1б - BQ24707 (RUS)

Machine Translated by Google Ссылка
Товар Образец & Технические Инструменты & Поддерживать &
Папка Купить Документы Программного обеспечения Сообщество Дизайн
бк24707, bq24707A
SLUSA78C – ИЮЛЬ 2010 – ПЕРЕСМОТРЕННЫЙ ИЮЛЬ 2015
bq24707x 1-4 Cell Li+ Battery Контроллер заряда SMBus с независимым компаратором
и расширенной защитой цепи
1 Особенности 3 Описание Устройства
1• NMOS-NMOS, управляемая хостом SMBus bq24707 и bq24707A представляют собой высокоэффективные

синхронные зарядные устройства с малым количеством компонентов
Синхронный понижающий преобразователь с программируемой
для приложений с ограниченным пространством и мультихимическими
частотой коммутации 615 кГц, 750 кГц и 885 кГц • Управление
зарядными устройствами.
системой в режиме реального времени на выводе ILIM для
ограничения зарядного тока • Усовершенствованные функции Входной ток, ток заряда и напряжение заряда ЦАП, управляемые SMBus,
обеспечивают очень высокую точность регулирования, которая может
безопасности для защиты от перенапряжения, защиты от
быть легко запрограммирована микроконтроллером управления
перегрузки по току, защиты батареи, катушки индуктивности и MOSFET
питанием системы.
от короткого замыкания • Программируемый входной ток,
напряжение заряда, пределы зарядного тока – ±0,5% Точность Микросхема использует внутренний регистр входного тока или внешний
вывод ILIM для подавления ШИМ-модуляции и уменьшения зарядного
зарядного напряжения до 19,2 В – ±3% Точность зарядного тока до
тока.
8,128 А – ±3% Точность входного тока до 8,064 А – ±2% 20× Точность
Микросхема имеет выход IFAULT для подачи аварийного сигнала в
выходного тока адаптера или зарядного тока
случае отказа полевого МОП-транзистора или перегрузки по току на
щиты батареи, катушки входе. Этот аварийный выход позволяет пользователям отключать
селекторы входной мощности при возникновении неисправности.
Между тем, независимый компаратор с внутренним эталоном доступен
для контроля входного тока, выходного тока или выходного напряжения.
индуктивности и MOSFET
• Обнаружение и индикация программируемого адаптера •
ИС заряжает аккумуляторы Li+ одной, двух, трех или четырех серий и
Независимый компаратор с внутренним эталоном • Встроенная
доступна в 20-выводном корпусе QFN 3,5 × 3,5 мм.
от короткого замыкания ？
система плавного пуска • Встроенная компенсация контура • Рабочий
диапазон адаптера переменного тока от 5 В до 24 В • Ток разряда

Информация об устройстве(1)
батареи в выключенном состоянии 15 мкА • 20-контактный разъем 3,5
Программируемый вх
мм × 3,5 мм Пакет QFN • bq24707: задержка ACOK по умолчанию 1,3 с •
bq24707A: задержка ACOK по умолчанию 1,2 мс

НОМЕР ЧАСТИ
bq24707
УПАКОВКА
ВКФН (20)
РАЗМЕР ТЕЛА (НОМ.)
3,50 мм × 3,50 мм
bq24707A
(1) Все доступные пакеты см. в дополнении к заказу в конце

спецификации.
2 Приложения • Упрощенная схема
Портативные ноутбуки, UMPC, ультратонкие

Повышенная безопасность:
OCP, OVP, FET Короткий
Ноутбуки и нетбуки • Персональные Адаптер

п п
РАК СИС
4,5-24 В Q1 Q2
цифровые помощники • Портативные
терминалы
• Промышленное и медицинское оборудование •

Обнаружение адаптера
bq2707x
Батарея
Пакет
Портативное оборудование SMBus управляет V & I
с высокой точностью Обвинение
Контроллер РСР
SMBus 1С-4С
ХОЗЯИН
Интеграция:
компенсация петли; Мягкий старт
Компаратор
ВАЖНОЕ ЗАМЕЧАНИЕ в конце этого описания касается доступности, гарантии, изменений, использования в критически важных для безопасности приложениях, вопросов
интеллектуальной собственности и других важных отказов от ответственности. ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ДАННЫЕ.
Machine Translated by Google
бк24707, bq24707A
SLUSA78C – ИЮЛЬ 2010 – ПЕРЕСМОТРЕННЫЙ ИЮЛЬ 2015 www.ti.com
Оглавление
1 Функции................................................. ................. 1 2 8.4 Функциональные режимы устройства..................................... 17
Приложения .................................. ............................. 1 3 8.5 Программирование................................................... ................. 18 9
Описание ............... ................................................. 1 4 История Применение и реализация ........ 26 9.1 Информация о
изменений ... ................................................. 2 5 Сравнительная таблица применении...... ...................................... 26 9.2 Типичное

применение ........ ...................................... 26 10 Рекомендации по источнику
устройств ..................................... 3 6 Конфигурация контактов и их
функции.. ....................... 3 7 Технические питания .... ................. 31 11 Компоновка .................................. .................................
характеристики......................... ................................. 5 7.1 Абсолютные 31 11.1 Рекомендации по компоновке ....... ................................. 31 11.2 Пример
компоновки ....... ................................................. 33 12 Устройство и
максимальные значения ................ ................................. 5 7.2 Классы
Документация ................................................ 35 12.1 Поддержка
электростатического разряда........... ................................................ 5
7.3 Рекомендуемые условия эксплуатации... .................... 5 7.4 устройств .................................. ................................. 35 12.2
Тепловая информация................................. ................................ 5 Документация ....................... ................. 35 12.3 Связанные
7.5 Электрические характеристики..................................................... 6 ссылки ...................... .............................. 35
7.6 Требования к синхронизации..................................................... 10 7.7

12.4 Ресурсы сообщества..................................... 35
Типовые характеристики ................................................ 11 8 Подробная
12.5 Товарные знаки ...................................................... ........... 35
информация Описание ...................................................... 14 8.1
Обзор .. ................................................. ............. 14 12.6 Предупреждение об электростатическом разряде ................................
35 12.7 Глоссарий ...................... ................................................. 35
8.2 Функциональная блок-схема ...................................... 15 8.3 Описание
13 Механические, упаковочные и доступные для заказа
функций... ............................................. 16
Информация ...................................................... .......... 36
4 История редакций
ПРИМЕЧАНИЕ. Номера страниц для предыдущих редакций могут отличаться от номеров страниц в текущей версии.
Изменения от редакции B (март 2011 г.) к редакции C Страница
• Добавлена таблица рейтингов электростатических разрядов , раздел « Описание функций », «Режимы работы устройства », раздел «Применение
и реализация» , раздел «Рекомендации по источникам питания» , раздел « Компоновка », раздел «Поддержка устройств и документации» , а
также раздел «Информация о механических компонентах, упаковке и информации для заказа» ......... ................................................. ................................................ 1
Изменения с редакции A (ноябрь 2010 г.) на редакцию B Страница
• Добавлены функции для bq24707 и bq24707A ....................................... ................................................. ...................... 1 • В этот лист данных добавлено устройство
bq24707A.......... ................................................. ................................................. ..... 1 • Добавлен bq24707A в таблицу ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ
ЗАКАЗА ....................................... ................................................. ............ 3 • Добавлена СРАВНИТЕЛЬНАЯ

ТАБЛИЦА ...................... ................................................. ................................................. ..... 3
• Добавлен bq24707 только в тестовое условие первой строки tACOK_FALL_DEG ...................................... .............................................. 10 • Добавлен bq24707A только
к условию проверки tACOK_FALL_DEG второго ряда......................................... .................................... 10 • Добавлено (bq24707) в заголовок рисунка
2... ................................................. ................................................. ................................. 11 • Добавлен новый абзац в раздел «Защита аккумуляторной батареи от
перенапряжения» (BATOVP)......... ................................................ 17 • Изменено описание бита регулировки времени устранения сбоев ACOK в таблице
3.................................. ...................................... 20 • Изменены разделы «Обнаружение адаптера» и «Вывод ACOK». включено 1,3 с для bq24707 и 1,2 мс для
bq24707A................. 24 • Изменено описание элемента U1 в таблице 9 ............ ................................................. ................................................. ... 30
Изменения от оригинального (июль 2010 г.) к редакции A Страница
• Обновлено описание выводов SRN и SRP ........................................ ................................................. .................... 4 • Изменена функциональная блок-схема, рис.
16.................. ................................................. ................................. 26 • Добавлено Добавлен раздел: Защита от отрицательного выходного
напряжения ................................................. .............................................. 27 • Удалено C12, добавлены R14 и R15 в Таблицу
9 ...................................... ................................................. ............................. 30
2 Отправить отзыв о документации Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated.
Ссылки на папки продуктов: bq24707 bq24707A

бк24707, bq24707A
www.ti.com SLUSA78C – ИЮЛЬ 2010 – ПЕРЕСМОТРЕННЫЙ ИЮЛЬ 2015
5 Таблица сравнения устройств
УСЛОВИЕ bq24707 bq24707A
Задержка ACOK по умолчанию 1,3 с 1,2 мс
Предложить полностью заряженную батарею ChargeVoltage() 0В

после завершения Полное напряжение заряда (12,592 В для батареи 3-S)
Предложить полностью заряженную батарею ChargeCurrent() 0А 0А

после завершения
6-контактная конфигурация и функции
Пакет РГР
20-контактный VQFN
Вид сверху
ВКК ФАЗА ВИДРВ BTST РЕГН
20 19 18 17 16
АКН 1 15 ЛОДРВ
АКП 2 14 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
bq24707
CMPOUT 3 13 СРП
bq24707A
CMPIN 4 12 СРН
АКОК 5 11 ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ
6 7 8 9 10
СКЛ ИЛИМ
ПДД
IOUT
АКДЕТ
Функции контактов
ШТЫРЬ
ОПИСАНИЕ
ИМЯ №
Вход обнаружения адаптера. Запрограммируйте допустимый входной порог адаптера, подключив резистор-делитель от входа
АКДЕТ 6 адаптера к контакту ACDET и контакту GND. Когда напряжение на выводе ACDET выше 0,6 В, а VCC выше UVLO, присутствует REGN LDO,
активны компаратор ACOK и IOUT.
Отрицательный вход входного токоизмерительного резистора. Установите дополнительный керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между ACN и GND для фильтрации
АКН 1
синфазного сигнала. Поместите керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между ACN и ACP, чтобы обеспечить дифференциальную фильтрацию.
Адаптер переменного тока обнаруживает выход с открытым стоком. Выход подается на НИЗКИЙ уровень на GND внутренним МОП-
транзистором, когда напряжение на выводе ACDET выше 2,4 В, напряжение на выводе VCC выше UVLO, а напряжение на выводе VCC выше на 245 мВ.
АКОК 5 напряжение на контакте SRN, указывающее на наличие действительного адаптера для начала зарядки. Если любое из вышеперечисленных условий
не может сойтись, он подтягивается к внешней шине подтягивающего питания с помощью внешнего подтягивающего резистора. Подсоедините подтягивающий
резистор 10 кОм от контакта ACOK к подтягивающей шине питания.
Положительный вход входного токоизмерительного резистора. Поместите керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между ACP и GND для фильтрации
АКП 2
синфазного сигнала. Поместите керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между ACN и ACP, чтобы обеспечить дифференциальную фильтрацию.
BTST 17 Источник питания драйвера MOSFET на стороне высокого напряжения. Подключите конденсатор емкостью 0,047 мкФ от BTST к PHASE
и бутстрапный диод Шоттки от REGN к BTST.
Вход независимого компаратора. Компаратор имеет один последовательный резистор на 50 кОм и один подтягивающий резистор на 2000 кОм.
Запрограммируйте напряжение CMPIN, подключив резистор-делитель от вывода IOUT к выводу CMPIN и выводу GND для адаптера
CMPIN 4 или сравнения зарядного тока или от вывода SRN к выводу CMPIN и выводу GND для сравнения напряжения батареи. Внутреннее
опорное напряжение составляет 0,6 В или 2,4 В, выбирается с помощью команды SMBus ChargeOption(). Когда CMPIN выше внутреннего
задания, CMPOUT становится ВЫСОКИМ. Поместите резистор между CMPIN и CMPOUT, чтобы запрограммировать гистерезис.
Выход с открытым стоком независимого компаратора. Поместите подтягивающий резистор 10 кОм от CMPOUT к подтягивающей шине питания.
ВЫХОД 3 Внутреннее опорное напряжение составляет 0,6 В или 2,4 В, выбирается с помощью команды SMBus ChargeOption(). Когда CMPIN выше
внутреннего задания, CMPOUT становится ВЫСОКИМ. Поместите резистор между CMPIN и CMPOUT, чтобы запрограммировать гистерезис.
Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated. Отправить отзыв о документации 3

бк24707, bq24707A
Функции контактов (продолжение)
ШТЫРЬ
ОПИСАНИЕ
ИМЯ №
ЗАЗЕМЛЕНИЕ 14 ИС заземление. На печатной плате подключайтесь к плоскости аналогового заземления и подключайтесь к плоскости заземления питания
только через PowerPAD™ под ИС.
ВИДРВ 18 Выход драйвера силового МОП-транзистора верхнего плеча. Подключитесь к затвору N-канального МОП-транзистора верхней стороны.
Выход с открытым стоком. Выход подается на НИЗКИЙ уровень внутренним МОП-транзистором при обнаружении ACOC или короткого замыкания. В
ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ 11
нормальных условиях выход подтягивается к внешней шине подтягивающего питания с помощью внешнего подтягивающего резистора.
Вход ограничения тока заряда. Запрограммируйте напряжение ILIM, подключив резистор-делитель от опорной шины 3,3 В системы к выводу
ИЛИМ 10 ILIM к выводу GND. Нижнее значение напряжения ILIM или предельного напряжения DAC устанавливает предел регулирования зарядного
тока. Чтобы отключить управление на ILIM, установите ILIM выше 1,6 В. Как только напряжение на выводе ILIM падает ниже 75 мВ, зарядка
отключается. Заряд включается, когда напряжение на выводе ILIM превышает 105 мВ.
Буферизованный адаптер или выход зарядного тока, выбираемый с помощью команды SMBus ChargeOption(). Напряжение IOUT в 20 раз больше
IOUT дифференциального напряжения на чувствительном резисторе. Поместите керамический конденсатор емкостью 100 пФ или менее от IOUT.
пин к GND.
ЛОДРВ 15 Выход драйвера MOSFET нижнего плеча. Подключитесь к затвору N-канального МОП-транзистора на нижней стороне.
ФАЗА 19 Источник драйвера силового МОП-транзистора верхнего плеча. Подключите к истоку N-канального МОП-транзистора верхнего плеча.
Открытая площадка под микросхемой. Аналоговое заземление и заземление питания соединены звездой только на плоскости PowerPAD.
PowerPAD Всегда припаивайте PowerPAD к плате и имейте переходные отверстия на плоскости PowerPAD, соединяющие плоскости аналогового
заземления и земли питания. Прокладка также служит термопрокладкой для рассеивания тепла.
Выход линейного регулятора. REGN является выходом линейного регулятора 6 В, питаемого от VCC. LDO активен, когда напряжение 16 на
РЕГН выводе ACDET выше 0,6 В, а напряжение на VCC выше UVLO. Подсоедините керамический конденсатор емкостью 1 мкФ к
REGN на GND.
Тактовый вход SMBus с открытым стоком. Подключитесь к линии синхронизации SMBus от хост-контроллера или смарт-батареи. Подключите
СКЛ 9
подтягивающий резистор 10 кОм в соответствии со спецификациями SMBus.
Ввод-вывод данных SMBus с открытым стоком. Подключитесь к линии передачи данных SMBus от хост-контроллера или интеллектуальной батареи. Подключите
ПДД 8
подтягивающий резистор 10 кОм в соответствии со спецификациями SMBus.
Отрицательный вход резистора измерения тока заряда. Вывод SRN также предназначен для измерения напряжения батареи. Сначала подключите
вывод SRN к резистору 7,5 Ом, затем от резистора к другому выводу подключите керамический конденсатор 0,1 мкФ к GND для фильтрации синфазного
СРН сигнала 12 и подключите к токоизмерительному резистору. Подключите керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между токоизмерительным резистором,
чтобы обеспечить дифференциальную фильтрацию. См. «Применение и реализация» о защите от отрицательного выходного напряжения от жестких
коротких замыканий при соединении батареи с землей или обратной батареей путем добавления небольшого резистора.
Положительный вход резистора измерения тока заряда. Сначала подключите вывод SRP к резистору 10 Ом, затем от резистора другой вывод
подключите к токоизмерительному резистору. Подключите керамический конденсатор емкостью 0,1 мкФ между токоизмерительным резистором,
СРП 13
чтобы обеспечить дифференциальную фильтрацию. См. Приложение и Реализация о защите от отрицательного выходного напряжения от сильных
коротких замыканий при соединении батареи с землей или обратной батареей путем добавления небольшого резистора.
Входное питание, диод ИЛИ от адаптера или напряжение батареи. Используйте резистор 10 Ом и конденсатор 1 мкФ для заземления в качестве фильтра нижних
ВКК 20
частот для ограничения пускового тока.

бк24707, bq24707A
7 Технические характеристики
7.1 Абсолютные максимальные значения в

диапазоне рабочих температур на открытом воздухе (если не указано иное)(1)(2)
МИН. МАКС. ЕДИНИЦА
СРН, СРП, АКН, АКП, ВКК –0,3 30
ФАЗА –2 30
Напряжение ACDET, SDA, SCL, LODRV, REGN, IOUT, ILIM, ACOK, IFAULT, CMPIN,
–0,3 7
CMPOUT В
БТСТ, ХИДРВ –0,3 36
Максимальное дифференциальное СРП–СРН, АКП–АКН –0,5 0,5

напряжение
Температура перехода, ТДж –40 155 °С
Температура хранения, Тстг –55 155 °С
(1) Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения» , могут привести к необратимому повреждению устройства. Это стресс-рейтинги
только те, которые не подразумевают функциональную работу устройства в этих или каких-либо других условиях, кроме тех, которые указаны в разделе « Рекомендуемые условия
эксплуатации». Воздействие абсолютных максимальных номинальных условий в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.
(2) Все напряжения относятся к GND, если не указано иное. Токи положительны на вход, отрицательны на указанную клемму. Обратитесь к упаковке
Раздел справочника по тепловым ограничениям и соображениям по упаковкам.
7.2 Классы электростатического разряда
ЦЕННОСТЬ ЕД. ИЗМ
Модель человеческого тела (HBM), согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±2000
В (ПАЗ) Электростатический разряд ±500 В

Модель заряженного устройства (CDM), согласно спецификации JEDEC JESD22-
С101(2)
(1) В документе JEDEC JEP155 указано, что 500-В HBM обеспечивает безопасное производство со стандартным процессом контроля электростатического разряда.
(2) В документе JEDEC JEP157 указано, что CDM 250 В обеспечивает безопасное производство со стандартным процессом контроля электростатического разряда.
7.3 Рекомендуемые условия эксплуатации в диапазоне

рабочих температур наружного воздуха (если не указано иное)
МИН. НОМ. МАКС. ЕДИНИЦА
СРН, СРП, АКН, АКП, ВКК 0 24
ФАЗА –2 24
В
Напряжение ACDET, SDA, SCL, LODRV, REGN, IOUT, ILIM, ACOK, IFAULT, CMPIN,
0 6,5
CMPOUT
БТСТ, ХИДРВ 0 30
Максимальная разность напряжений СРП–СРН, АКП–АКН –0,2 0,2 В
Температура перехода, ТДж 0 125°С
7.4 Тепловая информация
bq24707x
ТЕПЛОВОЙ МЕТРИЧЕСКИЙ(1) РГР [VQFN] ЕД. ИЗМ
20 булавок
РОЯ Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 46,8 °С/Вт
RθJC(вверху) Тепловое сопротивление переход-корпус (вверху) 56,9 °С/Вт
RθJB Тепловое сопротивление переход-плата 46,6 °С/Вт
ψJT Параметр характеристики соединения с вершиной 0,6 °С/Вт
ψJB Параметр характеристики соединения с платой 15,3 °С/Вт
RθJC(бот) Тепловое сопротивление переход-корпус (дно) 4.4 °С/Вт
(1) Дополнительные сведения о традиционных и новых тепловых метриках см. в приложении Тепловые метрики для полупроводников и интегральных схем.
отчет, SPRA953.

бк24707, bq24707A
7.5 Электрические характеристики
4,5 В V(VCC) 24 В, 0°C TJ 125°C, типичные значения при TA = 25°C относительно GND (если не указано иное)
ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИН. ТИП МАКС. ЕДИНИЦА
УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ
VVCC_OP VCC Рабочее входное напряжение 4,5 24 В
РЕГУЛИРОВАНИЕ ЗАРЯДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
VBAT_REG_RNG Регулировка напряжения БАТ 1,024 19,2 В
16.716 16,8 16,884 В

Зарядное напряжение () = 0x41A0H
–0,5% 0,5%
12,529 12,592 12,655 В

Зарядное напряжение () = 0x3130H
–0,5% 0,5%
VBAT_REG_ACC Точность регулирования напряжения заряда
8,35 8.4 8,45 В
Зарядное напряжение () = 0x20D0H
–0,6% 0,6%
4.163 4.192 4,221 В

–0,7% 0,7%
РЕГУЛИРОВАНИЕ ЗАРЯДНОГО ТОКА
Дифференциальное напряжение регулирования

VIREG_CHG_RNG VIREG_CHG = VSRP - VSRN 0 81,28 мВ
тока заряда
3973 4096 4219 мА

ЗарядТекущий() = 0x1000H
–3% 3%
1946 г. 2048 2150 мА

–5% 5%
410 512 614 мА

Точность регулирования тока заряда
ICHRG_REG_ACC ЗарядТекущий() = 0x0200H
Токочувствительный резистор 10 мОм –20% 20%
172 256 340 мА

–33% 33%
64 128 192 мА
–50% 50%
РЕГУЛИРОВАНИЕ ВХОДНОГО ТОКА
Дифференциальное напряжение регулирования

VIREG_DPM_RNG VIREG_DPM = VACP — VACN 0 80,64 мВ
входного тока
3973 4096 4219 мА

Входной ток () = 0x1000H
–3% 3%
1946 г. 2048 2150 мА

–5% 5%
Точность регулирования входного тока
IDPM_REG_ACC
Токочувствительный резистор 10 мОм 870 1024 1178 мА
–15% 15%
384 512 640 мА

–25% 25%
ПОДАЧА ТОКА ИЛИ ЗАРЯДКА УСИЛИТЕЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОКА
ВАКП/N_OP Входной общий режим Напряжение на ACP/ACN 4,5 24 В
ВСРП/N_OP Выходной общий режим Напряжение на SRP/SRN 0 19,2 В
ВИУТ Выходное напряжение IOUT 0 1,6 В
IIOUT Выходной ток IOUT 0 1 мА
AIOUT Усиление токочувствительного усилителя V(ICOUT)/V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) 20 В/В

бк24707, bq24707A
Электрические характеристики (продолжение)
V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) = 40,96 мВ V(SRP- –2% 2%
SRN) или V(ACP-ACN) = 20,48 мВ V(SRP-SRN) или –4% 4%
V(ACP-ACN) = 10,24 мВ –15 % V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) = 15%

VIOUT_ACC Точность выхода по току
5,12 мВ –20% V(SRP-SRN) или V(ACP-ACN) = 2,56 мВ –33% 20%
V(SRP-SRN) или V(ACP- ACN) = 1,28 мВ –50 % Для стабильности 33%
при нагрузке от 0 до 1 мА 50%
CIOUT_MAX Максимальная выходная емкость нагрузки 100 пф

РЕГН РЕГУЛЯТОР
VREGN_REG Напряжение регулятора РЭГН VVCC > 6,5 В, VACDET > 0,6 В (нагрузка 0–55 мА) 5,5 6 6,5 В
VREGN = 0 В, VVCC > Заряд УВЛО включен и 65 80

IREGN_LIM не в ТШУТ
Текущий лимит REGN мА
VREGN = 0 В, VVCC > заряд УВЛО отключен 7 16
IREGN_LIM_TSHUT или в ТШУТ
Выходной конденсатор REGN необходим для ILOAD = от 100 мкА до 65 мА 1

КРЕГН мкФ
стабильности
ВХОДНОЙ КОМПАРАТОР БЛОКИРОВКИ ПОНИЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ (UVLO)

ВУВЛО Порог повышения входного минимального напряжения VVCC повышается 3,5 3,75 4В
VUVLO_HYS Гистерезис понижения входного напряжения VVCC 340 мВ
БЫСТРЫЙ СРАВНИТЕЛЬ DPM (FAST_DPM)
Быстрый компаратор DPM прекращает зарядку, 108%

повышая пороговое значение по отношению к
VFAST_DPM пределу входного тока, нарастающему фронту
напряжения на входном чувствительном резисторе
(задается конструкцией)
ТОК ПОКОЯ
Суммарный ток утечки батареи до ISRN VVCC < VBAT = 16,8 В, TJ = 0 до + ISRP +IPHASE + IVCC
МБАТ 15 мкА
+ IACP + IACN 85°С
VVCC > VUVLO, VACDET > 0,6 В, заряд

ОЖИДАНИЕ
Ток покоя в режиме ожидания, IVCC + отключен, TJ = от 0 до 85°C 0,5 1 мА
IACP + IACN
Ток смещения адаптера во время заряда, VVCC > VUVLO, VACDET > 2,4 В, IVCC + IACP + IACN
IAC_NOSW заряд включен, без переключения, TJ = 1,5 3 мА
от 0 до 85°C
Ток смещения адаптера во время заряда, VVCC > VUVLO, VACDET > 2,4 В, зарядка IVCC +
IAC_SW IACP + IACN включена, переключение, MOSFET Sis412DN 10 мА
АКОК КОМПАРАТОР
VACOK_FALL Порог падения ACOK VVCC>VUVLO, VACDET повышается 2,376 2,4 2,424 В
VACOK_RISE_HYS Гистерезис подъема ACOK VVCC>VUVLO, VACDET падает 35 55 75 мВ
VWAKEUP_RISE WAKEUP обнаруживает повышающийся порог VVCC>VUVLO, VACDET повышается 0,57 0,8 В
VWAKEUP_FALL WAKEUP обнаруживает падение порога VVCC>VUVLO, VACDET падает 0,3 0,51 В
СРАВНИТЕЛЬ VCC в SRN (VCC_SRN)

VVCC-SRN_FALL Порог падения VCC-SRN VVCC падает в сторону VSRN 70 125 180 мВ
VVCC-СРН _RHYS Гистерезис нарастания VCC-SRN VVCC поднимается выше VSRN 70 120 170 мВ

бк24707, bq24707A
КОМПАРАТОР IFAULT HIGH SIDE (IFAULT_HI)(1)
Бит ChargeOption() [8:7] = 00 200 300 450

VIFAULT_HI_RISE Порог повышения ACP к PHASE мВ
Бит ChargeOption() [8:7] = 10 (по 450 700 1000
умолчанию)
КОМПАРАТОР НИЖНЕЙ СТОРОНЫ IFAULT (IFAULT_LOW)
VIFAULT_LOW_RISE PHASE к GND повышающемуся порогу 40 110 160 мВ
ВХОДНОЙ МАКСИМАЛЬНЫЙ КОМПАРАТОР ТОКА (ACOC)(1)
Бит ChargeOption() [2:1] = 01 120% 133% 145%

Пороговое значение перегрузки по току адаптера
по отношению к пределу входного тока, передний Бит ChargeOption() [2:1] = 10 (по 150% 166% 180%
ВАКОК
фронт напряжения на входном чувствительном умолчанию)
резисторе
Бит ChargeOption() [2:1] = 11 Бит 200% 222% 240%
ChargeOption() [2:1] = 01 (133%),

InputCurrent() = 0x0400H (10,24
VACOC_мин Минимальное пороговое напряжение фиксации ACOC 40 45 50 мВ
мВ)
Бит ChargeOption() [2:1] = 11

(222%), InputCurrent() = 0x1F80H
VACOC_max Максимальное пороговое напряжение фиксации ACOC 140 150 160 мВ
(80,64 мВ)
Время устранения сбоев ACOC (задается Напряжение на резисторе входного датчика

tACOC_DEG 1,7 2,5 3,3 мс
конструкцией) повышается, чтобы отключить заряд
КОМПАРАТОР ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ BAT (BAT_OVP)
VOVP_RISE Порог повышения напряжения в рост VSRN 103% 104% 106%

процентах от VBAT_REG
VOVP_FALL Порог падения перенапряжения в падение ВСРН 102%

процентах от VBAT_REG
ЗАРЯДКА ПЕРЕГРУЗКИ ТОКА (CHG_OCP)
ЗарядТекущий() = 0x0xxxH 54 60 66 мВ
Пороговое значение превышения тока заряда, ChargeCurrent() = 0x1000H — 80 90 100

мВ
VOCP_RISE измерение падения напряжения на токоизмерительном резисторе 0x17C0H
ChargeCurrent () = 0x1800 H– 110 120 130

мВ
0x1FC0H
ЗАРЯДКА КОМПАРАТОРА ПОНИЖЕННОГО ТОКА (CHG_UCP)
VUCP_FALL Порог падения минимального тока заряда VSRP падает до VSRN 1 5 9 мВ
КОМПАРАТОР ЛЕГКОЙ НАГРУЗКИ (LIGHT_LOAD)
Измерение падения напряжения на мВ

VLL_FALL Порог падения легкой нагрузки 1,25
токоизмерительном резисторе
Измерение падения напряжения на мВ

VLL_RISE_HYST Гистерезис роста легкой нагрузки 1,25
токоизмерительном резисторе
КОМПАРАТОР БАТАРЕИ LOWV (BAT_LOWV)
VBATLV_FALL Порог падения LOWV батареи падение ВСРН 2,4 2,5 2,6 В
VBATLV_RHYST Батарея LOWV нарастающий гистерезис рост VSRN 200 мВ
IBATLV Ограничение тока заряда батареи LOWV Токоизмерительный резистор 10 мОм 0,5 А
КОМПАРАТОР ТЕПЛОВОГО ОТКЛЮЧЕНИЯ (ТШУТ)

ЦУТ Тепловое отключение Повышение температуры Повышение температуры 155 °С
ТШУТ_ХИС Гистерезис отключения при перегреве, падение Падение температуры 20 °С
(1) Пользователь может настроить порог с помощью SMBus ChargeOption() REG0x12.

бк24707, bq24707A
КОМПАРАТОР ИЛИМ
VILIM_FALL ILIM как порог падения CE ВИЛИМ падает 60 75 90 мВ
VILIM_RISE ILIM как порог повышения CE ВИЛИМ поднимается 90 105 120 мВ
ЛОГИЧЕСКИЙ ВХОД (SDA, SCL)

VIN_LO Входной нижний порог 0,8 В
VIN_ привет Входной верхний порог 2.1 В
IIN_ УТЕЧКА Входной ток смещения В=7В –1 1 мкА
ЛОГИЧЕСКИЙ ВЫХОД ОТКРЫТЫЙ СТОК (ACOK, SDA, IFAULT, CMPOUT)

VOUT_ LO Выходное напряжение насыщения ток стока 5 мА 500 мВ
IOUT_ УТЕЧКА Ток утечки В=7В –1 1 мкА
АНАЛОГОВЫЙ ВХОД (АКДЕТ, ИЛИМ)

IIN_ УТЕЧКА Входной ток смещения В=7В –1 1 мкА
АНАЛОГОВЫЙ ВХОД (CMPIN имеет последовательный резистор 50 кОм и подтягивающий резистор 2000 кОм)
IIN_LEAK Входной ток смещения В=7В 1 3,5 7 мкА

ШИМ-ГЕНЕРАТОР
ЖСБ Частота переключения ШИМ Бит ChargeOption() [9] = 0 (по умолчанию) 600 750 900 кГц
ЖСБ+ ШИМ увеличивает частоту Бит ChargeOption() [10:9] = 11 665 885 1100 кГц
ЖСБ– Частота уменьшения ШИМ Бит ChargeOption() [10:9] = 01 465 615 765 кГц
ШИМ-ДРАЙВЕР HIGH-SIDE (HIDRV)

RDS_HI_ON Сопротивление включения драйвера высокой VBTST – VPH = 5,5 В, I = 10 мА 12 20
Ом
стороны (HSD)
RDS_HI_OFF Сопротивление выключения драйвера на стороне высокого напряжения VBTST – VPH = 5,5 В, I = 10 мА VBTST – 0,65 1,3 Ом
VBTST_REFRESH Пороговое напряжение компаратора VPH , когда запрашивается импульс 4.3 4.7
3,85 В
обновления Bootstrap обновления нижней стороны
ШИМ-ДРАЙВЕР НИЗКОЙ СТОРОНЫ (LODRV)
RDS_LO_ON Сопротивление включения драйвера VREGN = 6 В, I = 10 мА 15 25 Ом

низкой стороны (LSD)
RDS_LO_OFF Низкое сопротивление выключения драйвера VREGN = 6 В, I = 10 мА 0,9 1,4 Ом
ВНУТРЕННИЙ МЯГКИЙ СТАРТ
ИСТЭП Размер шага плавного пуска В режиме CCM токоизмерительный резистор 64 мА

10 мОм
НЕЗАВИСИМЫЙ СРАВНИТЕЛЬ (1)
VIC_REF1 Ссылка на компаратор Бит ChargeOption() [4] = 0, нарастающий 0,585 0,6 0,615 В
фронт (по умолчанию)
VIC_REF2 Ссылка на компаратор Бит ChargeOption() [4] = 1, нарастающий 2,375 2,4 2,425 В
фронт
РС Серийный резистор 50 кОм
РВУН Подтягивающий резистор 2000 г. кОм
Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated.

Отправить отзыв о документации 9

бк24707, bq24707A
7.6 Требования к времени

МИН. НОМ. МАКС. ЕДИНИЦА
АКОК КОМПАРАТОР
VVCC>VUVLO, VACDET поднимается выше 2,4 В,

бит ChargeOption() [15] = 0 (по умолчанию), 0,9 1,3 1,7 с
(только bq24707)
tACOK_FALL_DEG Падение ACOK VVCC>VUVLO, VACDET поднимается выше 2,4 В,

(предусмотрено конструкцией) бит ChargeOption() [15] = 0 (по умолчанию), 0,8 1,2 2 РС
(только bq24707A)
VVCC>VUVLO, VACDET превышает 2,4 В, бит 10 50

мкс
ChargeOption() [15] = 1
ШИМ-ДРАЙВЕР
tLOW_HIGH Время простоя драйвера от низкой стороны до высокой стороны 20 нс
tHIGH_LOW Время простоя драйвера от высокой стороны к низкой стороне 20 нс
ВНУТРЕННИЙ МЯГКИЙ СТАРТ
tШАГ Время шага плавного пуска В режиме CCM токоизмерительный резистор 240 мкс
10 мОм
SMBus
тр Время нарастания SCLK/SDATA 1 мкс
тс Время спада SCLK/SDATA 300 нс
tW(H) Ширина импульса SCLK высокая 4 50 мкс
tW(L) Низкая ширина импульса SCLK 4.7 мкс
tSU(STA) Время установки для условия ПУСК 4.7 мкс
tH(STA) Время удержания условия СТАРТ, после которого генерируется первый тактовый импульс 4 мкс
tSU(DAT) Время настройки данных 250 нс
tH(DAT) Время удержания данных 300 нс
tSU(STOP) Время установки для состояния STOP 4 мкс
t(BUF) Время простоя автобуса между состояниями СТАРТ и СТОП 4.7 мкс
ФС(КЛ) Тактовая частота 10 100 кГц
ОШИБКА СВЯЗИ С УСТРОЙСТВОМ
время ожидания Тайм-аут освобождения шины SMBus(1) 25 35 РС
tBOOT Deglitch для сигнала сброса сторожевого таймера 10 РС
tWDI Время ожидания сторожевого таймера, бит 35 44 53 с

ChargeOption() [14:13] = 01(2)
tWDI Период ожидания сторожевого таймера, бит 70 88 105 с

ChargeOption() [14:13] = 10(2)
tWDI Период ожидания сторожевого таймера, бит

140 175 210 с
ChargeOption() [14:13] = 11(2) (по умолчанию)
(1) Устройства, участвующие в тайм-ауте передачи, когда любой низкий уровень тактовых импульсов превышает минимальный период тайм-аута в 25 мс. Устройства,
обнаружившие состояние тайм-аута, должны сбросить связь не позднее максимального периода тайм-аута 35 мс. Как ведущий, так и ведомый должны придерживаться
указанного максимального значения, так как оно включает совокупный предел растяжения как для ведущего (10 мс), так и для ведомого (25 мс).
(2) Пользователь может настроить порог через SMBus ChargeOption() REG0x12.

бк24707, bq24707A
Рис. 1. Временные сигналы связи SMBus
7.7 Типичные характеристики
Таблица 1. Таблица графиков

ФИГУРА
Включение питания VCC, ACDET, REGN и ACOK (bq24707) фигура 2
Включение зарядки с помощью ILIM Рисунок 3

Текущий плавный пуск Рисунок 4
Отключение зарядки по ILIM Рисунок 5
Непрерывное переключение режима проводимости Рисунок 6
Цикл за циклом от синхронного к несинхронному Рисунок 7
100% Duty и Refresh Pulse Рисунок 8
Переходный процесс загрузки системы (входной DPM) Рисунок 9
Установка батареи Рисунок 18
Защита от короткого замыкания аккумулятора на землю Рисунок 10
Короткий переход от батареи к земле Рисунок 11
Эффективность и выходной ток Рисунок 19

бк24707, bq24707A
CH1: VCC, 10 В/дел; CH2: ACDET, 2 В/дел; CH3: ACOK, 5 В/дел; CH4: REGN, 5 В/дел,
200 мс/дел Рис. 2. Включение питания VCC, ACDET, REGN и ACOK (bq24707) CH2: ИЛИМ, 1 В/дел; CH4: ток катушки индуктивности, 1 А/дел, 10 мс/дел
Рис. 3. Включение зарядки с помощью ILIM
CH1: ФАЗА, 10 В/дел; CH2: Vin, 10 В/дел; CH3: LODRV, 5 В/дел; CH4: ток катушки
индуктивности, 2 А/дел, 2 мс/дел Рис. 4. Ток плавного пуска CH2: ИЛИМ, 1 В/дел; CH4: ток катушки индуктивности, 1 А/дел, 4 мкс/дел
Рис. 5. Отключение зарядки с помощью ILIM
CH1: HIDRV, 10 В/дел; CH2: LODRV, 5 В/дел; CH3: ФАЗА, 10 В/дел; CH4: ток CH1: HIDRV, 10 В/дел; CH2: LODRV, 5 В/дел; CH3: ФАЗА, 10 В/дел; CH4: ток
катушки индуктивности, 2 А/дел, 400 нс/дел Рис. 6. Осциллограммы катушки индуктивности, 1 А/дел, 400 нс/ дел
переключения режима непрерывной проводимости

бк24707, bq24707A
CH1: ФАЗА, 10 В/дел; CH2: LODRV, 5 В/дел; CH2: ток батареи, 2 А/дел; CH3: ток адаптера, 2 А/дел;
CH4: ток дросселя, 2 А/дел, 4 мкс/дел CH4: ток нагрузки системы, 2 А/дел, 100 мкс/дел
Рисунок 8. 100 % Duty и импульс обновления Рис. 9. Переходный процесс загрузки системы (входной DPM)
CH1: ФАЗА, 20 В/дел; CH2: LODRV, 10 В/дел; CH3: напряжение батареи, CH1: ФАЗА, 20 В/дел; CH2: LODRV, 10 В/дел; CH3: напряжение батареи, 5 В/дел; CH4:
ток дросселя, 2 А/дел, 2 мс/дел, 5 В/дел; CH4: ток дросселя, 2 А/дел, 4 мкс/дел Рис. 10. Защита от короткого замыкания между аккумулятором и землей
Рис. 11. Короткий переход от аккумулятора к земле

бк24707, bq24707A
8 Подробное описание
8.1 Обзор
Устройство bq24707x представляет собой контроллер заряда батареи с количеством элементов от 1 до 4 и возможностью выбора мощности для портативных устройств с
ограниченным пространством, предназначенных для работы с различными химическими веществами, таких как ноутбуки и съемные ультрабуки. Устройство поддерживает
широкий диапазон источников входного напряжения от 4,5 В до 24 В, а также 1–4-элементную батарею для универсального решения.
Bq24707x имеет функцию динамического управления питанием (DPM) для ограничения входной мощности и предотвращения перегрузки адаптера
переменного тока. Во время зарядки аккумулятора по мере увеличения мощности системы зарядный ток будет уменьшаться, чтобы поддерживать
общий входной ток ниже номинального значения адаптера.
SMBus управляет регистрами входного тока, тока заряда и напряжения заряда с высокой разрешающей способностью и высокой точностью
регулирования.

бк24707, bq24707A
8.2 Функциональная блок-схема
3,75 В
Блок-схема bq24707 и bq24707A
УВЛО **
Пороговое значение или время устранения сбоев настраивается функцией ChargeOption().
ВКК 20
EN_REGN
ВСТАВАЙ
АКДЕТ 6
0,6 В
ХОРОШО
СТОРОЖЕВАЯ СОБАКА
ТАЙМЕР
**
175 с
VCC_SRN
2,4 В
АКОК 5
СТОРОЖЕВАЯ СОБАКА
EN_CHRG
ACOK_DRV 1,3 с нарастающим уровнем устранения сбоев** ТАЙМ-АУТ
(bq24707) 1,2 мс нарастающим уровнем сбоя** (bq24707A)
11 ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ
VREF_IAC
АКП 2 ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ
20X
АКН 1
Тип III ACOK_DRV
IOUT 7 1X МУКС Компенсация
ФБО ИАИ CHARGE_INHIBIT 17 BTST
IOUT_SEL
DAC_VALID ХСОН
ИЛИМ 10
ЕАО 18 ВИДРВ
13 ШИМ
СРП
20X
СРН 12 19 ФАЗА
VREF_ICHG РАМПА EN_REGN
200 мВ **
РЕГН
Частота Я ДЕЛАЮ
16 РЕГН
ВФБ
ИЛИМ
CE ЛСОН
105 мВ 15 ЛОДРВ
VREF_VREG
4 мА в 10 мкА
БАТОВП тж 14 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ЦУТ
ВСТАВАЙ 155С
Логика драйвера
СРП-СРН
CHG_OCP
DAC_VALID 60мВ/90мВ/120мВ
Интерфейс SMBus
CHARGE_INHIBIT
ПДД 8 ChargeOption() VREF_VREG 5 мВ

CHG_UCP
ЗарядТекущий()
Зарядное напряжение () VREF_ICHG СРП-СРН
СКЛ 9 ВводТекущий()
Код производителя() VREF_IAC
Идентификатор устройства()
LIGHT_LOAD 1,25 мВ
IOUT_SEL
СРП-СРН
АКП-PH IFAULT_HI
CMPOUT 3
**
700 мВ
CMPOUT_DRV
PH-GND IFAULT_LO
110 мВ
**
0,6 В
50 кОм АКП-АКН
CMPIN 4 АКОС
1,66xVREF_IAC**
2000 кОм АКП-АКН FAST_DPM
1,08xVREF_IAC
4,3 В ОБНОВИТЬ
БЦТ-РН
ВФБ
БАТОВП
104%VREF_VREG
2,5 В БАТ_НИЗКИЙ В
СРН
ВКК
ВКК-СРН
СРН+245мВ


бк24707, bq24707A
8.3 Описание функции
8.3.1 Автоматический внутренний плавный пуск по току зарядного
устройства Каждый раз, когда включена зарядка, зарядное устройство автоматически применяет плавный пуск по току заряда, чтобы избежать
перерегулирования или нагрузки на выходные конденсаторы или силовой преобразователь. Ток заряда начинается со 128 мА, а размер шага
составляет 64 мА в режиме CCM для токочувствительного резистора 10 мОм. Каждый шаг длится около 240 мкс в режиме CCM, пока не будет достигнут
запрограммированный предел зарядного тока. Для этой функции не требуются внешние компоненты. В режиме DCM размер текущего шага плавного
пуска больше, и каждый шаг длится дольше из-за внутренней медленной реакции режима DCM.
8.3.2 Высокоточный токоизмерительный усилитель
В качестве отраслевого стандарта для контроля входного тока или тока заряда используется высокоточный усилитель тока (CSA), выбираемый через
SMBus (ChargeOption() бит[5] = 0 выбирает входной ток, бит[5] = 1 выбирает ток заряда) хостом. CSA измеряет напряжение на измерительном
резисторе с коэффициентом 20 через вывод IOUT. Как только VCC превышает UVLO, а ACDET превышает 0,6 В, включается CSA, и выход IOUT
становится действительным. Чтобы снизить напряжение при контроле тока, можно использовать резистивный делитель от IOUT до GND, и при этом
может быть достигнута точность по температуре.
Для развязки высокочастотных помех рекомендуется подключить к выходу конденсатор емкостью 100 пФ. Дополнительный RC-фильтр является
необязательным, если требуется дополнительная фильтрация. Добавление фильтрации также добавляет дополнительную задержку ответа.
8.3.3 Тайм-аут зарядки ИС
включает в себя сторожевой таймер для прекращения зарядки, если зарядное устройство не получает команду записи ChargeVoltage() или записи
ChargeCurrent() в течение 175 с (настраивается с помощью команды ChargeOption()). Если происходит тайм-аут сторожевого таймера, все значения
регистров остаются неизменными, но заряд приостанавливается. Команды Write ChargeVoltage() или write ChargeCurrent() должны быть отправлены
повторно, чтобы сбросить сторожевой таймер и возобновить зарядку. Сторожевой таймер можно отключить или установить на 44 с, 88 с или 175 с с
помощью команды SMBus (бит ChargeOption() [14:13]).
После тайм-аута сторожевого таймера запишите бит ChargeOption() [14:13], чтобы отключить сторожевой таймер, а также возобновить зарядку.
8.3.4 Защита от перегрузки по току на входе (ACOC)
ИС не может поддерживать уровень входного тока, если зарядный ток уже снижен до нуля. После того, как ток системы продолжает увеличиваться
до 1,66-кратного уставки входного тока DAC (с временем гашения 2,5 мс), IFAULT устанавливается на низкий уровень, а зарядка отключается на 1,3 с,
и снова выполняется плавный запуск для зарядки, если состояние ACOC исчезает. . Если такой сбой обнаружен семь раз в течение 90 секунд, зарядка
будет заблокирована, и для повторного запуска зарядки потребуется удаление адаптера и отключение системы (сделайте ACDET < 0,6 мВ для сброса
IC). Через 90 секунд счетчик сбоев будет сброшен на ноль, чтобы предотвратить отключение блокировки.
Функцию ACOC можно отключить или можно установить пороговое значение 1,33×, 1,66× или 2,22× от входного тока DPM с помощью команды SMBus
(бит ChargeOption() [2:1]).
8.3.5 Защита от перегрузки по току заряда (CHGOCP)
Микросхема имеет поцикловую защиту от перегрузки по току. Он отслеживает напряжение на SRP и SRN и предотвращает превышение током
порогового значения, основанного на заданном значении зарядного тока ЦАП. Привод затвора верхней стороны отключается на оставшуюся часть
цикла при обнаружении перегрузки по току и возобновляет работу, когда начинается следующий цикл.
Порог заряда OCP автоматически устанавливается равным 6 А, 9 А и 12 А на токоизмерительном резисторе 10 мОм на основе значения регистра
тока заряда. Это предотвращает слишком высокое пороговое значение, что небезопасно, или слишком низкое, что может сработать при нормальной
работе. Следует выбрать правильную индуктивность, чтобы предотвратить срабатывание OCP при нормальной работе из-за высоких пульсаций
тока катушки индуктивности.
8.3.6 Защита аккумуляторной батареи от перенапряжения (BATOVP)
ИС не позволит полевым транзисторам верхнего и нижнего плеча включиться, когда напряжение батареи на SRN превышает 104 % уставки
напряжения регулирования. Если BATOVP длится более 30 мс, зарядное устройство полностью отключается. Это позволяет быстро реагировать на
состояние перенапряжения, например, при снятии нагрузки или отсоединении батареи.
Потребление тока 4 мА от SRN к GND включено только во время BATOVP и позволяет разряжать накопленную энергию выходного дросселя, которая
передается на выходные конденсаторы.

бк24707, bq24707A
Описание функции (продолжение)
Некоторые газоанализаторы аккумуляторных батарей устанавливают регистры ChargeVoltage() и ChargeCurrent() на 0 В и 0 А после полной
зарядки аккумуляторной батареи. Если регистр ChargeVoltage() установлен на 0 В, bq24707 запускает BATOVP, и ток 4 мА разряжает аккумулятор.
Для bq24707 рекомендуется установить регистр ChargeVoltage() на полное напряжение заряда (например, 12,592 В для батареи 3-S) после
полной зарядки батареи. Bq24707A не запускает BATOVP, и нет тока 4 мА для разрядки аккумуляторной батареи, если регистр ChargeVoltage()
установлен на 0 В. Для bq24707A рекомендуется установить регистр ChargeVoltage() на 0 В после того, как аккумулятор разрядится. полностью
заряжена.
8.3.7 Замыкание батареи на землю (BATLOWV)
Микросхема отключит заряд на 1 мс, если напряжение батареи на SRN упадет ниже 2,5 В. После сброса на 1 мс заряд возобновится с плавным
пуском, если выполнены все условия включения в секциях Enable и Disable Charging .
Это предотвращает любой выброс тока в катушке индуктивности, который может насытить катушку индуктивности и повредить полевой МОП-
транзистор. Ток заряда ограничен до 0,5 А на токоизмерительном резисторе 10 мОм, когда состояние BATLOWV сохраняется, а LSFET остается
выключенным. LSFET включается только для освежающего импульса для зарядки конденсатора BTST.
8.3.8 Защита от перегрева (TSHUT)
Корпус QFN имеет низкий тепловой импеданс, который обеспечивает хорошую теплопроводность от кремния к окружающей среде, что
позволяет поддерживать низкие температуры переходов. В качестве дополнительного уровня защиты преобразователь зарядного устройства
отключается для самозащиты всякий раз, когда температура перехода превышает 155°C. Зарядное устройство остается выключенным до тех
пор, пока температура перехода не упадет ниже 135°C. Во время теплового отключения ограничение тока REGN LDO снижается до 16 мА.
Как только температура упадет ниже 135°C, зарядку можно возобновить с помощью плавного пуска.
8.4 Функциональные режимы устройства
8.4.1 Включение и отключение зарядки В режиме
зарядки должны выполняться следующие условия для запуска зарядки: • Зарядка разрешена
через SMBus (ChargeOption(), бит [0] = 0, по умолчанию 0, зарядка включена). • Напряжение на выводе ILIM выше 105 мВ.
• Для всех трех ЦАП ограничения регулирования запрограммировано действительное значение. • ACOK действителен
( подробности см. в разделе Обнаружение адаптера и вывод ACOK ). • VSRN не превышает порога BATOVP. • Температура
ИМС не превышает порог ТШУТ. • Не в состоянии ACOC ( подробности см. в разделе «Защита от перегрузки по току на
входе» (ACOC) ).
Текущая зарядка останавливается при одном из следующих условий:

• Зарядка через SMBus запрещена (ChargeOption(), бит[0] = 1). • Напряжение на
выводе ILIM ниже 75 мВ. • Один из трех DAC пределов регулирования установлен
на 0 или вне допустимого диапазона. • ACOK получает высокий уровень
( подробности см. в разделе Обнаружение адаптера и вывод ACOK ). • VSRN превышает порог
BATOVP. • Достигнут порог температуры ИМС ТШУТ. • Обнаружен ACOC ( подробности см. в
разделе Защита от перегрузки по току (ACOC) ). • Обнаружено короткое замыкание ( подробнее
см. «Короткое замыкание индуктора», «Защита MOSFET от короткого замыкания »). • Срок
действия сторожевого таймера истекает, если сторожевой таймер включен ( подробности см. в разделе
Время ожидания зарядки ).
8.4.2 Режим непрерывной проводимости (CCM)
При достаточном зарядном токе ток индуктора ИС никогда не пересекает ноль, что определяется как непрерывный режим проводимости.
Контроллер начинает новый цикл с рампой, нарастающей от 200 мВ. Пока напряжение EAO выше линейного напряжения, полевой МОП-
транзистор верхнего плеча (HSFET) остается включенным. Когда линейное напряжение превышает напряжение EAO, HSFET выключается, а
MOSFET нижнего плеча (LSFET) включается. В конце цикла рампа сбрасывается, и LSFET выключается, готовый к следующему циклу. Во время
перехода всегда существует логика «разорвать, прежде чем сделать», чтобы предотвратить перекрестную проводимость и сквозное
прохождение. В мертвое время, когда оба МОП-транзистора выключены, внутренний диод силового МОП-транзистора нижнего плеча проводит
ток дросселя.


бк24707, bq24707A
Функциональные режимы устройства (продолжение)
В режиме CCM ток катушки индуктивности всегда течет и создает фиксированную двухполюсную систему. Включение LSFET снижает
рассеиваемую мощность и обеспечивает безопасную зарядку при высоких токах.
8.4.3 Режим прерывистой проводимости (DCM)
Во время выключения HSFET, когда LSFET включен, ток катушки индуктивности уменьшается. Если ток достигает нуля, преобразователь
переходит в режим прерывистой проводимости. В каждом цикле, когда напряжение на SRP и SRN падает ниже 5 мВ (0,5 А на 10 мОм),
компаратор защиты от минимального тока (UCP) отключает LSFET, чтобы избежать отрицательного тока катушки индуктивности,
который может усилить систему через внутренний диод HSFET.
В режиме DCM отклик контура автоматически изменяется. Он меняется на однополюсную систему, и полюс пропорционален току
нагрузки.
И CCM, и DCM работают синхронно, при этом LSFET включается каждый такт. Если средний ток заряда падает ниже 125 мА на
токоизмерительном резисторе 10 мОм или напряжение батареи падает ниже 2,5 В, LSFET остается выключенным. Зарядное устройство
работает в асинхронном режиме, и ток протекает через диод корпуса LSFET. Во время несинхронной работы LSFET включается только
для освежающего импульса для зарядки конденсатора BTST. Если средний зарядный ток превышает 250 мА на токоизмерительном
резисторе 10 мОм, LSFET выходит из несинхронного режима и переходит в синхронный режим, чтобы уменьшить потери мощности
LSFET.
8.5 Программирование
8.5.1 Интерфейс SMBus
IC работает как ведомое устройство, получая управляющие входы от хоста встроенного контроллера через интерфейс SMBus. IC
использует упрощенный набор команд, описанных в Спецификации шины управления системой версии 1.1, которую можно загрузить
с сайта www.smbus.org. IC использует протоколы SMBus Read-Word и Write-Word (см. рис. 12) для связи с интеллектуальной батареей. IC
работает только как ведомое устройство SMBus с адресом 0b00010010 (0x12H) и не инициирует обмен данными по шине. Кроме того,
микросхема имеет два идентификационных регистра: 16-битный регистр идентификатора устройства (0xFFH) и 16-битный регистр
идентификатора производителя (0xFEH).
Связь SMBus включается при следующих условиях: • VVCC выше UVLO. •

VACDET выше 0,6 В.
Выводы данных (SDA) и тактового сигнала (SCL) имеют входы триггера Шмитта, которые могут обрабатывать медленные фронты.
Выберите подтягивающие резисторы (10 кОм) для SDA и SCL, чтобы обеспечить время нарастания в соответствии со спецификациями SMBus.
Коммуникация начинается, когда мастер сигнализирует условие СТАРТ, которое представляет собой переход с высокого уровня на
низкий на SDA, в то время как SCL имеет высокий уровень. Когда мастер завершает обмен данными, он выдает состояние STOP, которое
представляет собой переход от низкого уровня к высокому на SDA при высоком уровне SCL. После этого автобус освобождается для
другой передачи. На Рисунке 13 и Рисунке 14 показаны временные диаграммы сигналов на интерфейсе SMBus. Байт адреса, байт
команды и байты данных передаются между состояниями СТАРТ и СТОП. Состояние SDA изменяется только при низком уровне SCL, за
исключением условий START и STOP. Данные передаются в 8-битных байтах и выбираются по переднему фронту SCL. Для передачи
каждого байта в IC или из нее требуется девять тактов, потому что либо ведущий, либо подчиненный подтверждает получение
правильного байта в течение девятого такта. ИС поддерживает команды зарядного устройства, как описано в таблице 2.

бк24707, bq24707A
Программирование (продолжение)
а) Формат Write-Word
РАБ КОМАНДА НИЗКИЙ ДАННЫЙ ВЫСОКИЕ ДАННЫЕ
С ПОДТВЕРЖДЕНИЕ п
АДРЕС БАЙТ БАЙТ БАЙТ
ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ
7 бит 1б 1б 8 бит 1б 8 бит 1б 8 бит 1б
старший бит младший бит 0 0 старший бит младший бит 0 старший бит младший бит 0 старший бит младший бит 0
Предустановлен на 0b0001001 Ток заряда() = 0x14H D7 D0 Д15 Д8

Входной ток () = 0x3FH
Вариант зарядки () = 0x12H
б) Формат Read-Word
РАБ КОМАНДА РАБ НИЗКИЙ ДАННЫЙ ВЫСОКИЕ ДАННЫЕ

С ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ С р ПОДТВЕРЖДЕНИЕ НАК п
БАЙТ
ПОДТВЕРЖДЕНИЕ
АДРЕС БАЙТ АДРЕС БАЙТ
7 бит 1б 1б 8 бит 1б 7 бит 1б 1б 8 бит 1б 8 бит 1б
старший бит младший бит 0 0 старший бит младший бит 0 старший бит младший бит 1 0 старший бит младший бит 0 старший бит младший бит 1
Предустановлен на 0b0001001 Идентификатор устройства () = 0xFFH Предустановлен Д7 Д0 Д15 Д8

ID производителя () = 0xFEH на 0b0001001
Входной ток () = 0x3FH
Вариант зарядки () = 0x12H ЛЕГЕНДА:
S = УСЛОВИЕ ЗАПУСКА ИЛИ УСЛОВИЕ ПОВТОРНОГО ЗАПУСКА P = УСЛОВИЕ ОСТАНОВА
ACK = ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ЛОГИЧЕСКИЙ-НИЗКИЙ) NACK = НЕ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ЛОГИЧЕСКИЙ-ВЫСОКИЙ)
W = БИТ ЗАПИСИ (ЛОГИЧЕСКИЙ-НИЗКИЙ) R = БИТ ЧТЕНИЯ (ЛОГИЧЕСКИЙ-ВЫСОКИЙ)
ХОЗЯИН ДЛЯ РАБОВ

РАБ ХОЗЯИНУ
Рис. 12. Протоколы SMBus Write-Word и Read-Word
Рисунок 13. Время записи SMBus
А Б С Д ЭФ грамм ЧАС я Дж К
ДО БЕДРА
А = УСЛОВИЯ НАЧАЛА E = ПОДЧИНЕННЫЙ ТЯГАЕТ ЛИНИЮ SMBDATA LOW I = ПОДТВЕРЖДЕНИЕ ИМПУЛЬСА ЧАСОВ
B = MSB АДРЕСА, СИНХРОНИЗИРОВАННОГО В ПОДЧИНЕННОМ F = БИТ ПОДТВЕРЖДЕНИЯ СИНХРОНИЗИРОВАН В ГЛАВНОМ J = УСЛОВИЕ ОСТАНОВА
C = LSB АДРЕСА, СИНХРОНИЗИРОВАННОГО В ПОДЧИНЕННОМ G = MSB ДАННЫХ, СИНХРОНИЗИРОВАННЫХ В MASTER K = НОВОЕ УСЛОВИЕ НАЧАЛА
D = БИТ ЧТЕНИЯ/ЗАПИСЫВАНИЯ СИНХРОНИЗИРУЕТСЯ В ПОДЧИНЕННОМ H = LSB ДАННЫХ, СИНХРОНИЗИРОВАННЫХ В MASTER
Рис. 14. Время чтения SMBus

бк24707, bq24707A
Программирование (продолжение)
8.5.2 Команды зарядного устройства батареи IC
поддерживает шесть команд зарядного устройства батареи, использующих протоколы Write-Word или Read-Word, как показано в таблице 2. Для
идентификации IC можно использовать идентификаторы производителя() и DeviceID(). Команда ManufacturerID() всегда возвращает 0x0040H, а команда
DeviceID() всегда возвращает 0x000AH.
Табл. 2. Сводка команд зарядного устройства аккумулятора
РЕГИСТРАЦИЯ АДРЕС ЗАРЕГИСТРИРОВАТЬ ИМЯ ЧИТАЙ ПИШИ ОПИСАНИЕ СОСТОЯНИЕ ПОР
0x12H ChargeOption() Читать или писать Управление опциями зарядного устройства 0x7904H
0x14H ЗарядТекущий() Читать или писать 7-битная настройка тока заряда 0x0000H
0x15H Зарядное напряжение () Читать или писать 11-битная настройка напряжения заряда 0x0000H
0x3FH ВводТекущий() Читать или писать 6-битная установка входного тока 0x1000H
0XFEH ID производителя () Только чтение Идентификатор производителя 0x0040H
0xFFH Идентификатор устройства() Только чтение Идентификатор устройства 0x000AH
8.5.3 Настройка параметров зарядного
устройства Написав команду ChargeOption() (0x12H или 0b00010010), микросхема позволяет пользователям изменять несколько параметров зарядного
устройства после POR (сброса при включении питания), как показано в таблице 3.
Таблица 3. Регистр параметров оплаты (0x12h)
КУСОЧЕК НАЗВАНИЕ БИТА ОПИСАНИЕ
[15] ACOK Deglitch Time Настройте время устранения сбоев ACOK.

Регулировать 0: Время устранения сбоев ACOK 1,3 с для bq24707, 1,2 мс для bq24707A <по умолчанию для POR> 1: Время
устранения сбоев ACOK установлено на минимум (<50 мкс).
Чтобы изменить эту опцию, напряжение на выводе VCC должно быть выше UVLO, а напряжение на выводе ACDET должно быть выше 0,6 В,
чтобы включить связь IC SMBus, и установите этот бит в 1, чтобы отключить таймер устранения сбоев ACOK. После POR значение бита по
умолчанию равно 0, а время устранения сбоев ACOK составляет 1,3 с для bq24707 и 1,2 мс для bq24707A.
[14:13] Таймер WATCHDOG Установите максимальную задержку между последовательными командами записи напряжения заряда или тока заряда SMBus. Зарядка приостанавливается,
Регулировать если ИС не получает команды записи напряжения заряда или записи тока заряда в течение периода времени сторожевого устройства и
включен сторожевой таймер.
Заряд возобновляется после получения команды записи напряжения заряда или записи тока заряда, когда истекает время
сторожевого таймера и заряд приостанавливается.
00: отключить сторожевой таймер 01:
включить, 44 с 10: включить, 88 с 11:
включить сторожевой таймер (175 с)
<по умолчанию для POR>
[12:11] Не используется 11 в ПОР
[10] Переключение электромагнитных помех 0: уменьшить частоту переключения ШИМ на 18% <по умолчанию при POR>
Регулировка частоты 1: увеличить частоту переключения ШИМ на 18%
[9] Переключение электромагнитных помех 0: Отключить регулировку частоты ШИМ <по умолчанию в POR> 1: Включить
Активация частоты регулировку частоты ШИМ Защита от короткого замыкания Пороговое значение
[8:7] IFAULT_HI падения напряжения на МОП-транзисторах верхнего плеча.

Компаратор 00: 300 мВ
Настройка порога 01: 500 мВ 10:
700 мВ <по умолчанию при POR> 11: 900
мВ
[6] Не используется 0 в ПОР
[5] Выбор IOUT 0: IOUT — это 20-кратный выход усилителя тока адаптера <по умолчанию для POR>
1: IOUT — это 20-кратный выход усилителя зарядного тока.
[4] Компаратор 0: 0,6 В <по умолчанию для POR> 1:
Настройка порога 2,4 В
[3] Не используется 0 в ПОР

бк24707, bq24707A
Таблица 3. Регистр опций зарядки (0x12h) (продолжение)

[2:1] Порог ACOC 00: отключить ACOC

Регулировать 01: 1,33× предел регулирования входного тока 10:
1,66× предел регулирования входного тока <по умолчанию в POR> 11: 2,22×
предел регулирования входного тока
[0] Запрет зарядки 0: Включить зарядку <по умолчанию в POR>

1: запретить зарядку
8.5.4 Установка тока заряда Чтобы установить
ток заряда, напишите 16-битную команду ChargeCurrent() (0x14H или 0b00010100), используя формат данных, указанный в таблице 4. С
резистором 10 мОм микросхема обеспечивает ток заряда. диапазон от 128 мА до 8,128 А с шагом 64 мА. Отправка ChargeCurrent() ниже 128 мА
или выше 8,128 А очищает регистр и прекращает зарядку. При POR ток заряда равен 0 А. Конденсатор 0,1 мкФ между SRP и SRN для
дифференциальной фильтрации, конденсатор 0,1 мкФ между SRN и землей для фильтрации синфазного сигнала и дополнительный конденсатор
0,1 мкФ между SRP и землей для рекомендуется фильтрация синфазных помех. Между тем, емкость на SRP не должна превышать 0,1 мкФ, чтобы
правильно измерять напряжение на SRP и SRN для поциклового обнаружения минимального и максимального тока.
Выводы SRP и SRN используются для измерения RSR со значением по умолчанию 10 мОм. Однако можно использовать и резисторы других
номиналов. Чем больше чувствительный резистор, тем больше считываемое напряжение и более высокая точность регулирования, но за счет
более высоких потерь проводимости. Если значение резистора измерения тока слишком велико, это может привести к срабатыванию порога
защиты от перегрузки по току из-за слишком высокого напряжения пульсаций тока. В таком случае следует использовать либо более высокое
значение индуктивности, либо более низкое значение токочувствительного резистора, чтобы ограничить текущий уровень пульсаций напряжения.
TI рекомендует номинал токоизмерительного резистора не более 20 мОм.
Для обеспечения вторичной защиты микросхема имеет вывод ILIM, с помощью которого пользователь может запрограммировать максимально
допустимый зарядный ток. Внутренний предел тока заряда является нижним значением между напряжением, установленным функцией
ChargeCurrent(), и напряжением на выводе ILIM. Чтобы отключить эту функцию, пользователь может поднять ILIM выше 1,6 В, что является
максимальным пределом регулирования тока заряда. Следующее уравнение показывает, какое напряжение должно прибавляться к выводу
ILIM по отношению к предпочтительному пределу зарядного тока: V = 20 × VV = 20 I.
р
ИЛИМ СРП СРН CHG СР (1)
Таблица 4. Регистр зарядного тока (0x14h) с использованием считывающего резистора 10 мОм

0 Не используется.
6 Ток заряда, DACICHG 0 0 = добавляет 0 мА тока зарядного устройства.

1 = добавляет 64 мА тока зарядного устройства.



1 = добавляет 512 мА зарядного тока.




бк24707, bq24707A
Табл. 4. Регистр зарядного тока (0x14h) с использованием считывающего

резистора 10 мОм (продолжение)
8.5.5 Установка зарядного напряжения
Чтобы установить выходное напряжение регулирования заряда, напишите 16-битную команду ChargeVoltage() (0x15H или 0b00010101),
используя формат данных, указанный в Таблице 5. ИС обеспечивает диапазон напряжения заряда от 1,024 В до 19,200 В с шагом 16 мВ.
Отправка ChargeVoltage() ниже 1,024 В или выше 19,2 В очищает регистр и прекращает зарядку. При POR предел напряжения заряда
равен 0 В.
Вывод SRN используется для измерения напряжения батареи для регулирования напряжения и должен быть подключен как можно
ближе к батарее, а непосредственно к микросхеме должен быть подключен развязывающий конденсатор (рекомендуется 0,1 мкФ) для
развязки высокочастотного шума.
Таблица 5. Регистр напряжения заряда (0x15h)
4 Напряжение заряда, DACV 0 0 = добавляет 0 мВ напряжения зарядного устройства.

1 = добавляет 16 мВ напряжения зарядного устройства.









14 Напряжение заряда, DACV 10 0 = Добавляет 0 мВ напряжения зарядного устройства.

8.5.6 Настройка входного тока Ток
системы обычно колеблется, когда части системы включаются или переводятся в спящий режим. Ограничение входного тока позволяет
снизить требования к выходному току настенного адаптера переменного тока, что снижает стоимость системы.
Общий входной ток от настенного блока или другого источника постоянного тока представляет собой сумму тока питания системы и
тока, потребляемого зарядным устройством. Когда входной ток превышает установленный предел входного тока, ИС уменьшает ток
заряда, чтобы обеспечить приоритет току нагрузки системы. По мере увеличения тока системы доступный зарядный ток линейно падает
до нуля. После этого весь входной ток идет на нагрузку системы, а входной ток увеличивается.
При регулировании DPM общий входной ток представляет собой сумму тока питания устройства IBIAS, входного тока зарядного
устройства и тока нагрузки системы ILOAD и может быть оценен следующим образом:

бк24707, bq24707A
В АККУМУЛЯТОР
+
я
АККУМУЛЯТОР
я =я
ВХОДНАЯ НАГРУЗКА
+я
V Вη
ПРЕДВЗЯТОСТЬ
где • η
— КПД понижающего преобразователя зарядного устройства (обычно от 85% до 95%). (2)

Чтобы установить ограничение входного тока, напишите 16-битную команду InputCurrent() (0x3FH или 0b00111111), используя формат данных,
указанный в Таблице 6. При использовании считывающего резистора 10 мОм ИС обеспечивает диапазон ограничения входного тока 128 мА
до 8,064 А, с разрешением 128 мА. Предел входного тока рекомендуется установить не менее 512 мА. Отправка InputCurrent() ниже 128 мА или
выше 8,064 А очищает регистр и прекращает зарядку. При POR ограничение входного тока по умолчанию составляет 4096 мА.
Выводы ACP и ACN используются для обнаружения RAC со значением по умолчанию 10 мОм. Однако можно использовать и резисторы других
номиналов. С большим чувствительным резистором достигается большее считываемое напряжение и более высокая точность регулирования;
но за счет более высоких потерь проводимости.
Вместо использования внутреннего контура DPM пользователь может создать внешний контур регулирования входного тока и получить
сигнал обратной связи на ILIM. Чтобы отключить внутреннюю петлю DPM, установите значение регистра ограничения входного тока на
максимальное значение 8,064 А или значение, намного превышающее уставку внешнего DPM.
Если входной ток превысит 108 % уставки ограничения входного тока, зарядное устройство немедленно отключится, чтобы входной ток быстро
упал. После прекращения зарядки программное обеспечение зарядного устройства перезапускается для зарядки аккумулятора, если в адаптере
еще остается заряд для зарядки аккумулятора. Это предотвращает перегрузку адаптера и сбой, когда система имеет высокий и быстрый
переходный процесс загрузки. Время ожидания между выключением и перезапуском зарядки является естественным временем отклика
контура ограничения входного тока.
Таблица 6. Регистр входного тока (0x3fh) с использованием считывающего резистора 10 мОм
7 Входной ток, DACIIN 0 0 = Добавляет 0 мА входного тока.

1 = добавляет 128 мА входного тока.
8.5.7 Обнаружение адаптера и вывод ACOK
Микросхема использует компаратор ACOK для определения источника питания на выводе VCC, будь то батарея или адаптер. Делитель
напряжения с внешним резистором ослабляет напряжение адаптера, прежде чем оно поступит на ACDET. Порог обнаружения адаптера обычно
должен быть запрограммирован на значение, превышающее максимальное напряжение батареи, но ниже максимально допустимого
напряжения адаптера.

бк24707, bq24707A
Для выхода ACOK с открытым стоком требуется внешний подтягивающий резистор к цифровой шине системы для обеспечения высокого уровня.
Его можно заземлить при следующих условиях: • VVCC > UVLO. • 2,4 В < VACDET (не в условиях низкого входного напряжения). • VVCC–VSRN > 245 мВ
(не в спящем режиме).
Задержка по умолчанию составляет 1,3 с для bq24707 и 1,2 мс для bq24707A после того, как ACDET имеет допустимое напряжение, чтобы перевести
ACOK в низкий уровень. Задержку можно уменьшить с помощью команды SMBus (ChargeOption() бит[15] = 0 задержка ACOK 1,3 с для bq24707 и 1,2 мс
для bq24707A, бит[15] = 1 ACOK без задержки). Чтобы изменить эту опцию, напряжение на выводе VCC должно быть выше UVLO, а напряжение на
выводе ACDET должно быть выше 0,6 В, чтобы включить связь IC SMBus, и установить бит ChargeOption() [15] в 1, чтобы отключить таймер устранения
сбоев ACOK.
8.5.8 Работа преобразователя
Синхронный понижающий ШИМ-преобразователь использует схему управления в режиме напряжения с фиксированной частотой и внутреннюю
компенсационную сеть типа III. Выходной LC-фильтр генерирует следующую характеристическую резонансную частоту:
1
о
знак равно
2 ЛК оо (3)
Резонансная частота fo используется для определения компенсации, чтобы обеспечить достаточный запас по фазе и запас по усилению для целевой
полосы пропускания. Выходной LC-фильтр следует выбирать таким образом, чтобы он генерировал номинальную резонансную частоту 10–20 кГц
для достижения наилучших характеристик. Предлагаемые значения компонентов на зарядный ток при частоте переключения по умолчанию 750
кГц показаны в таблице 7.
Керамические конденсаторы демонстрируют эффект смещения постоянного тока. Этот эффект снижает эффективную емкость, когда на керамический
конденсатор подается постоянное напряжение смещения, например, на выходной конденсатор зарядного устройства. Эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно для высоких выходных напряжений и небольших конденсаторных блоков. См. спецификацию
производителя о характеристиках при подаче постоянного напряжения смещения. Может оказаться необходимым выбрать более высокое
номинальное напряжение или значение номинальной емкости, чтобы получить требуемое значение в рабочей точке.
Таблица 7. Рекомендуемые значения компонентов на ток заряда при частоте переключения 750 кГц по
умолчанию
ЗАРЯДНЫЙ ТОК 2А 3А 4А 6А 8А
Выходная индуктивность Lo (мкГн) 6,8 или 8,2 5,6 или 6,8 3,3 или 4,7 3.3 2.2
Выходной конденсатор Co (мкФ) 20 20 20 30 40
Чувствительный резистор (мОм) 10 10 10 10 10
ИС имеет три контура регулирования: входной ток, зарядный ток и зарядное напряжение. Три контура объединены внутри усилителя ошибки.
Максимальное напряжение трех контуров появляется на выходе усилителя ошибки EAO (см. ). Внутреннее пилообразное линейное изменение
сравнивается с внутренним сигналом EAO управления ошибкой для изменения рабочего цикла преобразователя. Рампа имеет смещение 200 мВ,
чтобы обеспечить 0% рабочего цикла.
Когда напряжение заряда батареи приближается к входному напряжению, сигнал EAO может превысить пилообразный пик, чтобы получить 100%
рабочий цикл. Если напряжение на выводах BTST и PHASE падает ниже 4,3 В, запускается цикл обновления, и для перезарядки конденсатора BTST
включается силовой N-канальный МОП-транзистор нижнего плеча. Он может достигать рабочего цикла до 99,5%.
8.5.9 Регулировка частоты переключения электромагнитных помех
Частоту коммутации зарядного устройства можно настроить на ±18%, чтобы решить проблему электромагнитных помех с помощью команды SMBus.
Бит ChargeOption() [9]=0 отключает функцию регулировки частоты. Чтобы включить функцию регулировки частоты, установите бит [9] ChargeOption()
= 1. Установите бит [10] ChargeOption() = 0, чтобы уменьшить частоту коммутации, установите бит [10] = 1, чтобы увеличить частоту коммутации.
Если частота уменьшается, для фиксированной катушки индуктивности пульсации тока увеличиваются. Значение дросселя должно быть тщательно
выбрано, чтобы оно не запускало поцикловую пиковую защиту от перегрузки по току даже в самых неблагоприятных условиях, таких как более
высокое входное напряжение, 50% рабочий цикл, более низкая индуктивность и более низкая частота коммутации.

бк24707, bq24707A
8.5.10 Короткое замыкание индуктора, защита MOSFET от короткого замыкания
ИС имеет уникальную функцию защиты от короткого замыкания. Функция поциклового контроля тока микросхемы достигается за счет контроля падения
напряжения на RDS(on) полевых МОП-транзисторов после определенного времени гашения. В случае короткого замыкания полевого МОП-транзистора или
катушки индуктивности состояние перегрузки по току определяется двумя компараторами, и срабатывают два счетчика. После семикратного короткого
замыкания зарядное устройство отключится. Чтобы сбросить зарядное устройство из состояния блокировки, вывод IC VCC должен быть опущен ниже
уровня UVLO или вывод ACDET должен быть опущен ниже 0,6 В. Этого можно добиться, удалив адаптер и выключив операционную систему.
Пороговое значение падения напряжения короткого замыкания MOSFET на нижней стороне зафиксировано на типичном уровне 110 мВ. Пороговое
значение падения напряжения короткого замыкания MOSFET на стороне высокого напряжения можно настроить с помощью команды SMBus. Бит
ChargeOption() [8:7] = 00, 01, 10, 11 устанавливает порог 300 мВ, 500 мВ, 700 мВ и 900 мВ соответственно.
Из-за определенного времени гашения для предотвращения шума, когда MOSFET только что включается, защита от перегрузки по току заряда цикл за
циклом может обнаружить высокий ток и сначала отключить MOSFET, прежде чем схема защиты от короткого замыкания сможет обнаружить короткое
замыкание, потому что время гашения не закончил. В таком случае заряд может быть не в состоянии обнаружить короткое замыкание, и счетчик не сможет
сосчитать до семи, а затем зафиксируется.
Вместо этого заряд может постоянно переключаться с очень узким рабочим циклом, чтобы ограничить пиковое значение тока от цикла к циклу. Тем не
менее, зарядное устройство должно быть безопасным и не приведет к отказу, поскольку рабочий цикл ограничен очень коротким временем, а полевой
МОП-транзистор должен находиться в пределах зоны безопасной работы. Во время периода плавного пуска может потребоваться много времени вместо
семи циклов переключения для обнаружения короткого замыкания по той же причине времени гашения.
8.5.11 Независимый компаратор
ИС имеет независимый компаратор, который можно использовать для сравнения входного тока, тока заряда или напряжения батареи с внутренним
эталоном. Запрограммируйте напряжение CMPIN, подключив резистор-делитель от вывода IOUT к выводу CMPIN и выводу GND для адаптера или сравнения
зарядного тока или от вывода SRN к выводу CMPIN и выводу GND для сравнения напряжения батареи. Когда CMPIN выше внутреннего задания, CMPOUT
подтягивается к внешней подтягивающей шине с помощью внешнего подтягивающего резистора. Когда CMPIN ниже внутреннего задания, CMPOUT
подтягивается к GND внутренним MOSFET. Поместите резистор между CMPIN и CMPOUT, чтобы запрограммировать гистерезис. Внутреннее задание может
быть установлено на 0,6 В или 2,4 В с помощью команды SMBus (ChargeOption(), бит [4] = 0, установить внутреннее задание на 0,6 В, бит [4] = 1, установить
на 2,4 В).
Для вывода CMPIN используется один последовательный резистор 50 кОм RS и один подтягивающий резистор 2000 кОм RDOWN для вывода CMPIN, как
показано на рис. 15. Чтобы получить точную уставку сравнения, эти два резистора должны быть включены в расчет. Для упрощения работы по
проектированию был разработан инструмент для расчетов в виде электронных таблиц. Пользователь может загрузить с веб-сайта TI по адресу www.ti.com.
в папке продукта IC.
На рис. 15 также показана одна прикладная схема, использующая этот компаратор для сравнения напряжения батареи. После использования принципа
суперпозиции и внесения значений компонентов в электронную таблицу пороговое значение напряжения батареи составляет 9,45 В для нарастающего
фронта и 8,99 В для спадающего фронта.
3,3 В 3,3 В
RHYS RHYS
ВБАТ ВБАТ РУП РУП
CMPIN CMPIN 3010 кОм 3010 кОм

10 кОм 10 кОм
CMPOUT RTOP RTOP
422 кОм 422 кОм

RS RS RDOWN RDOWN CMPIN CMPIN
50 кОм 50 кОм 2000кОм 2000кОм
CMPOUT
RS RS RDOWN RDOWN
RBOT RBOT
50 кОм 50 кОм 2000кОм 2000кОм
30,1 кОм 30,1 кОм

0,6 В/2,4 В 0,6 В/2,4 В
0,6 В 0,6 В
(a) Внутренняя схема, показывающая последовательный резистор и (b) Цепь приложения, передний фронт 9,45 В и задний фронт 8,99 В для трехэлементной
подтягивающий резистор батареи
Рис. 15. Внутренняя схема компаратора IC и прикладная схема

бк24707, bq24707A
9 Применение и реализация
ПРИМЕЧАНИЕ. Информация в следующих разделах приложений не является частью спецификации

компонентов TI, и TI не гарантирует ее точность или полноту. Клиенты TI несут ответственность за
определение пригодности компонентов для своих целей. Клиенты должны проверить и
протестировать реализацию своего проекта, чтобы подтвердить функциональность системы.
9.1 Информация по применению
Bq24707x — это высокоэффективный синхронный контроллер заряда батареи NVDC-1, предлагающий малое количество
компонентов для приложений с ограниченным пространством и мультихимической зарядкой батареи. Оценочный модуль
bq24707EVM-558 (EVM) представляет собой полный зарядный модуль для оценки bq24707. Кривые применения были сняты с
использованием bq24707AEVM-558. См. руководство пользователя EVM (SLUU445). для информации об ЭВМ.
9.2 Типичное применение
Q1 (RBFET) Q2 (ACFET)
РАК 10м
Si4435DDY Si4435DDY
Адаптер + СИСТЕМА
Ри
Общий
2 R9
С1 С3 Csys
10 Ом
Си контролируемый 220 мкФ
Адаптер - 2,2 мкФ
0,1 мкФ 0,1 мкФ С5
По хосту
1 мкФ
С2
АКН ВКК
0,1 мкФ
контролируемый
Q5 (БАТФЕТ)
Si4435DDY
Д2 АКП По хосту
1 430
РБ751В40 тысяч рэндов

С6
АКДЕТ 1 мкФ
+1,5 В
Р2 РЕГН
Если нет 66,5к 100к р8 Д1

ИЛИМ
адаптера и БАТ54 С8 С9
Р7 BTST
10 мкФ 10 мкФ
требуется Iout, 316к
эта рейка включена. +3,3 В Q3

R3 R4 R5 R6 10 000 ВИДРВ
Sis412DN
10к 10к 10к 10k руб. С7 РСР
10м
0,047 мкФ
ПДД
ХОЗЯИН SMBus U1 ФАЗА Пакет +
L1
С10 C11
СКЛ bq24707 bq24707A 4,7 мкГн
10 мкФ 10 мкФ
ЛОДРВ Q4
Sis412DN
АКОК Пакет -
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ
Копать ввод/вывод
СРП
R14
CMPOUT * С13
Р11 Р13 10 Ом 0,1 мкФ
12 000 000 руб. 39,2к 3.01М
СРН
CMPIN
R15 * С14
7,5 Ом 0,1 мкФ

АЦП IOUT
С4 PowerPad
100р
Fs = 750 кГц, Iadpt = 4,096 A, Ichrg = 2,944 A, Ilim = 4 A, Vchrg = 12,592 В, адаптер 90 Вт и аккумуляторная
батарея 3S2P . -земля или батарея-обратное соединение.
Рисунок 16. Типовая схема системы

бк24707, bq24707A
Типичное применение (продолжение)
9.2.1 Требования к конструкции Для этого
примера конструкции используйте параметры, перечисленные в таблице 8 , в качестве входных параметров.
Таблица 8. Расчетные параметры
КОНСТРУКТИВНЫЙ ПАРАМЕТР ПРИМЕР ЗНАЧЕНИЯ
Входное напряжение(1) 17,7 В < Напряжение адаптера < 24 В 3,2 А для
Ограничение входного тока (1) адаптера мощностью 65 Вт
Напряжение заряда аккумулятора(2) 12592 мВ для 3-сек батареи
Ток заряда батареи(2) 4096 мА для 3-х аккумуляторной батареи
Ток разряда батареи(2) 6144 мА для 3-х аккумуляторной батареи
(1) Информацию о настройках см. в спецификации батареи.

(2) См. технические характеристики адаптера для настроек входного напряжения и ограничения входного
тока.
9.2.2 Процедура детального проектирования
9.2.2.1 Защита от отрицательного выходного напряжения Вставьте
батарейный блок в выход зарядного устройства в обратном порядке во время производства, иначе сильное короткое замыкание батареи на землю вызовет
отрицательное выходное напряжение на выводах SRP и SRN. Внутренние диоды электростатического разряда (ESD) IC от контакта GND к контактам SRP или SRN
и два встречно-параллельных (AP) диода между контактами SRP и SRN могут быть смещены в прямом направлении, и отрицательный ток может проходить через
диоды ESD и диоды AP, когда выход отрицательное напряжение.
Вставьте два небольших резистора для контактов SRP и SRN, чтобы ограничить отрицательный уровень тока, когда на выходе есть отрицательное напряжение.
Предлагаемое значение резистора составляет 10 Ом для контакта SRP и от 7 до 8 Ом для контакта SRN. После добавления небольших резисторов рекомендуемый
ток предварительной зарядки составляет не менее 192 мА для токоизмерительного резистора 10 мОм.
9.2.2.2 Выбор индуктора
ИС имеет три выбираемые фиксированные частоты переключения. Более высокая частота переключения позволяет использовать катушки индуктивности и
конденсаторы меньшего номинала. Ток насыщения дросселя должен быть выше зарядного тока (ICHG) плюс половина тока пульсаций (IRIPPLE): + (1/2) I
СБ ЧГ РЯБЬ (4)
я
я
Ток пульсаций катушки индуктивности зависит от входного напряжения (VIN), рабочего цикла (D = VOUT/VIN), частоты коммутации (fS) и индуктивности (L):
ВДВ(1 Д) Ф Л
РЯБЬ
знак равно
С (5)
Максимальный ток пульсаций дросселя происходит при D = 0,5 или близком к 0,5. Например, диапазон напряжения зарядки аккумулятора составляет от 9 В до
12,6 В для 3-элементного аккумуляторного блока. При напряжении адаптера 20 В напряжение батареи 10 В дает максимальный ток пульсаций катушки
индуктивности. Другим примером является 4-элементная батарея, диапазон напряжения батареи составляет от 12 В до 16,8 В, а напряжение батареи 12 В дает
максимальный ток пульсаций дросселя.
Обычно пульсации катушки индуктивности рассчитываются в диапазоне (20-40%) максимального зарядного тока как компромисс между размером катушки
индуктивности и эффективностью для практической конструкции.
Микросхема имеет защиту от пониженного тока заряда (UCP) путем циклического контроля резистора, чувствительного к зарядному току.
Типичное пороговое значение UCP для цикла за циклом составляет 5 мВ по заднему фронту, что соответствует 0,5 А по заднему фронту для резистора,
чувствительного к зарядному току 10 мОм. Когда средний зарядный ток меньше 125 мА для резистора, чувствительного к зарядному току 10 мОм, полевой МОП-
транзистор нижнего плеча отключается до тех пор, пока напряжение конденсатора BTST не потребуется для восстановления заряда. В результате преобразователь
полагается на внутренний MOSFET-диод нижнего плеча для тока холостого хода катушки индуктивности.
9.2.2.3 Входной конденсатор
Входной конденсатор должен иметь достаточный номинальный ток пульсаций, чтобы поглощать пульсирующий ток переключения на входе. Среднеквадратичное
значение пульсирующего тока в наихудшем случае составляет половину зарядного тока при коэффициенте заполнения 0,5. Если преобразователь не работает с
коэффициентом заполнения 50 %, среднеквадратичное значение тока конденсатора в наихудшем случае возникает там, где коэффициент заполнения близок к
50 %, и его можно оценить по уравнению 6:

бк24707, bq24707A
яЦИН=ИЗМЕНЕНИЕ
я Д × (1 Д) (6)
Керамический конденсатор с низким ESR, такой как X7R или X5R, предпочтителен для входного развязывающего конденсатора и должен быть размещен
как можно ближе к стоку полевого МОП-транзистора верхнего плеча и истоку полевого МОП-транзистора нижнего плеча. Номинальное напряжение
конденсатора должно быть выше нормального уровня входного напряжения. Для входного напряжения от 19 до 20 В предпочтительнее конденсатор
номиналом 25 В или выше. Емкость от 10 до 20 мкФ рекомендуется для типичного зарядного тока от 3 до 4 А.
конденсатор подается постоянное напряжение смещения, например, на входной конденсатор зарядного устройства. Эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно для высоких входных напряжений и небольших конденсаторных блоков. См. спецификацию производителя о
характеристиках при подаче напряжения смещения постоянного тока. Может оказаться необходимым выбрать более высокое номинальное напряжение
или значение номинальной емкости, чтобы получить требуемое значение в рабочей точке.
9.2.2.4 Выходной конденсатор
Выходной конденсатор также должен иметь достаточный номинальный ток пульсаций, чтобы поглощать пульсации выходного коммутационного тока. Среднеквадратичное
значение тока выходного конденсатора определяется:
я
РЯБЬ 0,29 л
COUT РЯБЬ
знак равно
2 3 (7)
ИС имеет внутренний контурный компенсатор. Для обеспечения хорошей стабильности контура резонансная частота выходной катушки индуктивности и
выходного конденсатора должна быть рассчитана в диапазоне от 10 кГц до 20 кГц. Предпочтительным керамическим конденсатором является 25-В X7R
или X5R для выходного конденсатора. Емкость от 10 до 20 мкФ рекомендуется для типичного зарядного тока от 3 до 4 А. Поместите конденсаторы после
зарядного токоизмерительного резистора, чтобы получить наилучшую точность регулирования тока заряда.
конденсатор подается постоянное напряжение смещения, например, на выходной конденсатор зарядного устройства. Эффект может привести к
значительному падению емкости, особенно для высоких выходных напряжений и небольших конденсаторных блоков. См. спецификацию производителя
о характеристиках при подаче постоянного напряжения смещения. Может оказаться необходимым выбрать более высокое номинальное напряжение или
значение номинальной емкости, чтобы получить требуемое значение в рабочей точке.
9.2.2.5 Выбор мощных МОП-транзисторов
Два внешних N-канальных МОП-транзистора используются для синхронного импульсного зарядного устройства. Драйверы затворов встроены в
микросхему с напряжением управления затвором 6 В. МОП-транзисторы с номинальным напряжением 30 В или выше предпочтительны для входного
напряжения от 19 до 20 В.
Показатель качества (FOM) обычно используется для выбора подходящего полевого МОП-транзистора на основе компромисса между потерями
проводимости и потерями переключения. Для верхнего MOSFET FOM определяется как произведение сопротивления MOSFET в открытом состоянии,
RDS(ON), и заряда затвор-сток, QGD. Для полевого МОП-транзистора с нижней стороны FOM определяется как произведение сопротивления МОП-
транзистора в открытом состоянии, RDS(ON), и общего заряда затвора, QG.
FOMtop = RDS(вкл.) x QGD; FOMвнизу = RDS(вкл.) x QG (8)
Чем ниже значение FOM, тем меньше общая потеря мощности. Обычно более низкий RDS(ON) имеет более высокую стоимость при том же размере пакета.
Потери на верхнем полевом МОП-транзисторе включают в себя потери на проводимость и потери на переключение. Потери зависят от рабочего цикла
(D=VOUT/VIN), зарядного тока (ICHG), сопротивления МОП-транзистора в открытом состоянии ®DS(ON)), входного напряжения (VIN), частоты переключения
(fS), времени включения (тонн) и время выключения (toff):
2
1
P = D I верх р + Вя (тна
+т ) фс
CHG ДС (вкл.) 2 В ЧГ
(9)
выключенный
Первый пункт представляет потери проводимости. Обычно RDS(ON) MOSFET увеличивается на 50% при повышении температуры перехода на 100°C.
Второй член представляет коммутационные потери. Время включения и выключения MOSFET определяется выражением:
т=
Вопрос
SW твыкл.
=
Вопрос
SW
на ,
на
я я
выключенный

бк24707, bq24707A
где •
Qsw – коммутационный заряд.
• Ион - это ток возбуждения затвора включения.
• Ioff — ток управления затвором выключения. (10)
Если коммутационный заряд не указан в паспорте MOSFET, его можно оценить по заряду затвор-сток (QGD) и заряду затвор-исток (QGS):
1
Q = Q + SW GD Вопрос
GS
2 (11)
Ток управления затвором можно оценить по напряжению REGN (VREGN), напряжению плато MOSFET (Vplt), общему сопротивлению затвора при включении (Ron)
и сопротивлению затвора при выключении (Roff) драйвера затвора:
В -В V
пл
REGN plt
яна= , явыкл.
=
р на р выключенный
(12)
Потери проводимости полевого МОП-транзистора на нижней стороне рассчитываются по следующему уравнению, когда он работает в синхронном непрерывном
режиме проводимости:
пнижний 2
р
= (1D)- I CHG ДС (вкл.) (13)
Когда зарядное устройство работает в несинхронном режиме, полевой МОП-транзистор на нижней стороне выключен. В результате весь свободный ток проходит
через корпусной диод нижнего МОП-транзистора. Потери мощности на корпусном диоде зависят от его прямого падения напряжения (VF), зарядного тока в
несинхронном режиме (INONSYNC) и рабочего цикла (D). (14)
PD = VF x INONSYNC x (1 - D)
Максимальный зарядный ток в несинхронном режиме может составлять до 0,25 А для резистора, чувствительного к зарядному току 10 мОм, или 0,5 А, если
напряжение батареи меньше 2,5 В. Минимальный рабочий цикл происходит при наименьшем напряжении батареи. Выберите полевой МОП-транзистор на
нижней стороне либо с внутренним диодом Шоттки, либо с внутренним диодом, способным выдерживать максимальный зарядный ток в несинхронном режиме.
9.2.2.6 Конструкция входного фильтра
При горячем подключении адаптера паразитная индуктивность и входной конденсатор кабеля адаптера образуют систему второго порядка. Всплеск напряжения
на выводе VCC может превышать максимальное номинальное напряжение IC и повредить IC. Входной фильтр должен быть тщательно спроектирован и
протестирован для предотвращения перенапряжения на выводе VCC.
Существует несколько способов демпфирования или ограничения всплесков перенапряжения во время «горячего» подключения адаптера. Электролитический
конденсатор с высоким ESR в качестве входного конденсатора может демпфировать всплеск перенапряжения значительно ниже максимального номинального
напряжения на выводе микросхемы. Диод TVS Zener с возможностью сильного тока также может ограничить уровень перенапряжения до безопасного уровня IC.
Однако эти два решения могут не иметь низкой стоимости или небольшого размера.
Экономичное и малогабаритное решение показано на рис. 17. R1 и C1 состоят из демпфирующей RC-цепи для гашения колебаний горячего подключения. В
результате всплеск перенапряжения ограничивается безопасным уровнем. D1 используется для защиты от обратного напряжения на выводе VCC. C2 — это
конденсатор, развязывающий вывод VCC, и его следует размещать как можно ближе к выводу VCC. Значение C2 должно быть меньше значения C1, чтобы R1 мог
доминировать над эквивалентным значением ESR, чтобы получить достаточный эффект демпфирования. R2 используется для ограничения пускового тока D1,
чтобы предотвратить повреждение D1 при горячем подключении адаптера. R2 и C2 должны иметь постоянную времени 10 мкс, чтобы ограничить dv/dt на
выводе VCC и уменьшить пусковой ток при горячем подключении адаптера. R1 имеет высокий пусковой ток. Размер корпуса резистора R1 должен быть
достаточным для того, чтобы справиться с потерей мощности пускового тока в соответствии с техническими данными производителя резистора. Значение
компонентов фильтра всегда должно быть проверено в реальном приложении, и может потребоваться небольшая корректировка, чтобы соответствовать схеме
реального приложения.
Д1
R2(1206)
R1(2010) 2 10-20 Ом
Ом
Разъем
адаптера контакт VCC
С1
2,2 мкФ С2
0,47-1 мкФ
Рисунок 17. Входной фильтр

бк24707, bq24707A
Табл. 9. Список компонентов для типовой системной схемы на рис. 16

ОБОЗНАЧЕНИЕ ДЕТАЛИ КОЛ-ВО ОПИСАНИЕ
С1, С2, С3, С13, С14 5 Конденсатор, керамический, 0,1 мкФ, 25 В, 10 %, X7R, 0603
С4 1 Конденсатор, керамический, 100 пФ, 25 В, 10%, X7R, 0603
С5, С6 2 Конденсатор, керамический, 1 мкФ, 25 В, 10 %, X7R, 0603

С7 1 Конденсатор, керамический, 0,047 мкФ, 25 В, 10 %, X7R, 0603
С8, С9, С10, С11 4 Конденсатор, керамический, 10 мкФ, 25 В, 10 %, X7R, 1206

Си 1 Конденсатор, керамический, 2,2 мкФ, 25 В, 10 %, X7R, 1210
Csys 1 Конденсатор, электролитический, 220 мкФ, 25 В
Д1 1 Диод Шоттки, 30 В, 200 мА, SOT-23, Fairchild, BAT54

Д2 1 Диод, Шоттки, 40 В, 120 мА, SOD-323, NXP, RB751V40 P-channel
Q1, Q2, Q5 3 MOSFET, –30 В, –9,4 А, SO-8, Vishay Siliconix, Si4435DDY N-channel MOSFET, 30 В, 12 А,
Q3, Q4 2 PowerPAK 1212-8, Vishay Siliconix, SiS412DN

L1 1 Катушка индуктивности, SMT, 4,7 мкГн, 5,5 А, Vishay Dale, IHLP2525CZER4R7M01
R1 1 Резистор, Чип, 430 кОм, 1/10 Вт, 1%, 0603
R2 1 Резистор, Чип, 66,5 кОм, 1/10 Вт, 1 %, 0603
Р3, Р4, Р5, Р6, Р10 5 Резистор, Чип, 10 кОм, 1/10 Вт, 1 %, 0603 Резистор,
R7 1 Чип, 316 кОм, 1/10 Вт, 1 %, 0603
Р8, Р12 2 Резистор, Чип, 100 кОм, 1/10 Вт, 1%, 0603
R9 1 Резистор, Чип, 10 Ом, 1/4 Вт, 1%, 1206
R11 1 Резистор, микросхема, 39,2 кОм, 1/10 Вт, 1 %, 0603
R13 1 Резистор, микросхема, 3,01 МОм, 1/10 Вт, 1 %, 0603
R14 1 Резистор, микросхема, 10 Ом, 1/10 Вт, 5 %, 0603
Р15 1 Резистор, Чип, 7,5 Ом, 1/10 Вт, 5%, 0603
РАК, РСР 2 Резистор, Чип, 0,01 Ом, 1/2 Вт, 1%, 1206
Ри 1 Резистор, Чип, 2 Ом, 1/2 Вт, 1%, 1210
U1 1 Контроллер зарядного устройства, 20-контактный VQFN, TI, bq24707RGR или bq24707ARGR
9.2.3 Кривые применения
98
4-элементный 16,8 В
97
96
95
94
93
Эффективность
-%
92
91
90 V = 20 В, I
f = 750 кГц, L
89 = 4,7 Гн
88
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
Ток заряда
CH1: ФАЗА, 20 В/дел; CH2: напряжение батареи, 5 В/дел; CH3: LODRV,
10 В/дел; CH4: ток дросселя, 2 А/дел, 400 мкс/дел Рис. 18. Установка
батареи Рисунок 19. КПД в зависимости от выходного тока

бк24707, bq24707A
10 рекомендаций по источникам питания

Делитель напряжения с внешним резистором ослабляет напряжение адаптера, прежде чем оно поступит на ACDET. Пороговое значение обнаружения адаптера
обычно должно быть запрограммировано на значение, превышающее максимальное напряжение батареи, но ниже максимально допустимого входного
напряжения микросхемы и максимально допустимого напряжения системы.
Когда адаптер удален, система питается от батареи. Обычно порог разрядки батареи должен быть выше минимального напряжения системы, чтобы емкость
батареи могла быть полностью использована для максимального срока службы батареи.
11 Макет
11.1 Рекомендации по компоновке
Время нарастания и спада в коммутационном узле должно быть сведено к минимуму для минимальных потерь при переключении. Правильная компоновка
компонентов для минимизации контура высокочастотного тока (см. рис. 21) важна для предотвращения излучения электрического и магнитного поля и
проблем с высокочастотным резонансом. Ниже приведен список приоритетов разводки печатной платы для правильной разводки. Компоновка печатной
платы в соответствии с этим конкретным порядком имеет важное значение.
1. Разместите входной конденсатор как можно ближе к клеммам питания и заземления переключающего МОП-транзистора и используйте самую короткую
медную проводку. Эти детали следует размещать на одном слое печатной платы, а не на разных слоях, и использовать переходные отверстия для
соединения.
2. Микросхема должна быть размещена близко к выводам затвора переключающего MOSFET, а дорожки сигнала управления затвором должны быть короткими
для чистого управления MOSFET. Микросхема может быть размещена на другой стороне печатной платы переключающего полевого МОП-транзистора.
3. Разместите входную клемму дросселя как можно ближе к выходной клемме переключающего МОП-транзистора. Минимизируйте медную площадь этой
дорожки, чтобы уменьшить излучение электрического и магнитного поля, но сделайте дорожку достаточно широкой, чтобы нести зарядный ток. Не
используйте несколько слоев параллельно для этого соединения. Сведите к минимуму паразитную емкость от этой области до любой другой дорожки или
плоскости.
4. Резистор, чувствительный к зарядному току, должен располагаться рядом с выходом катушки индуктивности. Прокладывайте измерительные провода,
подключенные к чувствительному резистору, обратно к ИС в том же слое, близко друг к другу (минимизируйте площадь контура) и не прокладывайте
измерительные провода через сильноточный путь (см. рис. 22 для соединения по шкале Кельвина для наилучшей точности тока ) . ). Поместите
развязывающий конденсатор на эти дорожки рядом с микросхемой.
5. Разместите выходной конденсатор рядом с выходом чувствительного резистора и землей. 6.
Заземление выходного конденсатора должно быть подключено к тому же медному проводу, что и входной конденсатор.
заземление перед подключением к заземлению системы.
7. Используйте одно соединение заземления, чтобы связать заземление питания зарядного устройства с аналоговым заземлением зарядного устройства; используйте
аналоговую заземляющую медь, заливаемую непосредственно под ИС, но избегайте контактов питания, чтобы уменьшить индуктивную и емкостную шумовую связь.
8. Прокладывайте аналоговое заземление отдельно от заземления питания. Подключите аналоговую землю и подключите землю питания отдельно. Соедините
аналоговую землю и землю питания вместе, используя контактную площадку в качестве единой точки заземления, или используйте резистор 0 Ом, чтобы
соединить аналоговую землю с землей питания (в этом случае силовая площадка должна быть подключена к аналоговой земле, если это возможно).
9. Развязывающие конденсаторы должны быть размещены рядом с выводами микросхемы, чтобы сделать соединение трассы как можно короче.
10. Крайне важно припаять открытую контактную площадку питания на задней стороне корпуса ИС к заземлению печатной платы. Убедитесь, что
непосредственно под микросхемой имеется достаточное количество тепловых переходов, соединяющихся с заземляющей пластиной на других слоях.
11. Размера и количества переходных отверстий должно быть достаточно для данного текущего пути.
См. проект EVM для рекомендуемого размещения компонентов с расположением трасс и переходных отверстий. Информацию о QFN см. в документе SCBA017.
и SLUA271.
11.1.1 Руководство по проектированию
ИС ИС имеет уникальную функцию защиты от короткого замыкания. Его функция поциклового контроля тока достигается за счет контроля падения напряжения
на Rdson полевых МОП-транзисторов после определенного времени гашения. В случае короткого замыкания полевого МОП-транзистора или катушки
индуктивности состояние перегрузки по току определяется двумя компараторами, и срабатывают два счетчика. После семикратного короткого замыкания
зарядное устройство отключится. Способ сброса зарядного устройства из состояния блокировки — повторное подключение адаптера. На рис. 20 показана блок-
схема защиты микросхемы от короткого замыкания.

бк24707, bq24707A
Рекомендации по компоновке (продолжение)
Адаптер
АКП Р АКС BTST

переменный ток
РПЦБ Высокая сторона
МОП-транзистор
SCP1
ФАЗА
РЕГН л
RDC Батарея
КОМП1 Низкая сторона

КОМП2 SCP2 С
МОП-транзистор
Сосчитай до 7
защелка от
Адаптер
Зарядное устройство
Подключить CLR
Рис. 20. Блок-схема ИС защиты от короткого замыкания
При нормальной работе ток нижнего плеча полевого МОП-транзистора протекает от истока к стоку, что создает отрицательное падение напряжения при его
включении. В результате компаратор перегрузки по току не может сработать. Когда происходит короткое замыкание переключателя верхнего плеча или
короткого замыкания катушки индуктивности, большой ток полевого МОП-транзистора нижнего плеча идет от стока к истоку и может вызвать срабатывание
компаратора перегрузки по току переключателя нижнего плеча. IC определяет падение напряжения на нижнем конце переключателя на контактах PHASE и GND.
Короткое замыкание FET на стороне высокого напряжения обнаруживается путем контроля падения напряжения между ACP и PHASE. В результате он отслеживает не только
падение напряжения на переключателе на стороне высокого напряжения, но также падение напряжения на резисторе, чувствительном к адаптеру, и падение напряжения
на трассе печатной платы от клеммы ACN RAC до стока переключателя на стороне высокого напряжения зарядного устройства. Обычно имеется длинная дорожка между
входным чувствительным резистором и входом преобразователя зарядного устройства, тщательная компоновка сведет к минимуму эффект дорожки.
Общее падение напряжения, регистрируемое IC, может быть выражено уравнением 15.
Vtop = RAC × IDPM + RPCB × (ICHRGIN + (IDPM - ICHRGIN) × k) + RDS(on) × IPEAK , где • RAC —
сопротивление измерения тока адаптера переменного тока • IDPM — уставка тока DPM • RPCB —
трассировка печатной платы эквивалентное сопротивление • ICHRGIN — входной ток
зарядного устройства • k — коэффициент печатной платы
• RDS(on) — сопротивление включения MOSFET на стороне высокого
напряжения • IPEAK — пиковый ток катушки индуктивности. (15)
Здесь коэффициент k печатной платы, равный 0, означает наилучшую компоновку, показанную на рис. 24, где трасса печатной платы проходит только через
входной ток зарядного устройства, а k, равный 1, означает наихудшую компоновку, показанную на рис. 23, где трассировка печатной платы проходит через
все DPM. Текущий. Общее падение напряжения должно быть ниже порога защиты от короткого замыкания на стороне высокого напряжения, чтобы
предотвратить непреднамеренное отключение зарядного устройства при нормальной работе.
Пороговое значение падения напряжения короткого замыкания MOSFET на нижней стороне зафиксировано на типичном уровне 110 мВ. Пороговое значение
падения напряжения короткого замыкания MOSFET на стороне высокого напряжения можно настроить с помощью команды SMBus. Бит ChargeOption() [8:7] =
00, 01, 10, 11 устанавливает порог 300 мВ, 500 мВ, 700 мВ и 900 мВ соответственно. Для фиксированной компоновки печатной платы хост должен установить
надлежащий пороговый уровень защиты от короткого замыкания, чтобы предотвратить непреднамеренное отключение зарядного устройства при нормальной
работе.

бк24707, bq24707A
11.2 Пример компоновки
ФАЗА L1 R1
ВБАТ
Высокая
В Частота
В ЛЕТУЧАЯ МЫШЬ
Текущий
Дорожка
С1 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
С2
Рис. 21. Путь высокочастотного тока
Направление тока заряда
р социальные сети
К индуктору К конденсатору и аккумулятору
Текущее направление обнаружения
К контакту SRP и SRN
Рис. 22. Схема платы чувствительного резистора
Чтобы предотвратить непреднамеренное отключение зарядного устройства при нормальной работе, выбор MOSFET RDS(on) и компоновка
печатной платы очень важны. На рис. 23 показан пример разводки печатной платы, который нуждается в улучшении, и его эквивалентная
схема. В этой схеме путь тока системы и путь входного тока зарядного устройства не разделены; в результате системный ток вызывает падение
напряжения в медной плате печатной платы и воспринимается микросхемой. Наихудшая компоновка - это когда точка тяги системы находится
после входа зарядного устройства; в результате все падения напряжения тока в системе учитываются компаратором защиты от перегрузки по
току. Наихудшим случаем для IC является суммарный ток системы и сумма входного тока зарядного устройства, равная току DPM.
Когда система потребляет больше тока, микросхема зарядного устройства пытается отрегулировать ток RAC как постоянный ток, уменьшая
зарядный ток.
IDPM
р
переменный ток Трассировка системного пути на плате
Системный ток ИСИС

р переменный ток
R печатная плата
ИЧРГИН
Входной ток зарядного устройства

АКП АКН
Трассировка входной платы зарядного устройства МБАТ
В АКП В АКС
(а) Компоновка печатной платы (b) Эквивалентная схема
Рис. 23. Пример компоновки печатной платы: требуется улучшение
На рис. 24 показан пример оптимизированной компоновки печатной платы. Путь тока системы и путь входного тока заряда разделены; в
результате микросхема определяет только входной ток зарядного устройства, вызванный падением напряжения на печатной плате, и сводит к
минимуму возможность непреднамеренного отключения зарядного устройства при нормальной работе. Это также упрощает компоновку
печатной платы для систем с высоким током.

бк24707, bq24707A
Пример макета (продолжение)
р переменный ток Трассировка системного пути на плате

IDPM
Системный ток ИСИС
Одноточечное подключение в RAC

р переменный ток
р печатная плата
ИЧРГИН
Входной ток зарядного устройства
АКП АКН МБАТ

В АКП В АКС Трассировка входной платы зарядного устройства
(а) Компоновка печатной платы (b) Эквивалентная схема
Рис. 24. Пример компоновки печатной платы: оптимизированный

бк24707, bq24707A
12 Поддержка устройств и документации
12.1 Поддержка устройств
12.1.1 Отказ от ответственности за сторонние продукты
ПУБЛИКАЦИЯ КОМПАНИЕЙ TI ИНФОРМАЦИИ О СТОРОННИХ ПРОДУКТАХ ИЛИ УСЛУГАХ НЕ ЯВЛЯЕТСЯ ПОДТВЕРЖДЕНИЕМ ПРИГОДНОСТИ ТАКИХ ПРОДУКТОВ ИЛИ
УСЛУГ ИЛИ ГАРАНТИЕЙ, ПРЕДСТАВЛЕНИЕМ ИЛИ ПОДТВЕРЖДЕНИЕМ ТАКИХ ПРОДУКТОВ ИЛИ УСЛУГ, ОТДЕЛЬНО ИЛИ В КОМБИНАЦИИ С ЛЮБОЙ ПРОДУКЦИЕЙ TI.
12.2 Поддержка документации
12.2.1 Сопутствующая документация
Соответствующую документацию см. в следующем: • bq24707EVM
для многосотового, синхронного, импульсного зарядного устройства с интерфейсом SMBus, SLUU445. • Счетверенные логические пакеты
Flatpack без выводов, SCBA017 • Крепление для печатной платы QFN/SON, SLUA271
12.3 Связанные ссылки
В таблице ниже перечислены ссылки быстрого доступа. Категории включают техническую документацию, поддержку и ресурсы сообщества, инструменты и
программное обеспечение, а также быстрый доступ к образцу или покупке.
Таблица 10. Связанные ссылки
ТЕХНИЧЕСКИЕ ИНСТРУМЕНТЫ & ПОДДЕРЖИВАТЬ &

ЧАСТИ ПАПКА ПРОДУКТА ОБРАЗЕЦ И КУПИТЬ
ДОКУМЕНТЫ ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ СООБЩЕСТВО
кликните сюда кликните сюда кликните сюда кликните сюда кликните сюда
bq24707
кликните сюда кликните сюда кликните сюда кликните сюда кликните сюда
bq24707A
12.4 Ресурсы сообщества Следующие ссылки
ведут на ресурсы сообщества TI. Связанное содержимое предоставляется «КАК ЕСТЬ» соответствующими участниками. Они не являются спецификациями TI и не
обязательно отражают точку зрения TI; см. Условия использования TI .
Интернет-сообщество TI E2E™ Сообщество между инженерами и инженерами (E2E) TI. Создан для развития сотрудничества
среди инженеров. На e2e.ti.com вы можете задавать вопросы, делиться знаниями, исследовать идеи и помогать решать проблемы с
другими инженерами.
Поддержка дизайна Поддержка дизайна от TI Быстро найдите полезные форумы E2E, а также инструменты поддержки дизайна и контактную информацию
для технической поддержки.
12.5 Товарные знаки
PowerPAD, E2E являются товарными знаками Texas Instruments.

Все остальные товарные знаки являются собственностью их соответствующих владельцев.
12.6 Предупреждение об электростатическом разряде
Эти устройства имеют ограниченную встроенную защиту от электростатического разряда. Провода должны быть закорочены или устройство помещено в токопроводящую пену
во время хранения или обращения, чтобы предотвратить электростатическое повреждение затворов MOS.
12.7 Глоссарий SLYZ022 -
Глоссарий ТИ.
В этом глоссарии перечислены и пояснены термины, аббревиатуры и определения.

бк24707, bq24707A
13 Механические характеристики, упаковка и информация для заказа
На следующих страницах приведена информация о механических компонентах, упаковке и информации о том, что можно заказать. Эта информация
является самой последней информацией, доступной для назначенных устройств. Эти данные могут быть изменены без предварительного
уведомления и пересмотра этого документа. Версии этого описания для браузера см. в левой части навигации.

ДОПОЛНЕНИЕ ВАРИАНТ ПАКЕТА
www.ti.com 10 декабря 2020 г.
ИНФОРМАЦИЯ ПО УПАКОВКЕ
Заказываемое устройство Статус Тип пакета Пакет Пакет булавок Эко план Свинцовая отделка/ Пиковая температура MSL Рабочая температура (°C) Маркировка устройства Образцы
(1) Рисунок Кол-во (2) Материал мяча (3) (4/5)
(6)
BQ24707ARGRR АКТИВНЫЙ ВКФН RGR 20 3000 RoHS и зеленый НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД -40 до 85 BQ07A
BQ24707ARGRT АКТИВНЫЙ ВКФН РГР 20 250 RoHS и зеленый НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД -40 до 85 BQ07A
BQ24707RGRR АКТИВНЫЙ ВКФН RGR 20 3000 RoHS и зеленый НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД -40 до 85 BQ707
BQ24707RGRT АКТИВНЫЙ ВКФН РГР 20 250 RoHS и зеленый НИПДАУ Уровень-2-260C-1 ГОД -40 до 85 BQ707
(1)
Значения маркетингового статуса определяются следующим
образом: АКТИВНО: Устройство продукта рекомендуется для новых дизайнов.
ПОЖИЗНЕННАЯ ПОКУПКА: TI объявила, что устройство будет снято с производства, и действует период пожизненной покупки.
NRND: Не рекомендуется для новых дизайнов. Устройство находится в производстве для поддержки существующих клиентов, но TI не рекомендует использовать эту деталь в новом дизайне.
ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ ПРОСМОТР: Устройство анонсировано, но не производится. Образцы могут или не могут быть доступны.
УСТАРЕЛО: TI прекратила производство устройства.
(2)
RoHS: TI определяет «RoHS» как полупроводниковую продукцию, соответствующую текущим требованиям ЕС RoHS для всех 10 веществ RoHS, включая требование о том, чтобы содержание вещества RoHS не превышало 0,1% по весу в
однородных материалах. Если изделия предназначены для пайки при высоких температурах, изделия, отвечающие требованиям RoHS, подходят для использования в определенных бессвинцовых процессах. TI может ссылаться на эти типы
продуктов как на «бессвинцовые».
Освобождение от RoHS: TI определяет «освобождение от RoHS» как продукцию, которая содержит свинец, но соответствует директиве RoHS ЕС в соответствии с конкретным исключением ЕС RoHS.
Зеленый: TI определяет «зеленый» как означающий, что содержание антипиренов на основе хлора (Cl) и брома (Br) соответствует требованиям JS709B к низкому содержанию галогенов с пороговым значением <=1000 ppm. Антипирены на основе
триоксида сурьмы также должны соответствовать пороговому требованию <=1000 частей на миллион.
(3)
MSL, пиковая темп. - Оценка уровня чувствительности к влаге в соответствии с классификацией отраслевого стандарта JEDEC и пиковая температура припоя.
(4)
На устройстве может быть дополнительная маркировка, относящаяся к логотипу, информации о коде трассировки партии или категории окружающей среды.
(5)
Маркировка нескольких устройств будет заключена в круглые скобки. На устройстве будет отображаться только одна маркировка устройства, заключенная в круглые скобки и разделенная символом «~». Если строка с отступом, то это продолжение
предыдущей строки, и два вместе представляют собой полную маркировку устройства для этого устройства.
(6)
Покрытие свинца/материал шара — Заказываемые устройства могут иметь несколько вариантов отделки материала. Варианты отделки разделены вертикальной линейкой. Значения свинцовой отделки/материала шара могут быть обернуты до двух
строки, если конечное значение превышает максимальную ширину столбца.
Важная информация и отказ от ответственности. Информация, представленная на этой странице, отражает знания и убеждения TI на дату ее предоставления. TI основывает свои знания и убеждения на информации, предоставленной
третьими сторонами, и не делает никаких заявлений и не гарантирует точность такой информации. Предпринимаются усилия по лучшей интеграции информации от третьих лиц. TI взял и
Приложение-Страница 1
ДОПОЛНЕНИЕ ВАРИАНТ ПАКЕТА
www.ti.com 10 декабря 2020 г.
продолжает предпринимать разумные шаги для предоставления репрезентативной и точной информации, но, возможно, не проводил разрушающие испытания или химический анализ поступающих материалов и химикатов.
TI и поставщики TI считают определенную информацию частной собственностью, поэтому номера CAS и другая ограниченная информация могут быть недоступны для публикации.
Ни при каких обстоятельствах ответственность TI, вытекающая из такой информации, не может превышать общую стоимость части (деталей) TI, о которой идет речь в этом документе, ежегодно продаваемой TI Клиенту.
Приложение-Страница 2
ИНФОРМАЦИЯ О МАТЕРИАЛАХ УПАКОВКИ
www.ti.com 5 января 2022 г.
ИНФОРМАЦИЯ О КАТУШКАХ И ЛЕНТАХ
*Все размеры являются номинальными
Устройство Упаковка Упаковка Штифты SPQ Катушка Катушка А0 В0 К0 Р1 Ш Контакт 1
Тип Рисунок Диаметр (мм) (мм) (мм) (мм) (мм) Квадрант

Ширина (мм)
Ш1 (мм)
BQ24707ARGRR ВКФН РГР 20 3000 330,0 12,4 3,75 3,75 1,15 8,0 12,0 Q1
BQ24707ARGRR ВКФН РГР 20 3000 330,0 12,4 3,8 3,8 1.1 8,0 12,0 Q1
BQ24707ARGRT ВКФН РГР 20 250 180,0 12,4 3,75 3,75 1,15 8,0 12,0 Q1
BQ24707ARGRT ВКФН РГР 20 250 180,0 12,5 3,8 3,8 1.1 8,0 12,0 Q1
BQ24707RGRR ВКФН РГР 20 3000 330,0 12,4 3,75 3,75 1,15 8,0 12,0 Q1
BQ24707RGRR ВКФН РГР 20 3000 330,0 12,4 3,8 3,8 1.1 8,0 12,0 Q1
BQ24707RGRT ВКФН РГР 20 250 180,0 12,4 3,75 3,75 1,15 8,0 12,0 Q1
BQ24707RGRT ВКФН РГР 20 250 180,0 12,5 3,8 3,8 1.1 8,0 12,0 Q1
Упаковочные материалы-Страница 1
Устройство Тип упаковки Чертежные штифты в упаковке SPQ Длина (мм) Ширина (мм) Высота (мм)
BQ24707ARGRR ВКФН РГР 20 3000 552.0 367,0 36,0
BQ24707ARGRR ВКФН РГР 20 3000 338,0 355,0 50,0
BQ24707ARGRT ВКФН РГР 20 250 552.0 185,0 36,0
BQ24707ARGRT ВКФН РГР 20 250 338,0 355,0 50,0
BQ24707RGRR ВКФН РГР 20 3000 552.0 367,0 36,0
BQ24707RGRR ВКФН РГР 20 3000 338,0 355,0 50,0
BQ24707RGRT ВКФН РГР 20 250 552.0 185,0 36,0
BQ24707RGRT ВКФН РГР 20 250 338,0 355,0 50,0
ТРУБКА
Устройство Название пакета Тип пакета Контакты SPQ L (мм) W (мм) T (мкм) В (мм)
BQ24707ARGRR РГР ВКФН 20 3000 381,5 5 2250 0
BQ24707ARGRT РГР ВКФН 20 250 381,5 5 2250 0
BQ24707RGRR РГР ВКФН 20 3000 381,5 5 2250 0
BQ24707RGRT РГР ВКФН 20 250 381,5 5 2250 0
ОБЩИЙ ВИД ПАКЕТА
РГР 20 VQFN - максимальная высота 1 мм
3,5 x 3,5, шаг 0,5 мм ПЛАСТИКОВЫЙ QUAD FLATPACK - БЕЗ СВИНЦА
Это изображение является представлением семейства пакетов, реальный пакет может отличаться.
Обратитесь к техническому описанию продукта для получения подробной информации об упаковке.
4228482/А
www.ti.com
ПАКЕТ ПАКЕТА
RGR0020A VQFN - максимальная высота 1 мм
ПЛАСТИКОВЫЙ QUAD FLATPACK - БЕЗ СВИНЦА
3,65
Б А
3,35
PIN 1 ОБЛАСТЬ ИНДЕКС
3,65
3,35
БОКОВАЯ СТЕНА
ТОЛЩИНА МЕТАЛЛА
1,0 ДИМ А
0,8 ВАРИАНТ 1 ВАРИАНТ 2
0,1 0,2
С
СИДЕНЬЯ САМОЛЕТА
0,05 0,08 С
0,00
2X 2
СИММ (РАЗМЕР А) ТИП

6 10
НЕЗАЩИЩЕННЫЙ
ТЕРМОПРОКЛАДКА
5 11
СИММ 21
2X 2 2,05 0,1
16X 0,5
1
15
20 16 0,30
Идентификатор PIN 1
20Х 0,18
0,5
20Х 0,3 0,1 КАБ
0,05
4219031/Б 04/2022
ЗАМЕТКИ:
1. Все линейные размеры указаны в миллиметрах. Любые размеры в скобках приведены только для справки. Размеры и допуски
по ASME Y14.5M.
2. Этот чертеж может быть изменен без предварительного уведомления.
3. Термопрокладка пакета должна быть припаяна к печатной плате для тепловых и механических характеристик.
www.ti.com
ПРИМЕР СХЕМЫ ПЛАТЫ

(2.05)
СИММ
20 16 СМОТРЕТЬ ПАЯЛЬНУЮ МАСКУ

ДЕТАЛИ
20X (0,6)
15
20X (0,24) 1
(2.05)
16X (0,5) 21 СИММ

(3.3)
(0,775)
5
11
(R0.05) ТИП
(0,2) ТИП
ЧЕРЕЗ
6 10
(0,775)
(3.3)
ПРИМЕР ОБРАЗЦА УЧАСТКА

ПОКАЗАН ОТКРЫТЫЙ МЕТАЛЛ
МАСШТАБ: 20X
0,07 МИН
0,07 МАКС
ВСЕ ВОКРУГ
ВСЕ ВОКРУГ
МЕТАЛЛ ПОД
МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ КРАЙ
ПАЯЛЬНАЯ МАСКА
ОТКРЫТЫЙ МЕТАЛЛ
ПАЯЛЬНАЯ МАСКА НЕЗАЩИЩЕННЫЙ ПАЯЛЬНАЯ МАСКА
ОТКРЫТИЕ МЕТАЛЛ ОТКРЫТИЕ
НЕПАЯНАЯ МАСКА
ОПРЕДЕЛЕННЫЙ
ПАЯЛЬНАЯ МАСКА ОПРЕДЕЛЕНА
(ЖЕЛАТЕЛЬНО)
ДЕТАЛИ ПАЯЛЬНОЙ МАСКИ
4219031/Б 04/2022
ПРИМЕЧАНИЯ: (продолжение)
4. Этот корпус предназначен для припайки к термопрокладке на плате. Для получения дополнительной информации см. литературу Texas Instruments.
номер SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Переходные отверстия являются необязательными в зависимости от применения, см. лист технических данных устройства. Если реализованы какие-либо переходные отверстия, см. их показанное расположение.
на этом взгляде. Рекомендуется, чтобы переходные отверстия под пастой были заполнены, заглушены или закрыты.
www.ti.com
ПРИМЕР РАЗРАБОТКИ ТРАФЕТА

(0,56) ТИП
20 16
20X (0,6)
20X (0,24) 1 15
16X (0,5) (0,56) ТИП

21
СИММ (3.3)
4Х (0,92)
(R0.05) ТИП
5
11
6 10
4Х (0,92)
СИММ
(3.3)
ПРИМЕР ПАЯЛЬНОЙ ПАСТЫ НА

ОСНОВЕ ТРАФАРЕТА ТОЛЩИНОЙ 0,125 ММ
МАСШТАБ: 20X
ОТКРЫТАЯ ПОДУШКА 21
81% ПОКРЫТИЯ ОТПЕЧАТАННЫМ ПРИПОЕМ ПО ПЛОЩАДИ ПОД УПАКОВКОЙ
4219031/Б 04/2022
ПРИМЕЧАНИЯ: (продолжение)
6. Отверстия лазерной резки с трапециевидными стенками и закругленными углами могут обеспечить лучшее отделение пасты. IPC-7525 может иметь альтернативный
рекомендации по дизайну.
www.ti.com
ВАЖНОЕ ЗАМЕЧАНИЕ И ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

TI ПРЕДОСТАВЛЯЕТ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ И НАДЕЖНОСТЬ (ВКЛЮЧАЯ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ), РЕСУРСЫ ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ (ВКЛЮЧАЯ ЭТАЛОННЫЕ
ПРОЕКТЫ), ПРИМЕНЕНИЕ ИЛИ ДРУГИЕ КОНСУЛЬТАЦИИ ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ, ВЕБ-ИНСТРУМЕНТЫ, ИНФОРМАЦИЮ ПО БЕЗОПАСНОСТИ И ДРУГИЕ РЕСУРСЫ «КАК ЕСТЬ»
И СО ВСЕМИ ОШИБКАМИ, И ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ И ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ВКЛЮЧАЯ, ПОМИМО ПРОЧЕГО, ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ
КОММЕРЧЕСКОЙ ПРИГОДНОСТИ, ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕННОЙ ЦЕЛИ ИЛИ НЕНАРУШЕНИЯ ПРАВ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ ТРЕТЬИХ ЛИЦ.
Эти ресурсы предназначены для опытных разработчиков, использующих продукты TI. Вы несете единоличную ответственность за (1) выбор подходящей продукции TI для
вашего приложения, (2) проектирование, проверку и тестирование вашего приложения и (3) обеспечение соответствия вашего приложения применимым стандартам и
любым другим требованиям безопасности, защиты, нормативным или другим требованиям. .
Эти ресурсы могут быть изменены без предварительного уведомления. TI предоставляет вам разрешение на использование этих ресурсов только для разработки
приложения, использующего продукты TI, описанные в этом ресурсе. Иное воспроизведение и отображение этих ресурсов запрещено. Лицензия не предоставляется ни на
какие другие права интеллектуальной собственности TI или на права интеллектуальной собственности третьих лиц. TI отказывается от ответственности, а вы полностью
освобождаете TI и ее представителей от любых претензий, убытков, затрат, убытков и обязательств, возникающих в результате использования вами этих
Ресурсы.
Продукция TI предоставляется в соответствии с Условиями продажи TI. или другие применимые условия, доступные либо на ti.com или предоставляется вместе с такой
продукцией TI. Предоставление TI этих ресурсов не расширяет и не изменяет применимые гарантии TI или заявления об отказе от гарантий в отношении продуктов TI.
TI возражает против любых предложенных вами дополнительных или отличных условий и отвергает их. ВАЖНОЕ ЗАМЕЧАНИЕ
Почтовый адрес: Texas Instruments, почтовый ящик 655303, Даллас, Техас 75265.
Copyright © 2022, Техас Инструментс Инкорпорейтед

1б - BQ24707 (RUS)

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

1б - BQ24707 (RUS)

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Machine Translated by Google Ссылка

Товар Образец & Технические Инструменты & Поддерживать &

Папка Купить Документы Программного обеспечения Сообщество Дизайн

1 Особенности 3 Описание Устройства

1• NMOS-NMOS, управляемая хостом SMBus bq24707 и bq24707A представляют собой высокоэффективные

диапазон адаптера переменного тока от 5 В до 24 В • Ток разряда

bq24707A: задержка ACOK по умолчанию 1,2 мс

(1) Все доступные пакеты см. в дополнении к заказу в конце

2 Приложения • Упрощенная схема

Портативные ноутбуки, UMPC, ультратонкие

Ноутбуки и нетбуки • Персональные Адаптер

• Промышленное и медицинское оборудование •

Приложения .................................. ............................. 1 3 8.5 Программирование................................................... ................. 18 9

Описание ............... ................................................. 1 4 История Применение и реализация ........ 26 9.1 Информация о

изменений ... ................................................. 2 5 Сравнительная таблица применении...... ...................................... 26 9.2 Типичное

7.5 Электрические характеристики..................................................... 6 ссылки ...................... .............................. 35

7.6 Требования к синхронизации..................................................... 10 7.7

Изменения от редакции B (март 2011 г.) к редакции C Страница

Изменения с редакции A (ноябрь 2010 г.) на редакцию B Страница

bq24707A.......... ................................................. ................................................. ..... 1 • Добавлен bq24707A в таблицу ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ

ЗАКАЗА ....................................... ................................................. ............ 3 • Добавлена СРАВНИТЕЛЬНАЯ

bq24707A................. 24 • Изменено описание элемента U1 в таблице 9 ............ ................................................. ................................................. ... 30

Изменения от оригинального (июль 2010 г.) к редакции A Страница

16.................. ................................................. ................................. 26 • Добавлено Добавлен раздел: Защита от отрицательного выходного

напряжения ................................................. .............................................. 27 • Удалено C12, добавлены R14 и R15 в Таблицу

9 ...................................... ................................................. ............................. 30

2 Отправить отзыв о документации Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated.

Ссылки на папки продуктов: bq24707 bq24707A

5 Таблица сравнения устройств

УСЛОВИЕ bq24707 bq24707A

Задержка ACOK по умолчанию 1,3 с 1,2 мс

Предложить полностью заряженную батарею ChargeVoltage() 0В

Предложить полностью заряженную батарею ChargeCurrent() 0А 0А

6-контактная конфигурация и функции

ВКК ФАЗА ВИДРВ BTST РЕГН

АКОК 5 11 ЕСЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ

Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated. Отправить отзыв о документации 3

Ссылки на папки продуктов: bq24707 bq24707A

Функции контактов (продолжение)

4 Отправить отзыв о документации Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated.

Ссылки на папки продуктов: bq24707 bq24707A

7.1 Абсолютные максимальные значения в

СРН, СРП, АКН, АКП, ВКК –0,3 30

БТСТ, ХИДРВ –0,3 36

Максимальное дифференциальное СРП–СРН, АКП–АКН –0,5 0,5

Температура перехода, ТДж –40 155 °С

Температура хранения, Тстг –55 155 °С

7.2 Классы электростатического разряда

ЦЕННОСТЬ ЕД. ИЗМ

Модель человеческого тела (HBM), согласно ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±2000

В (ПАЗ) Электростатический разряд ±500 В

7.3 Рекомендуемые условия эксплуатации в диапазоне

СРН, СРП, АКН, АКП, ВКК 0 24

Максимальная разность напряжений СРП–СРН, АКП–АКН –0,2 0,2 В

Температура перехода, ТДж 0 125°С

7.4 Тепловая информация

РОЯ Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 46,8 °С/Вт

RθJC(вверху) Тепловое сопротивление переход-корпус (вверху) 56,9 °С/Вт

RθJB Тепловое сопротивление переход-плата 46,6 °С/Вт

ψJT Параметр характеристики соединения с вершиной 0,6 °С/Вт

ψJB Параметр характеристики соединения с платой 15,3 °С/Вт

RθJC(бот) Тепловое сопротивление переход-корпус (дно) 4.4 °С/Вт

Авторские права © 2010–2015, Texas Instruments Incorporated. Отправить отзыв о документации 5