Вы находитесь на странице: 1из 23

Лекция № 2

Биполярные транзисторы
2.1. Основные типы биполярных транзисторов.

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор


с двумя взаимодействующими p-n переходами. В зависимости от
структуры биполярные транзисторы могут быть p-n-p и n-p-n типов.
К К

p n
Б Б
n p
p n

Е Е

К К
Б Б

Е Е

а) б)

Рис. 2.1 Биполярные транзисторы p-n-p (а) и n-p-n (б) типов.


На рис.2.1 даны условные обозначения транзисторов разных типов, а
также обозначены их выводы: коллектор, база, эмиттер. Эмиттерная и
коллекторная области отличаются тем, что в эмиттерной области
концентрация примеси значительно больше, чем в коллекторной области.
Она предназначена для инжекции (впрыскивания) носителей заряда.
Коллекторная область предназначена для экстракции (втягивания)
носителей, ее размеры обычно значительно больше размеров эмиттера.
Промежуточная область называется базой, она выполняется в виде тонкого
слоя, потому носители заряда проходят сквозь нее от эмиттера к коллектору.
Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между
коллектором и базой коллекторным.
Биполярный транзистор включается таким образом, что прямое
напряжение прилагается к эмиттерному переходу, а обратное, к
коллекторному. Транзистор может работать и в инверсном режиме, когда к
коллекторному переходу прилагается прямое напряжение, а к эмиттеру
обратное.
Активный режим - открыт (смещенный в прямом направлении)
эмиттерный переход, а коллекторный закрыт(рис. 2.2 (а)).
Инверсный режим - открыт коллекторный переход и закрыт
эмиттерный переход (рис. 2.2 (б)).
Режим насыщения - оба p-n переходы открыты и через них
протекает ток (рис 2.2 (в)).
Режим отсечки - оба p-n переходы закрыты, существенного тока
через транзистор нет (рис. 2.2 (г)).
+ - - + - + + -
UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ
- + + - + - - +

а) б)

+ + - - - - + +
UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ UЭБ UКБ
- - + + + + - -

в) г)

Рис. 2.2. Режимы работы биполярного транзистора: активный (а)


инверсный (б), насыщение (в), отсечки (г).
+ - - IЭ +

UЭБ IБ UКБ UЭБ IБ UКБ

- + + -

а)
Iк Iк
- +
IБ + IБ
-
UКЭ
UКЭ
Iэ UЭБ Iэ
UЭБ

+ + - -

б)

б)
IЭ IЭ
+ -
- IБ + IБ

UЭБ UКЭ
UБК IК UБК IК

+ - - +

в)

Рис. 8.3. Схемы включения биполярного транзистора :


с общей базой (а), общим эмиттером (б), общим коллектором (в).
2.2. Принцип работы биполярного транзистора.

p n p
+ + + + +
IЭ +
+ + + + +
+
+
+ IK
+ диффузия экстракция
инжекция
Э +
К
поток электронов
-  рекомбинация
+ -- -
UЭБ Переход смещен в
Б Переход смещен в UКБ
прямом обратном
- направлении

направлении
+


+
+
+

Рис. 2.4. Принцип работы транзистора.


2.3. Основные параметры биполярного транзистора.

дифференциальный коэффициент передачи тока от эмиттера к


коллектору
IК
 , при U КЭ  const ;
 IЭ
дифференциальный коэффициент передачи тока от базы к
коллектору
IK 
   1 .
 IБ 1  
Основными параметрами, которые характеризуют транзистор как
активный элемент, являются:
 I вых
коэффициент усиления по току К I  ;
 I вх
U вых
коэффициент усиления по напряжению K U  ;
U вх
 Pвых
коэффициент усиления по мощности KP  ;
 Pвх
U вх
входное сопротивление Rвх   I вх
;

U вых
выходное сопротивление Rвых   I вых
.
2.4. Основные свойства схем включения транзистора.

-Е2 +Е2

RК IЭ RК
Uвх IЭ IК Uвх IК
+Е1 -Е1

Rн Uвых Rн Uвых
IБ IБ

а) б)

Рис. 2.5.Схема с общей базой транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б) типов.

Коэффициент усиления по току схемы с общей базой всегда несколько


IК
меньше единицы КI   0.95  0.99 , так как ток коллектора всегда
 IЭ
несколько меньше тока эмиттера и приблизительно равняется коэффициенту
передачи  . Чем лучший транзистор, тем он более близок к единице.
Коэффициент усиления по напряжению:
U вых  I К RН RН
, KU   
U вх  I Э RвхБ RвхБ

где RвхБ - входное сопротивление открытого эмиттерного перехода.

Так, как RН  RвхБ , то KU  1 .


Таким образом схема включения транзистора с ОБ не усиливает сигнал
по току, а усиливает сигнал по напряжению и мощности.
-Е2 +Е2

RК RК
IК IК
Uвх IБ Uвх IБ
-Е1 +Е1

Uвых
Rн Rн Uвых
IЭ IЭ

а) б)
Рис. 2.6. Схема с общим эмиттером транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б)
типов.
Входное сопротивление RвхЭ схемы с ОЭ значительно больше чем в
схеме с ОБ
U ЭБ  I Э RвхБ
RвхЭ     Rвх .
 IБ IБ
Коэффициент усиления по току
IК
КI     1 .
 IЭ
Коэффициент усиления по мощности

K P  K I KU   2
 1 .
RвхЭ
Схема с ОЭ обеспечивает усиление входного сигнала по току,
напряжению и мощности.
-Е2 +Е2

IК RК RК

Uвх IБ Uвх IБ
-Е1 +Е1

IЭ IЭ Uвых
Rн Uвых Rн

а) б)
Рис. 2.7 Схема с общим коллектором транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б)
типов.

В схеме с общим коллектором (рис. 2.7) входной сигнал подается на


вход база-коллектор, а выходной снимается с эмиттера.
Входное сопротивление Rвх большое и равняется Rвх  RН (   1 )
Коэффициент усиления по току схемы из СК
 IЭ  IЭ 1
КI     1 .
 IБ  IЭ -  I К 1  

а) б)
Схему с общим коллектором часто называют эмиттерным
повторителем. Она обеспечивает усиление по току, мощности, имеет
коэффициент усиления по напряжению меньше единицы. Схема отличается
большим входным и малым выходным сопротивлением потому широко
используется в качестве согласительных каскадов.

2.5. Статические входные и выходные характеристики


биполярного транзистора.
Транзистор характеризуется входной и выходной статистическими
вольт-амперными характеристиками (ВАХ). Они показывают зависимость
входного тока от входного напряжения (при постоянном значении
выходного напряжения транзистора) и исходного тока от исходного
напряжения (при постоянном входном току транзистора). Статистические
входные и выходные ВАХ биполярного n-p-n типа для схемы с ОЭ
приведенные на рис. 2.8. Это зависимости I Б  f ( U БЭ ), U KЭ  const и
I K  f ( U KЭ ), I Б  const .
A
IБ UКЭ=0 UКЭ>0 IК

Б IБ
0
UБЭ IК0 UКЭ
Рис.2.8. Входные (а) и входные (б) статические характеристики
транзистора n-p-n типа, включенного по схеме с ОЭ.
2.6 Малосигнальные h – параметры транзистор.

Они характеризуют работу транзистора в основных режимах - при


малых изменениях токов и напряжений. Принято определять h - параметры
исходя из представления транзистора в виде четырехполюсника (рис. 2.9
(а)). Внутри четырехполюсника находится транзистор включенной по одной
из схем ОБ, ОЭ, ОК.
I1 I2
I1 I2
h12 U2
h21 I1
U1 U2
U1 U2 1/h22
h11

Рис.2.9. Транзистор в виде четырехполюсника (а) и его эквивалентная


схема (б).

U 1  h11  I1  h12 U 2 ;
 I 2  h21  I1  h22 U 2 .
В качестве независимых переменных приняты приращение входного
тока  I1 и входного напряжения U 2 , а U1 и  I1 выражают через h-
параметры.
Содержание h - параметров определяется следующим образом.
U1
h11  U 2  const , U 2  0
 I1
- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе.

U1
h12  I1  const ,  I1  0
U 2

- коэффициент обратной связи по напряжению, он показывает, какая


часть входного переменного напряжения передается к входу за счет наличия
внутренней обратной связи.
 I2
h21  U 2  const , U 2  0
 I1
- коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.
 I2
h22  I1  const ,  I1  0
U 2
- выходная проводимость при холостом ходе на входе.

Для схемы c ОЭ h – параметры имеют значение:


U БЭ
h11 E   RвхЭ  RвхБ (   1 ) ;
IБ U КЭ  0

U БЭ
h12 Э  0
U КЭ IБ 0
безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по
напряжению.

IK
h21 Э   ;
IБ U КЭ  0

IК
h22 Э   1
U КЭ RK
IБ 0
h - параметры h - параметры схемы ОБ h - параметры схемы
схемы ОЭ ОК
h11Э h11 Б 
h11 Э h11 K  h11 Э
1 - h22 Э  h21 Э   hЭ
h12Э  hЭ - h12 Э h12 K  1  h12 Э
h12 Б 
1  h12 Э  h21Э   hЭ
h21Э  (  hЭ  h21 Э ) h21 K   ( 1  h21 Э )
h21 Б 
1  h12 Э  h21Э   hЭ
h22Э h22 Б 
h22 Э h11 K  h11 Э
1 - h12 Э  h21 Э   hЭ
 hЭ  h11 Э h22 Э  h12 Э h21 Э

Оценить