Вы находитесь на странице: 1из 35

Диоды

Диод
(-ди — два и -од— электрод) — 2-
электродный прибор с односторонней
проводимостью электрического тока: он
хорошо пропускает через себя ток в одном
направлении и очень плохо — в другом. 

! Это основное свойство диода используется, в


частности, для преобразования переменного
тока электросети в постоянный ток.
Диоды

Не
Полупроводниковы
полупроводниковы
е
е

! В настоящее время в
подавляющем
большинстве случаев
применяются
полупроводниковые Газозаполненные Вакуумные
диоды.
Обозначение на схемах:

 Треугольная часть
является анодом, а
черточка это катод.
Анод это плюс,
катод – минус. 
Диод предназначен для различных операций
с электрическими сигналами. А именно:

 выпрямление
 детектирование
 стабилизация
 модуляция
 ограничение
 преобразование
Схематично диод можно представить в виде
кристалла состоящего из двух областей. Одна
область кристалла обладает проводимостью p-
типа, а другая — проводимостью n-типа.

p n

+ -
Объяснение

На рисунке дырки,


преобладающие в
области p-типа, условно
изображены красными
кружками, а электроны,
преобладающие в
области n-типа —
синими. Эти две области
являются электродами
диода - анодом и
катодом.
Принцип работы диода

 Если к диоду VD1 через лампу


накаливания HL1 подключить
батарею GB1 так, чтобы вывод
положительного полюса батареи
был соединен с анодом, а вывод
отрицательного полюса с
катодом диода, тогда в
образовавшейся электрической
цепи появится ток, о чем будет
сигнализировать загоревшаяся
лампа HL1. 
Значение этого тока зависит от
сопротивления p-n перехода диода и
поданного на него постоянного
напряжения.
Такое состояние диода называют
открытым, а ток, текущий через него,—
прямым током Iпр.
Поданное на него напряжение, благодаря
которому диод оказался в открытом
состоянии, называется прямым
напряжением Uпр.
Если полюсы батареи GB1
поменять местами, как показано
на рисунке, то лампа HL1 не
загорится, так как в этом случае
диод находится в закрытом
состоянии и оказывает току в
цепи большое сопротивление.
Небольшой ток через p-n
переход диода в обратном
направлении все же пойдет, но
по сравнению с прямым током
будет столь незначительным, что
нить накала лампы даже не
среагирует.
Такой ток называют обратным
током Iобр, а напряжение,
создающее его,— обратным
напряжением Uобр.
Вольт-амперная характеристика
полупроводникового диода

Зависимость тока,
проходящего через p-
n переход, от величины и
полярности
приложенного к нему
напряжения изображают
в виде кривой,
называемой вольт-
амперной
характеристикой диода.
По вертикальной оси в верхней
части обозначены значения
прямого тока Iпр, а в нижней части
— обратного тока Iобр.
По горизонтальной оси в правой
части обозначены значения
прямого напряжения Uпр, а в
левой части – обратного
напряжения Uобр. Вольт-амперная
характеристика состоит как бы из
двух ветвей: прямая ветвь, в
правой верхней части,
соответствует прямому
(пропускному) току через диод,
и обратная ветвь, в левой нижней
части, соответствующая
обратному (закрытому) току через
диод.
 Прямая ветвь идет круто вверх,
прижимаясь к вертикальной оси,
и характеризует быстрый рост
прямого тока через диод с
увеличением прямого
напряжения. Обратная
ветвь идет почти
параллельно горизонтальной 
оси и характеризует медленный
рост обратного тока.

! Чем круче к вертикальной оси


прямая ветвь и чем ближе к
горизонтальной обратная ветвь,
тем лучше выпрямительные
свойства диода.
Выпрямительные диоды – диоды, предназначенные
для преобразования переменного тока в постоянный.

Наличие небольшого
обратного тока является
недостатком диодов. Из
кривой вольт-амперной
характеристики видно,
что прямой ток диода
(Iпр) в сотни раз больше
обратного тока (Iобр).
При увеличении прямого напряжения через p-
n переход ток вначале возрастает медленно, а затем
начинается участок быстрого нарастания тока. Это
объясняется тем, что германиевый диод
открывается и начинает проводить ток при прямом
напряжении 0,1 – 0,2В, а кремниевый при 0,5 – 0,6В.
При увеличении обратного напряжения (Uобр),
приложенного к p-n переходу, ток увеличивается
незначительно, о чем говорит обратная ветвь
вольтамперной характеристики.
При постепенном увеличении
обратного напряжения до
значения 100В видно, как
незначительно растет
обратный ток (точка «в» на
графике). Но при дальнейшем
увеличении напряжения, свыше
максимального, на которое
рассчитан p-n переход диода,
происходит резкое увеличение
обратного тока (пунктирная
линия), нагрев кристалла
полупроводника и, как
следствие,
наступает пробой p-n
перехода.
Пробой p – n перехода

Пробоем p-n перехода
называется явление
резкого увеличения
обратного тока при
достижении обратным
напряжением
определенного
критического
значения. 
Пробой p – n
перехода

Электрический Тепловой
пробой пробой

Туннельный Лавинный
пробой пробой
Электрический пробой

Электрический пробой
возникает в результате
воздействия сильного
электрического поля в p-
n переходе. Такой пробой
является обратимый, то есть
он не приводит к
повреждению перехода, и
при снижении обратного
напряжения свойства диода
сохраняются.
Туннельный пробой
Туннельный пробой происходит в результате
явления туннельного эффекта, который проявляется в том,
что при сильной напряженности электрического поля,
действующего в p-n переходе малой толщины, некоторые
электроны проникают (просачиваются) через переход из
области p-типа в область n-типа без изменения своей
энергии. Тонкие p-n переходы возможны только при
высокой концентрации примесей в молекуле
полупроводника.
! В зависимости от мощности и назначения диода толщина
электронно-дырочного перехода может находиться в
пределах от 100 нм (нанометров) до 1 мкм (микрометр).
Для туннельного пробоя характерен резкий
рост обратного тока при незначительном обратном
напряжении – обычно несколько вольт. На основе
этого эффекта работают туннельные диоды.
Лавинный пробой
Лавинный пробой заключается в том, что под
действием сильного электрического поля неосновные
носители зарядов под действием тепла в p-n переходе
ускоряются на столько, что способны выбить из атома
один из его валентных электронов и перебросить его в
зону проводимости, образовав при этом пару электрон
— дырка. Образовавшиеся носители зарядов тоже
начнут разгоняться и сталкиваться с другими атомами,
образуя следующие пары электрон – дырка.
Процесс приобретает лавинообразный характер,
что приводит к резкому увеличению обратного
тока при практически неизменном напряжении.
Тепловой пробой
Тепловой пробой возникает в результате перегрева p-n
перехода в момент протекания через него
тока большого значения и при недостаточном
теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость
теплового режима перехода.
При увеличении приложенного к p-n переходу
обратного напряжения (Uобр) рассеиваемая мощность
на переходе растет. Это приводит к увеличению
температуры перехода и соседних с ним областей
полупроводника, усиливаются колебания атомов
кристалла, и ослабевает связь валентных электронов с
ними.
Возникает вероятность перехода электронов в зону
проводимости и образования дополнительных пар
электрон — дырка.
При плохих условиях теплоотдачи от p-n перехода
происходит лавинообразное нарастание температуры,
что приводит к разрушению перехода.
Разновидности диодов:

Диод Шоттки
Стабилитрон
Варикап
Тиристор
Симистор
Светодиод
Инфракрасный диод
Фотодиод
Диод Шоттки
Диоды Шоттки имеют очень
малое падение напряжения
и обладают повышенным
быстродействием по
сравнению с обычными
диодами. Ставить вместо
диода Шоттки обычный
диод не рекомендуется,
обычный диод может
быстро выйти из
строя. Обозначается на
схемах такой диод так:
Стабилитрон
Стабилитрон препятствует
превышению напряжения выше
определённого порога на
конкретном участке схемы. Может
выполнять как защитные так и
ограничительные функции,
работают они только в цепях
постоянного тока. При
подключении следует соблюдать
полярность. Однотипные
стабилитроны можно соединять
последовательно для повышения
стабилизируемого напряжения или
образования делителя напряжений.
Варикап
Варикап (по другому
емкостной диод) меняет
своё сопротивление в
зависимости от поданного
на него напряжения.
Применяется как
управляемый конденсатор
переменной емкости,
например, для настройки
высокочастотных
колебательных контуров.
Светодиод

Светодиод излучает свет при


пропускании через него
электрического тока. Светодиоды
применяются в устройствах индикации
приборов, в электронных
компонентах, телефонах для
подсветки дисплея и клавиатуры,
мощные светодиоды используют как
источник света в фонарях и т.д.
Инфракрасный  диод
Инфракрасные светодиоды (сокращенно ИК диоды)
излучают свет в инфракрасном диапазоне . Области
применения инфракрасных светодиодов это оптические
контрольно-измерительные приборы, устройства
дистанционного управления, оптронные
коммутационные устройства, беспроводные линии связи.
Ик диоды обозначаются так же как и светодиоды.
Фотодиод
Фотодиод преобразует свет
попавший на его
фоточувствительную область, в
электрический ток, находит
применение в преобразовании
света в электрический сигнал.
Фото диоды (а так же
фоторезисторы,
фототранзисторы) можно
сравнить с солнечными
батареями. Обозначаются на
схемах так: