типа n или p , ограниченный с двух сторон электронно- дырочными переходами называется каналом. Величина тока в канале зависит от напряжения приложенного между стоком и истоком , нагрузочного сопротивления и сопротивления полупроводниковой пластинки между стоком и истоком. При постоянном стоковом напряжении и нагрузочного сопротивления ток в канале зависит только от эффективной площади поперечного сечения канала. С уменьшением сечения канала увеличивается сопротивление между истоком и стоком и снижается величина стокового тока. Уменьшение напряжения на затворе вызывает уменьшение сопротивление канала и возрастание стокового тока.
3.Выводы транзистора называются сток , исток и затвор. Затвор является управляющим
электродом , на него подают управляющее напряжение. Исток аналогичен эмиттеру в биполярных транзисторах. Сток является выводом, с которого снимается выходной ток.
4. К затвору p-n транзисторов нужно прикладывать положительное управляющее
напряжение для открытия ключа, а для транзисторов с изолированным затвором – отрицательное относительно истока. В отличие от полевого транзистора с p-n переходами, транзистор с изолированным затвором может работать с нулевым отрицательным или положительном напряжении на затворе. 5.Основными преимуществами полевого транзистора перед биполярным является более высокое входное сопротивление и более широкий температурный диапозон.
6.
Данный рисунок отображает конструкцию n-p транзистора и схему его включения.
Тонкий слой полупроводника типа n или p , ограниченный с двух сторон электронно- дырочными переходами называется каналом. C , И и З – это выводы биполярного транзистора носящие названия сток , исток и затвор. На рисунке схематически представлена конструкция полевого транзистора с изолированным затвором. Основой прибора служит пластинка монокристалического кремния p-типа . Области стока и истока представляют собой участки кремния , сильно легированные примесью n-типа. Расстояние между истоком и стоком примерно 1 мкм. На этом участке расположена узкая слабо легированная полоска кремния n-типа. Затвором служит металлическая пластинка изолированная от канала слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика может использоваться выращенная пленка двуокиси кремния.
7.Полевой транзистор с индуцированным каналом отличается от полевого транзистора с
собственным каналом тем что канал возникает только при подаче на затвор напряжения определённой полярности. При отсутствии этого напряжения канала нет. В транзисторе с собственным каналом если приложить напряжение между стоком и истоком то через канал потечёт ток представляющий собой поток электронов.