Министерство образования Красноярского края

краевое государственное бюджетное

профессиональное образовательное учреждение
«Красноярский колледж радиоэлектроники
и информационных технологий»

ДОМАШНЯЯ КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по специальности 11.02.02 «Техническое обслуживание и ремонт
радиоэлектронной техники (по отраслям)»
Вариант № __37___

ДИСЦИПЛИНА: Электронная техника

Отделение: заочное
Студента группы ЗТО-1.20 Шалдаев М. П.

ПРОВЕРИЛ:
Преподаватель Комаров Н.Д.

Оценка работы _____________ Дата проверки ____________ Подпись

__________

Рег.номер _________________

Красноярск, 2020 г.
 Содержание

1. Теоретический материал
1.1 Вопрос 2. Собственный полупроводник. Зонная теория электропроводности. 2
1.5 Вопрос 2. Схемы включения транзисторов. Включение с общей базой. 5
4.1 Вопрос 14. Преобразователи напряжения. Типы, простейшие схемы, принцип
действия. 6
2.Практическая часть
6. Транзистор КТ316А. Для указанного транзистора построить нагрузочную
характеристику 10

Список используемых источников.

1. Ф.И. Вайсбурд. Электронные приборы и усилители».- М: Едиториал УРСС, 2003;
2. В.И. Лачин. Электроника.- Ростов н/Д: Феникс, 2002.;
3. В.Ш. Берикашвили. Электронная техника. - М: Академия, 2007;
4. Акимова Г .Н. Электронная техника. - М.: Маршрут, 2003.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 1

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 1. Теоретическая часть.
1.1 Вопрос 2. Собственный полупроводник. Зонная теория электропроводности.

В полупроводниках появление носителей заряда определяется рядом факторов,

важнейшими из которых являются чистота материала и его температура.

В зависимости от степени чистоты полупроводники делятся на собственные и примесные.

Собственный полупроводник – это полупроводник, в котором отсутствуют примесные

атомы другой валентности, влияющие на его электропроводность.

В реальных материалах в кристаллической решётке всегда существуют примеси, но у

собственных полупроводников их концентрация пренебрежимо мала.

Пример.

Рассмотрим строение полупроводникового материала, получившего наибольшее

распространение в современной электронике, – кремния (Si).

В кристалле этого полупроводника, атомы располагаются в узлах кристаллической

решётки, а электроны наружной электронной оболочки образуют устойчивые
ковалентные связи, когда каждая пара валентных электронов принадлежит одновременно
двум соседним атомам и крепко связана с ними.

При температуре абсолютного нуля (Т = 0 К) все энергетические состояния внутренних

зон и валентная зона занята электронами полностью, а зона проводимости совершенно
пуста, поэтому кристалл полупроводника фактически является диэлектриком.

При передаче кристаллической решётке дополнительной энергии, например при

повышении температуры.

В результате поглощения каким-либо электроном этой дополнительной энергии, он

разрывает ковалентную связь. Появляется вероятность его перехода в зону проводимости,
где он становится свободным носителем n электрического заряда, причём, чем больше
температура, тем выше эта вероятность.

Одновременно с этим у того атома полупроводника, от которого отделился электрон,

возникает незаполненный энергетический уровень в валентной зоне, называемый дыркой
р.

Она представляет собой единичный положительный электрический заряд (равный по

модулю заряду электрона) и может перемещаться по всему объёму полупроводника под
действием электрических полей, диффузии (в результате разности концентраций
носителей заряда в различных зонах полупроводника), а также в результате теплового
движения.

Таким образом, в идеальном кристалле полупроводника при нагревании образуются пары

носителей заряда «электрон – дырка», которые обуславливают появление собственной
электрической проводимости полупроводника.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 2

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 Обычно из атомов формируются кристаллические или поликристаллические структуры
как, к примеру тот же кремний. При этом атомы вещества сближаются друг с другом.

Но согласно принципу Паули на каждом энергетическом уровне может находиться только

определенное количество электронов. Поэтому отдельные энергетические уровни атома в
кристалле расщепляются на N подуровней, где N — количество атомов в кристалле.

Обычно рисунок атома с энергетическими зонами выглядит как рисунок наверху, но в

зонной теории энергетические уровни показывается в виде горизонтальных линий, а не
окружностей, т.к. они в одиночном атоме не зависят от направления удаления от ядра.

График расщепления энергетических уровней в зависимости от расстояния между

атомами выглядит так:

Это пример графика полупроводника из Лития.

На рисунке видно, что при реальных расстояниях между атомами вещества расщепляются
на зоны в основном внешние энергетические уровни. Кроме того, все внутренние
энергетические уровни атомов заполнены электронами.

Поэтому при анализе интерес представляют верхние энергетические уровни. В

приведённом атоме лития это уровни 3s и 3p. Поэтому в зонной теории обычно
показываются именно верхние энергетические зоны.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 3

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 В зонную теорию электропроводимости входят три теории.
• Теория проводников
• Теория полупроводников
• Теория диэлектриков

Зонная теория проводников.

В случае если зоны соседних энергетических уровней перекрываются или верхняя зона не
полностью заполнена электронами, то им легко переходить на более высокие уровни и
достаточно даже небольшого напряжения, чтобы возник электрический ток. Такие
материалы называются металлами.

На примере металлов легко ввести понятие электронного газа и распределения электронов

по энергетическим уровням. В металлах электроны принадлежат не отдельным атомам, а
всему материалу в целом и могут свободно перемещаться по всему объёму металла.

Плотность заполнения энергетических уровней электронами зависит от температуры

вещества. При T=0°K заполнены будут уровни с самой низкой энергией. При повышении
температуры часть электронов займёт более высокий энергетический уровень (начнёт
подобно молекулам газа хаотически перемещаться по металлу).

При температуре абсолютного нуля все электроны постараются занять наименьший

возможный энергетический уровень.

Зонная теория полупроводников.

Вещества, удельная электропроводность которых находится в пределах ρ = 105 ÷ 1010

Ом/см называются полупроводниками. Наибольшее распространение в производстве
электронных приборов получили такие полупроводники, как кремний и арсенид галлия.

В полупроводниках для того, чтобы образовалась пара электрон-дырка, уже требуется

значительная энергия. При этом сопротивление полупроводника с повышением
температуры сильно уменьшается за счёт увеличения концентрации свободных носителей
тока — дырок и электронов при переходе электронов из валентной зоны в зону
проводимости.

Зонная теория диэлектриков.

Вещества, удельная электропроводность которых находится в пределах ρ = 1010 ÷ 1015

Ом/см называются диэлектриками. В радиоэлектронике при изготовлении микросхем
наибольшее распространение получил оксид кремния.

В принципе диэлектрики почти не отличаются от полупроводников. Однако в них

тепловой энергии недостаточно чтобы электрон перешёл в зону проводимости.

В диэлектриках переход электронов в зону проводимости возможен только под

воздействием ионизирующего излучения с энергией кванта, превышающей ширину
запрещённой зоны. Поэтому проводимость диэлектриков может увеличиваться при их
облучении ионизирующим излучением.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 4

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 1.5 Вопрос 2. Схемы включения транзисторов. Включение с общей базой.

Усилитель представляет собой четырёхполюсник, у которого два вывода являются входом

и два вывода являются выходом.

Структурная схема включения усилителя.

Основной усилительный элемент — это транзистор. Он имеет всего три вывода, поэтому
один из выводов транзистора приходится использовать одновременно для подключения
источника сигнала (как входной вывод) и подключения нагрузки (как выходной вывод).
Схема с общей базой — это усилитель, где база транзистора используется как для
подключения входного сигнала, так и для подключения нагрузки.

Функциональная схема включения транзистора с общей базой.

На данной схеме ниже пунктиром показаны границы усилителя, изображённого на первом

рисунке.

На ней не показаны цепи питания транзистора. Для питания транзистора в схеме с общей
базой может подойти любая из схем. Расчёт резисторов, входящих в эти схемы не зависит
от схемы включения транзистора и для схемы с общей базой. На рисунке показана
принципиальная схема каскада на биполярном npn-транзисторе, выполненного по схеме с
ОБ (Общая База). Таких схем может быть множество.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 5

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 4.1 Вопрос 14. Преобразователи напряжения. Типы, простейшие схемы, принцип
действия.

Что это такое?

Преобразователем напряжения называется устройство, которое изменяет вольтаж цепи.

Это электронный прибор, который используется для изменения величины входного
напряжения устройства (к примеру ИБП). Преобразователи напряжения могут повышать
или понижать входное напряжение, в том числе менять величину и частоту
первоначального напряжения.

Необходимость применения данного устройства преимущественно возникает в случаях,

когда необходимо использовать какой-либо электрический прибор в местах, где
невозможно использовать имеющиеся стандарты или возможности электроснабжения
(повышенное или пониженное напряжение, перебои в работе и т.д.). Преобразователи
могут использоваться в виде отдельного устройства либо входить в состав систем
бесперебойного питания и источников электрической энергии. Они широко применяются
во многих областях промышленности, в быту и других отраслях.

Типы и виды устройств.

Для преобразования одного уровня напряжения в иное часто используют импульсные

преобразователи напряжения с применением индуктивных накопителей энергии.
Согласно этому известно три типа схем преобразователей:
• Инвертирующие.
• Повышающие.
• Понижающие.

Преобразователи можно классифицировать по ряду направлений.

Преобразователи напряжения постоянного тока:

• Регуляторы напряжения.
• Преобразователи уровня напряжения.
• Линейный стабилизатор напряжения.

Преобразователи переменного тока в постоянный:

• Импульсные стабилизаторы напряжения.
• Блоки питания.
• Выпрямители.

Преобразователи постоянного тока в переменный:

• Инверторы.
• Преобразователи переменного напряжения:
• Трансформаторы переменной частоты.
• Преобразователи частоты и формы напряжения.
• Регуляторы напряжения.
• Преобразователи напряжения.
• Трансформаторы разного рода.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 6

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 Преобразователи напряжения в электронике в соответствии с конструкцией также делятся
на следующие типы:
• На пьезоэлектрических трансформаторах.
• Автогенераторные.
• Трансформаторные с импульсным возбуждением.
• Импульсные источники питания.
• Импульсные преобразователи.
• Мультиплексорные.
• С коммутируемыми конденсаторами.
• Бестрансформаторные конденсаторные.

Принцип действия преобразователя.

Преобразователь напряжение вырабатывает напряжение питания необходимой величины

из иного питающего напряжения, к примеру, для питания определенной аппаратуры от
аккумулятора. Одним из главных требований, которые предъявляются к преобразователю,
является обеспечение максимального коэффициента полезного действия.

Преобразование переменного напряжения легко можно выполнить при помощи

трансформатора, вследствие чего подобные преобразователи постоянного напряжения
часто создаются на базе промежуточного преобразования постоянного напряжения в
переменное.

Мощный генератор переменного напряжения, который питается от источника исходного

постоянного напряжения, соединяется с первичной обмоткой трансформатора.
Переменное напряжение необходимой величины снимается с вторичной обмотки, которое
потом выпрямляется.

В случае необходимости постоянное выходное напряжение выпрямителя стабилизируется

при помощи стабилизатора, который включён на выходе выпрямителя, либо с помощью
управления параметрами переменного напряжения, которое вырабатывается генератором.
Для получения высокого кпд в преобразователях напряжения используются генераторы,
которые работают в ключевом режиме и вырабатывают напряжение с использованием
логических схем.
Выходные транзисторы генератора, которые коммутируют напряжение на первичной
обмотке, переходят из закрытого состояния (ток не течет через транзистор) в состояние
насыщения, где на транзисторе падает напряжение.

В преобразователях напряжения высоковольтных источников питания в большинстве

случаев применяется эдс самоиндукции, которая создаётся на индуктивности в случаях
резкого прерывания тока. В качестве прерывателя тока работает транзистор, а первичная
обмотка повышающего трансформатора выступает индуктивностью.

Выходное напряжение создаётся на вторичной обмотке и выпрямляется. Подобные схемы

способны вырабатывать напряжение до нескольких десятков кВ. Их часто применяют для
питания электронно-лучевых трубок, кинескопов и так далее. При этом обеспечивается
кпд выше 80%.

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 7

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 Схемы преобразователя.

Так как схем преобразователя очень огромное количество, но всё же работают почти по
одному принципу.

Функциональная схема повышающего преобразователя. Они также называются

DC/DC‑конвертерами (преобразователи постоянного напряжения в постоянное).

Большинство современных ДС/ДС‑преобразователей имеет гальваническую развязку. В

таких устройствах входные и выходные электроцепи разделены изоляционным барьером.
Это решение позволяет защитить людей и подключаемую нагрузку от аварийного
повышения напряжения на входе, а также улучшает помехозащищённость конвертера.

AC/DC‑преобразователи (преобразователи переменного напряжения в постоянное

(выпрямители)). Применяются для преобразования переменного напряжения (например,
стандартного напряжения бытовых или промышленных электросетей 220/380 В) в
стабилизированное постоянное напряжение.

Схема тиристорного преобразователя

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 8

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 Транзисторный преобразователь.

Схема

DC/AC‑инверторы (преобразователи постоянного напряжения в переменное). Могут

применяться как отдельная аппаратура или входить в состав источников бесперебойного
питания и систем преобразования электроэнергии.

Пример схемы

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 9

Изм. Лист № докум. Подпись Дата
 2.Практическая часть.
6.Транзистор КТ316А. Для указанного транзистора построить нагрузочную
характеристику.

Дано:
Ек = 12 В,
Rн = 400 Ом.

Найти:
Задаться рабочей точкой в режиме класса А и для выбранной РТ (рабочей точки)
определить IБП, IКП, Uкэп, мощность рассеяния на коллекторе в режиме покоя.

Решение:

Лист

ККРИТ. 11.02.02. ЗТО-1.20 10

Изм. Лист № докум. Подпись Дата