Piezo Zero Point

Перевод: английский - русский - www.onlinedoctranslator.
com
Главная страница (https://docshare.tips/) / Темы (https://docshare.tips/topics) / Документы (https://docshare.tips/topics/documents)

/ Пьезо-нулевая точка (https://docshare.tips/piezo-zero-point_587851d3b6d87fe5868b4af7.html)
Пьезо-нулевая точка
Опубликовано в январе 2017 г. | Категории: Документы (https://docshare.tips/topics/documents) | Скачиваний: 41 | Комментарии: 0 | Просмотры: 232
Легко понять, почему это самый Красивые влиятельные лица больших размеров
популярный секс по телевизору Вам нужно проверить

сцена когда-либо Гербьюти
Лаймлайт Медиа
Красивый эффект больших размеров
Проверить
Гербьюти
рекомендуемые
https://docshare.tips/zero-point
tm_source=docshare&utm_med
https://docshare.tips/physical-ze
https://docshare.tips/the-secret
https://docshare.tips/piezo-elec
- 1 из 36 - - tm_source=docshare&utm_med
-Скачать PDF (https://docshare.tips/download/587851d3b6d87fe5868b4af7) -Встроить -Отчет https://docshare.tips/zero-

zerotm_source=docshare&utm_med
Легко понять, почему это самый Красивые влиятельные лица больших размеров
https://docshare.tips/cold-fusio
популярный секс по телевизору Вам нужно проверить
сцена когда-либо Гербьюти tm_source=docshare&utm_med
Лаймлайт Медиа
https://docshare.tips/zero-zero_
Адам Моес (https://docshare.tips/authors/Adam+Moes) tm_source=docshare&utm_med
-Подписаться 0
https://docshare.tips/zero-is-zer
(https://twitter.com/share) Делиться Сохранить 0
Содержание https://docshare.tips/zero_5887
Кристальная сила: пьезосоединение с квантовой нулевой точкой https://docshare.tips/zero_58b4

LJ, ноябрь tm_source=docshare&utm_med
La Luz Physics, Ла Лус, Нью-Мексико, 88337-0217, США Эл. почта: laluzphys@yahoo.com
https://docshare.tips/zero_5887
18 апреля 2011 г. tm_source=docshare&utm_med
Абстрактный. Мы рассматриваем электрооптические конструкции, в которых сила Казимира модулируется в противоположность упругости пьезокристаллов, например, в стопке чередующихся проводящих и
https://docshare.tips/zero_58b4
пьезослоев с возможностью настройки. Соседние перестраиваемые проводящие слои, настроенные на проводимость, притягиваются силой Казимира, сжимающей промежуточный пьезоэлектрический элемент,
но при последующей перенастройке на изолирующую, расположенные между собой пьезослои упруго расширяются, восстанавливая свои первоначальные размеры. В каждом цикле некоторая электрическая
энергия становится доступной из квантовой нулевой точки (zp). По нашим оценкам, максимальная мощность, которую можно получить при скорости полупроводниковой ТГц модуляции, составляет мегаватт/
см3! Аналогичным образом, волна диэлектрической проницаемости, генерируемая ТГц акустической волной в монокристалле за счет акустооптического эффекта, создает несколько когерентных обертонов
волновой моды Казимира и объемную моду. Мы моделируем эффект Казимира в синусоидально-градуированной среде, обнаруживая, что он значительно усиливается по сравнению с тем, что наблюдается в
многослойной стопке для эквивалентного контраста диэлектрической проницаемости, и более медленно уменьшается с масштабом, начиная с длины волны 1/λ2. Акустические волны дают сопоставимые https://docshare.tips/zero_5887
теоретические уровни мощности в МВт/см3 ниже обычного кристалла. tm_source=docshare&utm-_мед
Пороги повреждения. Пьезотермодинамические соотношения создают условия для эффективного взаимодействия объемной моды Казимира с внешней электрической нагрузкой. https://docshare.tips/zero_5887
Волновые моды Казимира также могут обмениваться энергией с основной акустической волной, что может частично объяснять затухание ТГц, наблюдаемое в материалах. Мы tm_source=docshare&utm_med
обрисовываем технико-экономическое обоснование создания практического кварцевого генератора энергии.
Номера PACS: 77.65.Dq, 78.20.hb, 42.50.Pq, 43.25.Ed.
https://docshare.tips/zero_58b4
1. Введение Хотя концептуально общепринято, что квантовое состояние с самой низкой энергией содержит энергию, квантовая нулевая точка (zp) или энергия
вакуумных флуктуаций, по-видимому, рассматривается многими физиками с некоторым недоверием как реальная энергия. Энергия zp кажется незаменимой в
самосогласованной формулировке многих различных физических процессов: рождения и аннигиляции пар, спонтанного излучения, лэмбовского сдвига, флуктуаций
электронов, излучения черного тела, частиц Ван-дер-Ваальса и сил вакуумной полости (см. превосходную работу Милонни). обзорная книга [1]), но возможность того,
что он может обеспечить значительную передачу энергии для использования человеком, слишком близка к нарушению закона сохранения энергии, получению чего-то
Просмотреть все (https://docshare.tip
даром или вечному двигателю. Хотя энергия ЗП хорошо принята
Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой
в качестве источника синтеза Вселенной из ничего в результате Большого взрыва путем создания пар [2] с эффектами усиления, возможными в процессах
динамического расширения [3], его значение в более распространенных физических процессах кажется менее приемлемым. Тем не менее, было показано, что
теоретически возможны методы, которые могут обеспечить значительную передачу энергии из квантового вакуума для практического использования [4], а возможные
реализации обсуждаются и исследуются [5, 6, 7]. Силы вакуумной полости, особенно на примере эффекта Казимира, дают макроскопическое проявление энергии zp.
Казимир [8, 9] показал, что близко расположенные параллельные проводящие пластины большой площади в вакууме обладают силой притяжения, которая возникает
из-за распределения электромагнитных флуктуаций в квантовом поле zp, вносимом проводниками. Мы могли бы предположить, что сила Казимира консервативна, как
гравитация, и параллельные проводящие пластины должны потерять при разделении всю механическую энергию, полученную в результате их притяжения. Однако,
похоже, на самом деле это не так: мы знаем, что силу Казимира можно включать или выключать, когда настраиваемые проводящие пластины заменяются проводящими
или изолирующими. Если параллельные перестраиваемые проводящие пластины действуют упруго, как пружина между ними, то работа, совершаемая при притяжении
пластин при включении эффекта Казимира, не обязательно возвращается при их последующем разделении при выключении эффекта Казимира. Этот избыток энергии
можно было бы, по сути, собрать, забрав энергию из кванта zp. Модуляция эффекта Казимира путем кондуктивного циклирования полупроводников лазерным светом
была продемонстрирована в точных дифференциальных тестах, которые подтвердили теоретические оценки с точностью до 1% [10, 11].
Рисунок 1. Мысленный эксперимент: многослойная стопка чередующихся проводящих и пьезослоев. Изменение настраиваемых проводящих слоев на проводящие, а затем
изолирующие приводит к казимировскому сжатию с последующим его упругим повторным расширением, которое воздействует на пьезокристаллы, из которых можно получить
полезную электрическую энергию.
Чтобы понять возможности извлечения энергии, мы рассматриваем в качестве идеализации стопку чередующихся проводящих и пьезослоев с возможностью настройки, ограниченных
проводящими электродами, как показано на рисунке 1. Эффект Казимира между двумя проводящими слоями создает результирующую силу притяжения на единицу площади F в
промежуточный пьезослой, который быстро падает с увеличением толщины пьезослоя ℓ−, поэтому для получения сильного эффекта пьезослои должны быть достаточно тонкими.
Сэндвич-проводящие пластины, разделенные небольшим промежуточным диэлектриком с диэлектрической проницаемостью εe− и толщиной ℓ−, обладают ближним полем.
Сила Казимира F⟨ (ℓ−), которая подчиняется степенному закону 1/ℓ3 до некоторого перекрестного разделения ℓ⟨⟩, −, а затем переключается на более крутой степенной
закон 1/ℓ4, записанный для идеально проводящих бесконечных − площадей, ограничивающих слои из формулировка Лифшица [12] [ ]4 π2 c 270 нм F⟩ = = дин/см2 , (1) √
240 εe− ℓ4 ℓ− − где статическая диэлектрическая проницаемость пьезослоя равна εe− ; как обычно, это постоянная Планка при 2π и c скорость света. Для крайнего
правого равенства для изоляторов с умеренным показателем преломления использовалась статическая диэлектрическая проницаемость εe− = 6 (квадрат показателя
преломления), что дает силу Казимира на единицу площади всего 1 дин/см2 или 1 эрг/см3 = 1E. −7 Джоулей/см3 для толщины пьезоэлемента ℓ− = 270 нм (используется
обозначение «E» для степени 10). Хотя решение Лифшица предназначено для бесконечно толстых пластин, его решение также представляет собой хорошее
приближение, когда пластины сравнимы по толщине с расстоянием между ними ℓ+∼ℓ−, как мы обсуждаем. Разделение кроссовера, при котором степенной закон
переключается на 1/ℓ3, обычно составляет менее 7 нм для близкопроводящих сэндвич-слоев, как мы уточняем в Приложении А. При воздействии на промежуточный
упругий материал сила притяжения на единицу площади F создает безразмерная деформация −sF или смещение сжатия sF ℓ− в слое толщиной ℓ− , где s — упругая
податливость материала для составляющей напряжения в направлении воздействия. Средняя работа, совершаемая на единицу площади силой Казимира при сжатии
промежуточного слоя непрерывным движением, равна интегралу за полупериод силы F, умноженной на бесконечно малое смещение sℓ− ∂F или sℓ− F 2 /2 для F
максимальное силу в цикле, давая полную работу, совершаемую за единицу времени и объема 1 W = sνF 2 , (2) 4 для езды на велосипеде со скоростью ν, и предполагая
равные нечетно-четные толщины слоев ℓ+ = ℓ− , поэтому половина том участвует в сжатии в любое время. Эта формула представляет собой приблизительную форму,
полезную для оценки амплитуды эффекта, поскольку она предполагает идеализацию высокой пьезоэффективности, статического пьезоотклика и игнорирует вклады
обратного пьезоэффекта, как мы подробно рассмотрим в разделе 6. Полупроводниковая модуляция со скоростями до примерно ν=1E13 Гц путем электрической
модуляции в соседних противоположно легированных слоях для конструкции современных транзисторов было продемонстрировано [13]. Соответствие материалов
варьируется от∼От 1E-7 до 1E-12 Па-1 для мягкой резины и до самых твердых кристаллов, таких как алмаз. Для оценки амплитуды эффекта наиболее консервативно
полагаем s∼1E−12 Па−1 = 1E−13 см2/дин, и из (2) получим мощность единицы объема W =0,25 эрг/с/см3 в стопке с толщиной слоя ℓ− = 270 нм. Поскольку мощность
масштабируется обратно пропорционально ℓ8, с десятой частью толщины слоя ℓ- =27 - нм, мы получаем гораздо большую W =2,5 Вт/см3, а для ℓ- =5 нм W =1,8 мегаватт
(МВт)/см3. ! На самом деле оценка несколько завышена для обычных хороших проводников, которые значительно отстают от идеала идеальной проводимости. Тем не
менее, наша более тщательная оценка дает мощность до мегаватт/см3 для идеализированных стопок чередующихся проводящих и пьезослоев, как мы обсуждаем в
разделе 4. Физические конструкции могут быть возможны, как мы развиваем в тексте, как осаждение только слоев ℓ− =5 нм, около 10 молекулярных слоев
по толщине достигаются с помощью микрослойной нанотехнологии, подобной той, что используется в интегральных схемах.
-
Рис. 2. Энергия ЗП стоячей акустической волны в пьезокристалле. Последовательные фронты плоских волн с близкой диэлектрической проницаемостью, создаваемые акустической
волной, взаимодействуют как чередующиеся слои, создавая дополнительную силу Казимира, которая модулируется во времени с колебанием волны.
Из мысленного эксперимента мы узнаем основной физический принцип и изучаем процессы, которые систематически модулируют эффект Казимира, такие как стоячая или движущаяся
волна давления, продольная или поперечная, которая вызывает периодическое синусоидальное изменение диэлектрической проницаемости за счет акустооптического эффекта, как
показано на рисунке Рисунок 2. Как и в случае с пакетом чередующихся слоев, соседние фронты плоских волн в диэлектрической проницаемости должны взаимодействовать через эффект
Казимира, создавая дополнительное продольное напряжение в крайних точках временных колебаний, как показано векторами силы F . Эффект Казимира в акустических волнах также
может вызывать разницу напряжений на пьезокристалле, из которого можно получать электрическую мощность. Эффект Казимира в средах с градуированной диэлектрической
проницаемостью рассматривался главным образом для понимания влияния мягких границ на трехслойные решения, и было показано, что он демонстрирует квантовые расходимости в
отличие от того, что обнаружено для растворов с дискретными слоями, что предполагает усиленный эффект [14, 15, 16] . Мы снова формулируем задачу для общего одномерного
пространственного изменения диэлектрической проницаемости в разделах 2 и 3. Численные модели для пакетов слоев чередующейся диэлектрической проницаемости представлены в
разделе 4, а для волн диэлектрической проницаемости в однородных средах - в разделе 5. Помимо усовершенствования для эквивалентного В отличие от диэлектрической проницаемости,
эффект Казимира также демонстрирует гораздо более медленное спад с масштабом изменения, чем то, что наблюдается в дискретных слоях. Динамика энергии zp рассматривается с
использованием пьезотермодинамических соотношений в разделе 6, где формально показан перенос энергии из или обратно в квант zp при казимировой модуляции пьезокристаллов для
определенных условий акустических волн. Энергия, которая не используется, циклически поступает в квант zp и выходит из него, при этом деформация и напряжение модулируются по
фазе. Оценки производства мощности для стопок чередующихся слоев и акустических волн в кристаллах на основе наших численных моделей приведены в разделе 7. Волновые моды
Казимира также могут взаимодействовать с основной акустической волной, вызывая ее затухание или рост, как мы обсуждаем в разделе 8. Некоторые практические вопросы
проектирования зп-мощности
комбайна на основе акустических волн в одиночных однородных пьезокристаллах обсуждаются с выводами в разделе 9. 2. Эффект Казимира с одномерным изменением
диэлектрической проницаемости Сила Казимира возникает в среде с одномерным изменением диэлектрической проницаемости ε(ξ, z) в пространственной координате ˆ
z, как в многослойной стопке, показанной на рисунке 1, или в монокристалле на рисунке 2. Общая комплексная диэлектрическая проницаемость ε(ξ, z) полностью
характеризует электрооптические свойства среды, определяя изменения показателя преломления и поглощения. как функция частоты света ξ. Сила Казимира
выводится во многих местах, особенно из общей формулировки Лифшица [12]. Запишем ее как силу на единицу площади или как давление как функцию от z с
положительным значением как сжимающее ∞ ∫ kB Θ ∑ ′ ∞ F (z) = ϖκ(z) (Ds (z) + Dp (z)) dϖ, (3) πc2 n=0 0 для постоянной Больцмана kB и температуры Θ. Сумма ведется по
частотам Мацубары ξ = n2πkB Θ/ = n[Θ/300K] 2,47E14 рад/с, где целочисленный индекс n отсчитывает частотные интервалы, а штрих в сумме указывает на то, что член с
нулевой частотой n = 0 получает половину веса. Два термина D(s) представляют собой
Вариация френелевского отражения для перпендикулярных s (сенкрехта) и параллельных p zp поляризованных лучей, определенных R(s)+ (z)R(s)− (z) pp , (4) D(s) (z) = p 1 − R( s)+ (z)R(s)− (z)
pp для коэффициентов отражения Френеля R(s)± , которые зависят от диэлектрической проницаемости.
ε(ξ, z)≡ ε(iξ, z), проекция комплексной диэлектрической проницаемости на ее мнимую ось частоты ˆ, которая превращает комплекс ε в действительную функцию ε,
соответствующую ограничениям причинности Крамерса-Крёнига ˆ o [17]. Это решение можно применять для представления изменений индекса, поглощения,
проводимости или магнитной проницаемости в среде. Обычно конечную сумму по частотам Мацубары в (3) заменяют интегралом ∫∞ ∑. Символически сумму можно
аппроксимировать ∞ ′ . . .→0 . . . dn, который n=0 правильно учитывает интервал половинного размера вокруг нижнего предела n = 0. Использование формулы Мацубары
с dξ = (2πkB Θ/ )dn при замене дает интегральное приближение для силы Казимира ∫ ∞∫ ∞ ϖκ(z) (Ds (z) + Dp (z)) dϖdξ. (6) F (z) = 2 2 2π c 0 0 Общая замена суммы,
учитывающая особенности комплексной функции диэлектрической проницаемости ε(iξ), должна включать значения принципа Коши, представленные ˆ
волновое число κ(z) относится к диссипативным электромагнитным модам zp и определяется суммой Мацубары и частотами интегрирования ξ и ϖ )1 1( κ(z) = ε(ξ, z)ξ 2
+ ϖ2 2 . (5) c В определении κ(z) и коэффициентов отражения Френеля R(s)± используется функция
Формула Абеля-Планы [18]. Особенности комплексной функции ε(iξ) находятся на положительной вещественной оси ˆ по ее комплексному аргументу iξ и заключены в
верхнюю полуплоскость iξ бесконечным интегралом по мнимой оси iξ, содержащимся в сумме по действительным значениям. Частоты Мацубары ξ от нуля до
бесконечности в формуле (3). Простая замена суммы интегралом представляет собой хорошее приближение для всех температур, когда масштабы изменения меньше
примерно 1 мкм [19], как мы иллюстрируем в численных моделях в разделе 4. Коэффициенты отражения Френеля R(s) ± (z) для соответствующие диссипативные волны
волновые числа κ(z) в s- и p-поляризациях распространяются рекурсией в левой части (−) от R(s)− (z) = 0 при z→ −∞ или в правой части (+) от R(s)+ (z) = 0
при z→ +∞. Левые коэффициенты отражения R(s)− (или правые R(s)+ ) изменяют перемещение pppp
расстояние Δz (или перемещение −Δz для правосторонних коэффициентов), чтобы пересечь скачок диэлектрической проницаемости при некотором z, следуя комплексной формуле
[раздел 1.6][20] R(s)± (z) =
r(s)± (z) + R(s)± (z ± Δz)e−2κ(z±Δz)Δz pp
1 + r(s)± (z)R(s)± (z ± Δz)e−2κ(z±Δz)Δz pp
, -
(7)
при этом Δz всегда положительное, где коэффициенты скачка в точке z, r(s)± (z), определяются p относительными разностями κ(z∓ δz) − κ(z ± δz) rs± (z) = , (8) κ(z∓ δz) + κ(z ±
δz) ε(z ± δz)κ(z∓ δz) − ε(z∓ δz)κ(z ± δz) , (9) rp± (z) = ε(z ± δz)κ(z∓ δz) + ε(z∓ δz)κ(z ± δz) для любого бесконечно малого (положительного) расстояния δz < Δz. Мы соблюдаем
соглашение о знаках, согласно которому различия заключаются между волновым числом ближе к z = 0 минус волновым числом дальше, что приводит к удобной
симметрии решения. Без изменения диэлектрической проницаемости на интервале Δz коэффициенты скачка равны нулю r(s)± = 0, а коэффициенты отражения Френеля
экспоненциально убывают по +z для левосторонних решений R(s)− (z) или по −zp для правосторонних решений R(s)+ (z) с R(s)± (z) = R(s)± (z ± ∆z) exp(−2κ∆z). Формулы ppp
применимы для коэффициентов отражения, пересекающих дискретные скачки диэлектрической проницаемости, но применимы и в градиентных средах, как мы
подробно рассмотрим в следующем разделе. Иногда мы обозначаем переменные как εj (ξ) или κj, используя индексы, а не функции z для дискретных слоев,
отсчитываемых от среднего слоя j = 0, как показано на рисунке 3. Индекс ± также используется для четных и нечетных слоев с чередующимися стопки слоев, где особый
интерес представляет обращенное состояние с перепутанными диэлектрическими проницаемостями ε+↔ ε−и волновые числа κ+↔ κ− . Для симметричного изменения
диэлектрической проницаемости ε(z) = ε(−z) рекурсивное применение формулы (7) дает R(s)+ (z) = R(s)− (−z), или для произведения R( s)+ (z)R(s)− (z) =
ппппп
R(s)+ (−z)R(s)− (−z) для D(s) (z) = D(s) (−z) из (4) и симметричной силы Казимира pppp в (3 ) или (6) с F (z) = F (−z). В многоэлементной стопке или волне квадратной
диэлектрической проницаемости сила Казимира постоянна в каждой зоне постоянной диэлектрической проницаемости. Левая/правая сторона (∓)Френель
Рисунок 3. Плоскопараллельный многослойный сэндвич с nℓ слоями различной диэлектрической проницаемости на каждой стороне слоя j = 0, представляющего принципиальный интерес.
коэффициенты отражения распространяются от скачков ограничивающей диэлектрической проницаемости при z =∓ℓ0 /2 до заданного z в среднем слое толщиной ℓ0,
как на рисунке 3, с ℓ0 ℓ0 R(s)± (z) = R(s)± (±)e−2κ0 ( 2∓z) , (10) pp 2, поэтому в произведении зависимость z исчезает при ℓ0 ℓ0 R(s)+ (z)R(s)− (z) = R(s)+ ( )R(s)− ( − )e−2κ0 ℓ0 , (11)
pppp 2 2, дающий D(s) из (4) и F из (3) и (6) не зависящими от z поперек слоя. Независимость p от решения z очевидна на среднем уровне в многоуровневых решениях,
представленных в литературе. Для трехслойной стопки скачки при z = ±ℓ0/2 определяют произведения коэффициентов отражения Френеля R(s)+ R(s)− =
пп
r(s)+ (ℓ0 /2)r(s)− (−ℓ0 /2) exp(−2κ0 ℓ0 ) из (8) и (9), что согласуется с пп Лифшица
формула (уравнение (4.14) в работе Дзялошинского и др. [21] с некоторыми заменами). Для пятислойной стопки nℓ = 2 со слоями толщиной ℓj, отсчитанными как −2 ≤ j ≤ 2, как показано на
рисунке 3, мы получаем произведения коэффициентов отражения Френеля, как в (11), на коэффициенты отражения R(s)± (± ℓ0 /2), определяемый формулой (7) с использованием двух
восходящих скачков
коэффициенты r(s)± (±(ℓ±1 + ℓ0/2)) определенные в (8) и (9), что согласуется с Чжоу и П Спрухом (уравнения (3.8) и (3.12)–(3.16) в [22]). Формулы дают аналогичное согласие для силы
Казимира в (3) или (6) с любым числом слоев, как это было показано в многочисленных исследованиях [23, 24, 25]. 3. Эффект Казимира в среде с переменной диэлектрической
проницаемостью. Определение силы Казимира из уравнений (3) или (6) также применимы в среде с градиентной диэлектрической проницаемостью с одномерной непрерывной
диэлектрической проницаемостью ε(z), как можно видеть путем аппроксимации изменения диэлектрической проницаемости дискретными слоями для некоторой малой толщины слоя Δz,
как показано на рисунке. 4. Пространственно-сдвинутая форма рекуррентной формулы (7) непосредственно пригодна для численных расчетов распространения коэффициентов
отражения Френеля вдали от интересующей области с начальным R(s)± = 0 через p-интервалы с центрированными скачками диэлектрической проницаемости, записанными для левые
коэффициенты R(s)− (z) =
r(s)− (z − Δz/2) + R(s)− (z − Δz)e−κ(z−Δz)Δz pp
1 + r(s)− (z − Δz/2)R(s)− (z − Δz)e−κ(z−Δz)Δz pp
e−κ(z)Δz ,
(12)
для коэффициентов скачка r(s)− (z − Δz/2), которые все еще определены как в (8) и (9). Коэффициенты правостороннего отражения R(s)+ могут быть распространены аналогичным образом
от z→∞ в p направлении −z, но в наших численных моделях они определяются с помощью соотношения R(s)+ (z) = R(s)− (−z), применимого к симметричным расположениям вокруг
середины z = 0. pp A подход прямых вычислений, подобный этому, был применен для оценки эффекта Казимира в линейно градуированных средах Инуи [26].
Рис. 4. Прямой расчет коэффициентов отражения Френеля в среде с ступенчатой диэлектрической проницаемостью. Непрерывное изменение диэлектрической
проницаемости ε(z) аппроксимируется дискретными слоями малой толщины Δz.
Формула рекурсии Френеля для градиентной среды (7) или (12) с (8) и (9) записывается в пределе, когда интервал Δz становится бесконечно малым Δz→0
дифференциальным уравнением непрерывного изменения коэффициентов отражения Френеля R(s)±(z), как в примере [20, раздел 1.6]. Сохраняя только члены первого
порядка по Δz, p, из любого рекуррентного соотношения ( ) ∂R(s)− p 2 = r(s)− (z) 1 − R(s)− (z) − 2κ(z) R(s)− (z), (13) ppp ∂z с коэффициентами скачка, аппроксимируемыми
производными для пространственно непрерывной диэлектрической проницаемости ε(z) ( )2 1 ∂κ ξ ∂ε rs− (z) = = , (14 ) 2κ(z) ∂z -
2cκ(z) ∂z ) ( ) (( )2 1 ∂κ ξ 1 ∂ε 1 ∂ε rp− (z) = − = − , (15) 2κ(z) ∂z 2ε(z) ∂z 2cκ( z) 2ε(z) ∂z с волновым числом κ(z), по-прежнему определенным уравнением (5), ε(z) и κ(z) неявно
сохраняют свои зависимости от частот ξ и/или ϖ. Мы рассматриваем ограниченные решения с всюду малыми коэффициентами отражения |R(s)− (z)|≪1, что
соответствует нашему основному интересу к малым периодическим флуктуациям диэлектрической проницаемости p на фоне постоянной диэлектрической
проницаемости. Таким образом, мы можем линеаризовать уравнение. (13) и получим интегральное решение в замкнутой форме [∫ ( ) ] ∫ ∫ −2 κ(z)dz 2 κ(z)dz ′ 2 R(s)− (z) =
eer(s)− (z) 1 - R(s)- (z) dz . (16)
ппп
Функция R′ s − (z) представляет собой априорное приближение коэффициентов отражения Френеля (p), которое мы применяем в наших численных итерациях. Для нашей аналитической
оценки,
все интегралы оставляем неопределенными и функциями от z. Нижняя граница интеграла в экспоненциальном интегрирующем множителе, конечно, произвольна, поскольку любая
константа в экспоненциальных множителях вне основного интеграла заменяется той же константой из внешней экспоненты. При добавлении константы интегрирования в квадратные
скобки в (16) к коэффициенту отражения добавляется слагаемое за счет главного внешнего экспоненциального интегрирующего множителя, который расходится как z→ −∞ для R(s)− (z),
поскольку κ(z) всегда положительно, или поскольку z→ +∞ п
в аналогичном выражении для R(s)+ (z). Оставление основного интеграла в квадратных скобках, поскольку p неопределенное, всегда дает ограниченные решения. Ограниченные
коэффициенты отражения также должны быть периодическими с периодическими колебаниями диэлектрической проницаемости, поскольку сдвиг начала расчета на любое количество
длин волн nλ по z не может изменить форму решения. Для периодических флуктуаций диэлектрической проницаемости волновое число из (5) всегда можно записать как константу плюс
пространственно-периодический член κ(z) = κ0 + κ1 (z), что дает экспоненциальный интегрирующий множитель, который разлагает ˜ ˜ ∫ в произведение постоянные и пространственно-
периодические функции exp(2 κ(z)dz) = ∫ exp(2˜ 0 z) exp(2 κ1 (z)dz), как интеграл от периодической функции с нулевым средним вроде κ ˜ κ1 (z) также является периодическим. Таким
образом, сдвинув начало основного неопределенного интеграла в (16) на ˜ целое число n длин волн z→z + nλ, выносит константу exp(2n˜ 0 λ) из квадратных скобок, оставляя квадратные
скобки неизменными, и эта константа просто сокращается вместе со своей обратной величиной из внешней экспоненты. Даже член возмущения R′ s − (z) (p), определенный на
предыдущей итерации, должен быть периодическим, поэтому периодические решения обобщаются за пределы линейного случая с R(s)− (z) = R(s)− (z + nλ ).
пп
Оставить основной интеграл неопределенным в (16) удобно для наших аналитических оценок, но в численных реализациях интеграл необходимо вычислять в заданных пределах. Затем
мы включаем в квадратные скобки добавленную константу интегрирования, которую определяем условием периодичности R(s)− (z) = R(s)− (z + λ) для произвольного z для периодических
изменений диэлектрической проницаемости pp. В Приложении B приведена желаемая с вычислительной точки зрения форма константы интегрирования для численных приложений.
Разложение Фурье для пространственного изменения волны диэлектрической проницаемости по z с минимальной диэлектрической проницаемостью при z = 0 записывается как 2πz ε(z) =
ε0 − ε1c cos ˜ ˜ (17) , λ, используя тильду εk(cs) для обозначения (действительной) пространственной волновой моды Фурье с волновым числом ˜ k в косинусных (c) или синусоидальных (s)
элементах. Волновые моды Фурье неявно сохраняют зависимость Мацубары от частоты ξ ε0 = ε0 (ξ) и ε1c = ε1c (ξ). Мы не вводим здесь временные изменяющиеся факторы ˜ ˜ ˜ ˜, поскольку
изменения волн всегда считаются медленными по сравнению с частотами, которые важны для эффекта Казимира. Изменение диэлектрической проницаемости ε(z) может представлять
собой стоячую волну, подобную той, что показана на рисунке 2, которая не меняет своей пространственной формы, но демонстрирует синусоидальное временное изменение под
действием внешнего временного фактора, поскольку ε(z)→ ε(z) cos 2πνt или в обычной аналитически продолженной форме с ε(z)→ ε(z) exp(i2πνt) и cos(2πz/λ)→exp(i2πz/λ), поскольку мы
используем
10
в пространственно-временном анализе Фурье в разделе 6. Решения для бегущих волн получаются аналогично с движущимся волновым фронтом ±z путем замены z→ λν
т∓з. Предполагая относительно небольшую амплитуду волны |˜1c |≪ |˜0 | коэффициенты скачка ε ε r(s)− (z) и волновое число κ(z) записываются в первом порядке по
ε1c с помощью производной z ˜
диэлектрической проницаемости из (14) и (15) и определения (5) 2πz , (18) r(s)− (z) = r(s)1s sin ˜ pp λ 2πz κ(z) = κ0 − κ1c cos ˜ ˜ , (19) λ где π ε1c ˜ πξ 2 ε1c ˜ rs1s =
2 2 , rp1s = rs1s − ˜ ˜ ˜ , 2c λ˜ 0 κ λ˜0 ε 1 ξ 2 ε1c ˜ κ0 = (˜0 ξ 2 + ϖ2)1/2 и κ1c = 2. ˜ ε ˜ c 2c κ0 ˜ Обратите внимание, что в первом порядке κ0 не зависит от ε1c, а
все остальные коэффициенты ˜ ˜ пропорциональны ε1c. ˜ Подставляя в (16) и сохраняя члены только первого порядка по флуктуации диэлектрической
проницаемости ε1c , получаем аналитический интеграл для коэффициентов отражения Френеля ˜ ∫ r(s)1s κ0 sin 2πz − π cos 2πz ˜ ˜ 2πz −2˜ 0 z κ κ λ λ R(s)− (z)
знак равно r(s)1s е ˜ e2˜0 z грех dz знак равно п (20) ( π )2 λ . 2 pp λ 2 κ0 + λ ˜ Неопределенная форма интеграла, как и ожидалось, дает периодическое
решение. Коэффициенты отражения Френеля R(s)± (z) вносят вклад в силу Казимира
п
в (3) или (6) через их произведения R(s)+ (z)R(s)− (z). Помня, что R(s)+ (z) = ppp R(s)− (−z) для симметричного изменения диэлектрической проницаемости около z = 0, как в
волне от
(17) получаем λ2 ˜s R(s)+ (z)R(s)− (z) = 2 r(2)1s pp 8π p
1 4πz χ2 − 1 cos − χ2 + 1 λ (χ2 + 1)2
) , (21)
определяя новую переменную χ≡ κ0 λ/π. ˜ Коэффициент скачка rp1s из (15) имеет порядок, а rs1s из (14) порядка или ˜ ˜ меньше флуктуации относительной
диэлектрической проницаемости ε1c /˜0 и, возможно, меньше, поскольку ˜ ε 2 2 2 2 2 2 2 ˜ ˜ κ0 знак равно ε0 ξ /c + ϖ /c ≥ ε0 ξ /c . Таким образом, произведение R(s)+ (z)R(s)−
(z) не превышает ˜ pp второго порядка по изменению относительной диэлектрической проницаемости. Смещение в знаменателе D(s) (z) в (4) вносит эффект еще
меньшего порядка, поэтому для стоячей малой амплитуды -

п
волна диэлектрической проницаемости, сила Казимира из уравнения. (6) записывается в наиболее значимом порядке по относительной
флуктуации диэлектрической проницаемости как − (z)dχdξ + F (z) = 3 2λ 0 0 0 0, исключив переменные κ0 и ϖ заменой на новую переменную
χ. Коэффициенты скачка из (14) и (15) записываются через χ как ξ 2 λ˜1c ε π ε1c ˜ rs1s = ˜, rp1s = rs1s − ˜ ˜ (23) 2 χ2 2πc λ ε0 ˜
11
Произведение поляризации Rs+ (z)Rs− (z) имеет вид 1/χ6 асимптотически для χ≫1, что дает вклад 1/χ4 в первый интеграл в (22), тогда как второе произведение
поляризации Rp+ (z)Rp− (z) имеет вид 1/χ2 при больших χ, поэтому второй интеграл в (22) равен линейно расходящиеся. Второй расходящийся интеграл p-поляризации
является доминирующим, поэтому опустим интеграл по s-поляризациям в (22) и получим (∫ ( ) )( ) ∫ ∫ χc 2 ∞ 2 π ε1c ˜ 4πz χc χ2 2 χ −1 F (z) = dχ − dχ , (24) dξ cos χ 2 16λ3 ε0 ˜ λ 0
χ2 + 1 (χ + 1)2 0 0, выделив интеграл ξ с контрастом диэлектрической проницаемости ε1c /˜0 и полагая, что ˜ ε не зависит от ξ в обрезании χc. Интегральное обрезание χ
определяется частотой среза ωc, которая намного превышает максимальную частоту флуктуаций диэлектрической проницаемости, которая является частотой
электронных колебаний, и поэтому может быть аппроксимирована χc≃ λωс /(πc). Расходящийся интеграл рассматривается путем введения гладкой лоренцевой
обрезающей функции в интегрирование вокруг верхнего значения χc в наших численных расчетах как формы ковариантной регуляризации [27, раздел 9.6] [28, раздел
9.2] и простого усечения интеграла при χc в этот аналитический вывод. Обе процедуры дают очень похожие оценки силы Казимира, как мы обсуждаем в разделе 5.
Регуляризация путем введения максимального ограничения частоты, естественного для физического процесса, кажется достаточной для нашего интереса к оценке
амплитуды и изучению общих свойств эффекта Казимира в волнах диэлектрической проницаемости. . Мы утверждаем, что электронная реактивность по отношению к
виртуальным фотонам должна быть ограничена максимальной отдачей из-за небольшой, но конечной инерции электронов, или, возможно, что то же самое, расчет qed
демонстрирует небольшую, но конечную длину корреляции, представленную комптоновской длиной волны [29, главы 8-9] . В любом случае частота Комптона кажется
единственным подходящим выбором для верхней границы частоты в обычных материалах, которая используется в других исследованиях, проверяющих эффект
Казимира, и которая успешно применяется с другими эффектами zp, исторически и наиболее известным из которых является Лэмбовский сдвиг [30], [28, раздел 9.6.2].
Таким образом, за me массу электрона примем ωc = me c2 / =7,76E20 рад/с. Интегралы χ в (24) аналитичны и оба хорошо аппроксимируются значением их верхних
пределов χc для χc≫1, что дает )( (∫ ( ) ) 2 ∞ 4πz ωc ε1c ˜ dξ cos F (z) = −1 . (25) 16λ2 c ε0 ˜ λ 0 Сила Казимира в среде с малой амплитудой флуктуации относительной
диэлектрической проницаемости имеет величину 1/λ2 на всех длинах волн и имеет второй порядок по флуктуации относительной диэлектрической проницаемости. до
максимального отрицательного значения, где cos = −1. Таким образом, эффект Казимира в волнах диэлектрической проницаемости малой амплитуды всегда
отталкивающий. Мы ссылаемся на моды Казимира отдельно, приравнивая члены в ˜ ˜ пространственном разложении Фурье F (z) = F0 + F2c cos 4πz/λ. Эта
пространственная волновая мода с наибольшей амплитудой, дающая вклад в силу Казимира из (25), не меняет знак с изменением знака волны диэлектрической
проницаемости, так как
12
Контраст диэлектрической проницаемости входит только в квадрат ее значения. Сила Казимира исчезает, когда контраст волновой диэлектрической проницаемости исчезает на нулевой
временной фазе, и поэтому сила Казимира модулируется с удвоенной частотой волны диэлектрической проницаемости 2ν. Можно видеть, что пространственные волновые моды,
отличные от cos(4πz/λ), имеют члены, пропорциональные r(s)1s, и поэтому ˜ p действительно демонстрирует изменения на частоте нормальной волны ν, но эти члены имеют меньший
порядок по степеням относительное колебание диэлектрической проницаемости. Свойства волновых мод Казимира меньшего порядка мы изучаем численно в разделе 5. 4. Эффект
Казимира в стопке чередующихся слоев. На рисунке 5 показана зависимость силы Казимира в среднем слое стопки чередующихся слоев от пространственного масштаба. λ = ℓ− + ℓ+ для
диэлектрических проницаемостей ε± (ξ) как на рисунке Рисунок 1 или на рисунке 3 с одинаковыми толщинами слоев ℓ+ = ℓ− . Трехслойный расчет (nℓ = 1), полученный путем численного
интегрирования уравнения. (6) показано с трехслойными расчетами для трех температур с использованием суммы Мацубары из (3) (сплошные линии), с 41-слойным расчетом (nℓ = 20) с (6)
(точка, точка, длинный штрих) и с предельными степенными формами F⟨ (точка-тире) и F⟩ (длинное тире) из уравнений. (A.3) и (A.6), соответственно, обсуждаются в Приложении A. Нижняя
панель иллюстрирует те же данные в расширенном масштабе за вычетом трехслойной кривой.
Рисунок 5. Сила Казимира как функция масштаба λ = ℓ− + ℓ+, от 1E−8 см=1˚ до A 1E−3,6 см=2,5 мкм, с переменным контрастом статической диэлектрической проницаемости Δεe/εe = 0,01, для
3 слоев и для трех температур (сплошные линии), для 41 слоя nℓ = 20 (точка-точка, длинный штрих) по сравнению с законами предельной степени F⟨ (пунктир) и F⟩ (длинный штрих). Те же
данные показаны на нижней панели в расширенном вертикальном масштабе с вычетом log10 F для 3 слоев.
Для наших моделей мы принимаем обычную форму комплексной диэлектрической проницаемости как функции частоты света ξ ε(ξ) = 1 + ˆ 2 ωp
εe − 1 − , 2 1 − ξ 2 /ωe ξ(ξ + iγp )
(26)
13
которая определяется единственной электронной полосой на частоте ωe, характерно∼2E16 рад/с силой εe −1, и проводящий член, определяемый плазменной частотой ωp, которая
колеблется от 0 до 2E15 рад/с в полупроводниках и достигает около 1,6E16 рад/с в легированных полупроводниках или в лучших комнатных условиях. температурные металлические
проводники, с частотой друдевских столкновений γp, характерно∼2Э14 рад/с. Упрощенная форма содержит важные члены эффекта Казимира [17]. Полоса колебаний решетки на более
низкой частоте (обычно 9E12 рад/с) представляет собой следующий более низкочастотный эффект в кристаллах, но она находится ниже важного частотного диапазона и имеет
относительно небольшую силу осциллятора, что вносит значительный вклад в эффект Казимира. Основной вклад в статическую диэлектрическую проницаемость вносит полоса
электронных колебаний с ε(ξ = 0) = εe; εe∼6 для интересующих материалов. Из-за причинных ограничений модели комплексной диэлектрической проницаемости всегда должны быть
действительными на мнимой оси частот. Действительная проекционная диэлектрическая проницаемость из (26) определяется ε(ξ)≡ ε(iξ), что дает ˆ 2 ωp εe − 1 ε(ξ) = 1 + + . (27) 2 1 + ξ 2 /ωe ξ(ξ
+ γp) Прогнозируемая диэлектрическая проницаемость ε(ξ) должна быть медленно меняющейся монотонно убывающей функцией [17] и во многих местах изображается для проводников и
непроводников (см., например, рисунок 20). [11]). Для расчетов на рисунке 5 материал предполагается непроводящим (ωp = 0), с ωe = 2E16 рад/с и εe =6, со статической диэлектрической
проницаемостью εej в последовательных слоях j, чередующейся между εe± = εe ± Δεe; для рисунка использован контраст диэлектрической проницаемости Δεe/εe =0,01. Следуя соглашению,
использованному в предыдущих разделах, средние слои j = 0 и четные j обозначаются индексом «-», а нечетные слои j - «+». Хотя обсуждаемая формулировка в основном применима к
произвольным многослойным стопкам с пронумерованными слоями, нас по-прежнему интересуют в первую очередь стопки чередующихся ±-слоев. При небольших изменениях
диэлектрической проницаемости |Δε|≪ ε,предполагается, что параметрическое представление в модели (26) и (27) остается точным. Тогда
-
Изменение диэлектрической проницаемости можно описать разложением по производной ∂ε ∂ε ∂ε ∂ε Δε = Δεe + Δωe + Δωp + Δγp. (28) ∂εe ∂ωe ∂ωp ∂γp Физические процессы в материалах
изменяют параметры диэлектрической проницаемости по-разному, поэтому мы исследуем эффект Казимира с различными изменяющимися параметрами в наших численных моделях.
Хотя такие параметрические процессы должны давать наиболее существенный вклад в эффект Казимира, который можно внести с помощью акустических волн, в него также входят
дополнительные спектральные эффекты, не представленные в модели диэлектрической проницаемости (26). Спектр диэлектрической проницаемости ε(ξ) претерпевает существенные
изменения с давлением вблизи резонансов колебаний решетки, обычно описываемых как спектральные изменения коэффициента фотоупругости [31, глава 9]. Коэффициент
фотоупругости входит в феноменологическую теорию акустических волн, которую мы описываем в начале раздела 8. В наших численных экспериментах мы отмечаем очень разные
предельные формы, которые возникают при возмущении различных параметров, контролирующих диэлектрическую проницаемость.
14
Как хорошо известно и видно из рисунка 5, сила Казимира для трехслойной стопки демонстрирует относительно мелко- и крупномасштабные предельные степенные
формы. Наш рисунок 5 в расчете 41 слоя nℓ = 20 (точка-точка-длинное тире) предполагает обобщение этого свойства на произвольные многослойные стопки. Пока
коэффициенты скачка многослойной стопки малы |r(s)± |≪1, их вклад в коэффициенты отражения R(s)± в п.п.
(7) экспоненциально затухают с увеличением расстояния от середины z = 0. Конечный экспоненциальный множитель в рекурсивной формуле exp(−2κ(0)ℓ0), как он
появляется в (11), всегда должен быть доминирующим, и увеличение числа слоев не может сильно изменить предельный вид интеграла. Мы повторно рассматриваем и
исследуем область применения форм предельных решений Лифшица в Приложении А. Мы считаем удобным использовать пространственный период в чередующихся
слоях в качестве соответствующего масштаба, т.е. длину волны λ = ℓ− +ℓ+ . Хотя естественным выбором была бы сама толщина среднего слоя ℓ−, полный период
облегчает сравнение с длиной волны эффекта Казимира в градиентных средах, описанного в последующих разделах. Хотя мы используем длину волны в качестве
зависимой переменной и предполагаем равные толщины нечетно-четного слоя на всех рисунках, показанных в этом разделе, с λ = ℓ− + ℓ+ = 2ℓ− , эффект Казимира в
стопке чередующихся слоев по существу определяется формулой только толщина четного слоя ℓ− и мало меняется при изменении относительной толщины нечетных
слоев ℓ+ /ℓ− на несколько порядков. В наших численных расчетах интегралы бесконечной частоты по ξ и ϖ в уравнениях. (3) и (6) записываются как конечные угловые
интегралы путем замены каждого ξ или ϖ на ωe tanι θ и интегрирования от θ = 0 до π/2. Интеграл ξ сходится, поскольку диэлектрическая проницаемость обращается в
ноль при ξ≫ ωе. Хотя интеграл ϖ в целом расходится (эффект, очевидный для градиентных сред, как мы уже обсуждали), он сходится для многослойных стопок из-за
экспоненциального затухания коэффициентов отражения из (11), которое обрезается при волновых числах κ(0)≫1/ℓ0 в среднем слое или частотах ϖ≫ κ(0)с = с/ℓ0 . Мы
обнаружили, что интегралы сходятся последовательно за наименьшее количество шагов интегрирования со степенью ι = 6 и получают относительную точность лучше,
чем 1E−3, используя правило Симпсона со 120 шагами, которое мы использовали для всех многослойных расчетов, описанных здесь. На рис. 6 показана сила Казимира F
(λ) для переменной статической диэлектрической проницаемости εe на (а), частоты электронных колебаний ωe на (б) и плазменной частоты ωp на (в). Статическая
диэлектрическая проницаемость (а) и электронная частота (б) чередуются с небольшими различиями, указанными на рисунке, но плазменная частота (в) колеблется
между ωp = 0 в непроводящих четных слоях и ωp+ в проводящих нечетных слоях с γp =2E14. рад/с. Результаты накладываются на расчеты, выполненные с увеличением
количества слоев nℓ = 1, 2, 3, 5, . . . (все показано пунктиром) и nℓ = 20 (сплошной). Относительные изменения менее 5E-3 в расчетной силе Казимира в диапазоне
масштабов обнаруживаются при увеличении количества слоев, используемых в расчетах выше, примерно при nℓ = 3. Все оценки силы Казимира соответствуют тонким 1/
λ3 или 1/ℓ3. -предельная степенная форма, 0, но степенной закон толстого предела 1/ℓ4 не применяется к флуктуациям частоты колебаний электронного 0 Δωe/ωe, как
мы подробно объясняем в Приложении A. Численные эксперименты для флуктуирующей частоты электронных колебаний ωe (b) предложите еще одну определенную
толщину
15
Рис. 6. Сила Казимира F (λ = ℓ− + ell+ = ℓ− /2) в центральном слое многослойной стопки с переменной статической диэлектрической проницаемостью εe (а), переменной
частотой электронных колебаний ωe (б) и плазменной частотой в нечетные слои ωp+ (в). Расчеты с различными контрастами параметров для 41 слоя nℓ = 20 (сплошные)
и менее nℓ =1, 2, 3, 5, . . . (пунктирные).
слой степенной формы 1/ℓ8 . Хотя степенные зависимости 1/ℓ3 и 1/ℓ4 видны 0 0 0 в диапазонах λ или ℓ0 с переменной плазменной частотой на панели (c), они не
показывают ни одного кроссоверного разделения, но эффекты сильно и специфически зависят на контрасте плазменных частот. Разделение последовательных
силовых кривых с увеличением контраста диэлектрической проницаемости происходит как квадрат относительного контраста (Δεe /εe ) 2 на панели (а) и как (Δωe /ωe )2
на (б) с отклонениями силы Казимира поперек диапазон λ не более 5E−3 до относительных контрастов 0,01. При более высоких контрастах возникают большие
вариации, поскольку нелинейные эффекты начинают играть важную роль. Квадратичная зависимость естественна, так как сила Казимира
16
(11), а коэффициенты скачка подчиняются относительной производной r(s)±∼ (∂ϵ/∂z)/ϵ в их p наиболее значимых вкладах в интегралы, как
видно из (14) и (15).
из (6) имеет вид R2 s ± . Коэффициенты отражения ощущают свой основной вклад от (p) первого скачка и поэтому должны иметь вид R(s)± (ℓ0 /2)∼r(s)± как
и в обсуждении после
пп
Рис. 7. Разность сил Казимира ΔF (λ) между нормальными стопками и стопками с обращенной диэлектрической проницаемостью для переменной статической диэлектрической
проницаемости εe (а), переменной частоты электронных колебаний ωe (б) и плазменной частоты в нечетных слоях ωp+ (в). Расчеты с различными контрастами параметров для 41 слоя nℓ
= 20 (сплошные) и менее nℓ =1, 2, 3, 5, . . . (пунктирные).
Хотя эффект Казимира в основном не меняется между обычными и перевернутыми стопками нечетно-четных, все же существуют небольшие остаточные систематические различия.
Изменение силы Казимира между нормальным и обратным состояниями статической диэлектрической проницаемости ΔF (λ) показано на рисунке 7 для переменных статических
диэлектрических проницаемостей εe на панели (а), переменной частоты электронных колебаний ωe на (б) и плазменной частоты в нечетных слоях ωp+. в (в). Сила

-
17
разности необходимо вычислять перед интегралами по частоте в (6), чтобы избежать большого относительного числового шума, поскольку разница мала по сравнению с самой силой.
Разности сил накладываются для увеличения числа соседних слоев, используемых в расчете nℓ = 1, 2, 3, 5, . . . (все показано пунктиром) и nℓ = 20 (сплошной). Относительные изменения, не
превышающие примерно 0,05, обнаружены для расчетов, выполненных с более чем 7 слоями (nℓ = 3). Различия в силах между нормальными и обратными пакетами ΔF (λ) увеличиваются
по мере куба контраста диэлектрической проницаемости в (a) и (b), что естественно для небольших различий между силами, которые одинаковы до второго порядка в их контрастах четных
и нечетных диэлектрических проницаемостей. Разности сил демонстрируют хорошие степенные формы толстого слоя с флуктуирующей статической диэлектрической проницаемостью εe,
подчиняющейся тому же степенному закону, что и для силы Казимира 1/ℓ4 0 в (а), и гораздо более крутую степенную форму толстого слоя. 1/ℓ10 для колебаний электронной частоты 0 ωe на
(b). Разности сил между нормальным и обратным изменением плазменной частоты в (c) показывают характерные степенные формы 1/ℓ3 и 1/ℓ4 в диапазонах масштаба, 0 0, но без
очевидной зависимости разделения кроссовера от плазменной частоты. контраст. Разности сил не демонстрируют очень четко выраженных степенных форм тонкого слоя, а составляют
лишь примерно 1/ℓ1,5 на всех панелях (a) – (c). 0 Поскольку модуляция циклов силы Казимира между почти идентичными нормальными и обратными состояниями диэлектрической
проницаемости проходит через ноль, поэтому при модуляции диэлектрической проницаемости на частоте ν сила Казимира модулируется в основном на частоте 2ν. 5. Эффект Казимира в
волне диэлектрической проницаемости На рисунке 8 показан пример профиля силы Казимира F (z) на одной длине волны с диэлектрической проницаемостью ε(z) (показано вверху) для λ=E
−6,5 см = 3,16 нм и контраста Δεe /εe. = 0,1. Профиль силы Казимира (верхняя панель) всюду является отталкивающим и варьируется от нуля при отсутствии эффекта в максимумах и
минимумах волны диэлектрической проницаемости до максимального эффекта в наиболее наклонных частях волны. Хотя большая часть мощности приходится на волны F2c λ/2 и
объемные моды F0 ˜, как и ожидалось из нашего аналитического вывода в разделе 3, небольшой остаток остается, что становится очевидным, когда вычитаются основные моды волны
Казимира (средняя панель ˜ ˜ ). Остаток в основном содержит только моды F1c и F3c. Разница в силе Казимира между нормальными и волнами диэлектрической проницаемости с обратным
знаком (нижняя панель) точно соответствует остатку на средней панели, показывая удвоенную амплитуду с соответствующими ˜ ˜ ˜ ˜ соответствующими профилями мод F1c и F3c.
Основные фурье-моды F0 и F2c не изменяются при изменении фазы волны диэлектрической проницаемости и поэтому исчезают в профиле ΔF, однако обе другие значимые волновые
моды изменяются полностью. Таким образом, основные моды Фурье ˜ ˜ F0 и F2c модулируются с удвоенной частотой волны диэлектрической проницаемости, как мы ˜ ˜ ожидали в разделе
3: и две остаточные моды F1c и F3c модулируются с той же частотой, что и волна диэлектрической проницаемости. Все профили силы Казимира для волн диэлектрической проницаемости
малой амплитуды Δεe /εe 0,1 ˜ ˜ выглядят качественно одинаково, в них доминируют волновые моды Казимира F0 и F2c. Однако профиль силы Казимира при больших контрастах
диэлектрической проницаемости заметно меняет свой внешний вид, как показано на рисунке 9, демонстрируя повышенный вклад вторичных сил.
18
Рисунок 8. Профиль силы Казимира F (z) для λ=1E−6,5 см = 3,16 нм (верхняя панель), с вычтенными ˜ ˜ основными волновыми модами F0 и F2c (средняя панель) и
разностью сил ΔF (z) между нормальная и обратная волны диэлектрической проницаемости (нижняя панель), показывающие ˜ ˜ разложение профилей на волновые
моды F1c (пунктир), F3c (штрихпунктир) и вторичную ˜ невязку F4c (длинный штрих), для волны диэлектрической проницаемости контраста Δεe /εe = 0,1 (показано вверху),
при ωe =2E16 рад/с и εe =6.
˜ ˜ Волновые моды Казимира F1c и F3c и небольшой, но здесь существенный вклад от ˜ F4c (длинное тире). Для волн диэлектрической проницаемости с большей амплитудой профили
остаточной силы (средняя панель) и разности сил (нижняя панель) заметно различаются, указывая на то, что ˜ вторичная волновая мода F4c колеблется с удвоенной частотой волны
диэлектрической проницаемости с ˜ ˜ основными волновыми модами. F0 и F2c. Для наших численных расчетов бесконечные интегралы из (6) оцениваются как конечные угловые
интегралы, как и для многоэлементных стопок в разделе 4 с выборкой через 100 равномерно расположенных угловых интервалов. Интегралы от ξ становятся пренебрежимо малыми
выше частоты электронных колебаний ωe и обрезаются плавной функцией в районе 100ωe. Для обычных градуированных сред интеграл по частоте ϖ расходится и поэтому плавно
усекается вокруг комптоновской частоты с использованием гладкого лоренциана, как мы описали. Коэффициенты отражения при каждом ξ и ϖ были получены двумя способами с
использованием рекуррентного соотношения (уравнение). (12) начиная с множества длин волн из интересующей области и используя интегральный метод из (16). Для получения
самосогласованных результатов в пределах процента каждый метод требует много выборок на единицу диссипативной шкалы длины 1/~ 0, 100 выборок с κ рекурсивным соотношением
(12) и 10 выборок с интегральным методом (16) с использованием правила Симпсона.
19
Рисунок 9. Профили силы Казимира, как на рисунке 8, для волны диэлектрической проницаемости большей амплитуды Δεe /εe = 0,5.
Для самой длинной протестированной длины волны λ=1E−4 см на самой высокой частоте ϖ=1E20 рад/с для волнового числа κ0 = ϖ/c необходимо 100˜ 0 λ=3,3E7
рекурсивных выборок или 10˜ 0 λ=3,2E6 ˜ κ κ выборок интегрирования на длину волны. Интегральный метод был повторен трижды в коэффициентах отражения R(s)−(z) и
всегда давал хорошую сходимость, показывая изменения
не более 10% после начальной итерации. Оба метода дают почти одинаковые результаты, за исключением того, что рекурсивный метод более шумный, его шум сравним с сигналом при
флуктуациях относительной диэлектрической проницаемости около 1E-4. Интегральное решение дает непротиворечивые решения даже для таких малых флуктуаций относительной
диэлектрической проницаемости, как 1E−8. Показанные здесь цифры получены интегральным методом. Сила эффекта Казимира для флуктуирующей статической диэлектрической
проницаемости аппроксимируется с помощью (25), вычисляя интеграл с помощью модели диэлектрической проницаемости (27) для непроводника ωp = 0 и оценивая волновой контраст
производной ε1c /˜0 = Δε/ε ˜ ε с Δε = (∂ε/∂εe )Δεe , что дает аналитический интеграл, который оценивается как )2 ( ) 1/2 ( 4πz Δεe π ωe ωc εe cos −1 . (29) F (z) = 64λ2 c εe λ Для параметров,
использованных на рисунке 8, сила имеет наиболее отрицательное значение при cos =
− 1 от F = −1,31E10 дин/см2, что немного больше самого отрицательного значения численного интегрирования на рисунке. Небольшое расхождение возникает
потому, что
20
обрезание частоты при численном интегрировании аппроксимируется гладкой функцией, а не резким обрезанием, используемым в аналитическом интеграле из (29). ˜
На рис. 10 показаны волновые моды Казимира Fkc (λ) (верхняя панель) и волновые моды в ˜ разнице сил ΔFkc (λ) (нижняя панель) в зависимости от длины волны λ для
ряда контрастов статической диэлектрической проницаемости Δεe /εe = E -0,3, E-1, E-2, E-3, E-4 и E-5. Каждая из волновых мод подчиняется степенному закону 1/ λ2,
предсказанному в разделе 3.
-
˜ Рис. 10. Волновые моды Казимира для силы Fkc (λ) (верхняя панель) и силы ˜kc (λ) (нижняя панель) в зависимости от длины волны λ для различных флуктуаций статической разности ΔF ˜ ˜
диэлектрической проницаемости Δεe /εe, показывающих основную волну моды F0 и F2c ˜ ˜ ˜ (везде совпадающие сплошные), остатки F1c и F3c (совпадающие пунктирные линии) и F4c
(длинные штрихи). Поскольку волновые моды значительно перекрываются, нарисованы векторы, соединяющие последовательные ˜ ˜ ˜ ˜ ˜ ˜ F0 с F1c и F1c с F4c в каждой группе контраста
диэлектрической проницаемости. В разнице сил фигурируют только F1c и F3c.
˜ Для силы Казимира (верхняя панель) основные волновые моды F2c (сплошные) разделены двумя порядками 2 log10 (Δε/ε), поэтому ее амплитуда подобна квадрату
контраста диэлектрической проницаемости ˜ ˜. Остаточные волновые моды F1c (штрих) и F3c (штрих) всегда имеют одинаковую мощность и ровно на один порядок
log10 (Δε/ε) ниже принципа F2c ˜ (сплошная линия) в каждой группе контраста диэлектрической проницаемости. Волновая мода Казимира F4c (длинная черта) также
последовательно воспроизводится, но всюду на два порядка 2 log10 (Δε/ε) ниже основной компоненты ˜ в каждой группе контрастов диэлектрической проницаемости. В
каждом случае объемная мода F0 ˜ точно следует волновой моде F2c. В разностных спектрах (нижняя панель) полностью исчезают основная ˜ ˜ волновая мода Казимира
F2c и остаточная F4c. Разностные спектры состоят ˜ ˜ только из остатков F1c (штрих) и F3c (штрих), которые точно перекрываются и
21
разделенные двумя порядками контраста диэлектрической проницаемости между группами. Сравнение вертикальных масштабов рисунков 6–10 показывает, что сила Казимира для
синусоидальной волны с малым масштабом длин волн λ=1E−7 см=1 нм почти в 1000 раз больше, чем для эквивалентной волны квадратной диэлектрической проницаемости или
многослойной стопки. . Относительная сила синусоидальной волны также значительно увеличивается при большей длине волны, поскольку сила Казимира для синусоидальных волн
составляет только λ-2, тогда как для прямоугольных волн или многослойных пакетов падает как λ-3 или λ-4.
˜ Рис. 11. Волновые моды Казимира для силы Fkc (λ) (верхняя панель) и силы ˜kc (λ) (нижняя панель) в зависимости от длины волны λ для различных разностей плазмы
ΔF флуктуации частоты Δωp /ωp с идентификацией волновых мод, как показано на рис. Рисунок 10. Использовалась плазменная частота ωp =1,6E16 рад/с, характерная
для лучших нормальных проводников.
Почти идентичные результаты получаются при изменениях диэлектрической проницаемости из-за флуктуаций частоты электронных колебаний ωe, поэтому они не показаны. Это
решение аппроксимируется из (25) с помощью Δε = (∂ε/∂ωe )Δωe , что дает )2 ( ) ( 4πz Δωe π ωe ωc (εe − 1)2 cos −1 . (30) F (z) = 16λ2 c (ε1/2 + 1)3 ωe λ e Приравнивание амплитуды силы
амплитуде силы (29) с той же относительной диэлектрической проницаемостью противопоставляет Δεe /εe = Δωe /ωe и численное решение трансцендентного уравнения показывает, что
силы равны, когда εe =6,038948, что очень близко к статической диэлектрической проницаемости, которую мы используем в наших моделях.Немного большая сила Казимира получается
при флуктуациях статической диэлектрической проницаемости в материалах с более низкой статической диэлектрической проницаемостью и при флуктуациях частоты электронных
колебаний в материалах с более высокой статической диэлектрической проницаемостью.
22
Профили Казимира для пульсирующей плазменной частоты или частоты столкновений Друде напоминают профили, показанные на рисунках 8 и 9, за исключением того,
что знак флуктуаций меняется на противоположный для флуктуаций частоты столкновений Друде. На рис. 11 показана зависимость амплитуды моды Казимира от
акустической длины волны для флуктуирующей плазменной частоты с плазменной частотой ωp =1,6E16 рад/с и частотой столкновений Друде γp =1E14 рад/с для хороших
нормальных проводников (при εe =6 и ωe = 2Е12 рад/с). Волновые моды Казимира ˜ ˜ ˜ ˜ F1c и F3c (штриховые) здесь фактически немного превышают основные моды F0 и
F2c (сплошные) в волне наибольшей амплитуды. Амплитуда эффекта Казимира для флуктуаций плазменной частоты пропорциональна плазменной частоте и мало
зависит от изменений других параметров. Подобные численные тесты, проведенные с использованием суммы Мацубары из (3) вместо интеграла из (6), с
коэффициентами отражения, полученными с использованием интегрального метода (16), не показывают температурного влияния на силу Казимира в волнах
диэлектрической проницаемости, протестировав с контрастами до Δε/ε=0,5 и до длин волн до λ =E-3,5 см=3,16 мкм. Мы не видим никакого температурного эффекта,
возмущающего любой из четырех параметров, входящих в модель диэлектрической проницаемости (26). 6. Динамика пьезо-ZP-энергии. Практическое использование
энергии ZP требует, чтобы изменения в кристалле, вызванные Казимиром, эффективно сочетались с внешней электрической нагрузкой. В этом разделе мы
рассматриваем пьезоэффект для волновых решений Казимира из уравнения. (25) из раздела 3 как в бегущей, так и в стоячей волне. Общий перенос энергии описывается
предположением о сохранении внутренней энергии U (эквивалентной свободной энергии Гиббса) в напряженном пьезокристалле [32] dU = Tij dSij + Ei dDi , (31)
с использованием правила суммирования по повторяющимся индексам в члене с обычными тензорами напряжений Tij и деформаций Sij 3 × 3, содержащими как продольные, так и
сдвиговые компоненты, а также 3-элементными пространственными векторами электрического поля Ei и электрического смещения Di. Индексы отсчитывают координаты i = x, y, z; xi —
пространственная координата (x1, x2, x3) = (x, y, z). Для непироэлектрических или магнитно-воздействуемых пьезокристаллов и кристаллов, которые не испытывают изменений состояния в
соответствующих диапазонах, внутренняя энергия должна быть постоянной dU = 0, а внутреннее напряжение, вызванное Казимиром, связано исключительно с емкостью кристалла,
поэтому полная механическая работа Tij dSij в течение одного волнового цикла должен уравновешивать емкостный прирост энергии −Ei dDi. Параметры материала считаются линейно
связанными, связанными двумя определяющими соотношениями [32]. Для этой работы выберем наиболее удобную пару [33] Tij = cD Skℓ − hkij Dk , ijkℓ Ei = −hijk Sjk +
S βij Dj ,
(32) (33)
S с постоянной непроницаемостью при постоянном напряжении βij — действительная матрица размером 3 × 3, которая является обратной матрицей невозмущенной диэлектрической проницаемости εij
для низких частот, где электрическая
23
поля важны для создания емкостей, которые управляют внешними токами. Упругая жесткость cijkℓ представляет собой вещественный тензор размером 3 × 3 × 3 × 3,
который является обратным тензору упругой податливости sijkℓ, cijpq spqkℓ = δ(ij) δ(kℓ) для дельты Кронекера δ(ij) . Пьезоэлектрическая константа hijk представляет
собой действительный тензор размером 3 × 3 × 3, который входит симметрично между откликом материала для обратного пьезоэффекта в (32) и откликом напряжения
для нормального пьезоэффекта в (33). Энергетические процессы, вызванные напряжением, не обеспечивают емкостной передачи, когда механическая работа,
совершенная Tij dSij за цикл, исчезает. В таких случаях напряжение Tij и деформация Sij изменяются по фазе. Тогда электрическое смещение Di и электрическое поле Ei
также должны меняться по фазе для сохранения полной энергии U из (31) и согласованности с определяющими соотношениями (32) и (33). Такая энергетика zp
консервативна, так что любая работа Казимира, совершаемая в сжимающей части цикла, возвращается в упругую реакцию, давая силу Казимира. -
без внешнего эффекта. Как описано во введении, в стопке чередующихся проводящих и пьезослоев сила Казимира может быть приравнена к напряжению материала,
которое представляет собой статический пьезоотклик, актуальный, когда пьезослой акустически изолирован от остальной части стопки и несоизмерима по масштабу с
длиной волны звука. Натяжение Казимира включается во время проводящей или сжимающей части цикла воздействия и выключается во время непроводящей упругой
реакции и, таким образом, отображает область W, как определено в уравнении. (2) в фазовом пространстве T-S. Поскольку в этом расчете напряжение T просто
принималось пропорциональным деформации S и игнорировало дополнительный вклад электрического смещения D в (32), представляющий обратный пьезоэффект,
его необходимо увеличить на мультипликативный коэффициент 1 + kp, уравнивая амплитуды полная механическая работа и диэлектрическая энергия из (31). Константа
пьезосвязи kp определена в разделе 6.31 Mason 1966 [32]. Обычно оно невелико, кп∼0,1 в примере Мейсона. В общем, сила Казимира F (z, t) в волне диэлектрической
проницаемости в кристалле приводит к введению связанных напряжений Tij, деформаций Sij, электрического поля Ei и электрических смещений Di, которые зависят от
ориентации естественных осей кристалла относительно акустическая волна по оси z системы. Сила притяжения Казимира на единицу площади представляет собой силу
тяги, которая действует внутри кристалла в направлении z и только как функция z в нашем плоскопараллельном приближении и, таким образом, должна удовлетворять
уравнению баланса сил [34, раздел 2.B]. ] ∂ 2 ui ∂Tij ∂F (z, t) ρ 2 − = δ(iz) , (34) ∂t ∂xj ∂z где ρ — плотность среды, а ui — вектор смещения частицы 3. Кроме того,
пространственно меняющаяся составляющая Dz должна исчезнуть из-за уравнения Максвелла в акустической волне для сохранения заряда, записанного для
непроводящей среды как∇· {Di } = ∂Di /∂xi = 0, обозначая вектор элементов как {Di }, который сводится к его компоненту z ∂Dz /∂z = 0, когда ∂/∂x = ∂/∂y = 0, поскольку мы
предположим, повсюду внутри кристалла. Также исчезающий ротор Максвелла электрического поля в акустическом поле.∇×{Ei } = 0, требует, чтобы пространственно
меняющееся поперечное электрическое поле в (Ex, Ey) также было равно нулю.
Кристаллическая сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой Смещения частиц определяют тензор деформации ( ) 1 ∂ui ∂uj Sij = + , 2 ∂xj ∂xi
24
(35)
что для обращающихся в нуль производных x и y повсюду внутри кристалла дает уравнения движения силы Казимира для трех неисчезающих элементов
деформации Szz , Sxz и Syz , взяв производную z от (34) ∂ 2 Szz ∂ 2 Tzz ∂ 2 F (z, t) − = , ∂t2 ∂z 2 ∂z 2 ∂ 2 Siz ∂ 2 Tiz 2ρ 2 = , ∂t ∂z 2 ρ (36) (37)
для я = х, у. Используя уравнение (33) для исключения членов растяжения в уравнениях силы (36) и (37) определяет деформацию для данной силы Казимира F и
электрического смещения Di , для Szz ∂ 2 Szz ∂ 2 Siz ∂2 − cD = 2 (F ( z, t) − hizz Di ) , zziz ∂t2 ∂z 2 ∂z и Syz ρ 2ρ (38)
и для Sxz
∂ 2 Sjz ∂ 2 Siz ∂ 2 Dj - cD знак равно -hjiz . (39) izjz ∂t2 ∂z 2 ∂z 2 Система связанных линейных дифференциальных уравнений упрощается с помощью анализа Фурье и
анализа собственных значений. Для воздействия Казимира актуальны только волны деформации и электрические смещения на частоте 2ν, но из-за объемной моды
Казимира в движущей силе из (25) возможен общий спектр волновых чисел kz. Мы продолжаем аналитически, предполагая комплексное временное изменение каждого
члена exp(i4πνt) и преобразование Фурье с пространственными функциями z, переходящими в функции волнового числа kz, обозначенные чертой. Затем
диагонализация матрицы, которая умножает вектор продольной/сдвиговой деформации (Sxz (kz), Syz (kz), Szz (kz)) из левых частей уравнений. (38) и (39) дают уравнения
на собственные значения не более чем для трех независимых собственных векторов деформации ( ) k2 ¯ ¯ ¯ S(kz ) = 2 z 2 φF (kz ) + hD(kz ) ; (40) кз0
− kz ¯, где собственное состояние пятна обозначается S(kz). Вынуждающая функция Казимира обозначается ¯ F (kz), где φ — множитель, который проецирует чисто
продольную силу z в собственный вектор деформации, а проекция сдвигового электрического смещения (Dx, Dy), обозначаемая D(kz), с его проекцией на собственный
вектор содержится в единственном скалярном коэффициенте h для эффективной пьезосилы. Резонансное волновое число определяется kz0 = 4πν/cs для скорости звука
cs, которая содержит плотность ρ и жесткость кристалла из cD для собственного вектора. ijkℓ Общее временное изменение exp(i4πνt) исключено из каждого из членов, но
возможные временные фазовые задержки для деформации и электрического смещения по сравнению с силой Казимира могут содержаться в виде комплексных
коэффициентов exp(iδS) или exp(iδD). в функциях S(kz) и D(kz). Передача энергии между механическими и диэлектрическими членами происходит, если интеграл от Tij dSij
(или, что равно −Eij dDij) по циклу отличен от нуля. Как можно видеть по
25
исследуя фазовые диаграммы T -S, если деформация отстает от напряжения, интеграл T dS положителен и механическая работа преобразуется в диэлектрическую энергию. В некоторых
процессах возможно, что деформация может привести к напряжению, соответствующему переходу от внешней электрической нагрузки к кванту zp. Возможные электрические смещения и
электрические поля определяются граничными условиями и их связью с напряжением и деформацией из (32) и (33), но с фазовыми задержками, которые зависят от нагрузки внешней
цепи. Мы исследуем перенос пьезоэнергии, возникающий с волной Казимира и объемными модами, для волны диэлектрической проницаемости в однородной среде из (25) раздела 3.
Собственное состояние волны деформации может возбуждаться, как описано в уравнении (25). (40) волной Казимира (стоячей или бегущей) из (25) с волновым числом kz = |4π/λ| если он
близок к резонансу с исчезающим знаменателем при kz = kz0 = 4πν/cs. Таким образом, резонанс требует, чтобы λ = ν/cs или чтобы скорость звука для акустической волны была такой же, как
и для собственного состояния деформации, которое имеет вдвое большую частоту (и волновое число). Однако высокочастотные акустические волны с длиной волны, намного меньшей,
чем масштаб кристалла, в любом случае обычно не образуют емкостной связи, поскольку пространственно изменяющееся поле смещения Di должно быть перпендикулярно направлению
волны, а электрическое поле Ei параллельно и, будучи всегда взаимно перпендикулярным, может нет работы в уравнении энергии. (31). Мы можем представить себе некоторые
экзотические устройства, подобные тем, которые описаны в литературе [35], которые могут обеспечить пьезосвязь с основной волновой модой Казимира. Однако при таких устройствах
может быть трудно избежать рассеяния акустической волны, которая вызывает эффект Казимира. Объемная мода Казимира для стоячих волн из (25) объединяется более прямолинейно.
Этот режим описывается как пространственная коробчатая машина между однородными электродами, обращенными по оси z, как показано на рисунке 2. Накопление заряда на
поверхностях электродов также определяет коробчатую функцию для электрического смещения Dz (t), давая sinc-функции в kz Фурье ¯ ¯ ¯ область определения F (kz) и D(kz) в (40). Таким
образом, деформация S(kz) пропорциональна множителю 2 2 2 kz /(kz0 − kz), умноженному на функцию sinc в пространстве волновых чисел. Обе функции показаны на рисунке 12.
Рисунок 12. Множитель в пространстве волновых чисел и силовая функция для реакции на деформацию, сравнимую по масштабу с размером кристалла.
Если результирующая пространственная функция деформации S(z) мала по величине по сравнению с электрическим смещением проецируемого собственного состояния |S(z)|≪ |Д(г)|
по z, то напряжение T (z) и электрическое поле E(z) определяются исключительно электрическим смещением с помощью
26 -
определяющие соотношения (32) и (33), а также значительные разности фаз между величинами исключены, поэтому передача энергии невозможна. Полная механическая работа,
совершаемая через объем в волновом цикле, определяется пространственно-временным интегралом T (z, t)∂S(z, t), который ощущает свой определяющий вклад со стороны
пространственно-временного интеграла S(z , t) раз форсировки товарного вагона. По степенной теореме Фурье пространственный интеграл можно приравнять к интегралу волнового
числа множителя для S(kz, t) из (40), умноженного на квадрат функции sinc. Пока изменения деформации происходят в масштабе кристалла, интеграл по волновому числу произведения
двух функций велик и сравним с тем, что было бы получено, если бы реакция деформации была чистой коробчатой машиной. Таким образом, значительная деформационная реакция на
продольное воздействие коробчатого вагона в масштабе кристалла требует небольшого волнового числа kz0.∼0, что соответствует длине волны собственного состояния, сравнимой с
размером кристалла. Характерно, что фононные оптические моды действительно демонстрируют пересечения с нулевым волновым числом, соответствующие центру зоны Бриллюэна на
частоте около 10 ТГц в кристаллах [31, глава 3]. Перпендикулярные однородные поверхностные электроды, скажем, по x, также могут быть эффективными, поскольку электрическое
смещение Dy (z) и электрические поля Ey (z), постоянные по y, могут сильно взаимодействовать с полем индуцированной деформации S (z). Поскольку воздействие Казимира везде
однонаправлено, выработка энергии должна быть относительно устойчивой к некогерентности стоячих волн из-за частичного или неполного отражения акустических волн, дефектов
кристалла или эффектов акустического затухания. Разность напряжений между электродами определяется электрическим полем, порядок которого определяется пьезозависимостью E∼гТ∼
−gF для g — константа пьезоэлектрического напряжения; характерно г≃7E−5 В см/дин для кристаллов. Для силы объемной моды Казимира на рисунке 10, равной примерно 5E8 дин/см3, мы
оцениваем электрическое поле E = 35000 В/см, что дает ток 28,6 Ампер на см2 площади поверхности электрода при номинальной общей мощности 1. МВт/см3, который является
произведением этих двух значений. Хотя это не было нашим главным интересом, наборы чередующихся слоев, составляющие основу нашего мысленного эксперимента, могли бы дать
еще один практический проект кристаллического генератора энергии. Пакет чередующихся пьезополупроводниковых слоев с p- и n-легированием является проводящим повсюду, за
исключением зон обеднения между слоями, которые можно настроить на проводимость с помощью электрических или световых полей. Конструкция удовлетворяет потребности в быстрой
и простой настройке, поскольку полупроводники, работающие по-разному на легированных p- и n-переходах, демонстрируют низкий потенциал возбуждения, а сила Казимира в тонкой
зоне обеднения непроводимости между проводящими слоями демонстрирует сильный пьезоэффект во многих полупроводниковых материалах. . Для фиксации толщины зоны обеднения
необходима точная настройка параметров материала, концентрации легирования, толщины слоя и частоты. Расстояние прохождения света c/ν = 30 мкм для ν = 10 ТГц меньше, чем размер
интересующих многослойных стопок, но больше, чем полезная толщина слоя, но стопку не обязательно модулировать синфазно. При медленном синфазном циклировании создается
переменное напряжение по всей площади и толщине стека, тогда как при быстром синфазном циклировании в любой момент времени в стеке возникают разные воздействия, что дает
более близкое к постоянному напряжению.
Кристаллическая сила: пьезосвязь с нулевой квантовой точкой 7. Оценка мощности
27
Рис. 13. Доступная мощность на единицу объема кристалла W в зависимости от толщины слоя λ = ℓ− + ℓ+ при ℓ+ = ℓ− в стопке с переменной статической диэлектрической
проницаемостью (а), частотой электронных колебаний (б) и плазменной частотой (в) для модуляции на частотах, соответствующих скорости звука cs = νλ=5E5 см/с. Горизонтальные
уровни мощности (пунктирные линии) соответствуют податливости материала s=1E-13 см2/дин.
Стопка чередующихся слоев, циклически повторяющихся со скоростью ν, создает воздействие Казимира, которое циклически повторяется с вдвое большей скоростью 2ν, как
обсуждалось в конце раздела 4. Таким образом, наша оценка максимальной мощности, которая может быть извлечена, представленная формулой (2), требует ν заменен на 2ν.
Учитывая также участие в процессе всего объема и полагая равными четно-нечетные толщины слоев ℓ+ = ℓ−, получаем W = sνF 2 . (41) В формуле не учитывается малая разность сил
ΔF≪F между двумя полупериодами.
28
Рис. 14. Доступная мощность на единицу объема кристалла W в зависимости от длины волны λ в волне статической диэлектрической проницаемости указанного контраста для
модуляции на частотах ν, определяемых скоростью звука cs = νλ=5E5 см/с. Горизонтальные уровни мощности (пунктирные линии) соответствуют податливости материала
s=1E-13 см2/дин.
На рисунке 13 приведены оценки доступной мощности из (41) для модуляции статической диэлектрической проницаемости εe (панель (a)), электронной частоты ωe (b) и
плазменной частоты (c) с использованием численных расчетов из раздела 4, предполагающих акустическое соотношение между частотой и длиной волны ν = cs/λ, а при
использовании скорости звука cs =5E5 см/с, характерной для плотных материалов, по крайней мере, на частотах ниже 2 ТГц, или λ=2,5E−7 см=2,5 нм. Различная
дисперсия и возможные фононные моды на малых длинах волн могут сильно изменить внешний вид рисунка, но уровни мощности должны быть репрезентативными.
Доступная мощность подобна квадрату силы Казимира и поэтому довольно быстро падает с увеличением λ, а также весьма критически зависит от колебаний
относительной диэлектрической проницаемости, происходящих как 4-я степень. Оценки модуляции плазменной частоты в (в) близки по своим максимальным
значениям, но образуют относительно тесную группу для диапазона возможных плазменных частот. Для идеализированного идеального проводника с плазменной
частотой выше ωp = 1E18 рад/с кривые мало изменяются и представляют доступную мощность около 1 МВт/см3 с ℓ0 =5 нм (λ=10 нм=1E-6 см), для консервативной
пьезоподатливости s=1E-13 см2/дин, что соответствует оценке, приведенной во введении. Однако уровни мощности быстро падают, когда контраст плазменных частот
меньше 1E18 рад/с, как и в случае с нормально проводящими материалами, у которых плазменные частоты достигают лишь 1,6E16 рад/с. На рисунке 14 показана
мощность на единицу объема W из (41) для основных мод Казимира, ˜ ˜ объемной моды F0 или основной волновой моды F2c, поскольку они имеют одинаковую
амплитуду, в зависимости от длины волны акустической волны для флуктуаций статической диэлектрической проницаемости разная относительная сила. Рисунок
иллюстрирует высокие уровни мощности, которые возможны даже при умеренной относительной амплитуде волны диэлектрической проницаемости Δε/ε=1E-3, и
показывает гораздо больший диапазон волн диэлектрической проницаемости в более длинные волны по сравнению с многослойными пакетами. Такие амплитуды
значительно ниже нормальных порогов повреждения кристаллов [20].
Кристаллическая сила: пьезосвязь с нулевой квантовой точкой. 8. Рост и затухание моды.
29
Моды Казимира должны возникать в любом материале, а не только в пьезокристалле, и могут вызывать обратную связь, вызывая либо рост, либо затухание основной акустической
волны. Акустическая волна демонстрирует соответствующее изменение диэлектрической проницаемости из-за акустооптического эффекта, который феноменологически определяется
нелинейным откликом Поккельса второго порядка, обусловленным ˜ пьезоиндуцированным электрическим полем, вызванным акустической волной с амплитудой давления P Δε ˜ =
εpsP , (42) ε с s — податливость материала, соответствующая направлению распространения и сдвигу. Коэффициент фотоупругости р — безразмерный параметр материала в
направлении волны для несдвигового или касательного напряжения для продольных или поперечных волн соответственно; характерно п∼0,1 и обычно положителен. ˜ Мода Казимира
F1c всегда должна линейно связываться с основной акустической волной, поскольку она имеет ту же частоту и волновое число. Для материалов с положительным коэффициентом
фотоупругости p акустооптический эффект из (42) демонстрирует изменение давления, коррелирующее ˜ с волной индуцированной диэлектрической проницаемости ε(z), что дает моду
волны Казимира F1c того же знака, что и давление в -

акустическая волна и так усиливается. Но в материалах с отрицательным коэффициентом фотоупругости p < 0, таких как GaAs или Рубин, волновая мода Казимира ˜ F1c
является диссипативной. В каждом цикле акустических волн для стоячих или бегущих волн в заданном пространственном положении мода Казимира F1c генерируется
из квантовой энергии zp и вызывает основную акустическую волну. Вся энергия в моде Казимира F1c, поступающая в амплитуду волны давления P ˜, дает
максимальную скорость роста ˜ ˜ F1c ∂ ln P Γ1c = = 2πν. (43) ˜ ∂t P ˜ ˜ Взяв F1c из (29) с P из (42) и используя флуктуацию статической диэлектрической проницаемости ˜ ˜
для изменения диэлектрической проницаемости ε→ εe с учетом рисунков 8-10, что F1c/F0 = Δεe/εe, получаем π 2 ωe ωc psεe ν 3 Γ1c = 32c c2 s
3/2
Δεe εe
)2
]3 ν = 0,216 ГГц
Δεe εe
) 2 , (44)
теперь в формуле используется частота акустической волны ν, а не ее длина волны λ, при скорости звука cs = λν и характеристических параметрах для
крайнего правого равенства p=0,1, s=1E−13 см2/дин, cs =5E5 см/с , ωe =2E16 рад/с, ωc =7,76E20 рад/с, комптоновская частота и εe =6. Скорость роста
представляет собой e-свертывание амплитуды на расстоянии cs/Γ для часто используемого коэффициента затухания α = −(20 log e)Γ/cs dB, что дает ]3
( Δε )2 [ ν e дБ/см, ( 45) α1c = − 35,3 ГГц εe в децибелах на см. Для волны частоты ν = 1 ТГц и большой амплитуды Δεe≃ εе, получаем максимальную скорость
роста 28 дБ/см. Скорость роста быстро падает с уменьшением амплитуды акустической волны по закону (Δεe/εe)2.
30
˜ Если это не собственное состояние фонона, первичная мода Казимира F2c будет ˜ сильно рассеиваться из-за помех, вызванных противофазным возбуждением мод F2c на соседних длинах
волн основной акустической волны, что приведет к быстрому экспоненциальному затуханию ˜. Несмотря на частоту 2ν, мода F2c когерентна с основной акустической волной и может
эффективно обмениваться с ней энергией, если между ними существует достаточное нелинейное взаимодействие. Когерентные акустические моды могут проявлять нелинейные
взаимодействия, подобные когерентным электромагнитным состояниям, которые легко обмениваются энергией между обертонами и в целом удовлетворяют принципу
равнораспределения энергии [36]. Если существует сильная связь, ˜ скорость затухания основной акустической волны может составлять до половины амплитуды моды F2c за цикл
акустической волны, что дает коэффициент затухания или отрицательную скорость роста основной акустической волны (Δεe /εe ) больше, чем скорость роста для ˜ меньшей моды F1c из
(43) – (45). Такое затухание будет иметь вид ν 3 и быть нелинейным, поскольку оно зависит от амплитуды моды. ˜ Если мода Казимира F2c является собственным состоянием продольного
фонона, она может аналогичным образом влиять на рост основной акустической волны сравнимой величины. Таким образом, может быть желательно согласовать частоты и ориентации
кристаллов в материалах, где обе основные моды Казимира с частотой 2ν являются собственными состояниями фононов: объемная мода с волновым числом kz∼0 и волновая мода с
волновым числом в два раза больше, чем у акустической волны. Дальнейшее обсуждение роста или затухания основной акустической волны, которое может быть вызвано модами
Казимира, зависит от материала, а обсуждение возможных нелинейных взаимодействий выходит за рамки этой статьи. Некристаллические вещества действительно демонстрируют
предельное высокочастотное затухание, которое увеличивается быстрее, чем ν 2, и кажется близким к форме ν 3 [37, рисунок 10]. Хотя такие измеренные коэффициенты затухания ТГц
намного превышают наши, они относятся к некристаллическим веществам, которые, как известно, демонстрируют гораздо более сильное акустическое затухание, чем то, что наблюдается
в чистых кристаллах [38, 39, 40]. Эффекты затухания демонстрируют сильную температурную зависимость ниже 100 ГГц, но становятся независимыми от температуры выше этой частоты,
как и следовало ожидать для мод Казимира. Обнаружено, что измеренные эффекты затухания в некристаллических материалах имеют нелинейную амплитудную зависимость, по крайней
мере, на частоте 10 ГГц [39]. 9. Заключение Мы исследовали эффект Казимира в многослойных стопках и в средах с ступенчатой диэлектрической проницаемостью как аналитически, так и
с помощью численных моделей. В пакете чередующихся слоев с высокой и низкой диэлектрической проницаемостью по всему объему создается притягивающая сила Казимира, которая
точно соответствует решениям для трехслойного сэндвича, с ограничивающими степенными формами ℓ0 для тонкого и толстого центрального слоя, которые имеют вид 1/ ℓ3 и 1/ℓ4
соответственно. Сила Казимира 0 0 переключает степенные законы в довольно малых масштабах в зависимости от контраста диэлектрической проницаемости, например, при толщине∼7
нм для обычных параметров. Сжимающая сила лишь немного меньше в слоях с высокой диэлектрической проницаемостью, чем в слоях с низкой диэлектрической проницаемостью.
Модулируя диэлектрическую проницаемость в слоях, можно циклически включать и выключать силу Казимира в объеме и собирать энергию в каждом цикле с помощью пьезоэффекта.
Концепт
31
может быть реализован в виде стопки чередующихся p- и n-легированных пьезополупроводниковых слоев, которые являются проводящими и могут быстро настраивать проводящее
состояние обедненных зон между слоями с помощью электрического поля или света. Точно так же коротковолновая волна диэлектрической проницаемости в однородном материале
создает большие полуволновые моды Казимира и объемные расширяющиеся моды. Эффект Казимира в акустической волне длиной 1 нм примерно в 1000 раз сильнее, чем эффект,
обнаруженный в стопке чередующихся слоев с тем же контрастом диэлектрической проницаемости и масштабом изменения, и распространяется на гораздо большие масштабы,
уменьшающиеся только как 1/λ2. Эффект Казимира в волне не ощущает естественного среза частоты, который возникает в однородном слое из-за затухания запаздывания, но ощущает
вклад в срез частоты zp-взаимодействий, который мы принимаем за комптоновскую частоту. Моды Казимира с меньшей амплитудой возникают также как обертоны с более высоким
волновым числом основной волны с амплитудами, пропорциональными возрастанию мощности контраста относительной диэлектрической проницаемости. В отличие от многослоя,
эффект Казимира в волне диэлектрической проницаемости не имеет температурной зависимости, по крайней мере, в рамках наших численных моделей. Моды Казимира, индуцированные
акустическими волнами ТГц в пьезокристалле, могут эффективно взаимодействовать с внешней электрической цепью, фактически забирая энергию из квантового zp или возвращая ее в
нее, как мы показали с помощью пьезотермодинамического формализма. Значительная передача энергии возможна для стоячих акустических волн частоты ν через объемную моду
Казимира, но только в том случае, если она согласована с собственным состоянием с низким волновым числом на частоте 2ν, например, с фононной оптической модой. Акустические
волны могут быть введены и когерентно поддержаны различными способами, например, путем освещения монохроматическим микроволновым светом одной или противоположных
поверхностей пьезокристалла через прозрачные электроды [41]. Стоячая волна -

когерентность, возможная для нм-волн, может быть сильно ограничена дефектами поверхности или кристалла или другими источниками акустического затухания. Однако, поскольку
объемная мода Казимира является расширяющейся, эффект напряжения является однознаковым и поэтому должен конструктивно складываться по объему с частично когерентными
стоячими волнами для частичной разницы постоянного или переменного напряжения на кристалле. По нашим оценкам, значительная мощность может быть получена максимального
порядка МВт/см3 для волны 1 нм = 1E-7 см даже при умеренном контрасте относительной диэлектрической проницаемости 1E-3. Значительный эффект сохраняется даже при длине
акустической волны до 100 нм из-за медленного спада силы Казимира с длиной волны. Как мы уже обсуждали, моды Казимира могут играть важную роль в ослаблении или возбуждении
гиперзвуковых (10 ГГц – 10 ТГц) акустических волн посредством нелинейной или прямой линейной обратной связи. Примечание автора. Автор выразил намерение, чтобы описанные
руководства, концепции и конструкции оставались непатентованными, но находились в общественном достоянии. Он убежден, что энергия, полученная из квантового zp, дана Богом для
бесплатного и полезного использования всеми на Его доброй земле.
Кристаллическая энергия: пьезосвязь с нулевой квантовой точкой Приложение A. Предельные решения для многослойных стеков
32
Степенные законы возникают для силы Казимира в пределах тонкого и толстого слоя при определенных формах изменения диэлектрической проницаемости. В этом
приложении мы проводим параллель с выводом Лифшица [12, 21] для силового интеграла Казимира из (6) для изменений диэлектрической проницаемости,
определяемых контрастами каждого из параметров, содержащихся в (27). Перестановка силового интеграла Казимира в (6) облегчает оценку силы в среднем слое.
Использование новой переменной χ = 2κ0 ℓ0 = (ε0 (ξ)ξ 2 + ϖ2 )1/2 ℓ0 /c для исключения κ0 под интегралом и замена переменной интегрирования ϖ с помощью dχ2 = (4ℓ2 /
c2 )dϖ2 дает 0 ∫ ∞∫ ∞ F = χ2 (Ds + Dp ) dχdξ. (A.1) 16π 2 ℓ3 0 0 0 обозначает слои по индексу с ℓ0, ε0 и κ0 для среднего слоя. В интеграле силы в (П.1) доминирует
единственное значение χ≃1 из-за компромисса между весовым коэффициентом χ2 при интеграле, который увеличивается с ростом χ, и убывающей экспонентой exp(−2κ0
ℓ0 ) = exp(−χ), которая определяет члены отражения D(s) в (4),
через произведения коэффициентов отражения Френеля из уравнения. (11). Как указывает Лифшиц [12], когда средний слой достаточно тонкий ℓ0≪c/ωe , доминирующее волновое число
κ0∼1/ℓ0 больше волнового числа электронных колебаний κ0.≫ ωе/с. Диэлектрическая проницаемость εj (ξ) между слоями мало меняется на частотах ξ≫ ωe, как видно из уравнения. (27),
поэтому волновое число между слоями κj также меняется мало. Коэффициенты скачка rs± из (8) дают малый вклад в интеграл, и эффектами s-поляризации и Ds можно пренебречь. Также
выделяются зависимости от κ в коэффициентах скачка p-поляризации rp± из (9) или в Dp. Принимая вклад только от ближайшего скачка в членах отражения Френеля и опуская
произведение коэффициентов отражения из знаменателя Dp в (4), поскольку это вносит эффект четвертого порядка в изменение относительной диэлектрической проницаемости по
сравнению с основным эффектом второго порядка эффекта, получаем формулу силы Казимира для тонкого слоя Лифшица, записанную для диэлектрических проницаемостей,
симметричных относительно середины j = 0 (уравнение (4.18) [21]) )2 ∫ ∞( Δε(ξ) dξ. (П.2) F⟨ = 2 3 8π ℓ0 0 ε(ξ), используя компактные обозначения для обозначения контраста диэлектрической
проницаемости Δε = (ε0 − ε±1 )/2 = (ε− − ε+ )/2 и среднего значения ε = (ε0 + ε ±1 )/2 = (ε− + ε+ )/2 для слоев с номерами 0, ±1, четным − или нечетным +. Поскольку диэлектрическая
проницаемость ε(ξ) не зависит от χ, интеграл χ ∫∞ не учитывается при выводе в виде гамма-функции 0 χ2 e−χ dχ = 2. Полагая, что контраст диэлектрической проницаемости возникает из-за
флуктуаций статической диэлектрической проницаемости Δε = (∂ε/∂εe )Δεe для диэлектрических проницаемостей, определенных в (27), получим аналитическое интеграл в (П.2) с
решением ) √ ( ωe εe Δεe 2 , (П.3) F⟨ = 32πℓ3 εe 0
33
предполагая для простоты непроводник ωp = 0. Предельная сила тонкого слоя с флуктуирующей частотой электронных колебаний Δε = (∂ε/∂ωe )Δωe аналогично дает ( )2
ωe (εe − 1)2 Δωe F⟨ = . (П.4) 8πℓ3 (ε1/2 + 1)3 ωe 0 e Соответствующее предельное поведение при изменении плазменной частоты или параметра Друде менее очевидно, как
это предполагается в численных решениях, описанных в разделе 4. Когда средний слой достаточно толстый, основной вклад в силу Казимира в (П.1) дают низкие
частоты, и нельзя игнорировать изменение волнового числа от слоя к слою. Если существуют вариации статической проницаемости, то хорошим приближением
кажется предположение, что диэлектрическая проницаемость постоянна по частоте и хорошо аппроксимируется своим статическим значением ε(ξ = 0). Критическая
интегральная замена позволяет исключить все переменные задачи и делает интеграл практически постоянным во всех интересующих диапазонах параметров. На
такую замену указывает поведение коэффициентов скачка rs− в низкочастотном пределе, которые равны контрасту волновых чисел между слоями rs− = Δκ/κ.
Дифференцирование κ по ε в определении волнового числа в (5) позволяет нам перевести контраст волновых чисел в контраст статической диэлектрической
проницаемости как ( √ )2 ( )2 ξ ε(0) Δκ ν Δε(0) Δε(0) "="≃ , (А.5) κ 2cκ ε(0) χ ε(0), где χ√ 2κ0 ℓ0≃2κℓ0 для малых колебаний Δκ/κ и определение новой переменной = υ = ξℓ0 ε(0)/c.
Заменяя ξ новой переменной υ, контраст волновых чисел объединяется в контраст диэлектрической проницаемости с безразмерными коэффициентами,
определяемыми переменными интегрирования. Такая замена действительно исключает все зависимости пространственного масштаба и упрощает интеграл в (A.1),
давая ( )2 µ c Δε(0) F⟩≃√ . (П.6) ε(0) ε(0)ℓ4 0 с коэффициентом µ примерно постоянным в широком диапазоне контрастов статической диэлектрической проницаемости.
Лифшиц продемонстрировал это упрощение до эквивалентного выражения для небесконечно малых контрастов диэлектрической проницаемости, которое приводит к
неаналитическому интегралу экспоненциального типа, который он обозначает φdd (ε1 (0)/ε0 (0)), который относится к нашему коэффициенту µ = (π 2 /240 )φdd (1+ 2∆ε(0)/
ε(0)), записывая аргумент φdd для малых флуктуаций статической диэлектрической проницаемости ∆ε(0) ≪ ε(0). Он оценивает интеграл численно и получает φdd = 0,35
при ε1 (0)/ε0 (0) 0,3 (уравнение (4.22) [21]), что дает µ = 0,0144 для относительных флуктуаций статической проницаемости Δε(0)/ε(0). −0,35. Из более общей формулировки
Лифшица, когда сэндвич-слои являются непроводниками с большим контрастом диэлектрических проницаемостей |Δεe |≫ εe или чистых проводников, сила Казимира
аппроксимируется как F⟩ в (1), обсуждаемом во введении. Только до тех пор, пока основные флуктуации диэлектрической проницаемости имеют низкочастотную
составляющую, как, например, флуктуации статической диэлектрической проницаемости εe, плазменной частоты ωe или частоты друдевских столкновений Γp,
применима форма предельного решения для толстого слоя (П.6). Это не
34
применяются к флуктуациям диэлектрической проницаемости, вызванным флуктуациями частоты электронных колебаний ωe, как показано в числовых примерах из
раздела 4. Толщина перехода между двумя степенными законами ℓ⟨⟩ определяется как F⟨ (ℓ⟨⟩) = F⟩ ( ℓ⟨⟩). Используя (П.3) и (П.6) для флуктуаций статической
диэлектрической проницаемости, получаем c ℓ⟨⟩ = 1,448 , (П.7) ωe εe, полагая, что контраст диэлектрической проницаемости возникает из-за флуктуаций статической
диэлектрической проницаемости с Δε(0 ) = Δεe и ε(0) = εe. Для случая на рисунке 5 с ωe =2E16 рад/с и εe =6 мы получаем ℓ⟨⟩ =3,62E−7 см или λ⟨⟩ =7,24E−7 см=7,24 нм=E−6,14
см, в хорошем совпадение с пересечением линий, показанных на рисунке. Расстояние перехода уменьшается с увеличением статической диэлектрической
проницаемости, что предполагает меньшее расстояние перехода в более проводящих средах. Приложение B. Расчетные соображения с градиентной средой Расчеты
эффекта Казимира в среде с малой амплитудой градиентного одномерного изменения диэлектрической проницаемости основаны на силовом интеграле (уравнении). (6)
с (4), с коэффициентами отражения Френеля, определяемыми интегралом (16) с (14) и (15). Для численных расчетов пространственный интеграл в (16) лучше всего
определить следующим образом: R(s)− (z) = Υ(s)− (z) + e−2
пп
-
∫z
за
κ(z ′ )dz ′
C(s)− , p ( )
′′2′
(Б.1)
где Υ(s)− (z) = p
е
ЗБ
∫ z'
за
(κ(z" )−κ(z))dz"
r(s)− (z ) 1 − R(s)− (z ) pp
дз',
(БИ 2)
теперь включая нижние оценки интегралов za для интегрирующего множителя и zb для основного интеграла. Нижние оценки произвольны, а C(s)− — константа
интегрирования. p Под интегралом мы взяли внешний экспоненциальный множитель, который является формой, более подходящей для численных расчетов, поскольку
разность волновых чисел помогает избежать очень больших экспоненциальных множителей на границах нормальной компьютерной точности, которые возникают в
интегралах от волнового числа κ(z) . Интегралы по полной длинной волне λ=1 мкм имеют порядок 1E6 на самых высоких частотах ϖ=6E20 рад/с, что привело бы к
отмене экспоненциальных множителей порядка exp(1E6). Периодические решения длины волны λ требуют условия R(s)− (zc ) = R(s)− (zc + nλ) pp для любого начала
координат zc и целого числа n. Условие однозначно определяет константу интегрирования C(s)− , поскольку решения должны быть периодическими, как мы описали в
разделе
3. Тогда подстановка на (Б.1) при тщательном учете пределов интегрирования в возникающих суммах и разностях интегралов дает выражение ) ( Υ(s)− (zc + λ) − Υ(s)− (zc) ∫z ∫z ′ )dz ′ ′ )dz ′
pp . (B.3) e−2 za κ(z C(s)− = e−2 zc κ(z ∫ zc −2 zc +λ κ(z ′ )dz ′ p 1−e Используя эту форму для представления константы Интегрирование позволяет избежать других возможных случаев
появления больших экспоненциальных факторов. Этот термин представляет собой смещение в (B.1), которое может быть добавлено непосредственно
35
к интегралам Υ(s)− (z) для получения периодических решений для коэффициентов отражения Френеля p R(s)− (z). п
[1] Милонни П.В., 1994. Квантовый вакуум. Введение в квантовую электродинамику (Сан-Диего, Калифорния: Academic Press, Inc.). [2] Швингер Дж., 1951. О
калибровочной инвариантности и поляризации вакуума. Phys. Rev. 82 664–679 [3] Паркер Л. 1969 Квантованные поля и рождение частиц в
расширяющихся вселенных. Я физ. Rev. 183 1057–1068 [4] Коул Д.С. и Путхофф Х.Э. 1993. Извлечение энергии и тепла из вакуума Phys. Rev. E 48 1562–1565
[5] Forward RL 1984 Извлечение электрической энергии из вакуума путем сцепления заряженных слоистых проводников Phys. Rev. B 30 1700–1702 [6]
Пинто Ф. 1999 Цикл двигателя вакуумного преобразователя энергии с оптическим управлением Phys. Rev. B 60 14740–14755 [7] Хайш Б. и Моддел Г. 27 мая
2008 г. Квантовое извлечение вакуумной энергии. Патент США № 7,379,286 [8] Казимир Х.Б. и Полдер Д., 1948 г. Влияние замедления на силы Лондона-ван-
дер-Ваальса Phys. Rev. 73 360–372 [9] Казимир Х.Б. 1948 О притяжении между двумя идеально проводящими пластинами Proc. К. Нед. Акад. Влажный. 51
793–795 [10] Карид А.О., Климчицкая Г.Л., Мостепаненко В.М. и Занетт С.И. 2005 Зависимости взаимодействия атома Ван-дер-Ваальса со стенкой от
свойств атома и материала Phys. Rev. A 71 042901 (Препринт arXiv:quant-ph/0503038) [11] Климчицкая Г.Л., Мохидин У и Мостепаненко В.М. 2009 Сила
Казимира между реальными материалами: Эксперимент и теория Rev. Mod. Физ. 81 1827–1885 (Препринт 0902.4022) [12] Лифшиц Э.М. 1956 Теория
молекулярных сил притяжения между твердыми телами ЖЭТФ 2 73–83 [13] Кук М. 2007 Заполнение ТГц-пробела новыми приложениями Semiconductor
Today 2 39–43 [14] Инуи N 2003 Энергия Казимира среды, содержащей градиент диэлектрической проницаемости J. Phys. Соц. Япония. 72 280–286 [15]
Подгорник Р. и Парсегян В.А. 2004 Ван-дер-Ваальсовые взаимодействия в диэлектрике с непрерывно меняющейся диэлектрической функцией J. Chem.
Физ. 121 7467–7473 [16] Филбин Т.Г., Сюн С. и Леонхардт У., 2010. Напряжение Казимира в неоднородной среде Ann. Физ. 325 579–595 [17] Хаф Д.Х. и Уайт
Р.А. 1980. Расчет констант Гамакера на основе теории Лифшица с приложениями к явлениям смачивания Adv. Коллоидный интерфейс. 14 3–14 [18]
Даулинг Дж. П. 1989 Математика эффекта Казимира Math. Маг. 62 324–331 [19] Жене С., Ламбрехт А. и Рейно С. 2000. Температурная зависимость эффекта
Казимира между металлическими зеркалами Phys. Rev. A 62 012110 (Препринт arXiv:quant-ph/0002061) [20] Борн М. и Вольф Э. 1980. Принципы оптики
Электромагнитная теория распространения, интерференции и дифракции света, 6-е изд. (Pergamon Press) [21] Дзялошинский И.Е., Лифшиц Е.М. и
Питаевский Л.П. 1961 Общая теория сил Ван-дер-Ваальса Адв. Физ. 10 165–209 [22] Чжоу Ф. и Спруч Л., 1995. Ван-дер-Ваальс и запаздывающие
(казимировские) взаимодействия электрона или атома с многослойными стенками Phys. Rev. A 52 297–310 [23] Томач М.С. 2002 Сила Казимира в
поглощающих многослойных слоях Phys. Rev. A 66 052103 (Препринт s arXiv:quant-ph/0207106) [24] Раабе С., Кнелл Л. и Уэлш Д., 2003 г. -
Трехмерная сила Казимира между поглощающими многослойными диэлектриками Физ. Rev. A 68 033810 (Препринт arXiv:quant-ph/0212154) [25] Эллингсен С.А.
2007 Притяжение Казимира в многослойных плоскопараллельных магнитодиэлектрических системах J. Phys. А: Математика. Быт. 40, 1951–1961 (Препринт
arXiv:quant-ph/0607157)
36
[26] Инуи Н., Казимир, 2008. Энергия затухающего поля между неоднородными диэлектрическими пластинами. J. Phys. Соц. Япония. 77 084001 [27] Фейнман Р.П. и Хиббс
А.Р. Квантовая механика и интегралы по траекториям, 1965 г. (Нью-Йорк: McGraw Hill Book Company) [28] Мандл Ф. и Шоу Дж. Квантовая теория поля, 1984 г. (Нью-Йорк:
John Wiley & Sons) ISBN 047110509-0 [29] Пескин М.Е. и Шредер Д.В., 2000. Введение в квантовую теорию поля (Нью-Йорк: Perseus Books). [30] Бете Х.А., 1947.
Электромагнитный сдвиг энергетических уровней, Phys. Rev. 72 339–341 [31] Адачи С. 1992 Физические свойства полупроводниковых соединений III-V (Нью-Йорк: John
Wiley & Sons) [32] Мейсон В. 1966 Кристаллическая физика процессов взаимодействия (Нью-Йорк, Лондон: Academic Press) [ 33] Икеда Т., 1990 г. «Основы
пьезоэлектричества» (Оксфорд, Нью-Йорк, Токио: Oxford Univ. Press) [34] Олд Б., 1973 г. «Акустические поля и волны в твердых телах» (Нью-Йорк: John Wiley & Sons) [35]
Ван X, Сонг Дж. , Лю Дж. и Ван З.Л. 2007 Наногенератор постоянного тока, управляемый ультразвуковыми волнами Science 316 102–105 [36] Бломберген Н. 1982
Нелинейная оптика и спектроскопия Rev. Mod. Физ. 54 685–695 [37] Zhu TC, Maris HJ и Tauc J 1991. Затухание продольно-акустических фононов в аморфном SiO2 на
частотах до 440 ГГц Phys. Rev. B 44 4281–4289 [38] Спенсер Э.Г., Лензо П.В. и Нассау К. 1965. Распространение упругих волн в ниобате лития Appl. Физ. Летт. 7 67–69 [39]
Лаерманс К. 1979 Насыщение затухания гиперзвука 9,4 ГГц в кристаллическом кварце, облученном быстрыми нейтронами. Phys. Преподобный Летт. 42 250–254 [40]
Морат CJ и Марис HJ 1996 Затухание фононов в аморфных твердых телах, изученное с помощью пикосекундного ультразвука Phys. Rev. B 54 203–213 [41] Weis O 1975
Поверхностное возбуждение гиперзвука в пьезоэлектрических кристаллах плоскими электромагнитными волнами Z. Phys. Б: Конденсируется. Материя 21 1–10
Спонсорские документы
ИНТЕРЕСНО ДЛЯ ВАС
Красивый Плюс Размер

Влиятельные люди, которые вам нужны
Кара Янг рассказывает Проверять Рэйчел Рэй раскрывает Первая Мисс Вселенная больших
о своих отношениях свой секрет похудения размеров оставила ненавистников
С Трампом! (Смотреть) Безмолвный
ПОЛЕЗНЫЕ ССЫЛКИ ПОЛУЧАТЬ ОБНОВЛЕНИЯ СОЦИАЛЬНАЯ СЕТЬ
-О нас -политика конфиденциальности

Введите адрес электронной почты - -
(https://docshare.tips/) (https://docshare.tips/(ahbtotpust:)//docshare.tips/privac й)
(https://www.facebook.com/doc
Поделитесь тем, что вы знаете и любите, с помощью
-Условия использования -Помощь
презентаций, инфографики, документов и многого Подпишитесь на нашу рассылку и будьте в - - - -
(https://docshare.tips/(thotst)ps://docshare.tips/help)
другого. курсе последних обновлений и документов!
-Авторские права -Связаться с нами
(https://docshare.tips/(chotptpysri:g//hdto) cshare.tips/contact)
2015 - 2017 © Все права защищены.

Piezo Zero Point

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Piezo Zero Point

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Перевод: английский - русский - www.onlinedoctranslator.

Главная страница (https://docshare.tips/) / Темы (https://docshare.tips/topics) / Документы (https://docshare.tips/topics/documents)

популярный секс по телевизору Вам нужно проверить

-Скачать PDF (https://docshare.tips/download/587851d3b6d87fe5868b4af7) -Встроить -Отчет https://docshare.tips/zero-

Кристальная сила: пьезосоединение с квантовой нулевой точкой https://docshare.tips/zero_58b4

18 апреля 2011 г. tm_source=docshare&utm_med

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

полезную электрическую энергию.

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

pp для коэффициентов отражения Френеля R(s)± , которые зависят от диэлектрической проницаемости.

+ ϖ2 2 . (5) c В определении κ(z) и коэффициентов отражения Френеля R(s)± используется функция

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

[раздел 1.6][20] R(s)± (z) =

r(s)± (z) + R(s)± (z ± Δz)e−2κ(z±Δz)Δz pp

1 + r(s)± (z)R(s)± (z ± Δz)e−2κ(z±Δz)Δz pp

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

коэффициенты R(s)− (z) =

r(s)− (z − Δz/2) + R(s)− (z − Δz)e−κ(z−Δz)Δz pp

1 + r(s)− (z − Δz/2)R(s)− (z − Δz)e−κ(z−Δz)Δz pp

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

проницаемости ε(z) аппроксимируется дискретными слоями малой толщины Δz.

eer(s)− (z) 1 - R(s)- (z) dz . (16)

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

поскольку κ(z) всегда положительно, или поскольку z→ +∞ п

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

ε1c с помощью производной z ˜

(17) получаем λ2 ˜s R(s)+ (z)R(s)− (z) = 2 r(2)1s pp 8π p

1 4πz χ2 − 1 cos − χ2 + 1 λ (χ2 + 1)2

меньшего порядка, поэтому для стоячей малой амплитуды -

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

проницаемости, так как

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

панель иллюстрирует те же данные в расширенном масштабе за вычетом трехслойной кривой.

εe − 1 − , 2 1 − ξ 2 /ωe ξ(ξ + iγp )

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

и менее nℓ =1, 2, 3, 5, . . . (пунктирные).

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

= 20 (сплошные) и менее nℓ =1, 2, 3, 5, . . . (пунктирные).

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

при ωe =2E16 рад/с и εe =6.

(12) и 10 выборок с интегральным методом (16) с использованием правила Симпсона.

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

всегда давал хорошую сходимость, показывая изменения

использованных на рисунке 8, сила имеет наиболее отрицательное значение при cos =

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

диэлектрической проницаемости. В разнице сил фигурируют только F1c и F3c.

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

для лучших нормальных проводников.

колебаний в материалах с более высокой статической диэлектрической проницаемостью.

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

для низких частот, где электрическая

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

Кристальная сила: пьезосоединение с нулевой квантовой точкой

более близкое к постоянному напряжению.

Кристаллическая сила: пьезосвязь с нулевой квантовой точкой 7. Оценка мощности

уровни мощности (пунктирные линии) соответствуют податливости материала s=1E-13 см2/дин.

ΔF≪F между двумя полупериодами.