор Т1, а для первоначальной рас
качки силовых транзисторов применена резистивно-транзисторная запус
кающая цепочка R1VT1R2.
При запуске инвертора транзистор VTlc помощью соответствующего
блока управления открыт, а после возбуждения в инверторе устойчивых ко
лебаний БУ выключает транзистор VT1. Очевидно, что схемотехнически
рассматриваемая запускающая цепочка сложнее предыдущих (она содержит
как управляющий транзистор VT1, так и его блок управления).
§ 6.3. Автономные инверторы тока и напряжения
Одним из основных признаков автономного инвертора тока (АИТ)

является питание его от генератора тока, го есть от источника электропи
тания с большим внутренним сопротивлением. Для этого во входную
цепь инвертора включают дроссель с большой индуктивностью L. Этот
дроссель выполняет также роль фильтра высших гармоник входного
напряжения инвертора.
Особенностью АИТ является то, что при коммутации его электрон
ных ключей выходной ток инвертора имеет прямоугольную форму,
а форма и начальная фаза выходного напряжения зависят от параметров
нагрузки.
Принцип действия автономного инвертора тока целесообразно рас
смотреть на примере идеализированной мостовой схемы (рис. 6.12, а).
Диагонально расположенные Ключи в схеме работают попарно и син
хронно (5А1, SA4 и 5/13, SA2), открываясь и закрываясь со сдвигом на
полупериод выходного напряжения. Частота переключения ключей
SA1 ... SAA задается блоком управления (на рис. 6.12, а не показан).
Рис. 6.12. Автономный инвертор тока:
а — модельная схема; б — временная диаграмма тока нагрузки
АИТ (рис. 6.12, а) питается от постоянного источника с напряжени

ем Увх. Благодаря наличию на входе автономного инвертора тока дроссе
ля с большой индуктивностью L1 (его индуктивность L1 -> оо) входной
ток iL1 инвертора остается практически неизменным, а ток iH, протекаю
щий через резистивную нагрузку, имеет прямоугольную форму
(рис. 6.12, б). Если принять, что в течение полупсриода 0...Т/2 ключи
SA1 и SA4 замкнуты, а ключи 5АЗ и SA2 разомкнуты (рис. 6.12, а), то ток
нагрузки iH протекает по цепи: клемма «+(7ВХ» -> дроссель L1 -» ключ
SA1 -> нагрузка RH -> ключ SA4 -» клемма «—Увх» (корпус), которая по
казана сплошной линией. В течение следующего полупериода Т/2...Т
ток нагрузки iH протекает через ключи SA3 и SA2 (в это время ключи
SA1 и 5714 разомкнуты) и нагрузку, причем ток iH через нагрузку имеет
противоположное направление (штриховая линия).
Принципиальная электрическая схема однофазного автономного
мостового инвертора тока с гринисторными ключами приведена на
рис. 6.13. АИТ состоит из четырех тринисторов VS1 ... VS4, дросселя L1
с достаточно большой индуктивностью, обеспечивающего постоянство
входного тока iL1, и коммутирующего конденсатора С1, включенного
параллельно нагрузке /?н. Блок управления тринисторами VS1 ...VS4
на рис. 6.13 не показан.
Рис. 6.13. Схема автономного тринисторного инвертора тока
Следует отмстить, что отличительной особенностью тринистор-

ных схем инверторов является наличие реактивных коммутирующих
электрорадиоэлементов, предназначенных для выключения тринисторов.
Ведь блок управления лишь открывает тринисгоры. Для запирания гри-
нистора необходимо либо уменьшить его анодный ток до тока удержания,
либо к самому тринистору (между анодом и катодом) приложить отрица
тельное напряжение на время выключения СВЬ|КЛ, превышающее время
восстановления управляемости тринистора Свосст, то есть должно выпол
няться условие СВЬ1КЛ > tB0CCT (если СВЬ1КЛ < Свосст, то тринистор не будет
закрыт).
Характерные диаграммы, поясняющие работу рассматриваемо
го тринисторного автономного инвертора тока, приведены на рис. 6.14.
В рассматриваемой схеме АИТ коммутирующий конденсатор С1 осу
ществляет формирование напряжения, необходимого для запирания три
нисторов. В момент времени t = 0 блок управления (па рис. 6.13 не пока
зан) открывает тринисторы Т51 и /54 (рис. 6.14, а), через которые в тече
ние времени О ...Т /2 протекает постоянный выходной ток iBbIX, равный
току через дроссель iL = 10 = const (рис. 6.14, б, в, д').
Названный ток АИТ iBblx, равный сумме токов, протекающих через
нагрузку iH и конденсатор ici (рис. 6.14, д, е, ж), то есть iBbIX = iH + ici,
заряжает конденсатор Cl (полярность напряжения указана на рис. 6.13
без скобок).
Рис. 6.14. Характерные диаграммы
для тринисторного автономного инвертора тока
В момент времени t = Т/2 блок управления при открытых трини-

сторах VS1 и VS4 открывает и тринисторы VS3 и VS2. Конденсатор С1
па короткое время оказывается закороченным всеми триписторами
VS1... VS4 и начинает разряжаться по трем цепям: через еще проводящие
тринисторы VS1 и VS4, вновь включенные тринисторы KS3 и VS2 и
нагрузку RH.
Ток разрядки конденсатора С1, протекая навстречу анодному то
ку тринисторов VSl и VS4, практически мгновенно уменьшает его до ну
ля, и конденсатор через уже открытые тринисторы УАЗ и VS2 формирует
на тринисторах УST и VS4 обратное напряжение, равное напряжению на
самом конденсаторе, что обеспечивает выключение тринисторов VST
и VS3.
В интервале времени от Т/2 до Г выходной ток инвертора протека
ет через тринисторы УАЗ и VS2, что обеспечивает изменение направления
тока, протекающего через нагрузку RH, и изменение полярности напряже
ния конденсатора С1 (на рис. 6.13 она указана в скобках). В течение вре
мени Т/2 ... Т выходной ток инвертора постоянен и равен по величине то
ку потребления /0. При t — Т блок управления при еще открытых трини
сторах VS3 и VS2 открывает тринисторы VS1 и VS4. В схеме АИТ начи
нают протекать процессы, аналогичные процессам при t = Т/2.
Выходное напряжение иВЬ1Х автономного инвертора тока совпадает
с напряжением на конденсаторе UC1 (рис. 6.14, з).
Автономные инверторы напряжения питаются от генератора
напряжения, обладающего малым внутренним сопротивлением. При пи
тании АПН от источника энергии с большим внутренним сопротивлением
на входе инвертора включают конденсатор большой емкости, выполняю
щий также функцию фильтра высших гармонических составляющих
входного тока АПН. Это определяет характерный признак автономного
инвертора напряжения, заключающийся в наличии на его входе конден
сатора большой емкости.
Принцип действия АИН целесообразно рассмотреть на примере мо
дельной однофазной мостовой схемы инвертора с резистивной нагрузкой
RH (рис. 6.15, а).
Формирование меандра выходного напряжения ивых осуществляет
ся попарным периодическим включением ключей SAI, SA4 и SA3, SA2.
Источник постоянного напряжения Увх непосредственно соединен с клю
чевыми элементами, которые периодически с изменением полярности
подключают напряжение Увх к нагрузке R„.
В результате этого нагрузка питается как бы от источника напряже
ния переменного тока (рис. 6.15, б).
а — модельная схема; б — временная диаграмма напряжения на нагрузке
Принципиальная схема однофазного мостового автономного инвер

тора напряжения с транзисторными ключами представлена на рис. 6.16.
Рис. 6.16. Схема автономного инвертора напряжения
Резистивно-индуктивная нагрузка ZH (/?н и L1) в схеме рассматри

ваемого АИН включена в диагональ моста по переменному току, образо
ванного транзисторами VT1 ... VT4, которые шунтированы соответству
ющими обратными диодами VD1 ... VD4.
Формирование кривой выходного напряжения иВЬ|Х АИН характе
ризуется процессами, происходящими в главных цепях инвертора, то есть
в цепях транзисторов VT1... V74, диодов VD1... VD4 и нагрузки ZH, при
заданных интервалах проводимости транзисторов. Характерные диаграм
мы токов и выходного напряжения рассматриваемого АИН показаны
на рис. 6.17.
В автономном инверторе напряжения диагонально расположен
ные транзисторы открываются синхронно и попарно, так что каждый
из них проводит ток в течение определенного интервала времени. Пусть
на интервале времени t0 ... t\ (рис. 6.17, а) ток нагрузки, показанный
на рис. 6.16 точечной линией, проводят открытые транзисторы VT3 и VT2.
Напряжение на нагрузке иВЬ|Х равно UBX и имеет полярность, указанную
на рис. 6.16 без скобок. В момент времени (рис. 6.17, а) с блока управле
ния поступают импульсы управления, закрывающие транзисторы VT3
и VT2 и отпирающие транзисторы VT1 и VT4. За счет энергии, накопленной
в индуктивности нагрузки L1 на интервале работы транзисторов VT3 и VT2,
ток iH продолжает протекать через нагрузку в том же направлении
(рис. 6.17, б). В связи с тем, что транзисторы VT3 и VT2 уже выключены,
а транзисторы VT1 и /7’4 проводить ток в этом направлении не могут, ток
нагрузки начинают проводить диоды VD1 и VD4 (рис. 6.17, б). Включение
этих диодов приводит к изменению полярности выходного напряжения
и контура протекания тока нагрузки (полярность напряжения и контур про
текания тока показаны на рис. 6.16 в скобках и штриховой линией соответ
ственно). Энергия, запасенная в магнитном поле индуктивности нагрузки
на предыдущем этапе работы АИН, отдается в нагрузку. Таким образом,
роль обратных диодов сводится как к ограничению напряжения на закры
том транзисторе, так и к пропусканию реактивного тока нагрузки после вы
ключения транзисторов. Это явление называется рекуперацией энергии.
Ток нагрузки 7Н, протекающий через обратные диоды VD1 и VD4,
уменьшается по экспоненте на интервале времени t > и в момент вре
мени t2 становится равным нулю (рис. 6.17, б, д'). При этом диоды VD1 и
VD4 выключаются, а ток начинают проводить транзисторы VT1 и /7’4,
поскольку на их базах в интервале времени t2 ... t3, присутствуют поло
жительные импульсы управления. Ток в нагрузке после прохода через
нуль изменяет свое направление.
В момент времени t = t3 происходит очередная коммутация тран
зисторов, при которой транзисторы VT1 и VT4 запираются, а транзисторы
VT3 и /7’2 отпираются.
Затем процессы в АИН протекают аналогично рассмотренным вы
ше. На интервале времени t3...t4 ток нагрузки проводят диоды VD3
и /7)2, а па интервале времени t4... t5 —транзисторы КГЗ и VT2
(рис. 6.17, е, г).
Таким образом, напряжение на нагрузке иВЬ1Х имеет прямоуголь
ную, а ток нагрузки iH — экспоненциальную форму. Амплитуда тока
нагрузки определяется параметрами нагрузки. Длительность импульсов
токов обратных диодов зависит от величины энергии, накопленной в маг
нитном поле индуктивности нагрузки.
Отсутствие диодов в рассматриваемой схеме инвертора привело бы
к появлению высоких обратных напряжений на закрытых транзисторах,
а следовательно, к их пробою.
Временная диаграмма входного тока iBX, протекающего на входе
инвертора, показана на рис. 6.17, ж. На этой диаграмме положительные
площади под линией тока соответствуют отдаче энергии источником
в нагрузку, а отрицательные — приему.
Для АИН большое значение имеет гармонический состав выходно
го напряжения Увых. Разложение прямоугольного выходного напряжения
инвертора в ряд Фурье для /7-ой гармоники дает
11 1 \
sin v + - • sin 3v + - • sin 5v + 1----- sin n • v I, (6.9)
3 5 nJ
где v = a) ■ t, ш = 2 • n ■ f.
Puc. 6.17. Характерные диаграммы токов и напряжения

Лия-автономноготранзисторного-инвертора-напряжения
Первая (основная) гармоника УВЬ1Х1 выходного напряжения, равная
(4 ■ U0/n) ■ sin V, имеет амплитуду UBbKlmax = 4 ■ U0/n = 1,27 ■ Уо. Из
формулы (6.9) нетрудно определить, что амплитуды третьей, пятой и
седьмой гармоник выходного напряжения составляют соответственно
33 %, 20 % и 14 % от амплитуды основной гармоники выходного напря
жения.
Для приближения формы выходного напряжения к форме первой
гармоники, что часто требуется при практическом использовании АИН,
между инвертором и нагрузкой включают сглаживающие фильтры.
Полезно подчеркнуть следующее. Инверторы с самовозбужде
нием не критичны к короткому замыканию (КЗ) в нагрузке, а инверто
ры с внешним возбуждением весьма критичны к КЗ. Причина этого со
стоит в том, что в инверторах с внешним возбуждением при КЗ напря
жение Убэ между базой и эмиттером силовых транзисторов не становит
ся близким к нулю, а сохраняет свое значение (режим КЗ в нагрузке ин
вертора нс влияет на частоту управляющего напряжения задающего гене
ратора).
1. Какую роль выполняют DC/АС-преобразователи в современных ис

точниках вторичного электропитания?
2. Какие полупроводниковые приборы используются для построения
электронных ключей в источниках вторичного электропитания?
3. По каким признакам выполняется классификация инверторов?
4. В каком временном режиме работают транзисторы в силовых частях
инверторов?
5. Проведите сравнительный анализ трех схем построения силовой части
двухтактных инверторов.
6. Нарисуйте принципиальную электрическую схему генератора Ройера.
7. В каком режиме работает магнитопровод сетевого трансформатора
инвертора?
8. Назовите примерный диапазон частот, в котором происходит комму
тация силовых транзисторов.
9. Могут ли сетевой трансформатор и силовой транзистор в генераторе
Ройера одновременно находиться в режиме насыщения?
10. Как схемотехнически реализованы запускающие цепочки (резистив
ная, резистивно-диодная, резистивно-емкостная и резистивно
транзисторная) в инверторах с самовозбуждением?
11. В чем состоит принципиальный недостаток инвертора с насыщаю
щимся сетевым трансформатором?
12. Какую роль выполняют трансформаторы Т1 и Т2 в инверторе, схема
которого приведена на рис. 6.10?
13. Выведите формулу для расчета частоты коммутации силовых транзи
сторов и выполните анализ влияния параметров инвертора с насыща
ющимся сетевым трансформатором на частоту переключения транзи
сторов.
14. Какое схемотехническое отличие имеют автономные инверторы тока?
15. Какое схемотехническое отличие имеют автономные инверторы
16. Зачем в схеме автономного инвертора напряжения (рис. 6.16) включе
ны диоды, которые шунтируют транзисторы?
ГЛАВА 7.
ИМПУЛЬСНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
В источниках вторичного электропитания особое место занимают

преобразователи и стабилизаторы с импульсным регулированием энер
гии (DC/DC-прсобразоватсли) (рис. 7.1). Импульсное преобразование
осуществляется с помощью транзисторных ключей, имеющих два основ
ных состояния: либо полностью замкнут, либо полностью разомкнут.
Поэтому DC/DC-преобразователи позволяют добиться высокой энергети
ческой эффективности, когда КПД достигает 95 ...98 %. Преобразование
обычно ведется на высокой частоте (десятки, сотни кГц), что позволяет
уменьшить объем и массу электромагнитных элементов и конденсаторов,
что, в свою очередь, позволяет повысить удельные массогабаритные по
казатели. С помощью импульсных способов управления за счет измене
ния временных параметров импульсов возможно регулирование выходно
го напряжения и тока. Это позволяет совместить преобразование энергии
со стабилизацией выходных параметров.
Подавляющее большинство импульсных преобразователей неболь
шой мощности (до -200 Вт) представляет собой однотактные устройства,
когда передача энергии со входа на выход осуществляется в течение од
ного полупериода, а более мощные преобразователи строятся по двух
тактной схеме, когда передача энергии со входа на выход обеспечивается
весь полный цикл — в течение обоих полупсриодов.
Для ряда задач необходимы преобразователи с гальваническим
разделением входных и выходных цепей, например, с помощью транс
форматора, что удорожает элементную базу и ухудшает массогабарит
ные параметры. Поэтому наряду с преобразователями с гальваничес
кой развязкой входа и выхода широко используются боле дешевые
DC/DC-преобразователи без гальванической развязки.
Импульсные DC/DC-преобразователи делятся на две большие
группы: преобразователи с гальванической развязкой между входом
и выходом и преобразователи без таковой.
DC/DC-преобразователи с гальванической развязкой между входом
и выходом классифицируют по топологии: на прямоходовые (forward-
преобразователи) и обратноходовые (//у/адсЛ-преобразовагели).
Традиционно к DC/DC-преобразователям без гальванической развяз
ки между входом и выходом относят компенсационные стаби-лизаторы
напряжения постоянного тока с импульсным регулированием. В зависимо
сти от положения ключевого элемента в схеме DC/DC-преобразователи без
гальванической развязки строят по одной из следующих схем:
• понижающего типа (типа ПН);
• повышающего типа (типа ПВ);
• полярно-инвергирующего типа (типа ПИ);
• повышающе-поиижающего типа (типа ПВН).
Рис. 7.1. Классификация импульсных DC/DC-преобразователей
§ 7.1, Преобразователи постоянного тока с гальванической развязкой

входа и выхода
-ъ
Структурная схема типового преобразователя постоянного тока
(ППТ) с гальванической развязкой входа и выхода показана на рис. 7.2.
^7/
■3'
Дг
II
^'вых
тт
Инв Тр-р nv
оУ л C'ch 1 1 Л
Рис. 7.2. Структурная схема типового ИНТ

с гальванической развязкой входных и выходных цепей
Первичным источником энергии в таких ЛПТ являются автоном
ные (батарейные) источники типа аккумуляторов либо традиционные
ИВЭ, на выходе которых формируется напряжение постоянного тока.
Напряжение постоянного тока UBX преобразуется с помощью инвер
тора (Инв) в напряжение переменного тока высокой частоты /п (частота
преобразования /п изменяется в диапазоне от ~ 10 кГц до ~4 МГц).
Трансформатор преобразует напряжение переменного тока, сфор
мированное инвертором, в другое напряжение переменного тока, как пра
вило, высокой частоты, требуемого значения и качества.
Выпрямительное устройство и сглаживающий фильтр выпрямляют
напряжение и сглаживают его. На выходе ППТ формируется напряжение
УВых постоянного тока.
Блок обратной связи (БОС) позволяет в инверторе варьировать ко
эффициентом заполнения D импульсов, а следовательно, регулировать
выходное напряжение УВЬ1Х ППТ.
Различают две топологии ППТ: прямоходовая (forward) и обратно
ходовая (flyback).
С физической точки зрения их раттичие состоит в способе передачи
энергии со входа на выход.
В прямоходовых ППТ передача энергии со входа на выход проис
ходит при замкнутом силовом ключе.
В обратноходовых ППТ передача энергии со входа на выход проис
ходит при разомкнутом силовом ключе.
7.1.1. Прямоходовые DC/DC-преобразователи

На рис. 7.3 показана типовая схема прямоходового преобразователя
Рис. 7.3. Схема однотактного прямоходового однотранзисторного преобразователя

постоянного тока с гальванической развязкой входа и выхода
При рассмотрении принципа действия преобразователя следует
• фазу передачи энергии со входа в нагрузку;

• фазу размагничивания магнитопровода сетевого трансформатора.
Сетевой трансформатор Т1 имеет три обмотки ivx, w2 и w3,причем
рекуперативная обмотка w3 включена встречно первичной w1 и вторич
ной w2 обмоткам.
Рекуперация (от лат. recuperatio — обратное получение, возвраще
ние) — возвращение части материалов или энергии, расходуемых при
проведении того или иного технологического процесса, для повторного
использования в том же процессе.
Из рис. 7.3 видно, что обмотки wr и w2 включены согласно. На
рис. 7.3 это отмечено точкой у обмотки.
Силовой транзистор VT1 выполняет функцию электронного ключа,
частоту /п переключения которого задаст блок управления. Выходное
напряжение или часть его подается на входные клеммы 1 и 2 БУ, а с вы
ходных клемм 3 и 4 БУ формируется управляющее напряжение [/зи меж
ду затвором и истоком транзистора VT1.
Диод VD1 выполняет функцию выпрямителя, а Г-образный L1C2-
фильтр сглаживает пульсации выходного напряжения на нагрузке RH.
Диод VD2 обеспечивает протекание тока ip через рекуперативную
обмотку w3 в одном направлении (при закрытом транзисторе УП).
Диод VD3 необходим для замыкания цепи, по которой разряжается
дроссель 1Л при закрытом транзисторе VT1, то есть в течение фазы раз
магничивания магнитопровода сетевого трансформатора.
Схема прямоходового преобразователя в фазе передачи энергии
Рис. 7.4. Схема прямоходового DC/DC-преобразователя

в фазе передачи энергии со входа на выход
При полностью открытом силовом транзисторе VT1 по первичной
обмотке Wj протекает входной ток iBX (цепь (+УВХ)-> обмотка wx-»
транзистор VT1 -» (—UBX)). Согласно правилу Ленца на обмотке w1
наводится ЭДС, полярность которой указана на рис. 7.4. С учетом того,
что обмотки w1 и w2 включены согласно, полярность ЭДС на вторичной
обмотке w2 будет иметь такую же полярность. ЭДС, наведенная на об
мотке w2, является прямым напряжением для диода УD1, а значит, он от
крыт и через него протекает ток iVD1. Эта же ЭДС является обратным
напряжением для диода VD3. Поэтому он закрыт. Через обмотку дросселя
1Л протекает ток iL1, равный току iVD1 диода У01. На обмотке дросселя
L1 наводится ЭДС с указанной на рис. 7.4 полярностью.
При этом конденсатор С2 подзаряжается, а следовательно, проис
ходит передача энергии со входа на выход, то есть реализуется фаза пере
дачи энергии со входа в нагрузку. Выходное напряжение С/вых равно
напряжению на конденсаторе С2. Ток через рекуперативную обмотку w3
не протекает, так как ЭДС, наведенная на обмотке w3, является обратным
напряжением для диода VD2.
Таким образом, при полностью открытом силовом транзисторе
в прямоходовом ППТ происходит передача энергии со входа на выход.
В течение этой фазы работы ППТ происходит также накопление
энергии в индуктивности намагничивания сетевого трансформатора Т1.
Рекуперативная обмотка w3 предназначена для исключения односторон
него насыщения магнитопровода трансформатора Т1.
При выключенном (закрытом) силовом транзисторе VT1 в соответ
ствии с правилом Ленца полярность напряжения на всех обмотках w1; w2
и w3 сетевого трансформатора Т1 изменяется. На рис. 7.3 она указана
в скобках. Диод VD1 закрывается. Однако энергия, накопленная в маг
нитном поле дросселя L1 и электрическом поле конденсатора С2, затра
чивается на поддержание протекания тока iH нагрузки в прежнем направ
лении (рис. 7.5).
На обмотке дросселя L1 наводится ЭДС с полярностью, показанной
на рис. 7.5. При этом диод VD3 открывается, и энергия, накопленная
в магнитном поле дросселя 1Л, затрачивается на поддержание протекания
тока через обмотку дросселя в прежнем направлении. Это обеспечивает
передачу энергии дросселя 1Л конденсатору С2 и нагрузке RH.
Полярность ЭДС, наведенная на рекуперативной обмотке w3, также
показана на рис. 7.5. Эта ЭДС открывает рекуперативный диод VD2, и то
ком ip энергия, накопленная в индуктивности намагничивания трансфор
матора Т1, сбрасывается в первичный источник энергии.
Рис. 7.5. Схема прямоходового DC/DC-преобразователя
в фазе размагничивания магнитопровода сетевого трансформатора
Ток рекуперации ip протекает по цепи: (+w3) -» диод VD2 ->

(+Увх) “* (~ивх) (_и/з)-
Особенность работы прямоходового ППТ в фазе размагничивания
магнитопровода сетевого трансформатора состоит в том, что у закрытого
силового транзистора VT1 напряжение сток — исток Уси достигает при
wx = w3 удвоенного входного напряжения. Как видно из рис. 7.5, при вы
ключенном силовом транзисторе VT1 между его стоком и истоком при
ложены последовательно включенные напряжения на обмотках w3 и wx.
Причем к моменту включения транзистора VT1 процесс размагничивания
трансформатора Т1 должен завершиться. Поэтому рассматриваемый пре
образователь работает при коэффициенте заполнения D не более 0,5.
Регулировочную (передаточную) характеристику Увых = /(Увх)
можно получить из закона сохранения энергии.
Энергия первичной обмотки сетевого трансформатора Т1
(рис. 7.3) в течение фазы передачи энергии со входа на выход (это время
импульса Ги) определяется по формуле UBX ■ iBX ■ tu . Эта энергия передается
в нагрузку при полностью открытом силовом транзисторе через вторичную
обмотку трансформатора в течение времени импульса Си. Однако в рассмат
риваемом преобразователе соответствующие энергетические процессы про
текают в течение всего периода коммутации 7' = tH + t„. Поэтому количе
ство энергии, переданной в нагрузку, должно определяться по формуле
УВых -in'T-
В соответствии с законом сохранения энергии, можно записать
^ВХ ' ^ВХ ' — Uвых ' i-H ' (7-1)
ИЛИ
у ^ВХ . £и . у (7 2)
иВЫХ • гр ивх • X'-^J
lH 1
Учитывая, что отношение токов в обмотках wt и м/2 обратно про
порционально отношению числа витков W] и w2 этих обмоток:
*вх/ -W2/ .
/jH - /Wp
а коэффициент заполнения импульса определяется как

D = 1"/т,
выражение (7.2) примет вид

w2
^вых ~ В ' ■ UBX . (7.3)
W-y
Уравнение (7.3) и является регулировочной характеристикой пря
моходового преобразователя постоянного тока.
Из (7.3) видно, что регулировочная характеристика рассматривае
мого /Ьги’шт/-прсобразс’ватсля имеет линейный характер.
При высоком входном напряжении UBX применяется схема одно
тактного прямоходового двухтранзисторного преобразователя, показан
ная на рис. 7.6. В литературе она встречается под названием ассимстрич-
ный мост (или «косой мост»).
Рис. 7.6. Схема однотактного прямоходового двухтранзисторного преобразователя

постоянного тока с гальванической развязкой входа и выхода
Силовые транзисторы VT1 и VT2, включенные последовательно с

первичной обмоткой сетевого трансформатора Т1, работают синфазно,
вместе открываются и вместе закрываются. Энергия накапливается не
в трансформаторе, а в выходной катушке индуктивности дросселя. Рабо
чий цикл не превышает 50 %, именно поэтому для получения одинаковой
мощности с мостовым преобразователем требуется двойной ток через
транзисторы.
Силовые транзисторы VT1 и VT2, включенные последовательно с
первичной обмоткой w1 сетевого трансформатора Т1, работают синхронно.
В фазе передачи энергии в нагрузку оба транзистора полностью от
крыты, а диоды VD1 и VD2 закрыты. На обмотках и vv2, включенных
согласно, наводятся ЭДС Ег и е2, полярность которых указана на
рис. 7.6 без скобок.
Обратная связь в преобразователе реализована блоком управления.
На клеммы 1 и 2 БУ подается выходное напряжение УВЬ1Х или часть его.
Управляющее напряжение для транзисторов VT1 и VT2, то есть напряже
ние затвор — исток U3lt, с выводов 3, 4 и 5, 6 подастся на соответствую
щие силовые транзисторы.
Топология и принцип действия части схемы, питающейся от вто
ричной обмотки w2 трансформатора Т1, аналогичны рассмотренной ранее
схеме (рис. 7.3).
При выключении блоком управления транзисторов VT1 и VT2 по
лярность ЭДС £х и е2 на обмотках и w2 изменяется (она указана на
рис. 7.6 в скобках) и начинается фаза размагничивания магнитопровода
трансформатора по цепи: (+)£i -> диод УО1 -> (+УВХ) -> (—Увх) ->
диод VD2 (-)ег
Простота и надежность однотактного прямоходового двухтранзи
сторного преобразователя (рис. 7.6), широкие возможности для регули
ровки выходного тока, помехозащищенность, меньшее напряжение меж
ду стоком и истоком транзистора, отсутствие необходимости в дополни
тельной рекуперативной обмотке трансформатора— все это привлекает
разработчиков преобразователей средней мощности (сварочных инверто
ров). Но недостатки такого преобразователя довольно существенны: это
большие токи через транзисторы, высокие требования к форме управля
ющих импульсов, что подразумевает использование мощных драйверов
для управления силовыми ключами. Большие импульсные токи предъяв
ляют высокие требования к конденсаторам, поскольку электролитические
конденсаторы очень не любят большие импульсные токи. Для удержания
транзисторов в области допустимых значений (ОДЗ) требуются дополни
тельные RCD цепочки (снабберы).
7.1.2. Обратноходовые DC/DC-преобразователи

Преобразователь с передачей энергии на обратном ходу (обратнохо-
довый преобразователь, flyback, флайбэк) является одной из популярных
топологий импульсных источников питания низкой и средней мощности
стандартного применения в силу дешевизны и малого количества компо-
нентов. Однако по энергетическим характеристикам обратноходовый пре
образователь уступает большинству других топологий из-за практически
невозможной рекуперации энергии индуктивности рассеивания трансфор
матора, а также больших значений токов в обмотках.
В обратноходовых DC/DC-преобразователях постоянного тока,
нашедших широкое практическое применение, первичная Wj и вторичная
w2 обмотки сетевого трансформатора Т1 включены встречно (рис. 7.7).
При рассмотрении принципа действия обратноходового преобразо
вателя постоянного тока следует различать две фазы его работы:
• фазу накопления энергии;
• фазу передачи энергии в нагрузку.
Фаза накопления энергии реализуется при полностью открытом
блоком управления силовом транзисторе VT1. По цепи (+УВХ) -»
обмотка -> транзастор VT1 -» (—UK<) протекает ток гвх, и в магнит
ном поле сетевого трансформатора Т1 накапливается энергия. Поляр
ность ЭДС Ej и е2, индуцированных на обмотках и w2, указана на
рис. 7.7 без скобок. ЭДС е2 является обратным напряжением для выпря
мительного диода VD1. Поэтому диод VD1 закрыт. Выходное напряжение
УВых на нагрузке /?н формируется только конденсатором С2.
Рис. 7.7. Схема однотактного обратноходового преобразователя постоянного тока

с гальванической развязкой входа и «ыхода
Для фазы накопления энергии в соответствии с законом электро

магнитной индукции, можно записать выражение:
UBX = LW1~, (7.4)
где LW1 — индуктивность первичной обмотки трансформатора.

Из (7.4) следует, что выражение для diBX преобразователя имеет вид
diBX = (^bx/lw^
• dt. (7.5)
Интегрируя выражение (7.5) на интервале времени от Одо Си, то

есть в течение времени открытого состояния транзистора VT1, получают
уравнение, определяющее выходной ток в конце фазы накопления энер
гии (при tH)
■ и• (7.6)
Полученное выражение показывает, что в фазе накопления энергии

ток первичной обмотки прямо пропорционально увеличивается со време
нем.
При выключении БУ силового транзистора VT1 наступает фаза пе
редачи энергии в нагрузку. Ток через первичную обмотку wr и транзи
стор VT1 не протекает.
Полярность ЭДС Ег и е2, индуцированных на обмотках и w2,
изменяется (на рис. 7.7 указана в скобках), диод VD1 открывается и энер
гия, накопленная в магнитном поле сетевого трансформатора Т1, обеспе
чивает протекание тока i2 через вторичную обмотку w2 трансформатора,
который подзаряжает сглаживающий конденсатор С2, параллельно кото
рому включена нагрузка.
В момент выключения транзистора VT1 соотношение между током
i1; протекающим в обмотке wr, и током i2, протекающим в обмотке w2,
имеет вид
W1
^2 ~~ ' ^вх ~ Чг (7.7)
При этом учтено, что ток i2 практически равен току tH нагрузки.

Учитывая, что в фазе передачи энергии в нагрузку энергия, накоп
ленная в магнитном поле трансформатора, уменьшается, то и ток iH также
уменьшается по линейному закону от значения, определяемого выраже
нием (7.7). Таким образом, ток iH определяется уравнением
”вых
(7.8)
LW2
где Lw2 — индуктивность вторичной обмотки трансформатора.
При большой емкости выходного конденсатора С2 (рис. 7.7), обеспе
чивающего качественную фильтрацию напряжения, можно записать, что
1-0
(7.9)
2
где Ктр = w2/w1 — коэффициент трансформации трансформатора Т1.
Учитывая соотношение (7.6), выражение (7.9) можно записать в
следующем виде
(7.Ю)
Домножив числитель и знаменатель в выражении (7.10) на период

Т, получают
Учитывая, что частота преобразования /п, то есть частота коммута

ции силового транзистора VT1 (рис. 7.7), обратно пропорциональна пери
оду Т, полученное выражение можно записать в виде
О • (1 — £>)
—--------- --У, (7.И)
Зависимость тока iH нагрузки от параметров преобразования удобно

анализировать по формуле (7.11). Особенность зависимости тока нагруз
ки проявляется от коэффициента заполнения D. Из (7.11) следует, что за
висимость iH = f(D') является параболической функцией, ветви которой
направлены вниз. Для определения максимума этой функции надо рас
смотреть выражение
(7.12)
Записанное условие (7.12) с учетом выражения (7.11) принимает

вид
1 - 2D - 0
или
1
(7.13)
Полученное значение и определяет коэффициент заполнения £>, при

котором ток нагрузки достигает максимума.
Надо отметить, что в обратноходовых ППТ, строго говоря, транс
форматор выполняет не функцию трансформатора, а функцию дросселя.
Поэтому иногда в обратноходовых ППТ сетевые трансформаторы называ
ются накопительными трансформаторами. Этим подчеркивается реаль
ная функция, выполняемая трансформатором.
Конструктивные параметры индуктивного элемента (трансформато
ра) рассчитываются следующим образом.
Коэффициент трансформации /<тр определяется либо по отношению
числа витков вторичной и первичной обмоток Ктр = w2/wi, либо по отно
шению выходного и входного напряжений
^вых
^тр у (7.14)
и вх
Для определения числа витков w-, первичной обмотки трансформа
тора можно воспользоваться законом электромагнитной индукции для
входной цепи, работающей при открытом транзисторе
с1Ф
Увх = W1~di’ (7.15)
где Ф — магнитный поток.

Учитывая, что Ф — В ■ S, где В — магнитная индукция, S — пло
щадь поперечного сечения магнитопровода трансформатора, охватывае
мая витками, выражение (7.15) принимает вид
B-S
Увх = ■ ——
си
или, если домножить и разделить знаменатель на Т,
В ■S B-S-f„
= wi • 7------ = Wi-------- - (7.16)
_Я . т1
т 1
Из полученного соотношения (7.16) можно записать уравнение для
вычисления числа витком первичной обмотки трансформатора
D'UBX
. (7.17)
1 B-S-f„
Для определения индуктивности первичной обмотки LW1 транс
форматора используют формулу (7.11). Тогда
D ■ (1 - D)
j — v_______ г_. л (7.18)
bWl j ,, . : . f UBX-
Z.ATp 1н
Тогда для определения среднего тока первичной обмотки транс

форматора можно воспользоваться формулой
ii — Ктр • I,н • (7.19)
§ 7.2. Преобразователи постоянного тока с гальванической связью

входа и выхода
В настоящее время DC/DC-преобразователи выпускаются в виде

ИМС с низкой стоимостью, высокой надежностью, высокими частотами
преобразования, высоким КПД, значительными выходными токами (до 3 А)
и малой потребляемой мощностью в отключенном состоянии, что особенно
важно для приборов с автономным питанием. Они работоспособны в широ
ком диапазоне входных напряжений: входное напряжение может быть ниже
выходного или намного выше, или иметь другую полярность.
Неизолированные преобразователи используются для построе
ния систем распределенного (автономного) питания PoL (Point-of-Load),
то есть тогда, когда нужно обеспечивать питание нагрузки в непосред
ственной близости их размещения при небольших длинах шин промежу
точного питания. Также используются для формирования питающих шин
для плат небольших форм-факторов с сочетанием аналоговых и цифро
вых каскадов.
Преобразователи постоянного тока с гальванической связью входа
и выхода, охваченные контуром отрицательной обратной связи, часто
называют компенсационными стабилизаторами напряжения постоянного
тока с импульсным регулированием. Электрорадиокомпонентом, в зна
чительной степени определяющим параметры КСН с ИР, является регули
рующий (силовой) транзистор, работающий в импульсном (ключевом) ре
жиме.
Со схемотехнической точки зрения устройство КСН с ИР можно
разделить на две функционально независимые составляющие: силовую
часть и блок управления.
БУ компенсационных стабилизаторов напряжения с импульсным
регулированием включает в себя источник эталонного (опорного) напря
жения, датчик выходного напряжения, усилитель сигнала ошибки и мо
дулятор.
Принципы построения БУ рассматриваемых устройств достаточно
трудно систематизировать, так как для каждого преобразователя исполь
зуется специализированный блок управления, учитывающий особенности
работы и применения КСН с ИР.
Топологию силовой части DC/DC-преобразователей с гальваниче
ской связью входа и выхода обычно классифицируют по соотношению
значений входного и выходного напряжений: понижающего типа, повы
шающего типа, полярно-инвертирующего типа и повышающе-понижаю-
щего типа.
Силовые части типов ПН, ПВ и ПИ КСН с ИР строятся из четырех
элсктрорадиокомпонснтов: электронный ключ (биполярный или полевой
транзистор), накопитель магнитной энергии (дроссель), возвратный (раз
рядный) диод, сглаживающий фильтр, содержащий конденсатор, являю
щейся накопителем электрической энергии.
При рассмотрении схемотехники физических процессов электрора
диокомпоненты целесообразно считать идеальными.
В табл. 7.1 отмечено, что с точки зрения временного режима работы
силового транзистора в КСН с ИР разливают три вида модуляции:
• широтно-импульсная (ШИМ), при которой период коммутации Т
постоянен, а время нахождения регулирующего транзистора
в области насыщения (отсечки) изменяется;
• частотно-импульсная (ЧИМ), при которой период коммутации Т
не постоянен, а время нахождения регулирующего транзистора
в области насыщения (отсечки) постоянно;
• двухпозиционная (ДПМ), или релейная, при которой и период
коммутации Т, и время, когда регулирующий транзистор нахо
дится в области насыщения (отсечки), изменяются.
В стабилизаторах с ШИМ используется генератор, длитель
ность выходного импульса Си или паузы tn которого изменяется в зави
симости от сигнала, поступающего на его вход с выхода схемы сравне
ния.
Принцип действия КСН с ИР с ШИМ: постоянное напряжение UBX
от выпрямителя или аккумуляторной батареи подастся на регулирующий
транзистор, а затем через сглаживающий фильтр на выход стабилизатора.
В блоке управления выходное напряжение стабилизатора сравнивается
с эталонным напряжением, а затем усиленный сигнал, пропорциональный
разности выходного и эталонного напряжений, подастся на вход импуль
сного элемента, преобразующего сигнал постоянного тока в импульсы
с определенной длительностью. Длительность импульсов изменяется
пропорционально сигналу разности между эталонным и выходным
напряжением. В соответствии с управляющими импульсами регулирую
щий транзистор периодически переключается из режима насыщения в
режим отсечки и обратно. Среднее напряжение на входе сглаживающего
фильтра зависит от соотношения между временем нахождения транзисто
ра в открытом Си и закрытом tn состояниях (причем период Т равен
tH + tn и остается постоянным). При изменении напряжения на выходе
стабилизатора изменяется сигнал на выходе БУ, а следовательно, и соот
ношение между временами Си и Сп регулирующего транзистора, при этом
среднее выходное напряжение УВЬ|Х возвращается к своему первоначаль
ному значению.
В стабилизаторах с ЧИМ при изменении сигнала на входе регули
рующего транзистора изменяется длительность паузы tn, а длительность
импульса остается неизменной. Следовательно, период коммутации
транзистора является переменной величиной. Принцип действия таких
стабилизаторов аналогичен принципу действия КСН с ИР с ШИМ. Изме
нение выходного напряжения КСН с ИР вызывает изменение времени па
узы регулирующего транзистора, что приводит к изменению частоты его
коммутации, а среднее выходное напряжение при этом остается неизмен
ным.
Принцип действия КСН с ИР с релейной модуляцией или двухпо
зиционной модуляцией силового транзистора несколько отличается
от принципа действия стабилизаторов с ШИМ и ЧИМ.
В таких стабилизаторах в качестве импульсного элемента приме
няется триггер, который управляет регулирующим транзистором. При
подаче постоянного напряжения на вход стабилизатора в первый момент
времени регулирующий транзистор открыт и напряжение на выходе ста
билизатора увеличивается. Соответственно растет и сигнал на выходе
схемы сравнения. При определенном выходном напряжении стабилизато
ра величина сигнала на выходе схемы сравнения становится достаточной
для срабатывания триггера. Триггер срабатывает и закрывает регулиру
ющий транзистор. Напряжение на выходе стабилизатора начинает
уменьшаться, что вызывает уменьшение сигнала на выходе схемы срав
нения. Триггер вновь срабатывает и открывает регулирующий транзи
стор. Напряжение на выходе стабилизатора начинает увеличиваться. Вы
ходное напряжение будет увеличиваться до тех пор, пока триггер не за
кроет регулирующий транзистор. Таким образом, процесс коммутации
будет повторяться. Изменение входного напряжения или тока нагрузки
стабилизатора приведет к изменению времени открытого состояния регу
лирующего транзистора и к изменению его частоты переключения,
а среднее выходное напряжение поддерживается неизменным с опреде
ленной степенью точности.
Отличие стабилизаторов заключается в следующем. Во-первых,
в стабилизаторах с ШИМ частота переключения регулирующего транзи
стора постоянна, а в стабилизаторах с ЧИМ и ДПМ частота переключения
регулирующего транзистора зависит от тока нагрузки и входного напря
жения. Во-вторых, пульсация выходного напряжения в стабилизаторах
с ШИМ и ЧИМ принципиально может быть равна нулю, а в КСН с ИР
с двухпозиционной модуляцией — нет, так как периодические переклю
чения триггера возможны только при периодическом изменении выход
Основным недостатком КСН с ИР с ДПМ и ЧИМ, ограничиваю
щим область их применения, является зависимость частоты переклю
чения регулирующего транзистора от входного напряжения и тока
нагрузки.

по схеме понижающего типа
Схема силовой части типа ПН (в зарубежной литературе встреча
ются такие названия: buck converter, chopper, step-down converter), позво
ляет получить на выходе КСН с ИР меньшее напряжение УВЬ1Х, чем на его
входе Увх (рис. 7.8).
По другой классификации узлов и блоков ИВЭ устройство, реали
зованное по схеме рис. 7.8, можно называть DC/DC-преобразователем
с гальванической связью между его входом и выходом.
Схемотехника силовой части типа ПН
БУ выполняет управляющую функцию для транзистора VT1. Блок
управления задает частоту коммутации силового транзистора VT1. кото
рая может изменяться в диапазоне от ~5 кГц до ~4 МГц.
Выводы у БУ предназначены: 1 и 2 — для реализации обратной
связи, то есть регистрации 1/вЫх или части его, а выводы Зи 4— для
управления транзистором VT1 за счет формирования у него напряжения
UM затвор — исток.
Дроссель L1 вместе с конденсатором С1 образует Г-образный пас
сивный сглаживающий выходной Г-фильтр.
Рис. 7.8. Схема Силовой части понижающего типа компенсационного стабилизатора

напряжения постоянного тока с импульсным регулированием
Возвратный диод VD1 обеспечивает разрядку дросселя L1 при вы

ключенном транзисторе КТ1.
Иногда возвратный диод VD1 включают в состав сглаживающего
фильтра. В этом случае сглаживающий! фильтр будет состоять из трех
компонентов— VD1, L1 и С1, и будет кратко называться LCD-фильтром.
Работа силовой части типа ПН состоит из двух фаз: фазы накопле
ния энергии дросселем и конденсатором и фазы передачи энергии дрос
селя и конденсатора в нагрузку (рис. 7.9).
Пренебрегая падением напряжения Сси между стоком и истоком тран
зистора VT1 по сравнению с входным напряжением UBX, можно считать,
что напряжение 1/вхсф на входе сглаживающего фильтра равно входному
напряжению DBX, то есть Увхсф = UBX (рис. 7.8). Следовательно, входной ток
iBX будет протекать по цепи: (+УВХ) -» VT1 -> LI -> Cl || Ян -> (—UBX).
Здесь, как и ранее, параллельное включение С1 и /?н обозначено С1 || RH.
На рис. 7.9, а показана схема рассматриваемой силовой части типа ПН,
работающей в фазе накопления энергии дросселем и конденсато
ром.
Рис. 7.9. Схема силовой части КСНс ИР типа ПН:
а — в фазе накопления энергии в дросселе;
б — в фазе передачи энергии дросселя в нагрузку
При полностью открытом силовом транзисторе VT1 входное

напряжение tlBX оказывается приложенным ко входу сглаживающего
фильтра VD1L1C1, причем напряжение UBX для диода VD1 является об
ратным и он закрыт. Протекающий через обмотку дросселя L1 возраста
ющий входной ток iBX наводит на его обмотке ЭДС, полярность которой
в соответствии с правилом Ленца указана на рис. 7.9, а. В магнитном поле
дросселя Ы накапливается энергия WL1 = Ll1 ■ !вх/2, где Ll1— индук
тивность дросселя 11.
Этот же входной ток iBX заряжает конденсатор СТ, который опреде
ляет выходное напряжение У8ЫХ преобразователя. Таким образом, в элек
трическом поле конденсатора накапливается энергия WC1 — Сс1 ■ ^вых/2,
где СС1 — емкость конденсатора С1.
Следовательно, в фазе накопления энергии дросселем и конденсато
ром, длительность которой равна Си, происходит аккумулирование энергии
в магнитном поле дросселя и в электрическом поле конденсатора.
Затем БУ формирует на выводах 3 и 4 (рис. 7.8) сигнал, выключа
ющий силовой транзистор VT1. Фаза накопления энергии закончилась,
и начинается фаза передачи энергии дросселя в нагрузку, длительность
которой равна Сп.
Схема силовой части типа ПН в фазе передачи энергии дросселя
в нагрузку показана на рис. 7.9, б. В этом режиме источником энергии,
обеспечивающим протекание тока разрядки ipa3p дросселя 11, язляется
энергия, накопленная з его магнитном поле. Ток, протекающий через об
мотку дросселя L1, уменьшается, а значит, ЭДС на обмотке дросселя
в соответствии с правилом Ленца изменяет полярность (на рис. 7.8
и рисi 7.9, б она показана в скобках). Ток разрядки протекает по цепи:
(+)11 -> Cl || /?н -» IZD1 -» (-)И.
При анализе физических процессов в различных устройствах, вхо
дящих в состав ИВЭ, следует помнить основное свойство индуктивных
элементов (в рассматриваемом устройстве — дросселя): их стремление
к поддержанию неизменным значения и направления протекающего через
их обмотку тока.
Конденсатор С1 подзаряжается током ipa3p и одновременно разря
жается на нагрузку RH, обеспечивая на пей напряжение УВЬ1Х.
По окончании фазы передачи энергии дросселя в нагрузку, дли
тельность которой равна tn, БУ формирует па выводах 3 и 4 (рис. 7.8)
сигнал, открывающий силовой транзистор VT1.
Период Т коммутации силового транзистора складывается из сум
мы Си и Сп, то есть
Г — Си + fn- (7.20)
На рис. 7.10, а показана временная зависимость напряжения 1/си
сток — исток силового транзистора VT1, работающего в ключевом режиме,
формируемом блоком управления (рис. 7.8). Форма мгновенного напря
жения ивх сф на входе сглаживающего фильтра показана на рис. 7.10, а.
При анализе принято, что транзистор переключается мгновенно, а паде
ние напряжения на открытом транзисторе и возвратном диоде равны
нулю.
Строго говоря, силовая часть типа ПН может быть построена и без
дросселя. В схеме чоппера дроссель вместе с конденсатором выполняет
функцию сглаживающего фильтра.
Надо отметить важную роль индуктивности Ll-дросселя. Ана
лиз процессов в силовой части, проиллюстрированный на рис. 7.10, соот
ветствует достаточно большой индуктивности дросселя L1, когда за вре
мя паузы tn ток iL1, протекающий через обмотку дросселя, не становится
равным нулю. Это так называемый режим безразрывных токов.
Ток, протекающий через обмотку дросселя, изменяется по линей
ному закону от IlA min от 11л тах при открытом силовом транзисторе и от
/L1 max от min ПРИ закрытом силовом транзисторе.
Передаточная характеристика
Как видно из рис. 7.10, б, на входе сглаживающего фильтра
рассматриваемого импульсного DC/DC-преобразователя формируется
однополярный сигнал ивхсф, в спектре которого имеется постоянная
составляющая, для выделения которой и предназначен сглаживаю
щий фильтр. Эта постоянная составляющая равна выходному напряже
нию УВЬ1Х.
Рис. 7.10. Характерные диаграммы напряжений и тока для силовой части КСН
с ИР типа ПН, работающего в режиме непрерывных (безразрывных) токов:
а — напряжение иСИ регулирующего транзистора;
б —мгновенное напряжение на входе сглаживающего фильтра
и выходное напряжение преобразователя;
в — ток iL1, протекающий по обмотке дросселя, и средний ток /н нагрузки
Математически эта постоянная представляет собой среднее ариф

метическое мгновенного напряжения ивхсф на входе сглаживающего
фильтра за период коммутации регулирующего транзистора. В соответ
ствии с определением среднего функции ивхсф за период Т можно запи
сать, что
т
^ВЫХ ^ВХСФ ' (^-21)
О
Учитывая, что на интервале времени tn подынтегральная функция
ивхсф равна нулю, то верхний предел интегрирования следует заменить на
tu. Тогда выражение (7.21) примет вид
tu
Увь.х = ^/ (7.22)
о
При записи последнего уравнения было учтено, что на интервале
времени tu 1/вхсф = UttX.
Учитывая, что UBX = const, то из (7.22) можно получить
Увь,х=^-Увх-^ = у-Увх = О-Увх. (7.23)
Учитывая, что коэффициент заполнения импульсов D = tu/T для

рассматриваемой схемы D < 1, то всегда t/Bblx < UBX. Поэтому эта силовая
часть и называется частью понижающего типа. Видно, что выходное
напряжение прямо пропорционально коэффициенту заполнения импуль
сов и входному напряжению.
Регулирование выходного напряжения УВЬ1Х при заданном входном
напряжении осуществляется изменением коэффициента заполнения.
Полученное выражение (7.23) представляет собой передаточную
характеристику КСН с ИР, силовая часть которого построена по типу ПН
(рис. 7.1 Г).
На рис. 7.11 передаточные характеристики для трех типов силовой
части КСН с ИР показаны в безразмерном виде, то есть в виде зависимо
сти UBba/UBX от коэффициента заполнения D.
Для схемы силовой части типа ПН передаточная характеристика
в безразмерном виде определяется формулой
= D. (7.24)
Принципиально важную роль в рассматриваемых устройствах игра

ет дроссель, а точнее, значение его индуктивности. На рис. 7.10 показаны
характерные диаграммы напряжений и тока для силовой части КСН с ИР
типа ПН, работающего в режиме непрерывного (безразрывного) тока,
протекающего через обмотку дросселя. Для реализации этого режима ин
дуктивность Ll1 дросселя должна превышать так называемую критиче
скую индуктивность Ll1 кр дросселя. Если же индуктивность дросселя
выбрана малой, то ток iL1 становится равным нулю до окончания Сп и,
естественно, возрастание iL1 на интервале tu начинается с нулевого зна
чения. В этом случае реализуется так называемый режим разрывного тока
через обмотку дросселя.
Рис. 7.11. Передаточные характеристики компенсационных стабилизаторов
напряжения с импульсным регулированием, построенные
для различных типов силовой части:
1 — новы тающего типа; 2 — понижающего типа;
3 — полярно-инвертирующего типа
На рис. 7.12 показаны характерные диаграммы напряжений и токов

для силовой части КСН с ИР типа ПН в режиме разрывного тока.
Интервал времени Си (рис. 7.12, а) соответствует работе силовой ча
сти типа ПИ в фазе накопления энергии, то есть в это время в магнитном
поле дросселя 1Л и электрическом поле конденсатора С1 (рис. 7.8) накап
ливается энергия. При малой величине индуктивности дросселя энергии,
накопленной в его магнитном поле, хватает лишь для обеспечения проте
кания тока на части времени паузы, равной tn — tn0, где tn0 — интервал
времени, когда ток iL1 равен нулю. На интервале времени Сп0 ЭДС на об
мотке дросселя тоже равна нулю, а, следовательно, на входе сглаживаю
щего фильтра напряжение равно UBblx.
f Ilf
Рис. 7.12. Характерные диаграммы напряжений и токов для силовой части

КСН с ИР типа ПН, работающего в режиме разрывных токов:
а — форма напряжения uBV гф на входе сглаживающего фильтра
и выходное напряжение ивых:
6 ток iL1, протекающий по обмотке дросселя, и средний ток 1Н нагрузки
Важно помнить, что даже в режиме разрывного тока дросселя ток

в нагрузке не прерывается никогда, так как конденсатор, включенный па
раллельно нагрузке, выделяет постоянную составляющую, выполняя роль
источника напряжения.
Вывод формулы для определения критической

индуктивности дросселя
При проектировании КСН с ИР, как правило, реализуется режим

непрерывных токов. Причем, чем больше индуктивность Ll1 дросселя,
тем размах амплитуды тока, протекающего по обмотке дросселя, меньше,
а следовательно, ток, протекающий по обмотке дросселя, приближается
к току нагрузки.
Схемотехническая особенность построения КСН с ИР заключается
в наличии моточного изделия (дросселя), являющегося статическим элек
тромагнитным устройством, миниатюризацию которого выполнить до
статочно сложно.
Поэтому при проектировании силовой части КСИ с ИР особое
внимание уделяется выбору параметров дросселя. Например, для рас
сматриваемой схемы силовой части типа ПН, работающей в режиме
ззо
непрерывного тока через обмотку дросселя, максимальный ток ILlmax,
протекающий через обмотку дросселя, который работает в режиме заряд
ки-разрядки, можно вычислить (рис. 7.10) как
'пто^'н+^Мд, (7.25)
где Д/£1 = 1L1 тах — IL1 min — размах амплитуды тока, протекающего по
обмотке дросселя.
В соответствии с законом электромагнитной индукции, можно за
писать, что ЭДС £, L1 на обмотке дросселя определяется соотношением
С другой стороны, падение напряжения на обмотке дросселя опре

деляется разностью входного UBX и выходного Увых напряжений. Поэтому
можно записать равенство
L1 ~ ^вх ~ ^вых • (7.27)
При этом учтено, что падение напряжения UCil сток — исток на
полностью открытом транзисторе принято равным нулю.
Приравнивая правые части выражений (7.26) и (7.27), можно запи
сать:
UBx~Ubmx = Ll1~. (7.28)
Это уравнение целесообразно переписать в виде
diL1 = у— • - ^вых) ' dt ■ (7.29)
Полученное уравнение надо проинтегрировать. Определяя пределы

интегрирования по рис. 7.10, имеют
Й.1 max (и
I dibi = • (Увх - Увых) ■ / dt. (7.30)
ILimin 0
Здесь выражение (Увх — Увых) вынесено за знак интеграла, так как
для упрощения принято допущение, что входное UBX и выходное Увых
напряжения во времени не изменяются (ведь речь идет о стабилизаторе
напряжения).
После интегрирования уравнения (7.30) можно записать
Д/ы =Л-(Увх-Увь,х)-ги- (7.31)
С учетом уравнения для передаточной характеристики

17ВЬ1Х = D ’ Ubx КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме по
нижающего типа, выражение (7.31) примет вид:
Д/ы = Л’ (t/вх - О • ивх) • tn = (1 - 0) • £и •--------- (Щ
LL1 lL1
Если в правой части полученного уравнения числитель и знамена
тель умножить на Т и учесть связь между периодом Т и частотой f, а
именно, Т = l/f,TO уравнение (7.32) записывают в виде
A/L1 = D-(1-D)--^. (7.33)
Полученное выражение определяет размах амплитуды тока &IL1,

протекающего через обмотку дросселя.
По формуле (7.33) можно провести анализ влияния параметров
КСН с ИР на размах амплитуды тока, протекающего через обмотку дрос
селя. Видно, что с увеличением входного напряжения размах амплитуды
тока также увеличивается, причем это увеличение прямо пропорциональ
но росту Увх. А вот влияние частоты f коммутации силового транзистора
и индуктивности Ll1 дросселя обратно пропорционально размаху ампли
туды тока Д/li-
Более сложный характер имеет зависимость размаха амплитуды то
ка AIL1, протекающего через обмотку дросселя, от коэффициента запол
нения D.
Из формулы (7.33) видно, что функция = f(D') имеет вид пара
болы, ветви которой направлены вниз, то есть эта функция имеет макси
мум. Для определения коэффициента заполнения D, при котором функ
ция Д/£1 = f(D) имеет экстремум, необходимо рассмотреть выражение
5Д/щ
-----— = 0.
dD
С учетом формулы (7.33) полученное выражение примет вид
Увх
(1 — 2 ■£>)• —т- = 0. (7.34)
Из этого следует, что функция A/tl = f(D) имеет максимум при

D = 0,5.
Полученное значение коэффициента заполнения, равное 0,5, пока
зывает, что наибольший размах амплитуды тока, протекающего через об
мотку дросселя, достигается при временном равенстве фазы накопления
энергии и фазы передачи энергии.
Размах амплитуды тока, протекающего через обмотку дросселя,
следует учитывать при расчете параметров дросселя. Это необходимо для
исключения возможности насыщения его магнитопровода. Поэтому рас
чет параметров дросселя следует проводить не для выходного тока /н,
а для максимального тока IL1 max в обмотке дросселя (выражение (7.25)).
В соответствии с этим выражением можно записать
Д/и _ т/вь1Х Д/п _ о • t/BX о ■ (1 - О) ■ t/BX
н 2 RH 2 йн 2-f-LL1
(7.35)
(D + £>2-/-L
_(/bxU - (1 — l£>)\
1 )•
Режим работы дросселя (безразрывного тока (рис. 7.10) или раз

рывного тока (рис. 7.12)) определяется его индуктивностью Ь1Л. Это
предопределяет целесообразность получения математического выраже
ния для определения критической индуктивности Ll1 кр дросселя, то есть
индуктивности дросселя, при которой происходит переход из режима
безразрывного тока в режим разрывного тока.
Из выражения (7.25), связывающего максимальный ток ILlmax,
протекающий через обмотку дросселя Ы, с током нагрузки /н и разма
хом амплитуды тока Д/Ь1 = lLlmax — протекающего через обмот
ку дросселя L1, с учетом уравнения (7.33) можно получить формулу
для определения критической индуктивности Ll1 кр дросселя, при которой
происходит переход от безразрывного режима работы дросселя к раз
рывному. Этот переход реализуется при 11Л min = 0. В этом случае
Д/ц = lLimax ~ 1 Limin = ^lmax’ а выражение (7.25) записывается в виде:
711 max
711 max ~ 7Н +
2
ИЛИ
1[Л max
(7.36)
2
Принимая в уравнении (7.33) Д/£1 = IL1 тах (это справедливо при
Ll1 = Ll1 ), последнее соотношение можно переписать в виде
D • (1 - D) • UBX
(7.37)
2'f’ кр
Тогда выражение для определения критической индуктивности
кр дросселя, при которой происходит переход от безразрывного режи
ма работы дросселя к разрывному, имеет вид
D • (1 - D)
7-и кр — (7.38)
2
Пример. Рассчитать значение критической индуктивности дросселя
КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме пони
жающего типа, входное напряжение UBX = 5,0 В, коэффициент
заполнения D = 0,50, ток нагрузки /н = 1,0 А, частота комму
тации f = 100 кГц.
ззз
Решение. Критическое значение индуктивности, рассчитанное по фор
муле (7.38), должно быть не менее
0,50 ■ (1 - 0,50) 5,0
ко =--------- Ч--------- - „ = 6,3 мкГн.
L1Kp 2 100 • 103 ■ 1,0
К полученному выражению (7.38) необходимо относиться критиче
ски. Ведь в процессе работы КСН с ИР значение D изменяется в некото
ром диапазоне. Поэтому при расчете по формуле (7.38) надо использовать
минимальное значение коэффициента заполнения Dmln, а формулу (7.38)
целесообразно записать в виде
(7.39)
Надо отметить важную схемотехническую особенность рассматри

ваемого процесса. Чем больше индуктивность дросселя по сравнению с
его критической индуктивностью, тем меньше будет размах амплитуды
тока Д//.1, а следовательно, ток дросселя будет в большей степени при
ближаться к току нагрузки.

по схеме повышающего типа
Схема силовой части типа ПВ (в зарубежной литературе встречают
ся такие названия: boost converter, step-up converter) дает возможность по
высить входное напряжение и получить на выходе компенсационного
стабилизатора напряжения постоянного тока с импульсным регулирова
нием напряжение УВЬ1Х, большее напряжения Увх на его входе.
Схемотехника силовой части типа ПВ

В рассматриваемой схеме бустерного преобразователя, как и в
рассмотренном ранее чоппере, различают две фазы работы: фаза накопле
ния энергии дросселем и фаза передачи энергии дросселя на выход, то есть
на параллельно включенные С1||/?н нагрузку /?н и конденсатор С1
(рис. 7.13).
В этой схеме на интервале времени Си, когда регулирующий транзи
стор VT1 полностью открыт (1/си = 0), ток iL1 обмотки дросселя возраста
ет. При этом ЭДС индукции на обмотке дросселя 1Л имеет поляр
ность, указанную на рис. 7.13 без скобок. Диод VD1 при этом закрыт, так
как находится под обратным напряжением, равным напряжению UBblx на
выходе стабилизатора. Напряжение UL1 на обмотке дросселя равно вход
ному напряжению UBX и обеспечивает протекание тока itl через обмотку
дросселя. В магнитном поле дросселя накапливается энергия. При этом
выходной конденсатор С1 разряжается на сопротивление нагрузки RH.
Это происходит в фазе накопления энергии дросселем.
При выключении регулирующего транзистора VT1 ЭДС индукции,
которая наводится на обмотке дросселя 1Л (в соответствии с правилом
Ленца она изменяет полярность— на рис. 7.13 указана в скобках), сум
мируется со входным напряжением стабилизатора. В интервале времени
Сп закрытого регулирующего транзистора под действием суммы входного
напряжения UBX и ЭДС индукции на обмотке дросселя диод VD1 от
крыт и выходной конденсатор С1 преобразователя заряжается. Напряже
ние на закрытом транзисторе равно выходному напряжению стабилизато
ра. Это происходит в фазе передачи энергии дросселя на выход преобра-
зователя, то есть на параллельно включенные С11|7?н нагрузку /?н и кон
денсатор С1.
Рис. 7.13. Схема силовой части повышающего типа компенсационного

стабилизатора напряжения постоянного тока с импульсным регулированием
Сравнивая схемы КСН с ИР, силовые части которых построены по

типам ПН и ПВ, надо отмстить принципиальное их различие в функции,
выполняемой дросселем. В схеме силовой части типа ПН дроссель явля
ется одним из элементов пассивного сглаживающего фильтра. В схеме
силовой части типа ПВ дроссель выполняет функцию накопителя энер
гии, которая используется для увеличения выходного напряжения. Дрос
сель в этой схеме необходим. Значение, на которое возрастает УВЬ|Х, опре
деляется индуктивностью Ll1 дросселя и коэффициентом заполнения D.
Передаточная характерист ика

Для вывода уравнения, определяющего передаточную характери
стику УВЬ1Х = f (UBX) КСН с ИР, силовая часть которого построена по типу
ПВ, надо рассмотреть размах Д/£1 = IL1 тах — IL1 min амплитуды тока,
протекающего по обмотке дросселя в обе фазы работы. Учитывая, что
дроссель работает в режиме зарядки-разрядки, то размахи Д/£1 на фазе
накопления энергии дросселем и фазе передачи энергии дросселя на вы
ход тождественны.
В фазе накопления энергии дросселем (рис. 7.14, а) входное напря
жение обеспечивает протекание тока по цепи: (+(/вх) -» 1Л -» VT1 ->
(-Увх).
Рис. 7.14. Схема силовой части КСН с ИР типа ПР:

а — фаза накопления энергии дросселем;
б — фаза передачи энергии дросселя в нагрузку
В магнитном поле дросселя накапливается энергия. С учетом закона

элск1ромагнитной индукции и того, что к дросселю приложено практиче
ски все входное напряжение, можно записать
diiA
(7.40)
dt
или
din _ UBX
(7.41)
dt LLi
Учитывая, что UBX = const, L[A = const, и
dilA/dt — const. (7.42)
Следовательно, ток в рассматриваемой цепи (в том числе по обмот
ке дросселя) в фазе накопления энергии дросселем линейно нарастает от
минимального ILlmin до максимального ILlmax (рис. 7.15)..
Из выражения (7.41) можно записать:
Увх
diL1 = dt.
Lli
Интегрируя это уравнение на отрезке времени от нуля до t и учиты

вая соответствующее изменение тока через обмотку дросселя при этом от
1Lltnin Д0 (рис. 7.15), можно записать
1 Limin 0
или, после интегрирования,

= (7.43)
где t — текущее время фазы накопления энергии дросселем,

iL1 — ток через обмотку дросселя в момент времени t.
Рис. 7.15. Временная зависимость тока, протекающего по обмотке дросселя

в КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме типа ПВ
Из полученного выражения (7.43) следует, что чем большее время

длится фаза накопления энергии дросселем, тем большее значение имеет
ток i£1, протекающий по обмотке дросселя.
Другой вывод, следующий из формулы (7.43), состоит в том, что
при ограничении на время фазы накопления энергии дросселем необ
ходимое значение тока можно получить, уменьшая индуктивность
дросселя.
В рассматриваемой фазе работы КСН с ИР типа НВ конденсатор
С1 разряжается на нагрузку и поддерживает на ней соответствующее
напряжение (рис. 7.14, а).
Фаза передачи энергии, накопленной дросселем, в нагрузку реали
зуется в течение времени Сп при закрытом силовом транзисторе
VT1 (рис. 7.14, б). В этой фазе диод VD1 открыт, так как к нему приложе
но напряжение, равное сумме Двх, и ЭДС наведенная на обмотке
дросселя L1 (на рис. 7.14, б полярность указана в скобках), которое явля
ется для диода VD1 прямым. При этом входной ток iL1 течет по цепи:
(+УВХ) -» LI -> VD1 -> С11|/?н -> (—Uax). Болес того, входное напряжение
и ЭДС €ltl, наведенная на обмотке дросселя, включены последовательно,
следовательно, конденсатор С1 заряжается до напряжения, превышающе
го входное напряжение на £iL1. Значение превышения напряжения на
конденсаторе по сравнению с UKX зависит от ряда параметров (в том числе
от параметров самого дросселя).
В соответствии с этим можно записать, что
UBx 4" £( £1 UBblx
или
^вых UBX £i LI (7.44)
Учитывая закон электромагнитной индукции, выражение (7.44)
можно представить в виде
сИгл
ивЫх- Ubx = -I'Ll ~ (7.45)
ИЛИ
diL1 = и-,х-1/ПХ dt
L1 I'Ll (7.46)
Интегрируя уравнение (7.46) на отрезке времени от tH до t и учиты

вая соответствующее изменение тока через обмотку дросселя от /;1 maJC
до iL1 (рис. 7.15), можно записать
‘Ll t
f J• ^ВЫХ (7BX f
I
(7.47)
max
После интегрирования уравнения (7.47) получают
, , _ UBhlx UBX х
^L1 ~ ‘LI max ~ 7 ’ ■ (7.48)
LL1
Полученное уравнение показывает, что в течение фазы передачи

энергии дросселя в нагрузку, то есть в течение времени tn паузы
(рис. 7.15), ток, протекающий через обмотку дросселя, уменьшается по
линейному закону.
Для получения передаточной характеристики 1/ВЬ|Х = /((/вх) преоб
разователя нужно рассмотреть токи обеих фаз его работы.
Из формулы (7.43) для t = Си можно записать размах амплитуды
тока, протекающего через обмотку дросселя в течение первой фазы:
UBX
‘JLlmax _ ‘7Limin —
~ r
вх . tьи • (7.49)
lli
Из формулы (7.48) для t = Т (рис. 7.15) можно также записать раз
мах амплитуды тока, протекающего через обмотку дросселя в течение
второй фазы:
j . _ / _ _ . (Т — г 3
‘Limin ‘Llmax ~ *-и/
ИЛИ
, , ^вых ^вх frr, м
llA max ‘LI min , ‘ V Чг (7.50)
4,1
Учитывая, что дроссель работает в режиме зарядки-разрядки, то
правые части уравнений (7.49) и (7.50) можно приравнять. Тогда
(7.51)
После алгебраических преобразований и с учетом определения ко

эффициента заполнения D из уравнения (7.51) получают
D • UBX = (УВЬ|Х - (7ВХ) ■ (1 - D)
или
(7.52)
Полученное выражение и определяет передаточную характеристику

КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме типа ПВ.
Передаточную характеристику удобно анализировать в безразмер
ном виде, то есть в виде (рис. 7.11)
1
(7.53)
UBK 1—D
Формальный подход к полученному выражению (7.53) для переда
точной характеристики КСН с ИР типа ПВ может привести к выводу, что
при D -> 1 для любого UBX выходное напряжение Увых можно получить
бесконечно большим. Однако это не так. Дело в том, что рассмотрен иде
ализированный бустерный DC/DC-преобразователь. Обычно в реальных
схемах выходное напряжение преобразователя в 3 ... 6 раз превышает его
входное напряжение.
В реальных бустерных преобразователях проявляется влияние пара
зитных параметров, используемых электрорадиокомпонентов: резистив
ное сопротивление обмотки дросселя, сопротивление канала, полностью
открытого MOSFET, и динамическое сопротивление диода. Поэтому при
проектировании таких КСН с ИР коэффициент заполнения не должен
превышать 0,9.

по схеме полярно-инвертирующего типа
Схема силовой части КСН с ИР типа ПИ (в зарубежной литературе
встречается такое название: buck-boost converter) позволяет получить на
выходе напряжение, большее или меньшее напряжения на входе, при
этом полярность выходного напряжения УВЬ1Х инвертируется, то есть оно
будет обратным по отношению ко входному напряжению Увх.
Схемотехника силовой части типа ПИ
В КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме полярно-
инвертирующего типа, в течение фазы накопления энергии дросселем ре
гулирующий транзистор VT1 полностью открыт (рис. 7.16). К обмотке
дросселя L1 прикладывается входное напряжение Увх. Через обмотку
дросселя протекает увеличивающийся ток, и в магнитном поле дросселя
накапливается энергия. На обмотке дросселя наводится ЭДС индукции
E/L1, полярность которой на рис. 7.16 показана без скобок. В этой фазе
диод VD1 закрыт и находится под обратным напряжением.
Рис. 7.16. Схема силовой части полярно-инвертирующе. о типа компенсационного

стабилизатора напряжения постоянного тока с импульсным регулированием
При выключении регулирующего транзистора на обмотке дросселя

наводится ЭДС индукции E[L1 другой полярности (она на рис. 7.16 указа
на в скобках), под действием которой открывается диод VD1. Это начало
фазы передачи энергии дросселя на выход, го есть на параллельно вклю
ченные конденсатор и нагрузку.
В течение этой фазы энергия, накопленная в магнитном поле дрос
селя, передается на выход, а выходной конденсатор С1 стабилизатора
напряжения заряжается. Полярность напряжения на выходе стабилизато
ра соответствует полярности ЭДС индукции, наведенной на обмотке
дросселя, и противоположна полярности входного напряжения.
У рассматриваемых КСН с ИР возможны два режима работы дрос
селя: с безразрывным (непрерывным) током и разрывным током.
Фазы работы силовой части типа ПИ иллюстрирует рис. 7.17.
Передаточная характеристика
Для вывода уравнения, определяющего передаточную характери
стику [/ВЬ|Х = f ((/вх) КСН с ИР, силовая часть которого построена по типу
ПИ, надо рассмотреть размах Д/£1 = ILlmax — 1цтт амплитуды пульса
ций тока, протекающего по обмотке дросселя в обе фазы работы. Учиты
вая, что дроссель работает в режиме зарядки-разрядки, то размахи Д/£1 на
фазе накопления энергии дросселем и фазе передачи энергии дросселя на
выход тождественны.
Рис. 7.17. Иллюстрация фаз работы КСН с ИР, силовая часть которого построена
по схеме полярно-инвертирующего типа
На рис. 7.17, а иллюстрируется фаза накопления энергии дросселем.

В течение этой фазы электронный ключ (в данном случае— транзистор
VT1) полностью открыт и входное напряжение Увх практически полно
стью приложено к обмотке дросселя L1. Для упрощения принято, что
напряжение сток — исток Уси силового транзистора равно нулю.
Учитывая это и закон электромагнитной индукции, можно записать
ивх = L
U (1 —
UL1 (7.54)'
ИЛИ
Увх
diLi = — dt.
lli
Выражение (7.54) показывает, что в интервале времени от нуля до
Си ток, протекающий по обмотке дросселя, линейно нарастает. Аналогич
но ток этой фазы описывается и для силовой части типа ПН и типа ПВ.
После интегрирования полученного выражения в интервале време
ни от нуля до t для тока, протекающего через обмотку дросселя в фазе
накопления им энергии и изменяющегося от нуля до iL1, получают
^вх .
4.1=7—(7-55)
LL1
В фазе передачи энергии дросселя в нагрузку (в течение време
ни паузы Сп) транзистор VT1 закрыт, передача энергии со входа на вы
ход преобразователя не происходит, полярность ЭДС индукции е11л на
обмотке дросселя изменятся (на рис. 7.17, б она указана в скобках) и ток
протекает по цепи: (+)е, L1 -» С1||/?н -> VD1 -> (—)£/£,!•
Учитывая, что к обмотке дросселя приложено выходное напряже
ние икых, по аналогии с уравнением (7.54) можно записать:
diL1=y^-dt. (7.56)
Интегрируя это выражение на интервале времени от Си до Т (ток

изменяется от IL1 max до нуля для безразрывного режима тока iL1), полу
чают
о т
‘LI max
ИЛИ
I - Ubux ■ (т t
‘Umax , ьи (7.57)
Ь1Л
Выражение (7.55) для Ги можно записать в виде
‘/Ll max -
~—, • t‘-и (7.58)
LL1
Из полученных соотношений (7.57) и (7.58) получают следующее
равенство
^ВХ _ __ ^ВЫХ Хгр _ . ч
т ‘'И , ' V' >
LL1 LIA
из которого после алгебраических преобразований следует выражение

для искомой передаточной характеристики КСН с ИР, силовая часть ко
торого построена по схеме типа ПИ:
Увь,х = -^4^'увх- (7-59)
Полученное соотношение (7.59) представляет собой передаточную

характеристику КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме
полярно-инвертирующего типа.
В безразмерном виде полученная передаточная характеристика
имеет вид
^вых _ Р
Увх " 1-0 (7.60)
и представлена на рис. 7.11.

Наличие в формуле (7.60) знака «минус» физически иллюстрирует
инверсию выходного напряжения по сравнению со входным.
Из полученной передаточной характеристики следует, что при
коэффициенте заполнения D = 0,5 получается [/вых = — Um, при
D > 0,5 силовая часть типа ПИ работает с повышением выходного
напряжения (аналогично схеме типа ИВ), а при D < 0,5 силовая часть ти
па ПИ работает с понижением выходного напряжения (аналогично схеме
типа ПН) (рис. 7.11).
Импульсные стабилизаторы повышающего и полярно-
инвертирующего типа по сравнению с понижающими КСН с ИР имеют
худшие массогабаритные показатели и КПД. Поэтому они находят при
менение главным образом там, где необходимо получить без применения
трансформатора на выходе устройства напряжение больше входного или
напряжение противоположной полярности.
В качестве примера реализации DC/DC-преобразователя по схеме ти
па ПИ можно привести микросхемы МАХ 735 и МАХ 755 (производство
фирмы Maxim Integrated Products) и микросхему МС34063 (производства
фирмы Motorola).
Микросхема МАХ 735 преобразует входное напряжение 4,0 ... 6,2 В
в выходное отрицательное напряжение 5 В с максимальным током
200 мА. Частота преобразования 160 кГц, а КПД превышает 78 %.
Микросхема МС34063 преобразует входное напряжение 4,5 ... 6,0 В
в выходное отрицательное напряжение 12,0 В с максимальным током до
100 мА.
7.2.4. DC/DC-преобразователи повышающе-понижающего типа

Большинство производителей электронных компонентов предлагает
множество микросхем, предназначенных для построения либо повыша
ющих, либо понижающих, либо полярно-инвертирующих преобразовате
лей. И лишь небольшое число микросхем предназначено для получения
регулируемого стабилизированного напряжения на выходе как в режиме
понижения, так и в режиме повышения входного напряжения. К таким
преобразователям напряжения повышающе-понижающего типа относят
ся, например, микросхема МАХ1759 производства компании Maxim Inte
grated Products и микросхема МСР1253 производства компании Microchip
Technology.
К DC/DC-преобразователям повышающе-понижающего типа отно
сятся преобразователи, построенные по двум топологиям: топологии
SEPIC и топологии с накачкой заряда.
7.2.4.1. DC/DC-преобразователи по топологии SEPIC

На рис. 7.18 показана принципиальная электрическая схема повы
шающе-понижающего преобразователя, построенного по топологии
SEPIC. SEPIC — это аббревиатура от английского названия: Single Ended
Primary Inductor Converter. А в отечественной литературе такие преобра
зователи называются преобразователями с несимметрично нагруженной
первичной индуктивностью.
Рис. '.18. Принципиальная электрическая схема преобразователя

повышающе-понижающего типа по топологии SEP1C
У преобразователей, построенных по топологии SEPIC, различают

две фазы работы, определяемые состоянием силового транзистора VT1,
работающего в ключевом режиме.
Первая фаза реализуется при полностью открытом транзисторе
VT1 и называется фазой накопления энергии дросселями.
Вторая фаза реализуется при полностью закрытом транзисторе
VT1 и называется фазой передачи энергии дроссетей в нагрузку.
Электрические цепи, по которым протекают токи в течение первой
фазы работы преобразователя, показаны на рис. 7.19.
В первой фазе при замкнутом электронном ключе, функцию кото
рого выполняет транзистор VT1 (рис. 7.19), через обмотку входного дрос
селя L1 протекает ток itl и на обмотке дросселя [Л наводится ЭДС, по
лярность которой указана на рис. 7.19.
В этом же интервале времени конденсатор С1 разряжается на дрос
сель L2, через обмотку которого протекает ток iL2, и на обмотке дросселя
L2 наводится ЭДС, полярность которой указана на рис. 7.19.
+(/вых
Лн
’ ^вых
Рис. 7.19. Схема DC/DC-преобразователя по топологии СEPIC,

работающего в первой фазе, то есть в фазе накопления энергии дросселями
При этом диод VD1 (рис. 7.18) закрыт, так как к нему приложено
обратное напряжение, равное сумме напряжений на обмотке дросселя uL2
и на конденсаторе С2.
Напряжение на нагрузке определяется напряжением на выходном
конденсаторе С2.
Таким образом, в первой фазе происходит накопление энергии в
магнитном поле дросселей L1 и L2, причем дроссель 1Л заряжается вход
ным напряжением UBX, дроссель L2— напряжением на конденсаторе С1,
а выходной конденсатор С2 формирует напряжение на нагрузке. В этой
фазе работы преобразователя, построенного по топологии SEPIC, переда
ча энергии со входа на выход нс происходит.
Во второй фазе работы рассматриваемого преобразователя при
разомкнутом электронном ключе, функцию которого выполняет транзи
стор VT1 (рис. 7.18), электрические цепи, по которым протекают токи
преобразователя, показаны на рис. 7.20.
В соответствии с правилом Ленча при закрытом (выключенном)
транзисторе VT1 (рис. 7.18) энергия, накопленная р магнитном поле дрос
селя L1, затрачивается на поддержание протекания тока iL1 через обмотку
дросселя L1 в прежнем направлении, что сопровождается изменением по
лярности ЭДС на обмотке дросселя 1Л (рис. 7.20). Входное напряжение
UBX и ЭДС на юбмотке дросселя L1 включены последовательно, их сум
марное напряжение обеспечивает протекание тока в цепи: (+УВХ) -> 1Л ->
Cl -» VD1 -> С2П7?Н -> (—(/вх). При этом конденсаторы С1 и С2 подзаря
жаются через открытый диод VD1. Энергия, накопленная в магнитном
поле дросселя L2, также передается в нагрузку.
Рис. 7.20. Схема DC/DC-преобразователя по топологии -'EPIC,
работающего во второй фазе, то есть в фазе передачи чнергии дросселей в нагрузку
Преобразователи, построенные по топологии SEPIC, являются ти

пичными DC/DC-преобразователями позышающе-понижающего типа.
Со схемотехнической точки зрения топология SEPIC представляет
собой топологию КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме
повышающего типа с дополнительными конденсатором и дросселем.
7.2.4.2. DC/DC-преобразователи по топологии с накачкой заряда

В рассмотренных импульсных DC DC-преобразователях для накоп
ления энергии и последующей передачи се в нагрузку используются ин
дуктивности (дроссели, трансформаторы), то есть устройства, обладаю
щие индуктивностью. В магнитном поле этих устройств и накапливается
энергия, поступающая со входа и передаваемая затем на выход преобра
зователя.
В DC/DC-преобразователях, построенных по топологии с накачкой
заряда (Charge Pump), для накопления и переноса энергии используются
конденсаторы, которые называются «летающими» или переключаемыми
конденсаторами. «Летающий» конденсатор выполняет функции накопле
ния и управляемого переноса энергии со входа преобразователя на его
выход.
Преобразователи с накачкой заряда применяются в малогабаритных
ИВЭ, как правило, получающих энергию от литий-ионных батарей. С по
мощью таких преобразователей можно получить стабилизированное вы
ходное напряжение как выше, так и ниже напряжения батареи. Невысокая
стоимость и малые массогабаритные характеристики выгодно отличают
их от преобразователей, имеющих другой принцип работы.
Принцип работы DC/DC-преобразователсй с накачкой заряда
состоит в том, что в течение некоторого времени летающий конденсатор
заряжается входным напряжением Увх. а затем в течение некоторого
времени передает накопленную энергию выходному конденсатору, па-
раллельно которому включена нагрузка /?н.
Отсутствие в DC/DC-преобразователях с накачкой заряда статиче
ских электромагнитных устройств делает их применение более предпо
чтительным по сравнению с преобразователями с индуктивностями в тех
случаях, когда требуется электропитание с малым энергопотреблением
(менее 200 мА), малой занимаемой плошадью на печатной плате и мини
мальной высотой.
Модельная схема рассматриваемого типа DC/DC-преобразователей
может быть представлена мостовой схемой, в диагональ которой по пе
ременному току включен «летающий» конденсатор, а диагонально распо
ложенные ключи моста работают синхронно попарно и поочередно.
В функционировании таких преобразователей различают две фазы:
фаза накопления энергии «летающим» конденсатором (рис. 7.21) и фаза
передачи энергии «летающего» конденсатора в нагрузку (рис. 7.22).
Рис. 7.21. Схема DC/DC-преобразователя в фазе накопления энергии «летающим»

конденсатором
В фазе накопления энергии «летающим» конденсатором

С2 (рис. 7.21) ключи 5/11 и 5/14 разомкнуты, а ключи 5/13 и SA2 замкнуты
и ток i протекает по цепи: +UliX -> 5/13 -* С2 -»SA2 -> «земля». «Летаю
щий» конденсатор С2 заряжается практически до входного напряжения,
то есть иС2 = UBX. Полярность напряжения UC2 на «летающем» конденса
торе указана на рис. 7.21. В этой фазе напряжение на нагрузке /?н опреде
ляет выходной конденсатор СЗ.
В фазе передачи энергии «летающего» конденсатора С2 (рис. 7.22) в
нагрузку ключи 5/11 и 5/14 замкнуты, а ключи 543 и 5/12 разомкнуты
и ток i протекает по цепи: +UBX -» 541 -» С2 -» 544 -» СЗ| |7?н -> «земля».
Рис. 7.22. Схема DC/DC-преобразователя в фазе передачи энергии «летающего»
конденсатора в нагрузку
Из схемы, приведенной на рис. 7.22, видно, что входное напряже

ние UBX и напряжение UC2 на «летающем» конденсаторе С2 включены по
следовательно. По этой причине выходной конденсатор СЗ заряжается до
напряжения, равного UBX + UC2\ Учитывая, что UC2 = UBX, можно запи
сать, что UBblx = 2 ■ UBX.
На входе преобразователей обычно включают входной конденса
тор С1.
В качестве «летающих» конденсаторов используются керамические
конденсаторы емкостью ~0,1 ... 10 мкФ с малым внутренним сопротивле
нием.
Частота преобразования /п в DC/DC-прсобразоватслях с накачкой
заряда задается соответствующим драйвером в интервале от ~50кГц
до ~4 МГц. В datasheet на микросхемы, реализующие такие преобразова
тели, указывается конкретное значение частоты преобразования Более
того, частота преобразования микросхемы может изменяться в процессе
сс работы из-за внешних эксплуатационных причин.
Характерные диаграммы напряжений для рассматриваемого преоб
разователя приведены на рис. 7.23. У устойчиво работающего преобразо
вателя выделяют две фазы работ ы.
Рис. 7.23. Диаграммы напряжений для DC/DC-преобразователя
с накачкой заряда
В течение первой фазы работы преобразователя (интервал времени

на рис. 7.23 обозначен Сх) выходной конденсатор СЗ разряжается на
нагрузку RH и мгновенное выходное напряжение иВЬ|Х преобразователя
уменьшается по экспоненциальному закону от 2UBX до UBblxmin.
В течение второй фазы работы преобразователя (интервал времени
на рис. 7.23 обозначен t2) выходной конденсатор СЗ подзаряжается и вы
ходное напряжение иВЬ|Х увеличивается от UBblxmin Д° 2(/вх. Амплитуда
пульсаций выходного напряжения Д{/ВЬ1Х = 2 • Увых — UKhlx min. Видно, что
после соответствующей фильтрации мгновенного выходного напряжения
ивых выходное напряжение УВЬ1Х превышает UBX и приближается к 2УВХ.
Передача энергии со входа на выход рассмотренного DC/DC-
преобразователя происходит лишь в течение второй фазы, то есть это од
нотактная схема.
Частота колебаний мгновенных значений напряжения на нагрузке
равна частоте коммутаций ключей.
При проектировании DC /DC-преобразователей особое внимание
обращают на устранение главных их недостатков: малой нагрузочной
способности, повышенных пульсаций и нестабильности выходного
Проблема малой нагрузочной способности была решена примене
нием в качестве «летающих» конденсаторов керамических конденсато
ров, которые имеют низкое внутреннее сопротивление и емкость до сотен
микрофарад. Это позволило переносить большие заряды на высоких ча
стотах (до ~4 МГц).
Проблема повышенных пульсаций была решена применением двух
тактной схемы DC/DC-преобразователя, реализующей удвоитель напря
жения (рис. 7.24 и рис. 7.25).
5/41 SA3 SA5
Рис. 7.24. Схема двухтактного DC/D С-преобразователя в первом такте его работы
Схема двухтактного преобразователя с накачкой заряда представ

ляет собой два однотактных преобразователя, включенных параллельно
и работающих в противофазе на одну нагрузку.
У устойчиво работающего преобразователя выделяют два такта ра
боты.
В первом такте работы DC/DC-преобразователя (рис. 7.24) ключи
5Д1, SA4 и S/15, 5/18 разомкнуты, а ключи 5/13, SA2 и 5/17, SA6 замкнуты,
«летающий» конденсатор С2 подзаряжается до напряжения, практически
равного Um, а «летающий» конденсатор С4, включенный последователь
но со входным напряжением, разряжается на выходной конденсатор СЗ,
параллельно которому включена нагрузка /?н.
Во втором такте работы DC/DC-прсобразоватсля (рис. 7.25) ключи
SAI, SA4 и 5/15, 5/18 замкнуты, а ключи 5’43, 5/12 и 5/17, 5716 разомкнуты,
«летающий» конденсатор С4 подзаряжается до напряжения, практически
равного Увх, а «летающий» конденсатор С2, включенный последователь
но со входным напряжением, разряжается на выходной конденсатор СЗ,
параллельно которому включена нагрузка /?н.
Рис. 7.25. Схема двухтактного DC/DC-преобразователя
во втором такте его работы
Цепи, по которым протекают токи, формирующие выходное

напряжение, на рис. 7.24 и рис. 7.25 показаны штриховой линией.
Следовательно, з первый такт работы преобразователя «летающий»
конденсатор С2 подзаряжается до напряжения UBK, а «летающий» конден
сатор С4 разряжается на нагрузку. Во второй такт работы преобразовате
ля конденсатор С4 подзаряжается до напряжения Увх, а конденсатор
С2 разряжается на нагрузку. Таким образом, передача энергии в нагрузку
проходит непрерывно, а значит, УВЬ1Х = 2 - UBX = const и ДУВЬ1Х = 0.
Стабилизация выходного напряжения Увьв в DC/DC-преобразова-
тслях реализуется четырьмя алгоритмами: изменением способа коммута
ции, преобразованием с пропуском импульсов, преобразованием с посто
янной частотой и применением комбинированного алгоритма управления,
представляющего собой сочетание алгоритмов управления с пропуском
импульсов и преобразования с постоянной частотой.
Основные сведения о некоторых микросхемах, выполненных по то
пологии с накачкой заряда для построения DC/DC-преобразователей,
приведены в табл. 7.1.
Таблица 7.1
Основные сведения о микросхемах с накачкой заряда
для построения РС/РС-преобразователей
№ Тип Функция Увх ’■'вых * вых Производи
н.п. микросхемы микросхемы В в мА кГц тель
Низкошумящий
инвертирующий
DC/DC-
2,7 ±1,5
преобразователь с Texas
1 LM27762 250 2 000
положительными Instruments
5,5 ±5,0
и отрицательными
LDO
стабилизаторами
Инвертирующий
DC/DC-
До
преобразователь 4,5 Linear
±0.94
2 LTC3260 с двумя 100 50 500 Technology
малошумящими 32,0 ивх Corporation
LDO
стабилизаторами
Повышающс- 3,3;
2,7 Linear
понижающий 5,0;
3 LTC3245 250 450 Technology
DC/DC- 2,5 ...
38,0 Corporation
преобразователь 5,0
Повышающс-
1,6 3,3; Maxim
понижающий
4 МАХ 1759 2,5 ... 100 Integrated
DC/DC-
5,5 5,5 Products
преобразователь
§ 7.3. Принципиальная электрическая схема компенсационного

стабилизатора напряжения постоянного тока
с импульсным регулированием
На рис. 7.26 показана принципиальная электрическая схема ком

пенсационного стабилизатора напряжения постоянного тока с импульс
ным регулированием, силовая часть которого построена по схеме пони
жающего типа, а регулирующий транзистор работает в режиме двухпози
ционной модуляции.
Назначение электрорадиоэлементов в схеме: R1R2 — делитель
входного напряжения Увх; /?ЗТТ2 — усилитель постоянного тока; VT1 —
регулирующий (силовой, проходной) транзистор; VT3 — управляющий
транзистор; R4— резистор, падение напряжения на котором определяет
разность потенциалов между эмиттером управляющего транзистора VT3
и минусовой шиной; VD2— возвратный (нулевой) диод; L1C1— пас
сивный сглаживающий фильтр, состоящий из дросселя 1Л и конденсатора
Cl; W71R5— параметрический стабилизатор напряжения, выполняющий
функцию порогового элемента; R6R7R8 — резистивный делитель выход
ного напряжения, выполняющий роль датчика выходного напряжения.

напряжения постоянного тока с импульсным регулированием,
силовая часть которого построена по схеме понижающего типа,
а регулирующий транзистор работает в режиме двухпозиционной модуляции
Принцип действия рассматриваемого КСН с ИР заключается в сле

дующем. До подключения стабилизатора к первичному источнику энер
гии все полупроводниковые приборы выключены.
При подаче входного напряжения Увх через делитель входного
напряжения R1R2 протекает ток, формирующий на резисторе R2 падение
напряжения UR2, которое приложено между базой усилительного транзи
стора VT2 и минусовой шиной. Это напряжение фактически определяет
падение напряжения U63VT2 между базой и эмиттером транзистора VT2,
являющееся для него входным, и падение напряжения UR4 на резисторе
R4, определяющим напряжение между эмиттером транзистора VT2 и ми
нусовой шиной.
Напряжение U63VT2 приоткрывает транзистор VT2, и по цепи
(+(7ВХ) -» ЯЗ -» VT2 -» R4 -» (—UBX) протекает ток. Он формирует на ре
зисторе R3 падение напряжения UR3, являющееся входным напряжением
Убэгп Для транзистора VT1. Это напряжение открывает транзистор VT1,
и его рабочая точка на коллекторной характеристике переходит в режим
насыщения, при котором падение напряжения UK3VT1 на транзисторе
VT1 мало (£/кэУГ1нас~0,7... 1,5 В).
В этом состоянии КСН с ИР транзистор VT2 открыт, а транзистор
VT1 открыт и насыщен. Поэтому начинается передача энергии со входа
СИ на его выход.
К возвратному диоду VD2 прикладывается напряжение, практиче
ски равное входному (ведь в режиме насыщения транзистора VT1 падение
напряжения УКЭ7Т1нас на нем значительно меньше входного напряже
ния Увх), и это напряжение является обратным для диода VD2. Поэтому
диод VD2 останется выключенным.
При этом через обмотку дросселя протекает возрастающий ток.
В соответствии с правилом Ленца на обмотке дросселя наводится ЭДС
индукции UL1, полярность которой препятствует возрастанию тока (на
рис. 7.26 она указана без скобок).
Выходное напряжение СН увеличивается, а значит, увеличивается
и падение напряжения на делителе выходного напряжения R6R7R8.
По этой причине потенциал движка потенциометра R7 становится более
положительным относительно минусовой шины, то есть напряжение УВЬ1Х
увеличивается. Напряжение Пвых является входным для параметрического
стабилизатора напряжения УО1Я5. По мере увеличения UBbK и УВЬ1Х воз
растает и ток, протекающий по цепи: (+УВЫХ) -» Я5 -» (—ивых).
Согласно вольт-амперной характеристике стабилитрона его рабочая
точка зависит от тока и достигает режима стабилизации при токах
~3 ... 10 мА. А уже в режиме стабилизации падение напряжения на ста
билитроне незначительно зависит от тока. Поэтому при достижении ра
бочей точкой стабилитрона режима стабилизации падение напряжения
U„ на стабилитроне практически неизменно. Фактически это напряжение
UCT является пороговым. Дальнейшее возрастание ивых приводит к росту
напряжений на резисторе R5. Падение напряжения UR5 на резисторе
R5 должно превысить сумму падения напряжения U6g vr3 между базой
и эмиттером управляющего транзистора VT3 и падения напряжения UR4
на резисторе R4. Это обеспечит открывание транзистора VT3 и шунтиро
вание им перехода между базой и эмиттером транзистора VT2 и, как
следствие, выключение транзистора VT2. Следовательно, ток по цепи
(+1/вх) -> R3 -> VT2 -> R4 -> (—UBX) становится равным нулю, а значит,
и UR3 уменьшается до нуля, и регулирующий транзистор VT1 выключает
ся, то есть сто рабочая точка на коллекторной характеристике переходит
из режима насыщения в режим отсечки.
Таким образом, в этом режиме транзисторы VT1 и VT2 выключены,
а транзистор VT3 — включен.
После выключения транзистора VT1 передача энергии со входа СН
на его выход прекращается и ток, протекающий через обмотку дросселя,
уменьшается. В соответствии с правилом Ленца на обмотке дросселя
наводится ЭДС индукции UL1, полярность которой поддерживает неиз
менным ток (на рис. 7.26 она указана в скобках).
Эта ЭДС индукции включает диод VD 2, и энергия, накопленная в
магнитном поле дросселя, затрачивается на поддержание протекания тока
по цепи: (+)1/;л-►/?6/?7/?8||С1-> ИШ-> (—При этом выходное
напряжение Пвых уменьшается, а значит, уменьшается и напряжение t/BbIX,
являющееся входным напряжением для параметрического стабилизатора
напряжения VD1R5. Рабочая точка стабилитрона на его вольт-амперной
характеристике перемещается из режима стабилизации, и падение напря
жения UR5 на резисторе R5 уменьшается и становится недостаточным для
поддержания транзистора VT3 в открытом состоянии. Поэтому транзи
стор VT3 выключается, его шунтирование транзистора VT2 прекращается,
и транзисторы VT2 и VT1 опять включаются.
Таким образом, транзисторы VT1 и VT2 включены, а транзистор
VT3 — выключен. Вновь начинается передача энергии со входа СН на его
выход.
И все процессы повторяются.
Время открытого состояния Си транзистора VT1 и время его закры
того состояния Сп не являются постоянными величинами. Поэтому регу
лирующий транзистор КТ1 работает в режиме двухпозиционной (релей
ной) модуляции.
1. Как классифицируют DC/DC-преобразователи?

2. В чем состоит принципиальное различие DC/DC-преобразователей без
гальванической связи входа и выхода и DC/DC-преобразователей
с гальванической связью входа и выхода?
3. В чем состоит схемотехническая особенность прямоходовых
DC/DC-преобразователей?
4. В чем состоит схемотехническая особенность обратноходовых
DC/DC-прсобразоватслсй?
5. Нарисуйте структурную схему ППТ с гальванической развязкой вход
ных и выходных цепей.
6. Осуществляется ли гальваническая развязка входных и выходных це
пей в DC/DC-преобразователях?
7. Как классифицируются однотактные преобразователи постоянного
тока?
8. Нарисуйте схему и расскажите принцип действия прямоходовых пре
образователей постоянного тока.
9. Нарисуйте схему и расскажите принцип действия обратноходовых
преобразователей постоянного тока.
10. Какую роль выполняют транзисторы в преобразователях постоянного
тока?
11. Что такое компенсационный стабилизатор напряжения постоянного
тока с импульсным регулированием?
12. Нарисуйте три схемы построения силовой части КСН с ИР.
13. Нарисуйте схему силовой части КСН с ИР понижающего типа
и объясните принцип его работы.
14. Нарисуйте схему силовой части КСН с ИР повышающего типа
и объясните принцип его работы.
15. Нарисуйте схему силовой части КСН с ИР полярно-инвертирующего
типа и объясните принцип его работы.
16. Поясните схемотехнику и принцип действия КСН с ИР, построенном
по схеме понижающего типа с регулирующим транзистором, работа
ющем в режиме двухпозиционной модуляции.
17. Реализована ли в КСН с ИР гальваническая развязка входных и вы
ходных цепей?
18. Какую роль выполняет потенциометр R7 в схеме КСН с ИР, приве
денной на рис. 7.26?
19. Какую роль выполняет диод KD2 в схеме КСН с ИР, приведенной
на рис. 7.26?
20. Какую роль выполняет делитель Я1/?2 в схеме КСН с ИР, приведен
ной на рис. 7.26?
21. В схеме КСН с ИР, приведенной на рис. 7.26, какими электронными
компонентами реализован регулирующий элемент?
компонентами реализован блок управления?
компонентами реализована силовая часть?
24. В каких единицах измеряется мощность трансформатора?
25. В каких единицах измеряется выходная мощность преобразователя
постоянного тока?
26. Какие материалы используются для изготовления магнитопроводов
высокочастотных трансформаторов?
27. В чем состоит различие терминов «среднее квадратическое напряже
ние», «эффективное напряжение» и «действующее напряжение»?
28. Найдите в научной и/или методической литературе или в сети Internet
10-15 типов интегральных микросхем различных производителей
электронных компонентов, реализующих преобразователи постоянно
го тока.
29. Перечислите микросхемы, которые могут работать как в режиме по
нижения напряжения, так и в режиме повышения напряжения.
30. В чем особенность построения DC/DC-преобразователей по тополо
гии с накачкой заряда?
31. В чем особенность построения ВСУОС-прсобразоватслсй по тополо
гии SEPIC?
32. В каких практически важных применениях необходимо иметь
DC/DC-преобразователь, формирующий на выходе напряжение как
большее, так и меньшее входного?
33. В чем состоит схемотехническое различие топологии SEPIC и тополо
гии КСН с ИР, силовая часть которого построена по схеме повышаю
щего типа?
ГЛАВА 8.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ В СЕТЕВЫХ ИСТОЧНИКАХ
Разработка и эксплуатация современных устройств и систем элек

тропитания требует не только изучения и понимания физических процес
сов, происходящих в них, но и умения диагностировать их работу и выяв
лять неисправности на всех этапах жизненного цикла устройств и систем
электропитания. А это, в свою очередь, требует глубокого знания основ
силовой электроники, тенденций ее развития, знакомства с отечественной
и зарубежной элементной базой, методами и средствами контроля, а так
же системами защиты в нештатных ситуациях.
В этом разделе рассмотрены схемные решения синтеза сетевого
бсстрансформаторного источника вторичного электропитания из элемен
тов и узлов, рассмотренных в предыдущих разделах учебника. Примене
ние новых типов высоковольтных полевых транзисторов, диодов, конден
саторов, новых магнитных материалов позволяет осуществлять преобра
зование энергии на высоких частотах (сотни кГц) с высоким КПД (зача
стую свыше 90 %) и проектировать высоконадежные устройства ИВЭ
с великолепными массогабаритными показателями.
§ 8Л. Обобщенная схема сетевого бсстрансформаторного источника

вторичного питания
Рассмотренный в данном разделе сетевой ИВЭ предназначен для пи

тания телекоммуникационного оборудования, в состав которого входят уз
лы с различными требованиями к качеству вторичного электропитания.
Цифровая и микропроцессорная техника предъявляет достаточно умерен
ные требования по качеству электропитания. В то время как аналоговые
устройства (датчики, прецизионные усилители) обычно требуют высокой
стабильности питающего напряжения, низкого уровня пульсаций и помех.
На рис. 8.1 показана принципиальная электрическая схема источни
ка вторичного электропитания, использующего энергию сети переменно
го тока с напряжением ис, равным 220 В, и частотой fc, равной 50 Гц,
и формирующего два стабилизированных напряжения постоянного тока
для питания нагрузок /?н1 и Rh2.
Рассматриваемая схема реализует бестрансформаторный вариант
ИВЭ, то есть у него на входе отсутствует сетевой трансформатор, рабо
тающий на частоте питающей сети fc.
В таких ИВЭ происходит двойное преобразование частоты.
VD5 T\ FD8
as
359
Мостовой выпрямитель VD1 ...VD4 вместе с низкочастотным сгла
живающим фильтром, реализованном на конденсаторе С1, преобразует
энергию переменного тока с частотой fc, равной 50 Гц, в энергию постоян
ного тока (частота равна нулю).
Инвертор с насыщающимся трансформатором Т1, построенный на
транзисторах VT1 и VT2, преобразует энергию постоянного тока в энергию
переменного тока высокой частоты (f„ ~500 кГц).
Трансформатор Т1 осуществляет гальваническую развязку входной
и выходной цепей.
Токоограничивающий резистор R1, сопротивление которого равно
~1 Ом, шунтирован тринистором VS1 и включен между сетевым выпрями
телем VD1 ... VD4 и низкочастотным емкостным сглаживающим фильтром.
Резистор R1 необходим при включении ИВЭ.
Дело в том, что при включении ИВЭ тринистор Г51 закрыт, а кон
денсатор С1 разряжен и его сопротивление для изменяющегося тока прак
тически равно нулю. При отсутствии токоограничивающего резистора
/?1 по цепи (диод мостового выпрямителя VD1 ... VD4) -»(конденсатор С1)
-> (диод мостового выпрямителя VD1...VD4) протекает очень большой
ток. Фактически это ток короткого замыкания названной входной цепи.
Его часто еще называют «сквозным» током.
Амплитуда «сквозного» тока на один-два порядка превышает номи
нальный ток. Количество тепла, рассеиваемое на выпрямительных дио
дах, определяется законом Джоуля — Ленца и растет пропорционально
квадрату протекающего тока. Поэтому, хотя время протекания через дио
ды «сквозного» тока мало, но количество выделяемой энергии велико.
Это приводит к безвозвратному выходу диода из строя (тепловой пробой
диода).
При включении токоограничивающего резистора /?1 в цепь (диод
мостового выпрямителя VD\ ...VD4) -» (токоограничивающий резистор R1)
(конденсатор С1) — (диод мостового выпрямителя VD1 ... VD4) протека
ет ток, величина которого в основном определяется сопротивлением токо
ограничивающего резистора 7?1 и значительно меньше «сквозного» тока.
По мере зарядки конденсатора С1 с помощью резистивной запус
кающей цепочки R2R3 включается инвертор с насыщающимся трансфор
матором Т1 (генератор Ройера). Основные и базовые обмотки трансформа
тора Т1 включены согласно. Это на рис. 8.1 отмечено точкой у каждой об
мотки. Резисторы R4 и RS включены в базовые обмотки силовых транзи
сторов VT1 и VT2 и задают положение рабочей точки соответствующего
Конденсатор СЗ предназначен для формирования с помощью базо
вых обмоток трансформатора Т1 входного напряжения база — эмиттер си
ловых транзисторов VT1 и VT2, работающих в ключевом режиме.
Дополнительная обмотка трансформатора Т1, питающая однополу-
периодный выпрямитель на диоде VD5 со сглаживающем емкостным
фильтром (конденсатор С2), формирует управляющее напряжение для
тринистора VS1, приложенное между его управляющим электродом и ка
тодом. После зарядки конденсаторов С1 и С2 тринистор ES1 открывается
и шунтирует токоограничивающий резистор R1.
У трансформатора Т1 имеются еще две вторичные обмотки, питаю
щие мостовой выпрямитель, построенный на выпрямительном блоке VD8,
и выпрямитель со средней точкой, построенный на диодах VD6 и VD7.
Первый канал, формирующий стабилизированное выходное напря
жение постоянного тока для питания нагрузки /?н1, кроме мостового вы
прямителя VD9 и сглаживающего фильтра, построенного на конденсато
ре С5, содержит линейный стабилизатор напряжения на интегральной
микросхеме DA2 с источником эталонного напряжения («подпорой»), вы
полненном параметрическим стабилизатором напряжения R6VD9. Стаби
лизатор напряжения DA2 включен по типовой схеме трехвыводной микро
схемы, рекомендованной производителем: 1 — вход, 2 — общий, 3 — вы
ход. Рекомендуемые значения емкости входного конденсатора С5 и вы
ходного конденсатора С7 равны ~(0,1... 1,0) мкФ. Если рассматривае
мый канал ИВЭ работает с достаточно большими токами (~1 А и более),
то целесообразно на его выходе использовать еще один сглаживающий
фильтр. На рис. 8.1 для этой цели использован пассивный Г-образный
LC-сглаживающий фильтр L1C9C11.
Второй канал, формирующий стабилизированное выходное напря
жение постоянного тока для питания нагрузки /?н2, кроме выпрямителя со
средней точкой, построенного на диодах VD6 и VD7, и сглаживающего
фильтра, построенного на конденсаторе С4, содержит импульсный стаби
лизатор напряжения на интегральной микросхеме DA1 и линейный стаби
лизатор напряжения на интегральной микросхеме DA3. Стабилизаторы
напряжения DA1 и DA3 включаются по типовым схемам трехвыводных
микросхем, рекомендованных производителем. Как правило, рекомендуе
мые значения емкостей конденсаторов С4, С6, С8 и СЮ, как уже отмеча
лось, равны ~(0,1... 1,0) мкФ.
Линейный стабилизатор напряжения DA3 используется как для ста
билизации выходного напряжения, так и для подавления пульсаций им
пульсного стабилизатора напряжения DA1, выполняя функцию активного
§ 8.2. Распределенная система электропитания
Любую систему электропитания можно пошроить двумя способами:

либо по централизованному принципу, либо по децентрализованному
(распределенному) принципу.
При централизованной системе мощный, крупногабаритный преоб
разователь напряжения преобразует сетевое напряжение в набор постоян
ных напряжений и токов, необходимых для функционирования системы,
и питает соответствующую функциональную аппаратуру через отдельные
шины (рис. 8.2). Это очень эффективное по стоимости решение, не требу
ющее применения дорогих печатных плат для преобразования напряжений
и доставки их к нагрузке. Такие системы электропитания характеризуются
средней энергетической эффективностью, поскольку в них нет последова
тельных каскадов для преобразования мощности, а тепловые проблемы
и электромагнитные помехи ограничены одним корпусом. Такие решения
эффективны для приложений, в которых в процессе эксплуатации не изме
няются требования к мощности ИВЭ и для которых нс особенно актуален
вопрос занимаемого объема.
Рис. 8.2. Централизованная система электропитания
Несмотря на то, что централизованные ИВЭ хорошо работают во

многих приложениях, они все чаще не отвечают требованиям, предъявляе
мым современными РЭС, в которых надо распределять значительные токи
по нескольким низковольтным входам. При использовании централизо
ванной архитектуры организация теплоотвода может оказаться сложной
задачей, ведь часто требуется отвести несколько сотен ватт тепловой энер
гии из ограниченного пространства. Для защиты системы от перегрева мо
гут потребоваться большие тепловые трубы, радиаторы и вентиляторы. Но
даже при этом нс исключены локальные перегревы, снижающие общую
надежность ИВЭ.
Низковольтные нагрузки получают все большее распространение,
растет количество уровней напряжения, используемых на платах. Все это
привело к появлению концепции модульного построения источников вто
ричного электропитания и распределенных систем электропитания
(рис. 8.3).
В распределенной системе электропитания выпрямленное и отфиль
трованное напряжение преобразуется основным DC/DC-преобразователем
до уровня напряжения на промежуточной шине питания. Каждая печатная
плата или функциональный модуль имеет собственный DC/DC-преобра-
зователь, размещаемый непосредственно вблизи нагрузки.
Основной DC/DC-преобразователь (Intermediate Bus Converter, IBC)
выполняется с гальванической развязкой, подбирается под конкретную
нагрузку, что позволяет улучшить динамические и энергетические харак
теристики, устранить проблемы, связанные с распределением низких
напряжений к платам. А неизолированный DC DC-преобразователь на
каждой плате (non isolated Point of Load, niPOL), работающей от шины,
выполняет окончательное преобразование и регулирование выходного
DC/DC преобразователи
Рис. 8.3. Распределенная система электропитания
Распределенные системы вторичного электропитания имеют следу

ющие достоинства:
• передача энергии между потребителями происходит при повы
шенном уровне напряжения в шине питания и, соответственно,
при малых токах, что позволяет минимизировать потери в сети
и стоимость шин, контактов, соединителей и повысить надежность
системы;
• естественная вентиляция достаточна для охлаждения системы; не
требуется дополнительного вентилятора, как в случае централизо
ванного электропитания;
• niPOL, как правило, имеют меньшие габариты и массу по сравне
нию с полнофункциональными DC/DC-преобразователями, что
упрощает топологию печатных плат;
• niPOL-преобразователи имеют высокий коэффициент преобразо
вания напряжения;
• сокращается время разработки электронного оборудования, так
как можно выбрать DC/DC-преобразователь для каждой печатной
платы во время ее разработки;
• достаточно просто реализуется система контроля и управления
параметрами, такими как выходное напряжение, температура,
потребляемая электроэнергия во время работы от буферной ак
кумуляторной батареи в период пропадания напряжения первич
ной сети;
• существует возможность использовать стандартные узлы и блоки,
что снижает стоимость устройства и повышает надежность;
• существует возможность регулирования выходного напряжения
DC/DC-преобразователя при помощи фиксированных резисторов
и аналоговых переключателей или при помощи цифроаналогового
преобразователя.
В связи с пониженным напряжением питания каждого модуля и повы

шенным током необходимо использовать более широкие дорожки на плате,
более тяжелые медные проводники и более короткие линии связи. Еще од
ним недостатком niPOL является принципиально отсутствующая гальваниче
ская изоляция от входной цепи: нагрузка может выходить из строя, из-за чего
в системе могут появиться проблемы с заземлением и помехами.
Высокоэффективная распределенная система питания используется
в авиации, оборонной и космической отраслях и полностью соответствуют
растущим требованиям по эффективности, малой массе и низкой стоимо
сти аппаратуры.
§ 8.3. Сетевой адаптер для зарядки телефонов
Большинство современных сетевых зарядных устройств собрано по

простейшей импульсной схеме, на одном высоковольтном транзисторе по
схеме блокииг-генератора. Трансформатор в этой схеме гораздо меньше по
размерам, чем у 50-герцового трансформатора той же мощности, а значит,
меньше размеры, масса и цена всего преобразователя. Кроме того, импуль
сные преобразователи более безопасны, нагрузка гальванически разделена
с входной сетью, и при любой неисправности адаптера на выходе вообще
не будет никакого напряжения.
Преобразователь (рис. 8.4) собран на транзисторе VT1 по классиче
ской обратноходовой схеме. Резистор R2 обеспечивает начальное смеще
ние на базу для мягкого запуска генерации при подаче питания. С обмотки
II обеспечивается положительная обратная связь, необходимая для под
держания генерации. Частота генерации зависит от емкости С1 и парамет
ров трансформатора. При отпирании транзистора напряжение на нижних
по схеме выводах обмоток I и II отрицательное, на верхних — положи
тельное; положительная полуволна через конденсатор С1 еще сильнее от
крывает транзистор, амплитуда напряжения в обмотках возрастает. Проис
ходит лавинообразное открывание транзистора. Конденсатор С1 заряжает
ся базовым током. По мере зарядки С1 базовый ток начинает уменьшаться.
FD4
-----
и-я =“СЗ
J
Рис. 8.4. Сетевой адаптер для зарядки телефонов
Начинается этап закрывания транзистора, уменьшается ток коллек

тора, напряжение на верхнем по схеме выводе обмотки II начинает умень
шаться, через конденсатор С1 базовый ток еще сильнее уменьшается,
и транзистор лавинообразно закрывается. Резистор R3 ограничивает базо
вый ток, защищает транзистор от превышения базового тока.
В это же время амплитудой ЭДС самоиндукции через диод VD4 под
заряжается конденсатор СЗ — поэтому преобразователь и называется об
ратноходовым. Если поменять местами выводы обмотки III, то конденсатор
СЗ будет подзаряжаться во время прямого хода. При этом резко возрастет
нагрузка на транзистор VT1 во время прямого хода (возможно превышение
температуры и выход из строя из-за слишком большого тока), а во время
обратного хода ЭДС самоиндукции окажется нерастраченной и выделится
на коллекторном переходе транзистора— опять же возможен выход из
строя от перенапряжения. Очень важно соблюдать фазировку обмоток.
Выходное напряжение устройства зависит от количества витков в об
мотках II и III и от напряжения стабилизации стабилитрона VD3. При оди
наковом количестве витков в обмотках II и III, выходное напряжение равно
напряжению стабилизации стабилитрона. Во время обратного хода конден
сатор С2 подзаряжается через диод VD2; как только он зарядится до при
мерно - 5 В, стабилитрон начнет пропускать ток, отрицательное напряжение
на базе транзистора VT1 несколько уменьшит амплитуду импульсов на кол
лекторе, и выходное напряжение стабилизируется на некотором уровне.
Точность стабилизации выходного напряжения зависит от нестабильности
входного напряжения сети, тока нагрузки и качества стабилитрона VD3, со
ставляет 15 ... 25 %, что приемлемо для зарядки аккумулятора.
§ 8.4. Сетевой адаптер на микросхеме LNK362P
Каждая микросхема из семейства LinkSwitch-LP фирмы Power

Integrations представляет собой инвертор, содержащий высоковольтный
(~700 В) MOSFET, низковольтный CMOS-контроллер и несколько схем
защиты (от перегрузки по выходу, перегрева, превышения допустимого
уровня входного напряжения). Эта ИС спроектирована для замены мало
мощных дискретных импульсных и линейных источников питания.
Релейный метод управления (вкл/выкл) даст преимущества высокого КПД
при максимальной нагрузке.
В отличие от большинства импульсных источников питания на дис
кретных элементах, LinkSwitch-XT имеет встроенную интеллектуальную
тепловую защиту. Защита имеет строгий допуск 5 % на уровне 142 °C, ши
рокий гистерезис в 75 °C и автоматический рестарт, который запустит ис
точник, как только температура достаточно опустится. Это защищает ис
точник питания, нагрузку, пользователя, и при этом температура печатных
проводников никогда не достигнет опасных значений выше 100 °C.
Корпус микросхемы имеет очень большое защитное расстояние
между высоковольтным выводом DRAIN и выводами с низким напряже
нием. Это очень важно для надежной работы источников питания в пыль
ных помещениях и в помещениях с повышенной влажностью. Большое
защитное расстояние существенно уменьшает вероятность искры, что,
в свою очередь, повышает надежность и время работы.
Еще одной важной защитой является авторестарт, обеспечивающий
защиту источника питания от короткого замыкания в нагрузке и от разры
ва цепи обратной связи. Авторестарт начинает работать, если в течение
40 мс нет реакции обратной связи (например, при КЗ в нагрузке или обры
ве цепи обратной связи). Авторестарт ограничивает уровень выходного то
ка на уровне 5 % от максимального. Как только неисправность устранена,
микросхема возвращается в нормальный режим работы.
Потребление на холостом ходу микросхемы составляет 110 мВт при
входном напряжении 265 В (наихудший случай) — это полностью удовле
творяет европейским стандартам (300 мВт).
Входное напряжение может изменяться от 85 до 265 В с частотой
50/60 Гц. Напряжение на выходе УВЬ1Х = 6,2 В при выходном токе до
300 мА. Выходная мощность на уровне 2 Вт. Пульсации выходного напря
жения — менее 60 мВ. КПД при полной нагрузке — около 55 %.
Малое количество элементов и высокая частота коммутации
(от 66 до 200 кГц) позволяют расположить всю конструкцию сетевого ис
точника питания на односторонней печатной плате размером со спичечный
коробок.
На рис. 8.5 представлена схема импульсного источника питания
мощностью до 9 Вт, реализованного на микросхеме LNK362P семейства
LinkSwitch-XT (Power Integration Ltd.), представляющая ИС преобразова
тель AC/DC 2.6W 85-265 VAC 2.8W 230 VAC.
На рис. 8.5 приведена принципиальная схема маломощного однока
нального импульсного источника питания с гальванической развязкой, ко
торый имеет минимальное количество элементов. Используется для пита
ния видеокамер наблюдения, индустриальных контроллеров и модемов.
Схема содержит: входной высоковольтный выпрямитель (VD1... VD4),

выполненный на четырех стандартных диодах 1N4005; НЧ-фильтр
(L1,L2, Cl, С2, R1); инвертор U1, выполненный на LNK362P с частотой ком
мутации 132 кГц; импульсный трансформатор Т1; выходной выпрямитель
(VD6— диод 1N4934) и цепь обратной связи с оптронной развязкой
(7£>7,£>А1,Я2,/?3).
Топология этой схемы — обратноходовая. Выходное напряжение
снимается и сравнивается с опорным (VD7) на вторичной части схемы. Ре
зультат сравнения подается через оптопару РС817А на DAI (LNK362P) как
сигнал обратной связи. Это позволяет DA1 регулировать выходное напря
жение в широком диапазоне выходных нагрузок. Если потребляемый ток
нагрузки превысит максимально допустимый микросхемой, микросхема
войдет в режим авторестарта и выходной ток будет ограничен на уровне
5 % от максимального. Схема также использует технологию Claimless,
которая позволяет исключить цепь гашения выброса (возникающего из-за
индукции рассеяния трансформатора в момент отключения силового клю
ча) за счет емкости первичной обмотки трансформатора.
Диоды VD1 ... VD4 выпрямляют переменный ток. Полученный по
стоянный ток запасается в конденсаторах (71 и С2. Индуктивность 1Л
и конденсаторы (71 и (72 формируют П-образный фильтр, подавляющий
дифференциальную помеху. Резистор R1 подавляет «звон» фильтра.
Выпрямленное и фильтрованное напряжение приложено к одному
концу обмотки трансформатора, ко второму концу подключен сток микро
схемы DA1. Как только напряжение сток — исток превышает 50 В, внут
ренний источник тока начинает заряжать конденсатор (73, соединенный
с выводом Bypass Pin (ВР). Как только напряжение на (73 достигает 5,8 В,
контроллер открывает MOSFET. Ток через транзистор снимается с внут
реннего сопротивления транзистора сток — исток Rds во включенном со
стоянии. В тот момент, когда ток достигает установленного предела огра
ничения тока 1цтц, контроллер запирает транзистор. Кроме этого микро
схема отслеживает длительность рабочего цикла и при достижении макси
мального значения отключает транзистор, даже если ток нс достиг макси
мального уровня. Контроллер регулирует выходное напряжение путем
пропуска рабочих циклов (управление вкл/выкл), если напряжение выше
требуемого уровня. В нормальном режиме работы MOSFET выключается
каждый раз, когда ток обратной связи (feedback pin) достигает значения
49 мкА. Если ток обратной связи меньше 49 мкА и поступает сигнал
с внутреннего тактового (clock) генератора, транзистор открывается на
этот рабочий цикл. Рабочий цикл завершается при достижении током
Ilimit- При полной нагрузке несколько рабочих циклов могут быть пропу
щены из-за очень высокой рабочей частоты. При снижении нагрузки уве
личивается количество пропущенных рабочих циклов, что снижает эффек
тивную рабочую частоту.
Выходное напряжение источника питания определяется суммой
VD7, R2 и напряжения на светодиоде оптопары DA2. Когда источник
питания включается, DA2 регулирует проводимость фототранзистора, ко
торый обеспечивает ток более 49 мкА на вывод обратной связи микросхе
мы, что вызывает пропуск следующего рабочего цикла. Резистор R2 огра
ничивает ток через VD7 на уровне 1 мА. Резистор R3 может быть исполь
зован для более точной подстройки выходного напряжения, а также для
ограничения тока через DA2 во время переходных процессов. Так как кон
троллер микросхемы отрабатывает каждый рабочий цикл (то есть реше
ние о том, будет рабочий цикл или нет, принимается непосредственно пе
ред каждым из них), следовательно, обратная связь не требует частотной
компенсации.
В этой схеме использован специализированный трансформатор фир
мы Power Integrations. Индуктивность первичной обмотки — 2,64 мГн (ча
стота 100 кГц). Индуктивность рассеивания первичной обмотки —
70 мкГн, резонансная частота — 275 ... 500 кГц.
§ 8.5. Бестрансформаторные AC/DC Rohm
Японская фирма ROHM Со. Ltd. производит линейку бестрансфор-

маторных AC/DC-преобразователей для промышленного применения,
осветительной аппаратуры, домашней электроники в виде интегрального
модуля в ультраминиатюрном корпусе для монтажа на печатную плату.
Перечень выпускаемых компанией серий преобразователей напряжения
велик. Есть микросборки, рассчитанные на разное входное/выходное
напряжение и максимальный ток нагрузки; с гальванической развяз
кой и без нее; требующие или нет внешнею катушку индуктивности или
трансформатор.
AC/DC-преобразователи Rohm предназначены в первую очередь для
использования в бытовой технике для питания микропроцессоров, управ
ляющих конечными устройствами (двигателями, лампами, нагревателями
и т. п.). Как правило, микропроцессору для работы требуется стабильное
напряжение 5 В, причем ток потребления процессора редко превышает не
сколько десятков миллиампер. В таких случаях предусматривать в схеме
дополнительный трансформаторный источник питания экономически не
целесообразно, да и увеличение массогабаритных показателей готового
устройства крайне нежелательно.
Для примера можно рассмотреть принцип работы лишь одной серии
микросборок производителя ROHM, а именно ВР5041.
В корпус микросборки встроены задающий генератор, миниатюрная
катушка индуктивности, а также имеются цепи слежения за уровнем вы
ходного напряжения. Проще говоря, часто достаточно подать на вход ми
ниатюрной микросборки выпрямленное сетевое напряжение (для чего
достаточно одного диода и высоковольтного электролитического конден
сатора), чтобы получить на выходе микросборки постоянное стабилизи
рованное напряжение нужного уровня. Никакого трансформатора не тре
буется. Поскольку прибор не имеет гальванической развязки, при его экс
плуатации необходимо соблюдать общеизвестные правила техники без
опасности.
Внешний выпрямительный диод преобразует переменное напряжение
в постоянное. Сглаживающий конденсатор С1 может иметь емкость от 3,3
до 22 мкФ и должен быть рассчитан на напряжение не менее 400 В. Выход
ной сглаживающий конденсатор С2 должен иметь емкость 100...470 мкФ
и минимальное эквивалентное последовательное сопротивление (ESR).
а) б)
Рис. 8.6. AC/DC-преобразователи серии ВР:
а — корпус микросборки; б — схема включения
Параметры AC/DC-прсобразоватсля:
• выходное напряжение: +5 В, +12 В, -5 В, -12 В или сдвоенный
выход с напряжениями +5, +12 В;
• выходные токи 150 ...300 мА;
• размах пульсаций — 0,05 ... 0,15 В;
• входное напряжение (/вх может быть как постоянным, так и пере
менным в широком диапазоне:
о постоянное напряжение UBX = 226 ...390 В;
о переменное напряжение 50/60 Гц = 160 ... 250 В;
• нестабильность выходного напряжения — 0,05 ... 0„15 В при изме
нении питающего напряжения в пределах 226 ... 390 В или нагруз
ки в диапазоне 0 ... 50 %;
• КПД —50%;
• мощность 0,5 Вт.
На рис. 8.7 показана структурная схема микросборки ВР5041ххх.
В зависимости от цифр после названия серил меняется напряжение
стабилизации: оно может быть положительным (+5, +12, +15 В с то
ком 80 ... 300 мА), отрицательным (-5, -12 В с током 200 ... 250 мА), либо
иметь сдвоенный выход (+5, +12 В с током до 350 мА). Принцип же рабо
ты микросборок одинаков.
Рис. 8.7. Структурная схема микросборки ВР5041ххх

Постоянное (выпрямленное внешним диодом) высоковольтное
напряжение поступает на вход микросборки (Input Pin).
Drive circuit — задающий генератор — формирует импульсы частотой
несколько десятков килогерц (частота импульсов может регулироваться). Эти
импульсы поступают на управляемый ключ (Switching circuit), который с этой
же частотой включает/отключает входное высокое напряжение от нагрузки.
Миниатюрная катушка индуктивности встроена в корпус микросборки.
Ток потребления контролируется встроенным блоком «токовый де
тектор» (current detection circuit).
Выходное напряжение снимается с вывода «Вых.» (output pin). Оно
же постоянно контролируется встроенным блоком «детектор напряжения»
(voltage detection circuit). Выходы блоков контроля напряжения и тока под
ключены к управляющему входу задающего генератора. В зависимости от
изменения выходного напряжения и потребляемого тока изменяется и ча
стота следования задающих импульсов — таким образом, осуществляется
стабилизация выходного напряжения.
1. Как реализуется централизованный принцип электропитания РЭС?

2. Как реализуется децентрализованный принцип электропитания РЭС?
3. Почему в современных источниках вторичного электропитания отсут
ствует на входе трансформатор, называемый сетевым?
4. Как в современных источниках вторичного электропитания выполняет
ся гальваническая развязка входа и выхода?
5. Какие выпрямительные устройства реализованы в электрической схеме
современного источника вторичного электропитания, показанной на
рис. 8.1?
6. Что означает термин «инвертор с насыщающимся трансформатором»?
7. Какую роль выполняет резистор /?1?
8. Зачем выполнено шунтирование гринистором VS1 резистора /? 1?
9. Когда откроется тринистор VS1?
10. В каком режиме работают силовые транзисторы VT1 и ИТ2?
11. По какой схеме построен инвертор?
12. Почему характер включения (согласное включение) обмоток трансфор
матора указан только для обмоток, входящих в состав генератора Ройера?
13. Почему линейный стабилизатор напряжения DA2 используется с «под
порой»?
14. Имеется ли в рассматриваемой схеме ИВЭ параметрический стабилиза
тор напряжения?
15. В чем состоит принцип работы импульсного стабилизатора напряжения?
16. В чем состоит принцип работы линейного стабилизатора напряжения?
17. Какую роль в рассматриваемой схеме ИВЭ выполняет линейный ста
билизатор напряжения?
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Известно, что в настоящее время почти 5 % электрической энергии,

генерируемой в мире, потребляется компьютерными системами, область
применения которых лавинообразно расширяется. Этот факт, как и многие
другие факты, предопределяет жизненно важную необходимость непре
рывного совершенствования источников вторичного электропитания РЭС.
Улучшение тактико-технических параметров ИВЭ достигается бла
годаря использованию современной компонентной базы, применению эф
фективных схемотехнических методов проектирования и моделирования,
численному решению уравнений, описывающих процессы в ИВЭ в реаль
ном масштабе времени на всех этапах их жизненного цикла.
Современные источники вторичного электропитания представляют
собой сложные устройства — как со схемотехнической, так и с физической
точки зрения.
Характерной чертой ИВЭ является высокая плотность монтажа их
печатных плат при предельно допустимых электрических, тепловых и ме
ханических условиях эксплуатации. Поэтому к технологии изготовления
и обеспечения высокой надежности ИВЭ на всех этапах их жизненного
цикла предъявляются жесткие производственные требования.
Все это иллюстрирует необходимость рассмотрения в составе учеб
ной дисциплины «Источники вторичного электропитания» и близких к ней
дисциплин широкого круга разнородных и часто не связанных друг с дру
гом вопросов. Более того, устройства и системы электропитания являются
удобным объектом с методической точки зрения для изучения аналоговой
схемотехники.
Надо особо отметить и тот факт, что значимость названных дисци
плин существенно возросла в последние десять лет, которые характеризу
ются бурным развитием и внедрением цифровой техники и, естественно,
цифровых методов обработки радиосигналов.
По этой причине в настоящее время сложилась парадоксальная ситу
ация, при которой даже высококвалифицированные разработчики радио
технической аппаратуры оказались весьма далекими от аналоговой схемо
техники. А ведь именно аналоговый сигнал является первичным носителем
информации.
Все это показывает, что проблема построения оптимальных источни
ков вторичного электропитания актуальна и, несомненно, имеет важное
практическое значение. А сами источники вторичного электропитания по-
прежнему в значительной степени определяют как облик, так и тактико
технические характеристики радиотехнических систем и комплексов.
ЛИТЕРАТУРА
1. Алехин В. А. Электроника: теория и практика. 14. Битюков В. К., Иванов А. А., Миронов А. В.,
Моделирование в среде T1NA-8. Учебное по Михневич Н. Г., Перфильев В. С., Пет
собие. — М.: Горячая линия Телеком, ров В. А. Стенд для исследования характе
2017, —307 с. ристик микросхем источников вторичного
2. Артамонов Б. И., Бокуняев А. А. Источники электропитания с накачкой заряда // Россий
электропитания радиоустройсгв. Учебное ский технологический журнал. — 2016. —
пособие. — М.: Эпсргоиздат. 1982. — 296 с. Т. 4. №3(12). —С. 37-52.
3. Бабенко В. П., Бипоков В. К. Методические 15. Битюков В. К., Иванов А. А., Михневич И. Г.,
особенное™ компьютерного моделирования Перфильев В. С., Петров В. А. Виртуальная
ШИМ-контроллеров // Учебный эксперимент в лицевая панель реального стенда для дистан
образовании. — 2015. — № 2 (74). — С. 60-74. ционного управления исследованием характе
4. Бабенко В. II., Битюков В. К., Кузне ристик стабилизированных источников вто
цов В. В., Симачков Д. С. Моделирование ста ричного электропитания // Электромагнитные
тических и динамических потерь в MOSFET- волны и электронные системы.— 2014.—
ключах // Российский технологический жур Т. 19. № 1, — С. 52-57.
нал,—2018,- Т. 6. №1(21). —С. 20-39. 16. Битюков В. К., Иванов А. А., Михне
5. Бабенко В. 11., Битюков В. К., Симачков Д. С. вич Н. Г., Петров В. А. Измерение коэффици
Схемотехническое моделирование DC/DC- ента подавления пульсаций линейными стаби
преобразователей // Информационно лизаторами напряжения // Измерительная тех
измерительные и управляющие системы. — ника. — 2016. — № 11. — С. 52-56.
2016, —Т. 14.№ 11, —С. 69-82. 17. Битюков В. К., Лухт М. А., Михневич II. Г.,
6. Бабенко В. П., Битюков В. К., Симачков Д. С. Петров В. А. Системная плата учебного лабо
Схемотехническое моделирование устройства раторного стенда с виртуальной передней па
контроля положения привода в пространстве // нелью для исследований характеристик ли
Электромагнитные волны и электронные си нейных стабилизаторов напряжения // Россий
стемы,—2016. -Т.21.№4, —С. 11-19. ский технологический журнал.— 2017.—
7. Белоус А. И., Емельянов В. А. Основы схемо Т. 5. №4 (18). —С. 22-31.
техники микроэлектронных устройств.— М.: 18. Бит юков В. К., Миронов А. В., Михневич Н. Г.,
Техносфера, 2012. — 472 с. Петров В. А. Экспериментальное исследова
8. Беркович Е. И., Ковалев В. Н., Ковалев Ф. И. ние стабилизированных источников вторично
и др. Полупроводниковые выпрямители / го электропитания // Учебный эксперимент
Под рсд. Ф. И. Ковалева и Г. II. Мостковой / 2- в образовании. — 2015.— №1(73).—
с изд., псрсраб. М.: Энергия, 1978. — 448 с. С.68-82.
9. Битюков В. К. Элсктропрсобразоватсльныс 19. Бипоков В. К., Петров В. А., Сотникова А. А.
устройства РЭС. Учебное пособие.— М.: Работа DC-DC-прсобразоватсля MCPI253
МИРЭА, 1999. — 124 с. с накачкой заряда в режиме понижения
10. Битюков В. К., Бокуняев А. А., Черни напряжения // Российский технологиче
говская Э. М. Электропреобразовательные ский журнал.— 2017. Т. 5. №4(18).—
устройства. Учебное пособие. — М.: МИРЭА, С. 13-21.
2000.- 155 с. 20. Битюков В. К., Симачков Д. С. Источники
11. Битюков В. К., Власюк IO. А., Нефедов В. И. вторичного электропитания. Учебник. —
Физические основы преобразовательной тех М.: Инфра-Инженерия, 2017. 326 с.
ники. Учебное пособие.— М.: МИРЭА, 21. Битюков В. К., Симачков Д. С. Методиче
2005,—148 с. ские особенности построения управляемых
12. Битюков В. К., Власюк Ю. А., Петров В. А., выпрямителей с вольтодобавкой // Учебный
Федоров Е. И. Лабораторный практикум по эксперимент в образовании.— 2014.—
дисциплине «Физические основы преобразо № 1 (69). — С. 64 79.
вательной техники».— М.: МИРЭА, 2003.— 22. Борисов Ю. И., Сигов А. С., Нефедов В. И.,
148 с. Битюков В. К. Метрология, стандартизация
13. Бипоков В. К., Иванов А. А., Миронов А. В., и сертификация. Учебное пособие. — М.:
Михневич II. Г., Перфильев В. С., Перов В. А. Форум, 2009. — 328 с.
Исследование характеристик микросхем ис 23. Все отечественные микросхемы: справочник
точников вторичного электропитания с накач / 2-е изд., переработанное и дополненное. —
кой заряда // Радиотехника. — 2017. —№ 2. — М.: Издательский дом «ДОДЭКА-ХХ1»,
С.126-134. 2004, —400 с.
ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ
24. Гейтенко Е. И. Источники вторичного элек 41. Остапснкова О. В. Расчет источников вторич
тропитания. Учебное пособие. — М.: ного питания электронных устройств. Учебное
СОЛОН-ПРЕСС, 2008. — 449 с. пособие. — М.: Форум, 2017. — 96 с.
25. Дьяконов В. П„ Максимчук А. А., Рем 42. Попков 0.3. Основы преобразовательной
нев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия техники. Учебное пособие. — М.: Издатель
устройств на полевых транзисторах.— М.: ский дом МЭИ, 2007. — 200 с.
СОЛОН-1IPECC, 2009. — 512 с. 43. Рама Редди С. Основы силовой электрони
26. Зиновьев Г. С. Силовая электроника. Учебное ки. — М.: Техносфера, 2006. — 288 с.
пособие. — М.: Юрайт, 2015. — 667 с. 44. Ридли П. Анализ преобразователя SEPIC //
27. Интегральные микросхемы. Микросхемы для Компоненты и технологии. — 2008. —
импульсных источников питания и их приме №5, —С. 124 126.
нение / 2-е изд. — М.: ДОДЭКА, 2000. — 608 с. 45. Ромаш Э. М. Источники вторичного элек
28. Интегральные микросхемы. Микросхемы тропитания радиоэлектронной аппарату
для линейных источников питания и их ры. — М.: Радио и связь, 1981. —224 с.
применение / 2-е изд., испр. и доп. — М.: 46. Семенов Б. Ю. Силовая электроника: от
ДОДЭКА, 1998, —400 с. простого к сложному. — М.: СОЛОП-Пресс,
29. Источники электропитания радиоэлектрон 2005.—416 с.
ной аппаратуры. Справочник / Г. С. Най- 47. Семенов Б. Ю. Силовая электроника: про
всльт, К. Б. Мазель, Ч. И. Хусаинов и др. / фессиональные решения. — М.: СОЛОН-
Под редакцией Г. С. Найвельта.— М.: ПРЕСС, 2011. —416с.
Радио и связь, 1986. — 576 с. 48. Семенов Б. Ю. Экономичное освещение для
30. Каганов В. И., Битюков В. К. Основы радио всех. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2010. — 224 с.
электроники и связи. Учебное пособие. — М.: 49. Сигов А. С., Нефедов В. И., Щука А. А.
Горячая линия — Телеком, 2006. — 542 с. Электроника. Учебное пособие. — М.: Аб
31. Калугин И. Г. Электропитание устройств и рис, 2011. —348 с.
систем телекоммуникаций: Учебное посо 50. Ситников А. В., Ситников И. А. Электротех
бие. — М.: Издательский центр «Академия». нические основы источников питания: Учеб
2011, — 192 с. ное пособие. М.: Курс, 2017. 240 с.
32. Мслсшин В. И. Транзисторная преобразова 51. Электропитание устройств и систем теле
тельная техника.— М.: Техносфера, 2005.— коммуникаций. Учебное пособие /
632 с. В. М. Бушуев, В. М. Деминский, Л. Ф. За
33. Миловзоров О. В., Панков И. Г. Электрони харов и др. — М.: Горячая линия —Телеком,
ка. Учебное пособие для бакалавров. — М.: 2011. —384 с.
Юрайт, 2015, —288 с. 52. Электропитание устройств связи. Учебное
34. Москатов Е. А. Источники питания. — пособие / А. А. Бокуняев, В. М. Бушуев,
СПб.: КОРОПА-ВЕК, 2011,- 208 с. А. С. Жерненко и др. / Под ред. Ю. Д. Козляе-
35. Москатов Е. А. Силовая электроника. Тео ва. — М.: Радио и связь, 1998. — 328 с.
рия и конструирование. — СПб.: КОРОНА- 53. Яблоков Д. Современные микропотребляю-
ВЕК, 2013, —256 с. щис DC/DC-преобразователи с накачкой за
36. Мукосеев В. В., Сидоров И. Н. Маркировка и ряда для приборов с батарейным питанием //
обозначение радиоэлементов: справочник. — Компоненты и технологии. — 2005. — № 2.
М.: Горячая линия — Телеком, 2001. — 348 с. 54. Billings К., Morey Т. Switchmode Power Sup
37. Муромцев Д. Ю., Тюрин И. В., Белоусов ply Handbook/ 3-rd Edition.— New York:
О. А. Конструирование узлов и устройств McGraw-Hill, 2011.
электронных средств: Учебное пособие. — 55. Bityukov V. K., Petrov V. A. Optical Quartz
Ростов н/Д: Феникс, 2013. — 540 с. Glass as a Reference Substance for the Ther
38. Нефедов А. В. Взаимозаменяемые интеграль mal Conductivity Coefficient of Partially
ные схемы. Справочник. — М.: РадиоСофг, Transparent Materials // High Tempera
2012, —352 с. ture. — 2000. — T. 38. № 2. — P. 293-299.
39. Нефедов В. И., Сигов А. С. Основы радио 56. Maniktala S. Switching Power Supplies A to
электроники и связи. Учебное пособие. — Z. — Amsterdam: Elsevier, 2006. — 503 pp.
М.: Высшая школа, 2009. — 735 с. 57. Pressman A. I., Billings K., Morey T. Switch
40. Нефедов В. И., Сигов А. С. Радиотехниче ing Power Supply Design / 3-rd Edition. —
ские цепи и сигналы. Учебное пособие. — New York: McGraw-Hill, 2009. 841 pp.
М.: Юрайт, 2017. —266 с.
Учебное издание
БИТЮКОВ Владимир Ксенофонтович

СИМАЧКОВ Денис Сергеевич
БАБЕНКО Валерий Павлович
ИСТОЧНИКИ
Учебник
4-е издание
Подписано в печать 25.11.2019

Формат 60x84/16. Бумага офсетная.
Гарнитура «Таймс».
Издательство «Инфра-Инженерия»
160011, г. Вологда, ул. Козленская, д. 63
Тел.: 8 (800) 250-66-01
E-mail: booking@infra-e.ru
https://infra-e.ru
Издательство приглашает
к сотрудничеству авторов
научно-технической литературы

Источники вторичного электропитания

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Источники вторичного электропитания

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

В. К. Битюков, Д. С.

Рассмотрены базовые вопросы физики и схемотехники современных ис­

ISBN 978-5-9729-0471-6 © В. К. Битюков, Д. С. Симачков, В. П. Бабенко, 2020

3.2.2.2. Работа неуправляемого выпрямительного устройства

Неотъемлемой частью современных наукоемких радиоэлектронных

§1.1. Классификация источников вторичного электропитания

§ 1.2. Структурная схема современного источника вторичного

Рис. /./. Структурная схема современного источника вторичного электропитания,

Функцию регулятора выходного напряжения ИВЭ выполняет ин­

Рис. 1.3. Структурная схема современного источника вторичного электропитания,

При этом к печатным платам иди функционально законченным

Стабилизаторы напряжения реализуются на интегральных микро­

§ 1.3. Условные обозначения отечественных полупроводниковых

§ 1.4. Трансформаторы и дроссели

Рис. 1.5. Принципиальная электрическая схема двухобмоточного трансформатора

Сетевые трансформаторы всех типов, как правило, имеют две пер­

В табл. 1.2 приведены напряжения на отводах первичной обмотки

Основные электрические параметры малогабаритных трансформа­

В табл. 1.4 показана зависимость КПД у трансформаторов от их

>1 0,70 0,75 0,80 0,85 0,90 0,90...0,95 0,95...0,98

Важным параметром трансформатора является коэффициент транс­

Наиболее простым и дешевым способом изготовления сердечника

Рис. 1.9. Ленточные магнитопроводы трансформаторов:

Пермаллои, используемые для изготовления сердечников транс­

В некоторых случаях, когда требуется дополнительная фильтрация

1. В чем отличие вторичных источников электропитания от первичных?

Для ИВЭ, содержащих стабилизатор напряжения и обеспечиваю­

§ 2.1. Нагрузочная характеристика и динамическое сопротивление

= I ”ых I при UBX = const, (2.3)

где Д/н - изменение тока нагрузки,

В соответствии с формулой (2.2) можно дать геометрическую ин­

Рис. 2.2. Иллюстрация зависимости динамического сопротивления ИВЭ

Рис. 2.3. Иллюстрация выбора ИВЭ.

§ 2.2. Передаточная характеристика и коэффициент стабилизации

Передаточная характеристика (рис. 2.4) ИВЭ представляет зависи­

Увых = Мы) ПРИ zh = const. (2.4)

Д^ВХ Д^ВЫХ _ Д^вх ^вых

Численное значение Ки ИВЭ определяют по его передаточной ха­

Естественно, что чем больше величина Ки, тем выше качество

С учетом формул (2.7) и (2.8) выражение (2.6) для определения ко­

§ 2.3. Коэффициенты стабилизации стабилизаторов тока источников

При стабилизации тока /н, протекающего через нагрузку ИВЭ, де­

Коэффициент стабилизации тока нагрузки /н по входному напряже­

Физический смысл коэффициента стабилизации тока нагрузки

дивх д/н _дпвх /н (2.12)

источника вторичного электропитания

На передаточной характеристике по току ИВЭ выбирают участок

Величину KR определяют по зависимости /н = /(/<„), показанной

Рис. 2.6. Иллюстрация методики определения коэффициента стабилизации тока

На передаточной характеристике по току ИВЭ выбирают участок

Часто для регулирования выходного напряжения в источниках вто­

Рис. 2.7. Регулировочная характеристика управляемого выпрямителя

По регулировочной характеристике управляемого выпрямителя су­

§ 2.5. Энергетические и эксплуатационные параметры

Величина пульсаций выходного напряжения ИВЭ определяет его

где УВыхт1 — амплитуда первой гармоники выходного напряжения.

Во-вторых, коэффициентом мощности cos ср, равным отношению ак­

cos <р =, (2.18)

где Рвх = UBX ■ /вх — входная активная мощность,

и измеряемая в Вт/кг, где Иивэ и бивэ — объем и масса источника вто­

г] =^.100 0/о = ^вых ------100%. (2.21)

Коэффициент полезного действия источника вторичного электро­

§ 2.6. Применение метода наименьших квадратов для обработки

При экспериментальном исследовании характеристик ИВЭ, напри­

Рассмотрены базовые вопросы физики и схемотехники современных ис

Функцию регулятора выходного напряжения ИВЭ выполняет ин

Стабилизаторы напряжения реализуются на интегральных микро

Сетевые трансформаторы всех типов, как правило, имеют две пер

Основные электрические параметры малогабаритных трансформа

Важным параметром трансформатора является коэффициент транс

Пермаллои, используемые для изготовления сердечников транс

Для ИВЭ, содержащих стабилизатор напряжения и обеспечиваю

В соответствии с формулой (2.2) можно дать геометрическую ин

Передаточная характеристика (рис. 2.4) ИВЭ представляет зависи

Численное значение Ки ИВЭ определяют по его передаточной ха

С учетом формул (2.7) и (2.8) выражение (2.6) для определения ко

При стабилизации тока /н, протекающего через нагрузку ИВЭ, де

Коэффициент стабилизации тока нагрузки /н по входному напряже

Часто для регулирования выходного напряжения в источниках вто

По регулировочной характеристике управляемого выпрямителя су

Во-вторых, коэффициентом мощности cos ср, равным отношению ак

и измеряемая в Вт/кг, где Иивэ и бивэ — объем и масса источника вто

Коэффициент полезного действия источника вторичного электро

При экспериментальном исследовании характеристик ИВЭ, напри

Выражение (2.23) представляет собой искомое уравнение аппрок

Выполнив дифференцирование полученного уравнения, можно за

На основании визуального анализа расположения эксперименталь

которая показана на рис. 2.9. В уравнении (2.32) УВЬ|Х измеряется в воль

При использовании формулы (2.2) необходимо иметь аналитиче

Расчеты показали, что Д/н = 128 мА и Д1/ВЬ1Х = 1,02 В. Следова

До семидесятых годов XX века ИВЭ представляли собой достаточ

Схема ИВЭ, приведенная на рис. 2.11, включает в себя последова

Современный человек в числе прочих умений должен обладать мет

Выполняя такую процедуру, следует помнить о некоторых реко

Формулы (2.37) и (2.38) показывают, что наименьшая относитель

Числовое значение величины и абсолютную погрешность сс опре