СРМ 12

1. Корреляционное взаимодействие:
А. Это электростатическое взаимодействие электронов с
одинаковыми квантовыми числами n и l (то есть находящихся в
одной оболочке).
Б. Это электростатическое взаимодействие электронов с разными
квантовыми числами n и l (то есть находящихся в одной оболочке).
В. Это электростатическое взаимодействие электронов с
одинаковыми ядерными числами n и l (то есть находящихся в одной
оболочке).
Г. Это электростатическое взаимодействие электронов с
одинаковыми квантовыми числами d и p (то есть находящихся в
одной оболочке).
Д. Это электростатическое взаимодействие электронов с
одинаковыми квантовыми числами s и p (то есть находящихся в
одной оболочке).

2. Обозначение орбитального момента:

А. L
Б. А
В. М
Г. S
Д. P

3. Если энергия кристаллического поля меньше энергии

корреляционного взаимодействия, то в результате заполнения
орбиталей электронов в данной оболочке спин оболочки имеет
максимальное значение,так как реализуется ……...
А. Высокое спиновое состояние
Б. Низкое спиновое состояние
В. Нейтральное спиновое состояние
Г. Напряжённое спиновое состояние
Д. Ядерное спиновое состояние.

4. Если энергия кристаллического поля превышает энергию

корреляционного взаимодействия, то в результате заполнения
орбиталей электронов данной оболочки спин оболочки имеет
минимальное значение, так как реализовано ……..
А. Низкое спиновое состояние
Б. Высокое спиновое состояние
В. Нейтральное спиновое состояние
Г. Напряжённое спиновое состояние
 Д. Ядерное спиновое состояние.

5. Какое правило применяется когда одноэлектронные уровни

заполнены внешними электронами?
А. Правила Хунда
Б. Правила Фрекселя
В. Правила Планка
Г. Правила Франка
Д. Правила Гаусса