Е. А. Ершов-Павлов, В. И. Журавлева, В. А.

Розанцев
ВЫБОР АНАЛИТИЧЕСКОЙ ЗОНЫ ЛАЗЕРНОГО ФАКЕЛА
С УЧЕТОМ РЕАБСОРБЦИИ
В ведение
Реабсорбцией ограничивается чувствительность и верхний предел
диапазона определяемых концентраций. Вследствие реабсорбции
уменьшается наклон градуировочного графика при высоких содержани­
ях определяемого элемента [1]. В случае сильной реабсорбции, при на­
личии самообращения линии, могут быть вообще непригодны для прове­
дения анализа.
Основным и, пожалуй, единственным существенным недостатком ла­
зерной плазмы по сравнению с плазмой электрических разрядов является
то, что в ее спектрах более высокий фон, линии сильнее уширены и в
большей степени реабсорбированы. Это приводит к тому, что отношение
интенсивности линий к интенсивности фона (1л/1ф) ниже и предел обнару­
жения элементов хуже, чем при использовании электрических разрядов.
Известно, что многократное повышение контраста эмиссионного
спектра может быть достигнуто несколькими способами: снижением
давления окружающих паров в камере с исследуемым образцом [2], про­
странственной селекцией областей свечения лазерного факела [3, 4].
С целью повышения отношения 1л/1ф (контраста) проведены иссле­
дования по выбору условий регистрации, при которых реабсобция отсут­
ствует или ее влияние на интенсивность резонансных аналитических
спектральных линий в излучении плазмы одиночных и сдвоенных лазер­
ных импульсов минимально. Для реализации таких условий учитывалась
неравномерность распределения интенсивности излучения линий и фона
по объему облака лазерной плазмы. М аксимальная интенсивность фона и
линий с высокими энергиями возбуждения расположена в области, при­
легающей к образцу [1].
М етоди ка эксп ери м ен та
Проводился с лазерным спектральным анализатором (ЛСА) в соста­
ве моноимпульсного лазера на А И Г: Nd3+ и спектрометра с блоком реги­
страции на 4-х ПЗС-линейках. Регистрация спектров осуществлялась при
фиксированных параметрах лазерного излучения: длине волны 1.06 мкм,
длительностью одиночного импульса 10 нс, энергией одиночных им ­
пульсов 0.04-0.05 Дж, временным интервалом между импульсами, со­
ставляющими сдвоенный импульс 8 мкс, плотностью мощности в случае
резкой фокусировки лазерного излучения на поверхность образца около

59
 1П 9
5-10 Вт/см , которая при расфокусировке уменьшалась в 30-40 раз.
Спектры получены с помощью дифракционного спектрографа PGS-2
(Германия) с обратной линейной дисперсией 0.72 нм/мм при трехлинзо­
вой системе освещения щели спектрографа. Для компьютерной обработ­
ки спектров использовалась программа, позволяющая аппроксимировать
спектральные линии, измерять их амплитуды, полуширины, интеграль­
ные интенсивности и т. д. За интенсивность спектральной линии принято
максимальное значение функции Г аусса, аппроксимирующей аналитиче­
скую линию, с вычитанием спектрального фона. Спектральное разреше­
ние прибора ограничивается физическими размерами светочувствитель­
ного элемента детектора (пикселя). В нашей схеме это разрешение со­
ставляло 0.01 нм на пиксел.
Степень реабсорбции спектральных линий контролировалась по
контуру наиболее чувствительных спектральных линий элементов
алюминиевых сплавов в спектрах, полученных при регистрации
излучения от разных зон лазерного факела. Для выделения
регистрируемой зоны факела (высотой 0.4 мм в случае одиночных
импульсов и 1 мм в случае сдвоенных импульсов) использовалась
диафрагма высотой 1.2 мм и 3.2 мм соответственно, расположенная на
промежуточной линзе трехлинзовой системы освещения щели
спектрографа. Н а эту диафрагму проецировалось трехкратно увеличенное
резкое изображение факела. Для выделения зоны регистрации по высоте
факела образец дополнительно перемещался относительно оптической
оси. При этом путем перемещения объектива и отрицательной линзы
телескопа сохранялся выбранный режим фокусировки. Спектры
регистрировались при резкой фокусировке лазерного луча на поверхности
образца, над поверхностью и внутри образца.
В найденных условиях (отсутствие реабсорбции) определялась эффек­
тивность использования вещества для спектрального анализа с помощью
формулы K = А1(МЕ)Л [5, 6], где за меру эффективности к принято отно­
шение интенсивности аналитической спектральной линии I к произведе­
нию массы пробы М , поступившей из образца в течение экспозиции, на
энергию единичного импульса источника Е , А - коэффициент, учиты­
вающий условия регистрации спектров. для расчета эффективности ис­
пользовалась интенсивность спектральных линий элементов и масса ве­
щества, выброшенного из образца за время экспозиции спектра, опреде­
ленная по профилю лунки на образце и плотности материала. количество
химических элементов, содержащихся в продуктах лазерной эрозии, оп­
ределялось с учетом их концентраций в образцах алюминиевых сплавов.

60
 Эффективность определялась при резкой фокусировке лазерного
излучения на поверхность и внутрь образца.
О бсуж дение р езультатов
Получены зависимости интенсивности и полуширины спектральных
линий по высоте лазерного факела при изменении условий фокусировки
лазерного луча и последовательном проецировании на щель спектрогра­
фа зоны факела высотой 1 мм. Н а рис. 1 показан общий вид лазерного
факела при разных способах фокусировки. В частности, при резкой фо­
кусировке излучения на поверхность образца лазерный факел имеет ярко
выраженную конусообразную форму, что является одной из причин рос­
та полуширины линии по высоте факела. При фокусировке излучения
внутрь образца форма факела ближе к цилиндрической, что объясняет
примерное постоянство полуширины. При фокусировке над поверхно­
стью образца форма факела вытянута и имеет две зоны свечения.
Н а рис. 2 показано изменение интенсивности и полуширины спек­
тральной линии меди по высоте лазерного факела в спектре алюминие­
вого сплава в различных условиях фокусировки лазерного излучения при
последовательном проецировании на щель спектрографа зоны факела
высотой 1 мм. Видно, что максимальная интенсивность и наиболее узкие
спектральные линии наблюдаются в спектрах излучения зоны факела,
расположенной на расстоянии 3 мм (в случае фокуса над поверхностью),
2 мм (фокус на поверхности) и 1 мм (фокус внутри образца) от поверх­
ности образца соответственно. В случае расфокусировки лазерного излу­
чения и, соответственно, изменения формы факела (уменьшения плотно­
сти мощности лазерного излучения на поверхности образца) зоны с от­
сутствием реабсорбции линий и максимальным контрастом расположены
в основном в нижней части факела. Видно, что для каждого способа фо­
кусировки имеется своя наиболее интенсивная зона факела. Общая ин ­
тенсивность спектра выше для случая фокусировки лазерного излучения
внутрь образца. При этом для всех трех случаев фокусировки изменение
полуш ирины незначительно (см. рис. 2), это объясняется, в основном,
размером и формой лазерного факела, общее свечение которого показано
на фотографиях (см. рис. 1).
Н а рис. 3 представлены контуры резонансных линий алюминия,
полученные при регистрации излучения разных зон лазерного факела,
возникающего при резкой фокусировке на поверхность лазерного
излучения сдвоенных импульсов. Видно, что форма контура сильно
изменяется по высоте факела вплоть до самообращения, и реабсорбция
минимальна в спектре излучения зоны, расположенной на расстоянии 1
мм от поверхности образца.

61
 лазерные импульсы условия фокусировки
одиночный сдвоенный лазерного луча

над поверхностью
образца
(диаметр
светового
пятна
~850 мкм)

на поверхность
образца
(диаметр
светового
пятна
~60 мкм)

внутрь
образца
(диаметр
светового
пятна
~850 мкм)

6х2 мм

Рис. 1. Вид индуцированных лазерным излучением плазменных факелов в зависимо­

сти от режима воздействия и условий фокусировки объект внизу дает представление
о реальном размере факелов
Область факела по высоте, где отсутствует реабсорбция линий меди
Cu I 324.73 и Cu I 327.37 нм и соответственно ниже плотность погло­
щающих атомов меди, значительно больше аналогичной области для ре­
зонансных линий алюминия, поскольку концентрация ее в используемом

62
образце невелика (4.75 %) по сравнению с алюминием, который является
основой сплава.

Рис. 2. Изменение интенсивности и полуширины спектральной линии Cu 324.7

нм по высоте лазерного факела в различных условиях фокусировки лазерного лу­
ча при последовательном проецировании на щель спектрографа зоны факела вы­
сотой 1 мм.
1 - фокус над поверхностью, 2 - на поверхности, 3 - внутри образца

Для снижения степени реабсорбции спектральных линий

дополнительно использовалось понижение энергии лазерных импульсов.
При уменьшении энергии лазерного излучения происходит уменьшение
количества продуктов лазерной эрозии, размеров лазерного факела и
концентрации атомов химических элементов в плазме, что и приводит к
уменьшению степени реабсорбции спектральных линий. Для получения
экспериментальных результатов регистрировались контуры
спектральной линии Al I 309.27 нм в спектрах, полученных от разных
зон лазерного факела и энергий лазерного излучения в режиме

63
 л 5000 Al 309.27 нм
оо 4000 Н Al 308.215 нм
хВ5 3000 - a
о5 2000 -
6X Л<ЖУ^Л.,,
1000 U '
К
0 т” т 1------ 1------1
1 35 69 103 137 171

№ пиксела

1 35 69 103 137 171 205 239

№ пиксела

20000 Al 309.27 нм
оон Al 308.215 нм
X 15000
т с
К 10000
Я
& 5000
я
S 0 — I-----------------------------------------------------------------------------------1------------------- 1---------------------1---------------------1---------------------1---------------------1—

1 35 69 103 137 171 205 239

№ пиксела

5000 Al 309.27 нм
оон 4000
й 3000 d
s
ас 2000
х 1000
К
0
35 69 103 137 171 205

№ пиксела
Рис. 3. Контуры спектральных линий алюминия, полученные при регистрации из­
лучения разных зон факела, возникающего при резкой фокусировке на поверх­
ность образца лазерного излучения сдвоеннных импульсов.
a - зона у поверхности образца; b, с, d - выше поверхности образца на 1, 2 и 4 мм, соответственно
одиночных импульсов. Зоны факела высотой 1 мм были расположены у
поверхности образца и на 300 мкм, 600 мкм, 900 мкм выше от нее;
энергия излучения: 0.055 Дж, 0.035 Дж и 0.017 Дж. Установленно, что с

64
уменьшением энергии лазерного излучения реабсорбция спектральных
линий практически исчезает при регистрации спектров для всех
указанных зон лазерного факела.
Приводим результаты по эффективности, полученные для
некоторых элементов алюминиевого сплава.
Таблица. 1.
Изменение эффективности (в относительных единицах) при расфокусировке
лазерного излучения внутрь образца
Si Mg Cu Fe Al
к-'к-расф 2.02:4.14 1.72:3.61 3.08:8.71 4.07:12.9 2.92:9.8
З аклю ч ен и е
В результате оптимизации условий регистрации спектров плазмы
сдвоенных лазерных импульсов определены зоны с максимальным кон­
трастом эмиссионного спектра и зоны где отсутствует реабсорбция резо­
нансных спектральных линий.
Регистрация спектров проводилась с учетом неравномерности рас­
пределения интенсивности излучения линий и фона по объему облака
лазерной плазмы. Путем пространственной селекции зон лазерного фа­
кела в различных условиях фокусировки излучения определено распо­
ложение оптимальных аналитических зон на высоте 3, 2 и 1 мм от п о­
верхности образца для фокуса над поверхностью, на поверхности и
внутри образца соответственно.
Установлено повышение эффективности использования анализи­
руемого вещества (примерно в 3 раза) при расфокусировке лазерного из­
лучения внутрь образца по сравнению с резкой фокусировкой при неиз­
менном энерговкладе. Полученное повышение эффективности исполь­
зования вещества позволит снизить пределы обнаружения элементов.
Литература
1. Журавлева В. И., Петух М. Л., Янковский А. А. О реабсорбции резонансных линий
серебра и меди в плазме дуги переменного тока // ЖПС. 1985. Т. 43, № 5. С. 718-722.
2. Розанцев В. А.,. Широканов А. Д., Янковский А. А. Исследование влияния интер­
вала времени между одиночными лазерными импульсами на характеристики ла­
зерной плазмы // ЖПС. 1993. Т. 59, № 5-6. С. 431-434.
3. Бухаров А. Ю., Першин С. М. Изменение параметров спектра лазерной плазмы
при переходе к двухимпульсному облучению диэлектрика в воздухе // ЖПС.
1989. Т. 51, № 4. С. 564-571.
4. Першин С. М. Трансформация оптического спектра лазерной плазмы при двухим-
пульсном облучении поверхности // Квантовая электроника. 1989. Т. 16, № 2. С. 325­
330.
5. Журавлева В. И., Янковский А. А. Об эффективности использования лазерных ис­
точников света для атомного спектрального анализа // Квантовая электроника.
Материалы 4-й Междунар. науч.-техн. конф. Мн.:БГУ, 2002. С. 131.
6. Журавлева В. И.,. Янковский А. А.. Эффективность использования вещества в ис­
кровых и дуговых источниках // ЖПС. 2002. Т. 69, № 3. С. 406-409.

65