Устройство На Эффекте Холла

ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Этот сайт использует файлы cookie Google. Это необходимо для его нормальной работы и анализа
трафика. Информация о предполагаемом IP-адресе и агенте пользователя, а также показатели
ПОДРОБНЕЕ ОК
производительности и безопасности передаются в Google. Это помогает получать качественные
услуги, накапливать статистику использования, а также выявлять и устранять нарушения.
Устройство на эффекте Холла

ht t ps://overunit y-elect ricit y.blogspot .com/2022/04/hall-effect -device.ht ml?m=0
Устройство, собирающее энергию из эфира - Лучистая энергия

Никола Тесла первым разработал устройство, способное собирать энергию эфира — лучистую энергию. Он назвал ее Башней
Уорденклиф. После смерти Теслы доктор Т. Х. Морей продолжил разработку этой технологии и в конце концов придумал версию,
которая работала в резонансной форме. Устройство Морей могло производить 50 000 Вт выходной мощности и проработало более 25
лет без какого-либо обслуживания или ремонта.
Практическое руководство — всего в одной коробке — способ инженера Морей
✰* Наконец-т о раскрыт о : древнее изобретение генерирует энергию по требованию

В конструкцию входят:
Использование электричества от Земли : ни резонанс Шумана, ни электромагнетизм. Энергия эфира , в котором плавает
Земля
Извлекается из обычного электричества методом, называемым «фракционированием».
Обратная катушка Тесла — механизм « спина к спине »
Комбинация лучист ой э нергии и отрицательного сопротивления для усиления электричества
И многие другие планы Free Energy.
ГЕНЕРАТОР МУРЕИ
Работу Николы Теслы по развитию свободной энергии из эфирной технологии продолжил Морей, разработавший устройство, которое
собирало энергию из эфира в резонансной форме. Это устройство предлагало другую версию бесплатной энергии, не зависящую от
батарей.
Устройство Морей представляет собой генератор, который использует заземленную электронную схему для извлечения бесконечной
энергии с поверхности земли. Устройство работает, вытягивая энергию из эфира — космического моря энергии, которое пронизывает
все пространство. Этот бесконечный источник энергии можно использовать для питания наших домов и транспортных средств, а
также для устранения нашей зависимости от ископаемого топлива.
В статье приведены рекомендации по практике использования электронных схем для резонирования и создания свободной энергии:
лучистая энергия с бифилярной катушкой - импульсная технология.
«Бескамерный приемник, заявленный профессором, с использованием висмута и мед и» Роберта Бэнгса

Radio World (29 января 1927 г.), с. 11
Недавно в Университете Мерсера (Мейкон, Джорджия) было объявлено, что West inghouse Elect ric & Manufact uring Co. предложила
доктору Палмеру Х. Крейгу, главе физического факультета университета, 100 000 долларов за новое устройство, которое должно
заменить электронные лампы. в качестве усилителей и детекторов.
Устройство называется «электромагнитный детектор и усилитель» и состоит из ряда висмутовых пластин, сложенных стопкой и
переплетенных медными проводами. Висмутовые пластины защищены слоем серы, потому что висмут, очень хрупкое вещество,
может рассыпаться.
Долго искали
Различные
трафика.исследователи
Информация опредприняли множество
предполагаемом попыток
IP-адресе таким
и агенте образом использовать
пользователя, это свойство висмута и аналогичные
а также показатели
свойства родственных металлов,
производительности но до сих
и безопасности пор не было
передаются заявлено
в Google. Этооб успехе, пока
помогает не появился
получать д-р Крейг. Наиболее распространенная
качественные
попытка применения
услуги, - выпрямление
накапливать переменного тока
статистику использования, для подачи
а также напряжения
выявлять накала
и устранять и пластины. Недостаток эффективности и
нарушения.
надежности были основными причинами неудач. Еще одним ограничением является поставка подходящих металлов в коммерческих
количествах.
Одним из металлов, обладающих подобными свойствами, является молибден. Это было использовано учеными Бюро стандартов для
преобразования световой энергии солнца в электричество.
От Земли к Солнцу!
Был достигнут определенный успех, и кажется возможным, что вскоре таким образом можно будет получать энергию
непосредственно от солнца. Здесь также недостаточная эффективность и достаточное снабжение металлом являются
ограничениями. Молибдена много в разных частях света, но не весь молибден пригоден для этой цели. По-видимому, в металле есть
активный компонент, ответственный за это особое свойство, и теперь цель ученых состоит в том, чтобы выделить это вещество.
Что касается предложения доктору Крейгу, д-р Альфред Н. Голдсмит из Радиокорпорации Америки отрицал, что такое предложение
было сделано для устройства доктора Крейга. Доктор Голдсмит, главный радиоинженер корпорации, осуждает идею о том, что особое
свойство висмута может быть использовано для целей, заявленных доктором Крейгом.
Ему еще нет т ридцат и
Доктор Крейг подчеркивает, что устройство заменит батареи и электронные лампы в радиоприемниках.
Доктор Крейг, которому еще нет и 30, разработал изобретение, на которое он сразу же подал заявку на патент для своей диссертации
в Университете Цинциннати, где в июне прошлого года он получил степень доктора философии.
Когда доктора Крейга попросили продемонстрировать изобретение, он вытащил небольшой блок вещества, напоминающего серу. Он
был толщиной в дюйм, длиной около 3 дюймов и шириной 2 дюйма. Сверху торчали крошечные провода. Он был закрыт, кроме
верхней части.
Он назвал устройство «применением висмутовых пластин в качестве детекторов и усилителей», которое можно было использовать
вместо нынешних батарей и электронных ламп в радио.
Чт о он узнал
В своем исследовании для получения степени доктора философии в Университете Цинциннати доктор Крейг обнаружил, что
висмутовые пластины могут быть использованы таким образом, и фактическое изобретение частично описано в его докторской
диссертации.
Изобретатель сегодня говорил об устройстве как о «ряде примерно из 10 тонких висмутовых пластин, уложенных одна на другую, с
проводами, проложенными между ними и, наконец, выходящими на настоящий радиоприемник».
Из-за хрупкости висмутовых пластин доктор Крейг защитил их покрытием из серы. По словам изобретателя, висмутовые пластины
будут генерировать энергию, необходимую для работы радио, и служить детектором и усилителем.
Описывает процесс
Процесс описан в диссертации ученого следующим образом:
«В настоящее время автор использует этот аддитивный принцип в приложении эффекта Холла к выпрямлению переменного тока
методом, подобным описанному Дескудресом.
«Аддитивный принцип, используемый в этой связи, создает потенциал Холла в несколько вольт в слабых полях с тонкими пленками
висмута и, таким образом, придает эффекту Холла практическое значение в качестве выпрямителя, особенно в радио и подобных
приложениях».
Physical Review 27: 772-778 (июнь 1926 г.)
Эффект Холла в висмуте в слабых магнит ных полях
Палмер К. Крейг
Абст ракт ный --- Эффект Холла в висмуте для напряженности магнитного поля от 0,07 до 1,00 Гс был точно определен
усовершенствованными методами. Производство висмутовых пленок. Были опробованы и сравнены различные методы получения
чрезмерно тонких однородных пленок висмута, такие как литье, гальваническое покрытие, испарение, напыление и металлическое
напыление, из которых последние три метода оказались особенно успешными. Измерение очень низких напряжений. Благодаря
усовершенствованиям, внесенным в потенциометр и измерительные схемы, показания с точностью до одной десятой микровольта
были точными и воспроизводимыми. Величина эффекта Холла в малых полях. Значение коэффициента Холла R аномально велико
между 0,07 и 0,30 Гс, имея значение -171 при 0,07 Гс по сравнению со значением -11, которое R имел для этой пленки при 15 Гс.
Этот сайт
Значение использует
при 4220 Гс былофайлы cookie Google.
-29, Строится Это
кривая, необходимо для
показывающая его нормальной
быстрое уменьшение работы и анализа
значения -R между 0,07 и 0,30 Гс, и проводится
сравнение с более высокими значениями напряженности поля. Отмечено, что, помещая потенциал Холла одной пленки ПОДРОБНЕЕ ОК
производительности
последовательно с однойиили
безопасности
несколькимипередаются в Google. мы
другими пленками, Этополучаем
помогаетсравнительно
получать качественные
высокие значения ЭДС Холла, которые
услуги,
можно накапливать
с большим статистику
успехом применятьиспользования, а также выявлять
в качестве выпрямителя и устранять
переменного токанарушения.
в радио и подобных приложениях.
Введение
Со времени открытия эффекта Холла в 1875 г. было сделано многое для объяснения этого явления как экспериментально, так и
теоретически. Но, за исключением Риги [1], использовавшего поля, сравнимые с земными, и некоторых других, почти все
исследователи использовали сильные поля. Важно точно знать влияние слабых полей, сопоставлять его с известными фактами и
определять, существуют ли какие-либо аномальные связи. Так как влияние магнитного поля во всех случаях мало, то при слабых полях
необходима большая доработка потенциометра и измерительных цепей, а изготовление полосок висмута представляет большие
трудности и требует специальных методов.
Подгот овка. Эксперимент альные схемы
Поскольку эффект Холла увеличивается с увеличением толщины металлических полос, первым требованием было приготовление
чрезвычайно тонких металлических пленок. Были выбраны висмут и теллур, которые имеют самый высокий коэффициент Холла
среди обычных металлов, и были опробованы шесть различных методов, чтобы найти лучший и самый быстрый способ изготовления
пленок, которые были бы чрезвычайно тонкими и в то же время электрически непрерывными. Этими процессами были литье,
погружение, напыление, гальваническое покрытие и напыление.
Тонкие пленки висмута не могут быть получены литьем, если на поверхность металла не оказывается давление при его охлаждении, и
тогда необходимо предусмотреть боковое расширение при затвердевании.
Однако удивительно тонкие и однородные пленки были получены путем погружения листов слюды в расплавленный висмут и
использования металлической пленки, которая прилипла к слюде. Если поверхность слюды слегка придать шероховатость плавиковой
кислотой и осторожно извлечь слюду из расплавленного металла, то этим очень простым и быстрым методом можно получить очень
тонкую и однородную пленку.
Автор проделал большую работу по получению очень тонких пластин висмута и теллура методом распыления расплавленного металла.
Отличные результаты были получены как при распылении металлической пыли сжатым воздухом «Schoop», так и при распылении
металлической пыли «Gravit as». Сотрудничество в этой части работы любезно оказала компания Met als Coat ing Company of Philadelphia.
Оба этих процесса распыления включают распыление металлов в расплавленном состоянии с помощью пистолета со сжатым
воздухом. В случае висмута было сочтено целесообразным использовать сжатый азот вместо воздуха, чтобы предотвратить
окисление напыленного слоя. При нанесении на слюду, стекло и бакелит были получены превосходные пленки как висмута, так и
теллура.
Попытки получить однородные пленки гальванопокрытием не дали результатов, даже если очень внимательно относились к
температуре, скорости вращения катода и концентрации раствора.
Испарение расплавленного висмута в частичном вакууме дало очень хорошие результаты. Висмут помещали в вакуумированный
колпак и расплавляли электронагревателем. Стеклянная пластинка, подвешенная над устройством, собирала испарившийся висмут в
виде превосходных пленок.
Катодное распыление, несомненно, дает самые тонкие пленки из всех методов. При разумной осторожности этим методом можно
легко изготовить пленки висмута настолько тонкие, что они будут вполне прозрачными. Напыление осуществлялось путем подачи
вторичного тока трансформатора на 20 000 вольт на анодный и катодный электроды, помещенные внутри колпака, откачанного до 30
микрон. Выпрямление вторичного тока кенетроном ускорило действие. Диск из висмута диаметром 3,5 дюйма использовался в
качестве катода, а стеклянная пластина, на которую должна была напыляться пленка, помещалась сразу за темным пространством
Крукса длиной около 2 см. При силе тока 5 мА превосходные пленки на стекле получались примерно за 20 минут.
Расположение аппарат а
Очень слабые магнитные пленки, используемые в этой работе, были получены из соленоида с воздушным сердечником. Когда через
такую катушку пропускают заданный ток, поле в центре легко вычисляется. Это расчетное значение было проверено калиброванным
баллистическим гальванометром в сочетании с флип-катушкой. Фактическая используемая катушка состояла из 100 витков провода,
намотанных на прямоугольную деревянную форму с площадью поперечного сечения 8 х 11 см, размер этой формы был достаточно
большим, чтобы вместить используемую пленку. Индуктивность этой катушки составляла 2,5 миллигенри, поэтому через нее
необходимо было пропустить 35,2 миллиампера, чтобы получить поле в один гаусс в центре. Из-за чрезвычайно малых значений
используемого магнитного поля необходимо было тщательно экранировать установку от любого воздействия полей земли и
рассеяния. Было опробовано несколько методов для выполнения этого экранирования, и в конце концов был принят один из них:
размещение установки таким образом, чтобы плоскость поля висмута точно совпадала с магнитным наклоном земного поля в этой
точке, таким образом устраняя любую магнитную составляющую в направление, перпендикулярное плоскости магнитной пленки.
Были предприняты меры, чтобы все железо не находилось вблизи аппарата, и при фактических измерениях было обнаружено, что поля
рассеяния пренебрежимо малы.
Химически чистый висмут для производства пленок был предоставлен Эймером и Амендом, а сама пленка, полученная любым из
Этот
ранее сайт использует
описанных файлы
способов, cookie Google.
монтировалась Это необходимо
на бакелит для его
с силикатом нормальной
натрия работы
в качестве и анализаКонтакт на концах для продольного
связующего.
тока осуществлялся пружинными зажимами из фосфористой бронзы, а контакт на краях пленки для съема поперечного потенциала
Холла и безопасности
- с помощью маленьких передаются
латунных пальцев, в Google. Это
прикрепленных помогает получать
к продетым качественные
через бакелит резьбовым винтам. . Поверхность пленки
услуги,
была накапливать
тщательно очищенастатистику использования,
слабым раствором а также
соляной кислотывыявлять и устранять
для удаления нарушения.
поверхностных оксидов, а затем вся пленка и соединения
были окрашены силикатом натрия, чтобы предотвратить скопление полупроводящих слоев грязи и влаги на поверхности пленки.
Поскольку измеряемые разности потенциалов были порядка одного микровольта, особое внимание было уделено тому, чтобы
измерительный прибор был очень точным и стабильным. Потенциал поперечного эффекта Холла измеряли с помощью потенциометра
Leeds and Nort hrup типа К, переработанного с системой калиброванных внешних шунтов, что увеличило чувствительность прибора в
10 раз. Использовали четыре гальванометра разной степени чувствительности с потенциометром для нулевых отсчетов, причем
наиболее чувствительный гальванометр имел чувствительность 12,2 мм на МВ. Продольный ток через пленку подавался большими
накопительными ячейками, выход которых проходил через большую систему фильтров из двух очень больших индуктивностей,
включенных последовательно с линией, причем линии шунтировались двумя конденсаторами по 6 мкФ каждый.
Основной ток через сам потенциометр пропускался через аналогичный фильтр, и перед снятием показаний ему давали протекать в
течение ночи, чтобы можно было ожидать большей стабильности. Показания нулевого потенциометра на стандартной ячейке
проверяли до, после и после каждого измерения.
Особое внимание было уделено устранению всех ложных эффектов. Тепловые эффекты, конечно, составляют большую часть этих
поправок. Соединения разнородных металлов в цепи были сведены к минимуму, а оставшиеся потенциалы, вызванные эффектами
Томсона и подобными эффектами, были точно измерены в момент прерывания продольного тока. Было обнаружено, что заземление
одной стороны цепи потенциометра повышает стабильность.
Для работы в сильных магнитных полях использовался большой электромагнит. Этот магнит был способен создавать поле в 18 000 Гс
в узком воздушном зазоре, поле которого измерялось калиброванным баллистическим гальванометром в сочетании с флип-катушкой.
Эксперимент альные результ ат ы и обсуждение
Используя пленку висмута, полученную металлическим напылением, площадью 3,5×8,0 см и толщиной 0,012 см, были получены
результаты, представленные в таблице. Эти результаты согласуются с результатами, полученными для пленок другого типа,
описанного ранее. В этой таблице были исследованы три различных диапазона напряженности магнитного поля с одной и той же
пленкой висмута и в одних и тех же общих условиях. Во всей таблице использовался продольный ток 1,5 ампера. «Остаточная» ЭДС
(измеряемая в микровольтах), о которой говорится во второй колонке, представляет собой разность потенциалов, вызванную тем
фактом, что латунные пальцы, воспринимающие поперечный потенциал Холла, не могут возможно разместить в точно
эквипотенциальных точках по отношению к продольному току. Эти контакты располагались как можно ближе к эквипотенциальным
точкам, а оставшаяся разность потенциалов измерялась, как указано во втором столбце таблицы. Во второй и третий столбцы
автоматически включается сумма тепловых эффектов, так как из потенциалов, указанных в этих столбцах, конечно, невозможно
исключить тепловые потенциалы. Однако ложные эффекты устраняются, когда столбец два вычитается из столбца три, чтобы
получить результирующую ЭДС Холла в четвертом столбце. Коэффициент Холла R, указанный в пятой колонке, рассчитывается по
обычной формуле (ссылка 2): так как из потенциалов, указанных в этих столбцах, конечно, невозможно исключить тепловые
потенциалы. Однако ложные эффекты устраняются, когда столбец два вычитается из столбца три, чтобы получить результирующую
ЭДС Холла в четвертом столбце. Коэффициент Холла R, указанный в пятой колонке, рассчитывается по обычной формуле (ссылка 2):
так как из потенциалов, указанных в этих столбцах, конечно, невозможно исключить тепловые потенциалы. Однако ложные эффекты
устраняются, когда столбец два вычитается из столбца три, чтобы получить результирующую ЭДС Холла в четвертом столбце.
Коэффициент Холла R, указанный в пятой колонке, рассчитывается по обычной формуле (ссылка 2):
R = Эд/IH,
Где R — коэффициент Холла, d — толщина пленки в сантиметрах, i — продольный ток в абамперах, H — напряженность магнитного поля в
гауссах, а E — суммарная ЭДС Холла.
Рисунок 1: Связь между коэффициентом Холла, -R и напряженностью магнитного поля для эффекта Холла в висмуте.
Сразу видно, что коэффициент Холла аномально высок в области очень малых полей и быстро падает по мере небольшого увеличения
Этот
поля. сайтна
Ссылка использует файлы 1)
график (рисунок cookie Google. Это
показывает необходимо
небольшую для его нормальной
неравномерность околоработы и анализа
0,1 Гс, выпрямление кривой около 0,3 Гс, а затем
приблизительно линейную зависимость, пока не будет достигнута напряженность поля 1,0 Гс. Измерение s в промежуточномПОДРОБНЕЕ ОК
диапазоне и безопасности
от нуля до 30 Гс передаются
показало, что -R практическив Google. Это помогает
постоянно получать
при значении 10,27, качественные
которое фон Эттингсгаузен и Нернст нашли для
услуги,
висмута в накапливать
поле 1650 Гс.статистику
В диапазонеиспользования,
от 1000 до 4200а Гс
также выявлять несколько
коэффициент и устранять нарушения.от 15 до 29. Эта кривая была выбрана из
возрастает
дюжины подобных графиков как одна из наиболее репрезентативных, а неравномерность в окрестности 0.
Эти результаты показывают, что значение -R при очень слабых полях выше, чем предполагалось до сих пор, и что кривая для -R,
построенная в зависимости от напряженности поля, показывает заметный рост в этом низком диапазоне.
Каждое из значений в таблице I является средним значением примерно для 12 показаний при каждом значении напряженности поля.
Эти показания воспроизводятся примерно с точностью до одной десятой микровольта, а показания, формирующие средние значения,
не различаются более чем на эту величину.
Таблица I: Эффект Холла в висмуте для низких, средних и сильных полей
Gausses Residual emf Residual + Hall emf Net Hall emf -R

0.07 14.0 microV 15.5 microV 1.5 microV 171
0.08 14.1 15.6 1.5 150

0.09 14.2 15.7 1.5 135
0.10 14.2 15.8 1.6 133
0.13 14.4 16.1 1.7 131
0.15 14.3 16.9 2.6 126
0.24 14.0 16.3 2.3 75
0,29 14,6 21,1 6,5 18
0,30 14,5 19,8 5,3 14
0,32 14,4 19,6 5,2 13
0,35 14,8 20,5 5,7 13
0,50 14,6 22,7 8,1 13
0,80 14,6 26,6 12,0 12
1,00 14,6 29,6 15,0 12
1,0 14,5 29,5 15,0 12,0
15,0 14,3 35,1 20,8 11
28,5 14,4 60,4 46,0 11
1000 14,0 1889,0 1875,0 15
2500 14,0 7514,0 7500,0 24
4220 14,0 15324,0 153910,0
В ходе экспериментов был обнаружен интересный случайный факт, а именно то, что эффект Холла одной пленки может быть
поставлен последовательно с эффектом одной или нескольких других пленок, причем сумма этих последовательных потенциалов
очень хорошо согласуется с вычисленной суммой потенциалов. Потенциалы Холла отдельных пленок, наблюдаемые отдельно. Хотя
этот факт мало применим там, где желательны количественные показания с высокой степенью точности, он действительно важен в
любом приложении, где желательны более высокие значения потенциала Холла, чем те, которые могут быть получены с одной пленкой.
В настоящее время автор использует этот аддитивный принцип в приложении эффекта Холла к выпрямлению переменного тока
методом, подобным описанному Дескудресом (ссылка 4). Аддитивный принцип, используемый в этой связи, создает потенциал Холла
в несколько вольт в слабых полях с тонкими пленками висмута и, таким образом, придает эффекту Холла практическое значение в
качестве выпрямителя, особенно в радио и подобных приложениях. Работа над аддитивным принципом также проводится Сареком
(ссылка 5).
Представленные здесь результаты указывают на то, что предстоит проделать значительную работу по дальнейшему исследованию
аномалий коэффициента Холла в очень слабых полях, а также предполагают, что в теорию эффекта Холла необходимо внести
определенные модификации или объяснения для объяснения аномалий. интересные изменения коэффициента Холла в малых полях.
В заключение автор хотел бы выразить признательность д-ру Луи Т. Мору, д-ру Р. С., Гауди и старшему С. Дж. М. Аллену за их любезную
помощь и ценные советы, которые они давали на протяжении всей работы.
Ссылка 1 ~ Риги: Journale d. Physique 3: 127 (1884)

Ref. 2 ~ Л. Л. Кэмпбелл: «Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты», с. 9
Ссылка. 3 ~ Фон Эттингхаузен и Нернст: Wied. Анна. 29: 343 (1886)
Ссылка. 4 ~ Des Coudres: Phys. Zeit schrift 2: 586 (1901)
Ref. 5 ~ Сарек: Элек. У. Машиненбау 43: 172 (1925)
Патент США 1822129
(8 сентября 1931 г.)
Система и уст ройст во, использующие э ффект Холла
Палмер Х. Крейг
Мое изобретение в широком смысле относится к электрическим устройствам для изменения поведения электрического тока и, в
Этот сайт
частности, использует файлы
к устройствам cookie Google.использования
для эффективного Это необходимо для его нормальной
поперечной работы и анализа
разности потенциалов в некоторых металлических пластинах
трафика. Информация о предполагаемом IP-адресе и агенте
при воздействии продольного тока и влияния магнитного поля. пользователя, а также показатели
Одной из целей
услуги, моего изобретения
накапливать статистику является создание
использования, устройства,
а также состоящего
выявлять из множества
и устранять нарушения. прямоугольных листов металлической
фольги или пластин из металлического сплава, уложенных друг на друга, изолированных друг от друга и электрически соединенных
параллельно на противоположных концах и последовательно вдоль их поперечной оси. при этом ток с характеристикой постоянного
тока может быть обеспечен в цепи, которая подключается к точкам вдоль поперечных осей пластин, когда к противоположному концу
пластин подается переменный ток и вокруг пластин создается магнитное поле.
Другой целью моего изобретения является создание конструкции стационарного выпрямителя переменного тока, который остается в
постоянной настройке и не требует время от времени переустановки.
Другой целью моего изобретения является создание устройства для изменения электрического тока переменной характеристики для
выпрямления, усиления или создания электрических колебаний любой выбранной частоты.
Еще одной целью моего изобретения является создание электрического устройства, специально приспособленного для работы в
сочетании со схемами радиоприемной системы для обеспечения наблюдаемости слабых сигнальных токов.
Еще одной целью моего изобретения является создание устройства, которое может быть соединено в цепь с электронным
ламповым устройством для облегчения работы электронного лампового устройства при приеме сигнальной энергии.
Другие и дополнительные цели моего изобретения будут понятны из описания, приведенного ниже, со ссылками на прилагаемые
чертежи, на которых:
На фиг.1 показано в перспективе расположение деталей в устройстве по моему изобретению; фиг.2 представляет собой вид
устройства с торца, более четко показывающий направление магнитного поля, перпендикулярное плоскости металлических пластин;
Фигура 3 представляет собой схематический вид, показывающий расположение металлических пленок, из которых состоит
устройство по моему изобретению; Фиг.4 представляет собой схематический вид, показывающий схему подключения устройства по
моему изобретению, когда оно используется в качестве выпрямителя; На рис. 5 показано одно из применений моего изобретения в
схеме приема рефлекторных сигналов; На рис. 6 показано применение моего изобретения в качестве детектора в радиосхеме. На рис.
7 показана схема, в которой используются принципы моего изобретения для усиления энергии сигнала. предусмотрено облегчение
производства колебаний; На рис. 8 показана схема, в которой продольный ток, проходящий через пластины устройства по моему
изобретению, происходит от источника, независимого от источника, создающего магнитное поле вокруг пластин; На рис. 9 показана
схема, использующая множество устройств моего изобретения в качестве усилителя поступающей сигнальной энергии и
выпрямителя усиленной энергии; и на рисунке 10 показано основное расположение магнитного поля поперек плоскости нескольких
металлических пластин в аппарате для разработки изложенных здесь принципов. На рис. 8 показана схема, в которой продольный ток,
проходящий через пластины устройства по моему изобретению, происходит от источника, независимого от источника, создающего
магнитное поле вокруг пластин; На рис. 9 показана схема, использующая множество устройств моего изобретения в качестве
усилителя поступающей сигнальной энергии и выпрямителя усиленной энергии; и на рисунке 10 показано основное расположение
магнитного поля поперек плоскости нескольких металлических пластин в аппарате для разработки изложенных здесь принципов. На
рис. 8 показана схема, в которой продольный ток, проходящий через пластины устройства по моему изобретению, происходит от
источника, независимого от источника, создающего магнитное поле вокруг пластин; На рис. 9 показана схема, использующая
множество устройств моего изобретения в качестве усилителя поступающей сигнальной энергии и выпрямителя усиленной энергии;
и на рисунке 10 показано основное расположение магнитного поля поперек плоскости нескольких металлических пластин в аппарате
для разработки изложенных здесь принципов.
Фигура 1:
Фигура 2:
Рисунок 3:
Рисунок 4:
Рисунок 5:
Рисунок 6:
Рисунок 7:
Рисунок 8:
Рисунок 9:
Рисунок 10:
Мое изобретение использует «Холл», «Корбино» и подобные им электромагнитные явления для выпрямления или усиления
переменных токов и генерации незатухающих электрических колебаний в электрических цепях.
Эффект «Холла» заключается, вкратце, в электромагнитном явлении, наблюдаемом, когда полоску или пленку металла, по которой
течет продольный ток I (рис. 3), помещают в магнитное поле, перпендикулярное плоскости такой полоски, поперечную разность
потенциалов будучи помещенным между краями а, а', полосы, эта разность потенциалов приблизительно при нормальных условиях
выражается формулой:
E = HI/д
Где E = поперечная разность потенциалов;
I = ток (продольный) через полосу;
d = толщина полосы;
H = напряженность магнитного поля
Эффект «Корбино» аналогичен эффекту «Холла», в котором радиальный ток через круглый диск, подвергнутый воздействию
магнитного поля, перпендикулярного плоскости диска, создает «круговой» ток через диск.
Я обнаружил, что если пластины или пленки из металла, такого как висмут, теллур, сплав висмута с сурьмой или другой металл или
Этот
сплав, сайт использует
соединить, файлына
как показано cookie Google.
рисунках, Это необходимо
устройства для его нормальной
будут действовать работы и анализа
как практический электрический выпрямитель
трафика. Информация о предполагаемом IP-адресе и агенте пользователя, а также
приложенных переменных токов. Ссылаясь на рисунки на рисунке 4, переменный ток проходит показатели
через полосу 1 от ПОДРОБНЕЕ
c до d за половину
ОК
цикла, а от d он поступаети вбезопасности передаются в Google.
соленоид S, представляющий собойЭто помогает сердечник
воздушный получать качественные
или сердечник из магнитного материала. ,
услуги,
откуда, накапливать
пройдя статистику
через соленоид, использования,
возвращается а такжепеременного
к источнику выявлять и устранять нарушения.
тока. В другой половине цикла операция, конечно, обратная.
На рис. 4 также показан метод укладки множества пластин 1, 2 и 3 друг на друга с подходящей изоляцией между ними, а затем
соединение положительной потенциальной точки эффекта Холла одной пластины с отрицательной потенциальной точкой эффекта
Холла другой пластины. тот, что ниже, представлен на рисунках e, f, g, h, i и j. Другими словами, поперечный потенциал всех пластин 1, 2
и 3 соединен последовательно, чтобы в сумме получить большие значения потенциала, чем можно было бы получить с одной
пластиной.
Очевидно, что поскольку полярность разности потенциалов эффекта «Холла» изменяется синхронно либо с изменением полярности
точек c и d, либо с изменением направления магнитного потока через пластину, то полярность точки e, j (рис. 4) всегда будут
одинаковыми по отношению друг к другу, когда и магнитный поток, и продольный ток через пластины изменяются по фазе синхронно
друг с другом. пульсирующий постоянный ток в точке e, j.
Конструкция устройства по моему изобретению более четко показана на рис. 1, где металлические пленки обозначены цифрами 1, 2, 3,
4 и 5 и разделены изолированными листами 7. Противоположные концы пленок имеют резьбу, как показано с и д. Поперечные оси
пленок соединены последовательно, как показано е, f, g, h, i, j, k, l, m и n для подачи постоянного тока. Вид аппарата с торца на рис. 2
более четко показывает расположение пленок и диэлектрических листов. Обмотка соленоида разделена на две секции для создания
поперечного магнитного поля через металлические пленки.
На рис. 3 я показал сложенное расположение металлических пленок, разделенных изолирующими листами в соответствии с моим
изобретением, где переменный ток I проходит вдоль продольных осей пленок от d до с. Я обеспечиваю медные концевые контакты 8
и 9, которые шунтируют все металлические пленки, позволяя соединить пленки в электрическую цепь параллельно. Точечные
контакты поперек поперечных осей пленок обозначены точками а и а'.
Устройство можно использовать в качестве выпрямителя в обычных электрических цепях, где мощность, потребляемая
выпрямителем, достаточно мала, чтобы сделать этот метод практически применимым. Устройство также можно использовать в
качестве выпрямителя в радиопередатчиках и приемниках, особенно для замены кристаллического детектора или триодного
лампового детектора в радиоприеме. Его можно использовать отдельно или в сочетании с электронными лампами, типичная
принципиальная схема последнего метода представлена на рисунке 5.
Ссылаясь на фиг.5 более подробно, приемная антенная система представлена позицией 10, которая соединяется с системой
заземления позицией 11 с индуктивностью связи 12 в ней, соединенной с настроенной входной схемой 14 электронной лампы 15,
которая функционирует как радиочастотный усилитель. Выход схемы 16 усиления радиочастоты с входной схемой второй ступени
усиления радиочастоты, состоящей из электронной лампы 18, выходная цепь которой включает в себя трансформаторную систему
17, настроенную, как показано позицией 28, для подачи возбуждающего тока на соленоид S через последовательную цепь. контур,
проходящий через продольные оси металлических пленок от точек d до c. Через точки контакта а и а' протекает постоянный ток,
который прямо пропорционален поступающей сигнальной энергии. Выпрямленный ток подается через систему трансформаторов 20
во входную цепь электронной лампы 18, которая также функционирует как система усиления звуковой частоты, подавая свою
выходную звуковую частоту через трансформатор 19 на входную цепь электронной лампы 15, которая также служит для усиления на
звуковая частота, доставляющая выходной сигнал к телефонам T. Батарея A подает ток нагрева нити накала для нескольких ламп, а
батарея B подает пространственный ток для ламп. Настроенная система 17-28 позволяет относительно большому току проходить
через металлические пленки и, таким образом, обеспечивать максимальную энергию постоянного тока по поперечным осям
металлических пленок. Мое изобретение можно применить ко всем стандартным схемам, а также к рефлекторной системе на рис. 5.
Ссылаясь на рисунок 6, показана упрощенная схема, иллюстрирующая применение принципа моего изобретения к простому
радиоприемному устройству. В этой схеме поступающая сигнальная энергия, поступающая от настроенной схемы 14, проходит через
продольные оси металлических пленок от d до c, в то же время создавая магнитное поле с помощью соленоида S для получения
постоянного тока через поперечные оси металлических пленок. пленки при a и a' пропорциональны входящей энергии сигнала. Этот
постоянный ток непосредственно приводит в действие телефонное реагирующее устройство Т.
Следует отметить, что, благодаря тому, что эта система является идеальным выпрямителем (т. е. не допускает обратных потенциалов
или токов на выходе), она не будет давать искажений при воспроизведении радиотелефонных сигналов и голоса, а также ,
следовательно, намного превосходит кристаллический детектор или электронную лампу с точки зрения точного воспроизведения, в
дополнение к его превосходным качествам стабильности, простоте эксплуатации и более низкой стоимости обслуживания.
На рис. 7 показана схема, которую я использую для усиления энергии сигналов с помощью устройства моего изобретения. Входная
цепь показана в виде индуктивного соединителя 25, настроенного переменным конденсатором 26 и подключенного через продольные
оси металлических пленок в точках d и с. Вокруг металлических пленок может быть создано постоянное магнитное поле с помощью
локального источника 21, включенного в цепь с обмоткой S. Для этого соленоида S может быть предусмотрен железный сердечник.
Поступающая сигнальная энергия подается через обмотку 27, сопряженную с обмотками 25. Поперечные оси пленок в точках а и а'
соединены последовательно с локальным источником 22 и индуктивностью 24, которая связана с системой индуктивности 25. Таким
образом, вводится желаемая степень регенеративного усиления для увеличения амплитуды импульсов сигнальной энергии,
подаваемой на выходную цепь. Принцип моего изобретения может быть применен к генератору, в котором входная катушка 27
подключена к небольшому локальному возбудителю переменного тока, а выход подключен через трансформаторную систему.
Используя выбранные значения индуктивности, емкости и сопротивления, можно настроить систему так, чтобы она колебалась либо
Этот сайт либо
на звуковых, использует файлы cookie Google. Это необходимо для его нормальной работы и анализа
на радиочастотах.
На рис. 8 показан способ и
производительности получения большего
безопасности усиления
передаются в энергии в устройстве
Google. Это по моемукачественные
помогает получать изобретению. По толщине пластин создается
постоянный магнитный статистику
услуги, накапливать поток, а также постоянный апродольный
использования, ток пои горизонтальным
также выявлять осям пластин от батареи 28. Для возбуждения
устранять нарушения.
обмотки s предусмотрена настроенная система входных цепей 27-25-26. который заключает в себе стопку из чередующихся пленок и
диэлектрических листов. Продольные оси пленок соединены в точках а и а' с выходной цепью, включающей источник потенциала 22 и
индуктивность 24. Индуктивность 24 индуктивно связана с индуктивностью 29, настраиваемой с помощью конденсатора 30 в
выходной цепи электрическая система.
Входной сигнал также может быть наложен на продольный ток, а не на магнитное поле. Таким образом, можно исключить местную
батарею для подачи продольного тока в проводящее поле. Местная батарея 22 в цепи электрической системы предназначена для
повышения выходного напряжения до надлежащего значения для работы последующих каскадов усилителя или блока
воспроизведения, при этом флуктуирующий потенциал «Холла» затем накладывается на этот постоянный потенциал. . Увеличивая
количество параллельно проводящих пленок, можно также увеличить эффективный потенциал.
На рисунке 9 показано применение моего изобретения к схеме электронной лампы, в которой продольные оси проводящих пленок
соединены последовательно в выходной цепи электронной лампы 15. Постоянное магнитное поле подается от батареи 21 на обмотку
S. Таким образом, устройство работает как радиочастотный усилитель, доставляя усиленную энергию в выходную цепь поперек
поперечных осей проводящих пленок последовательно, как показано е и j, выходная цепь включает в себя батарею 22 и обмотку
соленоида S'. Обмотка соленоида S' соединена последовательно с продольными осями проводящих пленок, как показано в точках с' и
d', и поперек поперечных осей в точках а и а' я подключаю выходную цепь, которая включает в себя батарею 22.
На рис. 10 показан метод, который я могу использовать для создания магнитного поля, пронизывающего проводящие пленки. Пара
сжатых стержней из кремнистой стали или другого подходящего магнитного материала или сплавов расположена на
противоположных сторонах пакета из чередующихся проводящих пленок и диэлектрических листов. На этих катушках
предусмотрены обмотки S2 и S3, питаемые от местного источника 21. Пакет проводящих пленок висмута или металлического сплава
может быть достаточно толстым, но магнитное поле концентрически перпендикулярно плоскости проводящих пленок. Магнитное
поле в некоторых случаях создается соленоидальной катушкой примерно из 1000 витков на сердечниках из прессованных опилок из
кремнистой стали. Результирующий поперечный пульсирующий постоянный ток составляет несколько вольт всего за один
миллиампер, протекающий через катушку возбуждения и параллельно через проводящие пленки в продольном направлении. Я
обнаружил, что когда переменный ток силой 4 ампера с частотой 60 циклов пропускают через 12-витковую катушку, а затем через
проводящие пленки, соединенные параллельно друг с другом в продольном направлении, результирующая составляющая
пульсирующего постоянного тока на каждой проводящей пленке составляет примерно 50 микровольт. Когда проводящие пленки,
упомянутые выше, соединены последовательно поперечно, можно получить 200 микровольт. Полученные значения можно легко
использовать при работе электронных ламп.
Когда в устройстве моего изобретения используется железный сердечник с надлежащей кривой магнитной проницаемости,
асимметричная характеристическая кривая может быть получена с устройством, аналогичным полученному с триодной лампой. Эта
способность устройства моего изобретения способствует возникновению в устройстве автоколебаний. Таким образом, устройство
при правильном подключении будет работать как усилитель или генератор в дополнение к своим свойствам выпрямителя.
Хотя я описал свое изобретение в некоторых предпочтительных вариантах, я хочу, чтобы было понятно, что могут быть сделаны
различные модификации, не отступая от сущности прилагаемой формулы изобретения.
Другие патенты США Палмера Крейга:
Патент США 1 778 796 (21 октября 1930 г.): Система и устройство, использующие эффект Холла
. Патент США 1 825 855 (6 октября 1931 г.): Система и устройство, использующие эффект Холла.
Эти патенты в значительной степени повторяют формулу изобретения USP №1,322,129.
ht tp://news.google.com/newspapers?nid=999&dat=19270402&id=rqM8AAAAAIBAJ&sjid=YfYFAAAAIBAJ&pg=3035,3721219
Уст ройст во с висмут овым покрыт ием изобрел юный грузинский ст удент
Ни батареек, ни трубок в новом наборе... изобретение доктора Палмера Крейга, молодого заведующего кафедрой физики в Mercer...
ht tp://books.google.com/books?
id=micDAAAAMBAJ&pg=PA59&lpg=PA59&dq=Palmer+Craig+bismuth&source=bl&ots=1WEoPhyIoa&sig=TtiVLGT76VhErxAnEn-
4EStRWJk&hl=en#v=onepage&q=Palmer%20Craig%20bismuth&f=false
Popular Science Май 1927 года
... с этим удивительным изобретением доктора Палмера Х. Крейга из Цинциннати. Говорят, что висмутовые пластины генерируют
Этот сайт
энергию использует
для работы файлы cookieи Google.
радиоприемника служат Это необходимо
детектором...
для его нормальной работы и анализа
ht tp://gradworks.umi.com/DP/15/DP15709.html
Эффект Холла в слабых магнит ных полях
Крейг, Палмер Х., доктор философии, УНИВЕРСИТЕТ ЦИНЦИННАТИ, 1926 г., 8 страниц; ДП15709
Аннотация: Улучшенными методами точно определен эффект Холла в висмуте при напряженности магнитного поля от 0,07 до 1,00 Гс.
Производство висмутовых пленок. Были опробованы и сравнены различные методы получения сверхтонких однородных пленок
висмута, такие как литье, гальваническое покрытие, испарение, напыление и металлическое напыление, из которых последние три
метода оказались особенно успешными. Измерение очень низких напряжений. Благодаря доработкам потенциометра и
измерительных цепей показания до одной десятой микровольта были точными и воспроизводимыми. Величина эффекта Холла в
малых полях. Строится кривая, показывающая быстрое уменьшение значения -R между 0,07 и 0,30 Гс, и проводится сравнение с более
высокими значениями напряженности поля.
ht tp://prola.aps.org/abstract/PR/v29/i2/p332_ 1
ht tp://adsabs.harvard.edu/abs/1927PhRv...29..332H
Physical Review, vol. 29, выпуск 2, ст р. 332-336
Эффект Холла в висмуте с небольшими кучами магнит ных полей
, CW
Коэффициент Холла для висмутовой пластины размерами 0,011×0,9×2,0 см измерен в диапазоне магнитных полей от 0,07 до 2,40 Гс.
Среднее значение коэффициента Холла R в этом диапазоне составило 11,5, а вариации R из-за изменения напряженности поля в этом
диапазоне были меньше ошибок эксперимента. Для больших полей коэффициент Холла этого образца уменьшился с 13,5 для поля 650
Гс до 5,9 для поля 8600. Сделан вывод, что для аналогичных диапазонов поля данные, представленные Палмером Х. Крейгом,
ошибочны, вероятно, из-за изоляции. утечки или некомпенсированные термомагнитные эффекты. Описан простой способ
изготовления очень тонких висмутовых пластин.
Патенты на пленку висмута
JP2011221048
Также опубликовано как: US2011244224 -- KR20110111249 -- CN102213777 РЕШАЕМАЯ
ПРОБЛЕМА: Обеспечить антиотражающее покрытие для инфракрасных лучей, обладающее отличной адгезией к халькогенидному
стеклу и отличной устойчивостью к атмосферным воздействиям. ;
РЕШЕНИЕ: На поверхность подложки 12 из так называемого халькогенидного стекла, содержащего в качестве основных компонентов
серу, селен и теллур, нанесено просветляющее покрытие 13. Противоотражающее покрытие 13 содержит первую тонкую пленку 16 и
вторую тонкую пленку в порядке от подложки 12. Первая тонкая пленка 16 содержит оксид висмута (Bi<SB POS="POST">2</SB>O<SB
POS="POST">3</SB>). Вторая тонкая пленка 17 содержит фторид иттрия (YF<SB POS="POST">3</SB>). ; АВТОРСКИЕ ПРАВА: (C) 2012,
JPO&
Гибкий термоэлект рический преобразователь э нергии и способ его изгот овления
Аннотация -- Предлагаются гибкий термоэлектрический преобразователь энергии и способ его изготовления. Он заключается в
использовании формы для производства структуры PDMS, а затем затвердевании структуры PDMS на позолоченной алюминиевой
фольге для формирования материнской матрицы для гальванопластики, которая имеет множество отверстий для осаждения; а затем
использовать электрохимическое осаждение для осаждения теллурида висмута n-типа (Bi2Te3) и сплава теллурида сурьмы p-типа
(Sb2Te3) в каждое отверстие для осаждения гальванопластики с образованием особой термоэлектрической тонкой пленки p/n; затем
закрепите структуру УФ-клея на позолоченной алюминиевой фольге и термоэлектрической тонкой пленке в качестве гибкой
структуры компонента. В этот момент, разрывая позолоченную алюминиевую фольгу для создания термоэлектрической
тонкопленочной структуры, сочетающей структуру УФ-геля, после этого используют серебряную краску в качестве
электропроводящего электрода, намазывая последовательно на два конца п/н термоэлектрической пленки и делая ее в виде
Этот сайт использует
последовательно файлыэлектропроводников;
соединенных cookie Google. Это необходимо для его нормальной
Наконец, подсоедините работы
провод и анализа
для затвердевания структуры УФ-клея на
открытом месте последовательного соединения и термоэлектрической пленки p/n, чтобы полностью упаковать ПОДРОБНЕЕ
компонент, таким
ОК
образом, и безопасности
включающий гибкий передаются
термоэлектрический в Google. Это помогает
преобразователь энергииполучать
и способкачественные
его изготовления.

TWI341756 Ант иоксидант ный
мелкодисперсный медный порошок и т окопроводящая паст а с ант иоксидант ным мелкодисперсным медным порошком
Настоящее изобретение относится к антиокислительному мелкодисперсному медному порошку и токопроводящей пасте с

антиокислительным мелкодисперсным медным порошком. Антиоксидантный мелкодисперсный медный порошок включает часть
тонкодисперсного медного порошка и антиокислительную пленку. Мелкодисперсный медный порошок имеет почти шаровидную
внешнюю поверхность и внешний диаметр менее 1 микрона. Ингредиент антиоксидантной пленки включает аскорбиновую кислоту и
практически равномерно прилипает к внешней поверхности. Токопроводящая паста с антиокислительным мелкодисперсным медным
порошком включает: антиокислительный мелкодисперсный медный порошок, стеклянный порошок, растворитель смолы, порошок
висмута, порошок цинка и пятиокись ванадия. Изобретение имеет преимущества и эффективность предотвращения окисления
мелкодисперсного медного порошка, низкой температуры плавления,
TW201002863
Мет аллический материал с висмут овым покрыт ием
Также опубликовано как: EP2280096 -- US2011073484 -- MX2010012956 -- KR20110000755 -- WO2009145088
Предусмотрен металлический материал с прикрепленной висмутовой пленкой, обладающий превосходными свойствами покрытия,
коррозионной стойкостью и адгезией лакокрасочного покрытия, и который может производиться с минимальным воздействием на
окружающую среду. Металлический материал с прикрепленной висмутовой пленкой имеет слой, содержащий висмут, по меньшей
мере, на части поверхности металлического материала, при этом числовая доля атомов висмута в поверхностном слое указанного
металлического материала с прикрепленной висмутовой пленкой составляет 10% или выше.
CN102222672 Конденсат ор
с многослойной ст рукт урой слоя пленки на основе феррит а висмут а и способ его изгот овления
Изобретение раскрывает конденсатор многослойной структуры с пленочным слоем на основе феррита висмута и способ его
изготовления, при этом конденсатор содержит нижний электрод, подложку, буферный слой, слой ферроэлектрической пленки и
металлический точечный электрод последовательно снизу вверх; буферный слой представляет собой легированную марганцем
пленку титаната бария-стронция, химическая формула - Ba0,6Sr0,4Ti(1-x)MnxO3, x - молярный эквивалент марганца, x равен 0,005-0,05; и
слой сегнетоэлектрической пленки представляет собой базовую пленку на основе феррита висмута, химическая формула которой
представляет собой Bi(1-y)LnyFeO3, где Ln представляет собой один из лантанидов, y представляет собой молярный эквивалент
лантанида и y равен 0,01-0,2. Способ приготовления прост, и полученный конденсатор представляет собой накопительную ячейку
сегнетоэлектрического полевого транзистора;
GB274112
Application of hall effect and similar electrical phenomena to radio and allied subjects
Поперечная разность потенциалов, возникающая при продольном прохождении тока через проводящую пластину в перпендикулярном
магнитном поле, используется для выпрямления переменных электрических токов. В применении к выпрямителю, показанному на рис.
4, переменный ток проходит продольно от c к d через проводящие пластины 1, 2, 3, расположенные параллельно и разделенные
изоляционными листами, а затем через соленоид S, создающий перпендикулярное магнитное поле. . Поперечные потенциалы в
пластинах соединены последовательно подходящим соединением ребер e, j. Поскольку продольный ток и магнитное поле переменны,
поперечная разность потенциалов будет прямой. Согласно модификации, проводящий материал на изолирующей основе выт равлен
т ак, чт о две системы пленок располагаются параллельно в продольном направлении и последовательно в поперечном. Затем
пласт ины размещаются рядом, а не в ст опках.
ht tp://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.38.3818
Phys. Rev. B 38, 3818–3824 (1988)
Рост и определение характерист ик э пит аксиальных пленок висмут а
Д. Л. Партин, Дж. Хереманс, Д. Т. Морелли, С. М. Траш, С. Х. Олк и Т. А. Перри
Физический отдел, Исследовательские лаборатории General Motors, Уоррен, Мичиган 48090
В настоящей работе описывается выращивание первых тонких (0,1–2 мкм) эпитаксиальных пленок чистого висмута методами
молекулярно-лучевой эпитаксии. Эти структуры были выращены при повышенных температурах на монокристаллических подложках
из фторида бария с ориентацией <111>. Наблюдения под электронным микроскопом показывают, что пленки не имеют признаков и
дефектов в масштабе 0,1 мкм. Пленки растут так, что их тригональная ось параллельна оси <111> подложки, и изображения обратного
рассеяния по Лауэ показывают, что они являются эпитаксиальными. Подвижности при комнатной температуре составляют порядка 2
м2 В-1 с-1 и увеличиваются до более чем 10 при 20 К и до 100 при температурах жидкого гелия. Эти значения намного превосходят
значения других пленок висмута, выращенных на сегодняшний день, и приближаются к подвижности, наблюдаемой в
монокристаллическом висмуте. Дополнительным свидетельством их монокристаллической природы является зависящее от
температуры файлы cookie ниже
удельное сопротивление Google. Это
6 К, необходимо
которое большедля его нормальной
похоже работы иобъемного
на сопротивление анализа монокристалла, а не
поликристалла висмута, а также зависимость подвижности пленок от толщины, которая ограничена рассеянием на границах пленки.
Концентрация носителей,иопределенная
безопасностипо
передаются
измерениям в Google. Это помогает
Холла, находится получать(4–8)×1024
в диапазоне качественные
м-3 при комнатной температуре и
услуги, накапливать
уменьшается статистику
по мере понижения использования,
температуры, а такжепостоянной
становясь выявлять иниже
примерно 50 К на уровне примерно 5×1023 м-3. Мы также
наблюдаем осцилляции Шубникова-де Гааза в сопротивлении и коэффициенте Холла при 4,2 и 0,4 К. Концентрация носителей,
рассчитанная по периоду этих осцилляций, хорошо коррелирует с полученной из холловских измерений. а не поликристалла, висмута и
зависимостью подвижностей пленки от толщины, которые лимитируются рассеянием на границах пленки. Концентрация носителей,
определенная по измерениям Холла, находится в диапазоне (4–8)×1024 м-3 при комнатной температуре и уменьшается по мере
понижения температуры, становясь постоянной ниже примерно 50 К на уровне примерно 5×1023 м-3. Мы также наблюдаем
осцилляции Шубникова-де Гааза в сопротивлении и коэффициенте Холла при 4,2 и 0,4 К. Концентрация носителей, рассчитанная по
периоду этих осцилляций, хорошо коррелирует с полученной из холловских измерений. а не поликристалла, висмута и зависимостью
подвижностей пленки от толщины, которые лимитируются рассеянием на границах пленки. Концентрация носителей, определенная по
измерениям Холла, находится в диапазоне (4–8)×1024 м-3 при комнатной температуре и уменьшается по мере понижения
температуры, становясь постоянной ниже примерно 50 К на уровне примерно 5×1023 м-3. Мы также наблюдаем осцилляции
Шубникова-де Гааза в сопротивлении и коэффициенте Холла при 4,2 и 0,4 К. Концентрация носителей, рассчитанная по периоду этих
осцилляций, хорошо коррелирует с полученной из холловских измерений. находится в диапазоне (4-8)×1024 м-3 при комнатной
температуре и уменьшается по мере понижения температуры, становясь постоянным при температуре ниже примерно 50 К на
уровне примерно 5×1023 м-3. Мы также наблюдаем осцилляции Шубникова-де Гааза в сопротивлении и коэффициенте Холла при 4,2 и
0,4 К. Концентрация носителей, рассчитанная по периоду этих осцилляций, хорошо коррелирует с полученной из холловских измерений.
находится в диапазоне (4-8)×1024 м-3 при комнатной температуре и уменьшается по мере понижения температуры, становясь
постоянным при температуре ниже примерно 50 К на уровне примерно 5×1023 м-3. Мы также наблюдаем осцилляции Шубникова-де
Гааза в сопротивлении и коэффициенте Холла при 4,2 и 0,4 К. Концентрация носителей, рассчитанная по периоду этих осцилляций,
хорошо коррелирует с полученной из холловских измерений.
www.phys.ufl.edu/REU/2008/reports/yang.pdf
Исследование элект рических свойст в т онких пленок висмут а.
Когда висмут выращивается в тонкопленочной геометрии, он проявляет необычное поведение, поскольку ...
Для сравнения, исследования тонкопленочного висмута часто затруднялись ...
ht tp://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_ all.jsp?arnumber=5951630
Когерент ные фононы в поликрист аллической пленке висмут а, конт ролируемые мет одом дифракции сверхбыст рых элект ронов
Бугаев А.; Эсмаил, А .; Абдель-Фаттах, М.; Эльсаед-Али, Его Превосходительство;
заявл. Рез. Центр, Университет Олд Доминион, Норфолк, Вирджиния, США
Генерация когерентных фононов в поликристаллической пленке висмута наблюдается с помощью дифракции электронов со
сверхбыстрым временным разрешением. В динамике дифрагированных интенсивностей от плоскостей (110), (202) и (024) решетки
наблюдаются ярко выраженные осцилляции на частотах 130-150 ГГц. Обсуждается анизотропия скорости передачи энергии
когерентными оптическими фононами.
apl.aip.org/resource/1/applab/v24/i5/p220_ s1 Пикосекундная
инфракрасная голография на висмут овой пленке
Тонкие пленки висмута обеспечивают голографическую записывающую среду, которая не требует проявления и чувствительна к
инфракрасному излучению. При пространственной частоте 1730 линий/мм эффективность дифракции составляет 5% при экспозиции
50 мДж/см2 на длине волны 1,06 мкм. Интерференционные голограммы с использованием диффузионного светоделителя для
пикосекундного Nd:YAG-лазера показывают достаточно высокое разрешение для приложений плазменной голографии.
www.fom.nl/live/english/news/artikel.pag?objectnumber=166751
Крист аллическая ст рукт ура висмут а различается - основа фундамент альных ...
14 октября 2011 г. ... Исследователь FOM PhD Тджерд Боллманн и его коллеги из Университета
Этотобнаружили
Твенте сайт использует файлы
это, когда cookie Google.
выращивали Это необходимо
ультратонкие пленкидля его нормальной
висмута ...
работы и анализа
adsabs.harvard.edu/abs/1941PhRv...60..570W
Примечание о фот оэлект рическом пороге пленок висмут а измеренной т олщины.
Авторы: Вебер, Альфред Х.; Эйзеле, Луи Дж. Принадлежность: AA (факультет физики, ...
ht tp://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.2210220144/abstract
Особенност и зависимостей ст рукт уры и сопрот ивления пленки висмут а от т олщины
П.Г. Борзяк, В.И. Ватаманюк, Ю.В. А. Кулюпин
ht tp://www.fom.nl/live/english/news/artikel.pag?objectnumber=166751
14 окт ября 2011 г., 2011/47
Крист аллическая ст рукт ура висмут а различается
Тонкие пленки висмута изменяют свою структуру под влиянием проводящих электронов
. Плохо проводящий полуметаллический висмут принимает в тонких пленках совершенно иную кристаллическую структуру, чем в
объемном виде. Структура слоев, расстояние между слоями и количество слоев, по-видимому, сформированы таким образом, что
может развиваться ровно одна стоячая волна проводящих электронов. Исследователь FOM PhD Тджерд Боллманн и его коллеги из
Университета Твенте обнаружили это, когда выращивали ультратонкие пленки висмута на никелевой подложке. Следовательно,
тонкие пленки висмута, вероятно, являются гораздо лучшими проводниками, чем объемный кристалл. Исследователи опубликовали
свой неожиданный результат сегодня в Интернете в Physical Review Let t ers.
Теперь исследователи наблюдали это явление и в тонких пленках висмута. Они были удивлены, обнаружив, что висмут растет с
нечетным числом слоев одновременно: длина волны Ферми висмута в объеме примерно в сто раз больше, чем у свинца, и поэтому
слои висмута толщиной всего в несколько атомов не должны были влиять на рост. Длина волны Ферми вообще. Тем не менее, они
сделали. С помощью низкоэнергетического электронного микроскопа исследователи смогли увидеть, что слои в тонкой пленке
висмута имеют совершенно иную кристаллическую структуру, чем объемный кристалл. Эта кристаллическая структура всегда
находится в балансе с расстоянием между слоями в пленке и длиной волны Ферми:
Висмут – неоднозначный материал на нескольких уровнях. Кусок висмута «парит» между металлом и полупроводником, поэтому его
называют «полуметаллом». Теперь было продемонстрировано, что в тонких пленках висмут изменяет свою структуру, плотность и
расстояние между слоями, чтобы максимизировать энергетическое преимущество, которое можно получить от стоячих волн Ферми с
длиной волны, намного меньшей, чем в объемном материале. Исследователи ожидают, что структуры, обнаруженные в тонких
пленках висмута, являются гораздо лучшими проводниками, чем обычный висмут. Другие физико-химические свойства вновь
обнаруженных кристаллических структур, вероятно, также отличаются от свойств объемного висмута. Исследователи стремятся
изучить эти свойства с помощью контролируемого роста.
Свяжитесь
с Бене Поелсема, +31 (0)53 489 30 60
Ссылка
«Изменения структуры пленок Bi на Ni(III) под действием квантового размерного эффекта»
Тджерд Р. Дж. Боллманн, Рауль ван Гастель, Гарольд Дж. В. Зандвлит и Бене Поелсема; Physical Review Let t ers, 14 октября 2011 г.
(онлайн, 13 октября 2011 г.)
Рисунок 1. Длина волны подстраивается под толщину пленки
. Расстояния между двумя слоями в трехслойной пленке висмута (зеленые пунктирные линии) не такие, как в пятислойной пленке.
(синие линии). Длина волны Ферми, связанная с трехслойным висмутом, ровно в 2,5 раза соответствует общей толщине пленки. Для
пяти слоев расстояние между слоями немного меньше. Здесь соответствующая длина волны Ферми ровно четыре раза
соответствует общей толщине пленки.
ht tp://www.springerlink.com/content/p141r6l338q08r54/
Russian Journal of Physical Chemistry A, Focus on Chemistry, Volume 86, Number 4, 621-627, DOI: 10.1134/S0036024412040231
трафика.
Physical Информация
Chemistry о предполагаемом
of Nanoclusters IP-адресе
и агенте пользователя, а также показатели
and Nanomaterials ПОДРОБНЕЕ ОК
производительности и безопасности передаются в Google.
Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized Это помогает
bismuth films
получать качественные
E. P. Surovoi, L. N. Bugerko, V. E. Surovaya and S. V. Bin
Abst ract -- Transformat ions in a nanosized bismut h layer are st udied by means of opt ical spect roscopy, microscopy, and gravimet ry, depending on
t he t hickness (d = 3–120 nm), t hermal t reat ment t emperat ure (T = 373–673 K) and t ime (t ] = 0.05–2500 min). It is est ablished t hat , depending on
t he init ial t hickness of t he bismut h films and t he t hermal t reat ment t emperat ure, t he kinet ic curves of t he degree of t ransformat ion are
sat isfactorily described wit hin linear, inverse logarit hmic, cubic, and logarit hmic laws. The cont act pot ent ial difference for t he Bi, Bi2O3 films and
t he photo-elect romot ive force for t he Bi-Bi2O3 syst ems is measured. An energy-band diagram for t he Bi-Bi2O3 syst ems is const ruct ed. A model
for t he t hermal t ransformat ion of Bi films t hat includes t he st age of oxygen adsorpt ion, t he redist ribut ion of charge carriers in t he Bi-Bi2O3 cont act
field, and t he format ion of bismut h(III) oxide is proposed.
ht tp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452604000833
Parallel magnetoresistance of a polycrystalline bismuthfilm in high magnetic fields
Ralph Rosenbauma, Corresponding aut hor cont act informat ion, E-mail t he corresponding aut hor,
Jean Galibert b
a School of Physics and Ast ronomy, Raymond and Beverly Sackler Facult y of Exact Sciences, Tel Aviv Universit y, 69978 Ramat Aviv, Israel
b Laboratoire Nat ional des Champs Magnét iques Pulsés, 143, avenue de Rangueil, BP 4245, 31432 Toulouse Cedex 4, France
Abst ract -- Magnetoresist ance (MR) rat ios r=R(B)/R(0) have been measured in parallel fields on a polycryst alline heat -t reat ed bismut hfilm at
different t emperat ures. MR rat ios vs. B's exhibit “maximums” followed by decreases, described by a B-1 law. Elect ron Fermi energies have been
ext ract ed. The MR dat a are explained using a Landau t ube “sweeping” model and a MR expression of Pippard and of Fawcet t . There is a second
maximum in t he MR rat ios at View t he Mat hML source followed by a second decrease. This second decrease could arise from t he “sweeping” of
t he next lowest Landau t ubes out side t he Fermi surface of t he single hole pocket .
ht tp://adsabs.harvard.edu/abs/1941PhRv...60..570W
Physical Review, vol. 60, Issue 8, pp. 570-573
Note on the Photoelectric Threshold of Bismuth Films of Measured Thickness
Weber, Alfred H.; Eisele, Louis J.
The photoelect ric t hreshold wave-lengt h change wit h t hickness in aged bismut h films deposit ed on Pyrex at room t emperat ure in vacuum is
invest igat ed furt her wit h some import ant modificat ions in apparat us and met hod including measurement of t he average film t hickness and
ext ension of t he t emperat ure range in which t he DuBridge analysis is applied. The dat a show t hat t he bismut h films are charact erized by: (1), an
init ial value of t he t hreshold wave-lengt h (2497A average) fairly independent of film t hickness for t he first 44 atom layers; (2), a definit e shift
toward higher t hreshold wave-lengt hs occurring bet ween 44 and 111 atom layers t hickness; followed by (3), a st eady increase of t hreshold wave-
lengt h wit h film t hickness above about 111 atom layers. These result s are in general agreement wit h t he previous preliminary work but show some
differences which are discussed briefly.
jpsj.ipap.jp/link?JPSJ/77/014701/
Electronic Structure of Ultrathin Bismuth Films with A7
Using scanning t unneling spect roscopy and first -principles calculat ions, we have st udied t he elect ronic st ruct ure of t wo different ult rat hin bismut h
films on a ...
www.opticsinfobase.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-18-5-4365
High wavevector optical phonons in microstructured Bismuth films
Mar 1, 2010 ... We report t he generat ion of high wavevector, large amplit ude coherent opt ical phonons in a microst ruct ured Bismut h film. A
Этот сайтlaser
femtosecond использует
...
файлы cookie Google. Это необходимо для его нормальной работы и анализа
ht tp://prb.aps.org/abstract/PRB/v5/i6/p2029_ 1
Phys. Rev. B 5, 2029–2039 (1972)
Galvanomagnetic Studies of Bismuth Films in the Quantum-Size-Effect Region
N. Garcia
Depart ment of Physics, Queens College, Flushing, New York 11367
Y. H. Kao
Depart ment of Physics, St at e Universit y of New York, Stony Brook, New York 11790
Myron St rongin
Brookhaven Nat ional Laboratory, Upton, New York 11973
Bismut h films (200-1400 Å) were grown epit axially on freshly cleaved mica subst rat es. These films consist ed of a mosaic of equally orient ed
cryst allit es averaging several microns in diamet er. The plane of t he films coincided wit h t he t rigonal plane of Bi. We have st udied t he t hickness
dependence of t he resist ivit y, t he Hall coefficient , and t he t ransverse magneto-resist ance, by gradually varying t he t hickness of a single film which
was kept under high vacuum during t he ent ire experiment . The resist ivit y at 360 and 77 °K is a smoot h monotonic funct ion of t he t hickness. At 12
°K, we observed small oscillat ions in t he resist ivit y and in t he magnetoresist ance. These oscillat ions are regarded as probable manifest at ions of t he
quant um size effect (QSE). The t hickness dependence of t he Hall coefficient is in st riking disagreement wit h t he predict ions of t he infinit e-
pot ent ial-well model. Bet t er agreement bet ween t he t heory and experiment al result s is obt ained when we assume a less rigid boundary condit ion.
Also for several films we have invest igat ed t he t emperat ure dependence of t hese t hree t ransport coefficient s and found it to be quit e different
from t hat of bulk bismut h. We have at t empt ed to explain t hese result s in t erms of t he behavior of t he carrier concent rat ion and of t he different
scat t ering mechanisms t hat can come into play in t hese films.
ht tp://www.physicsforums.com/showthread.php?t=453008
Measuring the thickness of a thin film of bismuth for Hall Effect experiment.
Hello t here,
I'm an undergrad in my 3rd year and i'm doing an invest igat ion into t he 'Preparat ion of Thin Films and t heir use in Hall Effect measurement s.
We are making t hin films of bismut h on glass (wit h pre drilled t erminals) in a vacuum syst em.
The way t hey suggest measuring t he t hickness is by measuring t he mass of t he film, alt hough t hey are quick to point out t hat t he scales arent t he
most accurat e and will only give a very rough approximat ion.
One way I know read would work would be to have a rect angular / square segment of bismut h and measure it s resist ance, alt hough im not ent irely
sure how to go about t his from a pract ical perspect ive as t he shape of t he bismut h film isnt rect angular, is it possible to do t his for any shape
provided you can easily calculat e t he area?
What ot her met hods would t here be to calculat e t he t hickness. We were told we could request any equipment wit hin reason, I doubt t hey would
give us high t ech expensive spect roscopy equipment for example, however if you know of any reasonably accurat e and not overly t echnical, as im
only an average 3rd year undergrad, t hen I can at least ask and find out if it s possible.
adwodon
PhysOrg.com
Re: Measuring t he t hickness of a t hin film of bismut h for Hall Effect experiment .

Numerically, you can comput e resist ance for any shape, but you basically need to do finit e element analysis. If you're comfort able wit h
programming, it 's not t hat hard to do.
If you place an coil next to t hin conductor film and apply AC, t he induct ance of t he coil at different frequencies will depend on t he t hickness of t he
mat erial, so long as t he film is t hinner t han t he skin layer at t hat frequency. This could give you precision of about 1% in measuring t he t hickness if
you set it up right , and all you'd need is an oscilloscope and a funct ion generator.
ht tp://www.jstage.jst.go.jp/article/ejssnt/7/0/7_ 688/_ article
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 7 (2009) pp.688-692

Sono-electroplating of Bismuth Film From Bi(III)-EDTA Bath
Этот сайт
A. Chiba1) and T.использует
Kojima1)
файлы cookie Google. Это необходимо для его нормальной работы и анализа
трафика. Информация о предполагаемом
1) Depart ment of Mat erials Chemist ry, YokohamaIP-адресе и агенте
Nat ional Universit пользователя, а также показатели
y, Japan
Abst ract :
и безопасности передаются в Google. Это помогает получать качественные
BiOCH3COO and EDTA-4Na статистику использования,
were dissolved in 2 mol/dm3аCH3COOH-2
также выявлять и устранять
mol/dm3 CH3COONa нарушения.
buffer solut ion, and was adjust ed to pH4.1 by adding 2
mol/dm3 CH3COOH or 2 mol/dm3 CH3COONa. 100 cm3 of t his elect rolyt e was used. Elect roplat ed film was obt ained in t he range of 10-100
mA/cm2. Sono-elect roplat ing was carried out smoot hly, because t he mass t ransfer accelerat ed wit h ult rasonic agit at ion and Bi ion was supplied to
elect rode surface. The mass t ransfer and cryst allizat ion processes were most affect ed wit h micro-jet and shock wave pressure. Best condit ions
of sono-elect roplat ing were 0.10 mol/dm3 BiY-, pH 4.0-5.5, 298 K and 10 mA/cm2. Exchange current densit y and react ion rat e const ant in t he
sonicat ion increased compared wit h t hat in t he st at ionary st at e. As for t his, an elect ron react ion became fast by t he micro-jet or a shock wave
pressure. The plat ed film was smoot hness and denseness in sonicat ion compared wit h t hat in st at ionary st at e. It was concluded t hat main factor
t hat t he surface became smoot h was shock wave pressure. [DOI: 10.1380/ejssnt .2009.688]
ht tp://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp802802j
J. Phys. Chem. C, 2008, 112 (31), pp 12018–12023
Magnetotransport Properties of Electrodeposited Bismuth Films
B. O’Brien§, M. Plaza‡, L. Y. Zhu†, L. Perez‡, C. L. Chien† and P. C. Searson*§
Depart ment s of Physics and Ast ronomy and Mat erials Science and Engineering, Johns Hopkins Universit y, Balt imore, Maryland 21218, Depart ment
Fisica de Mat erials, and Universidad Complut ense de Madrid, Madrid, Spain
Publicat ion Dat e (Web): July 10, 2008
Abst ract -- Bismut h is a semimet al wit h unusual t ransport propert ies, such as long mean free pat h and large magnetoresist ance (MR) effect . Here
we report on t he influence of deposit ion pot ent ial, Bi(III) concent rat ion, and t hickness on t he microst ruct ure and morphology of bismut h t hin films.
Polycryst alline bismut h films were deposit ed on gold from bismut h nit rat e solut ion. The t ext ure of t he films is st rongly dependent on deposit ion
pot ent ial and Bi(III) concent rat ion, but only weakly dependent on film t hickness. The film morphology is st rongly dependent on deposit ion pot ent ial
and on film t hickness. The magnetoresist ance (MR) of t he as-deposit ed films was highly dependent film morphology and grain size. Underst anding
t he st ruct ure-propert y relat ionships is an import ant first st ep in opt imizing t he t ransport propert ies of as-deposit ed films and pat t erned feat ures.
ht tp://journals.ohiolink.edu/ejc/article.cgi?issn=10400397&issue=v22i0013&article=1460_ esdbfosvohmi
Элект роанализ, т ом 22, выпуск 13 (июль 2010 г.), с. 1460-1467 гг.
Пленка висмут а, нанесенная ex situ на т рафарет ный угольный элект род: одноразовое уст ройст во для инверсионной
вольт амперомет рии ионов т яжелых мет аллов
Serrano, Núria1; Диас-Крус, Хосе Мануэль1; Ариньо, Кристина1; Эстебан, Микель1
ht tp://cat.inist.fr/?aModele=afficheN&cpsidt=16705070
Analytica chimica acta 2005, vol. 537, № 1-2, ст р. 285-292\
Подгот овка ex situ висмут ового пленочного микроэлект рода для использования в элект рохимическом микроанализе с
десорбцией
Автор(ы)
HUTTON Emily A. (1) ; ХОЧЕВАР Само Б. (1) ; ОГОРЕВЦ Божидар (1) ;
Аннотация -- Представлено исследование по подготовке и характеристике пленочных висмутовых микроэлектродов (BiFME),

сформированных ex sit u, с акцентом, в частности, на их стабильных и надежных электроаналитических характеристиках зачистки.
Предварительное потенциостатическое напыление пленки висмута на микроэлектрод с подложкой из одного углеродного волокна
было исследовано и оптимизировано с целью достижения долговременной электрохимической и механической стабильности пленки.
Несколько важных параметров подготовки пленки, таких как гальванический агент, потенциал и время, а также состав
гальванического раствора, были исследованы в отношении токовых сигналов 40 последовательных измерений адсорбционно-
катодной вольтамперометрии (AdCSV) следов Co (II) в качестве модельного аналита. Также представлено сравнение, Эффективность
зачистки между висмутовыми и ртутными пленочными микроэлектродами выявила явное практическое преимущество BiFME.
Полученный оптимизированный BiFME продемонстрировал, помимо отличной долговременной функциональной стабильности пленки,
привлекательные аналитические характеристики десорбции. При использовании AdCSV с прямоугольным вольтамперометрическим
детектированием была получена высоколинейная характеристика в исследуемом диапазоне концентраций с пределами обнаружения
70 и 90 нг/л и превосходная воспроизводимость с относительным стандартным отклонением 2,4 и 2,9% на уровне 1 мкг/л ( n = 10), для
Co(II) и Ni(II) соответственно, достигается при использовании только 2-минутного времени концентрирования в присутствии
растворенного кислорода. Кроме того, продемонстрирована эффективность предлагаемого ex sit u приготовленного BiFME как в
Этот инверсионной
анодной сайт использует файлы cookie Google.
вольтамперометрии ЭтоCd(II)
(ASV) необходимо для иего
и Pb(II), так нормальной
в AdCSV Co(II) иработы
Ni(II) изиодного
анализаи того же тестового раствора.
BiFME, приготовленный ex sit u, представляет собой многообещающий нетоксичный, экологически чистый микросенсор для
обнаружения и безопасности
в микролокациях передаются
и микрообъемах, в Google.
в частности, Этогде
там, помогает получать
подготовка качественные
висмутового пленочного электрода in sit u неуместна,
услуги,или
неудобна накапливать статистику
невозможна.
использования, а также выявлять и устранять нарушения.
ht tp://oai.dtic.mil/oai/oai?verb=getRecord&metadataPrefix=html&identifier=ADP011026
Исследования диэлект рической проницаемост и образцов т онкопленочных висмут овых нанопроволок с использованием
опт ической рефлект омет рии
Black, MR ; Лин, Ю.-М.; Кронин, С.Б. ; Рабин, О. ; Пади, М.
Реферат: Внутри темплатов из аморфного оксида алюминия сформированы массивы монокристаллических висмутовых
нанопроволок диаметром от 10 до 120 нм. Поскольку висмут имеет небольшую эффективную массу по сравнению с другими
материалами, ожидается, что значительное квантово-механическое ограничение будет иметь место в проволоках диаметром менее
50 микрон. Подзоны, образованные квантовым ограничением, вызывают интересные модификации диэлектрической функции
висмута. В этом исследовании измеряется диэлектрическая функция висмутовых нанопроволок в диапазоне энергий, в котором
предсказываются эффекты квантового ограничения (от 0,05 до 0,5 эВ). С помощью инфракрасной рефлектометрии с
преобразованием Фурье получена зависимость диэлектрической проницаемости от энергии для композитной системы оксид
алюминия/висмут. Теория эффективной среды используется для вычитания эффекта шаблона из оксида алюминия из измерения
композитного материала. что дает диэлектрическую функцию висмутовых нанопроволок. Сильный пик поглощения наблюдается при
ок. 1000/см в частотно-зависимой диэлектрической функции в измеренном диапазоне энергий фотонов. Рассмотрены зависимости
частоты и интенсивности этого осциллятора от поляризации падающего света и диаметра проволоки. Кроме того, сообщается о
зависимости оптического поглощения от легирования нанопроволок сурьмой и теллуром.
ht tp://www.jim.or.jp/journal/e/pdf3/44/02/285.pdf Висмутовые
пленочные элект роды: последние разработ ки и возможност и для элект роанализа

. -пленочные электроды (ПФЭ). Темы включают материалы подложки, методы формирования висмутовой пленки и очистки
электродов, методы обнаружения, помехи и потенциальные целевые аналиты. Наконец, в нем обсуждаются будущие перспективы и
возможности использования BFE в электроанализе.
ht tp://prola.aps.org/abstract/PR/v66/i9-10/p248_ 1
Phys. Rev. 66, 248–252 (1944) Фот опроводимост ь пленок
испаренного висмут а
Альфред Х. Вебер и Лоуренс В. Фридрих, SJ
, физический факультет, Университет Сент-Луиса, Сент-Луис, Миссури
Электропроводность пленок Bi, напыленных на пирексе в глубоком вакууме, измерялась в «темном» состоянии пленок и при
освещении их излучением 2537А. Эффект фотопроводимости наблюдался для всех пленок толщиной менее примерно 292 атомных
слоев независимо от того, был ли Bi осажден при комнатной температуре или при температуре жидкого воздуха. Эффект
фотопроводимости исчезает с увеличением толщины пленки гораздо быстрее для пленок, хранящихся при температуре жидкого
воздуха, чем для пленок при комнатной температуре. Для пленок, осажденных прерывисто (т. е. последовательные слои стареют),
эффект исчезает при толщине слоев около 11 атомов для пленок, осажденных из жидкости при температуре воздуха, и при толщине
слоев около 172 атомов для пленок, осажденных при комнатной температуре. Опыты определенно указывают на вывод, что в этих
пленках нет настоящей фотопроводимости, что пленки, обладающие фотопроводимостью, имеют пятнистую структуру; поэтому
наблюдаемая фотопроводимость приписывается фотоэлектрическому излучению между участками пленки.
ht tp://www.osti.gov/energycitations/product.biblio.jsp?osti_ id=7097214
Сов. J. Низкотемперат урный. физ. (англ. Перевод); (Соединенные Шт ат ы); Объем журнала: 3:9
Критические магнитные поля сверхтонких пленок висмута

Критические поперечные магнитные поля измерялись в пленках висмута толщиной от 70 до 18 А. Установлено, что для диапазона
Этот сайт(5—1,8/sup
температур использует файлы
0/K) cookie Google.полей
и исследованных Это необходимо
зависимость для его нормальной
H/sub работы
C/(T) является и анализа
линейной в слоях висмута,
свежеконденсированных на охлаждаемой жидким гелием подложке. Наклон dH/sub c//dT увеличивается, толщина пленки
уменьшается, и безопасности
достигая значения передаются
95000 Э/град в Google.
для самых Это
тонких помогает
пленок. Это получать качественные
увеличение коррелирует с увеличением удельного
сопротивления статистику
пленки, т. использования,
е. с уменьшением а также выявлять
длины свободного пробегаи электронов
зоны проводимости. Значение фактора A,
полученное из значения критического магнитного поля для пленки толщиной около 20 А (H/sub C/ = Ax10/sup 4/T/sub C/), равно 9,5.
Таким образом, в сверхтонких пленках висмута критическое магнитное поле значительно выше парамагнитного предела. Такое
поведение объясняется большим спин-орбитальным рассеянием в свежеосажденных сверхтонких пленках висмута. При уменьшении
толщины пленки висмута от 40 до 10 А плотность состояний падает примерно в два раза.
Авторы: Лазарев Б.Г.; Семененко, Э.Э.; Тутов В.И.
Дата публикации: 1 сентября 1977
г. Научная организация: Физико-технический институт АН УССР, г. Харьков
www.phys.ufl.edu/~afh/reprints/BiAu_ APL.pdf
Высокое магнитосопротивление пленок висмута-золота, термически осажденных ...

Тонкие пленки висмута, нанесенные на стеклянные подложки путем термической сублимации, являются поликристаллическими с ...
недавними усилиями4–6 по выращиванию тонких пленок висмута, обладающих высокой ...
ht tp://hdl.handle.net/2292/2460
Анодные фильмы о Висмуте
Уильямсе, Дэвиде Эдварде
Дата выпуска: 1974 г.
Ссылка: Диссертация (докторская по химии) – Оклендский университет, 1974 г.
ht tp://www.chemeurope.com/en/publications/83306/directly-heated-bismuth-film-electrodes-based-on-gold-microwires.html
Directly Heated Bismuth Film Electrodes Based on Gold Microwires
As a nontoxic subst it ut e for mercury elect rodes, bismut h elect rodes at t ained a lot of at t ent ion during t he last years. In t his report we describe for
t he first t ime t he preparat ion of t wo different direct ly heat able bismut h-modified microwire elect rodes. We charact erized t he elect rochemical
behaviour using cyclic volt ammet ry in acet at e buffer and alkaline t art rat e solut ion. The bismut h elect rodes show a significant ly wider pot ent ial
window compared wit h bare gold wires. In t he presence of picric acid as one example for t he det ect ion of explosives, t he bismut h elect rodes
deliver higher signals. By applying heat during t he measurement s, t he signals can be enhanced furt her. We used t he t emperat ure pulse amperomet ry
(TPA) t echnique to improve t he elect rochemical response at t he different t ypes of elect rodes. In t his preliminary st udy, we were able to det ect 3
ppm t races of picric acid.
Aut hors: Jacobsen, Mart in; Duwensee, Heiko; Wachholz, Falko; Adamovski, Miriam; Flechsig, Gerd-Uwe
jpsj.ipap.jp/link?JPSJS/76SA/200/pdf
Spin-Orbit Effect s in Thin Bismut h Films
The magnet ic field dependences of t he resist ance of t hin bismut h films wit h a ....
www.freepatentsonline.com
Elect roless bismut h plat ing bat h - Murat a Manufact uring Co., Lt d.
Apr 26, 1994 ... Thus, it has heretofore been regarded impossible to form a bismut h film by elect roless plat ing (refer to "Nikkei Hi-Tech Informat ion"
Jun. 2, 1986 ...
CONTACT OVERUNITY ELECTRICITY:
Address: 9981, Overunit y, Tart aria, Colorado, Unit ed St at es

Phone: +1 303 779 8899
Email: overunit y.elect ricit y.blogspot @gmail.com
News & FAQs about Energy
Генерирует файлы
э нергию cookie :Google.
по запросу Это необходимо
Easy Power для
Plan навсегда его нормальной
изменит наш мир работы и анализа
Загрузите руководство, чтобы узнать, как собрать собственный электрогенератор своими руками: Easy DIY Power Plan
Радиотехнология Теслы и ее применение в производстве электроэнергии: лучистая энергия
ОСТАВИТЬ КОММЕНТАРИЙ

Устройство На Эффекте Холла - Электричество

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Устройство На Эффекте Холла - Электричество

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Устройство, собирающее энергию из эфира - Лучистая энергия

Практическое руководство — всего в одной коробке — способ инженера Морей

✰* Наконец-т о раскрыт о : древнее изобретение генерирует энергию по требованию

«Бескамерный приемник, заявленный профессором, с использованием висмута и мед и» Роберта Бэнгса

Ему еще нет т ридцат и

Процесс описан в диссертации ученого следующим образом:

Physical Review 27: 772-778 (июнь 1926 г.)

Эффект Холла в висмуте в слабых магнит ных полях

Подгот овка. Эксперимент альные схемы

Эксперимент альные результ ат ы и обсуждение

Таблица I: Эффект Холла в висмуте для низких, средних и сильных полей

Gausses Residual emf Residual + Hall emf Net Hall emf -R

0.08 14.1 15.6 1.5 150

Ссылка 1 ~ Риги: Journale d. Physique 3: 127 (1884)

Ссылка. 3 ~ Фон Эттингхаузен и Нернст: Wied. Анна. 29: 343 (1886)

Ссылка. 4 ~ Des Coudres: Phys. Zeit schrift 2: 586 (1901)

Ref. 5 ~ Сарек: Элек. У. Машиненбау 43: 172 (1925)

Патент США 1822129

(8 сентября 1931 г.)

Система и уст ройст во, использующие э ффект Холла

Где E = поперечная разность потенциалов;

I = ток (продольный) через полосу;

H = напряженность магнитного поля

Другие патенты США Палмера Крейга:

Эти патенты в значительной степени повторяют формулу изобретения USP №1,322,129.

Popular Science Май 1927 года

Эффект Холла в слабых магнит ных полях

Physical Review, vol. 29, выпуск 2, ст р. 332-336

Эффект Холла в висмуте с небольшими кучами магнит ных полей

Патенты на пленку висмута

Также опубликовано как: US2011244224 -- KR20110111249 -- CN102213777 РЕШАЕМАЯ

Гибкий термоэлект рический преобразователь э нергии и способ его изгот овления

услуги, накапливать статистику использования, а также выявлять и устранять нарушения.

Настоящее изобретение относится к антиокислительному мелкодисперсному медному порошку и токопроводящей пасте с

Мет аллический материал с висмут овым покрыт ием

Также опубликовано как: EP2280096 -- US2011073484 -- MX2010012956 -- KR20110000755 -- WO2009145088

Phys. Rev. B 38, 3818–3824 (1988)

Рост и определение характерист ик э пит аксиальных пленок висмут а

Д. Л. Партин, Дж. Хереманс, Д. Т. Морелли, С. М. Траш, С. Х. Олк и Т. А. Перри

Физический отдел, Исследовательские лаборатории General Motors, Уоррен, Мичиган 48090

Исследование элект рических свойст в т онких пленок висмут а.

Для сравнения, исследования тонкопленочного висмута часто затруднялись ...

Бугаев А.; Эсмаил, А .; Абдель-Фаттах, М.; Эльсаед-Али, Его Превосходительство;

заявл. Рез. Центр, Университет Олд Доминион, Норфолк, Вирджиния, США

инфракрасная голография на висмут овой пленке

Примечание о фот оэлект рическом пороге пленок висмут а измеренной т олщины.

Особенност и зависимостей ст рукт уры и сопрот ивления пленки висмут а от т олщины

П.Г. Борзяк, В.И. Ватаманюк, Ю.В. А. Кулюпин

14 окт ября 2011 г., 2011/47

Крист аллическая ст рукт ура висмут а различается

с Бене Поелсема, +31 (0)53 489 30 60

«Изменения структуры пленок Bi на Ni(III) под действием квантового размерного эффекта»

Рисунок 1. Длина волны подстраивается под толщину пленки

Parallel magnetoresistance of a polycrystalline bismuthfilm in high magnetic fields

Physical Review, vol. 60, Issue 8, pp. 570-573

Note on the Photoelectric Threshold of Bismuth Films of Measured Thickness

Weber, Alfred H.; Eisele, Louis J.

Electronic Structure of Ultrathin Bismuth Films with A7

High wavevector optical phonons in microstructured Bismuth films

Phys. Rev. B 5, 2029–2039 (1972)

Galvanomagnetic Studies of Bismuth Films in the Quantum-Size-Effect Region