Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Биполярные транзисторы
2.1. Основные типы биполярных транзисторов.
p n
Б Б
n p
p n
Е Е
К К
Б Б
Е Е
а) б)
а) б)
+ + - - - - + +
UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ
- - + + + + - -
в) г)
- + + -
а)
Iк Iк
- +
IБ + IБ
-
UКЭ
UКЭ
Iэ UЭБ Iэ
UЭБ
+ + - -
б)
б)
IЭ IЭ
+ -
- IБ + IБ
UЭБ UКЭ
UБК IК UБК IК
+ - - +
в)
p n p
+ + + + +
IЭ +
+ + + + +
+
+
+ IK
+ диффузия экстракция
инжекция
Э +
К
поток электронов
- рекомбинация
+ -- -
UЭБ Переход смещен в
Б Переход смещен в UКБ
прямом обратном
- направлении
IБ
направлении
+
+
+
+
U вых
выходное сопротивление Rвых I вых
.
2.4. Основные свойства схем включения транзистора.
-Е2 +Е2
RК IЭ RК
Uвх IЭ IК Uвх IК
+Е1 -Е1
Rн Uвых Rн Uвых
IБ IБ
а) б)
Рис. 2.5.Схема с общей базой транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б) типов.
RК RК
IК IК
Uвх IБ Uвх IБ
-Е1 +Е1
Uвых
Rн Rн Uвых
IЭ IЭ
а) б)
Рис. 2.6. Схема с общим эмиттером транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б)
типов.
Входное сопротивление RвхЭ схемы с ОЭ значительно больше чем в
схеме с ОБ
U ЭБ I Э RвхБ
RвхЭ Rвх .
IБ IБ
Коэффициент усиления по току
IК
КI 1 .
IЭ
Коэффициент усиления по мощности
RН
K P K I KU 2
1 .
RвхЭ
Схема с ОЭ обеспечивает усиление входного сигнала по току,
напряжению и мощности.
-Е2 +Е2
IК RК RК
IК
Uвх IБ Uвх IБ
-Е1 +Е1
IЭ IЭ Uвых
Rн Uвых Rн
а) б)
Рис. 2.7 Схема с общим коллектором транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б)
типов.
а) б)
Схему с общим коллектором часто называют эмиттерным
повторителем. Она обеспечивает усиление по току, мощности, имеет
коэффициент усиления по напряжению меньше единицы. Схема отличается
большим входным и малым выходным сопротивлением потому широко
используется в качестве согласительных каскадов.
IБ
Б IБ
0
UБЭ IК0 UКЭ
Рис.2.8. Входные (а) и входные (б) статические характеристики
транзистора n-p-n типа, включенного по схеме с ОЭ.
2.6 Малосигнальные h – параметры транзистор.
U 1 h11 I1 h12 U 2 ;
I 2 h21 I1 h22 U 2 .
В качестве независимых переменных приняты приращение входного
тока I1 и входного напряжения U 2 , а U1 и I1 выражают через h-
параметры.
Содержание h - параметров определяется следующим образом.
U1
h11 U 2 const , U 2 0
I1
- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе.
U1
h12 I1 const , I1 0
U 2
U БЭ
h12 Э 0
U КЭ IБ 0
безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по
напряжению.
IK
h21 Э ;
IБ U КЭ 0
IК
h22 Э 1
U КЭ RK
IБ 0
h - параметры h - параметры схемы ОБ h - параметры схемы
схемы ОЭ ОК
h11Э h11 Б
h11 Э h11 K h11 Э
1 - h22 Э h21 Э hЭ
h12Э hЭ - h12 Э h12 K 1 h12 Э
h12 Б
1 h12 Э h21Э hЭ
h21Э ( hЭ h21 Э ) h21 K ( 1 h21 Э )
h21 Б
1 h12 Э h21Э hЭ
h22Э h22 Б
h22 Э h11 K h11 Э
1 - h12 Э h21 Э hЭ
hЭ h11 Э h22 Э h12 Э h21 Э